JP2003297815A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2003297815A JP2003297815A JP2002100296A JP2002100296A JP2003297815A JP 2003297815 A JP2003297815 A JP 2003297815A JP 2002100296 A JP2002100296 A JP 2002100296A JP 2002100296 A JP2002100296 A JP 2002100296A JP 2003297815 A JP2003297815 A JP 2003297815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling water
- seal cap
- gas
- flow rate
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 副生成物の付着やクリーニングガスによる腐
食の発生を防止する。 【解決手段】 ウエハ板を収容して処理する処理室14
と、処理室14に処理ガスおよびクリーニングガスを供
給するガス供給管20と、処理室14の炉口16を開閉
するシールキャップ23と、シールキャップ23に形成
された冷却水路38と、冷却水路38に冷却水50を供
給する冷却水供給装置41とを備えているCVD装置に
おいて、冷却水供給装置41は処理ガスの供給時に小流
量の冷却水を流量させる小流量水路43と、クリーニン
グガスの供給時に大流量の冷却水を流通させる大流量水
路44とを切り換えるように構成されている。 【効果】 処理ガス供給時のシールキャップの冷え過ぎ
による副生成物の付着を防止でき、クリーニングガス供
給時のシールキャップの温め過ぎによる腐食を防止でき
る。
食の発生を防止する。 【解決手段】 ウエハ板を収容して処理する処理室14
と、処理室14に処理ガスおよびクリーニングガスを供
給するガス供給管20と、処理室14の炉口16を開閉
するシールキャップ23と、シールキャップ23に形成
された冷却水路38と、冷却水路38に冷却水50を供
給する冷却水供給装置41とを備えているCVD装置に
おいて、冷却水供給装置41は処理ガスの供給時に小流
量の冷却水を流量させる小流量水路43と、クリーニン
グガスの供給時に大流量の冷却水を流通させる大流量水
路44とを切り換えるように構成されている。 【効果】 処理ガス供給時のシールキャップの冷え過ぎ
による副生成物の付着を防止でき、クリーニングガス供
給時のシールキャップの温め過ぎによる腐食を防止でき
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特に、処理室に処理ガスを供給して基板に処理を施す半
導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以
下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を
含む集積回路が作り込まれるシリコンウエハ(以下、ウ
エハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )等を堆積
(デポジション)させるCVD装置に利用して有効なも
のに関する。 【0002】 【従来の技術】ICの製造方法において、ウエハに窒化
シリコンや酸化シリコンおよびポリシリコン等のCVD
膜を形成するのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧C
VD装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウ
オール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)
は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチ
ューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に
設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによ
って形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供
給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、
プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒー
タユニットと、処理室の炉口を開閉するシールキャップ
と、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウ
エハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハ
がボートによって垂直方向に整列されて保持された状態
で処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)
され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態
で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとと
もに、ヒータユニットによって処理室が加熱されること
により、ウエハの上にCVD膜が堆積するように構成さ
れている。 【0003】従来のこの種のCVD装置においては、シ
ールキャップには耐熱性樹脂によって形成されたシール
リングが敷設されており、このシールリングを保護する
ためにシールキャップの内部に冷却水路が敷設され、こ
の冷却水路には冷却水が冷却水供給装置によって流通さ
れるようになっている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】シールキャップが冷却
水によって冷却されるように構成されたCVD装置にお
いては、窒化シリコンが成膜される場合にはシールキャ
ップが冷え過ぎると、窒化シリコンの副生成物がシール
キャップに付着する現象が発見された。そこで、シール
キャップの冷え過ぎを防止するために、シールキャップ
を冷却する冷却水の流量を小さく設定する必要がある
と、考えられる。 【0005】他方、このようなCVD装置において処理
室に堆積した成膜ガスの生成物や副生成物を除去するた
めに、三弗化塩素等のクリーニングガスを処理室に供給
する場合には、ステンレス鋼等の金属によって形成され
たシールキャップが約100℃以上の温度において腐食
し始めることが、知られている。そこで、このようなC
VD装置においては、クリーニング作業を実施するに際
して、シールキャップの腐食防止のために、シールキャ
ップを冷却する冷却水の流量を大きく設定する必要があ
ると、考えられる。 【0006】しかしながら、CVD装置の実際の運用に
際して、作業者がシールキャップを冷却する冷却水の流
量を各膜種毎やクリーニング作業毎に設定し直していた
のでは、作業能率が低下するばかりでなく、人為的なミ
スが介入する危惧があるため、結局、シールキャップの
冷え過ぎによる窒化シリコンのシールキャップへの付着
や、クリーニングガスによるシールキャップの腐食が発
生してしまう危惧が残ることになる。 【0007】本発明の目的は、副生成物等の付着やクリ
ーニングガスによる腐食の発生を確実に防止することが
できる半導体製造装置を提供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、基板を収容して処理する処理室と、この処理室
に処理ガスおよびクリーニングガスを供給するガス供給
管と、前記処理室の炉口を開閉するシールキャップと、
このシールキャップおよび炉口の少なくとも一方に形成
された冷却水路と、この冷却水路に冷却水を供給する冷
却水供給装置とを備えている半導体製造装置において、
前記冷却水供給装置は前記処理ガスの供給時の冷却水の
流量と、前記クリーニングガスの供給時の冷却水の流量
とを切り換えるように構成されていることを特徴とす
る。 【0009】前記した手段によれば、処理ガス供給時の
冷却水の流量とクリーニングガス供給時の冷却水の流量
とを切り換えることができるため、シールキャップおよ
び炉口の冷え過ぎによる副生成物の付着と、シールキャ
ップおよび炉口の温め過ぎによる腐食とを確実に防止す
ることができる。 【0010】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0011】図1に示されているように、本実施の形態
に係るCVD装置は、中心線が垂直になるように縦に配
されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11
を備えている。プロセスチューブ11は互いに同心円に
配置されたアウタチューブ12とインナチューブ13と
を備えており、アウタチューブ12は石英ガラスが使用
されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形
されており、インナチューブ13は石英ガラスまたは炭
化シリコンが使用されて上下両端が開口された円筒形状
に形成されている。インナチューブ13の筒中空部はボ
ートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚
のウエハが搬入される処理室14を形成しており、イン
ナチューブ13の内径は被処理基板としてのウエハの最
大外径よりも大きく設定されている。 【0012】図1および図2に示されているように、プ
ロセスチューブ11の下端には上下両端が開口した短尺
の円筒形状に形成されたマニホールド15が、インナチ
ューブ13の下端部と同心円に配設されており、処理室
14の炉口16がマニホールド15の下端開口によって
形成されている。マニホールド15が筐体2に支持され
ることにより、プロセスチューブ11は垂直に支持され
た状態になっている。マニホールド15の内周の中間部
には隔壁17が水平に突設されており、隔壁17はマニ
ホールド15の内側空間を上下に仕切っている。 【0013】マニホールド15の側壁には他端が真空排
気装置(図示せず)に接続された排気管18が、隔壁1
7が仕切ったマニホールド15の内側空間のうち上側空
間に連通するように接続されており、排気管18はアウ
タチューブ12とインナチューブ13との隙間によって
形成された排気路19を排気するようになっている。マ
ニホールド15の側壁の下端部には成膜ガスやクリーニ
ングガスを供給するガス供給管20が、隔壁17が仕切
ったマニホールド15の内側空間のうち炉口16側であ
る下側空間に連通するように接続されており、ガス供給
管20の他端は原料ガスや窒素ガスおよびクリーニング
ガスのガスを供給するガス供給装置(図示せず)に接続
されている。 【0014】図1および図2に示されているように、C
VD装置はマニホールド15の炉口16を開閉する隔離
バルブとしての炉口開閉装置21を備えており、この炉
口開閉装置21はマニホールド15の中心線の延長線と
同心円に配置されてボートエレベータ(図示せず)によ
って昇降されるように構成されている。炉口開閉装置2
1はボートエレベータによって垂直に昇降されるベース
22と、マニホールド15の外径と略等しい円盤形状に
形成されてマニホールド15の下端面に密着して炉口1
6をシールするシールキャップ23とを備えており、シ
ールキャップ23はベース22の真上に若干の隙間をと
って平行に配置されて、ベース22にベローズ24を介
して水平に支持されている。ベース22の中心線上には
回転軸25が垂直方向に挿通されて軸受装置26によっ
て回転自在に支承されているとともに、回転軸25はベ
ース22の下面に据え付けられたロータリーアクチュエ
ータ(図示せず)によって回転駆動されるように構成さ
れている。回転軸25の上端には支持板27が水平に固
定されており、支持板27にはボートが垂直に立脚され
てボート押さえによって固定されるようになっている。 【0015】図1に示されているように、ボート30は
上下で一対の端板31および32と、両端板31、32
間に垂直に配設された複数本の保持部材33とを備えて
おり、各保持部材33には複数条の保持溝34が長手方
向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口す
るようにそれぞれ刻設されている。そして、ウエハ1は
複数条の保持溝34間に外周辺部が挿入されることによ
り、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボ
ート30に保持されるようになっている。 【0016】他方、プロセスチューブ11の外部にはヒ
ータユニット35がプロセスチューブ11を包囲するよ
うに同心円に設備されており、ヒータユニット35は筐
体2に支持されることにより垂直に据え付けられた状態
になっている。ヒータユニット35はプロセスチューブ
11の内部を全体にわたって均一または所定の温度分布
に加熱するように構成されている。 【0017】図2および図3に詳しく示されているよう
に、シールキャップ23の上面における周辺部には環状
溝36が上面が開口された状態で同心円に没設されてお
り、環状溝36の内部には耐熱性樹脂によって形成され
たシールリング37が敷設されている。シールキャップ
23の内部におけるシールリング37の真下には、シー
ルリング37を保護するための冷却水路38が敷設され
ている。すなわち、シールキャップ23に下面における
周辺部には環状溝39が下面が開口された状態で同心円
に没設されており、シールキャップ23の下面における
周辺部には円形リング形状に形成されたカバー40が環
状溝39を閉塞するように被せ付けられている。冷却水
路38には冷却水を冷却水路38に供給して流通させる
ための冷却水供給装置41が接続されている。 【0018】図3に示されているように、冷却水路38
のカバー40の一部にはインレット管路42の一端が冷
却水路38に冷却水を供給し得るように接続されてお
り、インレット管路42の他端は半導体製造工場の冷却
水供給源(図示せず)に接続されるようになっている。
インレット管路42の途中には小流量水路43と大流量
水路44とが並列に設定されており、小流量水路43に
は小流量用流量制御弁45が介設され、大流量水路44
には大流量用制御弁46が介設されている。小流量用流
量制御弁45および大流量用制御弁46の上流側には3
ポート・2位置・電磁切換弁によって構成された上流側
方向制御弁47が介設されており、上流側方向制御弁4
7のポンプポートは冷却水供給源に接続され、ノーマル
開きの負荷ポートには小流量水路43が接続され、ノー
マル閉じの負荷ポートには大流量水路44が接続されて
いる。小流量用流量制御弁45および大流量用制御弁4
6の下流側には3ポート・2位置・電磁切換弁によって
構成された下流側方向制御弁48が介設されており、下
流側方向制御弁48はノーマル位置において小流量水路
43がインレット管路42に接続され、切り換え位置に
おいて大流量水路44がインレット管路42に接続され
るように構成されている。上流側方向制御弁47および
下流側方向制御弁48はCVD装置を制御するコントロ
ーラ(図示せず)によって自動的に切り換えられるよう
に構成されている。 【0019】図3に示されているように、冷却水路38
のカバー40のインレット管路42の近傍にはアウトレ
ット管路49の一端が冷却水路38からの冷却水を排出
し得るように接続されており、アウトレット管路49の
他端は半導体製造工場の冷却水排出口に接続されるよう
になっている。 【0020】次に、前記構成に係るCVD装置を使用し
てウエハに窒化シリコン(Si3 N4)を成膜する場合
について説明する。 【0021】プロセスチューブ11の真下のボート搬入
搬出室3において、複数枚のウエハ1はボート30に互
いに平行で中心線が揃った状態にウエハ移載装置によっ
て装填される。図1に示されているように、複数枚のウ
エハ1が装填されたボート30はシールキャップ23の
上にウエハ1群が並んだ方向が垂直になる状態で載置さ
れ、エレベータによって上昇されてマニホールド15の
炉口16から処理室14に搬入(ボートローディング)
されて行き、シールキャップ23に支持されたままの状
態で処理室14に存置される。 【0022】この状態で、シールキャップ23のシール
リング37は炉口16を気密シールした状態になる。こ
のシールリング37の過熱による劣化を防止するため
に、図3に示されているように、シールキャップ23の
冷却水路38には冷却水50が冷却水供給装置41から
供給されて流通される。この際、冷却水供給装置41の
上流側方向制御弁47および下流側方向制御弁48がノ
ーマル位置に設定されることにより、冷却水路38には
小流量の冷却水50が小流量水路43、インレット管路
42およびアウトレット管路49を経由して流通され
る。 【0023】プロセスチューブ11の内部が所定の真空
度(例えば、数十〜数万Pa)に排気管18によって排
気される。また、プロセスチューブ11の内部がヒータ
ユニット45によって所定の温度(例えば、700〜8
00℃)に全体にわたって均一に加熱される。 【0024】次いで、プロセスチューブ11の内部の温
度や圧力が安定すると、成膜ガス51がインナチューブ
13の処理室14に成膜ガス供給管20によって供給さ
れる。本実施の形態においては、成膜ガスとしては、S
iH2 Cl2 ガスとアンモニア(NH3 )ガスとが使用
される。また、処理中に、ボート30がロータリーアク
チュエータによって回転される。 【0025】供給された成膜ガス51はインナチューブ
13の処理室14を上昇し、上端開口からインナチュー
ブ13とアウタチューブ12との隙間によって形成され
た排気路19に流出して排気管18から排気される。成
膜ガス51は処理室14を通過する際にウエハ1の表面
に接触する。このウエハ1との接触に伴う成膜ガス51
による次式(1)の熱CVD反応により、ウエハ1の表
面にはSi3 N4 膜が堆積(デポジション)する。 【0026】Si3 N4 膜が所望の膜厚だけ堆積する予
め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ2
3が下降されて炉口16が開口されるとともに、ボート
30に保持された状態でウエハ1群が炉口16からプロ
セスチューブ11の真下のボート搬入搬出室3に搬出
(ボートアンローディング)される。 【0027】ところで、以上の成膜処理において、シー
ルキャップ23が冷却水供給装置41から冷却水路38
に供給される冷却水によって過度に冷却されると、ガス
供給管20から炉口16に供給された成膜ガス51が処
理室14の温度に比べて低温になったシールキャップ2
3の表面に接触することにより、シールキャップ23に
はNH4 Clといった副生成物(中間的生成物)がシー
ルキャップ23の表面に付着する。これらの表面に付着
した副生成物は成膜工程が繰り返される毎に累積して行
くため、その累積した堆積膜の厚さは成膜のバッチ処理
の回数が増えるに従って増加して行くことになる。この
累積した堆積膜は厚さがある値に達すると、剥離し易く
なるため、パーティクルの発生が急激に増加する。 【0028】しかし、本実施の形態においては、成膜処
理中には冷却水供給装置41の上流側方向制御弁47お
よび下流側方向制御弁48がノーマル位置に設定される
ことにより、冷却水路38には小流量の冷却水50が供
給されているため、シールキャップ23が冷却水供給装
置41される冷却水50によって過度に冷却される現象
は防止され、その結果、NH4 Clといった副生成物
(中間的生成物)がシールキャップ23の表面に付着す
ることは未然に防止されることになる。したがって、シ
ールキャップ23の表面に副生成物が堆積して行くのを
未然に防止することができ、パーティクルの発生を防止
することができ、また、この堆積膜を除去するためのメ
ンテナンス作業を廃止ないしは減少することができる。 【0029】ところで、以上の成膜処理において、成膜
ガス51は流れて行く間にウエハ1だけでなく、インナ
チューブ13の内外壁面やアウタチューブ12の内壁面
等に接触するため、これらの表面にも窒化シリコンが堆
積することになる。これらの表面に付着した窒化シリコ
ンは成膜工程が繰り返される毎に累積して行くため、そ
の累積した堆積膜の厚さは成膜のバッチ処理の回数が増
えるに従って増加して行くことになる。そして、この累
積した堆積膜は厚さがある値に達すると、剥離し易くな
るため、パーティクルの発生が急激に増加する。そこ
で、本実施の形態に係るCVD装置においては、累積し
た堆積膜の厚さがある値に達すると、次のクリーニング
工程が実施される。 【0030】クリーニング工程が実施されるに際して
は、ボート30はウエハを装填されない状態でエレベー
タによって差し上げられてインナチューブ13の炉口1
6から処理室14に搬入され、シールキャップ23に支
持されたままの状態で処理室14に存置される。プロセ
スチューブ11の内部が所定の真空度(例えば、133
0Pa〜46550Pa)に排気管18によって排気さ
れる。また、ヒータユニット35によってプロセスチュ
ーブ11の内部が所定の温度(約600℃)に全体にわ
たって均一に加熱される。次いで、クリーニングガスと
しての三弗化塩素がインナチューブ13の処理室14に
ガス供給管20から供給される。 【0031】このクリーニング工程においては、図3に
示された冷却水供給装置41において、上流側方向制御
弁47および下流側方向制御弁48が小流量水路43か
ら大流量水路44へCVD装置を制御するコントローラ
(図示せず)によって自動的に切り換えられることによ
り、冷却水路38には大流量の冷却水50がインレット
管路42およびアウトレット管路49を通じて流通され
る。したがって、シールキャップ23は大流量の冷却水
50によって強力に冷却されることになるため、クリー
ニングガスである三弗化塩素がシールキャップ23の表
面に接触してもシールキャップ23が腐食されるのを防
止することができる。 【0032】前記した実施の形態によれば、次の効果が
得られる。 【0033】1) 成膜処理中にシールキャップを冷却す
るための冷却水の流量を小さく設定することにより、成
膜処理中にシールキャップが過度に冷却されるのを防止
することができるため、成膜ガスがシールキャップの表
面に接触しても、シールキャップの表面に副生成物が付
着するのを防止することができる。 【0034】2) シールキャップの表面に処理ガスの副
生成物が付着するのを防止することにより、シールキャ
ップの表面に副生成物が堆積して行くのを防止すること
ができるため、この堆積膜の剥離によるパーティクルの
発生を未然に防止することができ、その結果、CVD装
置ひいてはICの製造方法の製造歩留りやスループット
を高めることができる。 【0035】3) 副生成物の堆積を防止することによ
り、この堆積膜を除去するためのメンテナンス作業を廃
止ないしは減少することができるため、CVD装置の稼
働効率ひいてはICの製造方法の生産性を高めることが
できる。 【0036】4) クリーニング工程において、冷却水供
給装置の上流側方向制御弁および下流側方向制御弁を大
流量の冷却水を冷却水路に供給する位置に切り換えるこ
とにより、シールキャップを大流量の冷却水によって強
力に冷却することができるため、三弗化塩素がシールキ
ャップの表面に接触してもシールキャップが腐食される
のを防止することができる。 【0037】5) 冷却水供給装置の上流側方向制御弁お
よび下流側方向制御弁の切り換え制御をCVD装置を制
御するコントローラによって自動的に実行させることに
より、CVD装置の実際の運用に際して、シールキャッ
プを冷却する冷却水の流量を各膜種毎やクリーニング作
業毎に作業者が設定し直すのを省略することができるた
め、作業能率が低下するのを防止することができるばか
りでなく、人為的なミスが介入するのを防止することが
できる。その結果、シールキャップの冷え過ぎによる窒
化シリコンのシールキャップへの付着や、クリーニング
ガスによるシールキャップの腐食が発生するのを確実に
防止することができる。 【0038】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0039】例えば、冷却水の冷却水路への流量を制御
する冷却水供給装置の具体的な構成は、小流量水路と大
流量水路とを切り換える一対の方向制御弁によって構成
するに限らず、可変流量制御弁等によって構成してもよ
い。 【0040】また、冷却水路はシールキャップ側に配す
るに限らず、マニホルダ側に配してもよい。 【0041】成膜する膜種はシリコン窒化膜に限らず、
ポリシリコン膜やシリコン酸化膜等であってもよい。 【0042】CVD装置はアウタチューブとインナチュ
ーブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形
ホットウオール形減圧CVD装置に限らず、アウタチュ
ーブだけのプロセスチューブを備えたもの等の他のCV
D装置であってもよい。 【0043】さらに、半導体製造装置はCVD装置に限
らず、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキ
ャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも使用され
る拡散装置等の半導体製造装置全般に適用することがで
きる。 【0044】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
副生成物の付着やクリーニングガスによる腐食の発生を
確実に防止することができる。
特に、処理室に処理ガスを供給して基板に処理を施す半
導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以
下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を
含む集積回路が作り込まれるシリコンウエハ(以下、ウ
エハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )等を堆積
(デポジション)させるCVD装置に利用して有効なも
のに関する。 【0002】 【従来の技術】ICの製造方法において、ウエハに窒化
シリコンや酸化シリコンおよびポリシリコン等のCVD
膜を形成するのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧C
VD装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウ
オール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)
は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチ
ューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に
設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによ
って形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供
給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、
プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒー
タユニットと、処理室の炉口を開閉するシールキャップ
と、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウ
エハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハ
がボートによって垂直方向に整列されて保持された状態
で処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)
され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態
で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとと
もに、ヒータユニットによって処理室が加熱されること
により、ウエハの上にCVD膜が堆積するように構成さ
れている。 【0003】従来のこの種のCVD装置においては、シ
ールキャップには耐熱性樹脂によって形成されたシール
リングが敷設されており、このシールリングを保護する
ためにシールキャップの内部に冷却水路が敷設され、こ
の冷却水路には冷却水が冷却水供給装置によって流通さ
れるようになっている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】シールキャップが冷却
水によって冷却されるように構成されたCVD装置にお
いては、窒化シリコンが成膜される場合にはシールキャ
ップが冷え過ぎると、窒化シリコンの副生成物がシール
キャップに付着する現象が発見された。そこで、シール
キャップの冷え過ぎを防止するために、シールキャップ
を冷却する冷却水の流量を小さく設定する必要がある
と、考えられる。 【0005】他方、このようなCVD装置において処理
室に堆積した成膜ガスの生成物や副生成物を除去するた
めに、三弗化塩素等のクリーニングガスを処理室に供給
する場合には、ステンレス鋼等の金属によって形成され
たシールキャップが約100℃以上の温度において腐食
し始めることが、知られている。そこで、このようなC
VD装置においては、クリーニング作業を実施するに際
して、シールキャップの腐食防止のために、シールキャ
ップを冷却する冷却水の流量を大きく設定する必要があ
ると、考えられる。 【0006】しかしながら、CVD装置の実際の運用に
際して、作業者がシールキャップを冷却する冷却水の流
量を各膜種毎やクリーニング作業毎に設定し直していた
のでは、作業能率が低下するばかりでなく、人為的なミ
スが介入する危惧があるため、結局、シールキャップの
冷え過ぎによる窒化シリコンのシールキャップへの付着
や、クリーニングガスによるシールキャップの腐食が発
生してしまう危惧が残ることになる。 【0007】本発明の目的は、副生成物等の付着やクリ
ーニングガスによる腐食の発生を確実に防止することが
できる半導体製造装置を提供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、基板を収容して処理する処理室と、この処理室
に処理ガスおよびクリーニングガスを供給するガス供給
管と、前記処理室の炉口を開閉するシールキャップと、
このシールキャップおよび炉口の少なくとも一方に形成
された冷却水路と、この冷却水路に冷却水を供給する冷
却水供給装置とを備えている半導体製造装置において、
前記冷却水供給装置は前記処理ガスの供給時の冷却水の
流量と、前記クリーニングガスの供給時の冷却水の流量
とを切り換えるように構成されていることを特徴とす
る。 【0009】前記した手段によれば、処理ガス供給時の
冷却水の流量とクリーニングガス供給時の冷却水の流量
とを切り換えることができるため、シールキャップおよ
び炉口の冷え過ぎによる副生成物の付着と、シールキャ
ップおよび炉口の温め過ぎによる腐食とを確実に防止す
ることができる。 【0010】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0011】図1に示されているように、本実施の形態
に係るCVD装置は、中心線が垂直になるように縦に配
されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11
を備えている。プロセスチューブ11は互いに同心円に
配置されたアウタチューブ12とインナチューブ13と
を備えており、アウタチューブ12は石英ガラスが使用
されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形
されており、インナチューブ13は石英ガラスまたは炭
化シリコンが使用されて上下両端が開口された円筒形状
に形成されている。インナチューブ13の筒中空部はボ
ートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚
のウエハが搬入される処理室14を形成しており、イン
ナチューブ13の内径は被処理基板としてのウエハの最
大外径よりも大きく設定されている。 【0012】図1および図2に示されているように、プ
ロセスチューブ11の下端には上下両端が開口した短尺
の円筒形状に形成されたマニホールド15が、インナチ
ューブ13の下端部と同心円に配設されており、処理室
14の炉口16がマニホールド15の下端開口によって
形成されている。マニホールド15が筐体2に支持され
ることにより、プロセスチューブ11は垂直に支持され
た状態になっている。マニホールド15の内周の中間部
には隔壁17が水平に突設されており、隔壁17はマニ
ホールド15の内側空間を上下に仕切っている。 【0013】マニホールド15の側壁には他端が真空排
気装置(図示せず)に接続された排気管18が、隔壁1
7が仕切ったマニホールド15の内側空間のうち上側空
間に連通するように接続されており、排気管18はアウ
タチューブ12とインナチューブ13との隙間によって
形成された排気路19を排気するようになっている。マ
ニホールド15の側壁の下端部には成膜ガスやクリーニ
ングガスを供給するガス供給管20が、隔壁17が仕切
ったマニホールド15の内側空間のうち炉口16側であ
る下側空間に連通するように接続されており、ガス供給
管20の他端は原料ガスや窒素ガスおよびクリーニング
ガスのガスを供給するガス供給装置(図示せず)に接続
されている。 【0014】図1および図2に示されているように、C
VD装置はマニホールド15の炉口16を開閉する隔離
バルブとしての炉口開閉装置21を備えており、この炉
口開閉装置21はマニホールド15の中心線の延長線と
同心円に配置されてボートエレベータ(図示せず)によ
って昇降されるように構成されている。炉口開閉装置2
1はボートエレベータによって垂直に昇降されるベース
22と、マニホールド15の外径と略等しい円盤形状に
形成されてマニホールド15の下端面に密着して炉口1
6をシールするシールキャップ23とを備えており、シ
ールキャップ23はベース22の真上に若干の隙間をと
って平行に配置されて、ベース22にベローズ24を介
して水平に支持されている。ベース22の中心線上には
回転軸25が垂直方向に挿通されて軸受装置26によっ
て回転自在に支承されているとともに、回転軸25はベ
ース22の下面に据え付けられたロータリーアクチュエ
ータ(図示せず)によって回転駆動されるように構成さ
れている。回転軸25の上端には支持板27が水平に固
定されており、支持板27にはボートが垂直に立脚され
てボート押さえによって固定されるようになっている。 【0015】図1に示されているように、ボート30は
上下で一対の端板31および32と、両端板31、32
間に垂直に配設された複数本の保持部材33とを備えて
おり、各保持部材33には複数条の保持溝34が長手方
向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口す
るようにそれぞれ刻設されている。そして、ウエハ1は
複数条の保持溝34間に外周辺部が挿入されることによ
り、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボ
ート30に保持されるようになっている。 【0016】他方、プロセスチューブ11の外部にはヒ
ータユニット35がプロセスチューブ11を包囲するよ
うに同心円に設備されており、ヒータユニット35は筐
体2に支持されることにより垂直に据え付けられた状態
になっている。ヒータユニット35はプロセスチューブ
11の内部を全体にわたって均一または所定の温度分布
に加熱するように構成されている。 【0017】図2および図3に詳しく示されているよう
に、シールキャップ23の上面における周辺部には環状
溝36が上面が開口された状態で同心円に没設されてお
り、環状溝36の内部には耐熱性樹脂によって形成され
たシールリング37が敷設されている。シールキャップ
23の内部におけるシールリング37の真下には、シー
ルリング37を保護するための冷却水路38が敷設され
ている。すなわち、シールキャップ23に下面における
周辺部には環状溝39が下面が開口された状態で同心円
に没設されており、シールキャップ23の下面における
周辺部には円形リング形状に形成されたカバー40が環
状溝39を閉塞するように被せ付けられている。冷却水
路38には冷却水を冷却水路38に供給して流通させる
ための冷却水供給装置41が接続されている。 【0018】図3に示されているように、冷却水路38
のカバー40の一部にはインレット管路42の一端が冷
却水路38に冷却水を供給し得るように接続されてお
り、インレット管路42の他端は半導体製造工場の冷却
水供給源(図示せず)に接続されるようになっている。
インレット管路42の途中には小流量水路43と大流量
水路44とが並列に設定されており、小流量水路43に
は小流量用流量制御弁45が介設され、大流量水路44
には大流量用制御弁46が介設されている。小流量用流
量制御弁45および大流量用制御弁46の上流側には3
ポート・2位置・電磁切換弁によって構成された上流側
方向制御弁47が介設されており、上流側方向制御弁4
7のポンプポートは冷却水供給源に接続され、ノーマル
開きの負荷ポートには小流量水路43が接続され、ノー
マル閉じの負荷ポートには大流量水路44が接続されて
いる。小流量用流量制御弁45および大流量用制御弁4
6の下流側には3ポート・2位置・電磁切換弁によって
構成された下流側方向制御弁48が介設されており、下
流側方向制御弁48はノーマル位置において小流量水路
43がインレット管路42に接続され、切り換え位置に
おいて大流量水路44がインレット管路42に接続され
るように構成されている。上流側方向制御弁47および
下流側方向制御弁48はCVD装置を制御するコントロ
ーラ(図示せず)によって自動的に切り換えられるよう
に構成されている。 【0019】図3に示されているように、冷却水路38
のカバー40のインレット管路42の近傍にはアウトレ
ット管路49の一端が冷却水路38からの冷却水を排出
し得るように接続されており、アウトレット管路49の
他端は半導体製造工場の冷却水排出口に接続されるよう
になっている。 【0020】次に、前記構成に係るCVD装置を使用し
てウエハに窒化シリコン(Si3 N4)を成膜する場合
について説明する。 【0021】プロセスチューブ11の真下のボート搬入
搬出室3において、複数枚のウエハ1はボート30に互
いに平行で中心線が揃った状態にウエハ移載装置によっ
て装填される。図1に示されているように、複数枚のウ
エハ1が装填されたボート30はシールキャップ23の
上にウエハ1群が並んだ方向が垂直になる状態で載置さ
れ、エレベータによって上昇されてマニホールド15の
炉口16から処理室14に搬入(ボートローディング)
されて行き、シールキャップ23に支持されたままの状
態で処理室14に存置される。 【0022】この状態で、シールキャップ23のシール
リング37は炉口16を気密シールした状態になる。こ
のシールリング37の過熱による劣化を防止するため
に、図3に示されているように、シールキャップ23の
冷却水路38には冷却水50が冷却水供給装置41から
供給されて流通される。この際、冷却水供給装置41の
上流側方向制御弁47および下流側方向制御弁48がノ
ーマル位置に設定されることにより、冷却水路38には
小流量の冷却水50が小流量水路43、インレット管路
42およびアウトレット管路49を経由して流通され
る。 【0023】プロセスチューブ11の内部が所定の真空
度(例えば、数十〜数万Pa)に排気管18によって排
気される。また、プロセスチューブ11の内部がヒータ
ユニット45によって所定の温度(例えば、700〜8
00℃)に全体にわたって均一に加熱される。 【0024】次いで、プロセスチューブ11の内部の温
度や圧力が安定すると、成膜ガス51がインナチューブ
13の処理室14に成膜ガス供給管20によって供給さ
れる。本実施の形態においては、成膜ガスとしては、S
iH2 Cl2 ガスとアンモニア(NH3 )ガスとが使用
される。また、処理中に、ボート30がロータリーアク
チュエータによって回転される。 【0025】供給された成膜ガス51はインナチューブ
13の処理室14を上昇し、上端開口からインナチュー
ブ13とアウタチューブ12との隙間によって形成され
た排気路19に流出して排気管18から排気される。成
膜ガス51は処理室14を通過する際にウエハ1の表面
に接触する。このウエハ1との接触に伴う成膜ガス51
による次式(1)の熱CVD反応により、ウエハ1の表
面にはSi3 N4 膜が堆積(デポジション)する。 【0026】Si3 N4 膜が所望の膜厚だけ堆積する予
め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ2
3が下降されて炉口16が開口されるとともに、ボート
30に保持された状態でウエハ1群が炉口16からプロ
セスチューブ11の真下のボート搬入搬出室3に搬出
(ボートアンローディング)される。 【0027】ところで、以上の成膜処理において、シー
ルキャップ23が冷却水供給装置41から冷却水路38
に供給される冷却水によって過度に冷却されると、ガス
供給管20から炉口16に供給された成膜ガス51が処
理室14の温度に比べて低温になったシールキャップ2
3の表面に接触することにより、シールキャップ23に
はNH4 Clといった副生成物(中間的生成物)がシー
ルキャップ23の表面に付着する。これらの表面に付着
した副生成物は成膜工程が繰り返される毎に累積して行
くため、その累積した堆積膜の厚さは成膜のバッチ処理
の回数が増えるに従って増加して行くことになる。この
累積した堆積膜は厚さがある値に達すると、剥離し易く
なるため、パーティクルの発生が急激に増加する。 【0028】しかし、本実施の形態においては、成膜処
理中には冷却水供給装置41の上流側方向制御弁47お
よび下流側方向制御弁48がノーマル位置に設定される
ことにより、冷却水路38には小流量の冷却水50が供
給されているため、シールキャップ23が冷却水供給装
置41される冷却水50によって過度に冷却される現象
は防止され、その結果、NH4 Clといった副生成物
(中間的生成物)がシールキャップ23の表面に付着す
ることは未然に防止されることになる。したがって、シ
ールキャップ23の表面に副生成物が堆積して行くのを
未然に防止することができ、パーティクルの発生を防止
することができ、また、この堆積膜を除去するためのメ
ンテナンス作業を廃止ないしは減少することができる。 【0029】ところで、以上の成膜処理において、成膜
ガス51は流れて行く間にウエハ1だけでなく、インナ
チューブ13の内外壁面やアウタチューブ12の内壁面
等に接触するため、これらの表面にも窒化シリコンが堆
積することになる。これらの表面に付着した窒化シリコ
ンは成膜工程が繰り返される毎に累積して行くため、そ
の累積した堆積膜の厚さは成膜のバッチ処理の回数が増
えるに従って増加して行くことになる。そして、この累
積した堆積膜は厚さがある値に達すると、剥離し易くな
るため、パーティクルの発生が急激に増加する。そこ
で、本実施の形態に係るCVD装置においては、累積し
た堆積膜の厚さがある値に達すると、次のクリーニング
工程が実施される。 【0030】クリーニング工程が実施されるに際して
は、ボート30はウエハを装填されない状態でエレベー
タによって差し上げられてインナチューブ13の炉口1
6から処理室14に搬入され、シールキャップ23に支
持されたままの状態で処理室14に存置される。プロセ
スチューブ11の内部が所定の真空度(例えば、133
0Pa〜46550Pa)に排気管18によって排気さ
れる。また、ヒータユニット35によってプロセスチュ
ーブ11の内部が所定の温度(約600℃)に全体にわ
たって均一に加熱される。次いで、クリーニングガスと
しての三弗化塩素がインナチューブ13の処理室14に
ガス供給管20から供給される。 【0031】このクリーニング工程においては、図3に
示された冷却水供給装置41において、上流側方向制御
弁47および下流側方向制御弁48が小流量水路43か
ら大流量水路44へCVD装置を制御するコントローラ
(図示せず)によって自動的に切り換えられることによ
り、冷却水路38には大流量の冷却水50がインレット
管路42およびアウトレット管路49を通じて流通され
る。したがって、シールキャップ23は大流量の冷却水
50によって強力に冷却されることになるため、クリー
ニングガスである三弗化塩素がシールキャップ23の表
面に接触してもシールキャップ23が腐食されるのを防
止することができる。 【0032】前記した実施の形態によれば、次の効果が
得られる。 【0033】1) 成膜処理中にシールキャップを冷却す
るための冷却水の流量を小さく設定することにより、成
膜処理中にシールキャップが過度に冷却されるのを防止
することができるため、成膜ガスがシールキャップの表
面に接触しても、シールキャップの表面に副生成物が付
着するのを防止することができる。 【0034】2) シールキャップの表面に処理ガスの副
生成物が付着するのを防止することにより、シールキャ
ップの表面に副生成物が堆積して行くのを防止すること
ができるため、この堆積膜の剥離によるパーティクルの
発生を未然に防止することができ、その結果、CVD装
置ひいてはICの製造方法の製造歩留りやスループット
を高めることができる。 【0035】3) 副生成物の堆積を防止することによ
り、この堆積膜を除去するためのメンテナンス作業を廃
止ないしは減少することができるため、CVD装置の稼
働効率ひいてはICの製造方法の生産性を高めることが
できる。 【0036】4) クリーニング工程において、冷却水供
給装置の上流側方向制御弁および下流側方向制御弁を大
流量の冷却水を冷却水路に供給する位置に切り換えるこ
とにより、シールキャップを大流量の冷却水によって強
力に冷却することができるため、三弗化塩素がシールキ
ャップの表面に接触してもシールキャップが腐食される
のを防止することができる。 【0037】5) 冷却水供給装置の上流側方向制御弁お
よび下流側方向制御弁の切り換え制御をCVD装置を制
御するコントローラによって自動的に実行させることに
より、CVD装置の実際の運用に際して、シールキャッ
プを冷却する冷却水の流量を各膜種毎やクリーニング作
業毎に作業者が設定し直すのを省略することができるた
め、作業能率が低下するのを防止することができるばか
りでなく、人為的なミスが介入するのを防止することが
できる。その結果、シールキャップの冷え過ぎによる窒
化シリコンのシールキャップへの付着や、クリーニング
ガスによるシールキャップの腐食が発生するのを確実に
防止することができる。 【0038】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0039】例えば、冷却水の冷却水路への流量を制御
する冷却水供給装置の具体的な構成は、小流量水路と大
流量水路とを切り換える一対の方向制御弁によって構成
するに限らず、可変流量制御弁等によって構成してもよ
い。 【0040】また、冷却水路はシールキャップ側に配す
るに限らず、マニホルダ側に配してもよい。 【0041】成膜する膜種はシリコン窒化膜に限らず、
ポリシリコン膜やシリコン酸化膜等であってもよい。 【0042】CVD装置はアウタチューブとインナチュ
ーブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形
ホットウオール形減圧CVD装置に限らず、アウタチュ
ーブだけのプロセスチューブを備えたもの等の他のCV
D装置であってもよい。 【0043】さらに、半導体製造装置はCVD装置に限
らず、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキ
ャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも使用され
る拡散装置等の半導体製造装置全般に適用することがで
きる。 【0044】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
副生成物の付着やクリーニングガスによる腐食の発生を
確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す
一部省略正面断面図である。 【図2】その主要部の正面断面図である。 【図3】冷却水供給装置を含んだ主要部を示す一部切断
斜視図である。 【符号の説明】 1…ウエハ(被処理基板)、2…筐体、3…ボート搬入
搬出室、11…プロセスチューブ、12…アウタチュー
ブ、13…インナチューブ、14…処理室、15…マニ
ホールド、16…炉口、17…隔壁、18…排気管、1
9…排気路、20…ガス供給管、21…炉口開閉装置、
22…ベース、23…シールキャップ、24…ベロー
ズ、25…回転軸、26…軸受装置、27…支持板、3
0…ボート、31、32…端板、33…保持部材、34
…保持溝、35…ヒータユニット、36…環状溝、37
…シールリング、38…冷却水路、39…環状溝、40
…カバー、41…冷却水供給装置、42…インレット管
路、43…小流量水路、44…大流量水路、45…小流
量用流量制御弁、46…大流量用制御弁、47…上流側
方向制御弁、48…下流側方向制御弁、49…アウトレ
ット管路、50…冷却水、51…成膜ガス(処理ガ
ス)。
一部省略正面断面図である。 【図2】その主要部の正面断面図である。 【図3】冷却水供給装置を含んだ主要部を示す一部切断
斜視図である。 【符号の説明】 1…ウエハ(被処理基板)、2…筐体、3…ボート搬入
搬出室、11…プロセスチューブ、12…アウタチュー
ブ、13…インナチューブ、14…処理室、15…マニ
ホールド、16…炉口、17…隔壁、18…排気管、1
9…排気路、20…ガス供給管、21…炉口開閉装置、
22…ベース、23…シールキャップ、24…ベロー
ズ、25…回転軸、26…軸受装置、27…支持板、3
0…ボート、31、32…端板、33…保持部材、34
…保持溝、35…ヒータユニット、36…環状溝、37
…シールリング、38…冷却水路、39…環状溝、40
…カバー、41…冷却水供給装置、42…インレット管
路、43…小流量水路、44…大流量水路、45…小流
量用流量制御弁、46…大流量用制御弁、47…上流側
方向制御弁、48…下流側方向制御弁、49…アウトレ
ット管路、50…冷却水、51…成膜ガス(処理ガ
ス)。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 4K030 CA04 CA12 JA05 KA10 KA11
KA26 LA15
5F004 AA15 BA19 BC01 BD04 DA00
DB07 EA34
5F045 AB33 AC05 AC12 BB15 DP19
