JP4404666B2 - Substrate support, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法であって、例えば、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にドープドポリシリコン（Doped-Poly Si ）膜やノンドープドポリシリコン（NonDoped-Poly Si）膜や窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）膜や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜等の膜を熱ＣＶＤ装置を使用して堆積（デポジション）させる工程に利用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) on which an integrated circuit including semiconductor elements is fabricated. Use a thermal CVD device to deposit doped polysilicon (Doped-Poly Si) film, non-doped polysilicon (NonDoped-Poly Si) film, silicon nitride (Si ₃ N ₄ ) film, silicon oxide (SiOx) film, etc. The present invention relates to a technique that is effective for use in a process of depositing.

ＩＣの製造方法においては、ウエハにドープドポリシリコン膜やノンドープドポリシリコン膜や窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等のＣＶＤ膜を形成する工程にバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが収容されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に成膜ガス等を供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えており、待機室において複数枚のウエハがボートに装填（ウエハチャージング）された後に、待機室から予熱された処理室に搬入（ボートローディング）され、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
従来のこの種のＣＶＤ装置においてボートローディングする方法としては、処理室および待機室が共に大気圧の状態でボートローディングする方法と、処理室および待機室を窒素（Ｎ₂ ）ガスに置換（パージ）してボートローディングする方法と、処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする方法とがある。
処理室および待機室が共に大気圧の状態でボートローディングする方法においては、ボートローディング時に自然酸化膜が生成し易いため、ＩＣの製造方法の歩留りに悪影響が及ぶという問題点がある。
処理室および待機室を窒素ガスに置換してボートローディングする方法においては、大気圧の状態でボートローディングする場合に比べて自然酸化膜の生成を抑制することができるが、置換された窒素ガスから完全に酸素（Ｏ₂ ）を除去することはできないために、ある程度の自然酸化膜は増加してしまう。
処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする方法においては、酸素を略完全に除去することができるため、窒素ガス雰囲気下でボートローディングする方法に比べて、自然酸化膜の増加をさらに抑制することができる。 In IC manufacturing method, batch type vertical hot wall type low pressure CVD equipment is widely used in the process of forming CVD film such as doped polysilicon film, non-doped polysilicon film, silicon nitride film and silicon oxide film on the wafer. Has been.
A batch type vertical hot wall type low pressure CVD apparatus (hereinafter referred to as a CVD apparatus) is formed by a process tube and an inner tube that accommodates a wafer and an outer tube that surrounds the inner tube. A gas supply pipe for supplying a film forming gas or the like to the processed chamber, an exhaust pipe for evacuating the processing chamber, a heater unit installed outside the process tube to heat the processing chamber, and a plurality of wafers in multiple stages. And a standby chamber in which the boat waits for loading / unloading into the processing chamber. A plurality of wafers are loaded into the boat in the standby chamber. After (wafer charging), the wafer is loaded (boat loading) from the standby chamber into the preheated processing chamber, and the film forming gas is transferred to the processing chamber. Is supplied from the gas supply pipe, and the processing chamber is heated to a predetermined heat treatment temperature by the heater unit, so that a CVD film is deposited on the wafer (see, for example, Patent Document 1). .
In the conventional CVD apparatus of this type, the boat loading method includes a boat loading method in which the processing chamber and the standby chamber are both at atmospheric pressure, and a replacement (purging) of the processing chamber and the standby chamber with nitrogen (N ₂ ) gas. There are a method of boat loading and a method of evacuating the processing chamber and the standby chamber to boat loading.
In the method of boat loading in which both the processing chamber and the standby chamber are at atmospheric pressure, there is a problem in that the yield of the IC manufacturing method is adversely affected because a natural oxide film is easily generated during boat loading.
In the method of boat loading by replacing the processing chamber and the standby chamber with nitrogen gas, the generation of a natural oxide film can be suppressed as compared with the case of boat loading at atmospheric pressure. Since oxygen (O ₂ ) cannot be completely removed, the natural oxide film increases to some extent.
In the boat loading method in which the processing chamber and the standby chamber are evacuated to vacuum, oxygen can be almost completely removed, so that the increase in the natural oxide film is further increased compared to the boat loading method in a nitrogen gas atmosphere. Can be suppressed.

特開２００１−２１７１９４号公報JP 2001-217194 A

しかしながら、処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする場合には、パーティクルが発生することが究明された。すなわち、ウエハが予熱された処理室にボートローディングされる際には、ウエハの温度がヒータに近い側である周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇することによるウエハ面内の温度差とウエハの自重との関係により、ウエハは凹形状に反ることが知られている。このウエハの反りに伴って、ボートのウエハ保持溝の保持面とウエハの下面における周辺部の被保持面とが擦れ合う。この際、処理室および待機室が真空に排気されていると、ウエハの被保持面とボートの保持面との摩擦力が大きくなるため、前の工程でウエハの下面に被着された被膜が剥離される。剥離された被膜はパーティクルとなって保持溝の保持面から溢れ落ちて、直下のウエハにおけるＩＣが作り込まれる面である上面に付着するため、ＩＣの製造方法の歩留りを低下させる。   However, it has been determined that particles are generated when the processing chamber and the standby chamber are evacuated to boat loading. That is, when a wafer is loaded into a preheated processing chamber, the temperature of the wafer rises from the peripheral portion on the side close to the heater, and the central portion on the far side rises with a delay. It is known that the wafer warps in a concave shape due to the relationship between the temperature difference and the weight of the wafer. Along with the warpage of the wafer, the holding surface of the wafer holding groove of the boat and the held surface of the peripheral portion on the lower surface of the wafer rub against each other. At this time, if the processing chamber and the standby chamber are evacuated to a vacuum, the frictional force between the wafer holding surface and the boat holding surface increases, so that the coating deposited on the lower surface of the wafer in the previous step It is peeled off. The peeled film overflows from the holding surface of the holding groove as particles, and adheres to the upper surface, which is the surface where the IC is formed on the wafer immediately below, thus reducing the yield of the IC manufacturing method.

本発明の目的は、減圧下での基板の被保持面からのパーティクルによる歩留りの低下を防止することができる基板処理装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent a decrease in yield due to particles from a held surface of a substrate under reduced pressure.

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、前記基板を支持する基板支持体と、この基板支持体を収容する待機室と、前記基板を支持した前記基板支持体を前記待機室から前記処理室へ搬入する際の前記待機室および前記処理室の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する制御装置と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を処理する処理室と、この処理室で前記基板を支持する基板支持体とを有し、ＣＶＤ法によって前記基板に薄膜を堆積させる処理を実施する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記（１）において、前記支持部と前記基板とが接触する角部にＲ面取り部またはＣ面取り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（４）前記（２）において、前記支持部と前記基板とが接触する角部にＲ面取り部またはＣ面取り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（５）基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられている基板支持体に前記基板を支持するステップと、
前記基板を支持した前記基板支持体を大気圧よりも低い圧力で処理室に搬入するステップと、
前記処理室において前記基板支持体によって支持された前記基板を処理するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（６）基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられている基板支持体により前記基板を支持するステップと、
前記基板を前記基板支持体によって支持した状態でＣＶＤ法によって前記基板に薄膜を堆積させるステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Representative inventions disclosed in the present application are as follows.
(1) A processing chamber for processing a substrate, a substrate support for supporting the substrate, a standby chamber for storing the substrate support, and the substrate support for supporting the substrate from the standby chamber to the processing chamber. A control apparatus that controls the pressure of the standby chamber and the processing chamber to be lower than the atmospheric pressure when carrying in, and a substrate processing apparatus comprising:
The substrate support includes a support portion that comes into contact with the substrate, and a saucer portion that is provided below the support portion and extends outward from a part of the outer peripheral edge of the support portion. Is provided with an escape groove for avoiding contact with the outer peripheral edge of the substrate.
(2) A substrate processing apparatus having a processing chamber for processing a substrate and a substrate support for supporting the substrate in the processing chamber, and performing a process of depositing a thin film on the substrate by a CVD method,
The substrate support includes a support portion that comes into contact with the substrate, and a saucer portion that is provided below the support portion and extends outward from a part of the outer peripheral edge of the support portion. Is provided with an escape groove for avoiding contact with the outer peripheral edge of the substrate.
(3) The substrate processing apparatus according to (1), wherein an R chamfered portion or a C chamfered portion is formed at a corner portion where the support portion and the substrate are in contact with each other.
(4) The substrate processing apparatus according to (2), wherein an R chamfered portion or a C chamfered portion is formed at a corner where the support portion and the substrate are in contact with each other.
(5) It has a support part which contacts a substrate, and a saucer part which is provided under this support part and extended outward from the outer periphery of this support part, and the outer periphery of the substrate is provided in the support part Supporting the substrate on a substrate support provided with relief grooves for avoiding contact with
Carrying the substrate support supporting the substrate into a processing chamber at a pressure lower than atmospheric pressure;
And a step of processing the substrate supported by the substrate support in the processing chamber.
(6) It has a support part which contacts a substrate, and a saucer part which is provided under this support part and extended outward from the outer periphery of this support part, and the outer periphery of the substrate is provided in the support part Supporting the substrate by a substrate support provided with relief grooves to avoid contact with
Depositing a thin film on the substrate by a CVD method in a state where the substrate is supported by the substrate support.

本発明によれば、減圧下での基板の被保持面からのパーティクルによる歩留りの低下を防止することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent a decrease in yield due to particles from the held surface of the substrate under reduced pressure.

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、本発明に係る半導体装置の製造方法における成膜工程は、図１および図２に示されたＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）によって実施される。
図１および図２に示されたＣＶＤ装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えており、プロセスチューブ１１はインナチューブ１２とアウタチューブ１３とから構成されている。インナチューブ１２は石英（ＳｉＯ₂ ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ１３は石英または炭化シリコンが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ１２は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１２の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１４を形成している。インナチューブ１２の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口１５を構成している。したがって、インナチューブ１２の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ１３は内径がインナチューブ１２の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１２にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ１２の下端とアウタチューブ１３の下端との間は円形リング形状に形成されたマニホールド１６によって気密封止されており、マニホールド１６がＣＶＤ装置の筐体３１によって支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられている。マニホールド１６の下端開口は炉口ゲートバルブ２９によって開閉されるようになっている。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the present embodiment, the film forming step in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is performed by the CVD apparatus (batch type vertical hot wall type reduced pressure CVD apparatus) shown in FIGS.
The CVD apparatus shown in FIGS. 1 and 2 includes a vertical process tube 11 which is vertically arranged so that the center line is vertical and is fixedly supported. The process tube 11 includes an inner tube 12 and an outer tube. It consists of a tube 13. The inner tube 12 is integrally formed into a cylindrical shape using quartz (SiO ₂ ) or silicon carbide (SiC), and the outer tube 13 is integrally formed into a cylindrical shape using quartz or silicon carbide. The inner tube 12 is formed in a cylindrical shape with both upper and lower ends opened, and the cylindrical hollow portion of the inner tube 12 forms a processing chamber 14 into which a plurality of wafers held in a state aligned in a vertical direction by a boat are carried. is doing. The lower end opening of the inner tube 12 constitutes a furnace port 15 for taking in and out a wafer as a substrate to be processed. Therefore, the inner diameter of the inner tube 12 is set to be larger than the maximum outer diameter of the wafer to be handled. The outer tube 13 is formed in a cylindrical shape whose inner diameter is larger than the outer diameter of the inner tube 12 and whose upper end is closed and whose lower end is opened, and the inner tube 12 is covered with a concentric circle so as to surround the outer side. The lower end of the inner tube 12 and the lower end of the outer tube 13 are hermetically sealed by a manifold 16 formed in a circular ring shape, and the manifold 16 is supported by a casing 31 of a CVD apparatus, whereby a process tube is formed. 11 is installed vertically. The lower end opening of the manifold 16 is opened and closed by a furnace port gate valve 29.

マニホールド１６の側壁の上部には真空ポンプ等からなる排気装置４１に排気ライン４２を介して接続された排気管１７が接続されており、排気ライン４２には流量制御弁４３および圧力計４４が設備されている。流量制御弁４３は制御装置４０によって制御されるように構成されており、圧力計４４は計測結果を制御装置４０に送信するように構成されている。排気管１７はインナチューブ１２とアウタチューブ１３との間に形成された隙間からなる排気路１８に連通した状態になっている。排気路１８はインナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気管１７はマニホールド１６に接続されているため、排気路１８の最下端部に配置された状態になっている。マニホールド１６の側壁の下部にはガス供給管１９がインナチューブ１２の炉口１５に連通するように接続されており、ガス供給管１９には成膜ガス供給源５０と窒素ガス供給源６０とが、成膜ガス供給ライン５１と窒素ガス供給ライン６１とを介してそれぞれ接続されている。成膜ガス供給ライン５１と窒素ガス供給ライン６１とには、制御装置４０によってそれぞれ制御される成膜ガス流量制御弁５２と窒素ガス流量制御弁６２とがそれぞれ設けられている。ガス供給管１９によって炉口１５に供給されたガスは、インナチューブ１２の処理室１４を流通して排気路１８を通って排気管１７によって排気される。マニホールド１６の下端面には処理室１４を閉塞するシールキャップ２０が下側から当接されるようになっている。シールキャップ２０はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。   An exhaust pipe 17 connected via an exhaust line 42 to an exhaust device 41 such as a vacuum pump is connected to the upper portion of the side wall of the manifold 16. The exhaust line 42 is provided with a flow control valve 43 and a pressure gauge 44. Has been. The flow rate control valve 43 is configured to be controlled by the control device 40, and the pressure gauge 44 is configured to transmit a measurement result to the control device 40. The exhaust pipe 17 is in a state of communicating with an exhaust path 18 formed by a gap formed between the inner tube 12 and the outer tube 13. The exhaust path 18 is formed in a circular ring shape having a constant cross-sectional shape by a gap between the inner tube 12 and the outer tube 13, and the exhaust pipe 17 is connected to the manifold 16. It is in a state of being arranged in the section. A gas supply pipe 19 is connected to the lower portion of the side wall of the manifold 16 so as to communicate with the furnace port 15 of the inner tube 12. A film forming gas supply source 50 and a nitrogen gas supply source 60 are connected to the gas supply pipe 19. The film forming gas supply line 51 and the nitrogen gas supply line 61 are connected to each other. The film forming gas supply line 51 and the nitrogen gas supply line 61 are provided with a film forming gas flow rate control valve 52 and a nitrogen gas flow rate control valve 62 respectively controlled by the control device 40. The gas supplied to the furnace port 15 by the gas supply pipe 19 flows through the processing chamber 14 of the inner tube 12, passes through the exhaust path 18, and is exhausted by the exhaust pipe 17. A seal cap 20 that closes the processing chamber 14 is brought into contact with the lower end surface of the manifold 16 from below. The seal cap 20 is formed in a disk shape substantially equal to the outer diameter of the manifold 16, and is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator (not shown).

シールキャップ２０の中心線上には被処理基板としてのウエハ１を保持するためのボート２１が垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート２１は全体的に石英または炭化シリコンが使用されて構成されており、上下で一対の端板２２、２３と、上側端板２２と下側端版２３との間に架設されて垂直に配設された複数本（図示例では三本）の保持部材２４とを備えている。各保持部材２４には多数条の保持溝２５が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。   On the center line of the seal cap 20, a boat 21 for holding the wafer 1 as a substrate to be processed is vertically supported and supported. The boat 21 is made of quartz or silicon carbide as a whole, and is installed vertically between a pair of end plates 22 and 23 and an upper end plate 22 and a lower end plate 23. And a plurality of (three in the illustrated example) holding members 24 provided. A large number of holding grooves 25 are arranged in each holding member 24 at equal intervals in the longitudinal direction so as to be opened facing each other.

図３に示されているように、ボート２１の保持部材２４は円柱形状に形成されており、保持溝２５は保持部材２４の外周面におけるウエハ１の中心に向いた部分に切削加工によって形成されている。保持溝２５にはウエハ１の下面に接触して支持する支持部２８がウエハ１の径方向内向きに水平に形成されているとともに、支持部２８で発生するパーティクルを受け止める受け皿部２６が支持部２８よりも低い位置（支持部２８の下方）に支持部２８のエッジ全体にわたって形成されている。支持部２８の外側端部すなわち、図３（ｂ）にハッチングで示された保持部材２４の支柱側にはウエハ１の外周縁すなわちウエハ１の下面のエッジとの接触を避けるための逃げ溝２７が、ウエハ１の周方向に倣うように切削加工によって没設されている。すなわち、逃げ溝２７は支持部２８と保持部材２４の支柱との間のウエハ１の下面のエッジに対応する部分（エッジ下方）に設けられている。逃げ溝２７は支持部２８よりも低い位置であって受け皿部２６よりも高い位置に設けられている。逃げ溝２７はウエハ１の外周縁と支持部２８との接触を防止することにより、ウエハ１の外周縁が支持部２８に接触することによる擦れ（ウエハがずれたり熱膨張したりすることによる擦れ）によってパーティクルを発生したり、パーティクルをウエハ１の上に巻き上げたりするのを未然に防止する役目を果たす。   As shown in FIG. 3, the holding member 24 of the boat 21 is formed in a cylindrical shape, and the holding groove 25 is formed by cutting in a portion of the outer peripheral surface of the holding member 24 facing the center of the wafer 1. ing. In the holding groove 25, a support portion 28 that is in contact with and supported by the lower surface of the wafer 1 is formed horizontally inward in the radial direction of the wafer 1, and a tray portion 26 that receives particles generated in the support portion 28 is provided as a support portion. It is formed over the entire edge of the support portion 28 at a position lower than 28 (below the support portion 28). A clearance groove 27 for avoiding contact with the outer peripheral edge of the wafer 1, that is, the edge of the lower surface of the wafer 1, on the outer end of the support portion 28, that is, on the support column side of the holding member 24 shown by hatching in FIG. However, it is immersed by cutting so as to follow the circumferential direction of the wafer 1. That is, the escape groove 27 is provided in a portion (below the edge) corresponding to the edge of the lower surface of the wafer 1 between the support portion 28 and the column of the holding member 24. The escape groove 27 is provided at a position lower than the support portion 28 and higher than the tray portion 26. The escape groove 27 prevents contact between the outer peripheral edge of the wafer 1 and the support portion 28, thereby rubbing due to contact of the outer peripheral edge of the wafer 1 with the support portion 28 (rubbing due to displacement of the wafer or thermal expansion). ) To prevent particles from being generated or rolled up on the wafer 1.

支持部２８は平面視の形状が山形、正確には台形の平板形状に形成されており、山の頂部すなわち台形の上底（短い方の辺）がウエハ１の中心を向き、山の底部すなわち台形の下底（長い方の辺）がウエハ１の中心側と反対側を向いた形状に形成されている。すなわち、支持部２８は平面視において図３（ｂ）にハッチングで示された保持部材２４の支柱の部分側からウエハ１の中心方向に向かうに従い、その幅が狭くなる形状に形成されている。台形形状の支持部２８は保持溝２５の切削加工に際して同時に形成することができる。支持部２８の台形の上底部のウエハを載置する部分には、Ｒ面取り部２８ａが形成されている。Ｒ面取り部２８ａは支持部２８のウエハ１の接触する各角部にもそれぞれ形成されており、ウエハ１が接触する角部に切削加工によって形成された突起等を除去することにより、それら突起等がウエハ１を損傷させてパーティクルを発生するのを未然に防止している。   The support portion 28 has a mountain shape in plan view, more precisely, a trapezoidal flat plate shape. The top of the mountain, that is, the upper base (shorter side) of the trapezoid faces the center of the wafer 1, and the bottom of the mountain, The lower base (longer side) of the trapezoid is formed in a shape facing the opposite side to the center side of the wafer 1. That is, the support portion 28 is formed in a shape in which the width thereof becomes narrower from the side of the support column of the holding member 24 shown by hatching in FIG. The trapezoidal support portion 28 can be formed simultaneously when the holding groove 25 is cut. An R chamfered portion 28 a is formed in a portion of the support portion 28 on which the wafer on the upper base of the trapezoid is placed. The R chamfered portion 28a is also formed at each corner portion of the support portion 28 with which the wafer 1 is in contact, and by removing the protrusions formed by cutting at the corner portion with which the wafer 1 is in contact, these protrusions, etc. Prevents the wafer 1 from being damaged and generating particles.

受け皿部２６の平面視の形状は保持部材２４の受け皿部２６の部分の円形断面から保持部材２４の図３（ｂ）のハッチングで示された支柱の部分の断面形状と支持部２８の台形形状とを切り欠いた形状になっており、受け皿部２６は保持部材２４の支柱の部分から支持部２８のエッジ（台形の二つの斜辺と上底）にかけてこれらに沿うように連続的に設けられる。受け皿部２６は保持部材２４に保持溝２５と支持部２８とを切削加工する際に、同時に形成することができる。つまり、受け皿部２６は支持部２８と同質の材料が使用されている。受け皿部２６の支持部２８の外周縁の保持部材２４の支柱部分と接していない部分の三方から外方への延び出し量Ｌ（図３（ｃ）に示された支持部２８のエッジから受け皿部２６のエッジまでの距離Ｌ）は、６ｍｍ以上、好ましくは６ｍｍ〜１５ｍｍに設定することが望ましい。   The shape of the saucer portion 26 in plan view is from the circular cross section of the saucer portion 26 portion of the holding member 24 to the cross-sectional shape of the support column portion shown by hatching in FIG. 3B and the trapezoidal shape of the support portion 28. The tray 26 is continuously provided along the support column 28 edge (the two oblique sides of the trapezoid and the upper base) along the support column 28. The saucer portion 26 can be formed simultaneously with the holding member 24 when the holding groove 25 and the support portion 28 are cut. That is, the receiving tray portion 26 is made of the same material as the support portion 28. A length L extending outwardly from three portions of the outer peripheral edge of the support portion 28 of the tray portion 26 not contacting the supporting column portion of the holding member 24 (from the edge of the support portion 28 shown in FIG. 3C) The distance L) to the edge of the part 26 is set to 6 mm or more, preferably 6 mm to 15 mm.

アウタチューブ１３の外部にはプロセスチューブ１１内を加熱するヒータユニット３０が、アウタチューブ１３の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット３０はプロセスチューブ１１内を全体にわたって均一または予め設定された温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット３０はＣＶＤ装置の筐体３１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。図１に示されているように、筐体３１はヒータユニット設置室３２と、ボート２１が処理室１４に対しての搬入搬出に待機する待機室３３とを備えており、待機室３３はロードロック方式（ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式）に構築されている。筐体３１の待機室３３の側壁には待機室３３を排気する排気管３４と、待機室３３にパージガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管３５とがそれぞれ接続されている。排気管３４は流量制御弁４６および圧力計４７が設備された排気ライン４５を介して排気装置４１に接続されている。流量制御弁４６は制御装置４０によって制御されるように構成されており、圧力計４７は計測結果を制御装置４０に送信するように構成されている。窒素ガス供給管３５は窒素ガス流量制御弁６４が設備された窒素ガス供給ライン６３を介して窒素ガス供給源６０に接続されており、窒素ガス流量制御弁６４は制御装置４０によって制御されるように構成されている。なお、待機室３３の他の側壁にはゲートバルブによって開閉されるウエハ搬入搬出口が開設されている。待機室３３の内部にはシールキャップ２０を昇降させるボートエレベータ（図示せず）が設置されている。   A heater unit 30 for heating the inside of the process tube 11 is provided outside the outer tube 13 in a concentric circle so as to surround the outer tube 13, and the heater unit 30 is uniformly or preliminarily distributed throughout the process tube 11. It is configured to heat to a set temperature distribution. The heater unit 30 is vertically installed by being supported by the casing 31 of the CVD apparatus. As shown in FIG. 1, the casing 31 includes a heater unit installation chamber 32 and a standby chamber 33 in which the boat 21 waits for loading / unloading of the processing chamber 14. Locking system (isolation valve such as gate valve is used to isolate the processing chamber from the loading / unloading chamber to prevent inflow of air into the processing chamber and to stabilize the processing by reducing disturbances such as temperature and pressure) System). An exhaust pipe 34 that exhausts the standby chamber 33 and a nitrogen gas supply pipe 35 that supplies nitrogen gas as a purge gas to the standby chamber 33 are connected to the side wall of the standby chamber 33 of the casing 31. The exhaust pipe 34 is connected to an exhaust device 41 via an exhaust line 45 provided with a flow control valve 46 and a pressure gauge 47. The flow control valve 46 is configured to be controlled by the control device 40, and the pressure gauge 47 is configured to transmit a measurement result to the control device 40. The nitrogen gas supply pipe 35 is connected to a nitrogen gas supply source 60 via a nitrogen gas supply line 63 provided with a nitrogen gas flow rate control valve 64, and the nitrogen gas flow rate control valve 64 is controlled by the control device 40. It is configured. A wafer loading / unloading opening that is opened and closed by a gate valve is opened on the other side wall of the standby chamber 33. A boat elevator (not shown) that raises and lowers the seal cap 20 is installed inside the standby chamber 33.

次に、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用した本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程を、ウエハにドープドポリシリコン膜を形成する場合について説明する。   Next, the film forming step of the IC manufacturing method according to an embodiment of the present invention using the CVD apparatus having the above-described configuration will be described in the case where a doped polysilicon film is formed on a wafer.

複数枚のウエハ１がボート２１に装填されるウエハチャージングステップにおいては、図１に示されているように、ボート２１が待機室３３に待機された状態で、複数枚のウエハ１がボート２１にウエハ移載装置（wafer transfer equipment )によって装填されて行く。この際、待機室３３は窒素ガス供給管３５によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６４を制御することによって窒素ガス供給源６０の窒素ガスを窒素ガス供給ライン６３を通じて窒素ガス供給管３５から待機室３３に供給させ、図４（ａ）に示されているように、待機室３３の圧力を大気圧（約１０１３ｈＰａ）に維持する。この待機室３３の窒素ガスパージによって、ウエハ１における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハチャージング作業を実施することができる。この際、炉口ゲートバルブ２９は閉じられている。   In the wafer charging step in which the plurality of wafers 1 are loaded into the boat 21, as shown in FIG. 1, the plurality of wafers 1 are loaded into the boat 21 while the boat 21 is waiting in the standby chamber 33. The wafer is loaded by a wafer transfer equipment. At this time, the standby chamber 33 is purged with nitrogen gas supplied through the nitrogen gas supply pipe 35. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate control valve 64 to supply the nitrogen gas of the nitrogen gas supply source 60 from the nitrogen gas supply pipe 35 to the standby chamber 33 through the nitrogen gas supply line 63, and FIG. As shown in FIG. 4, the pressure in the standby chamber 33 is maintained at atmospheric pressure (about 1013 hPa). By this nitrogen gas purge of the standby chamber 33, the wafer charging operation can be performed under atmospheric pressure while preventing the formation of a natural oxide film on the wafer 1. At this time, the furnace gate valve 29 is closed.

所定の枚数のウエハ１が装填されたボート２１が処理室１４にボートローディングされるボートローディングステップにおいては、炉口ゲートバルブ２９が開けられ炉口１５が開口された後に、ボート２１はボートエレベータによって差し上げられてインナチューブ１２の炉口１５から処理室１４にボートローディングされて行き、図２に示されているように、炉口１５を気密シールしたシールキャップ２０に支持されたままの状態で、処理室１４に存置される。このボートローディングに際して、待機室３３および処理室１４はそれぞれ２００Ｐａとなるように窒素ガス供給管３５およびガス供給管１９から窒素ガスを供給しつつ、排気管３４および排気管１７によってそれぞれ排気される。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６４を制御することによって窒素ガス供給管３５から待機室３３への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４６を制御することによって待機室３３を排気し、図４（ａ）に示されているように、待機室３３を２００Ｐａまで減圧して維持する。また、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６２を制御することによってガス供給管１９から処理室１４への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４３を制御することによって処理室１４を排気し、図４（ｂ）に示されているように、処理室１４の圧力を２００Ｐａに維持する。この際、炉口ゲートバルブ２９は閉じられており、炉口１５が気密にシールされている。また、処理室１４の温度は熱処理温度（例えば、５３０℃）を維持するように制御されている。この状態すなわち待機室３３と処理室１４との圧力が略等しくなった状態で、炉口ゲートバルブ２９が開けられることにより、処理室１４と待機室３３が連通し、２００Ｐａの圧力のもとボートローディングが行われる。   In a boat loading step in which a boat 21 loaded with a predetermined number of wafers 1 is loaded into the processing chamber 14, after the furnace port gate valve 29 is opened and the furnace port 15 is opened, the boat 21 is moved by a boat elevator. As shown in FIG. 2, the furnace port 15 is boat-loaded from the furnace port 15 of the inner tube 12 to the processing chamber 14, and the furnace port 15 is supported by a seal cap 20 that is hermetically sealed. It is left in the processing chamber 14. During the boat loading, the standby chamber 33 and the processing chamber 14 are exhausted by the exhaust pipe 34 and the exhaust pipe 17 while supplying nitrogen gas from the nitrogen gas supply pipe 35 and the gas supply pipe 19 so as to be 200 Pa, respectively. That is, the controller 40 controls the nitrogen gas flow rate control valve 64 to control the nitrogen gas flow rate from the nitrogen gas supply pipe 35 to the standby chamber 33, and controls the flow rate control valve 46 to exhaust the standby chamber 33. As shown in FIG. 4A, the standby chamber 33 is maintained at a reduced pressure of 200 Pa. Further, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate from the gas supply pipe 19 to the processing chamber 14 by controlling the nitrogen gas flow rate control valve 62, and exhausts the processing chamber 14 by controlling the flow rate control valve 43, As shown in FIG. 4B, the pressure in the processing chamber 14 is maintained at 200 Pa. At this time, the furnace port gate valve 29 is closed, and the furnace port 15 is hermetically sealed. Further, the temperature of the processing chamber 14 is controlled so as to maintain a heat treatment temperature (for example, 530 ° C.). In this state, that is, in a state where the pressures of the standby chamber 33 and the processing chamber 14 are substantially equal, the furnace port gate valve 29 is opened, whereby the processing chamber 14 and the standby chamber 33 communicate with each other, and the boat is operated under a pressure of 200 Pa. Loading is performed.

処理室１４においてボート２１によって保持されたウエハ１を処理する処理ステップにおいては、処理室１４の内部が所定の真空度（１１０Ｐａ）となるようにガス供給管１９から窒素ガスを流しつつ、排気管１７によって排気される。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６２を制御することによってガス供給管１９から処理室１４への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４３を制御することによって処理室１４を排気し、図４（ｂ）に示されているように、処理室１４の圧力を１１０Ｐａに減圧する。次いで、処理ガス３６が処理室１４にガス供給管１９によって供給され、ウエハ１の表面に所望の成膜としてのドープドポリシリコン膜２が熱ＣＶＤ法により堆積（デポジション）される。すなわち、制御装置４０は成膜ガス流量制御弁５２を制御することによって処理ガス３６としてのモノシラン（ＳｉＨ₄ ）ガスおよびホスフィン（ＰＨ₃ ）ガスを処理室１４へガス供給管１９によって供給する。供給された処理ガス３６はインナチューブ１２の処理室１４を上昇し、上端開口からインナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって形成された排気路１８に流出して排気管１７から排気される。 In the processing step of processing the wafer 1 held by the boat 21 in the processing chamber 14, while exhausting the nitrogen gas from the gas supply pipe 19 so that the inside of the processing chamber 14 has a predetermined degree of vacuum (110 Pa), the exhaust pipe 17 is exhausted. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate from the gas supply pipe 19 to the processing chamber 14 by controlling the nitrogen gas flow rate control valve 62, and exhausts the processing chamber 14 by controlling the flow rate control valve 43. As shown in FIG. 4B, the pressure in the processing chamber 14 is reduced to 110 Pa. Next, the processing gas 36 is supplied to the processing chamber 14 through the gas supply pipe 19, and the doped polysilicon film 2 as a desired film is deposited (deposited) on the surface of the wafer 1 by a thermal CVD method. That is, the control device 40 supplies the monosilane (SiH ₄ ) gas and the phosphine (PH ₃ ) gas as the processing gas 36 to the processing chamber 14 through the gas supply pipe 19 by controlling the film forming gas flow rate control valve 52. The supplied processing gas 36 ascends the processing chamber 14 of the inner tube 12, flows out from the upper end opening to the exhaust path 18 formed by the gap between the inner tube 12 and the outer tube 13, and is exhausted from the exhaust pipe 17.

予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ２０が下降されて処理室１４の炉口１５が開口されるとともに、ボート２１に保持された状態でウエハ１群が炉口１５からプロセスチューブ１１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。このボートアンローディングステップにおいては、図４に示されているように、処理室１４の圧力は２００Ｐａに増圧され、２００Ｐａに維持されている待機室３３の圧力と略同一となる。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６２を制御することによってガス供給管１９から処理室１４への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４３を制御することによって、図４（ｂ）に示されているように、処理室１４の圧力を２００Ｐａに増圧し維持する。このようにして、ボートアンローディングステップが２００Ｐａのような低圧下において実施されると、処理済のウエハ１の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に防止することができる。   When the processing time set in advance elapses, the seal cap 20 is lowered to open the furnace port 15 of the processing chamber 14, and the wafer 1 group is transferred from the furnace port 15 to the process tube 11 while being held in the boat 21. Carried out (boat unloading). In this boat unloading step, as shown in FIG. 4, the pressure in the processing chamber 14 is increased to 200 Pa and becomes substantially the same as the pressure in the standby chamber 33 maintained at 200 Pa. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate control valve 62 to control the nitrogen gas flow rate from the gas supply pipe 19 to the processing chamber 14, and the flow rate control valve 43 to control the flow rate shown in FIG. As shown, the pressure in the processing chamber 14 is increased to 200 Pa and maintained. In this way, when the boat unloading step is performed under a low pressure such as 200 Pa, the generation of a natural oxide film of the processed wafer 1 can be extremely effectively prevented.

待機室３３にボートアンローディングされたボート２１から処理済のウエハ１が脱装されるウエハディスチャージングステップにおいては、図４（ａ）に示されているように、待機室３３は窒素ガス供給管３５によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６４を制御することによって窒素ガス供給源６０の窒素ガスを窒素ガス供給ライン６３を通じて窒素ガス供給管３５から待機室３３に供給させ、図４（ａ）に示されているように、待機室３３の圧力を大気圧まで増圧して維持する。この待機室３３の窒素ガスパージによって、高温になった処理済のウエハ１を強制的に冷却することができる。処理済のウエハ１の温度がウエハ移載装置の取扱可能温度まで低下すると、処理済のウエハ１群がボート２１からウエハ移載装置によって脱装される。この際、待機室３３は窒素ガスパージされているので、処理済のウエハ１における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハディスチャージング作業を実施することができる。   In the wafer discharging step in which the processed wafer 1 is detached from the boat 21 unloaded in the standby chamber 33, as shown in FIG. 4A, the standby chamber 33 has a nitrogen gas supply pipe. Purge by the nitrogen gas supplied by 35. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate control valve 64 to supply the nitrogen gas of the nitrogen gas supply source 60 from the nitrogen gas supply pipe 35 to the standby chamber 33 through the nitrogen gas supply line 63, and FIG. As shown in FIG. 2, the pressure in the standby chamber 33 is increased to atmospheric pressure and maintained. The nitrogen gas purge of the standby chamber 33 can forcibly cool the processed wafer 1 that has reached a high temperature. When the temperature of the processed wafer 1 decreases to a temperature that can be handled by the wafer transfer device, the processed wafer group 1 is detached from the boat 21 by the wafer transfer device. At this time, since the standby chamber 33 is purged with nitrogen gas, it is possible to perform a wafer discharging operation under atmospheric pressure while preventing generation of a natural oxide film in the processed wafer 1.

以降、前述した各ステップが反復されることにより、成膜工程が繰り返し実施されて行く。   Thereafter, the film forming process is repeatedly performed by repeating the above-described steps.

以上の成膜工程において、ウエハ１が処理温度に維持された処理室１４にボートローディングされる際には、ウエハ１の温度はヒータユニット３０に近い側である周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇する状態になり、このウエハ１の面内の温度差とウエハ１の自重との関係により、ウエハ１は凹形状（中央部が下がり周辺部が上がった形状）に反る現象が起こる。このウエハ１の反りに伴って、ボート２１の保持溝２５の受け皿部２６とウエハ１の下面における周辺部の被保持面とが擦れ合うため、前の成膜工程でボート２１に被着された脆弱な膜が剥離する。剥離した膜はパーティクルとなって保持溝２５の受け皿部２６から溢れ落ちて、直下のウエハ１におけるＩＣが作り込まれる面である上面に付着するため、ＩＣの製造方法の歩留りを低下させる原因になる。   In the above film forming process, when the wafer 1 is boat loaded into the processing chamber 14 maintained at the processing temperature, the temperature of the wafer 1 rises from the peripheral portion that is nearer to the heater unit 30 and is farther away. The central portion rises with a delay, and the wafer 1 warps in a concave shape (a shape in which the central portion is lowered and the peripheral portion is raised) due to the relationship between the temperature difference in the surface of the wafer 1 and the weight of the wafer 1. A phenomenon occurs. As the wafer 1 warps, the receiving portion 26 of the holding groove 25 of the boat 21 and the held surface of the peripheral portion on the lower surface of the wafer 1 rub against each other, so that the brittleness adhered to the boat 21 in the previous film formation step. Peels off. The peeled film becomes particles and overflows from the tray portion 26 of the holding groove 25 and adheres to the upper surface, which is the surface on which the IC is formed in the wafer 1 immediately below. This causes the yield of the IC manufacturing method to decrease. Become.

しかし、本実施の形態においては、ウエハ１は保持溝２５に突設された支持部２８によって受け皿部２６から浮き上げられた状態で保持されているために、ボート２１の支持部２８とウエハ１の被保持面との間に摩擦が発生して膜が剥離したとしても、剥離によるパーティクルはボート２１の受け皿部２６に落下して受け止められることにより、ウエハに落下するのを防止される。つまり、ボート２１の支持部２８とウエハ１の被保持面との間に摩擦が発生して膜が剥離したとしても、剥離によるパーティクルは直下のウエハ１におけるＩＣが作り込まれる面である上面に付着するのを防止することができるため、パーティクルの発生によるＩＣの製造方法の歩留りの低下を防止することができる。したがって、受け皿部２６はウエハ１を支持する支持部２８によって発生するパーティクルを受け止める受け皿を構成している。
また、支持部２８の外側端部には、ウエハ１の外周縁との接触を避けるための逃げ溝２７が設けられているので、特に、ウエハ１の外周部についてはウエハ１の外周縁と支持部２８の擦れによるパーティクルの発生自体を防止することができる。 However, in the present embodiment, since the wafer 1 is held in a state of being lifted from the receiving tray portion 26 by the support portion 28 protruding from the holding groove 25, the support portion 28 of the boat 21 and the wafer 1 are held. Even if the film is peeled off due to friction with the surface to be held, particles due to the peeling fall on the tray part 26 of the boat 21 and are received and are prevented from falling onto the wafer. That is, even if friction is generated between the support portion 28 of the boat 21 and the surface to be held of the wafer 1 and the film is peeled off, particles due to the peeling are formed on the upper surface, which is the surface on which the IC in the wafer 1 immediately below is formed. Since adhesion can be prevented, it is possible to prevent a decrease in yield of the IC manufacturing method due to generation of particles. Accordingly, the tray portion 26 constitutes a tray that receives particles generated by the support portion 28 that supports the wafer 1.
Further, the outer end portion of the support portion 28 is provided with a clearance groove 27 for avoiding contact with the outer peripheral edge of the wafer 1. In particular, the outer peripheral portion of the wafer 1 is supported with the outer peripheral edge of the wafer 1. Generation of particles due to rubbing of the portion 28 can be prevented.

本実施の形態に係る受け皿部２６および支持部２８は保持溝２５の保持部材２４への切削加工のみにより同時に形成することができるので、加工工数を低減することができる。また、支持部２８と受け皿部２６と保持部材２４とを一体ものとして形成することができるので、部品点数を減らすことができる。したがって、本実施の形態によれば、ボートひいてはＣＶＤ装置の製造コストを低減することができる。   Since the saucer part 26 and the support part 28 according to the present embodiment can be simultaneously formed only by cutting the holding groove 25 into the holding member 24, the number of processing steps can be reduced. Moreover, since the support part 28, the saucer part 26, and the holding member 24 can be integrally formed, the number of parts can be reduced. Therefore, according to the present embodiment, the manufacturing cost of the boat and thus the CVD apparatus can be reduced.

本実施の形態に係る支持部２８は、平面視が台形の平板形状に形成されており、ウエハ１の中心に向かう方向に行くに従って幅が狭くなるように形成されているので、保持部材２４の切削加工が容易となり、さらに、保持部材２４の機械的強度を維持しつつウエハとの接触面積を小さくすることができる。すなわち、ボートの加工が容易となるだけでなく、ボートがウエハの重量を支持する際の構造強度を充分に確保すると同時に、ウエハとの接触面積を小さくしてウエハの裏面に対する接触による汚染（コンタミネーション）の度合いを低減することができる。   The support portion 28 according to the present embodiment is formed in a trapezoidal flat plate shape in plan view, and is formed so that the width becomes narrower in the direction toward the center of the wafer 1. Cutting is facilitated, and the contact area with the wafer can be reduced while maintaining the mechanical strength of the holding member 24. In other words, not only the processing of the boat becomes easy, but also the structural strength when the boat supports the weight of the wafer is sufficiently ensured, and at the same time, the contact area with the wafer is reduced to prevent contamination due to contact with the back surface of the wafer (contamination). (Nation) can be reduced.

支持部２８の外側端部にはウエハ１の外周縁との接触を避けるための逃げ溝２７が、ウエハ１の周方向に倣うように切削加工によって没設されているので、ウエハ１の外周縁が支持部２８に接触することによる擦れによってパーティクルを発生したり、パーティクルをウエハ１の上に巻き上げたりするのを未然に防止することができる。   Since a clearance groove 27 for avoiding contact with the outer peripheral edge of the wafer 1 is buried in the outer end portion of the support portion 28 by cutting so as to follow the circumferential direction of the wafer 1, the outer peripheral edge of the wafer 1. It is possible to prevent particles from being generated due to rubbing due to contact with the support portion 28 and rolling up the particles on the wafer 1.

支持部２８のウエハ１の接触する各角部にはＲ面取り部２８ａがそれぞれ形成されているので、ウエハ１の角部に切削加工によって形成されることがある突起等がウエハ１を損傷させてパーティクルを発生するのを未然に防止することができる。   Since each chamfered portion 28a is formed at each corner portion of the support portion 28 with which the wafer 1 comes into contact, a projection or the like that may be formed by cutting on the corner portion of the wafer 1 damages the wafer 1. Generation of particles can be prevented in advance.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、支持部のウエハの接触する角部に形成される面取り部は、Ｒ面取り部に限らず、Ｃ面取り部であってもよい。   For example, the chamfered portion formed at the corner of the support portion that contacts the wafer is not limited to the R chamfered portion, but may be a C chamfered portion.

ＣＶＤ装置はドープドポリシリコン膜や窒化シリコン膜の成膜工程に限らず、ノンドープドポリシリコン膜、ノンドープドアモルファスシリコン膜、ドープドアモルファスシリコン膜、酸化シリコン膜、さらには、酸化タンタル膜、酸化ジルコニウム膜等の金属酸化膜等、ＣＶＤによる成膜工程全般に適用することができる。特に、ＣＶＤによる成膜工程の場合には前の工程で、ボートに被着した膜の支持部における剥離による影響を防止できるので、優れた効果が奏される。   The CVD apparatus is not limited to a process for forming a doped polysilicon film or a silicon nitride film, but a non-doped polysilicon film, a non-doped amorphous silicon film, a doped amorphous silicon film, a silicon oxide film, a tantalum oxide film, an oxide film The present invention can be applied to all film forming processes by CVD, such as a metal oxide film such as a zirconium film. In particular, in the case of a film forming process by CVD, an influence can be prevented because the influence of the peeling on the support portion of the film attached to the boat can be prevented in the previous process.

アウタチューブとインナチューブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に限らず、本発明はアウタチューブだけのプロセスチューブを備えたものや枚葉式ＣＶＤ装置等の他のＣＶＤ装置、さらには、各種の熱処理工程を実施する熱処理装置（furnace ）等の基板処理装置全般に適用することができる。   The present invention is not limited to a batch type vertical hot wall type reduced pressure CVD apparatus having a process tube composed of an outer tube and an inner tube, but the present invention is not limited to other CVDs such as those having a process tube only of an outer tube or a single wafer type CVD apparatus. The present invention can be applied to general substrate processing apparatuses such as an apparatus and a heat treatment apparatus (furnace) for performing various heat treatment processes.

前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。   In the above embodiment, the case where the wafer is processed has been described. However, the processing target may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.

本発明の第一の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the CVD apparatus which is 1st embodiment of this invention. ボートローディングステップ後の主要部を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ部の拡大断面図である。The main part after a boat loading step is shown, (a) is front sectional drawing, (b) is an expanded sectional view of the b section of (a). 本発明の実施の形態であるＣＶＤ装置のボートの保持溝の部分を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面断面図、（ｃ）は正面断面図、（ｄ）は（ｃ）のｄ部の拡大図である。The part of the holding groove | channel of the boat of the CVD apparatus which is embodiment of this invention is shown, (a) is a perspective view, (b) is plane sectional drawing, (c) is front sectional drawing, (d) is ( It is an enlarged view of d part of c). ＩＣの製造方法の成膜工程における圧力に関するタイムチャートである。It is a time chart regarding the pressure in the film-forming process of the manufacturing method of IC.

符号の説明Explanation of symbols

１…ウエハ（基板）、２…ドープドポリシリコン膜（被膜）、１１…プロセスチューブ、１２…インナチューブ、１３…アウタチューブ、１４…処理室、１５…炉口、１６…マニホールド、１７…排気管、１８…排気路、１９…ガス供給管、２０…シールキャップ、２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…受け皿部、２７…逃げ溝、２８…支持部、２８ａ…Ｒ面取り部、２９…炉口ゲートバルブ、３０…ヒータユニット、３１…筐体、３２…ヒータユニット設置室、３３…待機室、３４…排気管、３５…窒素ガス供給管、３６…処理ガス、４０…制御装置、４１…排気装置、４２…排気ライン、４３…流量制御弁、４４…圧力計、４５…排気ライン、４６…流量制御弁、４７…圧力計、５０…成膜ガス供給源、５１…成膜ガス供給ライン、５２…成膜ガス流量制御弁、６０…窒素ガス供給源、６１、６３…窒素ガス供給ライン、６２、６４…窒素ガス流量制御弁。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (substrate), 2 ... Doped polysilicon film (coating), 11 ... Process tube, 12 ... Inner tube, 13 ... Outer tube, 14 ... Processing chamber, 15 ... Furnace port, 16 ... Manifold, 17 ... Exhaust Pipe 18, exhaust path 19 gas supply pipe 20 seal cap 21 boat 22, end plate 24 holding member 25 holding groove 26 receiving tray 27 escape groove 28 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Support part, 28a ... R chamfer part, 29 ... Furnace port gate valve, 30 ... Heater unit, 31 ... Housing, 32 ... Heater unit installation room, 33 ... Standby room, 34 ... Exhaust pipe, 35 ... Nitrogen gas supply pipe , 36 ... Process gas, 40 ... Control device, 41 ... Exhaust device, 42 ... Exhaust line, 43 ... Flow control valve, 44 ... Pressure gauge, 45 ... Exhaust line, 46 ... Flow control valve, 47 ... Pressure gauge, 50 ... Deposition gas supply , 51 ... film-forming gas supply line, 52 ... deposition gas flow control valve, 60 ... nitrogen gas supply source, 61, 63 ... nitrogen gas supply line, 62, 64 ... nitrogen gas flow rate control valve.

Claims (5)

基板を支持する基板支持体であって、
垂直に配設された複数の保持部材を有し、前記各保持部材には、複数の保持溝が設けられ、前記各保持溝には前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とが形成されており、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられ、該逃げ溝の底面は、前記支持部の前記基板との接触部よりも低い位置であって、前記受け皿部よりも高い位置にあることを特徴とする基板支持体。 A substrate support for supporting the base plate,
Each holding member is provided with a plurality of holding grooves, and each holding groove has a support portion in contact with the substrate and a lower portion of the support portion. It provided a saucer portion exiting extending outwardly from a portion of the outer peripheral edge of the support portion is formed, the relief groove to avoid contact with the outer peripheral edge of the substrate is provided in the support portion , the bottom surface of該逃up groove, a position lower than the contact portion with the substrate of the support, the substrate support, characterized in that at a position higher than the pan section. 基板を処理する処理室と、この処理室内で前記基板を支持する基板支持体と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は、垂直に配設された複数の保持部材を有し、前記各保持部材には、複数の保持溝が設けられ、前記各保持溝には前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とが形成されており、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられ、該逃げ溝の底面は、前記支持部の前記基板との接触部よりも低い位置であって、前記受け皿部よりも高い位置にあることを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for processing a substrate, a substrate processing apparatus for organic and the substrate support, the supporting the substrate within the process chamber,
The substrate support has a plurality of holding members arranged vertically, each holding member is provided with a plurality of holding grooves, and each holding groove has a support portion that contacts the substrate; A receiving plate portion provided below the support portion and extending outward from a part of the outer peripheral edge of the support portion is formed. In order to avoid contact with the outer peripheral edge of the substrate on the support portion. An escape groove is provided , and the bottom surface of the escape groove is at a position lower than the contact portion of the support portion with the substrate and higher than the tray portion . 前記逃げ溝は、前記基板の周方向に倣うように設けられていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the escape groove is provided so as to follow a circumferential direction of the substrate. 前記支持部と前記基板とが接触する角部にＲ面取り部またはＣ面取り部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein an R chamfered portion or a C chamfered portion is formed at a corner portion where the support portion and the substrate are in contact with each other. 垂直に配設された複数の保持部材を有し、前記各保持部材には、複数の保持溝が設けられ、前記各保持溝には基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とが形成されており、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられ、該逃げ溝の底面は、前記支持部の前記基板との接触部よりも低い位置であって、前記受け皿部よりも高い位置にある基板支持体により基板を支持するステップと、  Each holding member is provided with a plurality of holding grooves, and each holding groove is provided with a support portion in contact with the substrate and below the support portion. And a tray part extending outward from a part of the outer peripheral edge of the support part is formed, and the support part is provided with a relief groove for avoiding contact with the outer peripheral edge of the substrate, The bottom surface of the escape groove is at a position lower than the contact portion of the support portion with the substrate and supports the substrate by a substrate support located at a position higher than the tray portion; and
前記基板支持体により支持した基板を前記処理室内に搬入するステップと、  Carrying the substrate supported by the substrate support into the processing chamber;
前記処理室で基板を前記基板支持体により支持した状態で処理するステップと、  Processing in a state where the substrate is supported by the substrate support in the processing chamber;
前記基板支持体により支持した処理後の基板を前記処理室から搬出するステップと、  Unloading the processed substrate supported by the substrate support from the processing chamber;
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。  A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:

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