TWI641019B - 電子束成像設備、使用一電子束之成像方法及雙威恩過濾器單色器 - Google Patents

電子束成像設備、使用一電子束之成像方法及雙威恩過濾器單色器 Download PDF

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Abstract

一項實施例係關於一種雙威恩過濾器單色器。一第一威恩過濾器使一電子束聚焦於一第一平面中，同時使該電子束在一第二平面中平行。一狹縫開口允許該電子束之具有在一能量範圍內之一能量的電子通過，同時阻擋該電子束之具有在該能量範圍之外之一能量的電子。一第二威恩過濾器使該電子束在該第二平面中平行的同時，使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行。亦揭示其他實施例、態樣及特徵。

Description

電子束成像設備、使用一電子束之成像方法及雙威恩過濾器單色器 相關申請案交叉參考
本專利申請案主張2014年5月25日提出申請之美國臨時專利申請案第62/002,894號之權益，該臨時專利申請案之揭示內容特此以引用之方式併入。
本發明係關於用於電子束成像之設備及方法。
電子束成像系統通常使用一電子束柱來跨越一基板表面之一區域掃描一電子束以獲得影像資料。本發明提供用於超高解析度電子束成像之新穎及發明性設備及方法。
一項實施例係關於一種電子束成像設備，其包含第一威恩過濾器及第二威恩過濾器以及在其之間定位之一狹縫孔隙。一發射體源尖端發射電子，且一槍電子透鏡使該等電子聚焦以形成平行之一電子束。該第一威恩過濾器使該電子束聚焦於一第一平面中，同時使該電子束在一第二平面中平行。一狹縫孔隙之狹縫開口用以濾除具有在一能量範圍之外之能量之電子。該第二威恩過濾器使該電子束在該第二平面中平行的同時，使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行。
另一實施例係關於一種電子束成像之方法。自一發射體源發射 電子。藉由一槍透鏡使該等電子聚焦以形成一電子束，該電子束由於該電子束具有平行之電子軌跡而係平行的。藉由一第一一維威恩過濾器使該電子束在一第一平面中聚焦成一第一交叉，同時使該電子束在一第二平面中平行，其中該第一交叉與一狹縫開口重合。使該電子束之具有在一能量範圍內之能量之該等電子通過該狹縫開口，同時阻擋該電子束之具有在該能量範圍之外之能量之電子。藉由一第二一維威恩過濾器使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行，同時使該電子束在該第二平面中平行。
另一實施例係關於一種雙威恩過濾器單色器。一第一威恩過濾器使一電子束聚焦於一第一平面中，同時使該電子束在一第二平面中平行。一狹縫開口允許該電子束之具有在一能量範圍內之一能量之電子通過，同時阻擋該電子束之具有在該能量範圍之外之一能量之電子。一第二威恩過濾器使該電子束在該第二平面中平行的同時，使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行。
亦揭示其他實施例、態樣及特徵。
700‧‧‧裝置
702‧‧‧磁芯/磁極部/芯
704‧‧‧導電威恩線圈/線圈
706‧‧‧圓柱形彎曲之導電板/圓柱形彎曲之板/板
708‧‧‧絕緣體
BCP‧‧‧射束電流
By‧‧‧磁場
CL‧‧‧槍透鏡
DET‧‧‧偵測器/電子偵測器
E0‧‧‧射束能量/能量
E+‧‧‧高於E0之能量
E-‧‧‧低於E0之能量
Ex‧‧‧靜電場
F‧‧‧交叉
GL‧‧‧聚光透鏡
Mainscan‧‧‧主掃描器
OL‧‧‧物鏡
Prescan‧‧‧預掃描器
SE‧‧‧次級電子
Slit‧‧‧狹縫/狹縫開口
Tip‧‧‧發射體尖端
TGT‧‧‧目標基板
VFL‧‧‧浮動直流電壓
WF1‧‧‧一維威恩過濾器/第一一維威恩過濾器
WF2‧‧‧一維威恩過濾器/第二一維威恩過濾器/第二威恩過濾器
β‧‧‧聚焦角度
圖1係根據本發明之一實施例之供在一電子束柱中使用之一雙威恩過濾器單色器之一電子射線圖。
圖2繪示根據本發明之一實施例之具有平行電子束照射之一雙威恩過濾器單色器之模擬。
圖3係根據本發明之一實施例之供在一電子束柱中使用之一電浮動之雙威恩過濾器單色器之一電子射線圖。
圖4係根據本發明之一實施例之併入有一雙威恩過濾器單色器之一電子束柱之一電子射線圖。
圖5係根據本發明之一實施例之利用一雙威恩過濾器單色器形成並使用一電子束之一方法之一流程圖。
圖6係展示根據本發明之一實施例達成之在一相同射束電流下之經改良解析度的點大小對射束電流之一圖表。
圖7係根據本發明之一實施例之可經組態為一個一維威恩過濾器之一威恩過濾器之一剖面圖。
對欲顯著改良目前技術水平電子束成像系統(諸如掃描電子顯微鏡(SEM)及檢視系統)之效能而言，一電子束發射體中之源能量擴散係一困難障礙。源能量擴散不僅顯著影響解析度，且亦使跨越一視域(FOV)的影像均勻性降級、限制用以自一目標表面上之一壁特徵收集壁資訊的電子束傾斜角度，且進一步由於威恩過濾器中之使入射射束之次級電子與初級電子分離之一能量分散效應而使解析度降級。
本發明提供用以克服上文所論述之困難障礙之設備及方法。本發明提供一雙威恩過濾器單色器。該雙威恩過濾器單色器包含第一一維威恩過濾器及第二一維威恩過濾器，以及經定位於其之間之一狹縫孔隙。
圖1係根據本發明之一實施例之供於一電子束柱中使用之一雙威恩過濾器單色器(DWFM)之一電子射線圖。如所繪示，雙威恩過濾器單色器包含兩個一維(1D)威恩過濾器(WF1及WF2)，其中一狹縫(Slit)係定位於其之間。
如所繪示，z軸係電子束柱之光學軸。電子自可界定為在座標系統之一原點處之一發射體尖端(Tip)發射，且經發射電子由一槍透鏡(GL)聚焦成一平行電子束。平行電子束係進入單色器之入射電子束。
入射電子束係由第一1D威恩過濾器(WF1)接收。第一1D威恩過濾器係一維的，因為其使用一個維度但不使用另一維度(在此情形中，使用x維度但不使用y維度)來提供能量過濾。在所展示之例示性實施方案中，WF1產生一磁場及/或電場，以一聚焦角度β使電子束聚 焦於x-o-z平面中(頁之平面內)，但其並不使該射束聚焦於y-o-z平面中(頁之平面外)。由於WF1在y-o-z平面中之聚焦強度為零，因此當在y-o-z平面中僅考量速度分量時，電子束保持平行。
由於歸因於藉由WF1之聚焦的交叉僅在一個平面中，因此該交叉在本文中可稱為一個一維交叉或一線段形交叉。有利地，與在x-o-z平面及y-o-z平面兩者中之一交叉(亦即，一個二維交叉或點狀交叉)相比，電子束之一維交叉實質上減少電子間相互作用。
在y維度上之狹縫之長度可大於在彼維度上之射束寬度。在x維度上之狹縫之寬度可係依據所需能量過濾解析度△E而設計。
狹縫寬度僅允許具有接近射束能量E0之一能量之電子通過。允許通過之射束之能量擴散係能量過濾解析度△E。因此，通過狹縫之電子之能量範圍係自E-=E0-△E/2至E+=E0+△E/2。如所展示，具有低於E-之能量之電子可由狹縫之一底部部分阻擋，且具有高於E+之能量之電子可由狹縫之一頂部部分阻擋。
由於至單色器中之入射電子束係一平行射束，因此WF1經組態以在x-o-z平面中提供該射束之一大聚焦角度β，以便使一維交叉聚焦至狹縫上。可藉由控制施加至WF1之一激發電壓VWF1來控制聚焦強度(且因此聚焦角度)。
有利地，假定一所要△E，較大之一聚焦角度β允許狹縫之一大寬度，此使得能夠以充分準確度無困難地製造該狹縫。另外，使電子通過較寬狹縫導致經減少之電子間相互作用。
