JPH01256133A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
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- JPH01256133A JPH01256133A JP8317188A JP8317188A JPH01256133A JP H01256133 A JPH01256133 A JP H01256133A JP 8317188 A JP8317188 A JP 8317188A JP 8317188 A JP8317188 A JP 8317188A JP H01256133 A JPH01256133 A JP H01256133A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体チップをポッティング法により樹脂
封止する半導体装置の製造方法及びその製造装置に関す
る。
封止する半導体装置の製造方法及びその製造装置に関す
る。
従来、半導体チップを樹脂封止する方法としては、トラ
ンスファモールド法やポッティング法などが知られてい
る。
ンスファモールド法やポッティング法などが知られてい
る。
半導体チップをモールド樹脂で封入成形するトランスフ
ァモールド法は、モールド樹脂を金型の上に設けられた
可塑化室に入れ軟化温度まで加熱して可塑化した後、こ
れをプランジャで密閉された金型の中に加圧注入して、
半導体チップを樹脂封止するもので、このトランスファ
モールド成形による樹脂封止半導体装置の一例を第２図
に示す。
ァモールド法は、モールド樹脂を金型の上に設けられた
可塑化室に入れ軟化温度まで加熱して可塑化した後、こ
れをプランジャで密閉された金型の中に加圧注入して、
半導体チップを樹脂封止するもので、このトランスファ
モールド成形による樹脂封止半導体装置の一例を第２図
に示す。
図において、１０１はＩＣ等の半導体チップ、■０２は
外部リード、１０３は半導体チップ１０１ と外部リー
ド１０２を接続するワイヤー、１０４はモールド樹脂で
ある。
外部リード、１０３は半導体チップ１０１ と外部リー
ド１０２を接続するワイヤー、１０４はモールド樹脂で
ある。
なおモールド樹脂内には金型との刊がれを良好にするた
めの離型剤を含有しており、また金型は、例えばＪＩＳ
規格５ＫＤＩＩの鋼種を使用して切削。
めの離型剤を含有しており、また金型は、例えばＪＩＳ
規格５ＫＤＩＩの鋼種を使用して切削。
研削加工したのち、表面にクロムメツキを施している。
一方、半導体チップをポツティング法で封止する場合は
、第３図に示すように、基板２０１にＡｇペースト等に
よりＩＣ等の半導体チップ２０２をグイボンドし、次い
で半導体チップ２０２上のパッドと基板２０１上の配線
２０３をワイヤー２０４により接続し、その後封止樹脂
２０５を滴下し、熱硬化させて樹脂封止した半導体装置
を得るようにしている。
、第３図に示すように、基板２０１にＡｇペースト等に
よりＩＣ等の半導体チップ２０２をグイボンドし、次い
で半導体チップ２０２上のパッドと基板２０１上の配線
２０３をワイヤー２０４により接続し、その後封止樹脂
２０５を滴下し、熱硬化させて樹脂封止した半導体装置
を得るようにしている。
ところで、上記トランスファモールド法は、寸法精度が
よく量産性に優れているが、汎用性がなく多種少量生産
には向いておらず、設備費が高いという欠点がある。ま
た金型との剥がれを良くするために樹脂内に離型剤を入
れているので、それがリードフレームと樹脂との密着力
を低下させるという欠点があるものである。
よく量産性に優れているが、汎用性がなく多種少量生産
には向いておらず、設備費が高いという欠点がある。ま
た金型との剥がれを良くするために樹脂内に離型剤を入
れているので、それがリードフレームと樹脂との密着力
を低下させるという欠点があるものである。
これに対してポッティング法は、汎用性があり多種少量
生産に通しており、また樹脂中に離型剤が入っていない
ため、リードフレームと樹脂との密着力の低下がないと
いう利点を有するものである。しかしながら、このポッ
ティング法は常圧下で行うため、封止樹脂の架橋密度が
低く、それにより同じ樹脂を使用する場合にはトランス
ファモールド法よりも信頼性が劣るという問題点がある
。
生産に通しており、また樹脂中に離型剤が入っていない
ため、リードフレームと樹脂との密着力の低下がないと
いう利点を有するものである。しかしながら、このポッ
ティング法は常圧下で行うため、封止樹脂の架橋密度が
低く、それにより同じ樹脂を使用する場合にはトランス
ファモールド法よりも信頼性が劣るという問題点がある
。
本発明は、従来のポッティング法を用いた半導体チップ
の樹脂封止における上記問題点を解決するためになされ
たもので、ポッティング法における封止樹脂の架橋密度
を高くし、信頼性の向上を計る半導体装置の製造方法と
その製造装置を提供することを目的とする。
の樹脂封止における上記問題点を解決するためになされ
たもので、ポッティング法における封止樹脂の架橋密度
を高くし、信頼性の向上を計る半導体装置の製造方法と
その製造装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記問題点を解
決するため、本発明の製造方法は、プリント配線基板に
搭載した半導体チップに封止樹脂を滴下して硬化させる
ポッティング封止法を用いた半導体装置の製造方法にお
いて、封止樹脂の硬化工程を加圧雰囲気中において行う
ことを特徴とするものである。
決するため、本発明の製造方法は、プリント配線基板に
搭載した半導体チップに封止樹脂を滴下して硬化させる
ポッティング封止法を用いた半導体装置の製造方法にお
いて、封止樹脂の硬化工程を加圧雰囲気中において行う
ことを特徴とするものである。
このように加圧下でポッティングした封止樹脂の硬化を
行うことにより、架橋密度を高くでき、高信幀性をもつ
ポッティング法による樹脂封止が得られる。
行うことにより、架橋密度を高くでき、高信幀性をもつ
ポッティング法による樹脂封止が得られる。
また本発明の製造装置は、プリント配線基板に搭載した
半導体チップに封止樹脂を滴下してポッティング封止し
た半導体装置を配置する圧力室と、該圧力室に配設され
たヒーターと、該圧力室にそれぞれバルブを介して接続
された排気ライン、加圧ライン及び減圧ラインとで構成
するものである。
半導体チップに封止樹脂を滴下してポッティング封止し
た半導体装置を配置する圧力室と、該圧力室に配設され
たヒーターと、該圧力室にそれぞれバルブを介して接続
された排気ライン、加圧ライン及び減圧ラインとで構成
するものである。
このように構成することにより、加圧下でのポッティン
グした封止樹脂の硬化を容易に行うことができ、架橋密
度を高くし高信軌性をもつポッティング法により樹脂封
止した半導体装置を容易に製造することができる。
グした封止樹脂の硬化を容易に行うことができ、架橋密
度を高くし高信軌性をもつポッティング法により樹脂封
止した半導体装置を容易に製造することができる。
以下実施例について説明する。第１図は、本発明に係る
半導体装置の製造装置の一実施例を示す概略図である９
図において、■は圧力がまで、該圧力がま１には、電源
３に接続されたヒータ２が配設されている。また前記圧
力がまには、それぞれバルブ４，５．６を介して、排気
ライン７、加圧ライン８．減圧ライン９が接続されてい
る。そして加圧ライン８には図示しない圧縮空気源が接
続されており、また減圧ライン９には図示しない減圧手
段が接続されている。
半導体装置の製造装置の一実施例を示す概略図である９
図において、■は圧力がまで、該圧力がま１には、電源
３に接続されたヒータ２が配設されている。また前記圧
力がまには、それぞれバルブ４，５．６を介して、排気
ライン７、加圧ライン８．減圧ライン９が接続されてい
る。そして加圧ライン８には図示しない圧縮空気源が接
続されており、また減圧ライン９には図示しない減圧手
段が接続されている。
このように構成された製造装置を用いて半導体装置を製
造するには、まず従来と同様に基板１１にＡｇペースト
等によりＩＣ等の半導体チップ１２をダイボンドし、次
いで半導体チップ１２上の電極パッドと、基板１１の配
線１３をボンディングワイヤー１４で接続し、次いで熱
硬化性液状エポキシ樹脂等の封止樹脂１５を滴下してポ
ッティング法により封止した未硬化の半導体装置１６を
用意し、これをヒータ２で予め約５０℃程度に予熱した
圧力がまｌ内に配置する。圧力がま１を予熱しておくの
は、次の脱泡工程を行うに際し、封止樹脂１５の粘度を
例えば６００００ ＣＰ Ｓ程度に下げ脱泡動作が行わ
れ易（するためであり、予熱温度をあまり高くすると封
止樹脂１５の硬化が始まるので、３０℃〜６０℃、好ま
しくは上記のように５０℃程度に予熱する。
造するには、まず従来と同様に基板１１にＡｇペースト
等によりＩＣ等の半導体チップ１２をダイボンドし、次
いで半導体チップ１２上の電極パッドと、基板１１の配
線１３をボンディングワイヤー１４で接続し、次いで熱
硬化性液状エポキシ樹脂等の封止樹脂１５を滴下してポ
ッティング法により封止した未硬化の半導体装置１６を
用意し、これをヒータ２で予め約５０℃程度に予熱した
圧力がまｌ内に配置する。圧力がま１を予熱しておくの
は、次の脱泡工程を行うに際し、封止樹脂１５の粘度を
例えば６００００ ＣＰ Ｓ程度に下げ脱泡動作が行わ
れ易（するためであり、予熱温度をあまり高くすると封
止樹脂１５の硬化が始まるので、３０℃〜６０℃、好ま
しくは上記のように５０℃程度に予熱する。
次いで減圧ライン９のバルブ６を開いて、圧力がま１の
内部を約４５Ｔｏｒｒまで減圧し、約３０分間その減圧
を維持する。この減圧により、封止樹脂１５のポッティ
ング時に巻き込まれたエアーが除去される。この封止樹
脂１５の脱泡工程の終了後、圧力がま１を樹脂硬化温度
まで上昇させ、引き続いて加圧ライン８のバルブ５を開
いて、例えば圧縮エアーにより５０〜８０ｋｇ／−程度
に圧力がまｌを加圧保持して、封止樹脂１５を硬化させ
る。この封止樹脂１５の硬化工程は、加圧しながら温度
上昇を行うのが最も好ましい、また加熱温度と加熱時間
は、封止樹脂によって異なるが、−例をあげると、［１
３０℃×２時間＋１５０℃×４時間］である。また加圧
圧力は、８０ｋｇ／ｃｊ以上になると半導体チップ１２
が圧縮応力に耐えられず破壊されるおそれがあるため、
上記のように５０〜８０に＋ｒ／ｃｗｔ程度が好ましい
。
内部を約４５Ｔｏｒｒまで減圧し、約３０分間その減圧
を維持する。この減圧により、封止樹脂１５のポッティ
ング時に巻き込まれたエアーが除去される。この封止樹
脂１５の脱泡工程の終了後、圧力がま１を樹脂硬化温度
まで上昇させ、引き続いて加圧ライン８のバルブ５を開
いて、例えば圧縮エアーにより５０〜８０ｋｇ／−程度
に圧力がまｌを加圧保持して、封止樹脂１５を硬化させ
る。この封止樹脂１５の硬化工程は、加圧しながら温度
上昇を行うのが最も好ましい、また加熱温度と加熱時間
は、封止樹脂によって異なるが、−例をあげると、［１
３０℃×２時間＋１５０℃×４時間］である。また加圧
圧力は、８０ｋｇ／ｃｊ以上になると半導体チップ１２
が圧縮応力に耐えられず破壊されるおそれがあるため、
上記のように５０〜８０に＋ｒ／ｃｗｔ程度が好ましい
。
上記硬化工程が終了すると、ｌＪｊ気ライう７のバルブ
４を開いて、圧力がま１内の圧縮エアーを排気し、圧力
がまｌ内より封止樹脂１５の硬化した半導体装置１６を
取り出す。
４を開いて、圧力がま１内の圧縮エアーを排気し、圧力
がまｌ内より封止樹脂１５の硬化した半導体装置１６を
取り出す。
以上のようにポッティングした封止樹脂を加圧下で硬化
させることにより、架橋密度が高くなり、したがって高
信頼性をもつポッティング法による樹脂封止を行うこと
ができる。
させることにより、架橋密度が高くなり、したがって高
信頼性をもつポッティング法による樹脂封止を行うこと
ができる。
なお、上記実施例では、加圧ライン８に接続する加圧源
として圧縮空気を用いたものを示したが、圧縮空気の代
わりに圧縮された不活性ガスを用いることもできる。
として圧縮空気を用いたものを示したが、圧縮空気の代
わりに圧縮された不活性ガスを用いることもできる。
（発明の効果〕
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、加圧下でポッティングした封止樹脂の硬化を行うので
、封止樹脂の架橋密度を高くすることができ、したがっ
て高信頼性のポッティング法による樹脂封止した半導体
装置を得ることができる。また加熱源と加圧源を備えた
加圧がまを用いることにより、架橋密度が高（高信頼性
のポッティング法による樹脂封止した半導体装置を容易
に製造することができる。
、加圧下でポッティングした封止樹脂の硬化を行うので
、封止樹脂の架橋密度を高くすることができ、したがっ
て高信頼性のポッティング法による樹脂封止した半導体
装置を得ることができる。また加熱源と加圧源を備えた
加圧がまを用いることにより、架橋密度が高（高信頼性
のポッティング法による樹脂封止した半導体装置を容易
に製造することができる。
第１図は、本発明に係る半導体装置の製造装置の一実施
例を示す概略図、第２図は、従来のトランスファモール
ド法により樹脂封止した半導体装置の一例を示す断面図
、第３図は、従来のポッティング法により樹脂封止した
半導体装置の一例を示す断面図である。 図において、１は圧力がま、２はヒータ、７は排気ライ
ン、８は加圧ライン、９は減圧ライン、１１は基板、１
２は半導体チップ、１４はボンディングワイヤー、１５
は封止樹脂、１６は半導体装置を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第３図 手続補正書 昭和６３年 ５月２４日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第８３１７１号２、発明の名
称 半導体装置の製造方法及びその製造装置３、補正をする
者 代表者 下山敏部 ４、代理人 住 所 東京都中央区新川１丁目２２番１２号ニフテ
ィマンション１１０３号 電話（０３）５５１−３２６４ ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な説明の
欄、並びに図面 ８、補正の内容 ＋１１ 明細書第６頁３行、４行、５行、 １９行及
び２０行に「圧力がま」とあるのを、「圧力室」と補正
する。 （２） 同第７頁６〜７行、１０〜１１行及び１３行
に「圧力がま」とあるのを、「圧力室」と補正する。 （３） 同第７頁１９行にｒ８０ｋｇ／ｃ＋ＪＪとあ
るのを、ｒ １００ｋｇ／ｃ１１１」と補正する。 （４）同第８頁３行５４行、２０行及び第９頁１１行に
「圧力がま」とあるのを、「圧力室」と補正する。 （５）図面中、第１図を添付図面のように補正する。 以上
例を示す概略図、第２図は、従来のトランスファモール
ド法により樹脂封止した半導体装置の一例を示す断面図
、第３図は、従来のポッティング法により樹脂封止した
半導体装置の一例を示す断面図である。 図において、１は圧力がま、２はヒータ、７は排気ライ
ン、８は加圧ライン、９は減圧ライン、１１は基板、１
２は半導体チップ、１４はボンディングワイヤー、１５
は封止樹脂、１６は半導体装置を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第３図 手続補正書 昭和６３年 ５月２４日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第８３１７１号２、発明の名
称 半導体装置の製造方法及びその製造装置３、補正をする
者 代表者 下山敏部 ４、代理人 住 所 東京都中央区新川１丁目２２番１２号ニフテ
ィマンション１１０３号 電話（０３）５５１−３２６４ ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な説明の
欄、並びに図面 ８、補正の内容 ＋１１ 明細書第６頁３行、４行、５行、 １９行及
び２０行に「圧力がま」とあるのを、「圧力室」と補正
する。 （２） 同第７頁６〜７行、１０〜１１行及び１３行
に「圧力がま」とあるのを、「圧力室」と補正する。 （３） 同第７頁１９行にｒ８０ｋｇ／ｃ＋ＪＪとあ
るのを、ｒ １００ｋｇ／ｃ１１１」と補正する。 （４）同第８頁３行５４行、２０行及び第９頁１１行に
「圧力がま」とあるのを、「圧力室」と補正する。 （５）図面中、第１図を添付図面のように補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プリント配線基板に搭載した半導体チップに封止樹
脂を滴下して硬化させるポッティング封止法を用いた半
導体装置の製造方法において、封止樹脂の硬化工程は加
圧雰囲気中において行うことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 ２、前記封止樹脂の硬化工程前に、減圧雰囲気中で封止
樹脂の脱泡工程を行うことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。 ３、前記加圧雰囲気は、空気又は不活性ガスであること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ４、プリント配線基板に搭載した半導体チップに封止樹
脂を滴下してポッティング封止した半導体装置を配置す
る圧力室と、該圧力室に配設されたヒーターと、該圧力
室にそれぞれバルブを介して接続された排気ライン、加
圧ライン及び減圧ラインとからなる半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8317188A JPH01256133A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8317188A JPH01256133A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256133A true JPH01256133A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13794830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8317188A Pending JPH01256133A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01256133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157408A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Nitto Denko Corp | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| JP2015037195A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 印▲鉱▼科技有限公司 | 電子デバイスの製造方法及び製造装置 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8317188A patent/JPH01256133A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157408A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Nitto Denko Corp | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| JP2015037195A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 印▲鉱▼科技有限公司 | 電子デバイスの製造方法及び製造装置 |
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