JP4519398B2 - 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4519398B2
JP4519398B2 JP2002341965A JP2002341965A JP4519398B2 JP 4519398 B2 JP4519398 B2 JP 4519398B2 JP 2002341965 A JP2002341965 A JP 2002341965A JP 2002341965 A JP2002341965 A JP 2002341965A JP 4519398 B2 JP4519398 B2 JP 4519398B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
substrate
cavity
mold
resin material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002341965A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004179284A (ja
Inventor
浩 浦上
長 中川
欣也 藤野
慎二 高瀬
秀樹 徳山
弘一 目黒
徹 西野
昇 早坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Towa Corp
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp, Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Towa Corp
Priority to JP2002341965A priority Critical patent/JP4519398B2/ja
Priority to TW092132279A priority patent/TWI277500B/zh
Priority to KR1020030081356A priority patent/KR100929054B1/ko
Priority to US10/719,379 priority patent/US7056770B2/en
Priority to DE10355065.8A priority patent/DE10355065B4/de
Priority to CNB2003101199620A priority patent/CN100373567C/zh
Priority to CNB2007101422091A priority patent/CN100536099C/zh
Publication of JP2004179284A publication Critical patent/JP2004179284A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4519398B2 publication Critical patent/JP4519398B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置等のパッケージを製造する際の樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の、半導体パッケージ等のパッケージを製造する際の樹脂封止工程について、その概略を以下に示す。まず、半導体チップ等のチップ状の電子部品（以下「チップ」という。）が装着されたリードフレーム、プリント基板等（以下「基板」という。）を、相対向する金型対のうち一方の金型に載置する。次に、金型対を型締めして、金型対が有するキャビティに、ランナ部及びゲート部と呼ばれる樹脂流路を経由して、溶融樹脂を加圧・注入する。次に、注入された溶融樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成し、成形品を形成する。次に、金型を型開きした後に、成形品を取り出す（例えば、特許文献１参照）。更に、この成形品をダイシングして、最終製品であるパッケージを完成させる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１３５６５８号公報（第５頁、図３）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術によれば、近年における半導体チップの端子数の増大、半導体チップのスタック化、パッケージの薄型化等による、ワイヤ長の長大化・ワイヤ間隔の狭小化という傾向に対して、次のような問題が発生するおそれがある。
まず、注入された溶融樹脂の流動によって、ワイヤの変形・切断・接触等が発生するおそれがある。この問題の対策としては、溶融樹脂の注入速度を遅くすることが考えられる。しかし、この場合には、注入中において溶融樹脂の粘性が徐々に増すことから溶融樹脂中のガスが抜けにくくなるので、ボイド（気泡）や未充填部の発生という不良が発生する原因になる。
また、近年、コストダウンのために基板の大判化の要求が強くなっている。大判の基板では、溶融樹脂の流動距離が長くなるので、更に上記のような不良が発生しやすくなっている。
また、樹脂流路における硬化樹脂は廃棄されるので、樹脂材料の有効利用を図ることができないという問題もある。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、基板に装着されたチップを樹脂封止する際に、不良を低減するとともに樹脂材料の有効利用を可能にする、樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の技術的課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止方法は、上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止する樹脂封止方法であって、上型に基板を保持する工程と、下型に設けられたキャビティに樹脂材料を配置する工程と、金型対が型開きしている状態において樹脂材料を加熱してキャビティ内において溶融樹脂を生成する工程と、金型対を型締めし、電子部品を溶融樹脂に浸漬する工程と、キャビティ内で溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、金型対を型開きする工程と、成形品を取り出す工程とを備えるとともに、樹脂材料はキャビティに配置される前にキャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする。
