JP4471725B2 - 圧電共振素子、圧電共振子及びフィルタ並びに複合基板 - Google Patents
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Description
次ぎに、実施例1において、圧電基板の他側主面に、Al層を孤立導体層として形成せず、また、被覆層を形成しない以外は、実施例1と同様にして圧電共振子を作製した。その圧電共振子のインピーダンス特性を図10に示した。
1a、21a・・・圧電基板
1b、21b・・・補強基板
1c・・・圧電基板の一辺
1d、21d・・・圧電基板の側面
2a、22a・・・一主面
2b、22b・・・他側主面
3、23・・・櫛歯電極(IDT)
3a、3b、23a、23b・・・電極指
3c・・・電極指交差部
5、25・・・孤立導体層
6a、6b、26a、26b・・・接続部
7a、7b、27a、27b・・・接続用電極
8・・・バンプ
11a、11b・・・ベース金属部材
12a、12b・・・被覆層
24・・・反射溝
29・・・反射堤部
A・・・接着領域の境界
L・・・電極指交差部の長さ
d・・・最外電極指の電極幅
λ・・・表面波の波長
Claims (15)
- 複数の層が積層された積層体である圧電基板の一主面に、複数の電極指が並列に配列した一対の櫛歯電極を備えたインターデジタルトランスデューサ(IDT)を設けてなり、SH波タイプの表面波を利用した圧電共振素子であって、前記櫛歯電極の少なくとも一部の表面に絶縁体からなる被覆層が設けられており、前記圧電基板内部の他側主面側に前記IDTと対向するように孤立導体層が設けられていることを特徴とする圧電共振子。
- 前記被覆層の厚みが0.03〜5μmであることを特徴とする請求項1に記載の圧電共振子。
- 前記被覆層が、酸化珪素、アルミナ、窒化珪素及び酸化亜鉛を主成分とした少なくとも1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電共振子。
- 前記圧電基板の厚みが320μm以下であり、補強基板が、前記圧電基板の前記他側主面に、接着層を介して設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の圧電共振素子。
- 前記接着層のヤング率が1×1010Pa以下であることを特徴とする請求項4に記載の圧電共振素子。
- 前記補強基板が、Al2O3、MgO、ZrO2、AlN、Si3N4、SiCの少なくとも1種を主成分とすることを特徴とする請求項4又は5に記載の圧電共振素子。
- 前記IDTの単位面積当りの荷重が2×10−5g/cm2以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の圧電共振素子。
- 前記IDTの電極指のうちで最も外側に位置する電極指が、前記圧電基板の側面からなる反射端面と接していることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の圧電共振素子。
- 前記反射端面は、前記圧電基板の一方側端面から他方側端面まで連続して形成されていることを特徴とする請求項8に記載の圧電共振素子。
- 前記圧電基板の前記一主面の前記電極指の配列方向の端部に、前記圧電基板の側面と間隔をあけて該側面に沿うように、表面波を反射させるための反射溝が形成されており、前記圧電基板の前記側面と前記反射溝との間が反射堤部とされていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の圧電共振素子。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の圧電共振素子に対して、前記圧電基板の前記一主面に形成された前記IDTを収容する空間を形成するように、前記圧電基板の前記一主面にベース基板を接着してなることを特徴とする圧電共振子。
- 請求項10に記載の圧電共振素子に対して、前記IDTを収容する空間を形成するように、前記圧電基板の前記IDTが形成された前記一主面にベース基板を接着し、前記反射溝に合成樹脂を充填してなることを特徴とする圧電共振子。
- 前記ベース基板に、容量を形成する電極が形成されていることを特徴とする請求項11又は12に記載の圧電共振子。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の圧電共振素子を複数電気的に接続してなることを特徴とするフィルタ。
- マイクロコンピュータICチップと、請求項1〜10のいずれかに記載の圧電共振素子とをベース基板に実装したことを特徴とする複合基板。
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