JP2006295326A - 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 - Google Patents
保護機能付きスイッチング回路および保護回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006295326A JP2006295326A JP2005110118A JP2005110118A JP2006295326A JP 2006295326 A JP2006295326 A JP 2006295326A JP 2005110118 A JP2005110118 A JP 2005110118A JP 2005110118 A JP2005110118 A JP 2005110118A JP 2006295326 A JP2006295326 A JP 2006295326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- switching element
- switching
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明のスイッチング回路は,IGBTスイッチQ2,Q12に遅れてオンされるNチャネルMOSトランジスタM1,M11を有している。そして,IGBTスイッチQ2,Q12が飽和状態から脱しているときに限りNチャネルMOSトランジスタM1,M11のドレイン電流I1,I11を許容するツェナーダイオードZ1,Z11を有している。さらに,IGBTスイッチQ2,Q12が飽和状態から脱したときにIGBTスイッチQ2,Q12を緩やかにシャットダウンさせるソフトシャットダウン回路3,13を有している。これにより,電力消費が軽微で,誤動作や素子破壊の可能性も少ない保護機能付きのスイッチング回路が実現されている。
【選択図】 図1
Description
2,12 駆動回路
50 ICチップ
M1,M11 NチャネルMOSトランジスタ
Q1,Q11 トランジスタ
Q2,Q12 IGBTスイッチ
Z1,Z11 ツェナーダイオード
3,13 ソフトシャットダウン回路
Claims (4)
- 負荷への電力供給をスイッチングするスイッチング素子と,前記スイッチング素子を操作する駆動回路と,過電流に対する保護を行う保護回路とを有する保護機能付きスイッチング回路において,前記保護回路は,
前記駆動回路による前記スイッチング素子のオン動作によりオンされる第1のトランジスタと,
前記第1のトランジスタの電流経路上に設けられ,通常時には電流を阻止するとともに,前記スイッチング素子の端子間電圧が所定値以上になると電流を許容する検出素子と, 前記第1のトランジスタにより流れる電流が所定値以上になると前記スイッチング素子をシャットダウンさせるシャットダウン回路とを有することを特徴とする保護機能付きスイッチング回路。 - 請求項1に記載の保護機能付きスイッチング回路において,
前記駆動回路による前記スイッチング素子のオン動作に対し所定時間遅延して前記第1のトランジスタをオンさせる遅延オン手段と,
前記第1のトランジスタにより流れる電流が所定値以上になると前記シャットダウン回路によるシャットダウンを行わせる第2のトランジスタとを有し,
前記シャットダウン回路は,前記スイッチング素子をソフトシャットダウンさせるソフトシャットダウン回路であることを特徴とする保護機能付きスイッチング回路。 - 請求項1または請求項2に記載の保護機能付きスイッチング回路において,
前記第1のトランジスタの耐圧が,前記スイッチング素子の耐圧以上であることを特徴とする保護機能付きスイッチング回路。 - 負荷への電力供給をスイッチングするスイッチング素子の過電流に対する保護を行う保護回路において,
スイッチング素子のオン動作によりオンされる第1のトランジスタと,
前記第1のトランジスタの電流経路上に設けられ,通常時には電流を阻止するとともに,スイッチング素子の端子間電圧が所定値以上になると電流を許容する検出素子と,
前記第1のトランジスタにより流れる電流が所定値以上になるとスイッチング素子をシャットダウンさせるシャットダウン回路とを有することを特徴とする保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005110118A JP4479570B2 (ja) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005110118A JP4479570B2 (ja) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295326A true JP2006295326A (ja) | 2006-10-26 |
JP4479570B2 JP4479570B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=37415442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005110118A Expired - Fee Related JP4479570B2 (ja) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4479570B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010011131A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | New Japan Radio Co Ltd | スイッチング駆動回路 |
WO2012146412A3 (de) * | 2011-04-28 | 2013-06-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und steuereinrichtung zur schutzzeiteinstellung in einem elektrischen antriebssystem |
JP2013153603A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | モータ制御装置 |
CN109818599A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-05-28 | 北京交通大学 | 一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路 |
KR102026931B1 (ko) * | 2018-07-20 | 2019-10-01 | 한국전기연구원 | 전력 스위치용 단락보호회로 |
CN110474625A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-19 | 西安中车永电电气有限公司 | 用于双管igbt的门极吸收抑制及短路保护电路 |
WO2021040153A1 (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 한국전기연구원 | 전력 스위치용 단락보호회로 |
EP3907887A1 (en) * | 2020-05-08 | 2021-11-10 | Hamilton Sundstrand Corporation | Desaturation circuit for mosfet with high noise immunity and fast detection |
-
2005
- 2005-04-06 JP JP2005110118A patent/JP4479570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010011131A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | New Japan Radio Co Ltd | スイッチング駆動回路 |
WO2012146412A3 (de) * | 2011-04-28 | 2013-06-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und steuereinrichtung zur schutzzeiteinstellung in einem elektrischen antriebssystem |
US9634553B2 (en) | 2011-04-28 | 2017-04-25 | Robert Bosch Gmbh | Method and control device for protection time setting in an electric drive system |
JP2013153603A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | モータ制御装置 |
KR102026931B1 (ko) * | 2018-07-20 | 2019-10-01 | 한국전기연구원 | 전력 스위치용 단락보호회로 |
CN109818599B (zh) * | 2019-01-03 | 2020-06-16 | 北京交通大学 | 一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路 |
CN109818599A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-05-28 | 北京交通大学 | 一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路 |
CN110474625A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-19 | 西安中车永电电气有限公司 | 用于双管igbt的门极吸收抑制及短路保护电路 |
CN110474625B (zh) * | 2019-07-15 | 2020-09-25 | 西安中车永电电气有限公司 | 用于双管igbt的门极吸收抑制及短路保护电路 |
WO2021040153A1 (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 한국전기연구원 | 전력 스위치용 단락보호회로 |
EP3907887A1 (en) * | 2020-05-08 | 2021-11-10 | Hamilton Sundstrand Corporation | Desaturation circuit for mosfet with high noise immunity and fast detection |
US20210351770A1 (en) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | Hamilton Sundstrand Corporation | Desaturation circuit for mosfet with high noise immunity and fast detection |
US11606086B2 (en) * | 2020-05-08 | 2023-03-14 | Hamilton Sundstrand Corporation | Desaturation circuit for MOSFET with high noise immunity and fast detection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4479570B2 (ja) | 2010-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7535283B2 (en) | Gate drive circuit, semiconductor module and method for driving switching element | |
JP5383426B2 (ja) | 異常検出時急速放電回路 | |
JP4479570B2 (ja) | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 | |
JP6197685B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP4589966B2 (ja) | 電力供給制御装置及び半導体装置 | |
TWI568179B (zh) | 高壓閘極驅動電路 | |
JP4597044B2 (ja) | 逆流防止回路 | |
JP5761215B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP5067786B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP3633522B2 (ja) | 負荷駆動回路 | |
US20090154035A1 (en) | ESD Protection Circuit | |
JP2008042230A (ja) | 負荷駆動回路、および保護方法 | |
JP4779549B2 (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路。 | |
JP2005160268A (ja) | インバータ回路 | |
US20150022247A1 (en) | Power semiconductor device | |
JP2004080346A (ja) | 電流制限回路およびそれを備えた出力回路 | |
JP3964833B2 (ja) | インテリジェントパワーデバイス及びその負荷短絡保護方法 | |
JP2002151989A (ja) | クランプ回路 | |
JP2004129378A (ja) | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 | |
JP2010028522A (ja) | 半導体装置 | |
WO2006093204A1 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2009095166A (ja) | 電圧制御形スイッチングデバイスのゲート駆動装置 | |
JP2012143030A (ja) | 電子回路 | |
JP2007116388A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015201717A (ja) | 過電圧保護回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100223 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100308 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |