JPH0936152A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0936152A JPH0936152A JP18243695A JP18243695A JPH0936152A JP H0936152 A JPH0936152 A JP H0936152A JP 18243695 A JP18243695 A JP 18243695A JP 18243695 A JP18243695 A JP 18243695A JP H0936152 A JPH0936152 A JP H0936152A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ボンディングワイヤの変形及び半導体チップの
変位を小さくする。 【解決手段】まず、半導体チップ１５の能動面側にボン
ディングワイヤ１６が接続された半導体装置を用意し、
ボンディングワイヤ１６の内側における半導体チップ１
５の能動面上に未硬化樹脂からなる樹脂シ−ト２１を配
置し、半導体チップ１５の裏面側に樹脂シ−ト２１より
も大きな体積を有する未硬化樹脂からなる樹脂シ−ト２
０を配置する。この後、樹脂シ−ト２０，２１に熱を加
えると共に、下型１１ａの底面をスライドさせ、樹脂シ
−ト２０に半導体チップ１５方向の圧力を加える。
変位を小さくする。 【解決手段】まず、半導体チップ１５の能動面側にボン
ディングワイヤ１６が接続された半導体装置を用意し、
ボンディングワイヤ１６の内側における半導体チップ１
５の能動面上に未硬化樹脂からなる樹脂シ−ト２１を配
置し、半導体チップ１５の裏面側に樹脂シ−ト２１より
も大きな体積を有する未硬化樹脂からなる樹脂シ−ト２
０を配置する。この後、樹脂シ−ト２０，２１に熱を加
えると共に、下型１１ａの底面をスライドさせ、樹脂シ
−ト２０に半導体チップ１５方向の圧力を加える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８乃至図１１は、従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一例を示している。まず、図８に
示すように、ほぼ同一の形状を有する下型１１ａと上型
１１ｂからなる金型を用意する。下型１１ａのキャビテ
ィ１２ａ内に、このキャビティ１２ａを完全に満たすよ
うな固体の樹脂シ−ト（未硬化樹脂）１３を配置する。
なお、樹脂シ−ト１３の高さＨｍ１は、下型１１ａのキ
ャビティ１２ａの深さＨｃ１とほぼ同じ程度に設定され
ている。
導体装置の製造方法の一例を示している。まず、図８に
示すように、ほぼ同一の形状を有する下型１１ａと上型
１１ｂからなる金型を用意する。下型１１ａのキャビテ
ィ１２ａ内に、このキャビティ１２ａを完全に満たすよ
うな固体の樹脂シ−ト（未硬化樹脂）１３を配置する。
なお、樹脂シ−ト１３の高さＨｍ１は、下型１１ａのキ
ャビティ１２ａの深さＨｃ１とほぼ同じ程度に設定され
ている。
【０００３】また、リ−ドフレ−ム１４と、リ−ドフレ
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
【０００４】この半導体装置の半導体チップ１５上に、
固体の樹脂シ−ト１７（未硬化樹脂）を配置する。この
樹脂シ−ト１７は、図１０に示すように、半導体チップ
１５の電極（パッド）１８の内側に配置される。また、
樹脂シ−ト１７の体積は、樹脂シ−ト１３の体積とほぼ
同じになるように設定されている。従って、樹脂シ−ト
１７の高さＨｍ２は、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの
深さＨｃ２よりも大きくなっている。
固体の樹脂シ−ト１７（未硬化樹脂）を配置する。この
樹脂シ−ト１７は、図１０に示すように、半導体チップ
１５の電極（パッド）１８の内側に配置される。また、
樹脂シ−ト１７の体積は、樹脂シ−ト１３の体積とほぼ
同じになるように設定されている。従って、樹脂シ−ト
１７の高さＨｍ２は、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの
深さＨｃ２よりも大きくなっている。
【０００５】半導体チップ１５の能動面が上型１１ｂ側
を向くように、リ−ドフレ−ム１４を下型１１ａのキャ
ビティ１２ａ上に配置する。次に、図９に示すように、
下型１１ａ及び上型１１ｂを加熱すると共に、例えば下
型１１ａを上型１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを下型
１１ａ側に移動させる。
を向くように、リ−ドフレ−ム１４を下型１１ａのキャ
ビティ１２ａ上に配置する。次に、図９に示すように、
下型１１ａ及び上型１１ｂを加熱すると共に、例えば下
型１１ａを上型１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを下型
１１ａ側に移動させる。
【０００６】この時、樹脂シ−ト１３は、下型１１ａの
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になるが、樹脂シ−ト１７は、厚く、かつ、上型１１ｂ
の一部としか接触しないため、高粘度状態が長く続き、
なかなか低粘度状態にならない。
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になるが、樹脂シ−ト１７は、厚く、かつ、上型１１ｂ
の一部としか接触しないため、高粘度状態が長く続き、
なかなか低粘度状態にならない。
【０００７】また、樹脂シ−ト１７は、上型１１ｂに押
し潰されるため、矢印に示すような高粘度状態の樹脂の
流れが生じ、半導体チップ１５及びボンディングワイヤ
１６は、高粘度状態の樹脂の圧力を直接受ける。従っ
て、半導体チップ１５の位置がずれてしまったり、ボン
ディングワイヤ１６が潰れてボンディングワイヤ同士が