相比而言，在具有一經聚焦(亦即，非平行)而非平行入射電子束之一雙威恩過濾器單色器中，聚焦角度β可窄得多。由於較窄聚焦角度，因此需要狹縫之一小得多的寬度且可難以準確地製造該狹縫。另外，使電子通過較窄狹縫導致經增加電子間相互作用。
像第一1D威恩過濾器(WF1)一樣，第二1D威恩過濾器(WF2)使經 能量過濾電子束聚焦於x-o-z平面中，同時不影響y-o-z平面中之射束。藉由WF2之聚焦係在一聚焦強度下，使得經能量過濾電子束作為在x-o-z平面中(且亦在y-o-z平面中)之一平行電子束而離開WF2。
根據本發明之一實施例，WF1及WF2可以機械方式(包含距狹縫之距離)及以電方式兩者關於狹縫對稱。如此，WF1及WF2之聚焦及偏轉能力係相同的。
隨後，如所展示，一聚光透鏡(CL)可進一步使經能量過濾電子束聚焦。該射束可然後通過電子束柱之其他組件。舉例而言，下文關於圖4而闡述此等其他組件。
圖2繪示根據本發明之一實施例之具有平行電子束照射之一雙威恩過濾器單色器之模擬。該圖展示在能量E0下以及在高於E0之能量(E+)及低於E0之能量(E-)下之電子在x-o-z平面中之經模擬路徑。
如所展示，進入雙威恩過濾器單色器之入射電子之路徑係平行的。第一1D威恩過濾器(WF1)使入射電子聚焦穿過狹縫開口(Slit)，使得具有在自E-至E+之範圍內之能量之電子通過狹縫開口，而具有在彼範圍之外之能量之電子由圍繞狹縫開口之電子不透明材料阻擋。經能量過濾電子然後藉由第二1D威恩過濾器(WF2)聚焦，使得離開雙威恩過濾器單色器之電子之路徑係平行的。
圖3係根據本發明之一實施例之供在一電子束柱中使用之一電浮動之雙威恩過濾器單色器(EFDWFM)之一電子射線圖。圖3中之兩個1D威恩過濾器(WF1及WF2)及狹縫開口(Slit)之配置基本上與圖1中之配置相同。然而，在圖3之實施例中，雙威恩過濾器單色器模組之組件(亦即，WF1、Slit及WF2)係電浮動的。
在圖3中展示之一例示性實施方案中，單色器模組之組件由各自具有用於入射及離開之電子束之開口之兩個導電外殼或籠(亦即，兩個法拉第(Faraday)籠)環繞。兩個導電外殼之外部可為電接地的以便 與發射體尖端(其亦係電接地的)在相同電壓位準下，且兩個導電外殼(籠)之內部可具有施加至其之一浮動DC電壓(VFL)。
圖3中之接地及浮動外殼(籠)致使電子在進入穿過第一1D威恩過濾器(WF1)時減速且致使電子在經由第二1D威恩過濾器(WF2)離開時加速。由於該減速及該加速，因此與圖1之DWFM內之電子之速度相比，圖3之EFDWFM內之電子之速度較慢。特定而言，圖3之EFDWFM內之電子之速度與等於浮動DC電壓VFL(其經控制以提供電子之較慢速度)之電子束電勢Va成比例。
有利地，在單色器內側之較慢電子速度達成具有一較大寬度之一狹縫之使用，從而使製造狹縫且保護狹縫免遭裝填或變形係更實際的。另外，較大寬度狹縫減少單色器模組中之電子間相互作用。
圖4係根據本發明之一實施例之併入有一雙威恩過濾器單色器之一電子束柱之一電子射線圖。所繪示之柱包含圖3之發射體尖端(Tip)、槍透鏡(GL)、電浮動之雙威恩過濾器單色器(EFDWFM)及聚光透鏡(CL)。另一選擇係，圖1之雙威恩過濾器單色器(DWFM)而非圖3之電浮動之雙威恩過濾器單色器可包含於一柱中。
如圖4中所展示，聚光透鏡使射束聚焦以便在該射束到達物鏡(OL)之前形成一交叉(F)。在此情形中，該交叉係發射體尖端之一影像，而非狹縫孔隙之一影像。相較之下，在使用聚焦射束照射之一先前設備中，替代地將形成孔隙而非發射體尖端之一影像。
在圖4中繪示之電子束柱中，槍透鏡(GL)選擇射束電流以及狹縫孔隙。聚光透鏡(CL)選擇由物鏡(OL)形成之最佳數值孔徑(NA)。最佳NA係在其下目標基板(TGT)處之電子束點大小藉由平衡色像差及繞射像差而最小化之NA。
應注意，一般而言，本文中論述為使電子束聚焦之各種透鏡係電子透鏡。此等透鏡可實施為磁透鏡及/或靜電透鏡。
應注意，在y-o-z平面中，WF1及WF2兩者之聚焦強度皆為零。如此，y-o-z平面中的未經衝擊平行射束被聚焦於與x-o-z平面中之經能量過濾平行射束相同的影像平面中。因此，物鏡(OL)之數值孔徑可為旋轉地對稱的。
可藉由使電子束偏轉且在目標表面上方掃描該電子束來檢查或檢視目標基板上之特徵。為使離軸像差最小化，可使用包含一預掃描器(Prescan)及一主掃描器(Mainscan)之雙偏轉器掃描系統。可藉由在一偵測器(DET)處收集次級電子(SE)來形成目標基板之特徵的影像。可使用一威恩過濾器以使次級電子(SE)自入射(初級)電子***出來。
圖5係根據本發明之一實施例之利用一雙威恩過濾器單色器來形成並使用一電子束之一方法500之一流程圖。舉例而言，可使用上文關於圖1及圖3所闡述之設備來執行方法500。
按照步驟502，自一電子發射源發射電子。舉例而言，電子發射源可為一熱場發射(TFE)陰極發射體之一尖端。可使用其他類型之電子發射源。
按照步驟504，可利用一電子槍透鏡將電子形成為一平行電子束。如上文所闡述，平行電子束係在兩個維度上平行的。特定而言，其在x-o-z平面及y-o-z平面兩者中皆係平行的。
按照步驟506，可使用一第一一維威恩過濾器(WF1)使電子束聚焦。舉例而言，上文關於圖1及圖3中之WF1闡述此一維聚焦。如圖1及圖3中一般，射束之一維聚焦可係在x-o-z平面中，同時該射束可在y-o-z平面中保持平行。
按照步驟508，使用一狹縫將能量過濾施加至電子束。狹縫經塑形如一線段般，具有比其長度小得多之一寬度。如上文所闡述，電子束在到達狹縫之平面時，其剖面亦如一線段般，具有比其長度小得多之一寬度。
能量過濾發生，乃因藉由威恩過濾器之偏轉的量取決於電子之能量(速度)。狹縫經定位以便允許具有在自E0-△E至E0+△E之一範圍內之能量的電子通過。同時，具有在彼範圍之外之能量的電子被環繞狹縫之孔隙材料阻擋。
按照步驟510，藉由一第二威恩過濾器(WF2)使電子束聚焦以形成離開單色器之一平行射束。該離開之射束係在兩個維度上(亦即，在x-o-z平面及y-o-z平面兩者中)平行的。根據本發明之一實施例，第一威恩過濾器及第二威恩過濾器可以機械方式及以電方式兩者對狹縫完全對稱，使得每一威恩過濾器中之光學性質(聚焦及偏轉能力)可為相同的(或幾乎相同的)。
按照步驟512，一聚光透鏡(CL)可使電子束聚焦。如上文關於圖4所闡述，CL可使該射束聚焦成一交叉，且在該交叉之平面處形成發射體尖端之一影像。
按照步驟514及516，可由一預掃描偏轉器施加一第一經控制偏轉，且可由一主掃描偏轉器施加一第二經控制偏轉。預掃描偏轉與主掃描偏轉一起提供對射束之雙偏轉器掃描以減小離軸像差。
按照步驟518，可使電子束聚焦至一目標表面之一射束點上。此步驟通常使用諸如上文關於圖4所闡述之一物鏡(OL)來實現。
按照步驟519，由於入射射束在目標表面處之照射而產生次級電子。按照步驟520，自目標表面(舉例而言，藉由一萃取電極及物鏡)萃取次級電子，且然後按照步驟522，使用另一(一第三)威恩過濾器作為一射束分離器而使該等次級電子偏轉遠離入射射束。最後，按照步驟524，使用一電子偵測器(DET)偵測次級電子。
應注意，使用此方法500，可在目標基板之表面上方掃描射束點。可然後使用結合射束掃描而偵測之次級電子資料來產生展示目標表面之特徵之影像資料。
圖6係展示根據本發明之一實施例達成之在一相同射束電流下之經改良解析度的點大小對射束電流之一圖表。該圖表展示點大小對射束電流。如所展示，直至一射束電流BCP，具有如本文中所教示之一單色器之本發明之實施例針對相同射束電流具有一較小點大小。因此，根據本發明之一實施例，具有如本文中所教示之一單色器之一電子束柱具有低於BCP之一有利地有用射束電流範圍。
使用諸如本文中所揭示之一雙威恩過濾器單色器(浮動或不浮動)之一電子束設備可用於各種應用中。此等應用包含但不限於晶圓、遮罩、模板或發光二極體上之電子束檢驗、檢視及計量。
圖7係根據本發明之一實施例之可經組態為一個一維威恩過濾器之一威恩過濾器之一剖面圖。本發明之一實施例將圖7中展示之威恩過濾器組態為一1D威恩過濾器。亦可使用一1D威恩過濾器之其他實施方案。
裝置700可包含兩對磁芯(磁極部)702。一第一對芯702可在x軸上對準，且一第二對芯702可在y軸上對準，其中z軸係電子束柱之光學軸。可圍繞每一磁芯702捲繞導電威恩線圈704。可藉由調整流動穿過線圈704之電流而可控制地調整沿著裝置700中之x軸及y軸之磁場。
另外，裝置700可包含兩對圓柱形彎曲之導電板706。一第一對圓柱形彎曲之板706可在x軸上對準，且一第二對圓柱形彎曲之板706可在y軸上對準，其中z軸係電子束柱之光學軸。如圖7中所展示，板706可為圓柱形彎曲的且經定位以便圍繞該柱之光學軸界定一空圓柱形空間。
為實施一1D威恩過濾器，可使電流流動穿過圍繞在y軸上對準之第二對芯702之線圈，但不穿過圍繞在x軸上對準之第一對芯702之線圈。此導致產生在y軸之方向上之一磁場(亦即，By)，但不產生在x軸之方向上之一磁場(亦即，Bx=0)，以供電子沿著光學軸行進。另外， 可將電壓施加至板706以便致使產生在x軸之方向上之一靜電場(亦即，Ex)，但不產生在y軸之方向上之一靜電場(亦即，Ey=0)，以供電子沿著光學軸行進。
如圖7中進一步所展示，絕緣體708可將板706與磁芯702分離。絕緣體708可具有對應於板706之圓柱形彎曲之一彎曲。磁芯702之鄰接絕緣體708之表面亦可具有對應於板706之圓柱形彎曲之一圓柱形彎曲。
在以上說明中，給出眾多特定細節以提供對本發明之實施例之一透徹理解。然而，本發明之所圖解說明實施例之以上說明並非意欲為窮盡性或將本發明限制於所揭示之精確形式。熟習相關技術者將認識到，可在不具有特定細節中之一或多者之情況下或藉助其他方法、組件等來實踐本發明。在其他例項中，未詳細展示或闡述眾所周知之結構或操作以避免使本發明之態樣模糊。雖然出於說明性目的而在本文中闡述本發明之特定實施例及實例，但如熟習此項技術者將認識到，可在本發明之範疇內做出各種等效修改。
可根據以上詳細說明對本發明做出此等修改。以下申請專利範圍中使用之術語不應理解為將本發明限制於說明書及申請專利範圍中所揭示之特定實施例。而是，本發明之範疇將由以下申請專利範圍來判定，申請專利範圍將根據申請專利範圍解釋之既定原則加以理解。

Claims (22)

  1. 一種電子束成像設備，其包括：一發射體源尖端，其發射電子；一槍電子透鏡，其使該等電子聚焦以形成一電子束，該電子束由於該電子束具有平行之電子軌跡而係平行的；一第一一維威恩過濾器，其使該電子束聚焦於一第一平面中，同時使該電子束在一第二平面中平行；一狹縫孔隙之一狹縫開口，其中該狹縫開口具有在該第一平面中之一寬度及在該第二平面中之一長度，且其中該寬度窄於該長度；及一第二一維威恩過濾器，其在該電子束於該第二平面中平行的同時，使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行。
  2. 如請求項1之設備，其中該第一一維威恩過濾器使該電子束在該第一平面中聚焦成一第一交叉。
  3. 如請求項2之設備，其中該第一平面中之該第一交叉位於該狹縫開口內。
  4. 如請求項3之設備，其中該狹縫開口允許具有在一能量範圍內之一能量的電子通過，同時阻擋具有在該能量範圍之外之一能量的電子。
  5. 如請求項1之設備，其中該狹縫開口經定位以便與該第一一維威恩過濾器及該第二一維威恩過濾器等距，且其中該第一一維威恩過濾器與該第二一維威恩過濾器之一聚焦強度係相等的。
  6. 如請求項1之設備，其中一單色器包括該第一一維威恩過濾器、該狹縫孔隙及該第二一維威恩過濾器，且其中該單色器係電浮動的。
  7. 如請求項6之設備，其中該單色器之該電浮動係藉由經電接地之一外導電環繞特徵及一直流(DC)電壓所施加至之一內導電環繞特徵來實現。
  8. 如請求項1之設備，進一步包括：一聚光透鏡，其使該電子束聚焦成一第二交叉；及一物鏡，其使該電子束聚焦以便在一目標基板之一表面上形成一射束點。
  9. 如請求項8之設備，進一步包括：一掃描系統，用於使該電子束偏轉以便在正成像之一目標基板之一區上方掃描該射束點。
  10. 如請求項9之設備，其中該掃描系統包括：一預掃描偏轉器，其在該第二交叉形成之前使該電子束偏轉；及一主掃描偏轉器，其在該電子束到達該物鏡之前使該電子束偏轉。
  11. 如請求項8之設備，進一步包括：一第三一維威恩過濾器，其使次級電子自該目標基板之該表面偏轉；及一偵測器，其偵測該等次級電子以獲得影像資料。
  12. 一種使用一電子束之成像方法，該方法包括：自一發射體源發射電子；藉由一槍透鏡，使該等電子聚焦以形成一電子束，該電子束由於該電子束具有平行之電子軌跡而係平行的；藉由一第一一維威恩過濾器使該電子束在一第一平面中聚焦成一第一交叉，同時使該電子束在一第二平面中平行，其中該第一交叉與一狹縫開口重合；使該電子束之具有在一能量範圍內之能量的電子通過該狹縫開口，同時阻擋該電子束之具有在該能量範圍之外之能量的電子；及藉由一第二一維威恩過濾器使該電子束在該第二平面中平行的同時，使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行。
  13. 如請求項12之方法，其中該狹縫開口經定位以便與該第一一維威恩過濾器及該第二一維威恩過濾器等距，且其中該第一一維威恩過濾器與該第二一維威恩過濾器之一聚焦強度係相等的。
  14. 如請求項12之方法，其中該第一一維威恩過濾器、該狹縫孔隙及該第二一維威恩過濾器係電浮動的。
  15. 如請求項12之方法，進一步包括：藉由一預掃描偏轉器使該電子束偏轉；使該電子束聚焦成一第二交叉；藉由一主掃描偏轉器使該電子束偏轉；及使該電子束聚焦以便在一目標基板之一表面上形成一射束點。
  16. 如請求項15之方法，進一步包括：自該目標基板之該表面萃取次級電子；使該等次級電子偏轉遠離該電子束；及偵測該等次級電子以獲得影像資料。
  17. 一種雙威恩過濾器單色器，其包括：一第一一維威恩過濾器，其使一電子束聚焦於一第一平面中，同時使該電子束在一第二平面中平行；一狹縫孔隙之一狹縫開口，其中該狹縫開口允許該電子束之具有在一能量範圍內之一能量之電子通過，同時阻擋該電子束之具有在該能量範圍之外之一能量之電子；及一第二一維威恩過濾器，其使該電子束聚焦以變得在該第一平面中平行，同時使該電子束在該第二平面中平行。
  18. 如請求項17之單色器，其中該第一一維威恩過濾器使該電子束在該第一平面中聚焦成一第一交叉。
  19. 如請求項18之單色器，其中該第一平面中之該第一交叉位於該狹縫開口內。
  20. 如請求項17之單色器，其中該狹縫開口經定位以便與該第一一維威恩過濾器及該第二一維威恩過濾器等距，且其中該第一一維威恩過濾器與該第二一維威恩過濾器之一聚焦強度係相等的。
  21. 如請求項17之單色器，其中該單色器係電浮動的。
  22. 如請求項21之單色器，其中該單色器之該電浮動係藉由經電接地之一外導電環繞特徵及一直流(DC)電壓所施加至之一內導電環繞特徵來實現。
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