JP4277216B2 - 撮像装置及び撮像結果の処理方法 - Google Patents

撮像装置及び撮像結果の処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4277216B2
JP4277216B2 JP2005006178A JP2005006178A JP4277216B2 JP 4277216 B2 JP4277216 B2 JP 4277216B2 JP 2005006178 A JP2005006178 A JP 2005006178A JP 2005006178 A JP2005006178 A JP 2005006178A JP 4277216 B2 JP4277216 B2 JP 4277216B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging
block
result
motion
exposure time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005006178A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006197192A (ja
Inventor
誠司 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2005006178A priority Critical patent/JP4277216B2/ja
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to PCT/JP2005/022603 priority patent/WO2006075463A1/ja
Priority to KR1020137026191A priority patent/KR101362604B1/ko
Priority to MX2007008426A priority patent/MX2007008426A/es
Priority to RU2007126682/09A priority patent/RU2343644C1/ru
Priority to BRPI0519834-8A priority patent/BRPI0519834A2/pt
Priority to KR1020127031162A priority patent/KR20120137443A/ko
Priority to AU2005324643A priority patent/AU2005324643B2/en
Priority to CNA2005800465648A priority patent/CN101099381A/zh
Priority to US11/794,996 priority patent/US8345108B2/en
Priority to EP05814419.7A priority patent/EP1838088B1/en
Priority to CA002593719A priority patent/CA2593719A1/en
Priority to KR1020077015722A priority patent/KR20070102678A/ko
Publication of JP2006197192A publication Critical patent/JP2006197192A/ja
Publication of JP4277216B2 publication Critical patent/JP4277216B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US13/690,999 priority patent/US8687069B2/en
Priority to US14/159,616 priority patent/US9185304B2/en
Priority to US14/750,088 priority patent/US20150296113A1/en
Priority to US15/047,467 priority patent/US9729764B2/en
Priority to US15/590,909 priority patent/US10057515B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H04N23/68—Control of cameras or camera modules for stable pick-up of the scene, e.g. compensating for camera body vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H04N23/68—Control of cameras or camera modules for stable pick-up of the scene, e.g. compensating for camera body vibrations
    • H04N23/681—Motion detection
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H04N23/68—Control of cameras or camera modules for stable pick-up of the scene, e.g. compensating for camera body vibrations
    • H04N23/681—Motion detection
    • H04N23/6811—Motion detection based on the image signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/71—Circuitry for evaluating the brightness variation
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/72—Combination of two or more compensation controls
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/73—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/51—Control of the gain
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
    • H04N5/144—Movement detection
    • H04N5/145—Movement estimation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Image Signal Circuits (AREA)

