JP4280159B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板の表面に処理液を供給して所定の基板処理、例えばレジスト液の塗布や露光後の現像処理等を行う基板処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板にレジスト液を塗布し、フォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、更に現像することによって所望のレジストパタ−ンを基板上に作製するフォトリソグラフィ技術が用いられている。このような処理は、一般にレジスト液の塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続した基板処理装置を用いて行われる。

前記基板処理装置は、高いスループットを確保しつつ装置占有面積の小容量化を図るために、塗布処理、現像処理、加熱・冷却処理など基板に対して複数の異なる処理を行う処理装置を各々ユニット化し、これらの各処理毎に必要な数のユニットが組み込まれて構成されており、さらに各処理ユニットに基板を搬入出するための搬送手段が設けられている。

このような基板処理装置の一例について、特許文献１の構成を参照して説明する。図中１１は例えばウエハＷを２５枚収納したキャリア１０が搬出入されるキャリアステージ１１であり、このキャリアステージ１１には、例えば３個の処理ブロック１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが接続され、第３の処理ブロック１２Ｃにはインターフェイスブロック１２Ｄを介して露光装置１２Ｅが接続されている。前記処理ブロック１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは、夫々中央に搬送手段１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃを備えると共に、この周りに第１及び第２の処理ブロック１２Ａ，１２Ｂではウエハに塗布液を塗布するための塗布ユニット１４Ａ，１４Ｂ、第３の処理ブロック１２Ｃでは露光後のウエハに現像処理を行うための現像ユニット１５、全ての処理ブロック１２Ａ〜１２Ｃでは、塗布ユニット１４や現像ユニット１５の処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行うための加熱ユニット、冷却ユニットや受け渡しユニット等を備えた棚ユニット１６Ａ〜１６Ｇが設けられている。

この装置では、キャリアステージ１１のキャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１７により取り出されて、棚ユニット１６Ａの受け渡しユニットを介して第１の処理ブロック１２Ａに搬送され、順次第１及び第２の処理ブロック１２Ａ，１２Ｂの空いている処理ユニットに所定の順序で搬送されてレジスト液の塗布処理が行われた後、処理ブロック１２Ｃ、インターフェイスブロック１２Ｄを介して露光装置１２Ｅに搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。この後、再び第３の処理ブロック１２Ｃの空いている処理ユニットに所定の順序で搬送されて現像処理が行われる。なお塗布処理や現像処理の前後には、空いている処理ユニットにて加熱処理や冷却処理が行われる。ここで第１の処理ブロック１２Ａと第２の処理ブロック１２Ｂとの間、第２の処理ブロック１２Ｂと第３の処理ブロック１２Ｃとの間、第３の処理ブロック１２Ｃとインターフェイスブロック１２Ｄとの間では、夫々棚ユニット１６Ｃ、１６Ｅ、１６Ｇの受け渡しユニットを介してウエハの受け渡しが行われる。

特開平２０００−１２４１２４号公報（図２参照）

ところで、上述の塗布・現像装置は、当初から露光装置１２Ｅの処理枚数に合わせた処理能力を備えた装置として納品され、例えば露光装置１２Ｅの最大処理能力を予め考慮したスループットを確保できるように、各処理ユニットの個数や、処理ユニットの配列を考慮しており、例えば処理枚数の最大値は約１５０枚／時間程度に設定されている。

しかしながら実際には露光装置１２Ｅの納品当初の処理枚数は５０枚／時間程度であり、また昨今の微細化プロセスの進歩と共に、露光装置１２Ｅの条件出しが困難となり、処理枚数を１００枚／時間程度に高めるためには、１年以上の調整時間が必要となっている。このため塗布・現像装置は、納品時には必要以上の処理能力を備えた装置として納品されていることになり、初期の設備投資が大きくなり過ぎ、納品時の設備投資に無駄な部分が生じている。

従って塗布、現像装置においても、露光装置１２Ｅのスループットに合わせて、処理枚数を例えば５０枚／時間程度から１００枚／時間程度までの段階的に大幅に高めていくことが合理的であるが、実際には、塗布・現像装置では、第１〜第３の処理ブロック１２Ａ〜１２Ｃ全体で一連の処理を行っており、各々の処理ブロック１２Ａ〜１２Ｃに設けられた搬送手段１３Ａ〜１３Ｃは、夫々の処理ブロック１２Ａ〜１２Ｃ内のウエハの搬送のみならず、前記第１の処理ブロック１２Ａの搬送手段１３Ａは、第１及び第２の処理ブロック１２Ａ，１２Ｂ同士の間のウエハの搬送を、第２の処理ブロック１２Ｂは第２及び第３の処理ブロック１２Ｂ，１２Ｃ同士の間のウエハの搬送を、第３の処理ブロック１２Ｃは、第３の処理ブロック１２Ｃとインターフェイスブロック１２Ｄとの間のウエハの搬送を、夫々行わなくてはならないので、搬送手段１３Ａ〜１３Ｃの負荷が大きく、塗布・現像装置のトータルの処理枚数を１００枚程度まで増加しようとすると、合わせこみ作業は容易ではない。

さらに納品先の各社毎に要求する処理枚数が異なり、特に加熱ユニットでのべーク処理や現像時間が異なってくるが、既述のように第１〜第３の処理ブロック１２Ａ〜１２Ｃ全体で一連の処理を行なう場合には、１つの処理ユニットでの処理時間の違いが搬送手段１３Ａ〜１３Ｃの搬送プログラムに大きく影響を及し、各社毎の処理枚数の合わせこみが煩雑になる。さらにまた従来では、塗布・現像装置は所定の品種の専用の装置として用いられており、品種の異なる処理に対しては別の装置を用いるという考え方であったが、近年では１台の装置によって少量多品種の生産に対応できることが望まれている。

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、基板の処理枚数の増減や、品種の変更に容易に対応できる基板処理装置を提供することにある。

このため本発明の基板処理装置は、複数枚の基板が収納された基板キャリアが搬入出されるキャリア載置部と、このキャリア載置部に載置された基板キャリアに対して基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、を含むキャリアブロックと、
このキャリアブロックに隣接して設けられ、直線状の搬送路に沿って基板を搬送する第２の搬送手段を含む搬送ブロックと、
前記第１の搬送手段と第２の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第１の受け渡しステージと、
前記搬送路に沿って配列され、前記搬送ブロックに対して着脱自在に設けられると共に大きさが同じ直方体に形成されている複数の処理ブロックと、を備え、
各処理ブロックは、レジスト液を基板に塗布するための塗布ユニットと、レジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱ユニットと、露光後の基板に対して現像処理を行うための現像ユニットと、露光後、現像前の基板を加熱するための加熱ユニットと、これらユニットの間で基板を搬送する第３の搬送手段と、前記第２の搬送手段と第３の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第２の受け渡しステージと、を含み、
各処理ブロック単位で基板に対してレジスト液の塗布及び露光後の現像処理を行うことを特徴とする。

ここで前記基板処理装置は、前記搬送路のキャリアブロックに接続された側の反対側に、露光装置が接続されるインターフェイス部が接続されるように構成してもよいし、前記搬送路の処理ブロックに接続された側の反対側に、露光装置が接続されるインターフェイス部が接続されるように構成してもよい。

また本発明の他の基板処理装置は、複数枚の基板が収納された基板キャリアが搬入出されるキャリア載置部と、このキャリア載置部に載置された基板キャリアに対して基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、を含むキャリアブロックと、
このキャリアブロックに隣接して設けられ、直線状の搬送路に沿って基板を搬送する第２の搬送手段を含む搬送ブロックと、
前記第１の搬送手段と第２の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第１の受け渡しステージと、
前記搬送路に沿って配列され、前記搬送ブロックに対して着脱自在に設けられると共に大きさが同じ直方体に形成されている複数の処理ブロックと、を備え、
各処理ブロックは、基板に対して絶縁膜の前駆物質を含む薬液を塗布する液処理ユニットと、前記薬液が塗布された基板を加熱するための加熱ユニットと、これらユニットの間で基板を搬送する第３の搬送手段と、前記第２の搬送手段と第３の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第２の受け渡しステージと、を含み、
各処理ブロック単位で基板に対して絶縁膜の形成を行うことを特徴とする。

このような基板処理装置では、前記処理ブロックは、装置本体に対して着脱自在に設けられており、各処理ブロック単位で基板に対して一連の処理を行っているので、基板の処理枚数を大幅に増減させたいときには、前記処理ブロックを装置本体に対して着脱することにより対応でき、また各処理ブロック毎に処理が完結しているので、処理ブロックの変更により異なる品種の変更に容易に対応できる。

本発明の基板処理装置では、前記処理ブロックが配置される領域の底部または側部に処理ブロックの位置決めをするために設けられた位置決め部材を備えるように構成してもよいし、前記処理ブロックが配置される領域の底部または側部に処理ブロックを引き込むために設けられたガイド部材と、このガイド部材に処理ブロックの位置決めをするために設けられた位置決め部材と、を備えるように構成してもよい。

また各処理ブロックは、外部から用力を取り込むための複数の用力ラインと、外部の対応する用力ラインの接続端に対して脱着できるように構成された各用力ラインの接続端と、を備え、外部側の接続端は、第２の搬送手段の下方側に設けられ、処理ブロックを第２の搬送手段側に押し入れたときに当該外部の接続端と、処理ブロック側の接続端とが接続されるように構成するようにしてもよい。さらに前記複数の用力ラインは、互いに異なる用力を供給するものであり、それら複数の用力ラインの各々は、下流側で分岐されて各処理ユニットに導かれており、前記複数の用力ラインは、温調用流体の供給ライン、不活性ガスの供給ライン、給電線及び信号線や、薬液供給管を含むものである。

本発明の基板処理装置によれば、基板の処理枚数の増減や、品種の変更に容易に対応できる。

以下に本発明の基板処理装置の一実施の形態について説明する。ここで、図１は基板処理装置の一実施の形態に係る全体構成を示す平面図であって、図２はその概略斜視図である。図中Ｂ１は例えば２５枚の基板例えば半導体ウエハＷが収納された基板キャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックであり、このキャリアブロックＢ１は、前記基板キャリアＣを載置するキャリア載置部２１と第１の搬送手段２２とを備えている。

このキャリアブロックＢ１の例えば一方側、例えばキャリア載置部２１側から見て左端側には、キャリアＣの配列方向に略直交する方向に直線状に伸びる搬送路を備えた搬送ブロックＢ２がキャリアブロックＢ１と接続するように設けられている。そしてキャリアブロックＢ１の前記第１の搬送手段２２は基板キャリアＣから基板Ｇを取り出し、取り出した基板Ｇを搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３に受け渡すように、左右、前後に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

ここでキャリアブロックＢ１の、搬送ブロックＢ２が接続された領域の近傍には、キャリアブロックＢ１の第１の搬送手段２２と搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３との間でウエハＷの受け渡しを行うための第１の受け渡しステージ２４が設けられている。この受け渡しステージ２４は、例えば搬送ブロックＢ２にウエハＷを搬入するときに用いる搬入用受け渡しステージと搬送ブロックＢ２にウエハＷを搬出するときに用いる搬出用受け渡しステージとの２段構成とされている。なお受け渡しステージ２４は搬送ブロックＢ２内であって前記第１の搬送手段２２がアクセスできる領域に設けるようにしてもよいし、搬送ブロックＢ２に対してウエハＷを搬出入する時に共通の受け渡しステージを用いるようにした１段構成のものであってもよい。

搬送ブロックＢ２には、キャリアＣの配列方向に略直交する方向に直線状に伸びるように搬送路をなすガイドレール２５が設けられており、前記第２の搬送手段２３は、例えばウエハＷを保持するための２枚の保持アームを備えると共に、ガイドレール２５に沿って前記キャリアＣの配列方向に略直交する方向に移動自在、昇降自在、進退自在、鉛直軸周りに回転自在に構成されている。

また搬送ブロックＢ２には、前記搬送路に沿って配列された複数の処理ブロックが、装置本体をなす搬送ブロックＢ２に対して着脱自在に設けられている。具体的には、搬送ブロックＢ２には、キャリアブロックＢ１の奥側に所定の空間を介して、キャリアブロックＢ１側から見て１番目の処理ブロックＢ３及び２番目の処理ブロックＢ４とが接続されている。この例では前記処理ブロックＢ３及び処理ブロックＢ４は各部分の配置のレイアウトも含めて同一の構成に構成されている。つまり処理ブロックＢ３，Ｂ４は同じ大きさに形成されると共に、ウエハＷに対して同じ品種の一連の処理を行うように、処理ブロックＢ３，Ｂ４に配設される処理ユニットの種類や個数、レイアウトが同一の構成に設定されている。

具体的に第１の処理ブロックＢ３を例にして図３、図４、図５をも参照して説明すると、処理ブロックＢ３の中央には第３の搬送手段３１が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアブロックＢ１から奥を見て例えば右側には、例えば２個の塗布ユニット（ＣＯＴ）３２と、２個の現像ユニット(ＤＥＶ)３３と、１個の反射防止膜形成ユニット（ＡＲＣ）３４とを多段例えば５段に積み重ねた液処理ユニット群Ｕ１が、左側の手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段例えばこの例では夫々例えば６段、１０段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３が夫々配置されている。

前記塗布ユニット３２、現像ユニット３３、反射防止膜形成ユニット３４は各々液処理ユニットをなすものであり、塗布ユニット３２はウエハＷにレジスト液を塗布する処理を行うユニット、現像ユニット３３は例えば露光後の基板に現像液を液盛りし、所定時間そのままの状態にして現像処理を行うユニット、反射防止膜形成ユニット３４は、例えばレジスト液を塗布する前にウエハ表面に反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ−ＡＲＣ）を形成するための反射防止膜形成ユニットである。またレジスト成膜後に、その表面に反射防止膜（Ｔｏｐ−ＡＲＣ）を形成する場合もある。

前記棚ユニットＵ２，Ｕ３は、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３がアクセスできる領域に複数のユニットを積み上げて構成され、例えばこの例では、塗布ユニット３２や反射防止膜形成ユニット３４等での液処理の後に、塗布液に含まれる溶媒を除去するための例えば３個の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）、レジスト液の塗布前にウエハＷに所定の加熱処理を行うための例えば４個の加熱ユニット（ＬＨＰ）、レジスト液の塗布後にウエハの加熱処理を行うためのプリベーキングユニットなどと呼ばれている例えば１個の加熱ユニット（ＰＡＢ）、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている例えば２個の加熱ユニット（ＰＥＢ）、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニットである例えば２個の温調ユニット（ＣＰＬ）の他、処理ブロックＢ３にウエハＷを搬入するための例えば１個の受け渡しユニット（ＴＲＳ１）や、処理部Ｓ１からウエハＷを搬出するための例えば１個の受け渡しユニット（ＴＲＳ２）等が上下に割り当てられている。

これら受け渡しユニットＴＲＡ１，ＴＲＳ２は、本発明の第２の受け渡しステージに相当するものである。図３〜図５はこれらユニットのレイアウトの一例を示しているが、ユニットの種類や数はこれに限られるものではなく、この例においても受け渡しユニットを１個とし、当該受け渡しユニットをウエハＷを処理ブロックＢ３に搬入するときにも、処理ブロックＢ３からウエハＷを搬出するときにも用いるようにしてもよい。

前記第３の搬送手段３１は、後述するように昇降自在、進退自在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、液処理ユニット群Ｕ１，棚ユニットＵ２，Ｕ３の間で基板Ｇを搬送する役割を持っている。但し図２では便宜上第２の搬送手段２２は描いていない。また前記第２の搬送手段２３は第１の搬送手段２２から受け渡されたウエハＷを前記処理ブロックＢ３の受け渡しユニットＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に受け渡すように、既述のようにガイドレール２５に沿って図１中左右方向に移動自在、昇降自在、進退自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

またこの例では、搬送ブロックＢ２の上方側と処理ブロックＢ３の第３の搬送手段３１が設けられている領域の上方側には、回転羽のついたファンとＵＬＰＡフィルタやケミカルフィルタとで構成されたファンフィルタユニット（ＦＦＵ）３５が設けられ、このファンフィルタユニット３５によりパーティクル及びアンモニア成分が除去されて清浄化された空気が搬送ブロックＢ２内の下方側及び第３の搬送手段３１が設けられている領域の下方側に夫々供給されるようになっている。さらに処理ブロックＢ３内の棚ユニットＵ２，Ｕ３が設けられている領域の上方側と、処理ブロックＢ３内の液処理ユニット群Ｕ１が設けられている領域の上方側とには、夫々電装品格納部（Ｅｌｅｃ）３６が設けられ、この中には、搬送手段などのモータに接続されるドライバや各ユニットに接続されるＩ／Ｏボードや各ユニットを制御する制御部などが格納される。

前記液処理ユニット群Ｕ１の下方側の床面近くには、現像液や反射防止膜形成液等の塗布液等の薬液や、温調用流体、現像液、不活性ガス等の夫々のタンク等を収納したケミカルユニットＵ４が設けられると共に、前記棚ユニットＵ２，Ｕ３の下方側の床面近くには、外部から用力を取り込むための複数の用力ラインを備えた第１の用力ユニットＵ５が設けられている。前記複数の用力ラインは、互いに異なる用力を供給するものであり、それら複数の用力ラインの各々は、下流側で分岐されて各処理ユニットに導かれている。具体的には、用力ユニットＵ５には、例えば図５、図６に示すように、温調用流体をなす市水、現像液等の薬液、不活性ガスやドライエアの供給ライン等を含む第１の用力ライン４１と、当該処理ブロックＢ３に設けられた液処理系ユニット、加熱・冷却系ユニット等を作動させるための給電線や、ＩＮＰＵＴ／ＯＵＴＰＵＴであるＩ／Ｏ信号線等の信号線を含む第２の用力ライン４２と、が設けられている。ここで前記ケミカルユニットＵ４の薬液等のタンクは第１の用力ライン４１と接続されている。

前記第１及び第２の用力ライン４１，４２は、外部の対応する用力ラインの接続端に対して脱着できるように構成された各用力ラインの接続端４１ａ，４２ａを備えている。一方搬送ブロックＢ２には、図７に示すように、前記第１の用力ユニットＵ５に対応する外部側の第２の用力ユニットＵ６が設けられており、この用力ユニットＵ６は、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３の下方側に、外部の用力ラインの接続端４１ｂ，４２ｂを備えている（図３参照）。また第２の用力ユニットＵ６の外部の用力ラインの接続端４１ｂ，４２ｂの多端側は、市水や現像液、不活性ガスやドライエアの供給源、給電ケーブル、Ｉ／Ｏ信号線等に夫々接続されている。こうして処理ブロックＢ３を搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３側に押し入れたときに、前記外部側（搬送ブロックＢ２側）の接続端４１ｂ，４２ｂと、処理ブロックＢ３側の接続端４１ａ，４１ｂとが接続されるように構成されている。ここで搬送ブロックＢ２側の用力ラインは電装品格納部３６を介して各ユニットに分岐されるようになっている。

前記第２の処理ブロックＢ４の第１の処理ブロックＢ３の反対側はインタ−フェイス部Ｂ５を介して露光装置Ｂ６と接続されている。またインターフェイス部Ｂ５は搬送ブロックＢ２のキャリアブロックＢ１に接続された側の反対側と接続するように設定されている。インタ−フェイス部Ｂ５は受け渡し手段２６を備えており、この受け渡し手段２６は、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成され、前記搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３と露光装置Ｂ６との間で基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。ここでインターフェイス部Ｂ５の、搬送ブロックＢ２が接続された領域の近傍には、インターフェイス部Ｂ５の受け渡し手段２６と搬送ブロックＢ２の搬送手段２３との間でウエハＷの受け渡しを行うための、例えば２段に構成された受け渡しステージ２７が設けられている。なお受け渡しステージ２７は、搬送ブロックＢ２内部であって、第２の搬送手段２３とインターフェイス部Ｂ５の受け渡し手段２６とがアクセスできる領域に設けるようにしてもよいし、１段構成のものであってもよい。

またこの例では、キャリアブロックＣと第１の処理ブロックＢ３との間の空間は、処理ブロック１台分が収納できる空間として構成されており、新たに処理ブロックＢ０が装着できるようになっている。ここで例えばキャリアブロックＢ１と搬送ブロックＢ２との間は回転軸２８を介して接続されており、新たに処理ブロックＢ０を組み込む場合には、図８（ａ）に示すように、キャリアブロックＢ１を回転軸２８を介して回動させて搬送ブロックＢ２から離し、搬送ブロックＢ２とキャリアブロックＢ１との間を開いた状態で、当該空間内に新たな処理ブロックＢ０を搬送し、既述のように当該処理ブロックＢ０を搬送ブロックＢ２に引き込んで、処理ブロックＢ０側の用力ラインの接続端４１ａ，４２ａと搬送ブロックＢ２側の用力ラインの接続端４１ｂ，４２ｂ同士を接続して（図６（ａ）参照）、搬送ブロックＢ２に新たな処理ブロックＢ０を装着し、次いで図８（ｂ）に示すように、キャリアブロックＢ１を元の位置、つまりキャリア載置部２１が搬送ブロックＢ２と、新たな処理ブロックＢ０とに隣接する位置まで戻す。

この際、例えば図９、図１０に示すように、処理ブロックＢ０の下端側には、例えば処理ブロックＢ０の進行方向（搬送ブロックＢ２側に進む方向）の前方側と後方側の、前記進行方向から見て幅方向の両側にキャスター４３が取り付けられている。一方搬送ブロックＢ２の下部側には、前記幅方向のキャスター４３同士の間隔よりも幅狭の、ガイド部材をなすガイドプレート４４が設けられており、このガイドプレート４４の両側を前記キャスター４３が通るようになっている。また前記ガイドプレート４４の搬入側（手前側）と、処理ブロックＢ０の下端側の搬入側（手前側）には、処理ブロックＢ０を搬送ブロックＢ２に装着したときにワンタッチで係合接続できる固定部材４５（４５ａ、４５ｂ）が設けられている。この固定部材４５は位置決め部材としても作用するものである。

この例では、処理ブロックＢ０を新たに装着するときには、例えば処理ブロックＢ０を、キャスター４３がガイドプレート４４の両側を通るように引き込み、処理ブロックＢ０とガイドプレート４４とが固定部材４５により位置決めされ、係合接続されると、前記処理ブロックＢ０側の用力ラインの接続端４１ａ，４２ａと、外部（搬送ブロックＢ２）側の用力ラインの接続端４１ｂ，４２ｂとが、一括して接続される。なお処理ブロックＢ０を引き込むために設けられたガイドプレート４４や固定部材４５は、処理ブロックＢ０と隣接するキャリアブロックＢ１や第１の処理ブロックＢ３の側部に設けるようにしてもよい。

ここで図３中２９ａ，２９ｂは搬送ブロックＢ２の処理ブロックＢ０の受け渡しユニットＴＲＳ１，ＴＲＳ２に対応する位置に形成されたウエハＷの搬送口であり、ウエハＷはこの搬送口２９ａ，２９ｂを介して、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３により当該処理ブロックＢ０内に受け渡される。

続いて処理ブロックＢ３，Ｂ４に設けられる塗布ユニット３２や加熱ユニット（ＰＥＢ）等の構成について簡単に説明する。先ず塗布ユニット３２について図１１を用いて説明する。塗布ユニットは公知である、基板上に処理液を供給し、回転させて液を拡げるスピン塗布式の構成を用いてもよいが、ここではスキャン式塗布装置を例にして説明する。ウエハＷの周縁部は、一部切り欠かれていて、ウエハＷの向きを示すノッチＮが設けられている。図中５１は基板保持部であり、ウエハＷの裏面側を吸着して略水平に保持する吸着部５１ａと、吸着部５１ａを昇降自在及び鉛直軸周りに回動自在とすると共に、Ｘ方向に移動可能な駆動基体５２とで構成され、駆動基体５２はその下端を移動体５３によって支持されている。

この移動体５３の底面近傍にはモータＭ１により駆動されるボールネジ部５４が設けられ、モータＭ１がボールネジ部５４を回転させることで移動体５３は図示しないレールにガイドされて図中Ｙ方向へ移動するようになっている。また移動体５３の上面には駆動基体５２をＸ方向にガイドする図示しないレールが設けられていて、駆動基体５２及び移動体５３の働きにより、基板保持部５１に保持されるウエハＷが夫々Ｘ及びＹ方向の任意の位置へと移動可能に構成されている。これら移動体５３、図示しないレール、ボールネジ部５４及びモータＭ１により、ウエハＷを、ウエハＷの上方側に設けられた塗布液ノズル５５に対して相対的に前後方向に移動させる、すなわちウエハＷを図１１におけるＹ軸方向に移動させるようになっている。

前記塗布液ノズル５５は、図示しない駆動プーリと従動プーリと、これら各プーリに掛けられるエンドレスベルトと、駆動プーリを回転させるモータＭ２等が組み込まれ、Ｘ方向に伸びる長方形状の駆動基体５６によって、Ｘ方向に移動自在に構成されている。図中５７（５７ａ，５７ｂ）は、上方から落下してくる塗布液を受け止め、ウエハＷの外縁近傍領域への塗布液の供給を防ぐための一対の液受け部である。

この塗布ユニット３２においては、塗布液ノズル５５がウエハの一端面から他端面に移動すると、そのタイミングに合わせてウエハＷがそれに交差する方向に間欠送りされる。このような動作を繰り返すことにより、いわゆる一筆書きの要領で塗布液がウエハＷに塗布されるようになっている。

また反射防止膜形成ユニット３４は例えば塗布ユニット３２と同様に構成されており、塗布ユニット３２の次工程の処理ユニットである減圧乾燥ユニット（ＶＤ）は、例えば密閉容器内にて、所定の真空度に減圧しながらウエハＷを所定温度に加熱することにより、塗布膜中の溶媒を蒸発させ、これにより塗布膜を形成するように構成されている。さらに現像ユニット３３は、供給ノズルからウエハＷの中央部にウエハＷの径方向の幅に沿って現像液を供給すると共に、ウエハＷを半回転させることによりウエハＷ上に現像液を液盛りし、こうしてウエハＷ上に現像液を所定時間液盛りしたままの状態にして所定の現像処理を行なうようになっている。

また加熱ユニットであるポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）について図１２により説明する。筐体６の中には、ステージ６０の上面に、前方側に冷却プレート６１が、後方側にヒータ６２ａを備えた加熱プレート６２が夫々設けられている。前記冷却プレート６１は、筐体６０内にシャッタ６３ａを備えた開口部６３を介して進入してくる第３の搬送手段３１と、加熱プレート６２との間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、搬送時においては加熱されたウエハＷを粗冷却する（粗熱取りを行う）役割を有するものである。このため図に示すように脚部６１ａが、図示しないガイド手段に沿ってＹ方向に進退可能に構成されており、これにより冷却プレート６１が開口部６３の側方位置から加熱プレート６２の上方位置まで移動できるようになっている。また冷却プレート６１の裏面側には図示しない冷却流路が設けられている。

ステージ６０における第３の搬送手段３１と冷却プレート６１とのウエハＷの受け渡し位置、及び加熱プレート６２と冷却プレート６１とのウエハＷの受け渡し位置の夫々には、支持ピン６４が突没自在に設けられており、冷却プレート６１には、これら支持ピン６４が上昇したときに当該冷却プレート６１を突き抜けてウエハＷを持ち上げることができるように図示しないスリットが形成されている。図中６６はファン６６ａを介して連通する通気室であり、図中６７はファン６７ａを備えた通気口である。

このような加熱ユニット（ＰＥＢ）では、ウエハＷは第３の搬送手段３１から冷却プレート６１上に受け渡され、次いで冷却プレート６１により加熱プレート６２上に受け渡され、ここで所定の加熱処理が行われる。加熱処理後のウエハは、加熱プレート６２から再び冷却プレート６１に受け取られ、ここで粗冷却された後、第３の搬送手段に受け取られて、次工程に搬送される。

またその他の加熱ユニット（ＬＨＰ）、（ＰＡＢ）は、夫々ウエハＷを所定温度まで加熱するための加熱プレートのみを備える構成であり、温調ユニット（ＣＰＬ）は、ウエハＷを所定温度に調整するための冷却プレートのみを備える構成である。

また第３の搬送手段３１について、図１３により説明すると、この搬送手段３１は、ウエハＷを保持する例えば３枚のアーム７１と、このアーム７１を進退自在に支持する基台７２と、この基台７２を昇降自在に支持する一対の案内レール７３ａ，７３ｂと、これら案内レール７３ａ，７３ｂの上端及び下端を夫々連結する連結部材７４ａ，７４ｂと、案内レール７３ａ，７３ｂ及び連結部材７４ａ，７４ｂよりなる枠体を鉛直軸周りに回転自在に駆動するために案内レール下端の連結部材７４ｂに一体的に取り付けられた回転駆動部７５と、案内レール上端の連結部材７４ａに設けられた回転軸部７６と、を備えている。

アーム７１は、夫々ウエハＷを保持しうるように３段構成になっており、アーム７１の基端部は基台の長手方向に沿ってスライド移動し得るようになっている。そのスライド移動によるアーム７１の進退移動は、図示しない駆動手段により駆動制御される。また基台７２の昇降移動は、図示しない別の駆動手段により駆動制御される。このようにしてアーム７１は鉛直軸周りに回転自在かつ昇降自在かつ進退自在に駆動されるようになっている。

このような基板処理装置におけるウエハの流れについて、第１の処理ブロックＢ３及び第２の処理ブロックＢ４にてウエハＷに対して同じ品種の塗布膜を形成する場合を例にして説明すると、自動搬送ロボット（あるいは作業者）により例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリアＣが、外部からキャリアブロックＢ１のキャリア載置部２１に搬入される。次いで第１の搬送手段２２によりこれらキャリアＣ内からｎ番目のウエハＷが取り出され、キャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４に受け渡される。この受け渡しステージ２４のウエハＷは搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３により、例えば第１の処理ブロックＢ３の受け渡しユニットＴＲＳ１を介して第３の搬送手段３１に受け渡される。同様にキャリアＣ内の（ｎ＋１）番目のウエハＷは、キャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３を介して例えば第２の処理ブロックＢ４の受け渡しユニットＴＲＳ１を介して第３の搬送手段３１に受け渡される。こうしてキャリアＣ内のウエハＷは、例えば第１の処理ブロックＢ２と第２の処理ブロックＢ３とに順番に受け渡される。

この例では第１の処理ブロックＢ３と第２の処理ブロックＢ４とでは同じ品種の処理例えばレジスト膜の形成処理がブロック単位で行なわれるので、ここでは第１の処理ブロックＢ３を例にして処理ブロックＢ３内でのウエハＷの流れについて説明する。先ず受け渡しユニットＴＲＳ１のウエハＷは第３の搬送手段３１により、温調ユニット（ＣＰＬ）→反射防止膜形成ユニット(Ｂｏｔｔｏｍ−ＡＲＣ)３４→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の順序で搬送されて反射防止膜が形成された後、加熱ユニット（ＬＨＰ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット３２→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の順序で搬送されてレジスト液の塗布処理が行なわれる。この際、従来のスピン式塗布装置を用いた場合には条件によって必ずしも減圧乾燥ユニット（ＶＤ）は必要ではない。

加熱ユニット（ＰＡＢ）にて所定の加熱処理が行なわれた後、ウエハＷは出力用の受け渡しユニットＴＲＳ２を介して搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３に受け渡され、この第２の搬送手段２３によりインターフェイス部Ｂ５の受け渡しステージ２７に受け渡される。次いでウエハＷはインターフェイス部Ｂ５の受け渡し手段２６により露光装置Ｂ６に搬送され、所定の露光処理が行なわれる。

露光後のウエハＷは、再びインターフェイス部Ｂ５の受け渡し手段２６、受け渡しステージ２７、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３を介して、レジスト液が塗布された元の処理ブロックつまり第１の処理ブロックＢ３の入力用受け渡しユニットＴＲＳ１を介して当該処理ブロックＢ３に搬送され、ここで第３の搬送手段３１により加熱ユニット（ＰＥＢ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→現像ユニット３３の順序で搬送されて、所定の現像処理が行なわれた後、加熱ユニット（ＬＨＰ）にて所定温度に調整され、出力用受け渡しユニットＴＲＳ２を介して搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３に受け渡される。そしてキャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４、第１の受け渡し手段２２を介して例えば元のキャリアＣ内に戻される。

同様に第２の処理ブロックＢ４にて反射防止膜と、レジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３によりインターフェイス部Ｂ５を介して露光装置Ｂ６に搬送されて、所定の露光処理が行なわれた後、インターフェイス部Ｂ５、第２の搬送手段２３を介してレジスト液が塗布された元の処理ブロックつまり第２の処理ブロックＢ４に戻されて、ここで現像処理が行なわれる。この後、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３、第１の搬送手段２２を介してキャリアブロックＢ１に戻される。

このようにこの例では、第１の処理ブロックＢ３（又は第２の処理ブロックＢ４）にてレジスト液が塗布されたウエハＷは当該ブロックＢ３（Ｂ４）にて現像処理が行なわれるように、第１の処理ブロックＢ３、第２の処理ブロックＢ４の夫々においてブロック単位で１つの品種の塗布膜の形成が行なわれ、夫々の処理ブロックＢ３，Ｂ４内にて前記塗布膜の形成が完結するようになっている。

このような構成では、搬送ブロックＢ２が設けられており、当該搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３により、キャリアブロックＢ１と各処理ブロックＢ２，Ｂ３同士の間や、各処理ブロックＢ２，Ｂ３とインターフェイス部Ｂ５同士の間でのウエハＷが行われるようになっている。また各処理ブロックＢ３、Ｂ４ではブロック毎に並列処理が行なわれる。つまり各処理ブロックＢ３、Ｂ４の第３の搬送手段３１は当該処理ブロックＢ３、Ｂ４内におけるウエハＷの搬送のみを担当すればよく、従来に比べて当該搬送手段３１の負担が軽減する。これにより処理後のウエハＷが搬送手段３１による搬送を待機するという事態が起こりにくく、搬送時間の短縮が図られ、装置全体から見るとスループットの向上を図ることができる。

また処理ブロックは搬送ブロックＢ２（装置本体）に対して着脱自在に設けられているので、納品時には処理ブロックを１台又は２台にしておき、露光装置Ｂ６の処理枚数の調整に合わせて、後から処理ブロックを追加することができる。つまり処理ブロックの処理枚数を例えば１０枚／時間程度増やすのであれば、処理ブロック毎の調整によって対応できるが、５０枚／時間程度増やすことは困難である。しかしながら１個の処理ブロックの処理枚数は５０枚程度であるので、露光装置Ｂ６の調整の程度に合わせて、処理ブロック自体を増加していくことにより、大幅な装置の変更を行なうことなく、処理ブロックトータルの処理枚数を５０枚→１００枚→１５０枚と段階的に大幅に増加させることができる。このため納品時の設備投資や、処理枚数の増加時の装置の変更に要する時間を最小限に抑えることができる。

また処理ブロック単位で１つの品種の処理が完結しているので、出荷前に調整や条件出しを予め行うことができ、これにより処理ブロックの増設時の現地での調整作業の手間や時間を削減することができる。

さらに納品先の各社毎に要求する処理枚数が異なり、特に加熱ユニットでのべーク処理等が異なる場合であっても、処理ブロック単位で処理が完結しており、当該処理ブロック内での搬送手段３１の搬送プログラムのみを考慮すればよいので、従来のように第１〜第３の処理ブロック１２Ａ〜１２Ｃ全体で一連の処理を行なう場合に比べて、１つの処理ユニットでの処理時間の違いが搬送手段３１に与える影響が小さくなり、各社毎の処理枚数の合わせこみがしやすい。

さらに処理ブロックを追加するときには、既述のように処理ブロック側の用力ラインの接続端４１ａ，４２ａと、外部（搬送ブロック）側の用力ラインの接続端４１ｂ，４２ｂとを、一括して接続すればよいので、処理ブロックを増設するときの用力系の接続作業が容易である。

この実施の形態では、複数の処理ブロックにて同じ品種の処理を行なう場合を例にして説明したが、複数の処理ブロックの各々において、異なる品種の処理を行なうようにしてもよい。

また本発明の基板処理装置は図１４〜図１６のように構成してもよい。この例の基板処理装置が上述の例と異なる点は、第１〜第３の処理ブロックＳ１〜Ｓ３の内部の構成のみである。この基板処理装置について、複数の処理ブロックＳ１〜Ｓ３にて異なる品種の処理を行なう場合を例にして説明する。前記３個の処理ブロックＳ１〜Ｓ３は同じ大きさに形成され、ブロック毎にウエハＷに対して異なる品種の一連の処理を行うものの、処理ブロックに配設される処理ユニットのレイアウトは同一に構成されている。

つまりキャリアブロックＢ１側から見て手前側に、液処理系の処理ユニットを多段例えば５段に配列した２個の液処理ユニット群８１Ａ，８１Ｂ、この奥側には第３の搬送手段８２を挟んで、加熱・冷却系の処理ユニットを多段例えば１０段と、６段に配列した２個の棚ユニット８３Ａ，８３Ｂが夫々設けられており、第３の搬送手段８２により液処理ユニット群８１Ａ，８１Ｂ、棚ユニット８３Ａ，８３Ｂの間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。また搬送ブロックＢ２側の棚ユニット８３Ａは、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３によりアクセスできる位置に、第２の搬送手段２３と第３の搬送手段８２との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージをなす受け渡しユニット（ＴＲＳ１、ＴＲＳ２）を備えている。

第１の処理ブロックＳ１では、例えばウエハＷに対して下層側反射防止膜（ＢＡＲＣ）とレジスト膜と上層側反射防止膜（ＴＡＲＣ）とを形成する処理が行われるように、液処理ユニット群８１Ａ，８１Ｂには、例えば１個の下層側反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）と、１個の塗布ユニット（ＣＯＴ）と、１個の上層側反射防止膜形成ユニット（ＴＡＲＣ）と、２個の現像ユニット(ＤＥＶ)とが配列され、棚ユニット８２Ａ，８２Ｂには、例えば３個の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）、例えば３個の加熱ユニット（ＬＨＰ）、例えば１個の加熱ユニット（ＰＡＢ）、例えば２個の加熱ユニット（ＰＥＢ）、例えば３個の温調ユニット（ＣＰＬ）の他、例えば２個の受け渡しユニット（ＴＲＳ１、ＴＲＳ２）等が上下に割り当てられている。

第２の処理ブロックＳ２では、例えばウエハＷに対してレジスト膜と上層側反射防止膜の形成処理が行われるように、液処理ユニット群８１Ａ，８１Ｂには、例えば１個の塗布ユニット（ＣＯＴ）と、１個の上層側反射防止膜形成ユニット（ＴＡＲＣ）と、２個の現像ユニット(ＤＥＶ)とが配列され、棚ユニット８２Ａ，８２Ｂには、例えば１個の疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、２個の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）、例えば２個の加熱ユニット（ＬＨＰ）、例えば１個の加熱ユニット（ＰＡＢ）、例えば２個の加熱ユニット（ＰＥＢ）、例えば３個の温調ユニット（ＣＰＬ）の他、例えば２個の受け渡しユニット（ＴＲＳ１、ＴＲＳ２）等が上下に割り当てられている。

第３の処理ブロックＳ３では、例えばウエハＷに対して下層側反射防止膜とレジスト膜の形成処理が行われるように、液処理ユニット群８１Ａ，８１Ｂには、例えば１個の塗布ユニット（ＣＯＴ）と、１個の下層側反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）と、２個の現像ユニット(ＤＥＶ)とが配列され、棚ユニット８２Ａ，８２Ｂには、例えば２個の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）、例えば３個の加熱ユニット（ＬＨＰ）、例えば１個の加熱ユニット（ＰＡＢ）、例えば２個の加熱ユニット（ＰＥＢ）、例えば３個の温調ユニット（ＣＰＬ）の他、例えば２個の受け渡しユニット（ＴＲＳ１、ＴＲＳ２）等が上下に割り当てられている。その他の構成は、上述の図１に示す基板処理装置と同様に構成されている。

このような基板処理装置におけるウエハＷの流れについて、同じキャリアＣ内に第１の処理が行なわれるウエハＷ１と、第２の処理が行なわれるウエハＷ２と、第３の処理が行なわれるウエハＷ３とが、収納されている場合を例にして説明する。先ずキャリアブロックＢ１のキャリア載置部２１に搬入されたキャリアＣ１内から第１の搬送手段２２により第１の処理が行われるウエハＷ１が取り出され、キャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４に受け渡される。

この受け渡しステージ２４のウエハＷは搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３により、例えば第１の処理ブロックＳ１の棚ユニット８３Ａの受け渡しユニットＴＲＳ１を介して第３の搬送手段３１に受け渡され、処理ブロックＳ１内において、例えば温調ユニット（ＣＰＬ）→下層側反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の順序で搬送されて下層側反射防止膜が形成された後、加熱ユニット（ＬＨＰ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の順序で搬送されてレジスト液の塗布処理が行なわれる。次いで加熱ユニット（ＰＡＢ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→上層側反射防止膜形成ユニット（ＴＡＲＣ）→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）→加熱ユニット（ＬＨＰ）の順序で搬送されて上層側反射防止膜が形成された後、出力用の受け渡しユニットＴＲＳ２→搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３→インターフェイス部Ｂ５の受け渡しステージ２７→受け渡し手段２６→露光装置Ｂ６の経路で搬送され、ここで所定の露光処理が行なわれる。

次いで露光後のウエハＷは、インターフェイス部Ｂ５の受け渡し手段２６→受け渡しステージ２７→第２の搬送手段２３の経路で、レジスト液が塗布された元の処理ブロックつまり第１の処理ブロックＳ１の入力用受け渡しユニットＴＲＳ１を介して当該処理ブロックＳ１に搬送され、ここで加熱ユニット（ＰＥＢ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送されて、所定の現像処理が行なわれた後、加熱ユニット（ＬＨＰ）にて所定温度に調整され、こうして下層側反射防止膜とレジスト膜と上層側反射防止膜とが形成される第１の処理が行われたウエハＷは、出力用受け渡しユニットＴＲＳ２→第２の搬送手段２３→キャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４→第１の受け渡し手段２２の経路で、例えば元のキャリアＣ内に戻される。

また同じキャリアＣ内から取り出された第２の処理が行われるウエハＷ２は、キャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４を介して第２の搬送手段２３により、例えば受け渡しユニットＴＲＳ１を介して第２の処理ブロックＳ２の第３の搬送手段３１に受け渡され、処理ブロックＳ２内において、例えば疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の順序で搬送されてレジスト液の塗布処理が行なわれる。次いで加熱ユニット（ＰＡＢ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→上層側反射防止膜形成ユニット（ＴＡＲＣ）→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）→加熱ユニット（ＬＨＰ）の順序で搬送されて上層側反射防止膜が形成された後、出力用の受け渡しユニットＴＲＳ２→搬送ブロックＢの第２の搬送手段２３→インターフェイス部Ｂ５の受け渡しステージ２７→受け渡し手段２６→露光装置Ｂ６の経路で搬送され、ここで所定の露光処理が行なわれる。

次いで露光後のウエハＷは、上述の第１の処理と同様の経路でレジスト液の塗布と上層側反射防止膜が形成された第２の処理ブロックＳ２に搬送されて、所定の現像処理が行われた後、こうしてレジスト膜と上層側反射防止膜とが形成される第２の処理が行われたウエハＷは、例えば元のキャリアＣ内に戻される。

また同じキャリアＣ内から取り出された第３の処理が行われるウエハＷ３は、キャリアブロックＢ１の受け渡しステージ２４を介して第２の搬送手段２３により、例えば第３の処理ブロックＳ３の受け渡しユニットＴＲＳ１を介して第３の搬送手段３１に受け渡され、処理ブロックＳ３内において、例えば温調ユニット（ＣＰＬ）→下層側反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）→加熱ユニット（ＬＨＰ）の順序で搬送されて下層側反射防止膜が形成された後、温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→減圧乾燥ユニット（ＶＤ）→加熱ユニット（ＰＡＢ）の順序で搬送されてレジスト液の塗布処理が行なわれる。次いで出力用の受け渡しユニットＴＲＳ２→搬送ブロックＢの第２の搬送手段２３→インターフェイス部Ｂ５の受け渡しステージ２７→受け渡し手段２６→露光装置Ｂ６の経路で搬送され、ここで所定の露光処理が行なわれる。

次いで露光後のウエハＷは、上述の第１の処理と同様の経路でレジスト液の塗布と下層側反射防止膜が形成された第３の処理ブロックＳ３に搬送されて、所定の現像処理が行われた後、こうして下層側反射防止膜とレジスト膜とが形成される第３の処理が行われたウエハＷは、例えば元のキャリアＣ内に戻される。

なお上述の第１〜第３の処理においても塗布ユニットとしてスピン塗布式の構成を用いる場合には、必ずしも減圧乾燥ユニット（ＶＤ）における処理を行なわなくてもよい。

このような構成では、複数の処理ブロックＢ単位で異なる品種の一連の処理が完結しているので、例えば品種の拡張を行う場合、新しい品種に対応した処理ブロックＢを追加することにより対応でき、当該装置にて行われる処理の自由度が大きい。これにより上述の実施の形態で説明したように、例えば同じキャリアＣ内に品種の異なる処理を行うウエハを搭載する場合等の少量多品種の生産に対応できる。

またキャリアＣ毎に品種の異なる処理を行うように設定してもよく、この場合には、例えばキャリア載置部２１に第１の処理を行うウエハＷ１が収納されたキャリアＣ１と、第２の処理を行うウエハＷ２が収納されたキャリアＣ２と、第３の処理を行うウエハＷ２が収納されたキャリアＣ３と、を載置しておき、第１の搬送手段２２により、キャリアＣ１〜Ｃ３から順次ウエハＷ１〜Ｗ３を取り出して、第２の搬送手段２３により対応する処理ブロックＳ１〜Ｓ３に搬送し、夫々の処理ブロックＳ１〜Ｓ３内にて、所定の処理を行った後、再び第２の搬送手段２３、第１の搬送手段２２により対応する元のキャリアＣ１〜Ｃ３内に戻される。なお受け渡しステージ２７は、ウエハＷを受け渡す前に基板温度を一定化させるために温調機能を備えたものであってもよく、複数であってもよい。

以上において、この実施の形態では、例えば処理ブロックＳ１〜Ｓ３に、下層側反射防止膜形成ユニット（ＢＡＳＣ）、塗布ユニット（ＣＯＴ）、上層側反射防止膜形成ユニット（ＴＡＲＣ）、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）、加熱ユニット（ＬＨＰ）、加熱ユニット（ＰＡＢ）、加熱ユニット（ＰＥＢ）、温調ユニット（ＣＰＬ）、受け渡しユニット（ＴＲＳ１、ＴＲＳ２）を同じ個数分、同じレイアウトで配列した処理ブロックを用意しておき、各処理ブロックＳ１〜Ｓ３において必要な処理ユニットを使用するようにしてもよい。この場合、各処理ユニットは必要とされる最大数分予め搭載しておく。

さらに本発明の基板処理装置は、搬送ブロックＢ２のキャリアブロックＢ１に接続された側の反対側に、インターフェイス部Ｂ５を介して露光装置Ｂ６を接続する構成の他に、例えば図１７に示すように、搬送ブロックＢ２の処理ブロックＢ０,Ｂ３，Ｂ４に接続された側の反対側に、インターフェイス部Ｂ５を介して露光装置Ｂ６を接続するように構成してもよい。この場合、例えば図１７に示すように、インターフェイス部Ｂ５には、搬送ブロックＢ２の第２の搬送手段２３ととインターフェイスＢ５の受け渡し手段９１との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージ９２が設けられる。ここで処理ブロックの構成は、図１に示すようにレイアウトされてもよいし、図１４に示すようにレイアウトされてもよい。

さらに本発明では、図１に示すように、処理ブロックを３台用としながら２台接続した態様で納品し、後で処理枚数が増えたときに新たに処理ブロックを追加させる構成であってもよいし、初めから処理ブロックの空きスペースを設けずに、処理ブロックを２台又は３台設ける構成であってもよい。このように処理ブロックの空きスペースを設けない構成であっても、後から新たに処理ユニットを追加することもできる。この場合には、処理ブロックの追加時に搬送路を延長して露光装置の位置をずらす必要があるが、電子ビーム（ＥＢ）を用いた露光装置では、後から移動することができるので、この態様も有効である。

さらにまた本発明では、ウエハＷのロット毎に対応する処理ブロックを割り当てておき、第１のロットのウエハＷは第１の処理ブロックＢ３にて処理を行ない、第２のロットのウエハＷは第２の処理ブロックＢ４にて処理を行なうようにウエハＷを処理ブロックに対して搬送するようにしてもよい。

また本発明では、露光装置を処理ブロックに接続する構成の他、露光装置を処理ブロックとは切り離して、別の場所に設ける構成であってもよい。この場合には、キャリアブロックＢ１のキャリアＣ内のウエハＷを、第１の搬送手段、第２の搬送手段を介して所定の処理ブロックに搬送して、ここで例えばレジスト液の塗布処理を行なった後、第２の搬送手段、第１の搬送手段を介して再びキャリアブロックＢ１に戻し、この後当該ウエハＷを別の場所に設けられた露光装置に搬送して所定の露光処理を行なう。次いで露光処理が行なわれたウエハＷを再びキャリアブロックＢ１、第１の搬送手段、第２の搬送手段を介してレジスト液が塗布された元の処理ブロックに戻し、ここで所定の現像処理を行なった後、再び第２の搬送手段、第１の搬送手段により、キャリアブロックＢ１内の元のキャリアＣ内に戻すことが行われる。

さらに本発明の基板処理装置では、例えばインターフェイス部Ｂ５内に、加熱ユニット（ＰＥＢ）を搭載し、露光装置Ｂ６にて露光処理した後のウエハＷを、受け渡し手段２６により所定時間内に優先的に加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬送するようにしてもよい。この場合、インターフェイス部Ｂ５内に受け渡し手段２６の他に、露光装置Ｂ６→加熱ユニット（ＰＥＢ）の搬送を行うための専用の搬送アームを備えるようにしてもよい。

さらにまた本発明の基板処理装置では、複数の処理ブロックは、平面的な大きさが同じであれば、各々の処理ブロックは、内部の処理ユニットの種類や個数、レイアウトが夫々異なるものであってもよい。また既述のように複数の処理ブロックにおいて、同じ品種の処理を行なうようにしてもよいし、異なる品種の処理を行なってもよい。また露光装置を含まない構成としてもよいし、例えば層間絶縁膜を用途とする処理であってもよく、基板にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜を形成する処理にも適用できる。また本発明においては、基板は半導体ウエハに限られず、例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板やフォトマスク基板などであってもよい。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。 前記基板処理装置を示す側部断面図である。 前記基板処理装置を示す側部断面図である。 前記基板処理装置の処理ブロックの内部を示す斜視図である。 前記基板処理装置の搬送ブロックと処理ブロックの用力ラインの接続の様子を示す説明図である。 前記基板処理装置に処理ブロックを追加する様子を示す平面図である。 前記基板処理装置の搬送ブロックと処理ブロックとの接続の様子を示す平面図である。 前記基板処理装置の搬送ブロックと処理ブロックとの接続の様子を示す斜視図である。 前記基板処理装置の搬送ブロックと処理ブロックとの接続の様子を示す側面図である。 前記基板処理装置に設けられる塗布ユニットを示す断面図である。 前記基板処理装置に設けられる加熱ユニット（ＰＥＢ）を示す断面図である。 前記基板処理装置に設けられる第３の搬送手段を示す斜視図である。 本発明の基板処理装置の他の実施の形態を示す平面図である。 前記基板処理装置を示す側部断面図である。 前記基板処理装置を示す側部断面図である。 本発明の基板処理装置の他の実施の形態を示す平面図である。 従来の基板処理装置を示す平面図である。

符号の説明

Ｂ１ キャリアブロック
Ｂ２ 搬送ブロック
Ｂ３ 第１の処理ブロック
Ｂ４ 第２の処理ブロック
Ｂ５ インターフェイス部
Ｂ６ 露光装置
Ｃ 基板キャリア
２２ 第１の搬送手段
２３ 第２の搬送手段
２４ 受け渡しステージ
３１ 第３の搬送手段
３２ 塗布ユニット
３３ 現像ユニット

Claims (11)

1. 複数枚の基板が収納された基板キャリアが搬入出されるキャリア載置部と、このキャリア載置部に載置された基板キャリアに対して基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、を含むキャリアブロックと、
   このキャリアブロックに隣接して設けられ、直線状の搬送路に沿って基板を搬送する第２の搬送手段を含む搬送ブロックと、
   前記第１の搬送手段と第２の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第１の受け渡しステージと、
   前記搬送路に沿って配列され、前記搬送ブロックに対して着脱自在に設けられると共に大きさが同じ直方体に形成されている複数の処理ブロックと、を備え、
   各処理ブロックは、レジスト液を基板に塗布するための塗布ユニットと、レジスト液を塗布した後の基板を加熱する加熱ユニットと、露光後の基板に対して現像処理を行うための現像ユニットと、露光後、現像前の基板を加熱するための加熱ユニットと、これらユニットの間で基板を搬送する第３の搬送手段と、前記第２の搬送手段と第３の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第２の受け渡しステージと、を含み、
   各処理ブロック単位で基板に対してレジスト液の塗布及び露光後の現像処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記搬送路のキャリアブロックに接続された側の反対側には、露光装置が接続されるインターフェイス部が接続されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記搬送路の処理ブロックに接続された側の反対側には、露光装置が接続されるインターフェイス部が接続されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
4. 複数枚の基板が収納された基板キャリアが搬入出されるキャリア載置部と、このキャリア載置部に載置された基板キャリアに対して基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、を含むキャリアブロックと、
   このキャリアブロックに隣接して設けられ、直線状の搬送路に沿って基板を搬送する第２の搬送手段を含む搬送ブロックと、
   前記第１の搬送手段と第２の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第１の受け渡しステージと、
   前記搬送路に沿って配列され、前記搬送ブロックに対して着脱自在に設けられると共に大きさが同じ直方体に形成されている複数の処理ブロックと、を備え、
   各処理ブロックは、基板に対して絶縁膜の前駆物質を含む薬液を塗布する液処理ユニットと、前記薬液が塗布された基板を加熱するための加熱ユニットと、これらユニットの間で基板を搬送する第３の搬送手段と、前記第２の搬送手段と第３の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための第２の受け渡しステージと、を含み、
   各処理ブロック単位で基板に対して絶縁膜の形成を行うことを特徴とする基板処理装置。
5. 前記処理ブロックが配置される領域の底部または側部に処理ブロックの位置決めをするために設けられた位置決め部材を備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記処理ブロックが配置される領域の底部または側部に処理ブロックを引き込むために設けられたガイド部材と、このガイド部材に処理ブロックの位置決めをするために設けられた位置決め部材と、を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 各処理ブロックは、外部から用力を取り込むための複数の用力ラインと、外部の対応する用力ラインの接続端に対して脱着できるように構成された各用力ラインの接続端と、を備えていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 外部側の接続端は、搬送ブロックにおける第２の搬送手段の下方側に設けられ、処理ブロックを第２の搬送手段側に押し入れたときに当該外部の接続端と、処理ブロック側の接続端とが接続されるように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記複数の用力ラインは、互いに異なる用力を供給するものであり、それら複数の用力ラインの各々は、下流側で分岐されて各処理ユニットに導かれていることを特徴とする請求項７又は８記載の基板処理装置。
10. 複数の用力ラインは、温調用流体の供給ライン、不活性ガスの供給ライン、給電線及び信号線を含むことを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一つに記載の基板処理装置。
11. 用力ラインは、更に薬液供給管を含むことを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。

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