EB02 EB06 EC02 EJ09
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板を収容して処理する処理室と、この
処理室に処理ガスおよびクリーニングガスを供給するガ
ス供給管と、前記処理室の炉口を開閉するシールキャッ
プと、このシールキャップおよび炉口の少なくとも一方
に形成された冷却水路と、この冷却水路に冷却水を供給
する冷却水供給装置とを備えている半導体製造装置にお
いて、前記冷却水供給装置は前記処理ガスの供給時の冷
却水の流量と、前記クリーニングガスの供給時の冷却水
の流量とを切り換えるように構成されていることを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002100296A JP2003297815A (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002100296A JP2003297815A (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003297815A true JP2003297815A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=29388366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002100296A Pending JP2003297815A (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003297815A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007512715A (ja) * | 2003-11-26 | 2007-05-17 | テンプトロニック コーポレイション | 熱制御式チャックにおける電気的ノイズを低減する装置および方法 |
US20100078045A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Toratani Kenichiro | Semiconductor manufacturing apparatus and method for cleaning same |
-
2002
- 2002-04-02 JP JP2002100296A patent/JP2003297815A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007512715A (ja) * | 2003-11-26 | 2007-05-17 | テンプトロニック コーポレイション | 熱制御式チャックにおける電気的ノイズを低減する装置および方法 |
US20100078045A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Toratani Kenichiro | Semiconductor manufacturing apparatus and method for cleaning same |
US9566620B2 (en) | 2008-09-29 | 2017-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and method for cleaning same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2022084631A (ja) | 高圧処理チャンバ用のガス供給システム | |
US6733593B1 (en) | Film forming device | |
KR20110112074A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US8051870B2 (en) | Pressure reduction process device, pressure reduction process method, and pressure regulation valve | |
JP2670515B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP4516318B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4969127B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003297815A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2002222805A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20030074418A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
JP2005056905A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3907546B2 (ja) | 縦型熱処理装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2003158081A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4465342B2 (ja) | 半導体製造装置、排気管系および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2004055880A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4404666B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3894865B2 (ja) | 半導体製造装置、被覆管および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP3883353B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP2004247655A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2009224457A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005244019A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005209754A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004079845A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004311550A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4383439B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |