JP2006080098A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止する。
【解決手段】アウタチューブ3と共にプロセスチューブ1を構成したインナチューブ2は複数枚のウエハ10を保持したボート11が搬入される処理室4を形成しており、インナチューブ2とアウタチューブ3との下端部を気密封止したマニホールド6には排気口7が開設され、インナチューブ2には原料ガス30を導入するガス導入ノズル22が敷設されている。インナチューブ2のガス導入ノズル22の反対側には排気スリット25が開設され、インナチューブ2の外周には排気スリット25を被覆する排気ダクト26が突設されている。
【効果】排気スリットから排気された処理ガスを排気ダクトに流すことで、処理ガスがインナチューブ外周面に異物を生成するのを防止できるため、生成付着した異物が処理室に逆流してパーティクルになるのを未然に防止できる。
【選択図】 図1
【解決手段】アウタチューブ3と共にプロセスチューブ1を構成したインナチューブ2は複数枚のウエハ10を保持したボート11が搬入される処理室4を形成しており、インナチューブ2とアウタチューブ3との下端部を気密封止したマニホールド6には排気口7が開設され、インナチューブ2には原料ガス30を導入するガス導入ノズル22が敷設されている。インナチューブ2のガス導入ノズル22の反対側には排気スリット25が開設され、インナチューブ2の外周には排気スリット25を被覆する排気ダクト26が突設されている。
【効果】排気スリットから排気された処理ガスを排気ダクトに流すことで、処理ガスがインナチューブ外周面に異物を生成するのを防止できるため、生成付着した異物が処理室に逆流してパーティクルになるのを未然に防止できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等を堆積(デポジション)するのに利用して有効なものに関する。
【0002】
ICの製造方法において、ウエハにポリシリコンやシリコン窒化膜等のCVD膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)が、広く使用されている。従来のこの種のCVD装置としては、例えば、特開2000−311862号公報に示されているように、インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、複数枚のウエハを保持してインナチューブ内に搬入するボートと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を排気して減圧する排気口と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えており、ガス導入ノズルには複数個の噴出口がボートに保持された各ウエハに対応して開設され、インナチューブの側壁には排気孔が開設されているものがある。
【0003】
このCVD装置においては、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入ノズルによって導入されるとともに、ヒータユニットによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際、ガス導入ノズルの複数の噴出口から水平に噴出された原料ガスは、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触し、インナチューブに開設された排気孔からインナチューブの外部に排気口の排気力によって排気される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したCVD装置においては、排気孔から排気された原料ガスの一部がインナチューブとアウタチューブとの間に流れて局所的な淀みが発生すると、インナチューブの外周面に異物が付着しパーティクルが発生し易くなるという問題点がある。例えば、ポリシリコン膜を形成する場合においては、高温領域におけるモノシラン(SiH4 )の滞在期間が長くなると、気相中での分解反応が過度に進行してしまうために、シリコンが粉状になって析出しインナチューブの外周面に茶褐色の副生成物が付着しているのが、確認された。この副生成物はシランの中間生成物のシリレンが重合結合したもの[(SiH4 )n]であると考えられる。そして、インナチューブの外周面に付着した異物が剥離して処理室に逆流すると、ウエハの表面を汚染するパーティクルになる。
【0005】
本発明の目的は、処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止することができる基板処理技術を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板を処理する処理室と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記処理室の側壁に開設されて前記処理室を排気する排気孔と、この排気孔を被覆する排気ダクトとを備えており、
前記排気ダクトの周方向の幅Dと前記排気孔の周方向の幅との比が「70」以上に設定されていることを特徴とする。
【0007】