互いに短絡してしまう場合がある。
し潰されるため、矢印に示すような高粘度状態の樹脂の
流れが生じ、半導体チップ１５及びボンディングワイヤ
１６は、高粘度状態の樹脂の圧力を直接受ける。従っ
て、半導体チップ１５の位置がずれてしまったり、ボン
ディングワイヤ１６が潰れてボンディングワイヤ同士が
互いに短絡してしまう場合がある。
【０００８】次に、図１１に示すように、下型１１ａと
上型１１ｂを合わせ、一定時間が経過すると、樹脂が硬
化し、樹脂封止型半導体装置が完成する。図１２及び図
１３は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の他の
一例を示している。
上型１１ｂを合わせ、一定時間が経過すると、樹脂が硬
化し、樹脂封止型半導体装置が完成する。図１２及び図
１３は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の他の
一例を示している。
【０００９】まず、図１２に示すように、ほぼ同一の形
状を有する下型１１ａと上型１１ｂからなる金型を用意
する。下型１１ａのキャビティ１２ａ内に、このキャビ
ティ１２ａを完全に満たすような固体の樹脂シ−ト（未
硬化樹脂）１３を配置する。なお、樹脂シ−ト１３の高
さＨｍ１は、下型１１ａのキャビティ１２ａの深さＨｃ
１とほぼ同じ程度に設定されている。
状を有する下型１１ａと上型１１ｂからなる金型を用意
する。下型１１ａのキャビティ１２ａ内に、このキャビ
ティ１２ａを完全に満たすような固体の樹脂シ−ト（未
硬化樹脂）１３を配置する。なお、樹脂シ−ト１３の高
さＨｍ１は、下型１１ａのキャビティ１２ａの深さＨｃ
１とほぼ同じ程度に設定されている。
【００１０】また、リ−ドフレ−ム１４と、リ−ドフレ
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
【００１１】この半導体装置のダイパッド１４ａ上に、
樹脂シ−ト１３とほぼ同じ形状を有する固体の樹脂シ−
ト（未硬化樹脂）１９を配置する。樹脂シ−ト１９の体
積は、樹脂シ−ト１３の体積とほぼ同じになるように設
定されている。
樹脂シ−ト１３とほぼ同じ形状を有する固体の樹脂シ−
ト（未硬化樹脂）１９を配置する。樹脂シ−ト１９の体
積は、樹脂シ−ト１３の体積とほぼ同じになるように設
定されている。
【００１２】半導体チップ１５の能動面が下型１１ａ側
を向くように、リ−ドフレ−ム１４を下型１１ａのキャ
ビティ１２ａ上に配置する。次に、図１３に示すよう
に、下型１１ａ及び上型１１ｂを加熱すると共に、例え
ば下型１１ａを上型１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを
下型１１ａ側に移動させる。
を向くように、リ−ドフレ−ム１４を下型１１ａのキャ
ビティ１２ａ上に配置する。次に、図１３に示すよう
に、下型１１ａ及び上型１１ｂを加熱すると共に、例え
ば下型１１ａを上型１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを
下型１１ａ側に移動させる。
【００１３】この時、樹脂シ−ト１３は、下型１１ａの
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になる。しかし、半導体装置は、上型１１ｂにより樹脂
シ−ト１３に押し付けられるため、矢印に示すような樹
脂の流れが生じ、半導体チップ１５及びボンディングワ
イヤ１６は、樹脂の圧力を直接受ける。従って、半導体
チップ１５の位置がずれてしまったり、ボンディングワ
イヤ１６が潰れてボンディングワイヤ同士が互いに短絡
してしまう場合がある。この後、下型１１ａと上型１１
ｂを合わせ、一定時間が経過すると、樹脂が硬化し、樹
脂封止型半導体装置が完成する。
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になる。しかし、半導体装置は、上型１１ｂにより樹脂
シ−ト１３に押し付けられるため、矢印に示すような樹
脂の流れが生じ、半導体チップ１５及びボンディングワ
イヤ１６は、樹脂の圧力を直接受ける。従って、半導体
チップ１５の位置がずれてしまったり、ボンディングワ
イヤ１６が潰れてボンディングワイヤ同士が互いに短絡
してしまう場合がある。この後、下型１１ａと上型１１
ｂを合わせ、一定時間が経過すると、樹脂が硬化し、樹
脂封止型半導体装置が完成する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記２つの製造方法の
いずれの場合においても、第一に、ボンディングワイヤ
１６を変形させるような樹脂の流れが生じ、ディングワ
イヤ１６同士が互いに短絡してしまう欠点がある。
いずれの場合においても、第一に、ボンディングワイヤ
１６を変形させるような樹脂の流れが生じ、ディングワ
イヤ１６同士が互いに短絡してしまう欠点がある。
【００１５】また、第二に、樹脂封止の際に、上型側の
樹脂シ−ト１７，１９の粘度と下型側の樹脂シ−ト１３
の粘度を同じにすることが非常に困難である。なぜな
ら、上型側の樹脂シ−ト１７，１９が上型に接触する時
点は、常に、下型側の樹脂シ−ト１３が下型に接触する
時点よりも遅くなるからである。従って、半導体チップ
１５の位置が上下に変動する場合がある。
樹脂シ−ト１７，１９の粘度と下型側の樹脂シ−ト１３
の粘度を同じにすることが非常に困難である。なぜな
ら、上型側の樹脂シ−ト１７，１９が上型に接触する時
点は、常に、下型側の樹脂シ−ト１３が下型に接触する
時点よりも遅くなるからである。従って、半導体チップ
１５の位置が上下に変動する場合がある。
【００１６】なお、この半導体チップの変動は、上型側
に配置される樹脂シ−ト１７，１９の体積と下型側に配
置される樹脂シ−ト１３の体積が近くなるほど顕著にな
り、特に薄型パッケ−ジの場合には、半導体チップ１５
が樹脂から露出してしまうような場合もある。
に配置される樹脂シ−ト１７，１９の体積と下型側に配
置される樹脂シ−ト１３の体積が近くなるほど顕著にな
り、特に薄型パッケ−ジの場合には、半導体チップ１５
が樹脂から露出してしまうような場合もある。
【００１７】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、ボンディングワイヤの変形及び半
導体チップの変位を小さくできる樹脂封止型半導体装置
の製造方法を提供することである。
もので、その目的は、ボンディングワイヤの変形及び半
導体チップの変位を小さくできる樹脂封止型半導体装置
の製造方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導
体チップの能動面側にボンディングワイヤが接続された
半導体装置を用意し、前記ボンディングワイヤの内側に
おける前記半導体チップの能動面上に未硬化樹脂からな
る第一樹脂シ−トを配置し、前記半導体チップの裏面側
に前記第一樹脂シ−トよりも大きな体積を有する未硬化
樹脂からなる第二樹脂シ−トを配置し、前記第一及び第
二樹脂シ−トに熱を加えると共に少なくとも前記第二樹
脂シ−トに前記半導体チップ方向の圧力を加えて前記半
導体装置の樹脂封止を行う、という一連の構成からな
る。
め、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導
体チップの能動面側にボンディングワイヤが接続された
半導体装置を用意し、前記ボンディングワイヤの内側に
おける前記半導体チップの能動面上に未硬化樹脂からな
る第一樹脂シ−トを配置し、前記半導体チップの裏面側
に前記第一樹脂シ−トよりも大きな体積を有する未硬化
樹脂からなる第二樹脂シ−トを配置し、前記第一及び第
二樹脂シ−トに熱を加えると共に少なくとも前記第二樹
脂シ−トに前記半導体チップ方向の圧力を加えて前記半
導体装置の樹脂封止を行う、という一連の構成からな
る。
【００１９】前記第二樹脂シ−トは、底面の位置が可変
の箱型の下型内に配置され、前記半導体チップの能動面
上には、箱型の上型が配置され、前記下型の底面の位置
を前記半導体チップ側に移動させることにより、前記第
二樹脂シ−トに前記半導体チップ方向の圧力を加える。
の箱型の下型内に配置され、前記半導体チップの能動面
上には、箱型の上型が配置され、前記下型の底面の位置
を前記半導体チップ側に移動させることにより、前記第
二樹脂シ−トに前記半導体チップ方向の圧力を加える。
【００２０】前記第一樹脂シ−トは、前記上型から熱を
受けて硬化し、前記半導体チップの能動面上のみを封止
し、前記第二樹脂シ−トは、前記下型から熱を受けて硬
化し、前記半導体チップの能動面上以外の部分を封止す
る。
受けて硬化し、前記半導体チップの能動面上のみを封止
し、前記第二樹脂シ−トは、前記下型から熱を受けて硬
化し、前記半導体チップの能動面上以外の部分を封止す
る。
【００２１】前記下型は、前記第二樹脂シ−トが配置さ
れる前から加熱されており、樹脂封止を行う際に、前記
第二樹脂シ−トの粘度は、前記第一の樹脂シ−トの粘度
よりも低くなっている。
れる前から加熱されており、樹脂封止を行う際に、前記
第二樹脂シ−トの粘度は、前記第一の樹脂シ−トの粘度
よりも低くなっている。
【００２２】前記第一樹脂シ−トの高さは、樹脂封止後
の前記半導体チップの能動面上の樹脂厚の１〜１．５倍
の範囲に設定されている。上記製造方法によれば、ボン
ディングワイヤの内側における半導体チップの能動面上
に第一樹脂シ−トが配置され、半導体チップの裏面側に
第一樹脂シ−トよりも大きな体積を有する第二樹脂シ−
トが配置され、樹脂封止の際には、少なくとも第二樹脂
シ−トに半導体チップ方向の圧力を加えている。
の前記半導体チップの能動面上の樹脂厚の１〜１．５倍
の範囲に設定されている。上記製造方法によれば、ボン
ディングワイヤの内側における半導体チップの能動面上
に第一樹脂シ−トが配置され、半導体チップの裏面側に
第一樹脂シ−トよりも大きな体積を有する第二樹脂シ−
トが配置され、樹脂封止の際には、少なくとも第二樹脂
シ−トに半導体チップ方向の圧力を加えている。
【００２３】即ち、第二樹脂シ−トは、ボンディングワ
イヤを持ち上げる（たわまないようにする）方向へ流れ
ると共に、半導体チップの周囲の大部分を封止すること
になる。
イヤを持ち上げる（たわまないようにする）方向へ流れ
ると共に、半導体チップの周囲の大部分を封止すること
になる。
【００２４】従って、樹脂封止の際に、ボンディングワ
イヤの変形及び半導体チップの変位が小さくなるため、
歩留りが向上し、低コスト及び高信頼性の樹脂封止型半
導体装置を提供できる。
イヤの変形及び半導体チップの変位が小さくなるため、
歩留りが向上し、低コスト及び高信頼性の樹脂封止型半
導体装置を提供できる。
【００２５】また、第二樹脂シ−トを箱型の下型内に配
置し、下型の底面の位置を半導体チップ側に移動させれ
ば、確実に、第二樹脂シ−トに半導体チップ方向の圧力
を加えることができ、樹脂封止時におけるボンディング
ワイヤのつぶれを防止することができる。
置し、下型の底面の位置を半導体チップ側に移動させれ
ば、確実に、第二樹脂シ−トに半導体チップ方向の圧力
を加えることができ、樹脂封止時におけるボンディング
ワイヤのつぶれを防止することができる。
【００２６】また、上型から第一樹脂シ−トに熱を与
え、第一樹脂シ−トにより半導体チップの能動面上のみ
を封止し、下型から第二樹脂シ−トに熱を与え、第二樹
脂シ−トにより半導体チップの能動面上以外の部分を封
止するようにすれば、ボンディングワイヤをつぶす方向
の樹脂の流れが生じることがない。
え、第一樹脂シ−トにより半導体チップの能動面上のみ
を封止し、下型から第二樹脂シ−トに熱を与え、第二樹
脂シ−トにより半導体チップの能動面上以外の部分を封
止するようにすれば、ボンディングワイヤをつぶす方向
の樹脂の流れが生じることがない。
【００２７】また、第二樹脂シ−トが配置される前から
下型を加熱しておけば、樹脂封止を行う際に、第二樹脂
シ−トの粘度は、第一の樹脂シ−トの粘度よりも低くな
っている。このため、第二樹脂シ−トは、ボンディング
ワイヤを変形させずに、スム−ズに半導体チップの周囲
に移動し、硬化する。
下型を加熱しておけば、樹脂封止を行う際に、第二樹脂
シ−トの粘度は、第一の樹脂シ−トの粘度よりも低くな
っている。このため、第二樹脂シ−トは、ボンディング
ワイヤを変形させずに、スム−ズに半導体チップの周囲
に移動し、硬化する。
【００２８】また、第一樹脂シ−トの高さを樹脂封止後
の半導体チップの能動面上の樹脂厚の１〜１．５倍の範
囲に設定すれば、第一の樹脂シ−トは、半導体チップの
能動面上のみを封止するようになる。
の半導体チップの能動面上の樹脂厚の１〜１．５倍の範
囲に設定すれば、第一の樹脂シ−トは、半導体チップの
能動面上のみを封止するようになる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の樹脂封止型半導体装置の製造方法について詳細に説
明する。図１乃至図４は、本発明の第１実施例に関わる
樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示すもので
ある。
明の樹脂封止型半導体装置の製造方法について詳細に説
明する。図１乃至図４は、本発明の第１実施例に関わる
樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示すもので
ある。
【００３０】まず、図１に示すように、下型１１ａと上
型１１ｂからなる金型を用意する。上型１１ｂは、キャ
ビティ１２ｂの上面が固定されているが、下型１１ａ
は、キャビティ１２ａの底面が移動するように構成され
ている。即ち、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの深さＨ
ｃ２は固定されているが、下型１１ａのキャビティ１２
ａの深さＨｃ１は変化させることができる。
型１１ｂからなる金型を用意する。上型１１ｂは、キャ
ビティ１２ｂの上面が固定されているが、下型１１ａ
は、キャビティ１２ａの底面が移動するように構成され
ている。即ち、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの深さＨ
ｃ２は固定されているが、下型１１ａのキャビティ１２
ａの深さＨｃ１は変化させることができる。
【００３１】なお、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの深
さＨｃ２は、樹脂封止型半導体装置の半導体チップの能
動面側の樹脂厚と等しくなる。また、下型１１ａのキャ
ビティ１２ａの深さＨｃ１は、樹脂封止型半導体装置の
半導体チップの裏面側の樹脂厚よりも大きくなるように
設定されている。
さＨｃ２は、樹脂封止型半導体装置の半導体チップの能
動面側の樹脂厚と等しくなる。また、下型１１ａのキャ
ビティ１２ａの深さＨｃ１は、樹脂封止型半導体装置の
半導体チップの裏面側の樹脂厚よりも大きくなるように
設定されている。
【００３２】下型１１ａのキャビティ１２ａ内に、この
キャビティ１２ａを完全に満たすような固体の樹脂シ−
ト（未硬化樹脂）２０を配置する。なお、樹脂シ−ト２
０の高さ（厚さ）Ｈｍ１は、下型１１ａのキャビティ１
２ａの深さＨｃ１とほぼ同じ程度に設定されている。
キャビティ１２ａを完全に満たすような固体の樹脂シ−
ト（未硬化樹脂）２０を配置する。なお、樹脂シ−ト２
０の高さ（厚さ）Ｈｍ１は、下型１１ａのキャビティ１
２ａの深さＨｃ１とほぼ同じ程度に設定されている。
【００３３】また、リ−ドフレ−ム１４と、リ−ドフレ
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
【００３４】この半導体装置の半導体チップ１５上に、
固体の樹脂シ−ト（未硬化樹脂）２１を配置する。この
樹脂シ−ト２１は、図３に示すように、半導体チップ１
５の電極（パッド）１８の内側に配置される。また、樹
脂シ−ト２１の高さ（厚さ）Ｈｍ２は、樹脂封止後の半
導体装置の半導体チップ上の樹脂厚（半導体チップの能
動面から樹脂の表面まで）と同じか、又はその樹脂厚の
１．５倍程度までに設定されている。
固体の樹脂シ−ト（未硬化樹脂）２１を配置する。この
樹脂シ−ト２１は、図３に示すように、半導体チップ１
５の電極（パッド）１８の内側に配置される。また、樹
脂シ−ト２１の高さ（厚さ）Ｈｍ２は、樹脂封止後の半
導体装置の半導体チップ上の樹脂厚（半導体チップの能
動面から樹脂の表面まで）と同じか、又はその樹脂厚の
１．５倍程度までに設定されている。
【００３５】従って、樹脂シ−ト２１の体積は、樹脂シ
−ト２０の体積よりも小さくなっている。つまり、樹脂
シ−ト２１は、半導体チップ１５上を封止する程度の量
だけ存在すれば足りる。
−ト２０の体積よりも小さくなっている。つまり、樹脂
シ−ト２１は、半導体チップ１５上を封止する程度の量
だけ存在すれば足りる。
【００３６】半導体チップ１５の能動面が上型１１ｂ側
を向くように、リ−ドフレ−ム１４を下型１１ａのキャ
ビティ１２ａ上に配置する。次に、図２に示すように、
下型１１ａ及び上型１１ｂを加熱すると共に、例えば下
型１１ａを上型１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを下型
１１ａ側に移動させる。
を向くように、リ−ドフレ−ム１４を下型１１ａのキャ
ビティ１２ａ上に配置する。次に、図２に示すように、
下型１１ａ及び上型１１ｂを加熱すると共に、例えば下
型１１ａを上型１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを下型
１１ａ側に移動させる。
【００３７】この時、樹脂シ−ト２０は、下型１１ａの
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になる。また、樹脂シ−ト２１は、高さ（厚さ）Ｈｍ２
が十分に小さいため、上型１１ｂと接触することによ
り、直ちに溶融して低粘度状態になる。
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になる。また、樹脂シ−ト２１は、高さ（厚さ）Ｈｍ２
が十分に小さいため、上型１１ｂと接触することによ
り、直ちに溶融して低粘度状態になる。
【００３８】次に、図４に示すように、下型１１ａの底
面を半導体チップ側にスライドさせ、キャビティ１２ａ
の深さＨｃ１を次第に小さくし、最終的に、キャビティ
１２ａの深さＨｃ１を樹脂封止型半導体装置の半導体チ
ップの裏面側の樹脂厚に等しくする。
面を半導体チップ側にスライドさせ、キャビティ１２ａ
の深さＨｃ１を次第に小さくし、最終的に、キャビティ
１２ａの深さＨｃ１を樹脂封止型半導体装置の半導体チ
ップの裏面側の樹脂厚に等しくする。
【００３９】この時、矢印に示すように、半導体チップ
の裏面側から能動面側への樹脂の流れが生じ、ボンディ
ングワイヤ１６は、この樹脂の圧力を直接受ける。しか
し、この樹脂の流れは、ボンイングワイヤ１６を押し上
げる方向に働くので、ボンディングワイヤ１６が潰れて
ボンディングワイヤ同士が互いに短絡してしまうような
事態は生じない。
の裏面側から能動面側への樹脂の流れが生じ、ボンディ
ングワイヤ１６は、この樹脂の圧力を直接受ける。しか
し、この樹脂の流れは、ボンイングワイヤ１６を押し上
げる方向に働くので、ボンディングワイヤ１６が潰れて
ボンディングワイヤ同士が互いに短絡してしまうような
事態は生じない。
【００４０】また、キャビティ１２ａ，１２ｂ内を樹脂
で満たす際、樹脂シ−ト２０から供給される樹脂の粘度
と樹脂シ−ト２１から供給される樹脂の粘度は、互いに
ほぼ等しく設定できるため、半導体チップ１５の位置が
ずれてしまうような事態も生じない。
で満たす際、樹脂シ−ト２０から供給される樹脂の粘度
と樹脂シ−ト２１から供給される樹脂の粘度は、互いに
ほぼ等しく設定できるため、半導体チップ１５の位置が
ずれてしまうような事態も生じない。
【００４１】この後、下型１１ａと上型１１ｂを合わ
せ、一定時間が経過すると、樹脂が硬化し、樹脂封止型
半導体装置が完成する。上述のような製造方法によれ
ば、半導体チップ１５上に搭載される樹脂シ−ト２１
は、半導体チップ１５上を封止するのに最低限必要な量
だけ存在している。つまり、樹脂シ−ト２１の体積は、
半導体チップ１５の裏面側の樹脂シ−ト２０の体積より
も十分に小さく設定されている。
せ、一定時間が経過すると、樹脂が硬化し、樹脂封止型
半導体装置が完成する。上述のような製造方法によれ
ば、半導体チップ１５上に搭載される樹脂シ−ト２１
は、半導体チップ１５上を封止するのに最低限必要な量
だけ存在している。つまり、樹脂シ−ト２１の体積は、
半導体チップ１５の裏面側の樹脂シ−ト２０の体積より
も十分に小さく設定されている。
【００４２】従って、樹脂封止の際に、樹脂の流れは、
常に半導体チップ１５の裏面側から表面側に向かう方向
に生じるので、ボンディングワイヤ１６は、樹脂により
押し潰されることがない。従って、ボンディングワイヤ
同士の短絡も、発生しなくなる。
常に半導体チップ１５の裏面側から表面側に向かう方向
に生じるので、ボンディングワイヤ１６は、樹脂により
押し潰されることがない。従って、ボンディングワイヤ
同士の短絡も、発生しなくなる。
【００４３】また、樹脂シ−ト２１の体積は小さいた
め、樹脂封止時に、樹脂シ−ト２０，２１の粘度をほぼ
等しくすることができる。従って、半導体チップ１５の
位置が移動することもなくなり、薄型のパッケ−ジにも
対応できる。
め、樹脂封止時に、樹脂シ−ト２０，２１の粘度をほぼ
等しくすることができる。従って、半導体チップ１５の
位置が移動することもなくなり、薄型のパッケ−ジにも
対応できる。
【００４４】なお、上述の実施例では、樹脂シ−ト２
０，２１が同じ材料から構成されていることを前提とし
ているが、樹脂シ−ト２０，２１は、互いに異なる材料
から構成され、温度と粘度の関係が互いに異なっていて
もよい。但し、この場合も、樹脂封止時には、２つの樹
脂シ−トからの樹脂の粘度がほぼ等しくなるように設定
される。
０，２１が同じ材料から構成されていることを前提とし
ているが、樹脂シ−ト２０，２１は、互いに異なる材料
から構成され、温度と粘度の関係が互いに異なっていて
もよい。但し、この場合も、樹脂封止時には、２つの樹
脂シ−トからの樹脂の粘度がほぼ等しくなるように設定
される。
【００４５】図５乃至図７は、本発明の第２実施例に関
わる樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示すも
のである。まず、図１に示すように、下型１１ａと上型
１１ｂからなる金型を用意する。下型１１ａは、キャビ
ティ１２ａの底面が固定されているが、上型１１ｂは、
キャビティ１２ｂの上面が移動するように構成されてい
る。即ち、下型１１ａのキャビティ１２ａの深さＨｃ１
は固定されているが、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの
深さＨｃ２は変化させることができる。
わる樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示すも
のである。まず、図１に示すように、下型１１ａと上型
１１ｂからなる金型を用意する。下型１１ａは、キャビ
ティ１２ａの底面が固定されているが、上型１１ｂは、
キャビティ１２ｂの上面が移動するように構成されてい
る。即ち、下型１１ａのキャビティ１２ａの深さＨｃ１
は固定されているが、上型１１ｂのキャビティ１２ｂの
深さＨｃ２は変化させることができる。
【００４６】なお、下型１１ａのキャビティ１２ａの深
さＨｃ１は、樹脂封止型半導体装置の半導体チップの能
動面側の樹脂厚と等しくなる。また、上型１１ｂのキャ
ビティ１２ｂの深さＨｃ２は、樹脂封止型半導体装置の
半導体チップの裏面側の樹脂厚よりも大きくなるように
設定されている。
さＨｃ１は、樹脂封止型半導体装置の半導体チップの能
動面側の樹脂厚と等しくなる。また、上型１１ｂのキャ
ビティ１２ｂの深さＨｃ２は、樹脂封止型半導体装置の
半導体チップの裏面側の樹脂厚よりも大きくなるように
設定されている。
【００４７】リ−ドフレ−ムのダイパッド１４ａの裏面
上に固体の樹脂シ−ト（未硬化樹脂）２２を配置する。
なお、樹脂シ−ト２２の高さ（厚さ）Ｈｍ２は、上型１
１ｂのキャビティ１２ｂの深さＨｃ２とほぼ同じ程度に
設定されている。
上に固体の樹脂シ−ト（未硬化樹脂）２２を配置する。
なお、樹脂シ−ト２２の高さ（厚さ）Ｈｍ２は、上型１
１ｂのキャビティ１２ｂの深さＨｃ２とほぼ同じ程度に
設定されている。
【００４８】また、リ−ドフレ−ム１４と、リ−ドフレ
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
−ム１４のダイパッド１４ａ上に搭載される半導体チッ
プ１５と、リ−ドフレ−ム１４のインナ−リ−ド１４ｂ
と半導体チップ１５の電極を接続するボンディングワイ
ヤ１６とから構成される半導体装置を用意する。
【００４９】また、下型１１ａの底面上に固体の樹脂シ
−ト（未硬化樹脂）２３を配置する。半導体チップ１５
の能動面が下型１１ａ側を向くように、リ−ドフレ−ム
１４を下型１１ａのキャビティ１２ａ上に配置する。
−ト（未硬化樹脂）２３を配置する。半導体チップ１５
の能動面が下型１１ａ側を向くように、リ−ドフレ−ム
１４を下型１１ａのキャビティ１２ａ上に配置する。
【００５０】この時、固体の樹脂シ−ト２３は、下型１
１ａと半導体チップ１５の能動面との間に配置される。
樹脂シ−ト２３の高さ（厚さ）Ｈｍ１は、樹脂封止後の
半導体装置の半導体チップ上の樹脂厚（半導体チップの
能動面から樹脂の表面まで）と同じか、又はその前後の
厚さに設定されている。
１ａと半導体チップ１５の能動面との間に配置される。
樹脂シ−ト２３の高さ（厚さ）Ｈｍ１は、樹脂封止後の
半導体装置の半導体チップ上の樹脂厚（半導体チップの
能動面から樹脂の表面まで）と同じか、又はその前後の
厚さに設定されている。
【００５１】従って、樹脂シ−ト２１の体積は、樹脂シ
−ト２０の体積よりも小さくなっている。つまり、樹脂
シ−ト２１は、半導体チップ１５上を封止する程度の量
だけ存在すれば足りる。
−ト２０の体積よりも小さくなっている。つまり、樹脂
シ−ト２１は、半導体チップ１５上を封止する程度の量
だけ存在すれば足りる。
【００５２】次に、図６に示すように、下型１１ａ及び
上型１１ｂを加熱すると共に、例えば下型１１ａを上型
１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを下型１１ａ側に移動
させる。
上型１１ｂを加熱すると共に、例えば下型１１ａを上型
１１ｂ側に移動させ、上型１１ｂを下型１１ａ側に移動
させる。
【００５３】この時、樹脂シ−ト２３は、下型１１ａの
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になる。また、樹脂シ−ト２２は、高粘度状態である。
次に、図７に示すように、上型１１ｂの上面を半導体チ
ップ側にスライドさせ、キャビティ１２ｂの深さＨｃ２
を次第に小さくし、最終的に、キャビティ１２ｂの深さ
Ｈｃ２を樹脂封止型半導体装置の半導体チップの裏面側
の樹脂厚に等しくする。
全体から熱を受け取るため、直ちに溶融して低粘度状態
になる。また、樹脂シ−ト２２は、高粘度状態である。
次に、図７に示すように、上型１１ｂの上面を半導体チ
ップ側にスライドさせ、キャビティ１２ｂの深さＨｃ２
を次第に小さくし、最終的に、キャビティ１２ｂの深さ
Ｈｃ２を樹脂封止型半導体装置の半導体チップの裏面側
の樹脂厚に等しくする。
【００５４】この時、矢印に示すように、半導体チップ
の裏面側から能動面側への樹脂の流れが生じ、ボンディ
ングワイヤ１６は、この樹脂の圧力を直接受ける。しか
し、この樹脂の流れは、ボンイングワイヤ１６を押し上
げる方向に働くので、ボンディングワイヤ１６が潰れて
ボンディングワイヤ同士が互いに短絡してしまうような
事態は生じない。
の裏面側から能動面側への樹脂の流れが生じ、ボンディ
ングワイヤ１６は、この樹脂の圧力を直接受ける。しか
し、この樹脂の流れは、ボンイングワイヤ１６を押し上
げる方向に働くので、ボンディングワイヤ１６が潰れて
ボンディングワイヤ同士が互いに短絡してしまうような
事態は生じない。
【００５５】この後、下型１１ａと上型１１ｂを合わ
せ、一定時間が経過すると、樹脂が硬化し、樹脂封止型
半導体装置が完成する。上述のような製造方法によれ
ば、半導体チップ１５上に搭載される樹脂シ−ト２１
は、半導体チップ１５上を封止するのに最低限必要な量
だけ存在している。つまり、樹脂シ−ト２１の体積は、
半導体チップ１５の裏面側の樹脂シ−ト２０の体積より
も十分に小さく設定されている。
せ、一定時間が経過すると、樹脂が硬化し、樹脂封止型
半導体装置が完成する。上述のような製造方法によれ
ば、半導体チップ１５上に搭載される樹脂シ−ト２１
は、半導体チップ１５上を封止するのに最低限必要な量
だけ存在している。つまり、樹脂シ−ト２１の体積は、
半導体チップ１５の裏面側の樹脂シ−ト２０の体積より
も十分に小さく設定されている。
【００５６】従って、樹脂封止の際に、樹脂の流れは、
常に半導体チップ１５の裏面側から表面側に向かう方向
に生じるので、ボンディングワイヤ１６は、樹脂により
押し潰されることがない。従って、ボンディングワイヤ
同士の短絡も、発生しなくなる。
常に半導体チップ１５の裏面側から表面側に向かう方向
に生じるので、ボンディングワイヤ１６は、樹脂により
押し潰されることがない。従って、ボンディングワイヤ
同士の短絡も、発生しなくなる。
【００５７】なお、上述の実施例では、樹脂シ−ト２
０，２１が同じ材料から構成されていることを前提とし
ているが、樹脂シ−ト２０，２１は、互いに異なる材料
から構成され、温度と粘度の関係が互いに異なっていて
もよい。
０，２１が同じ材料から構成されていることを前提とし
ているが、樹脂シ−ト２０，２１は、互いに異なる材料
から構成され、温度と粘度の関係が互いに異なっていて
もよい。
【００５８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の樹脂封
止型半導体装置の製造方法によれば、次のような効果を
奏する。半導体チップ１５の能動面上の樹脂シ−ト２１
は、半導体チップ１５の裏面側の樹脂シ−ト２０よりも
小さな体積を有しており、かつ、樹脂封止の際には、樹
脂シ−ト２０に半導体チップ方向の圧力が加えられてい
る。
止型半導体装置の製造方法によれば、次のような効果を
奏する。半導体チップ１５の能動面上の樹脂シ−ト２１
は、半導体チップ１５の裏面側の樹脂シ−ト２０よりも
小さな体積を有しており、かつ、樹脂封止の際には、樹
脂シ−ト２０に半導体チップ方向の圧力が加えられてい
る。
【００５９】このため、樹脂シ−ト２０は、ボンディン
グワイヤを持ち上げる（たわまないようにする）方向へ
流れると共に、半導体チップ１５の周囲の大部分を封止
することになる。
グワイヤを持ち上げる（たわまないようにする）方向へ
流れると共に、半導体チップ１５の周囲の大部分を封止
することになる。
【００６０】従って、樹脂封止の際に、ボンディングワ
イヤ１６の変形及び半導体チップ１５の変位が小さくな
るため、歩留りが向上し、低コスト及び高信頼性の樹脂
封止型半導体装置を提供できる。
イヤ１６の変形及び半導体チップ１５の変位が小さくな
るため、歩留りが向上し、低コスト及び高信頼性の樹脂
封止型半導体装置を提供できる。
【００６１】また、樹脂シ−ト２０は、下型１１ａ内に
配置され、下型１１ａの底面の位置を半導体チップ１５
側に移動させているので、確実に、樹脂シ−ト２０に半
導体チップ方向の圧力を加えることができ、樹脂封止時
におけるボンディングワイヤ１６のつぶれを防止するこ
とができる。
配置され、下型１１ａの底面の位置を半導体チップ１５
側に移動させているので、確実に、樹脂シ−ト２０に半
導体チップ方向の圧力を加えることができ、樹脂封止時
におけるボンディングワイヤ１６のつぶれを防止するこ
とができる。
【００６２】また、樹脂シ−ト２１により半導体チップ
１５の能動面上のみを封止し、樹脂シ−ト２０により半
導体チップ１５の能動面上以外の部分を封止するように
しているので、ボンディングワイヤ１６をつぶす方向の
樹脂の流れが生じることがない。
１５の能動面上のみを封止し、樹脂シ−ト２０により半
導体チップ１５の能動面上以外の部分を封止するように
しているので、ボンディングワイヤ１６をつぶす方向の
樹脂の流れが生じることがない。
【００６３】また、樹脂シ−ト２０が配置される前から
下型１１ａを加熱しておけば、樹脂封止を行う際に、樹
脂シ−ト２０の粘度は、樹脂シ−ト２１の粘度よりも高
くなる。このため、樹脂シ−ト２０は、ボンディングワ
イヤ１６を変形させずに、スム−ズに半導体チップ１５
の周囲を封止する。
下型１１ａを加熱しておけば、樹脂封止を行う際に、樹
脂シ−ト２０の粘度は、樹脂シ−ト２１の粘度よりも高
くなる。このため、樹脂シ−ト２０は、ボンディングワ
イヤ１６を変形させずに、スム−ズに半導体チップ１５
の周囲を封止する。
【００６４】また、樹脂シ−ト２１，２３の高さを樹脂
封止後の半導体チップ１５の能動面上の樹脂厚の１〜
１．５倍の範囲に設定すれば、樹脂シ−ト２１，２３
は、半導体チップ１５の能動面上のみを封止するように
なる。
封止後の半導体チップ１５の能動面上の樹脂厚の１〜
１．５倍の範囲に設定すれば、樹脂シ−ト２１，２３
は、半導体チップ１５の能動面上のみを封止するように
なる。
【図１】本発明の第１実施例に係わる製造方法の一工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本発明の第１実施例に係わる製造方法の一工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】本発明の第１実施例に係わる製造方法の一工程
を示す平面図。
を示す平面図。
【図４】本発明の第１実施例に係わる製造方法の一工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】本発明の第２実施例に係わる製造方法の一工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図６】本発明の第２実施例に係わる製造方法の一工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図７】本発明の第２実施例に係わる製造方法の一工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図８】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図９】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１０】従来の製造方法の一工程を示す平面図。
【図１１】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１２】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１３】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
１１ａ …下型、 １１ｂ …上型、 １２ａ，１２ｂ …キャビティ、 １３，１７、１９〜２３ …樹脂シ−ト（未硬化樹
脂）、 １４ …リ−ドフレ−ム、 １４ａ …ダイパッド、 １４ｂ …インナ−リ−ド、 １５ …半導体チップ、 １６ …ボンディングワイヤ、 １８ …パッド（電極）。
脂）、 １４ …リ−ドフレ−ム、 １４ａ …ダイパッド、 １４ｂ …インナ−リ−ド、 １５ …半導体チップ、 １６ …ボンディングワイヤ、 １８ …パッド（電極）。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップの能動面側にボンディング
ワイヤが接続された半導体装置を用意し、前記ボンディ
ングワイヤの内側における前記半導体チップの能動面上
に未硬化樹脂からなる第一樹脂シ−トを配置し、前記半
導体チップの裏面側に前記第一樹脂シ−トよりも大きな
体積を有する未硬化樹脂からなる第二樹脂シ−トを配置
し、前記第一及び第二樹脂シ−トに熱を加えると共に少
なくとも前記第二樹脂シ−トに前記半導体チップ方向の
圧力を加えて前記半導体装置の樹脂封止を行うことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第二樹脂シ−トは、底面の位置が可
変の箱型の下型内に配置され、前記半導体チップの能動
面上には、箱型の上型が配置され、前記下型の底面の位
置を前記半導体チップ側に移動させることにより、前記
第二樹脂シ−トに前記半導体チップ方向の圧力を加える
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第一樹脂シ−トは、前記上型から熱
を受けて硬化し、前記半導体チップの能動面上のみを封
止し、前記第二樹脂シ−トは、前記下型から熱を受けて
硬化し、前記半導体チップの能動面上以外の部分を封止
することを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記下型は、前記第二樹脂シ−トが配置
される前から加熱されており、樹脂封止を行う際に、前
記第二樹脂シ−トの粘度は、前記第一の樹脂シ−トの粘
度よりも低くなっていることを特徴とする請求項２に記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第一樹脂シ−トの高さは、樹脂封止
後の前記半導体チップの能動面上の樹脂厚の１〜１．５
倍の範囲に設定されていることを特徴とする請求項１又
は２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18243695A JPH0936152A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18243695A JPH0936152A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936152A true JPH0936152A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16118243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18243695A Pending JPH0936152A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936152A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179284A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料 |
| US6930395B2 (en) * | 2000-12-05 | 2005-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate having improved connection reliability and a method for manufacturing the same |
| CN103626251A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-03-12 | 彭传义 | 三相共沸驱氨法 |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18243695A patent/JPH0936152A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6930395B2 (en) * | 2000-12-05 | 2005-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate having improved connection reliability and a method for manufacturing the same |
| JP2004179284A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料 |
| JP4519398B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-08-04 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN103626251A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-03-12 | 彭传义 | 三相共沸驱氨法 |
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