【０００７】
これによれば、キャビティに配置された樹脂材料を加熱して生成した溶融樹脂に、基板に装着された電子部品を浸漬させ、溶融樹脂を硬化させることにより、電子部品を樹脂封止する。これにより、基板から見た溶融樹脂は、キャビティの深さ方向を短時間に流動するにすぎないので、キャビティ内の基板の全領域において均一かつ短時間に流動する。したがって、ボイドや未充填部等の不良の発生を防止することができる。また、キャビティに配置された樹脂材料を使用することにより、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に硬化樹脂が形成されることがないので、樹脂材料の有効利用が可能になる。また、キャビティの寸法形状に合わせて成形された樹脂材料を加熱して、キャビティに予め溶融樹脂を短時間に形成することができる。
【０００８】
また、本発明に係る樹脂封止方法は、上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止する樹脂封止方法であって、下型に基板を載置する工程と、基板と電子部品とが各々有する電極同士を接続する導電性材料に接触しないようにして、基板の主面上に樹脂材料を配置する工程と、金型対が型開きしている状態において樹脂材料を加熱して基板の主面上において溶融樹脂を生成する工程と、金型対を型締めし、電子部品が溶融樹脂に浸漬した状態で、上型に設けられたキャビティに溶融樹脂を充填する工程と、キャビティ内で溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、金型対を型開きする工程と、成形品を取り出す工程とを備えるとともに、樹脂材料はキャビティに配置される前にキャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、基板と電子部品とが各々有する電極同士を接続する導電性材料に接触しないようにして基板の主面上に樹脂材料を配置し、その樹脂材料を溶融させて生成した溶融樹脂に電子部品が装着された主面を浸漬する。これにより、基板から見た溶融樹脂は、キャビティの深さ方向を短時間に流動するにすぎないので、キャビティ内の基板の全領域において均一かつ短時間に流動する。したがって、ボイドや未充填部等の不良の発生を防止することができるとともに、例えば、ワイヤからなる導電性材料に加えられる応力を、いっそう低減することができる。また、基板上に配置された樹脂材料を使用することにより、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に硬化樹脂が形成されることがないので、樹脂材料の有効利用が可能になる。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、上型に基板を保持する工程と、下型に設けられたキャビティに樹脂材料を配置する工程と、金型対が型開きしている状態において樹脂材料を加熱してキャビティ内において溶融樹脂を生成する工程と、金型対を型締めし、電子部品を溶融樹脂に浸漬する工程と、キャビティ内で溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、金型対を型開きする工程と、形成された成形品を取り出す工程とを備えるとともに、樹脂材料はキャビティに配置される前にキャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする。
【００１１】
これによれば、半導体装置を製造する際の樹脂封止において、上述の樹脂封止方法と同様に、基板から見た溶融樹脂は、キャビティの深さ方向を短時間に流動するにすぎないので、キャビティ内の基板の全領域において均一かつ短時間に流動する。したがって、ボイドや未充填部等という不良の発生を防止することができる。また、キャビティに配置された樹脂材料を使用することにより、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に硬化樹脂が形成されることがないので、樹脂材料の有効利用が可能になる。また、キャビティの寸法形状に合わせて成形された樹脂材料を加熱して、キャビティに予め溶融樹脂を短時間に形成することができる。
【００１２】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、下型に基板を載置する工程と、基板と電子部品とが各々有する電極同士を接続する導電性材料に接触しないようにして、基板の主面上に樹脂材料を配置する工程と、金型対が型開きしている状態において樹脂材料を加熱して基板の主面上において溶融樹脂を生成する工程と、金型対を型締めし、電子部品が溶融樹脂に浸漬した状態で、上型に設けられたキャビティに溶融樹脂を充填する工程と、キャビティ内で溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、金型対を型開きする工程と、形成された成形品を取り出す工程とを備えるとともに、樹脂材料はキャビティに配置される前にキャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする。
【００１３】
これによれば、半導体装置を製造する際の樹脂封止において、上述の樹脂封止方法と同様に、基板から見た溶融樹脂は、キャビティの深さ方向を短時間に流動するにすぎないので、キャビティ内の基板の全領域において均一かつ短時間に流動する。したがって、ボイドや未充填部等の不良の発生を防止することができるとともに、例えば、ワイヤからなる導電性材料に加えられる応力を、いっそう低減することができる。また、基板上に配置された樹脂材料を使用することによって、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に硬化樹脂が形成されることがないので、樹脂材料の有効利用が可能になる。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止方法について、図１〜図３を参照して説明する。図１（Ａ），（Ｂ）は、本実施形態に係る樹脂封止方法において、キャビティに樹脂材料が配置される状態と、樹脂材料が溶融して溶融樹脂が生成され金型対が型締めする直前の状態とを、それぞれ示す部分断面図である。図２（Ａ），（Ｂ）は、金型対が型締めした状態であって、基板に装着されたチップが溶融樹脂に浸漬された状態と、溶融樹脂が硬化して硬化樹脂が形成された状態とを、それぞれ示す部分断面図である。図３（Ａ），（Ｂ）は、金型対が型開きして成形品が搬出される直前の状態と、金型対が型締めした際の図１（Ａ）の型締め部の状態とを、それぞれ示す部分断面図である。
【００１９】
図１に示されたように、本発明に係る樹脂封止方法に使用される装置には、相対向する金型対として、下型１と上型２とが設けられている。また、下型１と上型２とを型締め又は型開きするプレス手段（図示なし）が設けられている。下型１と上型２との間には進退自在に搬送ユニット３が設けられており、この搬送ユニット３は、例えば、打錠することにより板状に成形された樹脂材料４を吸着して供給する。
【００２０】
下型１には、樹脂材料４が配置されるとともに、後述する溶融樹脂によって充填されるキャビティ５が設けられている。また、下型１には、キャビティ５の側面の少なくとも１個所に連通して樹脂溜まり６が設けられ、樹脂溜まり６に連通して気体流路７が設けられている。この気体流路７は、配管とバルブとを介して減圧ポンプ（いずれも図示なし）に接続され、必要に応じて、例えば、圧縮空気タンクのような加圧源（図示なし）にも接続されている。更に、下型１におけるキャビティ５の近傍には、キャビティ５及びその周辺を加熱するためのヒータ８が設けられている。
【００２１】
ここで、樹脂材料４は、加熱されることにより溶融・硬化する熱硬化性樹脂から構成されている。また、樹脂材料４は、キャビティ５の寸法・形状に合わせて打錠されており、配置された状態でキャビティ５における型面に密着する。本実施形態では、キャビティ５の上部における型締め部９に段差１０を設け、樹脂材料４を、この段差１０に合わせた形状に成形している。
【００２２】
上型２には、凹状の基板保持部１１が設けられており、その基板保持部１１の底面（図では上面）には、更に吸着用凹部１２が設けられている。吸着用凹部１２には気体流路１３がつながっており、気体流路１３は、配管とバルブとを介して減圧ポンプ（いずれも図示なし）に接続されている。基板保持部１１には、基板１４が、気体流路１３によって吸着保持されている。基板１４は格子状の複数の領域に分割されており、各領域にはチップ１５がそれぞれ装着され、基板１４と各チップ１５との電極同士（いずれも図示なし）は、ワイヤ１６によって電気的に接続されている。
【００２３】
以下、本実施形態に係る樹脂封止方法を説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、下型１と上型２とが型開きした状態で、基板搬送手段（図示なし）を使用して基板保持部１１に基板１４を配置し、気体流路１３を介してこれを吸着保持する。また、搬送ユニット３を使用して、樹脂材料４を、吸着によって保持し、キャビティ５の真上まで搬送し、吸着を解除して落下させ、又は、搬送ユニット３を下降させ吸着を解除して、キャビティ５における型面の上に配置する。
【００２４】
次に、図１（Ｂ）に示すように、ヒータ８によって樹脂材料４を加熱して溶融させ、溶融樹脂１７を生成するとともに、ワイヤ１６が溶融樹脂１７の表面付近に位置するまで上型２を下降させる。これら一連の動作を、気体流路７を使用して下型１・上型２間の空間を減圧しながら行う。
【００２５】
次に、図２（Ａ）に示すように、引き続き下型１・上型２間の空間を減圧しながら、上型２を更に下降させて下型１と上型２とを型締めする。このことによって、チップ１５とワイヤ１６とを溶融樹脂１７の中に浸漬させる。この時、基板１４におけるチップ５の装着部の周囲も、溶融樹脂１７に接して浸漬する。ここで、キャビティ５を含む雰囲気が減圧されるので、溶融樹脂１７中のボイドが脱泡されて除去される。また、キャビティ５から溢れた溶融樹脂１７は、樹脂溜まり６に流れ込む。
【００２６】
次に、図２（Ｂ）に示すように、引き続き溶融樹脂１７を加熱し硬化させて、硬化樹脂１８を形成する。この硬化樹脂１８と基板１４とは、図２（Ａ）に示されているチップ１５とワイヤ１６とを内包して、成形品１９を構成する。
【００２７】
次に、図３（Ａ）に示すように、上型２を上昇させて下型１と上型２とを型開きし、下型１から成形品１９を取り出す。また、必要に応じて、気体流路７を経由して圧縮空気を噴出させることにより、樹脂溜まり６において硬化した樹脂を下型１から離型させることもできる。
その後に、気体流路１３による吸着を解除して、成形品１９をその下方に挿入された搬送ユニット３に引き渡し、搬送ユニット３を使用して成形品１９をトレイ等の収納手段又は次工程に搬送する。
そして、成形品がダイシング法等により切断されることにより、最終製品である各領域ごとに分離された半導体装置のパッケージが完成する。
【００２８】
本実施形態の特徴は、キャビティ５の寸法形状に合わせて成形された樹脂材料４を加熱してキャビティ５に予め溶融樹脂１７を短時間に形成するとともに、キャビティ５を含む空間を減圧しながら下型１と上型２とを型締めすることによって、その溶融樹脂１７の中に、基板１４に装着されたチップ１５とワイヤ１６とを浸漬させることにある。これにより、第１に、基板１４から見た溶融樹脂１７は、当該基板１４の主面に垂直な方向、すなわちキャビティ５の深さ方向を短時間に流動するにすぎないので、キャビティ５内の基板１４の全領域において均一かつ短時間に流動する。第２に、ワイヤ１６から見た溶融樹脂１７は、ワイヤ１６のループを倒す方向又は変形させやすい方向には流動せず、最もループを変形させにくい方向、すなわちループを低くする方向に流動する。第３に、溶融樹脂１７中に存在するボイドが、脱泡されて除去される。
【００２９】
したがって、本実施形態によれば、キャビティ５内における基板１４の全領域において、キャビティ５の深さ方向に、均一かつ短時間に溶融樹脂１７が流動するので、溶融樹脂１７の粘度等の特性が変化しにくくなるとともに、ワイヤ１６に対して過大な外力が加わらない。これにより、基板１４の大きさに制限されることなく、ボイド、未充填部、ワイヤ１６の変形等の不良の発生を防止するとともに、短時間で樹脂封止を行うことができる。また、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に不要な硬化樹脂が形成されることがないので、樹脂材料の有効利用が可能になる。更に、キャビティ５を含む雰囲気を減圧するので、これによっても、溶融樹脂１７中に存在するボイドを効果的に脱泡して除去することができる。
【００３０】
なお、本実施形態においては、キャビティ５の寸法形状に合わせて打錠された樹脂材料４を使用した。これに代えて、キャビティ５に所定量の粒体状樹脂、又は液状樹脂を供給することもできる。これらの場合においても、溶融樹脂１７がキャビティ５内の基板１４の全領域において均一かつ短時間に流動するので、上述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
また、図３（Ｂ）に示すように、型締め部９において、変形可能なプラスチックシートからなるシール部材２０を設けてもよい。更に、シール部材２０としては、円形の断面を有する枠状の部材（Ｏリング）を使用することもできる。
【００３２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止方法を、図４及び図５を参照しながら説明する。図４（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止方法において、基板上に樹脂材料が配置される直前の状態と、基板上に樹脂材料が配置された状態とを、それぞれ示す部分断面図である。図５（Ａ），（Ｂ）は、上型が樹脂材料に接触してこれを加熱している状態と、金型対が型締めしてキャビティに溶融樹脂が生成された状態とを、それぞれ示す部分断面図である。なお、第１の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００３３】
図４及び図５に示されているように、本実施形態においては、下型２１上に基板１４が載置され、基板１４上に樹脂材料２２が配置される。この樹脂材料２２は、上型に設けられたキャビティ（後述）の寸法・形状に合わせて打錠されているとともに、平板部２３とエッジ部２４とから構成されている。この時、ワイヤ１６が張られる高さよりも高くエッジ部２４を立ち上げることにより、平板部２３がワイヤ１６に接触することを防止する。また、エッジ部２４には、樹脂材料２２を加熱・溶融させる際にガスを流出させるための切り欠きを設けておくことが好ましい。
【００３４】
また、本実施形態に使用される樹脂封止装置においては、図５（Ａ）に示されているように、上型２５の側に、キャビティ２６とヒータ２７とが設けられている。更に、型締め部２８において、上型２５の側に、第１の実施形態におけるシール部材２０（図３（Ｂ）参照）と同様のシール部材を設けることもできる。加えて、上型２５又は下型２１に、第１の実施形態と同様の樹脂溜まり６と気体流路７（図１参照）とを設けることもできる。
【００３５】
以下、本実施形態に係る樹脂封止方法を説明する。まず、図４（Ａ）に示すように、型開きした状態で、下型２１上の所定の位置に基板１４を載置する。この状態で、ヒータ８によって加熱された下型２１が、基板１４を予熱する。
【００３６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、基板１４上の所定の位置に樹脂材料２２を配置する。この状態で、樹脂材料２２は下方から予熱される。ここで、前述した通り、樹脂材料２２は、ワイヤ１６に接触することはない。
【００３７】
次に、図５（Ａ）に示すように、ヒータ２７によって加熱された上型２５を、樹脂材料２２の平板部２３に接近又は接触させて、樹脂材料２２を加熱する。これにより、上下両方向から加熱された樹脂材料２２は、軟化して溶融し始める。この状態では、下型２１と上型２５とは、まだ型締めされていない。そして、樹脂材料２２が軟化・溶融して溶融樹脂が生成されていくに伴い、上型２５を徐々に下降させて、型締めを完了する。これら一連の動作を、下型２１・上型２５間の空間を減圧しながら行う。
【００３８】
そして、図５（Ｂ）に示すように、溶融樹脂１７がキャビティ２６を充填した状態で、引き続き溶融樹脂１７を加熱する。
【００３９】
以下、第１の実施形態の図２（Ｂ）と同様に、溶融樹脂１７を硬化させて成形品１９を形成する。そして、図３（Ａ）と同様に、成形品１９を取り出して収納手段又は次工程に搬送する。
【００４０】
本実施形態の特徴は、キャビティ２６の寸法形状に合わせて、かつ、ワイヤ１６に接触しないようにして打錠された樹脂材料２２を、使用することである。また、基板１４上に載置した樹脂材料２２を、上型２５を平板部２３に接近又は接触させることにより、加熱・溶融させることである。これらのことにより、樹脂材料２２はその溶融前にはワイヤ１６に接触せず、また、樹脂材料２２から生成された溶融樹脂１７が、当該基板１４の主面に垂直な方向、すなわち基板１４から見てキャビティ５の深さ方向を短時間に流動することによって、基板１４に装着されたチップ１５とワイヤ１６とを浸漬する。したがって、第１の実施形態と同様に、ボイド、未充填部、ワイヤ１６の変形等の不良の発生を防止するとともに、短時間で樹脂封止を行うことができる。また、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に硬化樹脂が形成されることがなくなるので、樹脂材料の有効利用が可能になる。加えて、基板１４を下型２１の側に載置することによって、基板１４を吸着する機構が不要になるので、樹脂封止装置の機構が簡素化される。
【００４１】
なお、ここまでの各実施形態においては、樹脂材料４，２２を熱硬化性樹脂から構成されることとした。これに限らず、樹脂材料４，２２を、熱可塑性樹脂から構成されることとしてもよい。この場合には、樹脂材料４，２２を加熱溶融して型締めした後に、金型温度を下げて溶融樹脂を硬化させることになる。
【００４２】
また、減圧ポンプ（図示なし）を設けて、キャビティ５，２６を含む空間を減圧することとした。これに限らず、樹脂材料４，２２に含まれるガスの量や成形品１９に要求される品質等との関係で、減圧ポンプを使用しない構成を採用することも可能である。
【００４３】
また、基板１４とチップ１５との電極同士を電気的に接続するための導電性材料として、ワイヤ１６を使用した。これに限らず、基板１４とチップ１５との電極同士を対向させて電気的に接続する、いわゆるフリップチップの構成に対して本発明を適用することもできる。
【００４４】
また、本発明が適用される基板１４の材質としては、リードフレームのような金属でもよく、通常のプリント基板のような樹脂ベースのものであってもよい。また、金属ベース基板や、セラミック基板に対して、本発明を適用することもできる。
【００４５】
更に、シリコン基板、化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板であってそれらの主面にＣｕ等を使用して再配線した、いわゆるウエーハレベルパッケージ用の基板に対しても、本発明を適用することができる。この場合には、図１の樹脂材料４をキャビティ５の寸法形状に合わせて平板状にして、その厚さをキャビティ５の深さよりも大きくすることが好ましい。また、図５の樹脂材料２３をキャビティ２６の寸法形状に合わせて平板状にして基板１４の主面上に配置し、樹脂材料２３の厚さをキャビティ２６の深さよりも大きくすることが好ましい。これにより、樹脂材料４に基板１４と下型１とを接触させ、また、樹脂材料２３に上型２５と基板１４とを接触させることによって、樹脂材料４，２３を上下両面から加熱して短時間に溶融させることができる。
【００４６】
また、基板としては、半導体基板以外に、例えば、チップコンデンサ等の製造に使用される基板に対しても、本発明を適用することができる。
【００４７】
また、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組合せ・変更・選択して採用できるものである。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止する際に、キャビティに配置された樹脂材料を加熱して溶融樹脂を生成し、その溶融樹脂に電子部品を浸漬することによって、電子部品を樹脂封止する。また、基板と電子部品との電極同士を接続する導電性材料に接触しないようにして基板の主面上に配置された樹脂材料を、加熱して溶融樹脂を生成して、電子部品を樹脂封止する。これにより、基板から見た溶融樹脂は、当該基板の主面に垂直な方向、すなわちキャビティの深さ方向を短時間に流動するにすぎないので、キャビティ内の基板の全領域において均一かつ短時間に流動する。したがって、ボイドや未充填部等の不良の発生を防止することができるとともに、例えば、ワイヤからなる導電性材料に加えられる応力を低減することができる。加えて、樹脂流路が不要になり、樹脂流路に硬化樹脂が形成されることがないので、樹脂材料の有効利用が可能になる。また、基板の大きさに制限されない樹脂封止が可能になる。
したがって、本発明は、不良を低減するとともに、樹脂材料の有効利用を可能にする、樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法を提供することができるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止方法において、キャビティに樹脂材料が配置される状態と、樹脂材料が溶融して溶融樹脂が生成され金型対が型締めする直前の状態とを、それぞれ示す部分断面図である。
【図２】 （Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止方法において、金型対が型締めした状態であって、基板に装着されたチップが溶融樹脂に浸漬された状態と、溶融樹脂が硬化して硬化樹脂が形成された状態とを、それぞれ示す部分断面図である。
【図３】 （Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止方法において、金型対が型開きして成形品が搬出される直前の状態と、金型対が型締めした際の図１（Ａ）の型締め部の状態とを、それぞれ示す部分断面図である。
【図４】 （Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止方法において、基板上に樹脂材料が配置される直前の状態と、基板上に樹脂材料が配置された状態とを、それぞれ示す部分断面図である。
【図５】 （Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止方法において、上型が樹脂材料に接触してこれを加熱している状態と、金型対が型締めしてキャビティに溶融樹脂が生成された状態とを、それぞれ示す部分断面図である。
【符号の説明】
１，２１ 下型
２，２５ 上型
３ 搬送ユニット
４，２２ 樹脂材料
５，２６ キャビティ
６ 樹脂溜まり
７，１３ 気体流路
８，２７ ヒータ
９，２８ 型締め部
１０ 段差
１１ 基板保持部
１２ 吸着用凹部
１４ 基板
１５ チップ
１６ ワイヤ（導電性材料）
１７ 溶融樹脂
１８ 硬化樹脂
１９ 成形品
２０ シール部材
２３ 平板部
２４ エッジ部

Claims (4)

  1. 上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止する樹脂封止方法であって、
    前記上型に前記基板を保持する工程と、
    前記下型に設けられたキャビティに前記樹脂材料を配置する工程と、
    前記金型対が型開きしている状態において前記樹脂材料を加熱して前記キャビティ内において溶融樹脂を生成する工程と、
    前記金型対を型締めし、前記電子部品を前記溶融樹脂に浸漬する工程と、
    前記キャビティ内で前記溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、
    前記金型対を型開きする工程と、
    前記成形品を取り出す工程とを備えるとともに、
    前記樹脂材料は前記キャビティに配置される前に前記キャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする樹脂封止方法。
  2. 上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止する樹脂封止方法であって、
    前記下型に前記基板を載置する工程と、
    前記基板と前記電子部品とが各々有する電極同士を接続する導電性材料に接触しないようにして、前記基板の主面上に前記樹脂材料を配置する工程と、
    前記金型対が型開きしている状態において前記樹脂材料を加熱して前記基板の主面上において溶融樹脂を生成する工程と、
    前記金型対を型締めし、前記電子部品が前記溶融樹脂に浸漬した状態で、前記上型に設けられたキャビティに前記溶融樹脂を充填する工程と、
    前記キャビティ内で前記溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、
    前記金型対を型開きする工程と、
    前記成形品を取り出す工程とを備えるとともに、
    前記樹脂材料は前記キャビティに配置される前に前記キャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする樹脂封止方法。
  3. 上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
    前記上型に前記基板を保持する工程と、
    前記下型に設けられたキャビティに前記樹脂材料を配置する工程と、
    前記金型対が型開きしている状態において前記樹脂材料を加熱して前記キャビティ内において溶融樹脂を生成する工程と、
    前記金型対を型締めし、前記電子部品を前記溶融樹脂に浸漬する工程と、
    前記キャビティ内で前記溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、
    前記金型対を型開きする工程と、
    前記形成された成形品を取り出す工程とを備えるとともに、
    前記樹脂材料は前記キャビティに配置される前に前記キャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 上型及び下型からなる相対向する金型対と樹脂封止用の樹脂材料とを使用して、基板の主面に装着された電子部品を樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
    前記下型に前記基板を載置する工程と、
    前記基板と前記電子部品とが各々有する電極同士を接続する導電性材料に接触しないようにして、前記基板の主面上に前記樹脂材料を配置する工程と、
    前記金型対が型開きしている状態において前記樹脂材料を加熱して前記基板の主面上において溶融樹脂を生成する工程と、
    前記金型対を型締めし、前記電子部品が前記溶融樹脂に浸漬した状態で、前記上型に設けられたキャビティに前記溶融樹脂を充填する工程と、
    前記キャビティ内で前記溶融樹脂を硬化させることにより成形品を形成する工程と、
    前記金型対を型開きする工程と、
    前記形成された成形品を取り出す工程とを備えるとともに、
    前記樹脂材料は前記キャビティに配置される前に前記キャビティの寸法形状に合わせて予め成形されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2002341965A 2002-11-26 2002-11-26 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4519398B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002341965A JP4519398B2 (ja) 2002-11-26 2002-11-26 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法
TW092132279A TWI277500B (en) 2002-11-26 2003-11-18 Method of resin encapsulation, apparatus for resin encapsulation, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device and resin material
KR1020030081356A KR100929054B1 (ko) 2002-11-26 2003-11-18 수지 밀봉 방법, 수지 밀봉 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치 및 수지 재료
US10/719,379 US7056770B2 (en) 2002-11-26 2003-11-20 Method of resin encapsulation, apparatus for resin encapsulation, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device and resin material
DE10355065.8A DE10355065B4 (de) 2002-11-26 2003-11-25 Verfahren zum Vergießen mit Harz sowie Harzmaterial für das Verfahren
CNB2003101199620A CN100373567C (zh) 2002-11-26 2003-11-26 树脂封装方法、半导体器件的制造方法及固形树脂封装结构
CNB2007101422091A CN100536099C (zh) 2002-11-26 2003-11-26 树脂材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002341965A JP4519398B2 (ja) 2002-11-26 2002-11-26 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004179284A JP2004179284A (ja) 2004-06-24
JP4519398B2 true JP4519398B2 (ja) 2010-08-04

Family

ID=32321981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002341965A Expired - Fee Related JP4519398B2 (ja) 2002-11-26 2002-11-26 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7056770B2 (ja)
JP (1) JP4519398B2 (ja)
KR (1) KR100929054B1 (ja)
CN (2) CN100536099C (ja)
DE (1) DE10355065B4 (ja)
TW (1) TWI277500B (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401020B1 (ko) * 2001-03-09 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체칩의 스택킹 구조 및 이를 이용한 반도체패키지
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP2006073586A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
US20060261498A1 (en) * 2005-05-17 2006-11-23 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for encapsulating microelectronic devices
JP4587881B2 (ja) * 2005-06-10 2010-11-24 サンユレック株式会社 樹脂封止装置
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
JP5192646B2 (ja) * 2006-01-16 2013-05-08 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
US7675180B1 (en) 2006-02-17 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer
JP4741383B2 (ja) * 2006-02-17 2011-08-03 富士通セミコンダクター株式会社 電子部品の樹脂封止方法
US7633144B1 (en) * 2006-05-24 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US7833456B2 (en) * 2007-02-23 2010-11-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for compressing an encapsulant adjacent a semiconductor workpiece
US20110233821A1 (en) 2008-09-30 2011-09-29 Towa Corporation Compression resin sealing and molding method for electronic component and apparatus therefor
TWI416674B (zh) * 2008-11-05 2013-11-21 Advanced Semiconductor Eng 封膠模具與封膠方法
WO2011105640A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형장치 및 압축 성형방법
WO2011105639A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형 장치 및 방법
JP5697919B2 (ja) * 2010-07-29 2015-04-08 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
TWI431697B (zh) 2010-11-08 2014-03-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件之製造方法及製造其之封裝模具
JP2013021199A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Apic Yamada Corp 樹脂吸着搬送方法及び樹脂吸着搬送装置並びに樹脂封止方法
US20130037931A1 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Leo M. Higgins, III Semiconductor package with a heat spreader and method of making
US9679783B2 (en) * 2011-08-11 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Molding wafer chamber
JP5969883B2 (ja) * 2012-10-03 2016-08-17 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP5944866B2 (ja) * 2013-06-20 2016-07-05 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置
JP5934156B2 (ja) * 2013-08-20 2016-06-15 Ｔｏｗａ株式会社 基板の搬送供給方法及び基板の搬送供給装置
JP6271193B2 (ja) * 2013-09-11 2018-01-31 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、および樹脂封止用シート状樹脂
JP6430143B2 (ja) * 2014-04-30 2018-11-28 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形方法並びに成形製品の製造方法
JP6444707B2 (ja) * 2014-11-28 2018-12-26 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP6400509B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-03 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の製造方法
JP2017212419A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止品製造方法及び樹脂封止装置
JP6654971B2 (ja) * 2016-06-17 2020-02-26 本田技研工業株式会社 樹脂成形部材の成形方法及び成形システム
DE102016224949B4 (de) * 2016-12-14 2023-08-10 Vitesco Technologies Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung von mechatronischen Baugruppen
US10636765B2 (en) 2017-03-14 2020-04-28 STATS ChipPAC Pte. Ltd. System-in-package with double-sided molding
JP7034700B2 (ja) * 2017-12-21 2022-03-14 Ｔｏｗａ株式会社 搬送装置、樹脂成形装置及び樹脂成形品製造方法
CN108466393B (zh) * 2018-03-22 2019-08-06 上海飞骧电子科技有限公司 一种解决塑封模流问题拓宽晶元宽度的塑封方法
CN112071645B (zh) * 2020-09-10 2022-03-08 闽江学院 一种引线框式电子元器件封装方法
CN113442361A (zh) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 一种提高led显示器拼接效果的封装胶的成模装置
CN113394326A (zh) * 2021-06-29 2021-09-14 顺德职业技术学院 一种防水led进水的封装胶的成模装置
CN113437199A (zh) * 2021-06-29 2021-09-24 顺德职业技术学院 一种提高led显示器视效的封装胶的成模装置
JP2023022859A (ja) 2021-08-04 2023-02-16 アピックヤマダ株式会社 圧縮成形装置及び圧縮成形方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590314A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の樹脂封止成形方法
JPH08111465A (ja) * 1994-10-06 1996-04-30 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH0936152A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002036270A (ja) * 2000-07-21 2002-02-05 Apic Yamada Corp 樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187943A (en) * 1981-05-14 1982-11-18 Nitto Electric Ind Co Ltd Sealing method of semiconductor element
JPH0197622A (ja) * 1987-10-09 1989-04-17 Sintokogio Ltd 樹脂成形品の真空成形装置
JP2505051B2 (ja) 1990-02-01 1996-06-05 三菱電機株式会社 半導体素子用樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法
JPH04179242A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子の封止方法
GB2252746B (en) 1991-01-17 1995-07-12 Towa Corp A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor
JP3059560B2 (ja) * 1991-12-25 2000-07-04 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法およびそれに使用される成形材料
JP2781689B2 (ja) * 1992-01-22 1998-07-30 九州日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2524955B2 (ja) * 1993-04-22 1996-08-14 トーワ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2994171B2 (ja) * 1993-05-11 1999-12-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および封止用部材の製造方法
JPH08330342A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Toshiba Corp 半導体樹脂封止装置
JP3017470B2 (ja) 1997-07-11 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
US5923959A (en) * 1997-07-23 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Ball grid array (BGA) encapsulation mold
US6117382A (en) * 1998-02-05 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Method for encasing array packages
SG92685A1 (en) 1999-03-10 2002-11-19 Towa Corp Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor
JP3897478B2 (ja) * 1999-03-31 2007-03-22 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造装置及びその製造方法
JP3581814B2 (ja) 2000-01-19 2004-10-27 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3619773B2 (ja) * 2000-12-20 2005-02-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6857865B2 (en) * 2002-06-20 2005-02-22 Ultratera Corporation Mold structure for package fabrication

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590314A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の樹脂封止成形方法
JPH08111465A (ja) * 1994-10-06 1996-04-30 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH0936152A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002036270A (ja) * 2000-07-21 2002-02-05 Apic Yamada Corp 樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI277500B (en) 2007-04-01
DE10355065A1 (de) 2004-06-17
CN100536099C (zh) 2009-09-02
US7056770B2 (en) 2006-06-06
KR100929054B1 (ko) 2009-11-30
DE10355065B4 (de) 2015-05-28
CN1503339A (zh) 2004-06-09
TW200420404A (en) 2004-10-16
CN101127313A (zh) 2008-02-20
KR20040047596A (ko) 2004-06-05
CN100373567C (zh) 2008-03-05
JP2004179284A (ja) 2004-06-24
US20040101631A1 (en) 2004-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4519398B2 (ja) 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法
JP4326786B2 (ja) 樹脂封止装置
KR101832597B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
KR102192732B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
JP5817044B2 (ja) 樹脂封止装置および樹脂封止方法
CN107424939B (zh) 压缩成形装置、树脂封装品制造装置、压缩成形方法以及树脂封装品的制造方法
JP6654861B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
CN108688050B (zh) 成型模、树脂成型装置、树脂成型方法及树脂成型品的制造方法
US6630374B2 (en) Resin sealing method and resin sealing apparatus
KR102119992B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
JP3423912B2 (ja) 電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置
US20010013424A1 (en) Electronic component, method of sealing electronic component with resin, and apparatus therefor
TW201818482A (zh) 樹脂封裝裝置及樹脂封裝方法
JP6438794B2 (ja) モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP2004146556A (ja) 樹脂封止方法、樹脂封止装置、及び樹脂シート
TWI710450B (zh) 樹脂成型裝置、脫模膜的剝離方法、樹脂成型品的製造方法
WO2018138915A1 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2005225067A (ja) 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
TWI663039B (zh) 壓縮成型裝置、壓縮成型方法、及壓縮成型品的製造方法
TWI659817B (zh) 壓縮成型裝置、壓縮成型方法、及壓縮成型品的製造方法
JP4058330B2 (ja) 真空吐出成形装置及び真空吐出成形方法
JP6404734B2 (ja) 樹脂成形方法、樹脂成形金型、および成形品の製造方法
JP4583020B2 (ja) 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
JPH01256133A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050927

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080422

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080528

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081219

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090714

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091009

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091210

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100405

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100519

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4519398

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees