JP4863585B2 - コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを用いたプローブコンタクトアセンブリ - Google Patents
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、コンタクトストラクチャとその製造方法、そしてそのコンタクトストラクチャを使用したコンタクトアセンブリに関し、特に、多数のコンタクタを有するコンタクトストラクチャの構成、およびこのような多数のコンタクタを半導体ウェハ上に水平方向に形成し、そのコンタクタを半導体ウェハ上から取り除き、基板上にコンタクタを搭載することにより、コンタクトプローブアセンブリ、プローブカード、ICチップ、その他のコンタクト機構のようなコンタクトストラクチャを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIやVLSI回路のような高速、また高密度な電子部品をテストするにあたっては、多数のコンタクタを有するプローブカードのような高性能コンタクトストラクチャを使用する必要がある。他の応用として、ICリード等のICパッケージに、コンタクトストラクチャを使用してもよい。本発明は、LSIやVLSIチップ、半導体ウェハ等のテスト、半導体ウェハやダイ等のバーンイン、パッケージされた半導体デバイス、プリント回路基板等のテストとバーンインに使用するコンタクトストラクチャの製造方法に関するものである。さらに本発明は、ICチップ、ICパッケージ、他の電子デバイス等のリードやターミナルピンの形成のためにも応用できる。しかし、以下においては、説明の便宜のために、主として半導体ウェハテストに関連して本発明を説明する。
【0003】
被試験半導体部品が半導体ウェハの場合は、ICテスタのような半導体テストシステムは、自動的に半導体ウェハをテストするために、自動ウェハプローバのような基板ハンドラと接続して用いられる。そのような例が第1図に示されており、半導体テストシステムは、一般に別のハウジングとして形成されケーブル束110でテストシステム本体に接続されたテストヘッドを有している。テストヘッド100と基板ハンドラ400は、モーター510により駆動されるマニピュレータ500により、互いに機械的および電気的に接続されている。被試験半導体ウェハは、基板ハンドラ400によって、自動的にテストヘッド100のテスト位置に供給される。
【0004】
テストヘッド100において、被試験半導体ウェハには、半導体テストシステムにより生成されたテスト信号が供給されている。被試験半導体ウェハ(半導体ウェハ上に形成したIC回路)から、テスト信号の結果としての出力信号が、半導体テストシステムに送信される。半導体テストシステムでは、半導体ウェハ上に形成したIC回路が正しく機能しているかを検証するために、半導体ウェハからの出力信号を期待値データと比較する。
【0005】
第1図において、テストヘッド100と基板ハンドラ400は、インタフェース部140を介して互いに接続されている。インタフェース部140は、テストヘッドの電気的配線形状に固有の電気回路接続を有するプリント回路基板であるパフォーマンスボード120(第2図)と、同軸ケーブル、ポゴピン、コネクタ等で構成されている。第2図において、テストヘッド100は、多数のプリント回路基板を有し、それら回路基板は半導体テストシステムのテストチャンネル(テストピン)の数に対応している。プリント回路基板のそれぞれは、パフォーマンスボード120に備えられた対応するコンタクトターミナル121と接続するためのコネクタ160を有している。パフォーマンスボード120上には、さらにフロッグリング130が、基板ハンドラ400に対するコンタクト位置を正確に決定するために搭載されている。フロッグリング130は、例えばZIFコネクタまたはポゴピンのような、多数のコンタクトピン141を有しており、同軸ケーブル124を介して、パフォーマンスボード120のコンタクトターミナル121に接続している。
【0006】
第2図に示すように、テストヘッド100は基板ハンドラ400上に配置しており、インタフェース部140を介して機械的および電気的に基板ハンドラ400に接続している。基板ハンドラ400には、チャック180上に被試験半導体ウェハ300が搭載されている。この例では、プローブカード170が被試験半導体ウェハ300の上部に備えられている。プローブカード170は、被試験半導体ウェハ300上のIC回路の回路端子またはコンタクトパッドのようなコンタクトターゲットと接触するために、多数のプローブコンタクタ(カンチレバーまたはニードル)190を有している。
【0007】
プローブカード170の電気ターミナルあるいはコンタクトリセプタクル(コンタクトパッド)は、フロッグリング130に備えられたコンタクトピン141と電気的に接続している。コンタクトピン141は、同軸ケーブル124により、パフォーマンスボード120上のコンタクトターミナル121に接続している。それぞれのコンタクトターミナル121は、テストヘッド100内の対応するプリント回路基板150に接続している。また、プリント回路基板150は、数百の内部ケーブルを有するケーブル束110を介して、半導体テストシステム本体と接続している。
【0008】
この構成の下で、チャック180上の半導体ウェハ300の表面(コンタクトターゲット)に、プローブコンタクタ190が接触し、半導体ウェハ300にテスト信号を与え、かつ半導体ウェハ300から、そのテスト信号に対する結果としての出力信号を受ける。被試験半導体ウェハ300からの出力信号は、半導体ウェハ300上の回路が正しく機能しているかを検証するために、半導体テストシステムにおいて、期待値と比較される。
【0009】
第3図は、第2図のプローブカード170の底面図を示している。この例では、プローブカード170は、ニードルまたはカンチレバーとも呼ばれるプローブコンタクタ190が複数搭載されたエポキシリングを有している。第2図において半導体ウェハ300を搭載したチャック180が上方に移動すると、カンチレバー190の先端は、半導体ウェハ300上のコンタクトパッドまたはバンプ(コンタクトターゲット)と接触する。カンチレバー190の他端はワイヤ194に接続し、そのワイヤ194は更にプローブカード170に形成された送信ライン(図示せず)に接続している。送信ラインは複数の電極(コンタクトパッド)197に接続しており、その電極197は更に第2図のコンタクトピン141に接続している。
【0010】
一般に、プローブカード170は、グラウンド層、パワー層、および信号伝送ライン層等のような複数のポリイミド基板等により構成された多層基板となっている。この技術分野では周知のように、それぞれの信号伝送ラインは、例えば50オームのような特性インピーダンスとなるように、ポリイミドの誘電率や透磁率、プローブカード170内の信号経路のインダクタンスやキャパシタンスのようなパラメータを設定している。従って、信号伝送ラインはインピーダンスマッチしたラインとなっており、半導体ウェハに定常状態で電流を供給するとともに、過渡状態においても瞬間的な高ピーク電流を供給できるような高周波数伝送帯域を確立している。プローブカード170には、ノイズ除去の為に、キャパシタ193と195がパワー層とグラウンド層間に備えられている。
【0011】
第4図は従来のプローブカード技術における高周波数特性の限界を説明するために、第3図のプローブカード170の等価回路を示している。第4図(A)と第4図(B)に示されているように、プローブカード170上の信号伝送ラインは、電極197から、ストリップライン(インピーダンスマッチしている)196、ワイヤ194、ニードルまたはカンチレバー(コンタクタ)190に達している。ワイヤ194とニードル190はインピーダンスマッチしていないので、これらの部分は、第4図(C)に示すように、高周波数帯域では等価的にインダクタLとして機能する。ワイヤ194とニードル190の全体の長さが20−30mmなので、被試験部品の高周波性能のテストは、このインダクタによって大きく制限される。
【0012】
プローブカード170の周波数帯域を制限する他の要因は、第4図(D)と第4図(E)に示すパワー用ニードルとグラウンド用ニードルにある。もしパワーラインが被試験部品に十分な電流を供給できるのであれば、被試験部品のテストにおける周波数帯域をさほど制限することはない。しかし、パワー供給のために直列接続したワイヤ194とニードル190や、パワーと信号をグラウンドするための直列接続したワイヤ194とニードル190は、インダクタと等価になるので、高速電流は大きく制限される。
【0013】
さらに、パワーライン上のサージパルスあるいはノイズを除去して被試験部品の正しい性能を検証するために、キャパシタ193とキャパシタ195がパワーラインとグラウンドラインの間に備えられている。キャパシタ193は、10uF(マイクロファラッド)のような比較的大きな値であり、必要に応じてスイッチでパワーラインから接続をはずすこともできる。キャパシタ195は、0.01uFのような比較的小さいキャパシタンスの値をとり、DUTの近くに固定的に取り付けられている。これらのキャパシタは、パワーラインにおける高周波成分を除去する。したがって、これらのキャパシタは、プローブコンタクタの高周波数性能を制限する結果となる。
【0014】
この結果、上述したもっとも広く使用されるプローブコンタクタでは、周波数帯域が約200MHz程度に制限されてしまい、最近の半導体部品をテストするには不十分である。半導体業界では、現在では1GHzからそれを超えるテスター自体の性能の周波数帯域に相当するだけの周波数帯域が、近い将来にはプローブコンタクタに必要になると見られている。また、テストのスループットを向上するために、プローブカードにより、特にメモリデバイスのような半導体部品を同時に多数個取り扱えることが望ましい。
【0015】
従来の技術では、第3図に示すようなプローブカードとプローブコンタクタは、手作業で製造され、そのため品質にばらつきがある。そのような品質のばらつきは、サイズ、周波数帯域、コンタクトフォース(接触力)、コンタクトレジスタンス(接触抵抗)等のばらつきとして現れる。従来技術のプローブコンタクタにおいて、コンタクトパフォーマンス(接触性能)の信頼性を低下する別の要因は、プローブコンタクタと被テスト半導体ウェハが異なる温度膨張係数であることである。従って、温度変化が生じると、コンタクト位置が変位してしまい、コンタクトフォース(接触力)、コンタクトレジスタンス(接触抵抗)、周波数帯域等に悪影響を与えてしまう。よって、次世代半導体テスト技術の要項を満たすことのできる、新概念を用いたコンタクトストラクチャが必要とされている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、高周波帯域、高ピンカウント、高コンタクトパフォーマンス、そして高信頼性を有し、コンタクトターゲットと電気的接触する多数のコンタクタを有するコンタクトストラクチャを提供することにある。
【0017】
また、本発明の他の目的は、次世代半導体技術のテスト要件を満たすような高周波数帯域を有し、半導体部品テストのような応用において被試験部品との電気接続を確立するためのプローブカードを形成するためのコンタクトストラクチャを提供することである。
【0018】
また、本発明のさらに他の目的は、半導体部品のテストのような応用において、多数の半導体部品を並列に同時にテストするのに適した、被試験部品との電気接続を確立するためのコンタクトストラクチャを提供することにある。
【0019】
また、本発明のさらに他の目的は、所定のサイズで所定数のコンタクタを有するプローブコンタクトアセンブリを形成するために、複数のコンタクトストラクチャを組み立てることができる構成とそのアセンブリ機構を提供することである。
【0020】
また、本発明のさらに他の目的は、コンタクトストラクチャを形成するにあたって、シリコン基板上に2次元的に多数のコンタクタを製造し、そのコンタクタを取りはずして、コンタクト基板上に3次元的に搭載する方法を提供することである。
【0021】
また、本発明のさらに他の目的は、コンタクトストラクチャを形成するにあたって、シリコン基板上に2次元的に多数のコンタクタを製造し、そのコンタクタをシリコン基板から取り除き、それを接着テープに移転させて、その後コンタクト基板上に搭載する方法を提供することである。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明において、半導体ウェハ、パッケージされたLSI、プリント回路基板等の被試験デバイスをテスト(バーンインも含む)するためコンタクトストラクチャは、半導体製造プロセスで確立されているフォトリソグラフィー技術を用いてシリコン基板の平坦な表面に製造された多数のコンタクタを有している。本発明のコンタクトストラクチャはさらに、ICリードやピン等のような電子デバイスの一部として使用してもよい。
【0023】
本発明の第1の態様は、コンタクトターゲットと電気的接続するためのコンタクトストラクチャの構成である。本発明のコンタクトストラクチャは、コンタクト基板と、それぞれがほぼ直線的な形状をした複数のコンタクタとで構成されている。各コンタクタは、接触点を形成するための先端部と、コンタクタの終端が電気的接続用のコンタクトパッドとしてコンタクト基板の裏面から突出するように挿入されるベース部と、その先端部とベース部の間に設けられ、コンタクタがコンタクトターゲットに押し当てられたときに接触バネ力を発揮するためのスプリング部とで構成されている。
【0024】
本発明の更に他の態様は、コンタクタをシリコン基板上に2次元的に製造し、そのコンタクタをシリコン基板から取り除いて、コンタクトストラクチャを製造する方法である。本発明の製造方法は、
(a)犠牲層をシリコン基板の表面に形成するステップと、
(b)フォトレジスト層をその導犠牲層上に形成するステップと、
(c)コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォトマスクを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するステップと、
(d)そのフォトレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
(e)電気メッキのプロセスにより電気導電材料によるコンタクタの第1層を上記フォトレジスト層のパターンに形成するステップと、
(f)コンタクタの第2層またはそれを超える層を形成するために、上記のステップ(b)から(e)を繰り返すステップと、
(g)上記フォトレジスト層を取り除くステップと、
(h)上記コンタクタをシリコン基板から分離するために上記犠牲層をエッチングで取り除くステップと、
(i)各コンタクタの少なくとも1の端部が電気的接続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コンタクタをコンタクト基板に搭載するステップと、により構成されている。
【0025】
本発明の更に他の態様は、コンタクタをシリコン基板上に2次元的に製造し、そのコンタクタを接着テープに移し、さらにその接着テープから取り外して、コンタクトストラクチャを製造する方法である。本発明の製造方法は、
(a)犠牲層を基板の表面に形成するステップと、
(b)基板上のその犠牲層上にフォトレジスト層を形成するステップと、
(c)コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォトマスクを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するステップと、
(d)上記フォトレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
(e)電気メッキのプロセスにより電気導電材料によるコンタクタの第1層を上記フォトレジスト層のパターンに形成するステップと、
(f)コンタクタの更なる層を形成するために、コンタクタの上記第1層上に上記ステップ(b)−(e)を繰り返すステップと、
(g)上記フォトレジスト層を取り除くステップと、
(h)上記コンタクタの上面が接着テープに付着するように接着テープをコンタクタに当てるステップと、
(i)上記シリコン基板から接着テープに付着したコンタクタが上記基板から分離するように、上記犠牲層をエッチングにより取り除くステップと、
(j)各コンタクタの少なくとも1の端部が電気的接続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コンタクタをコンタクト基板に搭載するステップと、により構成されている。
【0026】
本発明の更に他の態様は、コンタクタをシリコン基板上に2次元的に製造し、そのコンタクタをシリコン基板から接着テープに移動する製造方法である。本発明の製造方法は、
(a)導電材料により構成された導電基板を誘電体基板上に形成するステップと、
(b)フォトレジスト層を上記導電基板上に形成するステップと、
(c)コンタクタのイメージを有するフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、上記フォトマスクを介して上記フォトレジスト層を紫外線で露光するステップと、
(d)上記フォトレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
(e)電気メッキのプロセスにより導電材料により構成したコンタクタの第1層をフォトレジスト層のパターンに形成するステップと、
(f)コンタクタの更なる層を形成するために、コンタクタの上記第1層上に上記ステップ(b)−(e)を繰り返すステップと、
(g)上記フォトレジスト層を取り除くステップと、
(h)上記誘電体基板から接着テープに付着したコンタクタが分離するように上記導電基板を剥がし取るステップと、
(i)上記のコンタクタの表面が接着テープに付着するように、上記コンタクタの上面に接着テープを当てるステップであり、上記コンタクタと上記接着テープ間の接着力が、上記コンタクタと上記導電基板間の接着力よりも大であり、
(j)その接着テープに付着したコンタクタが上記導電基板から分離するように上記導電基板を剥がし取るステップと、
(k)各コンタクタの端部が電気的接続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コンタクト基板に搭載するステップと、により構成されている。
【0027】
本発明のさらに別の態様は、本発明のコンタクトストラクチャを有したプローブコンタクトアセンブリである。本発明のプローブコンタクトアセンブリは、その表面に複数のコンタクタを搭載したコンタクト基板と、そのコンタクト基板を搭載し備えられた電極とそのコンタクタの間に電気コミュニケーションを確立するためのプローブカードと、そのプローブカードに取り付けられたときそのプローブカードと半導体テストシステム間をインタフェースするための複数のコンタクトピンを有するピンブロックとにより構成される。
【0028】
コンタクタはコンタクト基板の水平表面上に垂直に、あるいは直交方向に搭載されてもよい。各コンタクタはほぼ直線的な形状を有している。それぞれのコンタクタは、コンタクト点を形成するための先端部と、コンタクト基板上の対応するスルーホールに挿入されるベース部と、その先端部とベース部との間に形成され、コンタクトストラクチャがコンタクトターゲットに対して押されたときに接触バネ力を生成するスプリング部とで構成される。
先端部は、それぞれのコンタクタが、コンタクト点を形成するために垂直方向に、あるいはその軸線方向に突き出ていてもよい。
スプリング部は接触バネ力を発揮するために、曲線形、傾斜形、蛇行形、あるいはジグザグ形のような形状を有しており、ベース部の上部表面がコンタクト基板の表面から突起し外部部品との電気接続のためにコンタクトパッドとして機能する。
【0029】
本発明によれば、コンタクトストラクチャは、次世代半導体技術のテスト要件を満たすような高周波数帯域を有している。多数のコンタクタが、手作業を用いることなく基板上に同時に製造されているので、コンタクトパフォーマンスの均一な品質、高信頼性、長い寿命、そして低価格を達成させることが可能である。
また、コンタクタが被試験部品と同じ基板材料上に形成されているので、温度の変化により生じる位置エラーを除去することが可能である。
【0030】
更に、本発明の製造プロセスにおいて、比較的単純な技術を用いて多数のコンタクタをシリコン基板上に水平方向に製造することが可能である。コンタクタは基板上から取り除かれ、コンタクト基板に搭載される。
基板上から取り除かれたコンタクタは、コンタクト基板に垂直方向にあるいはその軸線方向に搭載されてもよい。
本発明により製造されたコンタクトストラクチャは、低価格で高能率、そして高い機械的強度と高信頼性を有する。
【0031】
【発明の実施の形態】
本発明によるコンタクトストラクチャの実施例を第5図−第7図に示す。各コンタクトストラクチャは、コンタクト基板20とコンタクタ30とで構成されている。第5図の例においては、各コンタクタ301はほぼ垂直方向に延長しており、コンタクト基板20に接続したベース部と、好ましくは鋭利な形状をしたコンタクト(接触)点と、ベース部とコンタクト点の間に形成されコンタクトスプリングとして機能する蛇行部とにより形成されている。
【0032】
第6図の例では、各コンタクタ302は、ほぼ垂直方向に延長しており、コンタクト基板20に接続したベース部と、2個またはそれを超える点に分岐し好ましくは鋭利な形状をしたコンタクト点と、ベース部とコンタクト点の間に形成され、コンタクトスプリングとして機能するジグザグ部とで形成されている。
【0033】
第7図の例では、各コンタクタ303は、フック形状を有してほぼ垂直方向に延長しており、コンタクト基板20に接続されたベース部と、好ましくは鋭利な形状を有し垂直方向に形成されたコンタクト点と、ベース部とコンタクト点の間に形成され、コンタクトスプリングとして機能する曲線部とで形成されている。
【0034】
このコンタクトストラクチャが半導体ウェハまたはプリント回路基板300上のコンタクトパッド320に押し当てられたとき、第5図−第7図に示す各コンタクタは、主に水平方向にカーブした曲線部、例えばコンタクタの蛇行形、ジグザグ形、曲線形等により発生されたバネ力による接触圧力を発生する。また、この接触圧力により、コンタクタの先端(コンタクト点)がコンタクトパッド320の上面に対しすり削り効果(スクラビング)を発揮する。このようなすり削り作用においては、コンタクトパッド320の導電材料と電気接触をするように、コンタクト点がコンタクトパッド320の酸化膜表面をすり削ることにより、酸化膜表面を有したパッド320に対するコンタクトパフォーマンスがより向上する。
【0035】
なお、本発明において、コンタクタ301、302そして303は相互に交換可能であり、同様に使用及び製造可能であるが、本発明のコンタクトストラクチャとその製造方法の説明においては、便宜上、単に1または2のタイプのコンタクタを用いて説明している。また、第9図−第13図を参照して、本発明の他の様々なタイプのコンタクタを後に説明するが、その詳細な説明は限られたコンタクタにしか行わない。第5図−第7図と第9図−第13図に示した本発明のコンタクタは、傾いているというより、むしろ垂直にコンタクト基板の水平表面に搭載されているので、多数のコンタクタが、コンタクト基板の限られた面積に搭載できる。
【0036】
このようなコンタクタを製造するための本発明の基本的なアイデアを第8図(A)−第8図(B)に示す。本発明において、第8図(A)に示すように、コンタクタ30は、シリコン基板40あるいは他の誘電体基板の平面上に水平方向、すなわち2次元的に製造される。そして、コンタクタ30はシリコン基板40から取り除かれ、第5図−第7図に示すようなコンタクト基板20、例えばプリント回路基板、ICチップ、その他のコンタクト機構等に垂直方向、すなわち3次元的に搭載される。
【0037】
第8図の例では、シリコン基板40あるいは他の誘電体基板40の平面上に、水平方向に製造されたコンタクタ30は、シリコン基板40から接着部材90に、例えば、接着テープ、接着フィルム、接着プレート等(以後「接着テープ」又は「中間プレート」と総称する)に移動される。接着テープ90上のコンタクタ30は、その後接着テープから取り除かれ、第5図−第7図に示すコンタクト基板20、例えばプリント回路基板、ICチップ、他のコンタクト機構に、ピックアンドプレース機構を用いて垂直方向すなわち3次元的に搭載される。
【0038】
第9図(A)−第9図(I)は、第5図−第7図に示す方法でコンタクト基板上に搭載する本発明のコンタクタの様々な形状例を示している。第9図(A)−第9図(E)の例では、一端に第5図−第7図のコンタクト基板20の上部表面から突起するための平坦なベースとなっており、他端はコンタクト先端となっている。第9図(A)−第9図(E)のコンタクト先端は、低いコンタクト抵抗でコンタクトターゲットの表面と接触できるようにするための様々な形状をしている。第9図(D)の例では、垂直方向に弾性を実現するために、スプリング形状のコンタクト先端となっている。プローブアセンブリを組み立てるに当たって、第23図を参照して後述するように、コンタクタがコンタクトターゲットに接触するときに垂直方向にスプリング力又は弾性を発揮するように、導電エラストマを用いてもよい。
【0039】
第9図(F)−第9図(I)の例では、第5図−第7図のコンタクト基板20の上部表面から突起するベース部が三角形の形状となっている。第9図(A)−第9図(I)の各コンタクタは、全体としてほぼ直線的形状となっており、コンタクト基板の水平表面に対してほぼ垂直に搭載されている。第9図(A)−第9図(E)の例と同様に、第9図(F)−第9図(I)のコンタクト先端は、低いコンタクト抵抗でコンタクトターゲットの表面と接触するような様々な形状を有している。プローブコンタクトアセンブリの組み立てについて第23図を参照して後述するように、コンタクタがコンタクトターゲットに接触するときに垂直方向にスプリング力又は弾性を発揮するように、導電エラストマを用いてもよい。
【0040】
第10図(A)と第10図(B)は、本発明のコンタクタの具体的な例を示しており、第10図(A)は正面図、第10図(B)は側面図である。第10図のコンタクタは、第5図−第7図のコンタクト基板20に搭載する際に、その基板の上部表面から上部端が突起するように構成したベース部と、コンタクトターゲットの表面に接触するための接触点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部とコンタクト部の間に形成され、第5図−第7図のコンタクト基板20に挿入される直線体部とにより構成している。コンタクト部はコンタクトターゲットに対して押し付けられた際に、スプリングとして機能するように、蛇行形あるいはジグザグ形をしている。
【0041】
第10図(A)の正面図で示すように、コンタクタのベース部は左右方向に延長している。第10図(B)の側面図に示すように、コンタクト部は、容易に変形できるようにベース部や直線体部よりも薄く構成されており、これにより、コンタクトターゲット対して押されたときにスプリング力を生成するようになっている。このように2種類の異なる厚さの構成、すなわちコンタクト部より薄い面と直線体部やベース部より厚い面とを有する構成とするために、コンタクタの形成過程において2層またはそれを超える導電層を形成するために、導電材料を2回またはそれを超える回数にわたりデポジットを行う。第10図のコンタクタのサイズの例としては、a=1050.00um, b=330.00um, c=200.00um, d=50.00um, e=150.00um, f=20.00um, g=50.00um, h=20.00umである(umは「マイクロメータ」以下同じ)。
【0042】
第11図(A)と第11図(B)は、本発明のコンタクタの他の具体的な例を示しており、第11図(A)はその正面図で、第11図(B)はその側面図である。第11図のコンタクタは、第5図−第7図のコンタクト基板20に取り付けられたときにその基板の上部表面から上部端が突起するように構成されたベース部と、コンタクトターゲットの表面に接触するための接触点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部とコンタクト部の間に形成され、第5図−第7図のコンタクト基板20に挿入される直線体部とにより構成している。コンタクト部はコンタクトターゲットに対して押し付けられた際に、スプリングとして機能するように、蛇行形あるいはジグザグ形をしている。
【0043】
第11図(B)の側面図に示すように、このコンタクタのベース部は、第22図−第24図に示すプローブカードのような外部部品と接触するための表面面積を増加させるために、その厚さが最大となっている。さらに第11図(B)の側面図に示すように、コンタクト部は、容易に変形できるように、直線体部またはベース部よりも薄い形状となっており、これによりコンタクトターゲット対して押されたときにスプリング力を生成するようになっている。このようにこのコンタクタは、第1にコンタクト部の厚さ、第2に直線体部の厚さ、第3にベース部の厚さのように、3種類の異なる厚さとなっているので、コンタクタの製造行程において、3層またはそれを超える導電層を形成するために、3回またはそれを超える回数にわたりデポジットを行う。第11図のコンタクタのサイズの例としては、a=1000.00um, b=1,330.00um, c=200.00um, d=50.00um, f=20.00um, g=80.00um, h=20.00um, i=50.00umである。
【0044】
第12図(A)と第12図(B)は、本発明のコンタクタのさらに他の具体的な例を示しており、第12図(A)はその正面図で、第12図(B)はその側面図である。第12図のコンタクタは、第5図−第7図のコンタクト基板20に取り付けられたとき、その基板の上部表面から上部端が突起するように構成されたベース部と、コンタクトターゲットの表面に接触するための接触点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部とコンタクト部の間に形成され、第5図−第7図のコンタクト基板20に挿入される直線体部とを有して構成している。コンタクト部はコンタクトターゲットに対して押されたときにスプリングとして機能するように、蛇行形あるいはジグザグ形をしている。
【0045】
第12図(A)の正面図に示すように、コンタクタのベースは、左右方向に延長している。第12図(B)の側面図に示すように、コンタクト部は、容易に変形できるように直線体部またはベース部よりも薄い形状となっており、コンタクトターゲットに対して押されたときにスプリング力を生成するようになっている。この例のコンタクト部の厚さは、第10図と第11図の例よりもはるかに小さな値となっている。このように2つの異なる厚さを有するので、コンタクタの製造過程において、2層またはそれを超える導電層を形成するために、導電材料のデポジットを2回またはそれを超える回数にわたり行う。第12図のコンタクタのサイズの例は、a=1050.00um, b=330.00um, c=200.00um, d=50.00um, e=150.00um, f=10.00um, g=50.00um, そしてh=10.00umである。
【0046】
第13図(A)と第13図(B)は、本発明のコンタクタの更に他の具体的な例を示しており、第13図(A)はその正面図で、第13図(B)はその側面図である。第13図のコンタクタは、第5図−第7図のコンタクト基板20に取り付けられたときその基板の上部表面から上部端が突起するように構成されたベース部と、コンタクトターゲットの表面に接触するための接触点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部とコンタクト部の間に形成され第5図−第7図のコンタクト基板20に挿入される直線体部とを有して構成している。コンタクト部はコンタクトターゲットに対して押されたときにスプリングとして機能するように、2つのループ形スプリングの形状となっている。
【0047】
第13図(A)の正面図に示すようにコンタクタのベース部は左右方向に延長している。第13図(B)の側面図に示すように、コンタクト部は、容易に変形できるように直線体部またはベース部よりも薄い形状となっており、コンタクトターゲット対して押されたときにスプリング力を生成するようになっている。このように2つの異なる厚さを有しているので、コンタクタの製造工程において、2層またはそれを超える導電層を形成するために、導電材料を2回またはそれを超える回数にわたりデポジットする。第13図のコンタクタのサイズの例としては、a=1050.00um, b=500.00um, c=200.00um, d=50.00um, e=150.00um, f=20.00um, g=50.00um, そしてh=20.00umである。
【0048】
第14図(A)−第16図(L)は、コンタクタ30(例えば第7図のコンタクタ303)を製造するための本発明の製造プロセスの例を示す概念図である。第14図(A)において、犠牲層42をシリコン基板40上に形成する。基板40はシリコン基板が一般的であるが、例えばガラス基板あるいはセラミック基板等の他の誘電体基板でも実施可能である。犠牲層42は、例えばケミカルべーパーデポジション(CVD)等のデポジション(堆積)プロセスによる二酸化シリコン(SiO2)で構成されている。犠牲層42は、この製造方法の後段階において、コンタクタ30をシリコン基板から分離させる機能を果たす。
【0049】
アドヒージョンプロモータ(接着促進)層44を、第14図(B)に示すように、犠牲層42上に、例えば蒸着等により形成する。アドヒージョンプロモータ層44の構成材料例としては、例えば厚さが200−1000オングストロームのクロミウム(Cr)やチタニウム(Ti)がある。アドヒージョンプロモータ層44は、第14図(C)に示す導電層46のシリコン基板40への接着を促進させる働きを有している。導電層46の構成材料の例としては、例えば厚さが1000−5000オングストロームの銅(Cu)やニッケル(Ni)がある。導電層46は、後の段階で用いる電気メッキプロセスにおいて、電気伝導を確立させる働きを有している。
【0050】
次の段階においては、第14図(D)に示すように、フォトレジスト層48を導電層46上に形成し、その上には紫外線で露光するためにフォトマスク50を正確に位置合わせする。フォトマスク50は、フォトレジスト層48に生成するコンタクタ30の2次元のイメージをあらわしている。この技術分野では周知のように、ポジテイブ反応とネガテイブ反応のフォトレジストをこのような目的に使用することができる。ポジテイブ反応レジストを使用した場合、フォトマスク50のオペーク(不透明)部よりカバーされたフォトレジストは、露光後にキュア(凝固)する。フォトレジストの構成材料の例には、Novolak、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、SU−8、フォトセンシテイィポリイミド等がある。現像行程において、レジストの露光部を溶解して除去すると、第15図(E)のフォトレジスト層48には隙間、すなわちパターン「A」が残る。従って、第15図(F)の上面図に示すような、コンタクタ303のイメージ(形状)を有するフォトレジスト層48のパターン、すなわち隙間「A」が形成される。
【0051】
前述のフォトリソグラフィープロセスにおいて、この技術分野では周知のように、フォトレジスト層48は、紫外線のみならず、電子ビームやX線等を使用して露光することも可能である。さらに、フォトレジスト層48に直接書き込みする電子ビーム、X線、光源(レーザー)等により、コンタクトストラクチャの形状イメージをフォトレジスト層48上に直接形成することも可能である。
【0052】
次に、第15図(G)に示すコンタクタ30を形成するために、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、あるいはタングステン(W)等の金属、またはニッケル・コバルト(NiCo)等の合金を、フォトレジスト層48のパターン「A」に電気メッキ等によりデポジット(堆積)する。後で説明するように、互いのエッチング特性を識別するために、導電層46と異なる導電材料を、コンタクタの材料として使用することが好ましい。第15図(G)に示すコンタクタ30のメッキ過剰部分は、第15図(H)に示す研磨(平面化)プロセスにより取り除かれる。
【0053】
上述のプロセスを2回またはそれを超える回数で繰り返して導電層を形成することにより、第10図−第13図に示した異なる厚さのコンタクタを製造することができる。すなわち、第1層のコンタクタ(導電材料)を形成した後、必要とあれば、コンタクタ30の第1層の上に第2層あるいはそれを超える層を形成するために、第14図(D)−第15図(H)のプロセスが繰り返される。
【0054】
次の段階では、第16図(I)に示すように、フォトレジスト層48を、レジスト除去のプロセスにより取り除く。一般的にはウェットケミカル法により取り除くが、他のストリッピング法として、アセトンを基にした除去方法や、二酸化プラズマによる除去方法を用いてもよい。次に、第16図(J)に示すように、コンタクタ30をシリコン基板から分離するために、犠牲層42をエッチングにより取り除く。また、第16図(K)に示すように、コンタクタ30を、アドヒージョンプロモータ層44と導電層46から分離させるために、別のエッチング行程をさらに行う。
【0055】
上述のエッチングのプロセスにおいて、コンタクタ30をエッチングせずに、アドヒージョンプロモータ層44と導電層46のみをエッチングするように、エッチング条件を設定する。すなわち、上述のようにコンタクタ30をエッチングせずに導電層46のみをエッチングするために、コンタクタ30の導電材料と導電層46の導電材料を異ならせる。最後に第16図(L)の斜視図に示すように、コンタクタ30を、他の全ての材料からも分離する。上述した第14図(A)−第16図(L)の製造プロセス例には、1つのコンタクタ30のみしか示していないが、実際の製造プロセスにおいては、第8図(A)−第8図(B)に示すように、多数のコンタクタを同時に製造する。
【0056】
第17図(A)−第17図(D)は、本発明のコンタクタを製造する方法の他の例を示す概念図である。この例では、コンタクタ30を、シリコン基板40から接着テープに移転させるために、接着テープ(中間プレート)90を製造プロセスに用いている。第17図(A)−第17図(D)は、製造プロセスのうち、接着テープが関係する後半段階の製造プロセスのみを示している。
【0057】
第17図(A)は、第16図(I)と同等の製造段階を示しており、レジストストリッピング法によりフォトレジスト層48を取り除いた行程を示している。この第17図(A)の行程において、接着テープ(中間プレート)90をコンタクタ30の上面に当てて、コンタクタ30が接着テープ90に接着するようにしている。第8図(B)に関して先に言及したように、本発明の態様において、接着フィルムや接着プレート等の他の接着用部材もこの接着テープ(中間プレート)90の概念に含まれている。また、磁気プレートや磁気テープ、電気的チャージされたプレートやテープ等、コンタクタ30を引き付ける他の部材もこの接着テープ90の概念に含まれる。
【0058】
第17図(B)に示すプロセスでは、コンタクタ30をシリコン基板40から分離させるために、犠牲層42をエッチングにより取り除く。また、第17図(C)に示すように、コンタクタ30をアドヒージョンプロモータ層44と導電層46から分離させるために、別のエッチングの行程が行われる。
【0059】
上述のとおり、コンタクタ30をエッチングせずに、導電層46のみをエッチングするには、コンタクタ30の導電材料と導電層46の導電材料を、互いに異なるものとしなければならない。第17図(A)−第17図(C)に示す製造方法には、1つのコンタクタしか示していないが、実際の製造プロセスにおいては、多数のコンタクタ30が同時に製造される。従って、第17図(D)の上面図に示すように、多数のコンタクタ30が、シリコン基板や他の材料から分離して、接着テープ90に移転される。
【0060】
第18図(A)−第20図(N)は、コンタクタを接着テープまたは中間プレートに移転する本発明のコンタクタ30を製造する別の製造方法例を示す概念図である。第18図(A)では、電気メッキシード層342を、シリコンあるいはガラス等の材料による基板340に形成する。シード層342は、例えば厚さが1000−5000オングストロームの銅(Cu)あるいはニッケル(Ni)により構成されている。第18図(B)に示すように、クロム・インコネル層344を、シード層342上に、例えばスパッタリング法により形成する。
【0061】
次の段階の第18図(C)では、導電基板346をクロム・インコネル層344上に形成する。導電基板346は、例えば厚さが100−130マイクロメータのニッケル・コバルト(NiCo)合金により構成されている。導電基板346を不導体化(パシベーション)した後、第18図(D)に示すように、厚さが100−120マイクロメータのフォトレジスト層348を導電基板346上に形成する。さらに、第18図(E)に示すように、フォトレジスト層348を紫外線で露光するために、フォトマスク350を正確に位置合わせする。フォトマスク350には、フォトレジスト層348の表面に生成するコンタクタ30の2次元のイメージが印刷されている。
【0062】
現像行程において、レジストの露光部を溶解し除去すると、コンタクタ30(例えば第7図のコンタクタ303)のイメージを有するフォトマスク350から印刷されたプレーテイング(メッキ)パターンを有する第19図(F)のフォトレジスト層348が残る。第19図(G)の行程において、フォトレジスト層348のプレーテイングパターンに、50−60マイクロメータの厚さでコンタクタ用導電材料を電気メッキする。導電材料の一例としては、ニッケル・コバルト(NiCo)の合金がある。このコンタクタ材料としてのニッケル・コバルト合金は、導電基板346材料としてのニッケル・コバルト合金との間での接着力は大きくはならない。
【0063】
上述のプロセスを2回またはそれを超える回数で繰り返して導電層を形成することにより、第10図−第13図に示した異なる厚さのコンタクタを製造することができる。すなわち、第1層のコンタクタ(導電材料)を形成した後、必要とあれば、コンタクタ30の第1層の上に第2層あるいはそれを超える層を形成するために、コンタクタ第18図(D)−第19図(G)のプロセスが繰り返される。
【0064】
次の行程において、第19図(H)に示すように、フォトレジスト層348を、レジストストリッピング法により取り除く。第19図(I)では、導電基板346を基板340上のクロム・インコネル層344から剥がし取る。導電基板346は、コンタクタ30が比較的弱い接着力で付着している薄い基板である。コンタクタ30を有する導電基板346の上面図を第19図(J)に示す。
【0065】
第20図(K)は、コンタクタ30の上面に接着テープ(中間プレート)90を乗せて接着させるプロセスを示している。接着テープ90とコンタクタ30間の接着力は、コンタクタ30と導電基板346間の接着力よりも強力である。従って、接着テープ90を導電基板346から取りはずすときには、第20図(L)に示すように、コンタクタ30は導電基板346から接着テープ90へと移転する。第20図(M)は、コンタクタ30を有する接着テープ90の上面図であり、第20図(N)は、コンタクタ30を有する接着テープ90の断面図である。
【0066】
第21図(A)と第21図(B)は、コンタクタ30を接着テープ(中間プレート)90から取り除き(ピック)、それをコンタクト基板20に搭載する(プレース)方法の一例を示す概念図である。第21図(A)と第21図(B)に示すこの「ピックアンドプレース」作用は、接着テープを用いた第17図(A)−第17図(D)と第18図(A)−第20図(N)で説明したような本発明の製造方法により製造したコンタクタに有利に適用できる。第21図(A)は、ピックアンドプレース・メカニズム80の前半の動作を示す前面図である。第21図(B)は、ピックアンドプレース・メカニズム80の後半の動作を示す前面図である。
【0067】
この例において、ピックアンドプレース・メカニズム80は、コンタクタ30を取り上げ(ピック)、それを配置(プレース)するためのトランスファー機構84と、トランスファー機構をXYZ方向に移動するためのモービルアーム86、87と、その位置をXYZ方向に調整できるテーブル81、82と、例えばCCDイメージセンサー等を有するモニターカメラ78とで構成されている。トランスファー機構84には、コンタクタ30をサクション(吸引:ピック動作)とサクションリリース(吸引停止:プレース動作)するサクションアーム85を有している。サクションフォース(吸引力)は、例えば真空等のネガテイブ圧力により生成される。サクションアーム85は、90度等の所定の角度で回転する。
【0068】
ピックアンドプレース・メカニズム80の動作において、コンタクタ30を有する接着テープ90と、ボンディング位置32(またはスルーホール)を有するコンタクト基板20とを、ピックアンドプレース・メカニズム80のそれぞれテーブル81と82に配置する。第21図(A)に示すように、トランスファー機構84は、サクションアーム85の吸引力により、コンタクタ30を接着テープ90から取り上げる(ピック)。コンタクタ30を取り上げた後、サクションアーム85は、第21図(B)に示すように、例えば90度に回転する。従って、コンタクタ30の方向は、水平方向から垂直方向へと変更される。この方向の変更機能は、単なる1例であり、この技術分野の通常の知識を有する者は、コンタクタの方向を変更する他の多くの方法があることを理解できる。トランスファー機構84は、コンタクタ30をコンタクト基板20上のボンデイング位置32(またはスルーホール)に搭載する。コンタクタ30は、コンタクト基板20の表面にボンディング、またはスルーホールに挿入して取り付けられる。
【0069】
第22図は、本発明のコンタクトストラクチャ用いてプローブコンタクトアセンブリを形成するための、全体組立構造の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、第2図に示すように、被試験デバイス(DUT)とテストヘッド間のインタフェースとして使用される。この例では、第22図に示すように、プローブコンタクトアセンブリは、コンタクトストラクチャの他に、プローブカード260と、ポゴピンブロック(フロッグリング)130を有している。コンタクトストラクチャはコンタクト基板20上に搭載された複数のコンタクタ301で形成される。コンタクタのそれぞれのベース部は、コンタクトパッド35としてコンタクト基板20の上部表面から突起している。
【0070】
プローブカード260、ポゴピンブロック130、そしてコンタクトストラクチャは、互いに機械的および電気的に接続して、プローブコンタクトアセンブリを形成している。従って、同軸ケーブル124とパフォーマンスボード120を介して、コンタクタ301の接触点からテストヘッド100までの電気通路が形成される(第2図)。したがって、半導体ウェハ300とプローブコンタクトアセンブリが押し合わされたとき、DUT(半導体ウェハ300のコンタクトパッド320)とテストシステム間に電気通路が成立する。
【0071】
ポゴピンブロック(フロッグリング)130は、第2図のポゴピンブロックと等価であり、プローブカード260とパフォーマンスボード120との間のインタフェースとなる多数のポゴピンを有している。ポゴピンの上端では、同軸ケーブルのようなケーブル124が、パフォーマンスボード120を介して第2図のテストヘッド100のプリント回路基板(ピンエレクトロニクスカード)150に信号を送信するために接続されている。プローブカード260は、その上部表面と下部表面にエレクトロード(電極)262と265を多数有している。組み立てられたときには、コンタクタ30のベース部のコンタクトパド35はエレクトロード262に接触する。エレクトロード262と265は、ポゴピンブロック130のポゴピンのピッチに合うように、コンタクトストラクチャのピッチをファンアウト(拡大)するために、相互接続トレイス263に接続されている。
【0072】
第23図は、本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリの他の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、第2図に示されるように、被試験テスト部品(DUT)とテストヘッド間のインタフェースとして使用される。この例では、プローブコンタクトアセンブリは、コンタクトストラクチャの上部に導電エラストマ250、プローブカード260、およびポゴピンブロック(フロッグリング)130とをそれぞれ有した構成となている。
【0073】
導電エラストマ250は、コンタクトストラクチャとプローブカード260の間に設けられている。組み立てられると、コンタクタ30のベース部のコンタクトパッド35は導電エラストマ250に接触する。導電エラストマ250は、平面の不均一性や垂直方向のギャップの不均一性を補正することで、コンタクタ301のベース部のコンタクトパド35とプローブカード260のエレクトロード262間に、電気コミュニケーションを確立するためのものである。導電エラストマ250の1例は、垂直方向に導電ワイヤを多数有する柔軟なシートである。
例えば、導電エラストマ250は、多数の列配列された金属フィラメント(ワイヤ)とシリコンゴムシートで構成されている。金属フィラメントは、第23図の垂直方向、すなわち導電エラストマ250の水平シートに対して直角に埋設されている。金属フィラメント間のピッチは、シリコンゴムシートの厚さが約0.2mmのとき、例えば0.05mmかそれ以下である。そのような導電エラストマは、シンエツポリマー社の製造するものがあり、市場で入手できる。
【0074】
第24図は、本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリの別の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、コンタクトストラクチャが複数のコンタクトストラクチャ(基板)ブロックで形成されているということを除けば、第23図のものと基本的に同じである。またこのコンタクトストラクチャブロックは複数の標準シリコン基板又はシリコンウェハを積み重ねて用いている。例えば、第24図のコンタクトストラクチャは、それぞれが標準シリコンウェハ221、222、および223を有するコンタクトストラクチャ(基板)ブロック201と202 で形成している。
【0075】
図には1個しか示していないが、複数のコンタクタ301が、それぞれのコンタクタ301の端がコンタクト基板22のスルーホール25に挿入するようにして、コンタクト基板20に取り付けられている。一般に、コンタクト基板22は、シリコンウェハで構成されているが、セラミック、ガラス、ポリイミドのような他の誘電材料を用いることも可能である。好ましい実施例では、コンタクト基板22は、互いに重なった3個のウェハ221、222そして223のような、複数の標準シリコンウェハを有する多層基板である。複数のシリコンウェハを使用する理由は、機械的な寸法のトレランスを増加させずにコンタクト基板の必要充分な厚さを得るためである。したがって、固有の設計要求に応じて、シリコンウェハの数は、1個あるいはそれを超えるように自由に選択することが出来る。積み重ねた標準シリコンウェハは同じ厚さであるが、第27図に示すように、端部の外形は異なっており、契合凹凸のような機械的な接触を形成する構成となっている。歯と凹みのような機械的な接触を形成する構成となっていてもよい。
【0076】
第25図は、第24図のコンタクトアセンブリに組み込まれた本発明のコンタクトストラクチャの詳細を示した断面図である。曲線形状またはフック形状のコンタクタ301は、そのコンタクタ301の端部がスルーホールに挿入されることにより、コンタクト基板20に取り付けられている。この例では、コンタクト基板20は、それぞれ積み重ねられフュージョンボンドされた3枚の標準シリコンウェハ221、222そして223を有する多層基板である。シリコンウェハ221−223の厚さは約0.5mmである。コンタクト基板20に取り付けたとき、コンタクタ301の端部は、コンタクトパッド35を形成するために、コンタクト基板20の底表面から突起している。一例として、コンタクトパッド35のサイズは、その幅が0.5mmである。コンタクタ301は、スルーホール25に設けられたステップ(段)に適合するためのフランジ部34を有している。コンタクタ301の先端のコンタクト点は、コンタクトターゲットの表面に削り効果を発揮するように鋭利になっていることが好ましい。
【0077】
第25図に示す3層コンタクト基板20とそのスルーホールを形成するプロセスを、次に簡単に説明する。まず、第2ウェハ222と第3ウェハ223を、例えばシリコンフュージョンボンディングにより直接結合する。そして、それらウェハ222とウェハ223の結合体は、その表面と裏面の両方を磨かれ、エッチング過程によりスルーホールが形成される。そのような深溝のエッチングは、例えばリアクティブガスプラズマを使用したリアクティブイオンエッチングにより達成することができる。第2ウェハ222と第3ウェハ223上のスルーホールの径サイズは、スルーホールに第25図に示すようなステップを形成するために、コンタクタ30のフランジ部34の外形より小さな寸法で形成する必要がある。
【0078】
そして、第1ウェハ221はその表面と裏面を磨かれ、上述の深溝エッチングによりスルーホールが形成される。第1ウェハ221のスルーホールのサイズは、上述したようにコンタクタ30のフランジ部34を受け入れるために、第2ウェハ222と第3ウェハ223のスルーホールの径サイズよりも大きい。第1ウェハ221は第2ウェハ222と第3ウェハ223に対して正確に位置合わせをしてフュージョンボンディングにより結合される。電気的絶縁を得るために、例えば少なくとも1マイクロメートルのシリコン酸化層を、コンタクト基板全体の表面に形成することが好ましい。コンタクタ30は、必要であれば接着剤でスルーホールに固定される。
【0079】
第26図は、それぞれが第8図(A)と第8図(B)に示す過程で生成した多数のコンタクタを有する本発明のコンタクトストラクチャ(基板)ブロックの例を示す斜視図である。この例では、所定のサイズとコンタクタ数を有するコンタクトストラクチャを形成するために、相互に結合して組み立てる複数のコンタクトストラクチャブロック20を示している。第26図においては、それぞれのコンタクトストラクチャブロックは1列に取り付けられたコンタクタを有しているが、本発明のコンタクトストラクチャブロックは、1列に限ることなく、例えばマトリックス状のように2列またはそれを超える列に整列してコンタクタを取り付けてもよい。
【0080】
上述のように、本発明の特徴の1つは、複数のコンタクトストラクチャブロック20を自由に組み合わせることにより、全体として所定のサイズやコンタクタと数を有したコンタクトストラクチャ(プローブコンタクトアセンブリ)を実現することができることである。第26図の例では、4個のコンタクトストラクチャブロック20が互いに接続するようになっている。第26図の例には示されていないが、それぞれのコンタクト基板22には、係合歯のような結合用メカニズムを有している。
【0081】
第27図は、本発明による複数のコンタクトストラクチャ(基板)ブロック(コンタクト基板22)で形成されるコンタクトストラクチャの斜視図である。この例では、5個コンタクトストラクチャブロックを相互に結合して、全体としてのサイズが各コンタクトストラクチャブロックのサイズの正数倍であるコンタクトストラクチャを形成している。図示の簡素化のために、コンタクタはこれらのコンタクト基板22上に示していない。このようにコンタクト基板22を組み合わせることで、所定のサイズ、例えば12インチの半導体ウェハのサイズに等価のコンタクトアセンブリが実現できる。
【0082】
この例では、コンタクト基板の右と左の側端には、すなわち、一側端と他側端には、係合歯55とリセス(係合凹)65が備えられている。係合歯55とリセス65のサイズは右と左の側端で互いに同じである。しかし係合歯55とリセス65の位置は1個分だけシフトしている。よって、コンタクト基板22の他側端は、他のコンタクト基板22の一側端に結合する。第27図には示されていないが、コンタクト基板22の遠方端に、コンタクト基板の近端の溝70に結合するような突起が備えられている。このような突起と溝に代えて、上述の一側端と他側端のような係合歯とリセス(係合凹)を用いることも可能である。コンタクタ30は、第26図に示された方法でスルーホール25により、コンタクト基板22上に搭載される。
【0083】
好ましい実施例しか明記していないが、上述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変形が可能である。
【発明の効果】
【0084】
本発明によれば、コンタクトストラクチャは、次世代半導体技術のテスト要件を満たすような高周波数帯域を有している。手作業を用いることなく基板上に同時に多数のコンタクタを製造することができるので、そのコンタクトパフォーマンス(接続性能)は、均一な品質と、高信頼性、長寿命を達成することが可能である。また、本発明のコンタクタは、被試験部品と同じ基板材料上に形成することができるので、被試験部品の温度膨張係数を補正することが可能であり、したがって位置エラーを除去することができる。また、比較的単純な技術を用いてシリコン基板上に多数のコンタクタを水平方向に製造することが可能である。本発明により製造されたコンタクトストラクチャは、低価格で高効率、そして機械的に高い強度と高信頼性を有する。本発明の製造方法により製造されたコンタクトストラクチャは、半導体ウェハ、パッケージされたLSI、マルチチップモジュール等のバーンインテストを含めたテストに有利に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】テストヘッドを有する半導体テストシステムと基板ハンドラとの構造関係を示した概念図である。
【図2】インタフェース部を介して半導体テストシステムのテストヘッドを基板ハンドラに接続するための構造をより詳細に示した展開図である。
【図3】複数のプローブコンタクタを搭載するためのエポキシリングを有する従来技術におけるプローブカードの例を示した底面図である。
【図4】(A)から(E)は、それぞれ第3図のプローブカードの等価回路を示した概念図である。
【図5】シリコン基板に水平方向に製造され、コンタクト基板上に直交して搭載されるコンタクタを用いた本発明のコンタクトストラクチャの構成例を示した概念図である。
【図6】シリコン基板の水平方向に製造され、コンタクト基板上に直交して搭載されるコンタクタを用いた本発明のコンタクトストラクチャの別の構成例を示した概念図である。
【図7】シリコン基板の水平方向に製造され、コンタクト基板上に直交して搭載されるコンタクタを用いた本発明のコンタクトストラクチャの更に別の構成例を示した概念図である。
【図8】(A)から(B)は、多数のコンタクタをシリコン基板の平面に形成し、後のプロセスにより取り除くという本発明の製造方法の基本コンセプトを示した概念図である。
【図9】(A)から(I)は、本発明のコンタクトストラクチャの製造過程で形成され本発明のコンタクトストラクチャで使用されるコンタクタの形状例を示した概念図である。
【図10】(A)は、本発明のコンタクタのより具体的構成例を示した図であって、コンタクタの正面図であり、(B)はコンタクタの側面図である。
【図11】(A)は、本発明のコンタクタのより具体的構成の他の例を示した図であって、コンタクタの正面図であり、(B)はコンタクタの側面図である。
【図12】(A)は、本発明のコンタクタのより具体的構成のさらに他の例を示した図であって、コンタクタの正面図であり、(B)はコンタクタの側面図である。
【図13】(A)は、本発明のコンタクタのより具体的構成のさらに他の例を示した図であって、コンタクタの正面図であり、(B)はコンタクタの側面図である。
【図14】(A)から(D)は、コンタクタを製造するための本発明の製造プロセスの例を示した概念図である。
【図15】(E)から(H)は、コンタクタを製造するための本発明の製造プロセスの例を示した他の概念図である。
【図16】(I)から(L)は、コンタクタを製造するための本発明の製造プロセスの例を示した、さらに他の概念図である。
【図17】(A)から(D)は、コンタクタを製造するための本発明の製造プロセスの他の例を示した概念図である。
【図18】(A)から(E)は、基板の水平表面上にコンタクトストラクチャを製造し中間プレートにコンタクタを移動するための行程例を示した概念図である。
【図19】(F)から(J)は、基板の水平表面上にコンタクトストラクチャを製造し中間プレートにコンタクタを移動するための行程例を示した他の概念図である。
【図20】(K)から(N)は、基板の水平表面上にコンタクトストラクチャを製造し中間プレートにコンタクタを移動するための行程例を示した、さらに他の概念図である。
【図21】(A)から(B)は、本発明のコンタクトストラクチャを形成するために、コンタクタを取り外し(ピック)、多層シリコン基板等の基板上に配置する(プレース)ためのピックアンドプレース機構の例を示した概念図である。
【図22】本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリを、半導体テストシステムのテストヘッドと被試験デバイスとの間のインタフェースとして用いた例を示した断面図である。
【図23】本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリを、半導体テストシステムのテストヘッドと被試験デバイスとの間のインタフェースとして用いた他の例を示した断面図である。
【図24】本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリを、半導体テストシステムのテストヘッドと被試験デバイスとの間のインタフェースとして用いたさらに他の例を示した断面図である。
【図25】本発明の製造プロセスにより製造されたコンタクタと、多層構成した複数の標準シリコン基板を有する本発明のコンタクトストラクチャの例を示した概念図である。
【図26】所定のサイズのプローブコンタクトアセンブリを形成するために、相互に取り付け可能に構成されかつ多数のコンタクタを有する複数のコンタクトストラクチャを示した斜視図である。
【図27】所定のサイズ、形状、コンタクタ数によりプローブコンタクトアセンブリを形成するように複数のコンタクト基板が互いに接続された本発明のコンタクトストラクチャの斜視図である。
【符号の説明】
20 コンタクト基板
221、222、223 シリコンウェハ
25 スルーホール
30 コンタクタ
34 フランジ部
35 コンタクトパッド
Claims (17)
- コンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのコンタクトストラクチャにおいて、
複数のコンタクタを保持するコンタクト基板と、
導電材料により構成され、上記コンタクト基板に取り付けられる複数のコンタクタと、
上記各コンタクタは、そのコンタクタの一端にありコンタクトターゲットとの接触点を形成する先端部と、そのコンタクタの他端にありコンタクト基板と係合するベース部と、そのベース部から先端部への方向に直線的に形成された直線体部と、その先端部と直線体部の間に形成され、コンタクトストラクチャがコンタクトターゲットに押し当てられたときに接触バネ力を発揮するスプリング部と、により構成され、
上記スプリング部は接触バネ力を発生するために、曲線状、傾斜状、蛇行状、あるいはジグザグ状を含む非直線的形状に構成されるとともに、上記ベース部及び直線体部よりも少ない回数の導電層形成プロセスを経ることにより上記ベース及び直線体部よりも薄く構成され、
上記ベース部は、その端部において左右に突起したフランジ部を有し、コンタクタが上記コンタクト基板に搭載されたとき、その基板の表面からそのベース部の上部表面が突起しており、
上記を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャ。 - 上記コンタクト基板は単一のシリコンウェハあるいは複数のシリコンウェハを互いに接着して一体的に形成され、
上記コンタクタを搭載するためのスルーホールをそのコンタクト基板に形成し、
上記スルーホールはエッチングの行程によりそのコンタクト基板に形成される、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。 - 上記コンタクタを搭載するためのスルーホールをそのコンタクト基板に形成し、
上記各コンタクタのベース部に形成された上記フランジ部は、上記スルーホールに形成されたステップ部と係合する、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。 - 上記コンタクト基板は単一のシリコンウェハにより形成され、上記コンタクタを搭載するための上記スルーホールをそのコンタクト基板に形成した、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板は第1のシリコンウェハと第2のシリコンウェハを互いに接着して一体的に形成され、上記コンタクタを搭載するための上記スルーホールをそのコンタクト基板に形成した、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板は3層のシリコンウェハを互いに接着して一体的に形成され、上記コンタクタを搭載するための上記スルーホールをそのコンタクト基板に形成した、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記3層のシリコンは、第1、第2および第3のシリコンウェハにより構成され、その第2シリコンウェハと第3シリコンウェハを互いに接着し、その第2および第3シリコンウェハに第2のスルーホールを形成し、その第1シリコンウェハにその第2のスルーホールより大きな第1のスルーホールを形成し、その第1シリコンウェハを第1および第2のスルーホール位置が合致するように位置合わせして、上記第2シリコンウェハ上に接着して構成した、請求項6に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクタは、フォトリソグラフィーの工程により、平坦な基板の表面上にその平坦基板と並行な方向に形成され、その後その平坦基板から取り除かれて、上記コンタクト基板の表面と直交する方向にそのコンタクト基板上に搭載される、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 所定のサイズのコンタクトアセンブリを形成する為に、上記コンタクト基板はその外部エッジにおいて他のコンタクト基板の外部エッジと接続するための結合メカニズムを有する、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記結合メカニズムは上記コンタクト基板の一側端および他側端にそれぞれ形成された係合凹凸の組み合わせであり、1のコンタクト基板の側端に形成された係合凹凸による結合メカニズムが、他のコンタクト基板の反対側端に形成された係合凹凸による結合メカニズムと係合し、これにより複数のコンタクト基板が所定のサイズ、形状、コンタクト数のコンタクトアセンブリを形成するように互いに組み合わせることができる、請求項9に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板はシリコンで構成されている、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板は、ポリイミド、セラミック、またはガラスのような誘電体材料で構成されている、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- コンタクトストラクチャを形成するための製造方法において、
(a)犠牲層をシリコン基板の表面に形成するステップと、
(b)フォトレジスト層をその犠牲層上に形成するステップと、
(c)コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォトマスクを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するステップと、
(d)そのフォトレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
(e)電気メッキのプロセスにより電気導電材料によるコンタクタの第1層を上記フォトレジスト層のパターンに形成するステップと、
(f)コンタクタの第2層またはそれを超える層を形成するために、上記のステップ(b)から(e)を繰り返すステップと、
(g)上記フォトレジスト層を取り除くステップと、
(h)上記コンタクタをシリコン基板から分離するために上記犠牲層をエッチングで取り除くステップと、
(i)各コンタクタの少なくとも1の端部が電気的接続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コンタクタをコンタクト基板に搭載するステップと、
を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。 - コンタクトストラクチャを形成するための製造方法において、
(a)犠牲層を基板の表面に形成するステップと、
(b)基板上のその犠牲層上にフォトレジスト層を形成するステップと、
(c)コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォトマスクを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するステップと、
(d)上記フォトレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
(e)電気メッキのプロセスにより電気導電材料によるコンタクタの第1層を上記フォトレジスト層のパターンに形成するステップと、
(f)コンタクタの更なる層を形成するために、コンタクタの上記第1層上に上記ステップ(b)−(e)を繰り返すステップと、
(g)上記フォトレジスト層を取り除くステップと、
(h)上記コンタクタの上面が接着テープに付着するように接着テープをコンタクタに当てるステップと、
(i)上記シリコン基板から接着テープに付着したコンタクタが上記基板から分離するように、上記犠牲層をエッチングにより取り除くステップと、
(j)各コンタクタの少なくとも1の端部が電気的接続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コンタクタをコンタクト基板に搭載するステップと、
を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。 - コンタクトストラクチャを形成するための製造方法において、
(a)導電材料により構成された導電基板を誘電体基板上に形成するステップと、
(b)フォトレジスト層を上記導電基板上に形成するステップと、
(c)コンタクタのイメージを有するフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、上記フォトマスクを介して上記フォトレジスト層を紫外線で露光するステップと、
(d)上記フォトレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
(e)電気メッキのプロセスにより導電材料により構成したコンタクタの第1層をフォトレジスト層のパターンに形成するステップと、
(f)コンタクタの更なる層を形成するために、コンタクタの上記第1層上に上記ステップ(b)−(e)を繰り返すステップと、
(g)上記フォトレジスト層を取り除くステップと、
(h)上記誘電体基板から接着テープに付着したコンタクタが分離するように上記導電基板を剥がし取るステップと、
(i)上記のコンタクタの表面が接着テープに付着するように、上記コンタクタの上面に接着テープを当てるステップであり、上記コンタクタと上記接着テープ間の接着力が、上記コンタクタと上記導電基板間の接着力よりも大であり、
(j)その接着テープに付着したコンタクタが上記導電基板から分離するように上記導電基板を剥がし取るステップと、
(k)各コンタクタの端部が電気的接続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コンタクタをコンタクト基板に搭載するステップと、
を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。 - コンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのプローブコンタクトアセンブリにおいて、
複数のコンタクタを保持するコンタクト基板と、
その表面に設けられた電極と上記コンタクタとの間の電気コミュニケーションを確立するためにそのコンタクト基板を搭載するためのプローブカードと、
複数のコンタクトピンを有し、上記プローブカードに取り付けられたとき、上記プローブカードと半導体テストシステムの間をインタフェースするピンブロックと、により構成され、
上記コンタクタはそのコンタクト基板に取り付けられ、その各コンタクタは、そのコンタクタの一端にありコンタクトターゲットとの接触点を形成する先端部と、そのコンタクタの他端にありコンタクト基板と係合するベース部と、そのベース部から先端部への方向に直線的に形成された直線体部と、その先端部と直線体部の間に形成され、コンタクトストラクチャがコンタクトターゲットに押し当てられたときに接触バネ力を発揮するスプリング部とにより構成され、
上記スプリング部は接触バネ力を発生するために、曲線状、傾斜状、蛇行状、あるいはジグザグ状を含む非直線的形状に構成されるとともに、上記ベース部及び直線体部よりも少ない回数の導電層形成プロセスを経ることにより上記ベース及び直線体部よりも薄く構成され、
上記ベース部は、その端部において左右に突起したフランジ部を有し、コンタクタが上記コンタクト基板に搭載されたとき、その基板の表面からそのベース部の上部表面が突起していることを特徴とするプローブコンタクトアセンブリ。 - 上記ベース部の上部表面とプローブカードの電極との間に電気コミュニケーションを確立するために、上記コンタクト基板とプローブカードとの間に供給された導電エラストマを有する、請求項16に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/663,434 US6504223B1 (en) | 1998-11-30 | 2000-09-16 | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
US09/663434 | 2000-09-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002162418A JP2002162418A (ja) | 2002-06-07 |
JP4863585B2 true JP4863585B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=24661788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001278088A Expired - Lifetime JP4863585B2 (ja) | 2000-09-16 | 2001-09-13 | コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを用いたプローブコンタクトアセンブリ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6504223B1 (ja) |
JP (1) | JP4863585B2 (ja) |
KR (1) | KR100491453B1 (ja) |
CN (1) | CN1256761C (ja) |
DE (1) | DE10145147A1 (ja) |
SG (1) | SG97194A1 (ja) |
TW (1) | TW502390B (ja) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030038356A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-02-27 | Derderian James M | Semiconductor devices including stacking spacers thereon, assemblies including the semiconductor devices, and methods |
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KR100653636B1 (ko) | 2005-08-03 | 2006-12-05 | 주식회사 파이컴 | 수직형 프로브, 그 제조 방법 및 프로브의 본딩 방법 |
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US7649367B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-01-19 | Microprobe, Inc. | Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance |
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-
2001
- 2001-08-15 SG SG200104990A patent/SG97194A1/en unknown
- 2001-08-24 TW TW090120925A patent/TW502390B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-13 DE DE10145147A patent/DE10145147A1/de not_active Ceased
- 2001-09-13 JP JP2001278088A patent/JP4863585B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-14 CN CNB011421800A patent/CN1256761C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-15 KR KR10-2001-0056959A patent/KR100491453B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-07-13 US US10/195,673 patent/US6677245B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020179904A1 (en) | 2002-12-05 |
JP2002162418A (ja) | 2002-06-07 |
KR100491453B1 (ko) | 2005-05-25 |
DE10145147A1 (de) | 2002-03-28 |
US6504223B1 (en) | 2003-01-07 |
CN1256761C (zh) | 2006-05-17 |
KR20020022130A (ko) | 2002-03-25 |
US6677245B2 (en) | 2004-01-13 |
SG97194A1 (en) | 2003-07-18 |
TW502390B (en) | 2002-09-11 |
CN1345087A (zh) | 2002-04-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041213 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |