JP3456919B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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- JP3456919B2 JP3456919B2 JP7921699A JP7921699A JP3456919B2 JP 3456919 B2 JP3456919 B2 JP 3456919B2 JP 7921699 A JP7921699 A JP 7921699A JP 7921699 A JP7921699 A JP 7921699A JP 3456919 B2 JP3456919 B2 JP 3456919B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LCD等の基板に
レジスト膜等の膜を形成する基板処理方法および基板処
理装置に関し、特に、レジスト膜が塗布された基板に露
光処理および現像処理を施すにあたり、基板上のレジス
ト液を加熱して乾燥させる基板処理方法および基板処理
装置に関する。
レジスト膜等の膜を形成する基板処理方法および基板処
理装置に関し、特に、レジスト膜が塗布された基板に露
光処理および現像処理を施すにあたり、基板上のレジス
ト液を加熱して乾燥させる基板処理方法および基板処理
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD)の製造にお
いては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
が形成される。
いては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
が形成される。
【0003】このレジスト液を塗布する工程では、矩形
のLCD基板(以下、基板という)は、レジストの定着
性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎
水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニットで冷却
後、レジスト塗布ユニットに搬入される。
のLCD基板(以下、基板という)は、レジストの定着
性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎
水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニットで冷却
後、レジスト塗布ユニットに搬入される。
【0004】レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板を
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。
【0005】このレジスト液が塗布された基板は、周縁
の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに
搬入され、プリベーク処理が行われる。この加熱処理ユ
ニットにおいては、加熱プレートと基板とが直接に接触
することを避けるために、リフトピンにより受け取られ
た基板を加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレー
トからの放熱によって加熱する、いわゆるプロキシミテ
ィー方式が採用されることが多い。
の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに
搬入され、プリベーク処理が行われる。この加熱処理ユ
ニットにおいては、加熱プレートと基板とが直接に接触
することを避けるために、リフトピンにより受け取られ
た基板を加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレー
トからの放熱によって加熱する、いわゆるプロキシミテ
ィー方式が採用されることが多い。
【0006】次いで、基板は、冷却ユニットで冷却さ
れ、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光
され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施され
て、所定のレジストパターンが形成される。
れ、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光
され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施され
て、所定のレジストパターンが形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た塗布・現像処理においては、レジスト液が塗布された
基板がプリベーク処理等された後に、または、基板が露
光されて現像処理された後に、上述した加熱処理ユニッ
トのリフトピン、固定ピン、またはバキューム溝等の形
状が基板に転写されることがある。
た塗布・現像処理においては、レジスト液が塗布された
基板がプリベーク処理等された後に、または、基板が露
光されて現像処理された後に、上述した加熱処理ユニッ
トのリフトピン、固定ピン、またはバキューム溝等の形
状が基板に転写されることがある。
【0008】このリフトピン等の転写は、具体的には、
プリベーク処理後には、基板上に塗布されたレジスト液
の膜厚が、リフトピン等の形状に対応して変化すること
によって生じ、露光・現像処理後には、基板上に形成さ
れた回路パターンの線幅が、リフトピン等の形状に対応
するように変化することにより生じる。また、プリベー
ク後には転写の存在が認められない場合でも現像後に転
写が生じる場合もある。
プリベーク処理後には、基板上に塗布されたレジスト液
の膜厚が、リフトピン等の形状に対応して変化すること
によって生じ、露光・現像処理後には、基板上に形成さ
れた回路パターンの線幅が、リフトピン等の形状に対応
するように変化することにより生じる。また、プリベー
ク後には転写の存在が認められない場合でも現像後に転
写が生じる場合もある。
【0009】このような転写が生じるのは、近年、高感
度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと、
および、LCD基板に形成される回路パターンの線幅が
3μmと従来よりも細くなったことが原因と推測される
が、その原因は詳細には把握されておらず、したがって
このような転写を防止することは未だ成功していないの
が実状である。
度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと、
および、LCD基板に形成される回路パターンの線幅が
3μmと従来よりも細くなったことが原因と推測される
が、その原因は詳細には把握されておらず、したがって
このような転写を防止することは未だ成功していないの
が実状である。
【0010】転写の原因を現象から推察すると、基板上
に塗布されたレジスト液の膜厚が支持ピンやプロキシミ
ティピンからの熱伝導により変化することによって生
じ、露光・現像処理の後には基板上の形成された回路パ
ターンの線幅が支持ピンやプロキシミティピンからの熱
伝導により変化することにより、これらの転写跡が生じ
るものと思われる。これは、支持ピンやプロシミティピ
ン先端付近のLCD基板温度がその他の部分の温度と比
較して高く、またバキューム溝付近のLCD基板温度が
その他の部分の温度と比較して低いということである。
転写跡は製品になった跡にも確認することができ、製品
不良の原因となる。
に塗布されたレジスト液の膜厚が支持ピンやプロキシミ
ティピンからの熱伝導により変化することによって生
じ、露光・現像処理の後には基板上の形成された回路パ
ターンの線幅が支持ピンやプロキシミティピンからの熱
伝導により変化することにより、これらの転写跡が生じ
るものと思われる。これは、支持ピンやプロシミティピ
ン先端付近のLCD基板温度がその他の部分の温度と比
較して高く、またバキューム溝付近のLCD基板温度が
その他の部分の温度と比較して低いということである。
転写跡は製品になった跡にも確認することができ、製品
不良の原因となる。
【0011】しかし、上述したように、このようなリフ
トピン等の転写は、レジスト液の膜厚の不均一、およ
び、回路パターンの線幅の変動に対応しているため、L
CD基板の塗布・現像工程においては、このような転写
が基板上に生じることを極力防止することが要望されて
いる。
トピン等の転写は、レジスト液の膜厚の不均一、およ
び、回路パターンの線幅の変動に対応しているため、L
CD基板の塗布・現像工程においては、このような転写
が基板上に生じることを極力防止することが要望されて
いる。
【0012】また、今後益々使用されるであろう高感度
のレジストにおいては乾燥しづらく、レジスト塗布後か
ら露光するまでの間に乾燥が完全に行われていない場
合、現像処理時に未乾燥のレジストが現像液に溶け出
し、それにより回路パターンの線幅の変動が生じる要因
にもなる可能性がある。
のレジストにおいては乾燥しづらく、レジスト塗布後か
ら露光するまでの間に乾燥が完全に行われていない場
合、現像処理時に未乾燥のレジストが現像液に溶け出
し、それにより回路パターンの線幅の変動が生じる要因
にもなる可能性がある。
【0013】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、レジスト膜の膜厚の不均一および回路パターン
の線幅の変動の指標である転写を防止することができる
基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的
とする。さらに、基板に塗布されたレジスト液を転写が
発生することなくより確実に乾燥させる基板処理方法お
よび基板処理装置を提供することを目的とする。
であり、レジスト膜の膜厚の不均一および回路パターン
の線幅の変動の指標である転写を防止することができる
基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的
とする。さらに、基板に塗布されたレジスト液を転写が
発生することなくより確実に乾燥させる基板処理方法お
よび基板処理装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の観点によれば、基板表面に所定の膜
を形成する基板処理方法であって、基板表面に塗布液を
塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する第一の乾燥工程
と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定され
た第二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥処理する第二の乾
燥工程とを具備することを特徴とする基板処理方法 が提
供される。
に、本発明の第1の観点によれば、基板表面に所定の膜
を形成する基板処理方法であって、基板表面に塗布液を
塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する第一の乾燥工程
と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定され
た第二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥処理する第二の乾
燥工程とを具備することを特徴とする基板処理方法 が提
供される。
【0015】この場合に、前記第二の乾燥工程の後、基
板を加熱乾燥処理してもよい。第二の乾燥工程は、レジ
スト液が塗布された基板に気体を供給しながら乾燥する
ことを挙げることができる。また、前記第二の乾燥工程
の後に、前記加熱乾燥処理に先立って基板の端面に付着
したレジストの除去を行うようにすることができる。
板を加熱乾燥処理してもよい。第二の乾燥工程は、レジ
スト液が塗布された基板に気体を供給しながら乾燥する
ことを挙げることができる。また、前記第二の乾燥工程
の後に、前記加熱乾燥処理に先立って基板の端面に付着
したレジストの除去を行うようにすることができる。
【0016】さらに、前記端面処理工程から加熱乾燥処
理を行う間の基板の搬送雰囲気と、基板に塗布液を塗布
した後端面処理工程までの間の基板の搬送雰囲気とは異
なる雰囲気であることが好ましく、前記基板に塗布液を
塗布した後端面処理工程までの間の基板の搬送雰囲気
は、温度、湿度、コンタミネーション、ケミカルの内少
なくとも1つの制御がなされていることが好ましい。
理を行う間の基板の搬送雰囲気と、基板に塗布液を塗布
した後端面処理工程までの間の基板の搬送雰囲気とは異
なる雰囲気であることが好ましく、前記基板に塗布液を
塗布した後端面処理工程までの間の基板の搬送雰囲気
は、温度、湿度、コンタミネーション、ケミカルの内少
なくとも1つの制御がなされていることが好ましい。
【0017】本発明の第2の観点によれば、基板表面に
所定の膜を形成する基板処理装置であって、基板表面に
塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する塗布処理
部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥処理する減圧処
理部とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供
される。
所定の膜を形成する基板処理装置であって、基板表面に
塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する塗布処理
部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥処理する減圧処
理部とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供
される。
【0018】本発明の第3の観点によれば、基板表面に
所定の膜を形成する基板処理装置であって、基板表面に
塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する塗布処理
部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下で乾燥処理する減圧処理部と、
前記基板の周縁部の所定の膜を除去する除去処理部とで
構成されるユニット部と、このユニット部に配置され、
除去処理部と減圧処理部との間および塗布処理部と減圧
処理部との間で基板を搬送するユニット内搬送機構と、
前記ユニット部内の雰囲気を制御する雰囲気制御機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置が提供され
る。
所定の膜を形成する基板処理装置であって、基板表面に
塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する塗布処理
部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下で乾燥処理する減圧処理部と、
前記基板の周縁部の所定の膜を除去する除去処理部とで
構成されるユニット部と、このユニット部に配置され、
除去処理部と減圧処理部との間および塗布処理部と減圧
処理部との間で基板を搬送するユニット内搬送機構と、
前記ユニット部内の雰囲気を制御する雰囲気制御機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置が提供され
る。
【0019】本発明の第4の観点によれば、基板表面に
所定の膜を形成する基板処理装置であって、基板表面に
塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する塗布処理
部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下で乾燥処理する減圧処理部と、
前記基板の周縁部の所定の膜を除去する除去処理部とで
構成されるユニット部と、このユニット部外に配置され
前記基板を加熱して処理する複数の加熱処理部と、 前
記ユニット部に配置され、除去処理部と減圧処理部との
間および塗布処理部と減圧処理部との間で基板を搬送す
るユニット内搬送機構と、前記ユニット部外に配置さ
れ、前記複数の加熱処理部の中に一つの加熱処理部と除
去処理部との間で基板の搬送を行うユニット部外搬送機
構とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供さ
れる。
所定の膜を形成する基板処理装置であって、基板表面に
塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥する塗布処理
部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下で乾燥処理する減圧処理部と、
前記基板の周縁部の所定の膜を除去する除去処理部とで
構成されるユニット部と、このユニット部外に配置され
前記基板を加熱して処理する複数の加熱処理部と、 前
記ユニット部に配置され、除去処理部と減圧処理部との
間および塗布処理部と減圧処理部との間で基板を搬送す
るユニット内搬送機構と、前記ユニット部外に配置さ
れ、前記複数の加熱処理部の中に一つの加熱処理部と除
去処理部との間で基板の搬送を行うユニット部外搬送機
構とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供さ
れる。
【0020】上記第4の観点において、前記ユニット内
とユニット外とにそれぞれ独立に設けられ、それぞれの
雰囲気を制御する雰囲気制御機構をさらに具備すること
が好ましく、前記ユニット内とユニット外とは異なる雰
囲気に設定されることが好ましい。また、上記第2〜第
4の観点において、前記塗布処理部と前記減圧処理部の
少なくとも一方には基板に気体を供給する気体供給機構
を具備していることが好ましい。
とユニット外とにそれぞれ独立に設けられ、それぞれの
雰囲気を制御する雰囲気制御機構をさらに具備すること
が好ましく、前記ユニット内とユニット外とは異なる雰
囲気に設定されることが好ましい。また、上記第2〜第
4の観点において、前記塗布処理部と前記減圧処理部の
少なくとも一方には基板に気体を供給する気体供給機構
を具備していることが好ましい。
【0021】本発明によれば、膜の内部に存在する微小
な気泡が成長しない程度の第一の減圧雰囲気下で乾燥し
た後に、第一の減圧雰囲気より低圧力に設定された第二
の減圧雰囲気下でさらに乾燥処理することにより、膜の
内部に存在する微小な気泡の成長を抑制しながら乾燥す
ることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止
することができる。
な気泡が成長しない程度の第一の減圧雰囲気下で乾燥し
た後に、第一の減圧雰囲気より低圧力に設定された第二
の減圧雰囲気下でさらに乾燥処理することにより、膜の
内部に存在する微小な気泡の成長を抑制しながら乾燥す
ることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止
することができる。
【0022】また、第二の乾燥工程を、レジスト液が塗
布された基板に気体を供給しながら乾燥するようにする
ことにより、非加熱状態での乾燥を簡易な手段により実
現することができる。
布された基板に気体を供給しながら乾燥するようにする
ことにより、非加熱状態での乾燥を簡易な手段により実
現することができる。
【0023】さらに、この非加熱状態での乾燥の後に、
基板の端面に付着したレジストの除去を行えば、レジス
ト液の乾燥が進行しているため、余分なレジスト液の除
去を容易に行ことができる。
基板の端面に付着したレジストの除去を行えば、レジス
ト液の乾燥が進行しているため、余分なレジスト液の除
去を容易に行ことができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明が適用
される基板処理装置として例えばLCD基板の塗布・現
像処理システムを示す平面図である。
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明が適用
される基板処理装置として例えばLCD基板の塗布・現
像処理システムを示す平面図である。
【0025】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェイス部3が配置されている。
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェイス部3が配置されている。
【0026】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送部
10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路1
0a上を移動可能な搬送機構11を備え、この搬送機構
11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送
が行われる。
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送部
10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路1
0a上を移動可能な搬送機構11を備え、この搬送機構
11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送
が行われる。
【0027】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
【0028】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能なユニット部外搬送機構である例えば主搬送装置17
を備えており、搬送路12の一方側には、2つの洗浄ユ
ニット(SCR)21a、21bが配置されており、搬
送路12の他方側には紫外線照射・冷却ユニット(UV
/COL)25、それぞれ上下2段に積層されてなる加
熱処理ユニット(HP)26および冷却ユニット(CO
L)27が配置されている。
能なユニット部外搬送機構である例えば主搬送装置17
を備えており、搬送路12の一方側には、2つの洗浄ユ
ニット(SCR)21a、21bが配置されており、搬
送路12の他方側には紫外線照射・冷却ユニット(UV
/COL)25、それぞれ上下2段に積層されてなる加
熱処理ユニット(HP)26および冷却ユニット(CO
L)27が配置されている。
【0029】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、塗布処理部である例えばレジスト塗布処理
ユニット(CT)22、乾燥処理ユニット(DR)80
および基板Gの周縁部のレジストを除去する除去処理部
である例えばエッジリムーバー(ER)23を備えたユ
ニット部107が一体的に設けられており、搬送路13
の他方側には、複数の熱処理部である例えば二段積層さ
れてなる加熱処理ユニット(HP)28、加熱処理ユニ
ットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処
理・冷却ユニット(HP/COL)29、およびアドヒ
ージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層さ
れてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット(AD/C
OL)30が配置されている。
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、塗布処理部である例えばレジスト塗布処理
ユニット(CT)22、乾燥処理ユニット(DR)80
および基板Gの周縁部のレジストを除去する除去処理部
である例えばエッジリムーバー(ER)23を備えたユ
ニット部107が一体的に設けられており、搬送路13
の他方側には、複数の熱処理部である例えば二段積層さ
れてなる加熱処理ユニット(HP)28、加熱処理ユニ
ットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処
理・冷却ユニット(HP/COL)29、およびアドヒ
ージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層さ
れてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット(AD/C
OL)30が配置されている。
【0030】このように、レジスト塗布処理ユニット
(COT)22と、エッジリムーバー(ER)23との
間に、乾燥処理ユニット(DR)80が設けられている
ことにより、レジスト液が塗布された基板Gが乾燥処理
ユニット(DR)80に搬送されて乾燥処理され、その
後、エッジリムーバー(ER)23により端面処理され
るようになっている。
(COT)22と、エッジリムーバー(ER)23との
間に、乾燥処理ユニット(DR)80が設けられている
ことにより、レジスト液が塗布された基板Gが乾燥処理
ユニット(DR)80に搬送されて乾燥処理され、その
後、エッジリムーバー(ER)23により端面処理され
るようになっている。
【0031】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24
b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には
上下2段に積層されてなる加熱処理ユニット31、およ
び加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層さ
れてなる2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/CO
L)32、33が配置されている。
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24
b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には
上下2段に積層されてなる加熱処理ユニット31、およ
び加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層さ
れてなる2つの加熱処理・冷却ユニット(HP/CO
L)32、33が配置されている。
【0032】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
【0033】また、中継部15、16のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス35が設けられている。
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス35が設けられている。
【0034】上記主搬送装置17は、搬送機構10のア
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
【0035】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、2つのバッファーステージ37と、これらと露
光装置(図示せず)との間の基板Gの搬入出を行う搬送
機構38とを備えている。搬送機構38はエクステンシ
ョン36およびバッファステージ37の配列方向に沿っ
て設けられた搬送路38a上を移動可能な搬送アーム3
9を備え、この搬送アーム39により処理部2と露光装
置との間で基板Gの搬送が行われる。このように各処理
ユニットを集約して一体化することにより、省スペース
化および処理の効率化を図ることができる。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、2つのバッファーステージ37と、これらと露
光装置(図示せず)との間の基板Gの搬入出を行う搬送
機構38とを備えている。搬送機構38はエクステンシ
ョン36およびバッファステージ37の配列方向に沿っ
て設けられた搬送路38a上を移動可能な搬送アーム3
9を備え、この搬送アーム39により処理部2と露光装
置との間で基板Gの搬送が行われる。このように各処理
ユニットを集約して一体化することにより、省スペース
化および処理の効率化を図ることができる。
【0036】装置外部は、装置内部の雰囲気を保持する
ため外装板で覆われており、さらに一体で設けられたレ
ジスト塗布処理ユニット(CT)22、乾燥処理ユニッ
ト(DR)80およびエッジリムーバー(ER)23も
装置内部の他の部分と異なる雰囲気を保持するために仕
切り板で区切られている。
ため外装板で覆われており、さらに一体で設けられたレ
ジスト塗布処理ユニット(CT)22、乾燥処理ユニッ
ト(DR)80およびエッジリムーバー(ER)23も
装置内部の他の部分と異なる雰囲気を保持するために仕
切り板で区切られている。
【0037】また、図2に示すように、装置上部はユニ
ット部107内とユニット部107外で独立した装置内
部の温度、湿度、コンタミネーション、ケミカル等の雰
囲気が制御可能な雰囲気制御機構である例えばファンフ
ィルターユニット90、90aにて覆われており、ファ
ンフィルターユニット90、90aから下方向に制御さ
れた雰囲気が吹出すようになっている。
ット部107内とユニット部107外で独立した装置内
部の温度、湿度、コンタミネーション、ケミカル等の雰
囲気が制御可能な雰囲気制御機構である例えばファンフ
ィルターユニット90、90aにて覆われており、ファ
ンフィルターユニット90、90aから下方向に制御さ
れた雰囲気が吹出すようになっている。
【0038】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照
射・冷却ユニット(UV/COL)25で表面改質・洗
浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット(S
CR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、加熱
処理ユニット(HP)26の一つで加熱乾燥された後、
冷却ユニット(COL)27の一つで冷却される。
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照
射・冷却ユニット(UV/COL)25で表面改質・洗
浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット(S
CR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、加熱
処理ユニット(HP)26の一つで加熱乾燥された後、
冷却ユニット(COL)27の一つで冷却される。
【0039】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理
(HMDS処理)され、冷却ユニット(COL)で冷却
後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗
布され、後に詳述するように、乾燥処理ユニット(D
R)80により乾燥処理されて、エッジリムーバー(E
R)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去され
る。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユニ
ット(HP)の一つでプリベーク処理され、ユニット2
9または30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却さ
れる。
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理
(HMDS処理)され、冷却ユニット(COL)で冷却
後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗
布され、後に詳述するように、乾燥処理ユニット(D
R)80により乾燥処理されて、エッジリムーバー(E
R)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去され
る。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユニ
ット(HP)の一つでプリベーク処理され、ユニット2
9または30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却さ
れる。
【0040】その後、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれか
の加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施
された後、冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬
送装置19,18,17および搬送機構10によってカ
セットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれか
の加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施
された後、冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬
送装置19,18,17および搬送機構10によってカ
セットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
【0041】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムにおける、一体的に設けられたレジスト塗布処
理ユニット(COT)22、乾燥処理ユニット(DR)
80およびエッジリムーバー(ER)23で構成される
ユニット部107について説明する。図3は、一体的に
設けられたレジスト塗布処理ユニット(CT)、乾燥処
理ユニット(DR)およびエッジリムーバー(ER)か
らなるユニット部107の全体構成を示す概略平面図で
ある。
システムにおける、一体的に設けられたレジスト塗布処
理ユニット(COT)22、乾燥処理ユニット(DR)
80およびエッジリムーバー(ER)23で構成される
ユニット部107について説明する。図3は、一体的に
設けられたレジスト塗布処理ユニット(CT)、乾燥処
理ユニット(DR)およびエッジリムーバー(ER)か
らなるユニット部107の全体構成を示す概略平面図で
ある。
【0042】図3に示すように、これらレジスト塗布処
理ユニット(COT)22、乾燥処理ユニット(DR)
80およびエッジリムーバー(ER)23で構成される
ユニット部107は、同一のステージに一体的に並設さ
れている。レジスト塗布処理ユニット(COT)22で
レジストが塗布された基板Gは、ガイドレール43に沿
って移動可能な一対のユニット内搬送機構である例えば
搬送アーム41により乾燥処理ユニット(DR)80を
経てエッジリムーバー(ER)23に搬送されるように
なっている。なお、レジスト塗布処理ユニット(CO
T)22の搬送路13側の面には、図4に示すように主
搬送装置18により基板Gが搬入される搬入口22aが
形成されており、エッジリムーバー(ER)23の搬送
路13側の面には、主搬送装置18により基板Gが搬出
される搬出口23aが形成されている。搬入口22aと
搬出口23aにはそれぞれ上下に移動して開閉する開閉
機構としてのシャッター95、96と、シャッターを上
下に駆動させる例えばシリンダのようなシャッター駆動
機構108がそれぞれレジスト塗布処理ユニット(CO
T)22内、エッジリムーバー(ER)23内に設けら
れている。シャッター駆動機構の可動部から発生したパ
ーティクルが雰囲気の流れにのって基板上に付着しない
ように、シャッター駆動機構の可動部はレジスト塗布処
理ユニット(COT)22とエッジリムーバー(ER)
23の基板載置面と同じ位置かまたは下方位置に配置さ
れている。
理ユニット(COT)22、乾燥処理ユニット(DR)
80およびエッジリムーバー(ER)23で構成される
ユニット部107は、同一のステージに一体的に並設さ
れている。レジスト塗布処理ユニット(COT)22で
レジストが塗布された基板Gは、ガイドレール43に沿
って移動可能な一対のユニット内搬送機構である例えば
搬送アーム41により乾燥処理ユニット(DR)80を
経てエッジリムーバー(ER)23に搬送されるように
なっている。なお、レジスト塗布処理ユニット(CO
T)22の搬送路13側の面には、図4に示すように主
搬送装置18により基板Gが搬入される搬入口22aが
形成されており、エッジリムーバー(ER)23の搬送
路13側の面には、主搬送装置18により基板Gが搬出
される搬出口23aが形成されている。搬入口22aと
搬出口23aにはそれぞれ上下に移動して開閉する開閉
機構としてのシャッター95、96と、シャッターを上
下に駆動させる例えばシリンダのようなシャッター駆動
機構108がそれぞれレジスト塗布処理ユニット(CO
T)22内、エッジリムーバー(ER)23内に設けら
れている。シャッター駆動機構の可動部から発生したパ
ーティクルが雰囲気の流れにのって基板上に付着しない
ように、シャッター駆動機構の可動部はレジスト塗布処
理ユニット(COT)22とエッジリムーバー(ER)
23の基板載置面と同じ位置かまたは下方位置に配置さ
れている。
【0043】レジスト塗布処理ユニット(COT)22
は、図3および図5に示すように、基板Gを吸着保持す
る水平回転可能なスピンチャック51、このスピンチャ
ック51の上端部を囲みかつこのスピンチャック51に
吸着保持された基板Gを包囲して上端部が開口する有底
円筒形状の回転カップ52、回転カップ52の上端開口
にかぶせられる蓋体93、回転カップ52内には基板に
気体を供給する気体供給機構として例えば蓋体下方に設
けられた不活性ガス等(クリーンエアーでも可能であ
る)の気体を下方に、つまり基板G方向に向けて噴出す
るシャワーヘッド94、シャワーヘッド94に気体を供
給する配管105、配管105の途中に設けられた気体
の流量を制御するバルブ106、回転カップ52の外周
を取り囲むように固定配置され、レジスト塗布の際にレ
ジストの飛散を防止するためのコーターカップ53、お
よびコーターカップ53を取り囲むように配置された中
空リング状のドレンカップ54を備えている。そして、
後述するレジストの滴下時には、回転カップ52は蓋体
が開かれた状態とされ、回転機構102により基板Gが
スピンチャック51とともに低速で回転されると同時に
回転カップ52も回転され、レジストの拡散時には、回
転カップ52は図示しない蓋体がかぶせられた状態とさ
れ、図示しない回転機構により基板Gがスピンチャック
51とともに高速で回転されると同時に、回転カップ5
2も回転されるようになっている。さらに回転カップ5
2下方角部には円周上に複数の穴97が設けられ、回転
カップ52を回転させることにより回転カップ52内の
雰囲気に遠心力が働き、回転カップ52内の雰囲気を穴
97から回転カップ52外に排出することをにより、回
転カップ52内を減圧可能に構成されている。また、回
転カップ52内部とつながった駆動機構102の中に固
定部材103に減圧用の排気口104を設け、排気口1
04につないだ配管105を図示しない減圧ポンプにつ
なげることにより、回転カップ52内を減圧可能に構成
している。
は、図3および図5に示すように、基板Gを吸着保持す
る水平回転可能なスピンチャック51、このスピンチャ
ック51の上端部を囲みかつこのスピンチャック51に
吸着保持された基板Gを包囲して上端部が開口する有底
円筒形状の回転カップ52、回転カップ52の上端開口
にかぶせられる蓋体93、回転カップ52内には基板に
気体を供給する気体供給機構として例えば蓋体下方に設
けられた不活性ガス等(クリーンエアーでも可能であ
る)の気体を下方に、つまり基板G方向に向けて噴出す
るシャワーヘッド94、シャワーヘッド94に気体を供
給する配管105、配管105の途中に設けられた気体
の流量を制御するバルブ106、回転カップ52の外周
を取り囲むように固定配置され、レジスト塗布の際にレ
ジストの飛散を防止するためのコーターカップ53、お
よびコーターカップ53を取り囲むように配置された中
空リング状のドレンカップ54を備えている。そして、
後述するレジストの滴下時には、回転カップ52は蓋体
が開かれた状態とされ、回転機構102により基板Gが
スピンチャック51とともに低速で回転されると同時に
回転カップ52も回転され、レジストの拡散時には、回
転カップ52は図示しない蓋体がかぶせられた状態とさ
れ、図示しない回転機構により基板Gがスピンチャック
51とともに高速で回転されると同時に、回転カップ5
2も回転されるようになっている。さらに回転カップ5
2下方角部には円周上に複数の穴97が設けられ、回転
カップ52を回転させることにより回転カップ52内の
雰囲気に遠心力が働き、回転カップ52内の雰囲気を穴
97から回転カップ52外に排出することをにより、回
転カップ52内を減圧可能に構成されている。また、回
転カップ52内部とつながった駆動機構102の中に固
定部材103に減圧用の排気口104を設け、排気口1
04につないだ配管105を図示しない減圧ポンプにつ
なげることにより、回転カップ52内を減圧可能に構成
している。
【0044】また、レジスト塗布処理ユニット(CO
T)22は、基板Gにレジスト液および溶剤を供給する
ための噴頭56を先端に有するアーム55を有してい
る。アーム55は、軸55aを中心として回動可能とな
っており、レジスト塗布時には噴棟6がスピンチャック
51に吸着された基板Gの上方に位置し、基板G搬送時
等には、図示するように、ドレンカップ54のさらに外
側の待機位置に置かれる。噴頭56には、レジスト液を
吐出するレジストノズル57およびシンナー等の溶剤を
吐出する溶剤ノズル58が設けられている。レジストノ
ズル57は、レジスト供給管98を介してレジスト供給
部99に接続されており、溶剤ノズル58は、溶剤供給
管100を介して溶剤供給部101に接続されている。
T)22は、基板Gにレジスト液および溶剤を供給する
ための噴頭56を先端に有するアーム55を有してい
る。アーム55は、軸55aを中心として回動可能とな
っており、レジスト塗布時には噴棟6がスピンチャック
51に吸着された基板Gの上方に位置し、基板G搬送時
等には、図示するように、ドレンカップ54のさらに外
側の待機位置に置かれる。噴頭56には、レジスト液を
吐出するレジストノズル57およびシンナー等の溶剤を
吐出する溶剤ノズル58が設けられている。レジストノ
ズル57は、レジスト供給管98を介してレジスト供給
部99に接続されており、溶剤ノズル58は、溶剤供給
管100を介して溶剤供給部101に接続されている。
【0045】エッジリムーバー(ER)23には、載置
台61が設けられ、この載置台61に基板Gが載置され
ている。この基板Gの四辺には、それぞれ、基板Gの四
辺のエッジから余分なレジスト液を除去するための四個
のリムーバーヘッド62が設けられている。各リムーバ
ーヘッド62は、内部からシンナーを吐出するように断
面略U字状を有し、基板Gの四辺に沿って移動機構(図
示略)によって移動されるようになっている。これによ
り、各リムーバーヘッド62は、基板Gの各辺に沿って
移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺のエッ
ジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。
台61が設けられ、この載置台61に基板Gが載置され
ている。この基板Gの四辺には、それぞれ、基板Gの四
辺のエッジから余分なレジスト液を除去するための四個
のリムーバーヘッド62が設けられている。各リムーバ
ーヘッド62は、内部からシンナーを吐出するように断
面略U字状を有し、基板Gの四辺に沿って移動機構(図
示略)によって移動されるようになっている。これによ
り、各リムーバーヘッド62は、基板Gの各辺に沿って
移動してシンナーを吐出しながら、基板Gの四辺のエッ
ジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。
【0046】乾燥処理ユニット(DR)80は、図6に
示すように、筐体81の上方に、不活性ガス等の気体を
噴出するシャワーヘッド82(気体噴出手段)が設けら
れ、シャワーヘッド82の下側全面から不活性ガス等が
噴出されるようになっている。
示すように、筐体81の上方に、不活性ガス等の気体を
噴出するシャワーヘッド82(気体噴出手段)が設けら
れ、シャワーヘッド82の下側全面から不活性ガス等が
噴出されるようになっている。
【0047】筐体81の前後には基板搬入口84と基板
搬出口85が設けられており、その側壁には搬送アーム
41移動用の切り欠き部(図示せず)が設けられてい
て、搬送アーム41により搬入口84から搬入された基
板が筐体81内を移動され、搬出口85から搬出される
までの間に、基板Gには、シャワーヘッド82から噴出
された不活性ガス等が吹き付けられるようになってい
る。
搬出口85が設けられており、その側壁には搬送アーム
41移動用の切り欠き部(図示せず)が設けられてい
て、搬送アーム41により搬入口84から搬入された基
板が筐体81内を移動され、搬出口85から搬出される
までの間に、基板Gには、シャワーヘッド82から噴出
された不活性ガス等が吹き付けられるようになってい
る。
【0048】このように、基板Gが移動される間に基板
Gに不活性ガス等が吹き付けられることにより、基板G
に塗布されたレジスト液の乾燥が進行し、レジスト液中
のシンナー等の溶剤がある程度蒸発されるようになって
いる。
Gに不活性ガス等が吹き付けられることにより、基板G
に塗布されたレジスト液の乾燥が進行し、レジスト液中
のシンナー等の溶剤がある程度蒸発されるようになって
いる。
【0049】次に、図7を参照して、加熱処理ユニット
(HP)について説明する。図4は、加熱処理ユニット
(HP)の概略断面図である。この加熱処理ユニット
(HP)(28,29)は、図4に示すように、昇降自
在のカバー71を有し、このカバー71の下側には、基
板Gを加熱するための加熱プレート72がその面を水平
にして配置されいてる。この加熱プレート72には、ヒ
ーター(図示せず)が装着されており、所望の温度に設
定可能となっている。
(HP)について説明する。図4は、加熱処理ユニット
(HP)の概略断面図である。この加熱処理ユニット
(HP)(28,29)は、図4に示すように、昇降自
在のカバー71を有し、このカバー71の下側には、基
板Gを加熱するための加熱プレート72がその面を水平
にして配置されいてる。この加熱プレート72には、ヒ
ーター(図示せず)が装着されており、所望の温度に設
定可能となっている。
【0050】この加熱プレート72の表面には、複数の
固定ピン73が設けられており、この固定ピン73によ
って基板Gが保持されている。すなわち、プロキシミテ
ィ方式が採用されており、加熱プレート72と基板Gと
の直接の接触を避け、加熱プレート72からの放熱によ
って、基板Gを加熱処理するようになっている。これに
より、加熱プレート72からの基板Gの汚染が防止され
る。
固定ピン73が設けられており、この固定ピン73によ
って基板Gが保持されている。すなわち、プロキシミテ
ィ方式が採用されており、加熱プレート72と基板Gと
の直接の接触を避け、加熱プレート72からの放熱によ
って、基板Gを加熱処理するようになっている。これに
より、加熱プレート72からの基板Gの汚染が防止され
る。
【0051】また、加熱プレート72の複数の孔を通挿
して、複数のリフトピン75が昇降自在に設けられてい
る。これらリフトピン75の下部は、支持部材76によ
り支持されており、この支持部材76は、昇降機構77
により昇降されるように構成されている。これにより、
昇降機構77によって支持部材76が上昇されると、リ
フトピン75が上昇して、搬入された基板Gを受け取
り、次いで、リフトピン75が下降して基板Gを固定ピ
ン73上に載置すると共に、加熱処理終了後、リフトピ
ン75は再び上昇して基板Gを搬出位置まで持ち上げる
ようになっている。
して、複数のリフトピン75が昇降自在に設けられてい
る。これらリフトピン75の下部は、支持部材76によ
り支持されており、この支持部材76は、昇降機構77
により昇降されるように構成されている。これにより、
昇降機構77によって支持部材76が上昇されると、リ
フトピン75が上昇して、搬入された基板Gを受け取
り、次いで、リフトピン75が下降して基板Gを固定ピ
ン73上に載置すると共に、加熱処理終了後、リフトピ
ン75は再び上昇して基板Gを搬出位置まで持ち上げる
ようになっている。
【0052】次に、レジスト塗布から加熱処理までの一
連の動作について詳細に説明する。上述のように一体的
に構成されたレジスト塗布処理ユニット(COT)2
2、乾燥処理ユニット(DR)80およびエッジリムー
バー(ER)23においては、まず、レジスト塗布処理
ユニット(COT)22において、シャッター95を下
降下させ、搬入口22aから主搬送装置18により基板
Gがスピンチェック51上に載置される。主搬送装置1
8が搬入口22aから退出した後、シャッター95が上
昇し、レジスト塗布処理ユニット(COT)22、乾燥
処理ユニット(DR)80およびエッジリムーバー(E
R)23を配置するユニット部107内は閉じられた空
間となる。スピンチャック51および回転カップ52と
ともに基板Gが回転され、噴頭56が基板Gの中心上方
に位置するようにアーム55が回動され、溶剤ノズル5
8から基板Gの表面中心にシンナーが供給される。
連の動作について詳細に説明する。上述のように一体的
に構成されたレジスト塗布処理ユニット(COT)2
2、乾燥処理ユニット(DR)80およびエッジリムー
バー(ER)23においては、まず、レジスト塗布処理
ユニット(COT)22において、シャッター95を下
降下させ、搬入口22aから主搬送装置18により基板
Gがスピンチェック51上に載置される。主搬送装置1
8が搬入口22aから退出した後、シャッター95が上
昇し、レジスト塗布処理ユニット(COT)22、乾燥
処理ユニット(DR)80およびエッジリムーバー(E
R)23を配置するユニット部107内は閉じられた空
間となる。スピンチャック51および回転カップ52と
ともに基板Gが回転され、噴頭56が基板Gの中心上方
に位置するようにアーム55が回動され、溶剤ノズル5
8から基板Gの表面中心にシンナーが供給される。
【0053】続いて、基板Gを回転させた状態でレジス
トノズル57から基板Gの中心にレジストを滴下して基
板G全体に拡散させ、蓋体93で回転カップ52を閉塞
し、基板Gの回転数を上昇させてレジスト膜の膜厚を整
える。
トノズル57から基板Gの中心にレジストを滴下して基
板G全体に拡散させ、蓋体93で回転カップ52を閉塞
し、基板Gの回転数を上昇させてレジスト膜の膜厚を整
える。
【0054】その後、回転カップ52を回転させるか、
または排気口104から排気を引き、回転カップ52内
を常圧よりも低い圧力に維持しながら、レジスト膜の乾
燥を行う。(第一の乾燥工程)。
または排気口104から排気を引き、回転カップ52内
を常圧よりも低い圧力に維持しながら、レジスト膜の乾
燥を行う。(第一の乾燥工程)。
【0055】回転カップ52内を減圧してレジスト膜の
乾燥を行うことにより、次工程へ基板Gを搬送する搬送
アーム41にレジストが付着して乾燥してこれがパーテ
ィクルとなって基板G上に付着することもなく、搬送ア
ーム41の加減速によってレジスト膜厚が慣性力により
変動することもなく、転写に対しても効果的である。ま
た、回転カップ52内を減圧しているので、回転カップ
52内のミストが外にもれてパーティクルとなって基板
に付着することもない。また、第一の乾燥工程におい
て、転写が発生しない程度に加熱することも可能で、さ
らに、乾燥処理時間が短縮できる。
乾燥を行うことにより、次工程へ基板Gを搬送する搬送
アーム41にレジストが付着して乾燥してこれがパーテ
ィクルとなって基板G上に付着することもなく、搬送ア
ーム41の加減速によってレジスト膜厚が慣性力により
変動することもなく、転写に対しても効果的である。ま
た、回転カップ52内を減圧しているので、回転カップ
52内のミストが外にもれてパーティクルとなって基板
に付着することもない。また、第一の乾燥工程におい
て、転写が発生しない程度に加熱することも可能で、さ
らに、乾燥処理時間が短縮できる。
【0056】その後、回転カップ52内でシャワーヘッ
ド94から基板Gに気体である不活性ガスをレジスト膜
の膜厚が変化しない程度の量で供給しながらレジスト膜
を乾燥させると、さらに乾燥処理時間を短縮できる。
ド94から基板Gに気体である不活性ガスをレジスト膜
の膜厚が変化しない程度の量で供給しながらレジスト膜
を乾燥させると、さらに乾燥処理時間を短縮できる。
【0057】このようにしてレジスト塗布が終了した基
板Gは、スピンチャック51から搬送アーム41によ
り、乾燥処理ユニット(DR)80に搬送され、そこを
通過しながらシャワーヘッド82から不活性ガスが吹き
付けられてレジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度
蒸発され、その後エッジリムーバー(ER)23に搬送
され、載置台61上に載置されて、4個のリムーバーヘ
ッド62が基板Gの各辺に沿って移動し、吐出されたシ
ンナーにより基板Gの四辺のエッジに付着した余分なレ
ジストが除去(端面処理工程)される。エッジリムーバ
ー(ER)23から搬出された基板Gは、ユニット2
8,29のいずれかの加熱処理ユニット(HP)にてプ
リベーク処理が施される。
板Gは、スピンチャック51から搬送アーム41によ
り、乾燥処理ユニット(DR)80に搬送され、そこを
通過しながらシャワーヘッド82から不活性ガスが吹き
付けられてレジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度
蒸発され、その後エッジリムーバー(ER)23に搬送
され、載置台61上に載置されて、4個のリムーバーヘ
ッド62が基板Gの各辺に沿って移動し、吐出されたシ
ンナーにより基板Gの四辺のエッジに付着した余分なレ
ジストが除去(端面処理工程)される。エッジリムーバ
ー(ER)23から搬出された基板Gは、ユニット2
8,29のいずれかの加熱処理ユニット(HP)にてプ
リベーク処理が施される。
【0058】このように非加熱乾燥処理をした後に加熱
乾燥処理を行うので、完全にレジスト液中の溶剤を乾燥
させることができ、現像後に基板上に塗布されたレジス
ト液が現像液に溶け出し、溶け出した部分の膜厚が減少
することもなく、転写に対して効果的である。
乾燥処理を行うので、完全にレジスト液中の溶剤を乾燥
させることができ、現像後に基板上に塗布されたレジス
ト液が現像液に溶け出し、溶け出した部分の膜厚が減少
することもなく、転写に対して効果的である。
【0059】また、特にレジスト塗布処理ユニット(C
T)22、乾燥処理ユニット(DR)80およびエッジ
リムバー(ER)23で構成されたユニット部107の
雰囲気は温度、湿度が変化するとレジスト膜厚が変化
し、コンタミネーションが多いと乾燥しきれていないレ
ジスト膜に付着して、ダウンフローでも付着したコンタ
ミネーションを除去できず、ケミカル、例えばアンモニ
ア等の雰囲気濃度が高いとレジストと反応してレジスト
膜が劣化するので、ユニット部107の上部のファンフ
ィルターユニット90aとその他のファンフィルターユ
ニット90とをそれぞれ独立に設け、ユニット部107
の雰囲気は装置内の他の部分の雰囲気より厳密に管理す
る必要があり、ファンフィルターユニット90とファン
フィルター90aとは異なる雰囲気に制御可能であり、
ユニット部107の雰囲気はその他の部分の雰囲気より
厳密に管理される。したがって、レジスト膜厚が変化す
ることもなく、また基板G上にコンタミネーションが付
着することもなく、またレジスト膜が劣化することもな
く、転写に対しても効果的である。また、装置内の雰囲
気を全て厳密に管理維持するのと比べて装置の部品点数
も減少できるので装置を小型化することができ、また、
装置内の雰囲気を全て厳密に管理するのと比べて装置の
ランニングコストを低減することもできる。また、シャ
ッター95、96を設けるかわりにユニット部107内
の雰囲気を他の部分より陽圧雰囲気にすることによりユ
ニット部107外からユニット部107内に雰囲気が流
れ込まないようにしても同様の効果が得られる。この場
合駆動部を減少することができるので、さらにコンタミ
ネーションを減少させることができ、転写に対しても効
果的である。
T)22、乾燥処理ユニット(DR)80およびエッジ
リムバー(ER)23で構成されたユニット部107の
雰囲気は温度、湿度が変化するとレジスト膜厚が変化
し、コンタミネーションが多いと乾燥しきれていないレ
ジスト膜に付着して、ダウンフローでも付着したコンタ
ミネーションを除去できず、ケミカル、例えばアンモニ
ア等の雰囲気濃度が高いとレジストと反応してレジスト
膜が劣化するので、ユニット部107の上部のファンフ
ィルターユニット90aとその他のファンフィルターユ
ニット90とをそれぞれ独立に設け、ユニット部107
の雰囲気は装置内の他の部分の雰囲気より厳密に管理す
る必要があり、ファンフィルターユニット90とファン
フィルター90aとは異なる雰囲気に制御可能であり、
ユニット部107の雰囲気はその他の部分の雰囲気より
厳密に管理される。したがって、レジスト膜厚が変化す
ることもなく、また基板G上にコンタミネーションが付
着することもなく、またレジスト膜が劣化することもな
く、転写に対しても効果的である。また、装置内の雰囲
気を全て厳密に管理維持するのと比べて装置の部品点数
も減少できるので装置を小型化することができ、また、
装置内の雰囲気を全て厳密に管理するのと比べて装置の
ランニングコストを低減することもできる。また、シャ
ッター95、96を設けるかわりにユニット部107内
の雰囲気を他の部分より陽圧雰囲気にすることによりユ
ニット部107外からユニット部107内に雰囲気が流
れ込まないようにしても同様の効果が得られる。この場
合駆動部を減少することができるので、さらにコンタミ
ネーションを減少させることができ、転写に対しても効
果的である。
【0060】このように、基板Gを乾燥処理ユニット
(DR)80により実質的に非加熱状態で乾燥すること
により、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジス
トに悪影響を与えることなくことなくレジストの乾燥を
促進させることができ、しかも後工程である加熱処理工
程において急激な乾燥が生じることを防止することがで
きるので、基板G上に転写が生じることを有効に防止す
ることができる。
(DR)80により実質的に非加熱状態で乾燥すること
により、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジス
トに悪影響を与えることなくことなくレジストの乾燥を
促進させることができ、しかも後工程である加熱処理工
程において急激な乾燥が生じることを防止することがで
きるので、基板G上に転写が生じることを有効に防止す
ることができる。
【0061】また、このように、不活性ガス等の吹き付
けにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度
蒸発されているため、この乾燥工程の後に、エッジリム
ーバー(ER)23により基板Gの端面処理を行う際に
は、余分なレジスト液の除去を容易に行ことができる。
また、レジストが流れない程度に乾燥しているので、レ
ジストを除去した部分に基板に塗布した乾燥しきれてい
ないレジストが流れてくることもない。
けにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度
蒸発されているため、この乾燥工程の後に、エッジリム
ーバー(ER)23により基板Gの端面処理を行う際に
は、余分なレジスト液の除去を容易に行ことができる。
また、レジストが流れない程度に乾燥しているので、レ
ジストを除去した部分に基板に塗布した乾燥しきれてい
ないレジストが流れてくることもない。
【0062】なお、上記乾燥処理ユニット(DR)80
において、基板Gへの不活性ガス等の吹き付けは、基板
Gが移動している間に行わなくてもよく、基板Gを静止
しながら不活性ガス等を吹き付けてもよい。また、シャ
ワーヘッド82からの不活性ガス等の噴出は、下側全面
ではなく、横一列に不活性ガス等を噴出するように構成
してもよい。
において、基板Gへの不活性ガス等の吹き付けは、基板
Gが移動している間に行わなくてもよく、基板Gを静止
しながら不活性ガス等を吹き付けてもよい。また、シャ
ワーヘッド82からの不活性ガス等の噴出は、下側全面
ではなく、横一列に不活性ガス等を噴出するように構成
してもよい。
【0063】さらに、図6に示した不活性ガス等の吹き
付けによる乾燥に代えて、前記第一の乾燥工程を行った
後で、第二の乾燥工程である減圧乾燥を行ってもよい。
すなわち、筐体81に、排気ポンプ(減圧手段、図示
略)を有するガス排気管(図示略)を接続し、筐体81
を密閉して筐体81内を排気ポンプにより排気するよう
に構成されていてもよい。
付けによる乾燥に代えて、前記第一の乾燥工程を行った
後で、第二の乾燥工程である減圧乾燥を行ってもよい。
すなわち、筐体81に、排気ポンプ(減圧手段、図示
略)を有するガス排気管(図示略)を接続し、筐体81
を密閉して筐体81内を排気ポンプにより排気するよう
に構成されていてもよい。
【0064】第二の乾燥工程の雰囲気は、第一の乾燥工
程の雰囲気より低圧力に設定されるのが好ましい。第一
の乾燥工程にてレジスト膜中の微小泡が成長しない程度
に常圧から減圧して乾燥させ、前記微小泡が成長しない
程度に乾燥した後に、第一の乾燥工程の雰囲気より低圧
力に設定された第二の乾燥工程の雰囲気で乾燥させるこ
とにより、微小泡が成長して膜厚が変化することがな
く、転写に対しても効果的である。また、第一と第二の
乾燥工程に分けることにより並列処理が行え、効率よく
乾燥処理を行うことができる。
程の雰囲気より低圧力に設定されるのが好ましい。第一
の乾燥工程にてレジスト膜中の微小泡が成長しない程度
に常圧から減圧して乾燥させ、前記微小泡が成長しない
程度に乾燥した後に、第一の乾燥工程の雰囲気より低圧
力に設定された第二の乾燥工程の雰囲気で乾燥させるこ
とにより、微小泡が成長して膜厚が変化することがな
く、転写に対しても効果的である。また、第一と第二の
乾燥工程に分けることにより並列処理が行え、効率よく
乾燥処理を行うことができる。
【0065】また、第二の乾燥工程の後、加熱乾燥処理
を行うので、完全にレジスト液中の溶剤を乾燥させるこ
とができ、現像後に基板上に塗布されたレジスト液が現
像液に溶け出し、溶け出した部分の膜厚が減少すること
もなく、転写に対して効果的である。
を行うので、完全にレジスト液中の溶剤を乾燥させるこ
とができ、現像後に基板上に塗布されたレジスト液が現
像液に溶け出し、溶け出した部分の膜厚が減少すること
もなく、転写に対して効果的である。
【0066】この場合にも、減圧されることにより、レ
ジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レ
ジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響
を与えることなくレジストの乾燥を促進させることがで
き、基板G上に転写が生じることを有効に防止すること
ができる。
ジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レ
ジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響
を与えることなくレジストの乾燥を促進させることがで
き、基板G上に転写が生じることを有効に防止すること
ができる。
【0067】また、ユニット内外の雰囲気を遮断する開
閉機構としてシャッターを上下に移動させていたが、こ
のような垂直動でなく、水平方向に移動(水平動)させ
てもよく、またある軸を中心にして回転移動(回転動)
させてもよいことはいうまでもない。この場合水平動さ
せることにより、垂直動より小さい駆動力でシャッター
を開閉でき、また、回転動させることにより、シャッタ
ーを開くときにユニット外から流れ込む雰囲気をシャッ
ターに当てて、流れ込む雰囲気の方向を変え、ユニット
内の基板載置部に直接ユニット外から雰囲気が流れ込む
のを防止でき、パーティクルあるいはケミカル等の付着
を防止できる。
閉機構としてシャッターを上下に移動させていたが、こ
のような垂直動でなく、水平方向に移動(水平動)させ
てもよく、またある軸を中心にして回転移動(回転動)
させてもよいことはいうまでもない。この場合水平動さ
せることにより、垂直動より小さい駆動力でシャッター
を開閉でき、また、回転動させることにより、シャッタ
ーを開くときにユニット外から流れ込む雰囲気をシャッ
ターに当てて、流れ込む雰囲気の方向を変え、ユニット
内の基板載置部に直接ユニット外から雰囲気が流れ込む
のを防止でき、パーティクルあるいはケミカル等の付着
を防止できる。
【0068】また、基板に気体を供給する気体供給機構
としてシャワーヘッドをレジスト塗布処理ユニット(C
OT)の蓋体下方に設けていたが、図示しない移動アー
ムにシャワーヘッドを取り付け、気体の噴射時に基板G
上に配置してもよいことはいうまでもない。この場合、
回転カップ52内の容積が小さくでき、回転カップ52
内をさらに短時間で常圧よりも低い圧力に設定可能とな
り、スループットの向上または装置の小型化を図ること
が可能となる。
としてシャワーヘッドをレジスト塗布処理ユニット(C
OT)の蓋体下方に設けていたが、図示しない移動アー
ムにシャワーヘッドを取り付け、気体の噴射時に基板G
上に配置してもよいことはいうまでもない。この場合、
回転カップ52内の容積が小さくでき、回転カップ52
内をさらに短時間で常圧よりも低い圧力に設定可能とな
り、スループットの向上または装置の小型化を図ること
が可能となる。
【0069】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、LCD基板用の塗布・現像処理システムについて
説明したが、LCD基板用のカラーフィルターの塗布・
現像処理システムや、LCD基板用の以外の他の被処理
基板、例えば半導体ウエハ用の塗布・現像処理システム
にも本発明を適用できる。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、LCD基板用の塗布・現像処理システムについて
説明したが、LCD基板用のカラーフィルターの塗布・
現像処理システムや、LCD基板用の以外の他の被処理
基板、例えば半導体ウエハ用の塗布・現像処理システム
にも本発明を適用できる。
【0070】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれば、
基板表面に塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥す
る第一の乾燥を行い、前記基板を第一の減圧雰囲気より
低圧力に設定された第二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥
処理する第二の乾燥を行うことにより、膜の内部に存在
する微小な気泡が成長しない程度の第一の減圧雰囲気下
で乾燥した後に、第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下でさらに乾燥処理することによ
り、膜の内部に存在する微小な気泡の成長を抑制しなが
ら乾燥することができ、基板上に転写が生じることを有
効に防止することができる。
基板表面に塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥す
る第一の乾燥を行い、前記基板を第一の減圧雰囲気より
低圧力に設定された第二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥
処理する第二の乾燥を行うことにより、膜の内部に存在
する微小な気泡が成長しない程度の第一の減圧雰囲気下
で乾燥した後に、第一の減圧雰囲気より低圧力に設定さ
れた第二の減圧雰囲気下でさらに乾燥処理することによ
り、膜の内部に存在する微小な気泡の成長を抑制しなが
ら乾燥することができ、基板上に転写が生じることを有
効に防止することができる。
【0071】この非加熱状態での乾燥として、レジスト
液が塗布された基板に気体を供給しながら乾燥すること
により、または、レジスト液が塗布された基板を減圧状
態で乾燥することにより、非加熱状態での乾燥を簡易な
手段により実現することができる。
液が塗布された基板に気体を供給しながら乾燥すること
により、または、レジスト液が塗布された基板を減圧状
態で乾燥することにより、非加熱状態での乾燥を簡易な
手段により実現することができる。
【0072】さらに、非加熱状態での乾燥の後に、基板
の端面に付着したレジストの除去を行えば、レジスト液
の乾燥が進行しているため、余分なレジスト液の除去を
容易に行ことができる。
の端面に付着したレジストの除去を行えば、レジスト液
の乾燥が進行しているため、余分なレジスト液の除去を
容易に行ことができる。
【図1】本発明が適用されるLCD基板の塗布・現像処
理システムを示す平面図。
理システムを示す平面図。
【図2】図1のLCD基板の塗布・現像処理システムの
概略断面図。
概略断面図。
【図3】一体的に設けられたレジスト塗布処理ユニット
(CT)、乾燥処理ユニット(DR)およびエッジリム
ーバー(ER)の全体構成を示す概略平面図。
(CT)、乾燥処理ユニット(DR)およびエッジリム
ーバー(ER)の全体構成を示す概略平面図。
【図4】レジスト塗布処理ユニット(CT)および乾燥
処理ユニット(DR)の基板搬入出口およびシャッター
の構成を示す概略斜視図。
処理ユニット(DR)の基板搬入出口およびシャッター
の構成を示す概略斜視図。
【図5】レジスト塗布処理ユニット(CT)を示す概略
断面図。
断面図。
【図6】乾燥処理ユニットを示す概略断面図。
【図7】加熱処理ユニット(HP)を示す概略断面図。
17,18,19:主搬送装置(ユニット部外搬送機
構) 22;レジスト塗布処理ユニット(塗布処理部) 23;エッジリムーバー(除去処理部) HP(28,29);加熱処理ユニット(加熱処理部) 41;搬送アーム(ユニット内搬送機構) 72;加熱プレート 74;スペーサ(固定ピン) 75;リフトピン 80;乾燥処理ユニット(減圧処理部) 82;シャワーヘッド(気体供給機構) 90,90a;ファンフィルターユニット(雰囲気制御
機構) 94:シャワーヘッド(気体供給機構) 107;ユニット部 G;LCD基板
構) 22;レジスト塗布処理ユニット(塗布処理部) 23;エッジリムーバー(除去処理部) HP(28,29);加熱処理ユニット(加熱処理部) 41;搬送アーム(ユニット内搬送機構) 72;加熱プレート 74;スペーサ(固定ピン) 75;リフトピン 80;乾燥処理ユニット(減圧処理部) 82;シャワーヘッド(気体供給機構) 90,90a;ファンフィルターユニット(雰囲気制御
機構) 94:シャワーヘッド(気体供給機構) 107;ユニット部 G;LCD基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 溝崎 健吾
熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成
272番地の4東京エレクトロン九州株式
会社 大津事業所内
(72)発明者 穴井 徳行
熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成
272番地の4東京エレクトロン九州株式
会社 大津事業所内
(56)参考文献 特開2000−12427(JP,A)
特開 昭62−22431(JP,A)
特開 平11−145246(JP,A)
特開 平9−167750(JP,A)
特開 平9−153537(JP,A)
特開 平8−281184(JP,A)
特開 平8−141476(JP,A)
特開 平8−46010(JP,A)
特開 平7−283108(JP,A)
特開 平7−147220(JP,A)
特開 平5−309301(JP,A)
特開 平4−357823(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/027
G03F 7/30
G03F 7/38
G03F 7/40
Claims (13)
- 【請求項1】 基板表面に所定の膜を形成する基板処理
方法であって、 基板表面に塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥す
る第一の乾燥工程と、 前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定された第
二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥処理する第二の乾燥工
程とを具備することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項2】 さらに前記第二の乾燥工程の後、基板を
加熱乾燥処理することを特徴とする請求項1に記載の基
板処理方法。 - 【請求項3】 前記第二の乾燥工程は、レジスト液が塗
布された基板に気体を供給しながら乾燥することを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の基板処理方法。 - 【請求項4】 前記第二の乾燥工程後、前記加熱乾燥処
理に先立って基板の端面に付着したレジストまたは所定
の膜を除去する端面処理工程をさらに具備していること
を特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。 - 【請求項5】 前記端面処理工程から加熱乾燥処理を行
う間の基板の搬送雰囲気と、基板に塗布液を塗布した後
端面処理工程までの間の基板の搬送雰囲気とは異なる雰
囲気であることを特徴とする請求項4に記載の基板処理
方法。 - 【請求項6】 前記基板に塗布液を塗布した後端面処理
工程までの間の基板の搬送雰囲気は、温度、湿度、コン
タミネーション、ケミカルの内少なくとも1つの制御が
なされていることを特徴とする請求項5に記載の基板処
理方法。 - 【請求項7】 前記端面処理工程から加熱乾燥処理を行
う間の基板の搬送機構と、基板に塗布液を塗布した後端
面処理工程までの間の基板の搬送機構とは異なる機構で
あることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の
基板処理方法。 - 【請求項8】 基板表面に所定の膜を形成する基板処理
装置であって、 基板表面に塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥す
る塗布処理部と、 前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧力に設定された第
二の減圧雰囲気下で非加熱で乾燥処理する減圧処理部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項9】 基板表面に所定の膜を形成する基板処理
装置であって、 基板表面に塗布液を塗布し第一の減圧雰囲気下で乾燥す
る塗布処理部と、前記基板を第一の減圧雰囲気より低圧
力に設定された第二の減圧雰囲気下で乾燥処理する減圧
処理部と、前記基板の周縁部の所定の膜を除去する除去
処理部とで構成されるユニット部と、 このユニット部に配置され、除去処理部と減圧処理部と
の間および塗布処理部と減圧処理部との間で基板を搬送
するユニット内搬送機構と、 前記ユニット部内の雰囲気を制御する雰囲気制御機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項10】 基板表面に所定の膜を形成する基板処
理装置であって、基板表面に塗布液を塗布し第一の減圧
雰囲気下で乾燥する塗布処理部と、前記基板を第一の減
圧雰囲気より低圧力に設定された第二の減圧雰囲気下で
乾燥処理する減圧処理部と、前記基板の周縁部の所定の
膜を除去する除去処理部とで構成されるユニット部と、 このユニット部外に配置され前記基板を加熱して処理す
る複数の加熱処理部と、 前記ユニット部に配置され、
除去処理部と減圧処理部との間および塗布処理部と減圧
処理部との間で基板を搬送するユニット内搬送機構と、 前記ユニット部外に配置され、前記複数の加熱処理部の
中に一つの加熱処理部と除去処理部との間で基板の搬送
を行うユニット部外搬送機構とを具備することを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項11】 前記ユニット内とユニット外とにそれ
ぞれ独立に設けられ、それぞれの雰囲気を制御する雰囲
気制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項1
0に記載の基板処理装置。 - 【請求項12】 前記ユニット内とユニット外とは異な
る雰囲気に設定されることを特徴とする請求項10また
は請求項11に記載の基板処理装置。 - 【請求項13】 前記塗布処理部と前記減圧処理部の少
なくとも一方には基板に気体を供給する気体供給機構を
具備していることを特徴とする請求項8ないし請求項1
2のいずれか1項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7921699A JP3456919B2 (ja) | 1998-07-29 | 1999-03-24 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-228644 | 1998-07-29 | ||
JP22864498 | 1998-07-29 | ||
JP7921699A JP3456919B2 (ja) | 1998-07-29 | 1999-03-24 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000106341A JP2000106341A (ja) | 2000-04-11 |
JP3456919B2 true JP3456919B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=26420263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7921699A Expired - Fee Related JP3456919B2 (ja) | 1998-07-29 | 1999-03-24 | 基板処理方法および基板処理装置 |
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---|---|
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JP4619562B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2011-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP5132856B2 (ja) * | 2001-04-24 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2002329661A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法 |
JP4280159B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2009-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2005142590A (ja) * | 2005-01-28 | 2005-06-02 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
JP4604885B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2011-01-05 | 凸版印刷株式会社 | ガラス基板の加熱方法 |
JP2008053738A (ja) * | 2007-09-04 | 2008-03-06 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
JP4542577B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4643630B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
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