Description

本発明は、撮像装置及び撮像結果の処理方法に関し、例えばＣＭＯＳ固体撮像素子による撮像装置に適用することができる。本発明は、１つの画面を複数のブロックに分割し、各ブロック毎に動き検出してそれぞれ露光時間を制御することにより、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができるようにする。
従来、撮像装置は、いわゆる電子シャッターにより撮像素子の電荷蓄積時間を制御することにより露光時間を制御し、これにより動きの速い被写体を撮影する場合でも、ぶれの無い撮像結果を取得できるように構成されている。このような電子シャッターによる制御に関して、例えば特開平６−１６５０４７号公報、特開平６−２６１２５６号公報には、システムコントローラにより被写体の動きを検出し、この動き検出結果により露光時間を制御し、併せてＡＧＣ（Auto Gain Control ）の利得制御、ＡＬＣ（Auto Light Control）による制御を実行する方法が提案されている。
しかしながら従来の電子シャッターによる露光時間の制御は、１つの画面を構成する全画素で同一に露光時間を可変することにより、画面の一部の動きにより露光時間を可変する場合に、背景等の静止している部分についても、露光時間が短くなるように制御される。これによりこのような場合には、このような静止した部分についてＳ／Ｎ比が劣化し、その分画質が劣化する問題があった。
またこれとは逆に、小さな物体については動きを検出できない場合があり、この場合には、適切に露光時間を制御することが困難なことにより、この小さな物体がぶれて撮像され、これによりこの場合も、画質が劣化する問題がある。
特開平６−１６５０４７号公報 特開平６−２６１２５６号公報
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる撮像装置及び撮像結果の処理方法を提案しようとするものである。
かかる課題を解決するため請求項１の発明においては、撮像装置に適用して、画素をマトリックス状に配置して撮像面が形成され、前記撮像面に形成された光学像の撮像結果を出力する撮像手段と、前記撮像面を水平方向及び又は垂直方向に分割した各ブロック毎に、前記撮像結果における動き量を検出する動き検出手段と、前記動き検出手段による検出結果に基づいて、動きが大きいブロック程、露光時間が短くなるように、前記ブロック毎に前記撮像手段の露光時間を制御する制御手段と、前記各ブロック毎に、前記露光時間の制御により変化する前記撮像結果の信号レベルを補正して出力する信号レベル補正手段とを備えるようにする。
また請求項７の発明においては、撮像結果の処理方法に適用して、撮像手段の撮像面を水平方向及び又は垂直方向に分割した各ブロック毎に、前記撮像手段の撮像結果における動き量を検出する動き検出のステップと、前記動き検出のステップによる検出結果に基づいて、前記ブロック毎に前記撮像手段の露光時間を制御する制御のステップと、前記各ブロック毎に、前記露光時間の制御により変化する前記撮像結果の信号レベルを補正して出力する信号レベル補正のステップとを有するようにする。
請求項１の構成により、撮像装置に適用して、画素をマトリックス状に配置して撮像面が形成され、前記撮像面に形成された光学像の撮像結果を出力する撮像手段と、前記撮像面を水平方向及び又は垂直方向に分割した各ブロック毎に、前記撮像結果における動き量を検出する動き検出手段と、前記動き検出手段による検出結果に基づいて、動きが大きいブロック程、露光時間が短くなるように、前記ブロック毎に前記撮像手段の露光時間を制御する制御手段を備えるようにすれば、各ブロック毎に、動きに応じて露光時間を制御することができ、これにより静止した背景については、露光時間を長くしてＳ／Ｎ比の劣化を防止しつつ、動きのある部分については、露光時間を短くしてボケを防止することができる。またブロック毎に動きを検出することにより、小さな物体についても動きを検出することができ、このような小さな物体のついてもボケを防止することができ、これらにより電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる。またさらに前記各ブロック毎に、前記露光時間の制御により変化する前記撮像結果の信号レベルを補正して出力する信号レベル補正手段とを備えることにより、このようにブロック毎に露光時間を制御して変化するブロック間の信号レベルの変化を防止することができる。
これにより請求項７の構成によれば、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる撮像結果の処理方法を提供することができる。
本発明によれば、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる。
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。
（１）実施例の構成
図２は、本発明の実施例１に係る撮像装置に適用される集積回路を示すブロック図である。この実施例に係る撮像装置は、図示しないレンズを用いたコントローラによる自動絞り制御、自動フォーカス制御によりこの集積回路１の撮像面に所望の光学像を形成し、この光学像の撮像結果を出力する。
ここでこの集積回路１は、撮像素子による集積回路であり、センサチップ２とロジックチップ３との積層体をパッケージングして形成される。
ここでセンサチップ２は、ＸＹアドレス方式により撮像結果を出力する撮像素子の半導体チップであり、この実施例ではこの撮像素子にＣＭＯＳ固体撮像素子が適用される。センサチップ２は、撮像部４、この撮像部４の動作を制御する制御部５により形成される。
ここで撮像部４は、マトリックス状に画素を配置して撮像面が形成され、この撮像面に形成された光学像の撮像結果を出力する。撮像部４は、このマトリックス状に配置された画素が水平方向及び垂直方向に等分割され、これにより撮像面が複数の画素ブロック６に分割されて形成される。各画素ブロック６は、各画素ブロック６に属する画素に係る周辺回路がそれぞれ設けられ、それぞれ撮像結果を出力するように形成され、これによりこのセンサチップ２は、これら複数の画素ブロック６による撮像結果を同時並列的に出力する。
センサチップ２は、図３に一部断面を示すように、１０〜２０〔μｍ〕程度の厚さのシリコン（Ｓｉ）層により素子層１２が形成され、この素子層１２に受光素子１３が形成される。またこの受光素子１３に係る部位の上層に、順次、シリコン酸化（ＳｉＯ2）膜１４、遮光膜１５、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）１６、色フィルタ１７、マイクロレンズ１８が積層され、これにより画素１９が形成される。またこの素子層１２の下層に、各画素ブロック６の周辺回路、制御部５、これらを配線する配線層２０が形成され、この配線層２０の下層側に、全体を保持する基板支持材２１が設けられる。これによりセンサチップ２は、撮像面とは逆側に配線層２０が配置されて、周辺回路、制御部５等が設けられ、これらにより各画素ブロック６にそれぞれ周辺回路等を設ける場合であっても開口率の低下を有効に回避することができるように構成される。また配線層２０を撮像面側に設ける場合の種々の制約を解消して配線の自由度を格段に向上することができるように形成される。
なおセンサチップ２は、このように撮像面とは逆側に配線層２０が形成されることにより、厚さの薄い半導体基板を配線層２０側より処理して受光素子１３、周辺回路の回路素子を形成した後、この半導体基板に配線層２０、基板支持材２１を順次形成し、その後、この半導体基板を裏返してＣＭＰにより研磨して素子層１２が完成し、遮光膜１５、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）１６、色フィルタ１７、マイクロレンズ１８を順次形成して作成される。
センサチップ２は、図４に示すように、この基板支持材２１にロジックチップ３が割り当てられ、配線層２０側に形成された微細突起状電極３１と、ロジックチップ３に形成された微細突起状電極３２とによりロジックチップ３に電気的に接続されて保持される。上記微細突起状電極は以下マイクロバンプと称する。
ここでロジックチップ３は、センサチップ２による撮像結果を処理する信号処理回路による集積回路であり、この実施例では、この信号処理回路がセンサチップ２に設けられた撮像部４の露光時間を制御するパルス生成部４１と、このパルス生成部４１に各種のタイミング信号を出力する制御部４２とにより構成される。
ここでパルス生成部４１は、センサチップ２の各画素ブロック６に対応してパルス生成ブロック４３がそれぞれ設けられ、各パルス生成ブロック４３がそれぞれマイクロバンプ３１、３２により対応する画素ブロック６に接続されて、対応する画素ブロック６の露光時間をそれぞれ制御する。これによりこの集積回路１は、複数の画素ブロック６による撮像結果を同時並列的に出力するように形成されて、各画素ブロック６の露光時間を各パルス生成ブロック４３によりそれぞれ個別に制御できるように形成される。
図１は、この画素ブロック６とパルス生成ブロック４３とを示すブロック図である。ここで画素ブロック６は、水平方向に連続する画素１９Ａ、１９Ｂがそれぞれ共通のゲート線によりリセット制御回路５２に接続され、また垂直方向に連続する画素１９Ａ、１９Ｂがそれぞれ共通の信号線により接続されて水平駆動制御回路５３に接続される。各画素１９Ａ、１９Ｂは、入射光を光電変換処理して蓄積電荷を蓄積し、リセット制御回路５２から出力されるリセットパルスＲＳＴ１、ＲＳＴ２により蓄積電荷を放電させ、リセット制御回路５２から出力される読み出しパルスＲＯＵＴ１、ＲＯＵＴ２により蓄積電荷を電圧に変換して信号線に出力する。これらにより画素ブロック６は、リセット制御回路５２の制御により、電荷蓄積時間を可変して露光時間が変化し、ライン単位で撮像結果を水平駆動制御回路５３に出力する。
リセット制御回路５２は、図５（Ａ）及び図６（Ａ）に示すように、制御部５から出力される垂直同期信号ＶＤにより動作をリセットした後、パルス生成ブロック４３から出力されるシャッタパルスＳＨＴ（図５（Ｂ）及び図６（Ｂ））の立ち上がりのタイミングによりリセットパルスＲＳＴ１を立ち上げ（図５（Ｃ１）及び図６（Ｃ１））、シャッタパルスＳＨＴの立ち下がりのタイミングにより読み出しパルスＲＯＵＴ１を立ち上げる（図５（Ｄ１）及び図６（Ｄ１））。
リセット制御回路５２は、このシャッタパルスＳＨＴを基準にしたリセットパルスＲＳＴ１及び読み出しパルスＲＯＵＴ１を、先頭ラインの画素１９Ａに出力する。また画素ブロック６を形成するライン数に応じた遅延時間Δｔだけ、このリセットパルスＲＳＴ１及び読み出しパルスＲＯＵＴ１を順次遅延させて残りの各ラインの画素１９Ｂ、……に係るリセットパルスＲＳＴ２、……、ＲＳＴｎ及び読み出しパルスＲＯＵＴ２、……、ＲＯＵＴｎを順次生成し（図５（Ｃ２）、（Ｄ２）及び図６（Ｃ２）、（Ｄ２）、（Ｃｎ）、（Ｄｎ））、これらリセットパルスＲＳＴ２及び読み出しパルスＲＯＵＴ２、……を各ラインの画素１９Ｂ、……に出力する。
これによりリセット制御回路５２は、シャッタパルスＳＨＴが立ち上がった後、立ち下がるまでの期間Ｔ１、Ｔ２が画素１９Ａ、１９Ｂの露光時間となるように設定して、各画素１９Ａ、１９Ｂに蓄積された蓄積電荷（図５（Ｅ１）及び（Ｅ２））を露光時間の終了のタイミングで撮像結果としてライン単位で信号線に出力するように画素１９Ａ、１９Ｂの動作を制御する（図５（Ｆ１）及び（Ｆ２））。
またリセット制御回路５２は、シャッタパルスＳＨＴによる露光時間に応じて、増幅回路５４の利得制御信号Ｇを出力し、これによりシャッタパルスＳＨＴによる露光時間の制御により変化する撮像結果の信号レベルを補正する。
これにより各信号線には、垂直方向に連続する各画素１９Ａ、１９Ｂ、……の撮像結果が時分割により順次出力されることになる（図６（Ｅ））。水平駆動制御回路５３は、このようにしてライン単位により各画素１９Ａ、１９Ｂから信号線に出力される撮像結果を時分割多重化して出力する（図６（Ｆ））。
増幅回路５４は、リセット制御回路５２から出力される利得制御信号Ｇにより利得を可変し、水平駆動制御回路５３から出力される撮像結果を増幅して出力する。これによりこの集積回路１は、露光時間の制御により変化する撮像結果の信号レベルを補正して出力する。
アナログディジタル変換回路（ＡＤＣ）５５は、この増幅回路５４の出力信号をアナログディジタル変換処理し、その処理結果による画像データＯＵＴをロジックチップ３の対応するパルス生成ブロック４３に出力する。これらによりこの実施例では、リセット制御回路５２、水平駆動制御回路５３、増幅回路５４、アナログディジタル変換回路５５により、各画素ブロック６に属する画素１９Ａ及び１９Ｂの周辺回路が形成される。
これらによりこの集積回路１は、ラスタ走査の順序により各画素１９Ａ、１９Ｂによる撮像結果ＯＵＴを各画素ブロック６から出力するようにして、各画素ブロック６より同時並列的に撮像結果ＯＵＴを出力し、対応するパルス生成ブロック４３の制御により各画素ブロック６でそれぞれ電子シャッターによる露光時間を個別に可変すると共に、この露光時間の速度の可変による撮像結果ＯＵＴにおける信号レベルの変化を各画素ブロック６でそれぞれ個別に補正するように構成される。
パルス生成ブロック４３は、動き量検出回路６１により、対応する画素ブロック６から出力される撮像結果の動き量を検出し、この動き量検出結果に応じてシャッタパルスＳＨＴを可変して出力する。
すなわちこの動き検出回路６１において、平均値化回路６２は、対応する画素ブロック６から出力される撮像結果をフレーム単位で平均値化する。すなわち平均値化回路６２は、加算回路６３と遅延回路６４とにより対応する画素ブロック６から出力される撮像結果を累積加算し、加算回路６３の出力段に設けられたスイッチ回路６５の制御により、フレーム毎にフレーム差分計算回路６６にこの加算結果を出力して加算値を初期化する。これにより動き検出回路６１は、撮像結果をフレーム単位で累積加算して各画素ブロック６による撮像結果の平均値を計算する。
フレーム差分計算回路６６は、この平均値化回路６２の出力値を遅延回路（１Ｖ遅延）６７により１フレームの期間だけ遅延させる。またフレーム差分計算回路６６は、減算回路６８により、平均値化回路６２の出力値から遅延回路６７の出力値を減算し、これによりフレーム間差分値ΔＳを計算する。これらにより動き量検出回路６１は、フレーム間差分値ΔＳにより近似的に動き量を計算する。
シャッタパルス生成回路６９は、このようにして得られる動き量検出回路６１による動き量検出結果に応じてシャッタパルスＳＨＴを生成する。すなわちシャッタパルス生成回路６９は、動き量検出回路６１から出力されるフレーム間差分値ΔＳが増大すると、その分、シャッタパルスＳＨＴが立ち上がっている期間が短くなるように、シャッタパルスＳＨＴを生成する。これにより動きが大きくなると、その分、露光時間が短くなるようにシャッタパルスＳＨＴを生成する。
この処理においてシャッタパルス生成回路６９は、動き量検出回路６１から出力されるフレーム間差分値ΔＳが増大すると、その分、シャッタパルスＳＨＴの立ち上がりのタイミングを遅延させ、またこの立ち上がりのタイミングを遅延させた分、シャッタパルスＳＨＴの立ち下がりのタイミングを早くする。これによりシャッタパルス生成回路６９は、シャッター速度を可変した場合でも、各画素ブロック６における露光時間の中央のタイミングにあっては、変化しないように設定し、これにより画素ブロック６間でシャッタパルスＳＨＴの位相が大きく変化しないようにする。なおこれによりシャッタパルスＳＨＴの立ち上がりから次の立ち上がりまでの時間は、最短で、垂直同期期間の半分になる。従ってリセット制御回路５２は、このシャッタパルスＳＨＴによりリセットパルスＲＳＴ１及び読み出しパルスＲＯＵＴ１を生成し、このリセットパルスＲＳＴ１及び読み出しパルスＲＯＵＴ１を順次遅延させて各ラインのリセットパルスＲＳＴ２、……及び読み出しパルスＲＯＵＴ２、……を生成するようにして、この垂直同期期間の前半及び後半の期間により、これらリセットパルスＲＳＴ１、ＲＳＴ２、……及び読み出しパルスＲＯＵＴ１、ＲＯＵＴ２、……をそれぞれ出力するように構成される。
これらによりこの集積回路１では、図７に示すように、センサチップ２により得られる連続する撮像結果ＯＵＴ（Ｆ１）、ＯＵＴ（Ｆ２）、ＯＵＴ（Ｆ３）について、この撮像結果ＯＵＴ（Ｆ１）、ＯＵＴ（Ｆ２）、ＯＵＴ（Ｆ３）のフレーム間差分値ΔＳにより、動きが検出された箇所についてのみ、シャッター速度を短くし、これにより静止した部分におけるＳ／Ｎ比の劣化を有効に回避して、動きのある被写体のボケを防止する。また動きのある被写体が小さな物体である場合でも、確実に、この物体に係る部位について、シャッター速度を短くしてボケを防止する。なおこの図７においては、何ら露光時間を短くしない場合を基準にした各画素ブロックの露光時間を、分数により表す。
しかしてこの集積回路１は、このようにして各画素ブロック６より同時並列的に出力される撮像結果ＯＵＴを、センサチップ２に設けられた画像メモリに蓄積し、ラスタ走査の順序により多重化して１系統により出力する。
これらによりこの実施例において、各画素１９Ａ、１９Ｂ、リセット制御回路５２、水平駆動制御回路５３は、撮像面に形成された光学像の撮像結果を出力する撮像手段を構成し、動き量検出回路６１は、この撮像面を水平方向及び又は垂直方向に分割した各ブロック毎に、撮像結果における動き量を検出する動き検出手段を構成する。またシャッタパルス生成回路６９は、動き検出手段による検出結果に基づいて、動きが大きいブロック程、露光時間が短くなるように、ブロック毎に撮像手段の露光時間を制御する制御手段を構成し、リセット制御回路５２、増幅回路５４は、各ブロック毎に、露光時間の制御により変化する撮像結果の信号レベルを補正して出力する信号レベル補正手段を構成する。
（２）実施例の動作
以上の構成において、この撮像装置では（図２）、レンズを介して集積回路１の撮像面に光学像が形成され、この光学像の撮像結果が集積回路１により取得されて出力される。この集積回路１における処理において、この集積回路１では（図１及び図３）、受光素子１３による画素１９Ａ、１９Ｂがマトリックス状に配置されて撮像面が形成され、この撮像面を水平方向及び垂直方向に等分割した画素ブロック６によりそれぞれ撮像結果ＯＵＴが得られる。
すなわち各画素ブロック６では、リセット制御回路５２から各ラインで順次タイミングがシフトした読み出しパルスＲＯＵＴ１、ＲＯＵＴ２、……が出力され、この読み出しパルスＲＯＵＴ１、ＲＯＵＴ２、……により各画素１９Ａ、１９Ｂによる撮像結果ｏｕｔ１、ｏｕｔ２、……が、ライン単位で水平駆動制御回路５３に入力され、ここで時分割多重化処理される。また続く増幅回路５４により撮像結果の信号レベルが補正された後、アナログディジタル変換回路５５によりディジタル信号に変換されて出力される。これにより撮像面を分割した各画素ブロック６毎に撮像結果ＯＵＴが取得され、この撮像結果ＯＵＴが同時並列的に出力される。
またこれら各画素ブロック６の撮像結果ＯＵＴがそれぞれ対応するパルス生成ブロック４３に入力され、ここで各画素ブロック６の動き量ΔＳが検出され、この動き量ΔＳにより、動きが大きい画素ブロック程、露光時間が短くなるように対応する画素ブロック６の電荷蓄積時間が制御される。
これによりこの撮像装置では、１つの画面を分割するブロック毎に、動きに応じて露光時間を制御することができ、静止した背景については、露光時間を長くしてＳ／Ｎ比の劣化を防止しつつ、動きのある部分については、露光時間を短くしてボケを防止することができる。またブロック毎に動きを検出することにより、小さな物体についても動きを検出することができ、これによりこのような小さな物体のついてもボケを防止することができ、これらにより電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質が向上される。
またこの撮像装置では、このようにして露光時間を制御するようにして、露光時間が短くなった分、増幅回路５４の利得を増大して撮像結果ＯＵＴの信号レベルを補正し、これによりこのようにブロック毎に露光時間を制御して、各ブロック間における信号レベルの変化を防止することができ、これにより画質劣化が防止される。
このようにして各画素ブロック毎に露光時間を制御するようにして、この撮像装置では、画素ブロック６毎に撮像結果ＯＵＴを取得して同時並列的に出力し、また各画素ブロック６にそれぞれ対応するパルス生成ブロック４３により、それぞれ各画素ブロック６の動き量ΔＳを検出して露光時間を制御する。これにより撮像装置では、各ブロック毎に独立して、複数ブロックにおける同時並列的な処理によりブロック毎に露光時間を制御することができ、これにより簡易な処理により従来に比して画質が向上される。
特に、この撮像装置では、このセンサチップ２とロジックチップ３とをマイクロバンプ３１、３２により接続して積層し、このセンサチップ２により撮像結果ＯＵＴを取得すると共に、ロジックチップ３により露光時間を制御することにより、このように各ブロック毎に独立して、複数ブロックにおける同時並列的な処理によりブロック毎に露光時間を制御する構成にあっては、このようなセンサチップ２とロジックチップ３との積層構造に適用して、全体構成を簡略化することができる。
またセンサチップ２にあっては、撮像面とは逆側にリセット制御回路５２、水平駆動制御回路５３等の周辺回路を配置し、この逆側の面でロジックチップ３と積層されることにより、各画素１９Ａ、１９Ｂの開口率の低下を有効に回避することができ、またさらには隣接画素１９Ａ、１９Ｂ間のクロストーク等を低減することができる。また撮像面における画素１９Ａ、１９Ｂの占有面積を十分に確保することができ、これにより画素の微細化を容易としてこの撮像装置の製造を容易なものとすることができる。また続くロジックチップ３への接続の自由度を格段的に向上することができ、その分、設計の自由度を向上することができる。
このようにして動き検出して露光時間を制御するようにして、パルス生成ブロック４３では、平均値化回路６２において、撮像結果ＯＵＴをフレーム単位で累積加算して各フレームにおける撮像結果ＯＵＴの平均値が求められ、続くフレーム差分計算回路６６によりこの平均値のフレーム間差分が求められて動き量ΔＳが求められる。またこの動き量ΔＳによりシャッタパルス生成回路６９によりシャッタパルスＳＨＴが生成され、このシャッタパルスＳＨＴによりリセット制御回路５２でリセットパルスＲＳＴ１、ＲＳＴ２、……が生成されると共に、読み出しパルスＲＯＵＴ１、ＲＯＵＴ２、……のタイミングが変更されて露光時間が可変される。これによりこの撮像装置では、フレーム差分を求める簡易な処理により動き量ΔＳが計算されて露光制御の処理が実行され、その分、簡易な構成によりブロック毎に露光制御の処理を実行することが可能となる。
（３）実施例の効果
以上の構成によれば、１つの画面を複数のブロックに分割し、各ブロック毎に動き検出してそれぞれ露光時間を制御することにより、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる。
またこのとき、各ブロックの撮像結果を同時並列的に出力し、さらに各ブロックの撮像結果をそれぞれ処理して、各ブロック毎に動き量を検出することにより、各ブロック毎の独立した同時並列的な処理により露光時間を制御することができ、その分、簡易な処理により電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる。
またフレーム単位で、各ブロック毎に、撮像結果をそれぞれ累積加算して平均値を計算し、各ブロック毎に、この平均値のフレーム間差分値を計算して動き量を検出することにより、簡易な構成により動き量を検出することができ、その分、全体構成を簡略化することができる。
また少なくとも撮像手段である画素、画素の周辺回路と、動き検出手段の構成とを、異なる半導体チップに形成してマイクロバンプにより接続することにより、全体を集積回路化して構成を簡略化するようにして、画素における開口率の低下を防止し、さらには設計の自由度を十分に確保することができる。
図８に示すように、この実施例に係る撮像装置７１は、実施例１について上述した集積回路１の構成に加えて、符号化手段７２、記録手段７３が設けられ、これら符号化手段７２、記録手段７３により撮像結果ＯＵＴを符号化処理して記録媒体に記録する。このためこの実施例に係る撮像装置７１は、実施例１について上述した集積回路１により撮像系７４が形成され、この撮像系７４から出力される撮像結果ＯＵＴを多重化した後、輝度信号及び色差信号に変換して符号化手段７２に入力し、この符号化手段７２により符号化処理されたデータを記録手段７３により記録媒体に記録する。
ここでこの符号化手段７２は、動きベクトルを用いたデータ圧縮に係る符号化手段であり、例えばＨ.２６４の手法により撮像結果ＯＵＴを符号化処理する。
これに対して撮像系７４は、この符号化手段７２で動きベクトルの検出に供するマクロブロックに対応するように、画素ブロック６を構成する画素数が設定される。なおこの場合、輝度信号、色差信号の何れのマクロブロックに対応するように、画素ブロックを設定してもよく、またＨ.２６４では大きさの異なる複数種類のマクロブロックにより動き検出することにより、この複数種類のマクロブロックの何れのマクロブロックに対応するように、画素ブロックを設定してもよい。
また撮像系７４は、このようにして画素ブロック６を設定して、各画素ブロック６で検出される動き量ΔＳを符号化手段７２に出力する。
符号化手段７２は、この動き量ΔＳを所定のしきい値により判定することにより、動きの有無を判定する。またこの判定結果により動きがあると判定された場合には、通常の処理により動きベクトルを検出して撮像結果ＯＵＴを符号化処理する。これに対してこの判定結果により動きが無いと判定した場合には、動きベクトルの検出を中止すると共に、動きベクトルを値０に設定して撮像結果ＯＵＴを符号化処理する。
これによりこの実施例では、ブロック毎に動き検出して露光時間を制御するようにして、この露光時間の制御に使用した動き検出結果を符号化処理に利用し、その分、符号化処理における負担を軽減する。
この実施例によれば、符号化処理における動きベクトルの検出単位に対応する大きさにより撮像結果をブロック化して、各ブロック毎に動き検出してそれぞれ露光時間を制御すると共に、この動き検出結果を符号化処理に利用することにより、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上するようにして、符号化処理に供する負担を軽減することができる。
図８との対比により図９に示すように、この実施例に係る撮像装置８１は、実施例２について上述した撮像系７４の動き検出回路６１（図１参照）におけるフレーム間差分による動き量の検出に代えて、動きベクトルの検出により動き量を検出する。すなわち動きベクトルＶを検出し、またこの動きベクトルを絶対値化して動きベクトルＶの長さを検出し、さらにこの動きベクトルＶの長さにより動きの大きさを検出する。なおこの動きベクトルＶの検出においては、ブロックマッチング法、勾配法等、種々の検出手法を適用することができる。
また符号化手段８２は、画素ブロック６に対応する大きさのブロックについての動きベクトルＶの検出にあっては、動きベクトルの検出処理を中止し、この動き検出回路６１で検出した動きベクトルＶを用いて符号化処理を実行する。なおこの実施例に係る撮像装置８１は、これら動きベクトルＶに係る構成を除いて、実施例２について上述した撮像装置７１と同一に構成される。
この実施例によれば、動きベクトルにより動き検出してブロック毎に露光時間を制御するようにしても、実施例２と同様の効果を得ることができる。
なお上述の実施例においては、リセットパルス及び読み出しパルスの双方のタイミングを可変して露光時間を制御する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、リセットパルスだけのタイミングの可変により露光時間を制御するようにしてもよい。
また上述の実施例においては、各画素ブロック毎に、それぞれ撮像結果を出力して処理する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、１画面分の撮像結果をまとめて出力するようにして、この撮像結果を画素ブロック毎に分類、処理してそれぞれ各画素ブロック毎に露光時間を制御するようにしてもよい。このようにすれば、撮像結果の出力に関して、ラスタ走査の順序により撮像結果を出力する従来構成の撮像素子を使用する場合にあっても、上述の実施例と同様に、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができる。
また上述の実施例においては、ＣＭＯＳ固体撮像素子によりセンサチップを構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＸＹアドレス方式による各種固体撮像素子によりセンサチップを構成する場合、さらにはＣＣＤ固体撮像素子によりセンサチップを構成する場合等に広く適用することができる。
また上述の実施例においては、撮像面を水平方向及び垂直方向に分割して画素ブロックを形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、水平方向及び垂直方向の一方についてのみ撮像面を分割して画素ブロックとしてもよい。
また上述の実施例においては、センサチップ２の裏面側に各画素の周辺回路を設け、さらにはロジックチップと積層する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、センサチップ２の表面側に各画素の周辺回路を設ける場合、さらにはロジックチップを別体に構成する場合等にも広く適用することができる。
本発明は、例えばＣＭＯＳ固体撮像素子による撮像装置に適用することができる。
本発明の実施例に係る集積回路の詳細構成を示すブロック図である。 本発明の実施例に係る集積回路の全体構成を示すブロック図である。 図２の集積回路のセンサチップの断面図である。 センサチップとロジックチップの積層構造の説明に供する側面図である。 図１の画素ブロックの動作の説明に供するタイミングチャートである。 各画素の露光時間の制御の説明に供するタイミングチャートである。 各ブロックの露光時間の制御の説明に供する概念図である。 本発明の実施例２に係る撮像装置を示すブロック図である。 本発明の実施例３に係る撮像装置を示すブロック図である。
符号の説明
１……集積回路、２……センサチップ２……ロジックチップ、４……撮像部、５、４２……制御部、６……画素ブロック、１９、１９Ａ、１９Ｂ……画素、３１、３２……マイクロパンブ、４３……パルス生成ブロック、５２……リセット制御回路、５３……水平駆動制御回路、５４……増幅回路、５５……アナログディジタル変換回路、６１……動き量検出回路、６２……平均値化回路、６３……加算回路、６４、６７……遅延回路、６５……スイッチ回路、６６……フレーム差分計算回路、６８……減算回路、６９……シャッタパルス生成回路

Claims (7)

  1. 画素をマトリックス状に配置して撮像面が形成され、前記撮像面に形成された光学像の撮像結果を出力する撮像手段と、
    前記撮像面を水平方向及び又は垂直方向に分割した各ブロック毎に、前記撮像結果における動き量を検出する動き検出手段と、
    前記動き検出手段による検出結果に基づいて、前記ブロック毎に前記撮像手段の露光時間を制御する制御手段と、
    前記各ブロック毎に、前記露光時間の制御により変化する前記撮像結果の信号レベルを補正して出力する信号レベル補正手段と
    を備えることを特徴とする撮像装置。
  2. 前記制御手段は、
    前記動き検出手段による検出結果に基づいて、動きが大きいブロック程、露光時間が短くなるように、前記ブロック毎に前記撮像手段の露光時間を制御する
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
  3. 前記撮像手段は、
    前記各ブロックの撮像結果を同時並列的に出力して、前記光学像の撮像結果を出力し、
    前記動き検出手段は、
    前記撮像手段から出力される各ブロックの撮像結果をそれぞれ処理して、前記各ブロック毎に動き量を検出する
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
  4. 前記動き検出手段は、
    フレーム単位で、前記各ブロック毎に、前記撮像結果をそれぞれ累積加算して平均値を計算する平均値計算回路と、
    前記各ブロック毎に、前記平均値計算回路で計算される平均値のフレーム間差分値を計算し、前記フレーム間差分値により前記動き量を検出するフレーム差分計算回路とを有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
  5. 少なくとも前記撮像手段及び前記動き検出手段が、異なる半導体チップに形成されてマイクロバンプにより接続された
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
  6. 前記動き検出手段による検出結果に基づいて、マクロブロックにより前記撮像結果を符号化処理する符号化手段を有し、
    前記動き検出手段に係る前記ブロックが、前記符号化手段の前記マクロブロックに対応する大きさに設定された
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
  7. 撮像手段の撮像面を水平方向及び又は垂直方向に分割した各ブロック毎に、前記撮像手段の撮像結果における動き量を検出する動き検出のステップと、
    前記動き検出のステップによる検出結果に基づいて、前記ブロック毎に前記撮像手段の露光時間を制御する制御のステップと、
    前記各ブロック毎に、前記露光時間の制御により変化する前記撮像結果の信号レベルを補正して出力する信号レベル補正のステップとを有する
    ことを特徴とする撮像結果の処理方法。
JP2005006178A 2005-01-13 2005-01-13 撮像装置及び撮像結果の処理方法 Expired - Fee Related JP4277216B2 (ja)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005006178A JP4277216B2 (ja) 2005-01-13 2005-01-13 撮像装置及び撮像結果の処理方法
KR1020077015722A KR20070102678A (ko) 2005-01-13 2005-12-02 촬상 장치 및 촬상 결과의 처리 방법
KR1020137026191A KR101362604B1 (ko) 2005-01-13 2005-12-02 촬상 장치 및 촬상 결과의 처리 방법
RU2007126682/09A RU2343644C1 (ru) 2005-01-13 2005-12-02 Устройство съемки изображения и способ обработки результата съемки изображения
BRPI0519834-8A BRPI0519834A2 (pt) 2005-01-13 2005-12-02 aparelho de captação de imagem, e, método de processamento para um resultado de captação de imagem
KR1020127031162A KR20120137443A (ko) 2005-01-13 2005-12-02 촬상 장치 및 촬상 결과의 처리 방법
AU2005324643A AU2005324643B2 (en) 2005-01-13 2005-12-02 Image pickup device and image pickup result processing method
CNA2005800465648A CN101099381A (zh) 2005-01-13 2005-12-02 摄像设备和用于摄像结果的处理方法
CA002593719A CA2593719A1 (en) 2005-01-13 2005-12-02 Image pickup device and image pickup result processing method
EP05814419.7A EP1838088B1 (en) 2005-01-13 2005-12-02 Image pickup device and image pickup result processing method
PCT/JP2005/022603 WO2006075463A1 (ja) 2005-01-13 2005-12-02 撮像装置及び撮像結果の処理方法
MX2007008426A MX2007008426A (es) 2005-01-13 2005-12-02 Dispositivo de recuperacion de imagenes y metodo de procesamiento de resultado de recuperacion de imagenes.
US11/794,996 US8345108B2 (en) 2005-01-13 2005-12-02 Image pickup apparatus and processing method for result of image pickup
US13/690,999 US8687069B2 (en) 2005-01-13 2012-11-30 Image pickup apparatus and processing method for result of image pickup
US14/159,616 US9185304B2 (en) 2005-01-13 2014-01-21 Image pickup apparatus and processing method for result of image pickup
US14/750,088 US20150296113A1 (en) 2005-01-13 2015-06-25 Image pickup apparatus and processing method for result of image pickup
US15/047,467 US9729764B2 (en) 2005-01-13 2016-02-18 Image pickup apparatus and processing method for result of image pickup
US15/590,909 US10057515B2 (en) 2005-01-13 2017-05-09 Image pickup apparatus and processing method for result of image pickup

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005006178A JP4277216B2 (ja) 2005-01-13 2005-01-13 撮像装置及び撮像結果の処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006197192A JP2006197192A (ja) 2006-07-27
JP4277216B2 true JP4277216B2 (ja) 2009-06-10

Family

ID=36677495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005006178A Expired - Fee Related JP4277216B2 (ja) 2005-01-13 2005-01-13 撮像装置及び撮像結果の処理方法

Country Status (11)

Country Link
US (6) US8345108B2 (ja)
EP (1) EP1838088B1 (ja)
JP (1) JP4277216B2 (ja)
KR (3) KR101362604B1 (ja)
CN (1) CN101099381A (ja)
AU (1) AU2005324643B2 (ja)
BR (1) BRPI0519834A2 (ja)
CA (1) CA2593719A1 (ja)
MX (1) MX2007008426A (ja)
RU (1) RU2343644C1 (ja)
WO (1) WO2006075463A1 (ja)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5023805B2 (ja) 2007-05-16 2012-09-12 ソニー株式会社 画像処理装置および画像処理方法、並びにプログラム
US8063942B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-22 Qualcomm Incorporated Motion assisted image sensor configuration
EP2063630A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-27 Thomson Licensing Video capture device with variable shutter integration time
JP5247397B2 (ja) * 2008-12-05 2013-07-24 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像方法
ATE543215T1 (de) 2009-03-24 2012-02-15 Sony Corp Festkörper-abbildungsvorrichtung, ansteuerverfahren für festkörper- abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung
EP2419791A4 (en) * 2009-04-13 2012-10-17 Showscan Digital Llc METHOD AND APPARATUS FOR PHOTOGRAPHING AND PROJECTING IMAGES IN MOTION
JP5218309B2 (ja) * 2009-07-14 2013-06-26 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその制御方法、並びにカメラシステム
JP5521721B2 (ja) * 2009-08-28 2014-06-18 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
JP5737921B2 (ja) * 2010-12-13 2015-06-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法
RU2446471C1 (ru) * 2010-12-23 2012-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО ТГТУ Способ обнаружения движущихся объектов и определения их параметров
JP5622648B2 (ja) 2011-04-14 2014-11-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 画像処理装置
US9013615B2 (en) * 2011-09-21 2015-04-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor with flexible interconnect capabilities
RU2478241C1 (ru) * 2011-10-03 2013-03-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт телевидения" Устройство формирования видеосигнала от кмоп-матрицы
CN104247401B (zh) 2012-03-30 2019-07-02 株式会社尼康 拍摄元件以及拍摄装置
WO2013145753A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
WO2013164915A1 (ja) 2012-05-02 2013-11-07 株式会社ニコン 撮像装置
KR101887988B1 (ko) * 2012-07-03 2018-08-14 삼성전자 주식회사 이미지 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 시스템
EP3007434B1 (en) * 2013-05-31 2021-11-03 Nikon Corporation Electronic device and control program
EP3588940B1 (en) * 2013-07-04 2023-03-22 Nikon Corporation Electronic apparatus, method for controlling electronic apparatus, and control program
JP6231869B2 (ja) * 2013-12-12 2017-11-15 キヤノン株式会社 撮像装置、通信機器およびそれらの制御方法、プログラム
CN103744322B (zh) * 2013-12-13 2016-08-17 青岛歌尔声学科技有限公司 一种控制信号生成电路
JP6245474B2 (ja) * 2014-04-21 2017-12-13 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、並びに、電子機器
JP2016019076A (ja) 2014-07-07 2016-02-01 ソニー株式会社 撮像装置、撮像方法、およびプログラム、並びに再生装置
US10284771B2 (en) 2014-12-03 2019-05-07 Nikon Corporation Image-capturing apparatus, electronic device, and program
JP2016192605A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社ニコン 電子機器、記録媒体およびプログラム
JP6604384B2 (ja) 2015-09-30 2019-11-13 株式会社ニコン 撮像装置
EP3358820B1 (en) 2015-09-30 2021-06-09 Nikon Corporation Imaging device, image processing device and display device
EP3358822A4 (en) * 2015-09-30 2019-05-29 Nikon Corporation IMAGING DEVICE AND IMAGE PROCESSING DEVICE
WO2017170724A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社ニコン 撮像装置、レンズ調節装置、および電子機器
CN114928701A (zh) 2016-03-31 2022-08-19 株式会社尼康 摄像装置
JP2018022935A (ja) * 2016-08-01 2018-02-08 ソニー株式会社 撮像装置、および、撮像装置の制御方法
US10795024B2 (en) * 2016-09-16 2020-10-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and electronic device
JP6715463B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 画像生成装置、画像生成方法、プログラムおよび記録媒体
CN106412454B (zh) * 2016-10-18 2019-06-04 南京大学 暗场景下基于ccd传感器实时获取清晰图像的装置和方法
JP6580111B2 (ja) * 2017-02-10 2019-09-25 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置
US11044411B2 (en) * 2017-02-10 2021-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Imaging element and imaging apparatus
JP2020096211A (ja) * 2017-03-31 2020-06-18 株式会社ニコン 電子機器
JP2020098943A (ja) * 2017-03-31 2020-06-25 株式会社ニコン 電子機器
CN110892709B (zh) * 2017-08-18 2021-06-08 富士胶片株式会社 摄像装置、摄像装置的控制方法及摄像装置的控制程序
EP3462731B1 (en) * 2017-09-29 2021-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device, imaging system, and moving body
JP7286294B2 (ja) 2017-10-27 2023-06-05 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、および、プログラム
WO2019082831A1 (ja) 2017-10-27 2019-05-02 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、および、プログラム
TWI815841B (zh) * 2018-03-15 2023-09-21 日商尼康股份有限公司 控制裝置、控制方法以及程式
JP7299680B2 (ja) 2018-08-23 2023-06-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7281897B2 (ja) * 2018-12-12 2023-05-26 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法並びにプログラム
US11451724B2 (en) 2019-11-19 2022-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and imaging system
JP2020074596A (ja) * 2020-01-23 2020-05-14 株式会社ニコン 撮像装置
JP7458819B2 (ja) 2020-02-21 2024-04-01 キヤノン株式会社 撮像装置、制御方法、プログラム及び記憶媒体
WO2021210621A1 (ja) * 2020-04-15 2021-10-21 株式会社ニコン 撮像素子、撮像装置及び装置
JP2022003672A (ja) * 2020-06-23 2022-01-11 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム、および移動体

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1003383A1 (ru) * 1981-10-28 1983-03-07 Предприятие П/Я В-8450 Фотоприемник движущихс изображений (его варианты)
JP3642793B2 (ja) 1992-11-25 2005-04-27 ソニー株式会社 固体撮像装置及び撮像装置の制御方法
JPH06261256A (ja) 1993-03-04 1994-09-16 Fuji Photo Optical Co Ltd 固体撮像素子を用いた撮像装置
JPH0738803A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp ビデオカメラ
JPH07284006A (ja) * 1994-04-12 1995-10-27 Canon Inc 撮像装置
WO1998020301A1 (en) * 1996-11-05 1998-05-14 Lockheed Martin Corporation Electro-optical reconnaissance system with forward motion compensation
JPH10336511A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Sanyo Electric Co Ltd カメラ装置
KR100242014B1 (ko) * 1997-06-20 2000-02-01 윤종용 디지털 스틸 카메라의 셔터 속도 제어 장치 및 방법
GB2332800B (en) * 1997-12-18 2000-09-27 Simage Oy Device for imaging radiation
JP3668611B2 (ja) 1998-06-19 2005-07-06 株式会社東芝 画像撮影装置及びその方法
US6665010B1 (en) * 1998-07-21 2003-12-16 Intel Corporation Controlling integration times of pixel sensors
US6303923B1 (en) * 1998-12-18 2001-10-16 California Institute Of Technology Fabricating a hybrid imaging device having non-destructive sense nodes
WO2000055810A1 (fr) * 1999-03-16 2000-09-21 Hamamatsu Photonics K. K. Capteur de vision ultra-rapide
JP2000278595A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Minolta Co Ltd デジタルカメラ及び撮像方法
US6778210B1 (en) * 1999-07-15 2004-08-17 Olympus Optical Co., Ltd. Image pickup apparatus with blur compensation
JP3430994B2 (ja) * 1999-09-28 2003-07-28 ミノルタ株式会社 カメラ
US6995800B2 (en) * 2000-01-27 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus utilizing a plurality of converging lenses
US6765619B1 (en) * 2000-04-04 2004-07-20 Pixim, Inc. Method and apparatus for optimizing exposure time in image acquisitions
JP2001298175A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Toshiba Corp 撮像システム
US6809769B1 (en) * 2000-06-22 2004-10-26 Pixim, Inc. Designs of digital pixel sensors
US7139028B2 (en) * 2000-10-17 2006-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
JP2002231918A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP3794942B2 (ja) * 2001-07-09 2006-07-12 松下電器産業株式会社 マルチチップモジュール及びその接続テスト方法
JP3759435B2 (ja) * 2001-07-11 2006-03-22 ソニー株式会社 Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
US7106377B2 (en) 2001-07-25 2006-09-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Image capturing device capable of single pixel exposure duration control
RU2235443C2 (ru) * 2001-08-16 2004-08-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт промышленного телевидения "Растр" Телевизионная камера на матрице приборов с зарядовой связью
JP3833088B2 (ja) * 2001-09-05 2006-10-11 独立行政法人科学技術振興機構 画像検出処理装置
US7791641B2 (en) * 2001-09-12 2010-09-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems and methods for utilizing activity detection information in relation to image processing
US7158180B2 (en) * 2001-12-31 2007-01-02 Texas Instruments Incorporated System and method for varying exposure time for different parts of a field of view while acquiring an image
CN1234234C (zh) * 2002-09-30 2005-12-28 松下电器产业株式会社 固体摄像器件及使用该固体摄像器件的设备
JP3804617B2 (ja) * 2003-02-14 2006-08-02 コニカミノルタフォトイメージング株式会社 画像処理装置及び方法
JP3709873B2 (ja) * 2003-02-19 2005-10-26 ソニー株式会社 固体撮像装置及び撮像カメラ
US6989589B2 (en) * 2003-07-21 2006-01-24 Motorola, Inc. Programmable sensor array
JP2005056998A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
US7091469B2 (en) * 2004-05-20 2006-08-15 St Assembly Test Services Ltd. Packaging for optoelectronic devices
US7583305B2 (en) * 2004-07-07 2009-09-01 Eastman Kodak Company Extended dynamic range imaging system
US7705884B2 (en) * 2004-07-21 2010-04-27 Zoran Corporation Processing of video data to compensate for unintended camera motion between acquired image frames

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0519834A2 (pt) 2009-03-17
RU2343644C1 (ru) 2009-01-10
MX2007008426A (es) 2007-09-06
WO2006075463A1 (ja) 2006-07-20
US9729764B2 (en) 2017-08-08
US8345108B2 (en) 2013-01-01
CN101099381A (zh) 2008-01-02
EP1838088B1 (en) 2020-07-15
US20170244913A1 (en) 2017-08-24
KR20120137443A (ko) 2012-12-20
KR101362604B1 (ko) 2014-02-12
US20160165100A1 (en) 2016-06-09
EP1838088A4 (en) 2009-12-09
AU2005324643A1 (en) 2006-07-20
KR20070102678A (ko) 2007-10-19
JP2006197192A (ja) 2006-07-27
US8687069B2 (en) 2014-04-01
AU2005324643B2 (en) 2010-10-07
CA2593719A1 (en) 2006-07-20
US20130088608A1 (en) 2013-04-11
US20140132785A1 (en) 2014-05-15
US20080284871A1 (en) 2008-11-20
EP1838088A1 (en) 2007-09-26
US10057515B2 (en) 2018-08-21
US9185304B2 (en) 2015-11-10
KR20130114760A (ko) 2013-10-17
US20150296113A1 (en) 2015-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4277216B2 (ja) 撮像装置及び撮像結果の処理方法
US8174590B2 (en) Image pickup apparatus and image pickup method
JP5852324B2 (ja) 撮像装置及びその制御方法、プログラム
JP7099446B2 (ja) 固体撮像装置および電子機器
CN109474781B (zh) 摄像装置、摄像装置的控制方法、记录介质
JP2004282552A (ja) 固体撮像素子および固体撮像装置
JP2011055351A (ja) 撮影装置及びその制御方法
US8026965B2 (en) Image pickup apparatus and method for controlling the same
JP5037078B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2012235363A (ja) 撮像装置
JP5159387B2 (ja) 撮像装置および撮像素子の駆動方法
JP2011101170A (ja) Ｃｃｄ型固体撮像素子のスミア補正方法及び撮像装置
JP2007336333A (ja) 撮像装置
JP2012070056A (ja) 撮像装置
JP2012191591A (ja) 撮像装置、スミア補正方法
JP2013258652A (ja) 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP2011114474A (ja) 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP2012039536A (ja) 撮像装置
JP2007201710A (ja) 撮像装置及び固体撮像素子のオーバーフロードレイン電圧決定方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090212

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090225

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4277216

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees