JP4465342B2 - 半導体製造装置、排気管系および半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置、排気管系および半導体集積回路装置の製造方法 Download PDFInfo
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バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、処理室を形成するインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、処理室を排気する排気管系および処理室にガスを供給するガス導入管が接続されたマニホールドと、プロセスチューブの外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを垂直方向に整列させて保持して処理室に搬入するボートとを備えており、複数枚のウエハを保持したボートが処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、処理室に成膜ガスがガス導入管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜を堆積させるように構成されている。
該排気管系を構成する一つの排気管の内側には被覆管がバッファを介して挿入されており、
前記バッファには付着防止ガスが導入されるように構成されており、
前記被覆管は、上流側の口径が大きく下流側の口径が小さい円筒形状に形成されたセグメントリングを複数個備えており、該複数個のセグメントリングは中心線を揃えて直列に配列されて、前記セグメントリングの上流側と隣接する前記セグメントリングの下流側とが一部重なって隙間を形成するように嵌合され、該隙間によって前記バッファの付着防止ガスを前記被覆管の内側空間に流出させる流出口が構成されていることを特徴とする。
アウタチューブ12は石英ガラスや炭化シリコン(SiC)が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されており、インナチューブ13は石英ガラスや炭化シリコンが使用されて上下両端が開口された円筒形状に形成されている。
インナチューブ13の筒中空部はボートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成しており、インナチューブ13の下端部には被処理基板としてのウエハの最大外径よりも大きな口径の炉口15が形成されている。
マニホールド16はステンレス鋼等の金属が使用されて上下両端が開口した短尺の円筒形状に形成されており、マニホールド16の内周の中間部にはマニホールド16の内側空間を上下に仕切った隔壁17が水平に突設されている。
マニホールド16の側壁の下端部にはガス導入管18が、隔壁17が仕切ったマニホールド16の内側空間のうち炉口15側である下側空間に連通するように接続されており、ガス導入管18の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供給するガス供給装置(図示せず)に接続されている。
マニホールド16の側壁の上部には後記する排気管系40を接続された排気口20が、隔壁17が仕切ったマニホールド16の内側空間のうち上側空間に一杯に連通するように開設されており、排気口20はアウタチューブ12とインナチューブ13との隙間によって形成された排気路19を排気するようになっている。
炉口開閉装置21はボートエレベータによって垂直に昇降されるベース22と、マニホールド16の外径と略等しい円盤形状に形成されてマニホールド16の下端面に密着して炉口15をシールするシールキャップ23とを備えており、シールキャップ23はベース22の真上に若干の隙間をとって平行に配置されて水平に支持されている。
ベース22の中心線上には回転駆動装置(図示せず)によって回転される回転軸24が垂直方向に挿通されて軸受装置によって回転自在に支承されており、回転軸24の上端にはボート25が垂直に立脚されて固定されている。
そして、ウエハ1は複数条の保持溝29間に外周辺部が挿入されることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボート25に保持されるようになっている。
ヒータユニット30は円筒形状に形成された断熱槽32の内周に抵抗ヒータ31が螺旋状に敷設されて構成されており、筐体2の上に垂直に据え付けられている。
第一排気管41の内周面における排気口20側の端部(以下、上流側端部とする。)と排気口20と、反対側の端部である下流側端部とには、上流側位置決め部42と下流側位置決め部43とが径方向内向きにそれぞれ突設されている。
第一排気管41の中間部には窒素(N2 )ガス等の付着防止ガス44を第一排気管41の内側空間に導入するための付着防止ガス導入管45が接続されており、付着防止ガス導入管45には付着防止ガス供給装置(図示せず)がガス加熱装置70を介して接続されている。
すなわち、被覆管47は短尺であって第一排気管41の下流側位置決め部43の内径に対応した円形リング形状に形成されたセンタリング48を備えており、センタリング48は第一排気管41の下流側位置決め部43に嵌入されて同心円に位置決めされている。
センタリング48の外周にはフランジ部49が突設されており、フランジ部49の外周にはシールリング50が嵌着されている。センタリング48は第一排気管41と後記する第二排気管54との間にフランジ部49およびシールリング50を挟み込まれた状態で管継手部56によって締結されることにより固定されるようになっている。
また、被覆管47は短尺であって第一排気管41の内径よりもバッファ46の分だけ小径の円筒形状に形成された複数個のセグメントリング51を備えており、複数個のセグメントリング51が中心線を揃えて直列に配列されて隣合うもの同士が突合端部において嵌合されることにより一本の管構造に形成されている。
隣合うセグメントリング51、51の嵌合部には狭い隙間が形成されており、この隙間によって、バッファ46の付着防止ガス44を被覆管47の内側空間に流出させる流出口52が構成されている。
セグメントリング51はその一端と他端とで口径が異なっている。排気ガス流れの上流側で口径を大きく、下流側で口径を小さくし、隣接するセグメントリング51が一部重なるようにしている。このようにすることで、バッファ46内の付着防止ガスが被覆管47内に入り易くなり、また、入った後に被覆管47の内面に沿って流れ易くなる。さらに、被覆管47内を流れる排気ガスがバッファ46内に出ることを抑止するとともに、被覆管47の内側に付着することを抑止することができる。
被覆管47の最上流側端に配置されたセグメントリング51の上流側端部は第一排気管41の上流側位置決め部42に小さいクリアランスをもって嵌合されており、このクリアランスによってバッファ46の付着防止ガス44を排気口20に流出させる流出口53が構成されている。
そして、被覆管47の最下流側端に配置されたセグメントリング51の下流側端部がセンタリング48の内周に嵌入されることにより、被覆管47は第一排気管41の内側に所定のバッファ46を置いて同心円に固定されている。
第二排気管54の下流側端には第三排気管57が管継手部58によって接続されており、第三排気管57の途中には付着防止ガス44を第三排気管57の内側空間に導入する付着防止ガス導入管59が接続されており、付着防止ガス導入管59には付着防止ガス供給装置(図示せず)がガス加熱装置70を介して接続されている。
第三排気管57の下流側端には第四排気管60が管継手部61によって接続されており、第四排気管60の一端には副生成物除去ユニット62が管継手部63によって接続されている。
副生成物除去ユニット62の下流側端は第五排気管64が管継手部65によって接続されている。図示は省略するが、第五排気管64の下流側端は真空ポンプ等によって構成された排気装置に接続されている。
図1に示されているように、複数枚のウエハ1が装填されたボート25はシールキャップ23の上にウエハ1群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータによって上昇されて炉口15から処理室14に搬入(ボートローディング)されて行き、シールキャップ23に支持されたままの状態で処理室14に存置される。
この状態で、シールキャップ23は炉口15を気密シールした状態になる。
この際、排気口20が大口径に設定されていることにより、排気口20による排気路19に対する排気速度を従来例に比べて大きく設定することができるため、大きい排気速度によって排気路19やマニホールド16の表面に成膜ガスの残りや副生成物等の粒子が付着して堆積するのを防止することができる。
また、プロセスチューブ11の内部がヒータユニット30によって所定の温度(約600℃)に全体にわたって均一に加熱される。
ちなみに、NH3 ガスはSiH2 Cl2 ガスが導入される以前から導入される。また、処理中には、ボート25が回転軸24によって回転される。
成膜ガス71は処理室14を通過する際にウエハ1の表面に接触する。このウエハ1との接触に伴う成膜ガス71による熱CVD反応により、ウエハ1の表面にはSi3 N4 膜が堆積(デポジション)する。
特に、アンチモン等の昇華性のものが原料ガスとして使用される場合には、その発生が顕著になることが知られている。
すなわち、第一排気管41の付着防止ガス導入管45から供給された付着防止ガス44は第一排気管41と被覆管47との間のバッファ46に拡散し、バッファ46に排気管系40の排気力が作用しているため、被覆管47の複数の流出口52から被覆管47の内側空間に吸い出される。
被覆管47の内側空間に吸い出された付着防止ガス44は被覆管47の内周面に沿って流れることにより、被覆管47の内周面を被覆した状態になるために、排気ガスが被覆管47の内周面に接触することはない。
したがって、被覆管47すなわち第一排気管41の表面に成膜ガスの残りや副生成物および塵埃等の粒子が付着して堆積して行くのを防止することができる。また、被覆管47の上流側端の流出口53にも排気管系40の排気力が作用しているため、バッファ46に供給された付着防止ガス44の一部は被覆管47の上流側端の流出口53から排気口20に吸い出される。
排気口20に吸い出された付着防止ガス44は排気口20を被覆した状態になるため、排気ガスが排気口20の内周面に接触することはない。したがって、排気口20の表面に成膜ガスの残りや副生成物および塵埃等の粒子が付着して堆積して行くのを防止することができる。
したがって、第三排気管57の表面に成膜ガスの残りや副生成物および塵埃等の粒子が付着して堆積して行くのを防止することができる。
そして、排気ガス中の成膜ガスの残りや副生成物および塵埃等の粒子は副生成物除去ユニット62によって除去される。
このように加熱された付着防止ガス44がバッファ46、排気口20および第三排気管57に流れることにより、排気ガスの温度が下がるのを防止することができるため、副生成物が排気ガスによって生成されるのを防止することができ、その結果、成膜ガスの残りや副生成物および塵埃等の粒子が付着して堆積して行くのをより一層確実に防止することができる。
Claims (3)
- 基板を処理する処理室に排気口を介して一端が接続され他端が排気装置に接続され、前記処理室から排気された排気ガスを排気する排気管系を備えており、
該排気管系を構成する一つの排気管のうちの前記排気口と接続された排気管の内周面における前記排気口と接続された上流側端部と前記排気口とは反対側の下流側端部とには、上流側位置決め部と下流側位置決め部とが径方向内向きにそれぞれ突設されており、
前記排気管の内側には被覆管がバッファを介して挿入されており、
前記バッファは付着防止ガスが導入されるように構成されており、
前記被覆管は、該被覆管の最上流側端の径方向外側と前記上流側位置決め部の径方向内側との間にクリアランスをもって嵌合されており、該クリアランスによって前記付着防止ガスの一部が前記排気口の内周面を被覆するよう流出される流出口が構成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 基板を処理する処理室に排気口を介して一端が接続され他端が排気装置に接続され、前記処理室から排気された排気ガスを排気する排気管系であって、
前記排気口と接続された一つの排気管の内周面における前記排気口と接続された上流側端部と前記排気口とは反対側の下流側端部とには、上流側位置決め部と下流側位置決め部とが径方向内向きにそれぞれ突設され、
前記排気管の内側には被覆管が、付着防止ガスが導入されるように構成されるバッファを介して挿入され、
該被覆管は最上流側端の径方向外側が前記上流側位置決め部の径方向内側との間にクリアランスをもって嵌合され、該クリアランスによって前記付着防止ガスの一部が前記排気口の内周面を被覆するよう流出される流出口が構成されていることを特徴とする排気管系。 - 処理室に基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室を加熱し、前記処理室に成膜ガスを導入し、前記処理室に排気口を介して一端が接続され他端が排気装置に接続された排気管系にて前記処理室から排気ガスを排気し、基板を処理する処理工程と、を有し、
前記処理工程は、前記排気管系を構成する一つの排気管のうち、前記排気口と接続された排気管の内周面における前記排気口と接続された上流側端部と前記排気口とは反対側の下流側端部とには、上流側位置決め部と下流側位置決め部とが径方向内向きにそれぞれ突設された排気管の内側のバッファに付着防止ガスを供給し、前記排気管の内側に前記バッファを介して挿入された被覆管の最上流側端の径方向外側と前記上流側位置決め部の径方向内側との間にクリアランスをもって嵌合され、該クリアランスにて構成された流出口から前記付着防止ガスの一部が前記排気口の内周面を被覆するよう流出される、
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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