JP4414507B2 - プラズマを発生させるための装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、交番電磁界(elektromagnetisch.Wechselfelder)を用いて真空室内にプラズマを発生させるための装置であって、少なくとも1つのロッド状の導体が、絶縁性の材料から成る絶縁管の内部で真空室内に突入しており、該絶縁管の内径が、導体の直径よりも大きく形成されており、絶縁管が少なくとも一方の端部で、真空室の壁に保持されていて、該壁に対して絶縁管の外面がシールされており、導体が少なくとも一方の端部で、交番電磁界を発生させるための源に接続されている形式のものに関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマを発生させるための公知の装置(ドイツ連邦共和国特許第19503205号明細書)では、制限された運転領域(プロセス領域、ガス圧、マイクロ波出力)で表面処理および被覆技術のためのプラズマを発生させることが可能である。この公知の装置は主として、真空プロセス室内に設備された円筒状のガラス管と、このガラス管内に設けられた、金属導電性の管とから成っており、この場合、ガラス管の内室には雰囲気圧が形成される。マイクロ波出力は両側で2つの供給部と、内導体および外導体から成る金属製の2つの同軸線路とによって真空プロセス室の壁を通じて導入される。真空プロセス室内部では同軸線路の外導体が存在せず、外導体はプラズマ放電によって代えられる。このプラズマ放電は十分な点弧条件(ガス圧)においてマイクロ波出力によって点弧されて、維持される。この場合、マイクロ波出力は金属製の両同軸線路からガラス管を通じて真空プロセス室内に進出することができる。プラズマは円筒状のガラス管を外方から取り囲んで、内導体と共に極めて高い減衰被膜を有する1つの同軸線路を形成する。両側で供給された定置のマイクロ波出力において、真空プロセス室のガス圧は、真空プロセス室の内部で同軸線路の外導体が欠如している場所でプラズマが見た目には装置に沿って均一に発生するように調節され得る。
【0003】
さらに、マイクロ波励起によって処理室内にプラズマを局所的に発生させるための装置が公知である(ドイツ連邦共和国特許出願公開第4136297号明細書)。この公知の装置は、壁に取付け可能なフランジまたは壁自体によって外側の部分と内側の部分とに分割されており、この場合、外側の部分にはマイクロ波発生装置が配置されている。このマイクロ波発生装置のマイクロ波はマイクロ波入力結合装置を介して内側の部分に向かって案内される。このマイクロ波入力結合装置は、フランジを貫通した、絶縁性の材料から成る外側の導波管を有しており、この外側の導波管内には金属から成る内導体が延びており、この場合、マイクロ波はマイクロ波発生装置から内導体に入力結合される。
【0004】
さらに、交番電磁界を用いて真空室内にプラズマを発生させるための装置が提案されている(ドイツ連邦共和国特許出願第19722272.2号明細書)。この装置では、ロッド状の導体が、絶縁性の材料から成る絶縁管の内部で真空室を通って案内されており、絶縁管の内径は導体の直径よりも大きく形成されている。絶縁管は両端部で真空室の壁に保持されており、この壁に対して絶縁管の外面がシールされており、導体は両端部でそれぞれ、交番電磁界を発生させるための第1の源に接続されている。ロッド状の導体はそれぞれ両壁貫通案内部の範囲で導体の真ん中の部分に向かう方向で、導電性の材料から成る管片により小さな間隔を置いて取り囲まれており、この場合、両管片は絶縁管に対して同心的に配置されており、それぞれ、絶縁管と各管片とによって形成された円環円筒状の中間室は、交番電磁界を発生させるための第2の源に接続されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、冒頭で述べた形式の装置を改良して、マイクロ波における交番磁界の発生に基づく、析出された層における変動を回避するために適当となる装置を提供することである。当該装置はさらに廉価に製造可能であることが望ましく、特にマイクロ波送振器を反射された出力から保護するためのコストのかかるアイソレータの組込みが回避されることが望ましい。すなわち、アンテナは、各アンテナに固有の放射特性に対して付加的に、アプリケーション(たとえばプラズマ)によって反射された出力を再び吸収することなしに高周波数のマイクロ波を放射し得る特性をも有するように形成されていることが望ましい。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明の構成では、ロッド状の導体の、真空室内に突入して延びる部分の範囲が、螺旋体として成形されており、ただし該部分の巻き線長さ(L)が、10゜<α<15゜のつる巻き角においてほぼ波長λに相当しているようにした。
【0007】
【発明の効果】
本発明の有利な構成では、複数のロッド状の導体が、絶縁性の材料から成る1つの絶縁管の内部で真空室を貫いて案内されており、該絶縁管の内径が、導体の直径よりも大きく形成されており、絶縁管が両端部で、真空室の壁に保持されていて、該壁に対して絶縁管の外面がシールされており、導体がそれぞれ、交番電磁界を発生させるための固有の源に接続されており、ロッド状の導体の、真空室内に突入して延びる部分の範囲が、螺旋体として成形されており、ただし前記両部分の巻き線長さが、ほぼ波長λおよび10゜<α<15゜のつる巻き角に相当している。
【0008】
本発明の択一的な構成では、複数のロッド状の導体が、絶縁性の材料から成る複数の絶縁管の内部で真空室を貫いて案内されており、該絶縁管の内径が、それぞれ導体の直径よりも大きく形成されており、絶縁管がそれぞれ一方の端部で、真空室の壁に保持されていて、それぞれ該壁に対して絶縁管の外面がシールされており、各導体が一方の端部でそれぞれ、交番電磁界を発生させるための源に接続されており、ロッド状の導体の、真空室内に突入して延びる部分の範囲が、螺旋体として成形されており、ただし前記両部分の巻き線長さが、ほぼ波長λおよび10゜<α<15゜のつる巻き角に相当している。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面につき詳しく説明する。
【0010】
図1に示した装置は、T1モードで作動させられる螺旋アンテナに関する。この場合、円偏波されたマイクロ波放射線が中心軸線に沿って螺旋体の自由端部から放射されて、プラズマ放電を点弧させかつ維持する。
【0011】
マイクロ波出力は方形導波管10によってマイクロ波発生器から供給され、このマイクロ波出力はインピーダンス整合素子11,12によって同軸線路4に伝達される。螺旋アンテナ2の螺旋体は同軸線路4の内導体に接続されていて、同軸線路4の横方向電磁波、つまりTEM波を円偏波に変換し、この円偏波を、真空密であるがマイクロ波透過性の絶縁管5を通じて真空室3内へ放射する。真空室3の金属導電性(metallisch leitend.)の壁6は後進波のためのリフレクタシールドとして働く。
【0012】
上記タイプの複数の装置が、同一のプラズマ処理室内でマイクロ波出力を放射するようになっている(図6)。この場合、個々の螺旋アンテナはマイクロ波技術的に分離されているが、ただし互いに向かい合って配置された装置は逆向きの巻き方向(ヘリシティ)を有していることが必要となる。
【0013】
正確に言えば、一方の側に設けられた装置が右回りのヘリシティを有していると、他方の装置は左回りのヘリシティを有していなければならない。理想的な条件下では、左円偏波されたマイクロ波放射線を右回りのヘリックスアンテナもしくは螺旋アンテナによって吸収することはできないか、もしくは逆に、右円偏波されたマイクロ波放射線を左回りのヘリックスアンテナもしくは螺旋アンテナによって吸収することはできない。円偏波されたマイクロ波放射線は、金属導電性の平らな表面における反射時にその都度の偏波方向を変化させる。
【0014】
それぞれ2つの互いに向かい合って位置する本発明による装置は、図7に示したように真空密でかつマイクロ波透過性の1つの共通の絶縁管5内に配置され得る。この場合、両装置は互いに逆向きのヘリシティを有している。
【0015】
本発明による装置から前進方向へ放射されたマイクロ波放射線は、プラズマ放電を発生させ、このプラズマ放電はマイクロ波放射線にとっては波動力学的に見て、吸収性の誘電体を成し、この誘電体内でマイクロ波は強力な減衰を受ける。減衰を弱め、ひいてはプラズマのジオメトリ形状を変化させる(特に:長手方向で延伸させる)ためには、両装置の間にプラズマなしの接続通路を形成することが有利になり得る。運転パラメータが適宜に設定された場合に、互いに向かい合って配置された各2つの本発明による装置の間には、定在波磁界パターンをほとんど有しない、閉じられたプラズマ柱を形成することができる。
【0016】
マイクロ波を放射するために使用される、つる巻き状もしくは螺旋状に成形されたロッドアンテナ(「ヘリックス」とも呼ばれる)は、いわゆる「T1モード」で作動させられるような特性を有している。図2には、約4つの巻き条を備えた螺旋アンテナもしくはヘリックスが示されている。この螺旋アンテナには、同軸線路を介してマイクロ波出力が供給される。「ヘリックス」の放射線特性は、第1に、巻き直径D対供給されるマイクロ波の波長λ0の比に関連しており、第2に、つる巻き角αに関連している。これらのパラメータの設定に応じて、「ヘリックス」アンテナは極端な事例では、図4および図5に示したように、互いに十分に相補的な放射線特性を示す2つの異なるモードで放射する。
【0017】
T1モード:
巻き線長さL=C/cos(α)がほぼ波長λ0および10゜<α<15゜に相当する。
【0018】
この運転状態では、ヘリックスアンテナもしくは螺旋アンテナが、図4に示したように著しく大きな主ローブと小さな副ローブとで、ヘリックス中心軸線に対して同心的にヘリックスの自由端部から放射する(エンドファイアもしくは縦形アンテナ)。その上、少なくとも4つの巻き条を備えたヘリックスアンテナでは、放射線が十分な円偏波を有しており、この円偏波の回転方向はアンテナのヘリシティによって規定される。このような種類のヘリックスアンテナは「クラウスコイル(Kraus−Coil)」(モノフィラメント、軸方向モードT1R1)と呼ばれる。クラウスコイルの詳細な構成は、「Antennas」、第2版(John D.Kraus著、出版社Mcgraw−Hill Book Company、第7章参照)に記載されている。可能となるアンテナ利得はヘリックスのジオメトリ、たとえば巻き直径、つる巻き角および全長に関連していて、最大15dBであってよく、しかしこの場合、管状の金属導電性の材料の直径や、その固有電気抵抗の直径とはほとんど無関係である(D.T.Emerson著の「National Radio Astronomy Observatory」 Antenna Compendium 第4巻、第64頁〜第68頁、1995年、出版社AARL参照)。
【0019】
T0モード:
巻き線長さL=C/cos(α)が波長λ0および10゜<α<15゜よりも著しく小さい。
【0020】
この運転状態では、ヘリックスが、図5に示したようにヘリックス中心軸線に対してほぼ直角に延びるローブ、つまり真っ直ぐなロッドアンテナと同様に半径方向に延びるローブを有する強度分布で放射する。このような運転状態は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第4136297号明細書またはドイツ連邦共和国特許第19503205号明細書に記載の装置のための基礎である。T0モードは本発明の対象のためには重要ではない。
【0021】
T2、T3、...モード:
巻き線長さL=C/cos(α)が波長λ0および10゜<α<15゜よりも著しく大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】螺旋アンテナと、真空室側で閉じられた絶縁管とを備えた装置の断面図である。
【図2】典型的な螺旋アンテナの概略図である。
【図3】螺旋アンテナの展開図である。
【図4】図1に示した装置をT1モードで運転した場合のプラズマ雲を示す概略図である。
【図5】図1に示した装置をT0モードで運転した場合のプラズマ雲を示す概略図である。
【図6】それぞれ閉じられた絶縁管内に互いに向かい合って位置するように配置された2つの螺旋アンテナを備えた装置を用いる実施例におけるプラズマ雲を示す概略図である。
【図7】両螺旋アンテナを取り囲む共通の絶縁管を備えた、互いに向かい合って位置するように配置された2つの螺旋アンテナを備えた装置を用いる実施例におけるプラズマ雲を示す概略図である。
【符号の説明】
2 螺旋アンテナ、 3 真空室、 4 同軸線路、 5 絶縁管、 6,7壁、 8,9 源、 10 方形導波管、 11,12 インピーダンス整合素子、 13 螺旋アンテナ、 14 絶縁管、 15 同軸線路、 16 絶縁管
Claims (3)
- 交番電磁界を用いて真空室(3)内にプラズマを発生させるための装置において、1つのロッド状の導体(4)が、絶縁性の材料から成る1つの絶縁管(5)の内部で真空室(3)を貫いて案内されており、該絶縁管(5)の内径が、導体(4)の直径よりも大きく形成されており、絶縁管(5)が少なくとも一方の端部で、真空室(3)の壁(6,7)に保持されていて、該壁(6,7)に対して絶縁管(5)の外面がシールされており、導体(4)が少なくとも一方の端部で、交番電磁界を発生させるための第1の源(8;9)に接続されており、ロッド状の導体(4)の、真空室(3)内に突入して延びる部分の範囲が、螺旋体(2)として成形されており、
該螺旋体のつる巻き角αが10°<α<15°であり、該螺旋体の1つの巻き条の巻き線長さLが、つる巻き直径Dとしたとき
L=(πD)/cos(α)
であって、波長λ0に相当する
ことを特徴とする、プラズマを発生させるための装置。 - 交番電磁界を用いて真空室(3)内にプラズマを発生させるための装置において、複数のロッド状の導体(4,15)が、絶縁性の材料から成る1つの絶縁管(14)の内部で真空室(3)を貫いて案内されており、該絶縁管(14)の内径が、導体(4,15)の直径よりも大きく形成されており、絶縁管(14)が両端部で、真空室(3)の壁(6,7)に保持されていて、該壁(6,7)に対して絶縁管(14)の外面がシールされており、導体(4,15)がそれぞれ、交番電磁界を発生させるための固有の源(8;9)に接続されており、ロッド状の導体(4,15)の、真空室(3)内に突入して延びる部分の範囲が、螺旋体(2;13)として成形されており、
該螺旋体のつる巻き角αが10°<α<15°であり、該螺旋体の1つの巻き条の巻き線長さLが、つる巻き直径Dとしたとき
L=(πD)/cos(α)
であって、波長λ0に相当する
ことを特徴とする、プラズマを発生させるための装置。 - 交番電磁界を用いて真空室(3)内にプラズマを発生させるための装置において、複数のロッド状の導体(4,15)が、絶縁性の材料から成る複数の絶縁管(5,16)の内部で真空室(3)を貫いて案内されており、該絶縁管(5,16)の内径が、それぞれ導体(4,15)の直径よりも大きく形成されており、絶縁管(5,16)がそれぞれ一方の端部で、真空室(3)の壁(6,7)に保持されていて、それぞれ該壁(6,7)に対して絶縁管(5,16)の外面がシールされており、各導体(4,15)が一方の端部でそれぞれ、交番電磁界を発生させるための源(8;9)に接続されており、ロッド状の導体(4,15)の、真空室(3)内に突入して延びる部分の範囲が、螺旋体(2;13)として成形されており、
該螺旋体のつる巻き角αが10°<α<15°であり、該螺旋体の1つの巻き条の巻き線長さLが、つる巻き直径Dとしたとき
L=(πD)/cos(α)
であって、波長λ0に相当する
ことを特徴とする、プラズマを発生させるための装置。
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EP1421832B1 (de) * | 2001-08-28 | 2006-10-04 | Jeng-Ming Wu | Plasmabrenner mit mikrowellenanregung |
WO2004064460A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Japan Science And Technology Agency | 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 |
JP4588329B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生装置およびリモートプラズマ処理装置 |
US20060137613A1 (en) * | 2004-01-27 | 2006-06-29 | Shigeru Kasai | Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus |
JP5404984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
FR2880105B1 (fr) * | 2004-12-23 | 2007-04-20 | Cie Financiere Alcatel Sa | Dispositif et procede de pilotage de l'operation de deshydratation durant un traitement de lyophilisation |
US20070095281A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Stowell Michael W | System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources |
JP4590528B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2010-12-01 | 財団法人大阪産業振興機構 | グロープラズマ発生装置及びグロープラズマ発生方法 |
JPWO2008018159A1 (ja) * | 2006-08-08 | 2009-12-24 | 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー | 2電源を備えたマイクロ波ラインプラズマ発生装置 |
JP5230976B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-07-10 | 株式会社プラズマアプリケーションズ | 大気中マイクロ波プラズマニードル発生装置 |
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WO2010064818A2 (ko) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 트리플코어스코리아 | 상압 플라즈마 발생 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 발생 방법 |
KR101796656B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2017-11-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 수직 인라인 화학기상증착 시스템 |
JP5191524B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2013-05-08 | 株式会社新川 | プラズマ装置およびその製造方法 |
JP5700695B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2015-04-15 | 中外炉工業株式会社 | プラズマ発生装置および蒸着装置並びにプラズマ発生方法 |
DE102022109511A1 (de) | 2022-04-20 | 2023-10-26 | Muegge Gmbh | Vorrichtung zum Zuführen von Mikrowellen in einen Behandlungsraum |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4297615A (en) * | 1979-03-19 | 1981-10-27 | The Regents Of The University Of California | High current density cathode structure |
JPS55131175A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-11 | Toshiba Corp | Surface treatment apparatus with microwave plasma |
US4566403A (en) * | 1985-01-30 | 1986-01-28 | Sovonics Solar Systems | Apparatus for microwave glow discharge deposition |
JPH084039B2 (ja) * | 1988-07-26 | 1996-01-17 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ発生方法および薄膜堆積方法 |
JPH0810634B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1996-01-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | マイクロ波給電式材料/プラズマ処理システム |
DE4136297A1 (de) * | 1991-11-04 | 1993-05-06 | Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De | Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung |
DE4337119C2 (de) * | 1993-10-29 | 1996-10-24 | Forsch Applikationslabor Plasm | VHF-Plasmaquelle |
DE19503205C1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-07-11 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
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