JP4509092B2 - 電子機器及び電源回路 - Google Patents
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Description
ここで、 前記電位差決定部は、ツェナーダイオードとキャパシタのうちの少なくとも一つを含むことができる。
そして、前記ローサイド電位差決定部はツェナーダイオードを含み、前記ローサイド電位差決定部は前記ローサイドトランジスタの前記エミッタ端の電圧より前記ツェナーダイオードに印加される電圧レベルだけ低いことがある。
制御電圧提供部30は、インバータ部50の一端に印加される基準電圧より低い第1制御電圧と基準電圧より高い第2制御電圧とを出力してインバータ部50のスイッチングを制御する。ここで、制御電圧提供部30は、第1制御電圧及び第2制御電圧を出力する制御電圧出力部35、電位差決定部36、37、電圧ソース39、及び制御電圧出力部35を制御する制御部40を含むことができる。
ハイサイド制御電圧出力部33の第2電圧端に印加される電圧レベルはV34であり、抵抗Rbsの値が小さければ、電圧ソース39から出力されるVccと近い電圧レベルを有する。ハイサイド制御電圧出力部33の第1電圧端に印加される電圧レベルはV33であり、トランジスタQbがオンの状態である場合にV11と同じレベルの電圧を有する。
トランジスタのオン/オフは、ベース端に印加される電圧の大きさとエミッタ端に印加される電圧の大きさによって制御される。例えば、図示したようなnpnトランジスタQ1、Q2の場合、ベース端に印加される電圧がエミッタ端に印加される電圧より大きければトランジスタQ1、Q2がオンになり、ベース端に印加される電圧がエミッタ端に印加される電圧より小さければトランジスタQ1、Q2がオフになる。ここで、npnトランジスタQ1、Q2を一例として説明しており、pnpトランジスタはオン/オフ状態がnpnトランジスタQ1、Q2と互いに反対となる。以下、図示したように、npnトランジスタQ1、Q2を一例として説明する。
図3に示したように、本発明による電子装置は3相モータ90を駆動させるための電源回路を含むこともできる。
図4は時間による制御電源出力部から出力された制御電圧のレベルの変化を示した図面である。
一方、ローサイド制御電圧出力部31からハイ信号が出力される場合、ローサイドトランジスタQ2のゲート端に印加される電圧はローサイドトランジスタQ2のエミッタ端に印加される電圧を基準として正ゲートバイアスだけ電圧が大きくなり、ローサイド制御電圧出力部31からロー信号が出力される場合、ローサイドトランジスタQ2のゲート端に印加される電圧はローサイドトランジスタQ2のエミッタ端に印加される電圧を基準として負ゲートバイアスだけ電圧が小さくなる。
ここで、トランジスタがスイッチングされる時点はt11であり、スイッチング損失量は実験によって17.75mJであることが分かる。
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明に属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められなければならない。
31 ハイサイド制御電圧出力部
33 ローサイド制御電圧出力部
35 制御電圧出力部
36 ハイサイド電位差決定部
37 ローサイド電位差決定部
39 電圧ソース
40 制御部
50 インバータ部
51 ハイサイドインバータ部
53 ローサイドインバータ部
70 電源供給部
90 モータ
Claims (8)
- 負荷を有する電子機器において、
前記負荷に駆動電源を供給する電源供給部と、
前記駆動電源を断続するインバータ部と、
前記インバータ部の一端に印加される基準電圧より低い第1制御電圧と前記基準電圧より高い第2制御電圧を出力して前記インバータ部を制御する制御電圧提供部とを含み、
前記インバータ部は、それぞれベース端、エミッタ端、コレクタ端を有する少なくとも一つのトランジスタを含み、
前記基準電圧は前記トランジスタの前記エミッタ端の電圧であり、前記第1制御電圧及び前記第2制御電圧は前記ベース端に印加され、
前記制御電圧提供部は、前記第1制御電圧のレベルを決定する第1電圧端と前記第2制御電圧のレベルを決定する第2電圧端とを含む制御電圧出力部を含み、
前記制御電圧提供部は、前記インバータ部に備えられた前記トランジスタのエミッタ端と負極が接続され、前記第1電圧端と正極が接続されて、前記トランジスタのエミッタ端と前記第1電圧端との電位差を決定する電位差決定部を含み、
前記インバータ部は、ハイサイドインバータ部と、ローサイドインバータ部と、を含み、
前記制御電圧出力部は、前記ハイサイドインバータ部にハイサイド基準電圧より低いハイサイド第1制御電圧と前記ハイサイド基準電圧より高いハイサイド第2制御電圧とを出力し、前記ハイサイド第1制御電圧のレベルを決定するハイサイド第1電圧端と前記ハイサイド第2制御電圧のレベルを決定するハイサイド第2電圧端とを有するハイサイド制御電圧出力部と、前記ローサイドインバータ部にローサイド基準電圧より低いローサイド第1制御電圧と前記ローサイド基準電圧より高いローサイド第2制御電圧とを出力し、前記ローサイド第1制御電圧のレベルを決定するローサイド第1電圧端と前記ローサイド第2制御電圧のレベルを決定するローサイド第2電圧端を有するローサイド制御電圧出力部と、を含み、
前記ハイサイドインバータ部は、ハイサイドトランジスタを含み、
前記ローサイドインバータ部はローサイドトランジスタを含み、
前記制御電圧提供部は、前記ハイサイド制御電圧出力部から前記ハイサイド第1制御電圧が出力される場合に前記ローサイド制御電圧出力部が前記ローサイド第2制御電圧を出力し、前記ハイサイド制御電圧出力部から前記ハイサイド第2制御電圧が出力される場合に前記ローサイド制御電圧出力部が前記ローサイド第1制御電圧を出力するように制御する制御部をさらに含み、
前記電位差決定部は、前記ローサイド制御電圧出力部に備えられたローサイド電位差決定部と、前記ハイサイド制御電圧出力部に備えられたハイサイド電位差決定部とを含み、
前記制御電圧提供部は、前記ローサイド制御電圧出力部の出力端及び前記ハイサイド電位差決定部の一端と直列に接続されるスイッチング部を含み、
前記ハイサイド電位差決定部はキャパシタを含み、前記ローサイド第2制御電圧が出力される場合に充電され、
前記ハイサイド第1制御電圧は、前記ハイサイドトランジスタの前記エミッタ端の電圧より前記キャパシタの充電電圧レベルだけ低く、
前記ローサイド電位差決定部はツェナーダイオードと該ツェナーダイオードのカソードに直列に接続された抵抗とで構成され、
前記ローサイド電位差決定部の一端に印加される電圧は、前記ローサイドトランジスタの前記エミッタ端の電圧より前記ツェナーダイオードに印加される電圧レベルだけ低いことを特徴とする電子機器。 - 前記制御電圧提供部は、前記ハイサイド第2電圧端と前記ローサイド第2電圧端に電圧を供給する電圧ソースとを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
- 前記電圧ソースは、前記ローサイド電位差決定部と並列に接続されることを特徴とする請求項2に記載の電子機器。
- 前記トランジスタは、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)であることを特徴とする請求項3に記載の電子機器。
- 前記負荷は、モータを含むことを特徴とする請求項4に記載の電子機器。
- 前記モータは3相モータを含み、
前記制御部は、前記3相モータの各位相端に3相電流を提供するための制御電圧を前記インバータ部に出力するように前記制御電圧出力部を制御することを特徴とする請求項5に記載の電子機器。 - 電源回路において、
負荷に駆動電源を供給する電源供給部と、
前記駆動電源を断続するインバータ部と、
前記インバータ部の一端から印加される基準電圧より低い第1制御電圧と前記基準電圧より高い第2制御電圧とを出力して前記インバータ部を制御する制御電圧提供部とを含み、
前記インバータ部は、それぞれベース端、エミッタ端、コレクタ端を有する少なくとも一つのトランジスタを含み、
前記基準電圧は前記トランジスタの前記エミッタ端の電圧であり、前記第1制御電圧及び前記第2制御電圧は前記ベース端に印加され、
前記制御電圧提供部は、前記第1制御電圧のレベルを決定する第1電圧端と前記第2制御電圧のレベルを決定する第2電圧端とを含む制御電圧出力部を含み、
前記制御電圧提供部は、前記インバータ部に備えられた前記トランジスタのエミッタ端と負極に接続され、前記第1電圧端と正極が接続されて、前記トランジスタのエミッタ端と前記第1電圧端との電位差を決定する電位差決定部を含み、
前記インバータ部は、ハイサイドインバータ部と、ローサイドインバータ部と、を含み、
前記制御電圧出力部は、前記ハイサイドインバータ部にハイサイド基準電圧より低いハイサイド第1制御電圧と前記ハイサイド基準電圧より高いハイサイド第2制御電圧とを出力し、前記ハイサイド第1制御電圧のレベルを決定するハイサイド第1電圧端と前記ハイサイド第2制御電圧のレベルを決定するハイサイド第2電圧端とを有するハイサイド制御電圧出力部と、前記ローサイドインバータ部にローサイド基準電圧より低いローサイド第1制御電圧と前記ローサイド基準電圧より高いローサイド第2制御電圧とを出力し、前記ローサイド第1制御電圧のレベルを決定するローサイド第1電圧端と前記ローサイド第2制御電圧のレベルを決定するローサイド第2電圧端を有するローサイド制御電圧出力部と、を含み、
前記ハイサイドインバータ部は、ハイサイドトランジスタを含み、前記ローサイドインバータ部はローサイドトランジスタを含み、
前記制御電圧提供部は、前記ハイサイド制御電圧出力部から前記ハイサイド第1制御電圧が出力される場合に前記ローサイド制御電圧出力部が前記ローサイド第2制御電圧を出力し、前記ハイサイド制御電圧出力部から前記ハイサイド第2制御電圧が出力される場合に前記ローサイド制御電圧出力部が前記ローサイド第1制御電圧を出力するように制御する制御部をさらに含み、
前記電位差決定部は、前記ローサイド制御電圧出力部に備えられたローサイド電位差決定部と、前記ハイサイド制御電圧出力部に備えられたハイサイド電位差決定部と、を含み、
前記制御電圧提供部は、前記ローサイド制御電圧出力部の出力端及び前記ハイサイド電位差決定部の一端と直列に接続されるスイッチング部を含み、
前記ハイサイド電位差決定部は、キャパシタを含み、前記ローサイド第2制御電圧が出力される場合に充電され、
前記ハイサイド第1制御電圧は、前記ハイサイドトランジスタの前記エミッタ端の電圧より前記キャパシタの充電電圧レベルだけ低く、
前記ローサイド電位差決定部は、ツェナーダイオードと、該ツェナーダイオードのカソードに直列に接続された抵抗と、で構成され、
前記ローサイド電位差決定部の一端に印加される電圧は、前記ローサイドトランジスタの前記エミッタ端の電圧より前記ツェナーダイオードに印加される電圧レベルだけ低いことを特徴とする電源回路。 - 前記トランジスタは、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)であることを特徴とする請求項7に記載の電源回路。
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