JP4404666B2 - 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4404666B2 JP4404666B2 JP2004093043A JP2004093043A JP4404666B2 JP 4404666 B2 JP4404666 B2 JP 4404666B2 JP 2004093043 A JP2004093043 A JP 2004093043A JP 2004093043 A JP2004093043 A JP 2004093043A JP 4404666 B2 JP4404666 B2 JP 4404666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- wafer
- support portion
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが収容されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に成膜ガス等を供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えており、待機室において複数枚のウエハがボートに装填(ウエハチャージング)された後に、待機室から予熱された処理室に搬入(ボートローディング)され、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜が堆積するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
従来のこの種のCVD装置においてボートローディングする方法としては、処理室および待機室が共に大気圧の状態でボートローディングする方法と、処理室および待機室を窒素(N2 )ガスに置換(パージ)してボートローディングする方法と、処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする方法とがある。
処理室および待機室が共に大気圧の状態でボートローディングする方法においては、ボートローディング時に自然酸化膜が生成し易いため、ICの製造方法の歩留りに悪影響が及ぶという問題点がある。
処理室および待機室を窒素ガスに置換してボートローディングする方法においては、大気圧の状態でボートローディングする場合に比べて自然酸化膜の生成を抑制することができるが、置換された窒素ガスから完全に酸素(O2 )を除去することはできないために、ある程度の自然酸化膜は増加してしまう。
処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする方法においては、酸素を略完全に除去することができるため、窒素ガス雰囲気下でボートローディングする方法に比べて、自然酸化膜の増加をさらに抑制することができる。
(1)基板を処理する処理室と、前記基板を支持する基板支持体と、この基板支持体を収容する待機室と、前記基板を支持した前記基板支持体を前記待機室から前記処理室へ搬入する際の前記待機室および前記処理室の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する制御装置と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
(2)基板を処理する処理室と、この処理室で前記基板を支持する基板支持体とを有し、CVD法によって前記基板に薄膜を堆積させる処理を実施する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
(3)前記(1)において、前記支持部と前記基板とが接触する角部にR面取り部またはC面取り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
(4)前記(2)において、前記支持部と前記基板とが接触する角部にR面取り部またはC面取り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
(5)基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられている基板支持体に前記基板を支持するステップと、
前記基板を支持した前記基板支持体を大気圧よりも低い圧力で処理室に搬入するステップと、
前記処理室において前記基板支持体によって支持された前記基板を処理するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(6)基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられている基板支持体により前記基板を支持するステップと、
前記基板を前記基板支持体によって支持した状態でCVD法によって前記基板に薄膜を堆積させるステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
本実施の形態においては、本発明に係る半導体装置の製造方法における成膜工程は、図1および図2に示されたCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)によって実施される。
図1および図2に示されたCVD装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11はインナチューブ12とアウタチューブ13とから構成されている。インナチューブ12は石英(SiO2 )または炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ13は石英または炭化シリコンが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ12は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成している。インナチューブ12の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口15を構成している。したがって、インナチューブ12の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ13は内径がインナチューブ12の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ12の下端とアウタチューブ13の下端との間は円形リング形状に形成されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16がCVD装置の筐体31によって支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられている。マニホールド16の下端開口は炉口ゲートバルブ29によって開閉されるようになっている。
また、支持部28の外側端部には、ウエハ1の外周縁との接触を避けるための逃げ溝27が設けられているので、特に、ウエハ1の外周部についてはウエハ1の外周縁と支持部28の擦れによるパーティクルの発生自体を防止することができる。
Claims (5)
- 基板を支持する基板支持体であって、
垂直に配設された複数の保持部材を有し、前記各保持部材には、複数の保持溝が設けられ、前記各保持溝には前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とが形成されており、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられ、該逃げ溝の底面は、前記支持部の前記基板との接触部よりも低い位置であって、前記受け皿部よりも高い位置にあることを特徴とする基板支持体。 - 基板を処理する処理室と、この処理室内で前記基板を支持する基板支持体と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は、垂直に配設された複数の保持部材を有し、前記各保持部材には、複数の保持溝が設けられ、前記各保持溝には前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とが形成されており、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられ、該逃げ溝の底面は、前記支持部の前記基板との接触部よりも低い位置であって、前記受け皿部よりも高い位置にあることを特徴とする基板処理装置。 - 前記逃げ溝は、前記基板の周方向に倣うように設けられていることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記支持部と前記基板とが接触する角部にR面取り部またはC面取り部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 垂直に配設された複数の保持部材を有し、前記各保持部材には、複数の保持溝が設けられ、前記各保持溝には基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とが形成されており、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられ、該逃げ溝の底面は、前記支持部の前記基板との接触部よりも低い位置であって、前記受け皿部よりも高い位置にある基板支持体により基板を支持するステップと、
前記基板支持体により支持した基板を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室で基板を前記基板支持体により支持した状態で処理するステップと、
前記基板支持体により支持した処理後の基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004093043A JP4404666B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004093043A JP4404666B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005285819A JP2005285819A (ja) | 2005-10-13 |
JP4404666B2 true JP4404666B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=35183918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004093043A Expired - Lifetime JP4404666B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4404666B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4812675B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-11-09 | コバレントマテリアル株式会社 | 縦型ウエハボート |
JP4987580B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2012-07-25 | コバレントマテリアル株式会社 | 縦型ウエハボート |
JP6006538B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-10-12 | 株式会社日本マイクロニクス | 吸着テーブル |
JP7022589B2 (ja) * | 2018-01-05 | 2022-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004093043A patent/JP4404666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005285819A (ja) | 2005-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4759073B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
US11495477B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5188326B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
JP3341619B2 (ja) | 成膜装置 | |
US11104995B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US9816183B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2010153467A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI736687B (zh) | 處理裝置及蓋構件 | |
JPWO2007018139A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP4652408B2 (ja) | 基板処理装置、反応管、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4404666B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP2009016426A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2005056905A (ja) | 基板処理装置 | |
JPWO2020059093A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
KR102674572B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 온도 조정 방법 | |
JP2010016033A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2011204735A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009016532A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008227143A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004079845A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005209754A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2023087385A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム | |
JP2006093585A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091027 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091102 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4404666 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |