JP4446730B2 - 圧電共振子及びフィルタ並びに複合基板 - Google Patents
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また、前記補強基板の前記反射堤部材と前記圧電共振素子との間に露出している部分に反射溝が形成されていることが好ましい。
前記補強基板の前記反射堤部材と前記圧電共振素子との間に露出している部分に反射溝が形成されている場合、深さ方向に発生した振動に対しても端面反射を効果的にし、スプリアス発生レベルを抑えられる点で好ましい。
これらのうちで、電気機会結合係数の大きな、チタン酸鉛PbTiO3やチタン酸ジルコン酸鉛PbZrTiO3及びニオブ酸ナトリウムNaNbO3を主成分とした圧電セラミックスであることが、より大きなP/V値を得ることができる点で好ましく、更には、レゾネータ用途の場合には、電気機械結合係数が大きく、比誘電率が300以下となるチタン酸鉛PbTiO3及びニオブ酸ナトリウムNaNbO3を主成分とした圧電セラミックスを用いることが望ましい。
1a・・・圧電基板
1b・・・補強基板
1c・・・圧電基板の一主面
1d・・・圧電基板の側面
1e・・・圧電基板の他主面
2・・・ベース基板
3・・・IDT
3a、3b・・・電極指
6a、6b・・・連結部
7a、7b・・・接続用電極
8・・・バンプ
9・・・側面支持部材
14・・・反射堤部材
14d・・・反射堤部材の側面
16・・・反射溝
Claims (13)
- 一対の櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデューサ(IDT)を平面形状が長方形の圧電基板の一主面に形成してなるSH波タイプの表面波を利用した圧電共振素子を、平面形状が長方形であり、対向する側面に一対の表面電極が設けられているベース基板の上方に、該ベース基板と前記IDTとの間に励振空間を形成するように配置するとともに、前記一対の表面電極が、前記ベース基板の前記側面を延長する方向に延在して、前記圧電基板を該圧電基板の対向する側面で挟んでおり、且つ前記ベース基板の前記側面に直交している対向する側面及び前記圧電基板の前記側面に直交している対向する側面で前記圧電基板及び前記ベース基板を挟持するように一対の側面支持部材が設けられており、前記励振空間が閉じた空間となっていることを特徴とする圧電共振子。
- 一対の櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデューサ(IDT)を平面形状が長方形の圧電基板の一主面に形成してなるSH波タイプの表面波を利用した圧電共振素子を、平面形状が長方形であり、対向する側面に一対の表面電極が設けられているベース基板の上方に、該ベース基板と前記IDTとの間に励振空間を形成するように配置するとともに、前記一対の表面電極が、前記ベース基板の前記側面を延長する方向に延在して、前記圧電基板を該圧電基板の対向する側面で挟んでおり、且つ前記ベース基板の上に、前記圧電基板を該圧電基板の前記側面に直交している対向する側面で挟持するように一対の側面支持部材が設けられており、前記励振空間が閉じた空間となっていることを特徴とする圧電共振子。
- 前記圧電基板の前記一主面に対向する他主面に、前記圧電基板と略同一形状の補強基板が接着層を介して設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の圧電共振子。
- 一対の櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデューサ(IDT)を圧電基板の一主面に形成してなるSH波タイプの表面波を利用した圧電共振素子と、該圧電共振素子の対向する側面と平行に且つ該側面から一定の距離を置いて配置されている一対の反射堤部材とが主面に設けられている平面形状が長方形の補強基板を、平面形状が長方形であり、対向する側面に一対の表面電極が設けられているベース基板の上方に、該ベース基板と前記IDTとを対向させ、且つ両者間に励振空間を形成するように配置するとともに、前記一対の表面電極が、前記ベース基板の前記側面を延長する方向に延在して、前記補強基板の対向する側面および該側面に繋がっている前記一対の反射堤部材の面で前記補強基板および前記一対の反射堤部材を挟んでおり、且つ前記ベース基板の上に、前記一対の反射堤部材を該反射堤部材における前記補強基板の前記対向する側面の一方から他方まで繋がっている面で挟持するように一対の側面支持部材が設けられており、前記励振空間が閉じた空間となっていることを特徴とする圧電共振子。
- 前記補強基板の前記反射堤部材と前記圧電共振素子との間に露出している部分に反射溝が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の圧電共振子。
- 前記櫛歯電極が、複数の電極指と、該複数の電極指を電気的に連結する連結部と、外部接続部と、該外部接続部と前記連結部とを電気的に接合するための架橋部と、を具備し、前記外部接続部と、前記ベース基板の前記表面電極とを電気的に接続してなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の圧電共振子。
- 前記ベース基板が、コンデンサを形成するための電極を具備することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の圧電共振子。
- 前記側面支持部材のヤング率が1×1010Pa以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の圧電共振子。
- 前記励振空間の高さが5〜100μmであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の圧電共振子。
- 前記圧電基板が、チタン酸鉛系又はニオブ酸鉛系材料からなることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の圧電共振子。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の圧電共振子における前記ベース基板の表面に設けられた他の圧電基板の表面に、前記圧電基板の一主面に設けられたIDTと対向するように他のIDTが形成されていることを特徴とするフィルタ。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の圧電共振子のベース基板の表面にICチップを実装してなることを特徴とする複合基板。
- 前記ベース基板の表面及び/又は内部に、更に電子部品を実装したことを特徴とする請求項12に記載の複合基板。
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