前記した手段において、ガスはガス導入口から処理室に導入される。処理室に導入されたガスは処理室の側壁に開設された排気孔から排気されるため、処理室を流れるガスは各基板にそれぞれ平行に流れる状態になる。各基板にそれぞれ平行に流れることにより、ガスは各基板の全面に均一に接触する状態になるため、各基板内における処理状態は均一になる。排気孔から排気された処理ガスは排気ダクトを流れることにより、処理室の側壁の外周面に沿って流れることはないため、処理ガスが処理室の側壁外周面に接触するのを防止することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る基板処理装置はCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
【0010】
図1に示されたCVD装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ1を備えており、プロセスチューブ1はインナチューブ2とアウタチューブ3とから構成されている。インナチューブ2およびアウタチューブ3はいずれも、石英ガラスや炭化シリコン(SiC)等の耐熱性の高い材料が用いられて円筒形状にそれぞれ一体成形されている。インナチューブ2は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室4を形成している。インナチューブ2の内径は取り扱うウエハ10の最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ3はインナチューブ2に対して大きめに相似し上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ2とアウタチューブ3との間には隙間5が一定幅の円形リング形状に形成されている。
【0011】
インナチューブ2とアウタチューブ3との間の下端部は円形リング形状に形成されたマニホールド6によって気密封止されており、マニホールド6はインナチューブ2およびアウタチューブ3についての保守点検作業や清掃作業のためにインナチューブ2およびアウタチューブ3に着脱自在に取り付けられている。マニホールド6がCVD装置の筐体(図示せず)に支持されることにより、プロセスチューブ1は垂直に据え付けられた状態になっている。マニホールド6の側壁の一部には排気口7が開設されており、排気口7は排気装置(図示せず)に接続されて処理室4の内部を所定の真空度に減圧し得るように構成されている。図2(b)に示されているように、排気口7には排気ダクト部8が連設されており、排気ダクト部8はアウタチューブ3に形成された後記する排気ダクト26に連結するように構成されている。
【0012】
マニホールド6には下端開口を閉塞するシールキャップ9が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ9はアウタチューブ3の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ1の外部に垂直に設備されたボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ9の中心線上には被処理物としてのウエハ10を保持するためのボート11が垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート11は上下で一対の端板12、13と、両端板12、13間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材14とを備えており、各保持部材14には多数条の保持溝15が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。ウエハ10の円周縁が複数本の保持部材14の同一の段の保持溝15間に挿入されることにより、複数枚のウエハ10は水平かつ互いに中心を揃えた状態に整列されて保持される。ボート11とシールキャップ9との間には上下で一対の補助端板16、17が複数本の補助保持部材18によって支持されて配設されており、各補助保持部材18には多数条の保持溝19が没設されている。
【0013】
アウタチューブ3の外部にはプロセスチューブ1内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するヒータユニット20が、アウタチューブ3を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット20はCVD装置の筐体に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【0014】
図1および図2に示されているように、処理室4の側壁であるインナチューブ2の側壁の排気口7と180度反対側の位置には、チャンネル形状の予備室21が径方向外向きに膨出されて垂直方向に長く延在するように形成されており、予備室21の内部にはガス導入ノズル22が垂直方向に延在するように配管されている。ガス導入ノズル22の入口部23はマニホールド6の側壁を径方向外向きに貫通してプロセスチューブ1の外部に突き出されており、入口部23には原料ガス供給装置や窒素ガス供給装置等(図示せず)が接続されている。ガス導入ノズル22にはガス導入口としての複数個の噴出口24が垂直方向に並べられて開設されており、噴出口24群の個数はボート11に保持されたウエハ10の枚数に一致されており、各噴出口24の高さ位置はボート11に保持された上下で隣合うウエハ10と10との間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【0015】
図1および図3に示されているように、インナチューブ2の側壁の予備室21と180度反対側の位置すなわち排気口7側の位置には、排気スリット25が垂直方向に細長く開設されており、排気スリット25の長さはボート11に保持されたウエハ10群の全長よりも長く延在するように設定されている。インナチューブ2の側壁の外周には排気スリット25を被覆する排気ダクト26が突設されている。排気ダクト26は横断面形状が略長方形の樋形状に形成されており、排気ダクト26の径方向の寸法はインナチューブ2とアウタチューブ3との隙間5の径方向の寸法以下に設定されている。図2(a)に示された排気ダクト26の周方向の幅Dと排気スリット25の周方向の幅Sとの比は「70」すなわち「D/S=70」に設定されている。排気ダクト26の下端面はマニホールド6の排気ダクト部8の上面に当接されており、排気ダクト26の内部は排気ダクト部8を通じて排気口7によって排気されるようになっている。また、図2(b)に示されているように、マニホールド6の側壁には、隙間5に窒素ガスを供給する窒素ガス供給管27が接続されている。
【0016】
次に、前記構成に係るCVD装置の作用および効果を、本発明の一実施の形態であるICの製造方法における成膜工程を例にして説明する。
【0017】
ウエハチャージングステップにおいて、ウエハ10はボート11に、その円周縁部が対向する複数箇所において保持部材14の保持溝15間にそれぞれ係合するように挿入されて行き、複数箇所の円周縁部が各保持溝15に係合されて自重を支えられるように装填(チャージング)されて保持される。複数枚のウエハ10はボート11におけるチャージング状態においてその中心を揃えられて互いに平行かつ水平に整列されている。
【0018】
ボートローディングステップにおいて、複数枚のウエハ10を整列保持したボート11はボートエレベータにより差し上げられるようにして、インナチューブ2の処理室4に搬入(ボートローディング)されて行き、処理室4に図1および図3に示されているように存置される。この状態において、シールキャップ9は処理室4をシールした状態になる。
【0019】
続いて、減圧ステップにおいて、プロセスチューブ1の内部が排気口7に作用する排気力によって所定の真空度(例えば、200Pa)に減圧されるとともに、昇温ステップにおいて、プロセスチューブ1の内部がヒータユニット20によって所定の温度(例えば、400℃)に昇温される。
【0020】
次いで、成膜ステップにおいて、所定の原料ガス30がガス導入ノズル22の入口部23に常圧(大気圧)で供給されると、原料ガス30は、ガス導入ノズル22を流通して複数個の噴出口24からインナチューブ2の処理室4に導入される。例えば、ドープドポリシリコンが拡散される場合においては、原料ガス30としてはモノシラン(SiH4 )およびホスフィン(PH3 )が処理室4に導入される。また、図2(b)に示されているように、窒素ガス31が隙間5に窒素ガス供給管27によって供給される。
【0021】
処理室4に導入された原料ガス30はインナチューブ2の側壁に垂直方向に細長く開設された排気スリット25から排気ダクト26に流出して排気ダクト部8を経由してマニホールド6に開設された排気口7から排気される。この際、ガス導入ノズル22と排気スリット25とは互いに180度離れて対向するようにそれぞれ配置されているために、ガス導入ノズル22の各噴出口24からそれぞれ噴出された原料ガス30は処理室4を反対側の排気スリット25に向かって水平に流れ、各ウエハ10に対してそれぞれ平行に流れる。しかも、複数個の噴出口24のそれぞれは上下で隣合うウエハ10と10との間に対向するようにそれぞれ配置されているため、各噴出口24からそれぞれ噴出された原料ガス30は上下で隣合うウエハ10と10との間の空間のそれぞれに流れ込んで確実に平行に流れる。ウエハ10の表面に接触しながら上下で隣合うウエハ10と10との間の空間を平行に流れて行く原料ガス30のCVD反応によって、ウエハ10の表面にはCVD膜が堆積する。例えば、モノシランとホスフィンとが導入された場合には、ドープドポリシリコン膜がウエハ10に堆積する。この際、原料ガス30は各ウエハ10内の全面にわたってそれぞれ均一に接触するため、CVD膜の堆積状態は各ウエハ10内において全体にわたって膜厚および膜質共に均一になる。
【0022】
本実施の形態においては、排気孔が細長い排気スリット25によって構成され、かつ、排気ダクト26の周方向の幅Dと排気スリット25の周方向の幅Sとの比が「70」すなわち「D/S=70」に設定されていることにより、排気スリット25の全長にわたって一定の流量を発生させることができるため、ボート11によって保持されたウエハ10群の各ウエハ10に形成された膜厚および膜質は、ウエハ10群におけるボート11の全長にわたって均一になる。
【0023】
ここで、排気ダクト26の周方向の幅Dと排気スリット25の周方向の幅Sとの比(以下、D/Sという。)をパラメータとして排気スリット25の上下におけるガスの流速をシミュレーションしたところ、図4に示されたグラフが得られた。図4において、横軸にはD/Sが取られ、縦軸には排気スリット25の上部におけるガスの流量Aと下部におけるガスの流量Bとの比(以下、A/Bという。)によって表される流れの均一性が取られている。なお、シミュレーションにおける条件は、次の通りである。排気ダクト26の径方向の寸法は15mm。排気スリット25の長さはボート11に保持されたウエハ群の長さと略同一。処理室の圧力は300Pa。ガスの種類はシラン。ガス導入ノズル22の流速は400cc/分(立方センチメートル毎分)、800cc/分、1200cc/分。
【0024】
図4によれば、400cc/分、800cc/分、1200cc/分のいずれの流速においても、ガスが排気スリット25で均一に流れる場合すなわちA/Bが「1」になる場合のD/Sは「70」であることが、理解される。したがって、「D/S=70」に設定されていると、原料ガス30は排気スリット25をその上下の全長にわたって一定の流量をもって流れることになる。
【0025】
そして、本実施の形態においては、排気スリット25が排気ダクト26によって被覆されていることにより、排気スリット25から排気された原料ガス30はインナチューブ2とアウタチューブ3との間の隙間5に流出することがないため、インナチューブの外周面にシランの副生成物が付着することはない。したがって、インナチューブ2の外周面に付着した副生成物が剥離して処理室4に逆流する現象が発生することはなく、そのパーティクルの飛散によるウエハ10の表面の汚染の危険性を解消することができる。また、排気ダクト26からの原料ガス30の漏洩は、窒素ガス供給管27から隙間5に供給された窒素ガス31によって確実に防止される。
【0026】
以上のようにして所望のCVD膜(例えば、ドープドポリシリコン膜)が堆積された後に、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ9が下降されることによって処理室4が開口されるとともに、ボート11に保持された状態で処理済みのウエハ10群が処理室4からプロセスチューブ1の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
【0027】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0028】
例えば、プロセスチューブはインナチューブとアウタチューブとによって構成するに限らず、アウタチューブは省略してもよい。
【0029】
D/S=70に設定するに限らず、例えば、A/B=1±5%とすると、D/S=60以上に設定してもよい。
【0030】
排気孔は一連の長孔である排気スリットによって構成するに限らず、複数個の孔によって構成してもよい。また、排気スリットおよび複数個の孔によって構成された排気孔の周方向の幅Sは、全長にわたって同一に設定するに限らず、増減させてもよい。
【0031】
排気ダクトの周方向の幅Dおよび径方向の深さは、全長にわたって同一に設定するに限らず、増減させてもよい。
【0032】
ガス導入ノズルに開設する噴出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、噴出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【0033】
ガス導入ノズルはインナチューブに膨出形成された予備室に敷設するに限らず、処理室の側壁内周に沿って敷設してもよい。また、ガス導入口はガス導入ノズルに開設するに限らず、マニホールドや処理室に開設してもよい。
【0034】
前記実施の形態では処理がウエハに施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【0035】
前記実施の形態では、ドープドポリシリコン膜の堆積について説明したが、ドープドポリシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のCVD膜の成膜方法全般に適用することができる。さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法は酸化膜形成工程や拡散工程等の半導体装置の製造方法における熱処理(thermal treatment )工程全般に適用することができる。
【0036】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形減圧CVD装置や酸化膜形成装置や拡散装置および他の熱処理装置(furnace )等の基板処理装置全般に適用することができる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す正面断面図である。
【図2】(a)は図1のa−a線に沿う平面断面図、(b)は図1のb−b線に沿う平面断面図である。
【図3】図1のc−c線に沿う側面断面図である。
【図4】D/Sとガスの流れの均一性との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1…プロセスチューブ、2…インナチューブ、3…アウタチューブ、4…処理室、5…隙間、6…マニホールド、7…排気口、8…排気ダクト部、9…シールキャップ、10…ウエハ(基板)、11…ボート、12、13…端板、14…保持部材、15…保持溝、16、17…補助端板、18…補助保持部材、19…保持溝、20…ヒータユニット、21…予備室、22…ガス導入ノズル、23…入口部、24…噴出口(ガス導入口)、25…排気スリット(排気孔)、26…排気ダクト、27…窒素ガス供給管、30…原料ガス、31…窒素ガス。
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等を堆積(デポジション)するのに利用して有効なものに関する。
【0002】
ICの製造方法において、ウエハにポリシリコンやシリコン窒化膜等のCVD膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)が、広く使用されている。従来のこの種のCVD装置としては、例えば、特開2000−311862号公報に示されているように、インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、複数枚のウエハを保持してインナチューブ内に搬入するボートと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を排気して減圧する排気口と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えており、ガス導入ノズルには複数個の噴出口がボートに保持された各ウエハに対応して開設され、インナチューブの側壁には排気孔が開設されているものがある。
【0003】
このCVD装置においては、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入ノズルによって導入されるとともに、ヒータユニットによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際、ガス導入ノズルの複数の噴出口から水平に噴出された原料ガスは、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触し、インナチューブに開設された排気孔からインナチューブの外部に排気口の排気力によって排気される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したCVD装置においては、排気孔から排気された原料ガスの一部がインナチューブとアウタチューブとの間に流れて局所的な淀みが発生すると、インナチューブの外周面に異物が付着しパーティクルが発生し易くなるという問題点がある。例えば、ポリシリコン膜を形成する場合においては、高温領域におけるモノシラン(SiH4 )の滞在期間が長くなると、気相中での分解反応が過度に進行してしまうために、シリコンが粉状になって析出しインナチューブの外周面に茶褐色の副生成物が付着しているのが、確認された。この副生成物はシランの中間生成物のシリレンが重合結合したもの[(SiH4 )n]であると考えられる。そして、インナチューブの外周面に付着した異物が剥離して処理室に逆流すると、ウエハの表面を汚染するパーティクルになる。
【0005】
本発明の目的は、処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止することができる基板処理技術を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板を処理する処理室と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記処理室の側壁に開設されて前記処理室を排気する排気孔と、この排気孔を被覆する排気ダクトとを備えており、
前記排気ダクトの周方向の幅Dと前記排気孔の周方向の幅との比が「70」以上に設定されていることを特徴とする。
【0007】
前記した手段において、ガスはガス導入口から処理室に導入される。処理室に導入されたガスは処理室の側壁に開設された排気孔から排気されるため、処理室を流れるガスは各基板にそれぞれ平行に流れる状態になる。各基板にそれぞれ平行に流れることにより、ガスは各基板の全面に均一に接触する状態になるため、各基板内における処理状態は均一になる。排気孔から排気された処理ガスは排気ダクトを流れることにより、処理室の側壁の外周面に沿って流れることはないため、処理ガスが処理室の側壁外周面に接触するのを防止することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る基板処理装置はCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
【0010】
図1に示されたCVD装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ1を備えており、プロセスチューブ1はインナチューブ2とアウタチューブ3とから構成されている。インナチューブ2およびアウタチューブ3はいずれも、石英ガラスや炭化シリコン(SiC)等の耐熱性の高い材料が用いられて円筒形状にそれぞれ一体成形されている。インナチューブ2は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室4を形成している。インナチューブ2の内径は取り扱うウエハ10の最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ3はインナチューブ2に対して大きめに相似し上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ2とアウタチューブ3との間には隙間5が一定幅の円形リング形状に形成されている。
【0011】
インナチューブ2とアウタチューブ3との間の下端部は円形リング形状に形成されたマニホールド6によって気密封止されており、マニホールド6はインナチューブ2およびアウタチューブ3についての保守点検作業や清掃作業のためにインナチューブ2およびアウタチューブ3に着脱自在に取り付けられている。マニホールド6がCVD装置の筐体(図示せず)に支持されることにより、プロセスチューブ1は垂直に据え付けられた状態になっている。マニホールド6の側壁の一部には排気口7が開設されており、排気口7は排気装置(図示せず)に接続されて処理室4の内部を所定の真空度に減圧し得るように構成されている。図2(b)に示されているように、排気口7には排気ダクト部8が連設されており、排気ダクト部8はアウタチューブ3に形成された後記する排気ダクト26に連結するように構成されている。
【0012】
マニホールド6には下端開口を閉塞するシールキャップ9が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ9はアウタチューブ3の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ1の外部に垂直に設備されたボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ9の中心線上には被処理物としてのウエハ10を保持するためのボート11が垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート11は上下で一対の端板12、13と、両端板12、13間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材14とを備えており、各保持部材14には多数条の保持溝15が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。ウエハ10の円周縁が複数本の保持部材14の同一の段の保持溝15間に挿入されることにより、複数枚のウエハ10は水平かつ互いに中心を揃えた状態に整列されて保持される。ボート11とシールキャップ9との間には上下で一対の補助端板16、17が複数本の補助保持部材18によって支持されて配設されており、各補助保持部材18には多数条の保持溝19が没設されている。
【0013】
アウタチューブ3の外部にはプロセスチューブ1内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するヒータユニット20が、アウタチューブ3を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット20はCVD装置の筐体に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【0014】
図1および図2に示されているように、処理室4の側壁であるインナチューブ2の側壁の排気口7と180度反対側の位置には、チャンネル形状の予備室21が径方向外向きに膨出されて垂直方向に長く延在するように形成されており、予備室21の内部にはガス導入ノズル22が垂直方向に延在するように配管されている。ガス導入ノズル22の入口部23はマニホールド6の側壁を径方向外向きに貫通してプロセスチューブ1の外部に突き出されており、入口部23には原料ガス供給装置や窒素ガス供給装置等(図示せず)が接続されている。ガス導入ノズル22にはガス導入口としての複数個の噴出口24が垂直方向に並べられて開設されており、噴出口24群の個数はボート11に保持されたウエハ10の枚数に一致されており、各噴出口24の高さ位置はボート11に保持された上下で隣合うウエハ10と10との間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【0015】
図1および図3に示されているように、インナチューブ2の側壁の予備室21と180度反対側の位置すなわち排気口7側の位置には、排気スリット25が垂直方向に細長く開設されており、排気スリット25の長さはボート11に保持されたウエハ10群の全長よりも長く延在するように設定されている。インナチューブ2の側壁の外周には排気スリット25を被覆する排気ダクト26が突設されている。排気ダクト26は横断面形状が略長方形の樋形状に形成されており、排気ダクト26の径方向の寸法はインナチューブ2とアウタチューブ3との隙間5の径方向の寸法以下に設定されている。図2(a)に示された排気ダクト26の周方向の幅Dと排気スリット25の周方向の幅Sとの比は「70」すなわち「D/S=70」に設定されている。排気ダクト26の下端面はマニホールド6の排気ダクト部8の上面に当接されており、排気ダクト26の内部は排気ダクト部8を通じて排気口7によって排気されるようになっている。また、図2(b)に示されているように、マニホールド6の側壁には、隙間5に窒素ガスを供給する窒素ガス供給管27が接続されている。
【0016】
次に、前記構成に係るCVD装置の作用および効果を、本発明の一実施の形態であるICの製造方法における成膜工程を例にして説明する。
【0017】
ウエハチャージングステップにおいて、ウエハ10はボート11に、その円周縁部が対向する複数箇所において保持部材14の保持溝15間にそれぞれ係合するように挿入されて行き、複数箇所の円周縁部が各保持溝15に係合されて自重を支えられるように装填(チャージング)されて保持される。複数枚のウエハ10はボート11におけるチャージング状態においてその中心を揃えられて互いに平行かつ水平に整列されている。
【0018】
ボートローディングステップにおいて、複数枚のウエハ10を整列保持したボート11はボートエレベータにより差し上げられるようにして、インナチューブ2の処理室4に搬入(ボートローディング)されて行き、処理室4に図1および図3に示されているように存置される。この状態において、シールキャップ9は処理室4をシールした状態になる。
【0019】
続いて、減圧ステップにおいて、プロセスチューブ1の内部が排気口7に作用する排気力によって所定の真空度(例えば、200Pa)に減圧されるとともに、昇温ステップにおいて、プロセスチューブ1の内部がヒータユニット20によって所定の温度(例えば、400℃)に昇温される。
【0020】
次いで、成膜ステップにおいて、所定の原料ガス30がガス導入ノズル22の入口部23に常圧(大気圧)で供給されると、原料ガス30は、ガス導入ノズル22を流通して複数個の噴出口24からインナチューブ2の処理室4に導入される。例えば、ドープドポリシリコンが拡散される場合においては、原料ガス30としてはモノシラン(SiH4 )およびホスフィン(PH3 )が処理室4に導入される。また、図2(b)に示されているように、窒素ガス31が隙間5に窒素ガス供給管27によって供給される。
【0021】
処理室4に導入された原料ガス30はインナチューブ2の側壁に垂直方向に細長く開設された排気スリット25から排気ダクト26に流出して排気ダクト部8を経由してマニホールド6に開設された排気口7から排気される。この際、ガス導入ノズル22と排気スリット25とは互いに180度離れて対向するようにそれぞれ配置されているために、ガス導入ノズル22の各噴出口24からそれぞれ噴出された原料ガス30は処理室4を反対側の排気スリット25に向かって水平に流れ、各ウエハ10に対してそれぞれ平行に流れる。しかも、複数個の噴出口24のそれぞれは上下で隣合うウエハ10と10との間に対向するようにそれぞれ配置されているため、各噴出口24からそれぞれ噴出された原料ガス30は上下で隣合うウエハ10と10との間の空間のそれぞれに流れ込んで確実に平行に流れる。ウエハ10の表面に接触しながら上下で隣合うウエハ10と10との間の空間を平行に流れて行く原料ガス30のCVD反応によって、ウエハ10の表面にはCVD膜が堆積する。例えば、モノシランとホスフィンとが導入された場合には、ドープドポリシリコン膜がウエハ10に堆積する。この際、原料ガス30は各ウエハ10内の全面にわたってそれぞれ均一に接触するため、CVD膜の堆積状態は各ウエハ10内において全体にわたって膜厚および膜質共に均一になる。
【0022】
本実施の形態においては、排気孔が細長い排気スリット25によって構成され、かつ、排気ダクト26の周方向の幅Dと排気スリット25の周方向の幅Sとの比が「70」すなわち「D/S=70」に設定されていることにより、排気スリット25の全長にわたって一定の流量を発生させることができるため、ボート11によって保持されたウエハ10群の各ウエハ10に形成された膜厚および膜質は、ウエハ10群におけるボート11の全長にわたって均一になる。
【0023】
ここで、排気ダクト26の周方向の幅Dと排気スリット25の周方向の幅Sとの比(以下、D/Sという。)をパラメータとして排気スリット25の上下におけるガスの流速をシミュレーションしたところ、図4に示されたグラフが得られた。図4において、横軸にはD/Sが取られ、縦軸には排気スリット25の上部におけるガスの流量Aと下部におけるガスの流量Bとの比(以下、A/Bという。)によって表される流れの均一性が取られている。なお、シミュレーションにおける条件は、次の通りである。排気ダクト26の径方向の寸法は15mm。排気スリット25の長さはボート11に保持されたウエハ群の長さと略同一。処理室の圧力は300Pa。ガスの種類はシラン。ガス導入ノズル22の流速は400cc/分(立方センチメートル毎分)、800cc/分、1200cc/分。
【0024】
図4によれば、400cc/分、800cc/分、1200cc/分のいずれの流速においても、ガスが排気スリット25で均一に流れる場合すなわちA/Bが「1」になる場合のD/Sは「70」であることが、理解される。したがって、「D/S=70」に設定されていると、原料ガス30は排気スリット25をその上下の全長にわたって一定の流量をもって流れることになる。
【0025】
そして、本実施の形態においては、排気スリット25が排気ダクト26によって被覆されていることにより、排気スリット25から排気された原料ガス30はインナチューブ2とアウタチューブ3との間の隙間5に流出することがないため、インナチューブの外周面にシランの副生成物が付着することはない。したがって、インナチューブ2の外周面に付着した副生成物が剥離して処理室4に逆流する現象が発生することはなく、そのパーティクルの飛散によるウエハ10の表面の汚染の危険性を解消することができる。また、排気ダクト26からの原料ガス30の漏洩は、窒素ガス供給管27から隙間5に供給された窒素ガス31によって確実に防止される。
【0026】
以上のようにして所望のCVD膜(例えば、ドープドポリシリコン膜)が堆積された後に、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ9が下降されることによって処理室4が開口されるとともに、ボート11に保持された状態で処理済みのウエハ10群が処理室4からプロセスチューブ1の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
【0027】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0028】
例えば、プロセスチューブはインナチューブとアウタチューブとによって構成するに限らず、アウタチューブは省略してもよい。
【0029】
D/S=70に設定するに限らず、例えば、A/B=1±5%とすると、D/S=60以上に設定してもよい。
【0030】
排気孔は一連の長孔である排気スリットによって構成するに限らず、複数個の孔によって構成してもよい。また、排気スリットおよび複数個の孔によって構成された排気孔の周方向の幅Sは、全長にわたって同一に設定するに限らず、増減させてもよい。
【0031】
排気ダクトの周方向の幅Dおよび径方向の深さは、全長にわたって同一に設定するに限らず、増減させてもよい。
【0032】
ガス導入ノズルに開設する噴出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、噴出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【0033】
ガス導入ノズルはインナチューブに膨出形成された予備室に敷設するに限らず、処理室の側壁内周に沿って敷設してもよい。また、ガス導入口はガス導入ノズルに開設するに限らず、マニホールドや処理室に開設してもよい。
【0034】
前記実施の形態では処理がウエハに施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【0035】
前記実施の形態では、ドープドポリシリコン膜の堆積について説明したが、ドープドポリシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のCVD膜の成膜方法全般に適用することができる。さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法は酸化膜形成工程や拡散工程等の半導体装置の製造方法における熱処理(thermal treatment )工程全般に適用することができる。
【0036】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形減圧CVD装置や酸化膜形成装置や拡散装置および他の熱処理装置(furnace )等の基板処理装置全般に適用することができる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す正面断面図である。
【図2】(a)は図1のa−a線に沿う平面断面図、(b)は図1のb−b線に沿う平面断面図である。
【図3】図1のc−c線に沿う側面断面図である。
【図4】D/Sとガスの流れの均一性との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1…プロセスチューブ、2…インナチューブ、3…アウタチューブ、4…処理室、5…隙間、6…マニホールド、7…排気口、8…排気ダクト部、9…シールキャップ、10…ウエハ(基板)、11…ボート、12、13…端板、14…保持部材、15…保持溝、16、17…補助端板、18…補助保持部材、19…保持溝、20…ヒータユニット、21…予備室、22…ガス導入ノズル、23…入口部、24…噴出口(ガス導入口)、25…排気スリット(排気孔)、26…排気ダクト、27…窒素ガス供給管、30…原料ガス、31…窒素ガス。
Claims (4)
- 複数枚の基板を処理する処理室と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記処理室の側壁に前記ボートに保持された前記複数枚の基板の全長よりも長く延びるように開設されて前記処理室を排気する排気スリットとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
- 複数枚の基板を処理する処理室と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記処理室の側壁に開設されて前記処理室を排気する排気孔と、この排気孔を被覆する排気ダクトとを備えており、
前記排気ダクトの周方向の幅Dと前記排気孔の周方向の幅との比が「70」以上に設定されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理室の側壁の外側にはアウタチューブが設置されており、前記処理室と前記アウタチューブとの間の空間には窒素ガスが供給されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 複数枚の基板を保持したボートを処理室に搬入するステップと、処理ガスを前記処理室へ前記基板の主面に対して平行に導入し、この処理ガスを前記処理室の側壁に開設された排気孔およびこの排気孔を被覆した排気ダクトを通して排気するステップと、前記処理ガスの供給を停止するステップと、前記処理室から前記ボートを搬出するステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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