JP2023142946A - 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】金属含有レジストを用いたレジストパターンの線幅を制御することができる、新規な基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板に対し金属含有レジストのパターンを形成するための処理を行う基板処理方法であって、前記金属含有レジストの膜の現像処理までの間に基板処理装置内における前記基板が存在する基板存在空間の酸濃度を変化させる。【選択図】図１３

Description

本開示は、基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置に関する。
特許文献１に開示のレジスト塗布現像装置は、露光後、基板表面に形成された潜像パターンの線幅を潜像線幅測定装置にて測定し、その線幅測定値が予め設定された適正値の範囲から外れている場合に、現像後のレジストパターンの線幅を適正化させるべく、ポストベーキンク温度を補正する。
特開平１０－２７５７５５号公報
本開示にかかる技術は、金属含有レジストを用いたレジストパターンの線幅を制御することができる、新規な基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
本開示の一態様は、基板に対し金属含有レジストのパターンを形成するための処理を行う基板処理方法であって、前記金属含有レジストの膜の現像処理までの間に基板処理装置内における前記基板が存在する基板存在空間の酸濃度を変化させる。
本開示によれば、金属含有レジストを用いたレジストパターンの線幅を制御することができる、新規な基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
試験Ａの結果を示す図である。 試験Ｂの結果を示す図である。 試験Ｃの結果を示す図である。 試験Ｄの結果を示す図である。 金属含有レジストの露光領域、未露光領域、中間露光領域を説明するための図である。 、ＰＥＢ処理前の酸性雰囲気処理により金属含有レジストのパターンの線幅が細くなるメカニズムを説明するための図である。 、ＰＥＢ処理後の酸性雰囲気処理により金属含有レジストのパターンの線幅が太くなるメカニズムを説明するための図である。 本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像処理装置の内部構成の概略を示す説明図である。 図８の塗布現像処理装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。 図８の塗布現像処理装置の背面側の内部構成の概略を示す図である。 酸性雰囲気処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 酸性雰囲気処理ユニットの構成の概略を示す横断面図である。 ウェハ処理の例１の主な工程を示すフローチャートである。 ウェハ処理の例１の酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果を説明するための図である。 ウェハ処理の例１の酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果を説明するための図である。 ウェハ処理の例１の酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果を説明するための図である。 ウェハ処理の例２の主な工程を示すフローチャートである。 ウェハ処理の例２の酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果を説明するための図である。 ウェハ処理の例２の酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果を説明するための図である。 ウェハ処理の例３の主な工程を示すフローチャートである。 ウェハ処理の例４の主な工程を示すフローチャートである。 ＰＥＢ処理の前とＰＥＢ処理の後との両方で、酸性雰囲気処理を行う理由を説明するための図である。 ＰＥＢ処理の前とＰＥＢ処理の後との両方で、酸性雰囲気処理を行う理由を説明するための図である。 ＰＥＢ処理の前とＰＥＢ処理の後との両方で、酸性雰囲気処理を行う理由を説明するための図である。 ＰＥＢ処理の前とＰＥＢ処理の後との両方で、酸性雰囲気処理を行う理由を説明するための図である。 酸性雰囲気処理ユニットの他の例の概略を示す縦断面図である。
半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジストパターンを形成するため所定の処理が行われる。上記所定の処理とは、例えば、ウェハ上にレジストを供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理や、レジスト膜を露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応が促進するよう加熱する露光後加熱処理（ＰＥＢ（Post
Exposure Bake）処理）、露光されたレジスト膜を現像しレジストパターンを形成する現像処理等である。
レジストパターンに関しては、所望の線幅のレジストパターンが得られるよう種々の提案がなされている。さらに、近年では、レジストとして、化学増幅型レジストに代えて、金属含有レジストが用いられる場合がある。
そこで、本発明者らは、露光装置が接続された塗布現像装置を用いて、下地膜としてスピンオンカーボン（ＳｏＣ）膜が形成されたウェハ上に、ネガ型の金属（具体的にはスズ）含有レジストのパターンを形成し、複数個所について線幅を測定する試験Ａ～Ｄを行った。図１～図４はそれぞれ、試験Ａ～Ｄの結果としてウェハＷの各部分における線幅の測定結果を示す図である。また、図１～図４では、線幅を濃淡で示しており、線幅が細いほど濃く示し、太いほど薄く示している。
試験Ａ～Ｄには、塗布現像装置として、以下の点を除き、従前と同様のものを用いた。
・塗布現像装置内に清浄な空気を送り込むＦＦＵ（ファンフィルタユニット）に酸性ガスを除去するフィルタを設けた点（「塗布現像処理装置内」とは、具体的には処理モジュール間や処理モジュールと露光装置との間でのウェハ搬送が行われる搬送領域内及び各処理モジュール内である。）
・酢酸ガスを含む処理ガスを吹き付ける酸性雰囲気処理を局所的に行う酸性雰囲気処理モジュールを設けた点。
試験Ａでは、以下の処理（ａ）～（ｅ）を順に行い、前述の局所的な酸性雰囲気処理は行わなかった。
（ａ）金属含有レジストの膜を形成する処理（レジスト塗布処理）
（ｂ）金属含有レジストの膜が形成されたウェハを加熱する処理（ＰＡＢ処理）
（ｃ）露光処理
（ｄ）露光後の金属含有レジスト膜内の化学反応が促進するようウェハを加熱する処理（ＰＥＢ処理）
（ｅ）現像処理
試験Ｂ～Ｄでは、以下の順で処理を行った。
・試験Ｂ
（ａ）レジスト塗布処理→局所的な酸性雰囲気処理→（ｂ）ＰＡＢ処理→（ｃ）露光処理→（ｄ）ＰＥＢ処理→（ｅ）現像処理
・試験Ｃ
（ａ）レジスト塗布処理→（ｂ）ＰＡＢ処理→（ｃ）露光処理→局所的な酸性雰囲気処理→（ｄ）ＰＥＢ処理→（ｅ）現像処理
・試験Ｄ
（ａ）レジスト塗布処理→（ｂ）ＰＡＢ処理→（ｃ）露光処理→（ｄ）ＰＥＢ処理→局所手な酸性雰囲気処理→（ｅ）現像処理
また、試験Ａ～Ｄでは目標線幅を１４５ｎｍとし、試験Ｂ～Ｄでは、酸性雰囲気処理を、ウェハＷにおける図２～図４の右下にあたる部分に、５～６秒間にわたって、局所的に行った。
図１に示すように、試験Ａの場合すなわち局所的な酸性雰囲気処理を行わない場合、金属含有レジストのパターンの線幅は、ウェハ面内において目標線幅で均一であった。
それに対し、試験Ｂの場合すなわちレジスト塗布処理後であってＰＡＢ処理前に局所的な酸性雰囲気処理を行った場合、酸性雰囲気処理を行った部分すなわち酸性ガスを含む処理ガスが吹き付けられた部分において、金属含有レジストのパターンの線幅が細くなっていた。
また、試験Ｃの場合すなわち露光処理後であってＰＥＢ処理前に局所的な酸性雰囲気処理を行った場合、酸性雰囲気処理を行った部分において、金属含有レジストのパターンの線幅が細くなっていたが、細くなる度合いが試験Ｂより小さかった。
また、試験Ｄの場合すなわちＰＥＢ処理後であって現像処理前に局所的な酸性雰囲気処理を行った場合、酸性雰囲気処理を行った部分において、金属含有レジストのパターンの線幅が太くなっていた。
すなわち、本発明者らは、試験Ａ～Ｄを通じ、以下の（Ｘ）～（Ｚ）を知見した。
（Ｘ）レジスト塗布処理後であってＰＡＢ処理前に酸性雰囲気処理を行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅を細くすることが可能であること。
（Ｙ）露光処理後であってＰＥＢ処理前に酸性雰囲気処理を行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅を若干細くすることが可能であること。
（Ｚ）ＰＥＢ処理後であって現像処理前に酸性雰囲気処理を行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅を太くすることが可能であること。
酸性雰囲気処理が、ＰＥＢ処理より前かＰＥＢ処理より後かによって、金属含有レジストのパターンの線幅の影響が正反対となるメカニズムとしては以下が考えられる。
金属含有レジストは、金属錯体の配位子（リガンド）が外れ、その状態の金属錯体が脱水縮合することにより、金属酸化膜となる。この反応は、カルボン酸とアルコールとが脱水縮合する反応であるエステル化に似ている。また、エステル化により生成されるエステルは、加水分解により、カルボン酸とアルコールとなる。エステルと同様に脱水縮合により生成された金属酸化膜についても、エステルと同様、加水分解される、と考えられる。
金属含有レジストでは、脱水縮合と加水分解が同時に生じており、露光前においては、脱水縮合より加水分解が優位である。すなわち、加水分解が生じやすい。
また、金属含有レジストにおいて露光された露光領域は、露光により加水分解の優位性が若干弱まるものの、加水分解が優位である。
さらに、金属含有レジストの露光領域は、露光後にＰＥＢ処理することにより、加水分解より脱水縮合が遥かに優位となる。
そのため、金属含有レジストの露光領域は、基本的に、ＰＥＢ処理後の現像時において加水分解された割合よりも脱水縮合された割合が十分大きくなり、現像されたときに残る
ただし、図５に示すように、金属含有レジストの露光領域Ａ１における未露光領域Ａ２に近い部分には、露光されるが露光領域Ａ１の中心より露光量が少ない中間露光領域Ａ３が存在する。この中間露光領域Ａ３は、露光量が未露光領域Ａ２に向けて次第に少なくなっており、よって、中間露光領域Ａ３には、現像時に残るほど脱水縮合された割合が十分な領域と不十分な領域との境界Ｂが存在する。
また、酸性ガスは、金属含有レジストにＨ+を触媒として供給し、加水分解及び脱水縮合の両方の反応を促進させる。そのため、元々加水分解が優位であれば、加水分解の優位性が酸性ガスにより高まり、また、元々脱水縮合が優位であれば、脱水縮合の優位性が酸性ガスにより高まる。
したがって、元々加水分解が優位なＰＥＢ処理前の金属含有レジスト（具体的には露光前の金属含有レジスト及び露光後且つＰＥＢ処理前の金属含有レジスト）に酸性雰囲気処理を行うことにより、加水分解の優位性がさらに高まる。そのため、図６に示すように、あたかも中間露光領域Ａ３及び前述の境界Ｂが露光領域Ａ１の中心側に移動したようになる。その結果、金属含有レジストのパターンの線幅が細くなる。
また、元々脱水縮合が優位なＰＥＢ処理後の金属含有レジストに酸性雰囲気処理を行うことにより、脱水縮合の優位性がさらに高まる。そのため、図７に示すように、あたかも中間露光領域Ａ３内において前述の境界Ｂが未露光領域Ａ２側に移動したようになる。その結果、金属含有レジストのパターンの線幅が太くなる。
以上が、酸性雰囲気処理が、ＰＥＢ処理より前かＰＥＢ処理より後かによって、金属含有レジストのパターンの線幅への影響が正反対となるメカニズムとして考えられる。
以上を踏まえ、本開示にかかる技術は、前述の知見に基づき、金属含有レジストを用いたレジストパターンの線幅を制御することができる、新規な基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
以下、本実施形態にかかる基板処理方法及び基板処理装置を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜塗布現像処理装置＞
図８は、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像処理装置の内部構成の概略を示す説明図である。図９及び図１０はそれぞれ、塗布現像処理装置１の正面側及び背面側の内部構成の概略を示す図である。
塗布現像処理装置１は、ネガ型の金属含有レジストを用いて、基板としてのウェハＷにレジストパターンを形成する。なお、金属含有レジストに含まれる金属は任意であるが、本実施形態においてはスズである。
塗布現像処理装置１は、図８～図１０に示すように、ウェハＷを複数収容可能な容器であるカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、レジスト塗布処理等の所定の処理を施す各種処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、を有する。そして、塗布現像処理装置１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。例えばカセット搬入出部１０は、塗布現像処理装置１のＹ方向負方向（図８の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図８の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、塗布現像処理装置１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
ウェハ搬送部１１には、ウェハＷを搬送する搬送ユニット２０が設けられている。搬送ユニット２０は、Ｘ方向に延びる搬送路２１を移動自在に構成されている。搬送ユニット２０は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数、例えば第１～第４の４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図８のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図８のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図８のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図８のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
第１のブロックＧ１には、図９に示すように複数の液処理ユニット、例えば現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１が下からこの順に配置されている。現像処理ユニット３０は、ウェハＷに現像処理を施す。具体的には、現像処理ユニット３０は、ＰＥＢ処理が施されたウェハＷの金属含有レジスト膜に現像処理を施す。レジスト塗布ユニット３１は、ウェハＷに金属含有レジストを塗布して金属含有レジストの膜すなわち金属含有レジスト膜を形成する。
例えば現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１の数や配置は、任意に選択できる。
現像処理ユニット３０、レジスト塗布ユニット３１では、例えばスピン塗布法でウェハＷ上に所定の処理液を塗布する。スピン塗布法では、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
また、本実施形態では、後述のウェハ存在空間（本開示にかかる基板存在空間の一例）の酸濃度を変化させる処理（以下、酸濃度変化処理）をウェハＷに行う酸濃度変化部として、酸性雰囲気処理ユニット３２が、第１のブロックＧ１に設けられている。酸性雰囲気処理ユニット３２は、酸濃度変化処理等の所定の処理をウェハＷに対し行う処理空間の酸素濃度を上昇させる処理を、酸濃度変化処理として行う。酸性雰囲気処理ユニット３２が行う酸濃度変化処理は、より具体的には、酸性ガスを含む処理ガスをウェハＷに局所的に吹き付ける酸性雰囲気処理である。
酸性雰囲気処理ユニット３２は、例えば、レジスト塗布ユニット３１の上方に、水平方向に３つ並べて配置される。酸性雰囲気処理ユニット３２の数や配置は任意に選択できる。酸性雰囲気処理ユニット３２の構成については後述する。
例えば第２のブロックＧ２には、図９に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を施す熱処理ユニット４０が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０の数や配置についても、任意に選択できる。なお、熱処理ユニット４０では、ＰＡＢ処理、ＰＥＢ処理、現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング処理（以下、「ＰＯＳＴ処理」という。）等を行う。
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２が下から順に設けられている。
図９に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハＷを搬送する基板搬送ユニットとしての搬送ユニット７０が配置されている。
搬送ユニット７０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。搬送ユニット７０は、ウェハＷを保持した搬送アーム７０ａをウェハ搬送領域Ｄ内で移動させ、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送ユニット７０は、例えば図１０に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送ユニット８０が設けられている。
シャトル搬送ユニット８０は、支持したウェハＷをＹ方向に直線的に移動させ、同程度の高さの第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５１と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０との間でウェハＷを搬送できる。
図８に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、搬送ユニット９０が設けられている。搬送ユニット９０は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム９０ａを有している。搬送ユニット９０は、ウェハＷを保持した搬送アーム９０ａを上下に移動させ、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットに、ウェハＷを搬送できる。
インターフェイスステーション５には、搬送ユニット１００と受け渡しユニット１０１が設けられている。搬送ユニット１００は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。搬送ユニット１００は、搬送アーム１００ａにウェハＷを保持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しユニット、受け渡しユニット１０１及び露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。
ここで、塗布現像処理装置１内（具体的にはウェハ搬送部１１内）におけるウェハＷが存在する空間をウェハ存在空間とする。塗布現像処理装置１は、ウェハ存在空間として、処理空間と搬送空間とを含む。
処理空間は、前述のようにウェハＷに対し所定の処理を行う空間であり、具体的には、レジスト塗布ユニット３１内の空間や、酸性雰囲気処理ユニット３２内の空間である。
搬送空間は、処理空間に対しウェハＷを搬送する搬送ユニットが設けられた空間であり、具体的には、搬送ユニット７０、９０、１００等が設けられた空間である。
また、塗布現像処理装置１では、図１０に示すように、清浄な空気を送り込むＦＦＵ２０１～２０４が、上述の搬送空間に対し設けられている。
塗布現像処理装置１では、酸性雰囲気処理ユニット３２による処理により所望の結果が得られるよう、上述の搬送空間の酸濃度が、酸性雰囲気処理ユニット３２の処理空間の最低酸濃度以下に維持されている。具体的には、ＦＦＵ２０１～２０４それぞれに、酸性ガスを除去するフィルタ（図示せず）が設けられ、ＦＦＵ２０１、２０２、２０３から搬送空間に、酸性ガスが除去された清浄な空気が送り込まれるよう構成されている。
また、酸性雰囲気処理ユニット３２以外の処理ユニット（例えば現像処理ユニット３０やレジスト塗布ユニット３１、熱処理ユニット４０等）に設けられたＦＦＵ（図示せず）にも、酸性ガスを除去するフィルタ（図示せず）を設けてもよい。
以上の塗布現像処理装置１には、図８に示すように制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや各種搬送ユニット等の動作を制御して、後述のウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
＜酸性雰囲気処理ユニット＞
続いて、上述の酸性雰囲気処理ユニット３２の構成について説明する。図１１及び図１２はそれぞれ、酸性雰囲気処理ユニット３２の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
酸性雰囲気処理ユニット３２は、図１１に示すように内部を閉鎖可能な処理容器３００を有している。処理容器３００は、その内部に処理空間Ｋを形成する。処理容器３００の側面には、図１２に示すようにウェハＷの搬入出口３０１が形成され、搬入出口３０１には、開閉シャッタ３０２が設けられている。
処理容器３００内の中央部には、図１１に示すように、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック３１０が設けられている。スピンチャック３１０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック３１０上に吸着保持できる。
スピンチャック３１０は、チャック駆動機構３１１に接続されており、そのチャック駆動機構３１１により所望の速度に回転できる。チャック駆動機構３１１は、スピンチャック３１０の回転のための駆動力を発生するモータ等の回転駆動源（図示せず）を有する。また、チャック駆動機構３１１には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、スピンチャック３１０は上下動可能である。
スピンチャック３１０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ３１２が設けられている。カップ３１２の下面には、回収した液体を排出する排出管３１３と、カップ３１２内を排気する排気管３１４が接続されている。
図１２に示すように、カップ３１２のＸ方向負方向（図１２の下方向）側には、Ｙ方向（図１２の左右方向）に沿って延伸するレール３２０が形成されている。レール３２０は、例えばカップ３１２のＹ方向負方向（図１２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３２０には、アーム３２１が取り付けられている。
アーム３２１には、図１１及び図１２に示すように、吐出ノズル３２２が支持されている。吐出ノズル３２２は、酸性ガスを含む処理ガスとして、酢酸ガスを含むドライエアを、スピンチャック３１０に保持されたウェハＷの一部分に向けて吐出する。アーム３２１は、図１２に示すノズル駆動部３２３により、レール３２０上を移動自在である。これにより、吐出ノズル３２２は、カップ３１２のＹ方向正方向側の外方からカップ３１２内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、アーム３２１は、ノズル駆動部３２３によって昇降自在であり、吐出ノズル３２２の高さを調節できる。
吐出ノズル３２２は、図１１に示すように、供給管３３０を介して供給機構３３１に接続されている。
供給機構３３１は、酢酸ガスを含むドライエアを吐出ノズル３２２に供給する。供給機構３３１は、例えば、酢酸を貯留するボトル３３２と、ボトル３３２にドライエアを供給する供給管３３３と、供給管３３３に介設された開閉弁３３４と、を有する。ドライエアの供給源（図示せず）からのドライエアを、供給管３３３を介してボトル３３２に供給することにより、酢酸ガスを含むドライエアを、供給管３３０を介して吐出ノズル３２２に供給することができる。供給機構３３１は制御部Ｕにより制御される。
さらに、カップ３１２の上方には、下方に向けて清浄な空気を送り込むＦＦＵ３４０が設けられている。ＦＦＵ３４０は、酸性ガスを除去するフィルタ（図示せず）が設けられており、スピンチャック３１０に保持されたウェハＷに向けて、酸性ガスが除去された清浄な空気を送り込むよう構成されている。
＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像処理装置１を用いたウェハ処理の例を説明する。以下に説明するウェハ処理の例１～４はいずれも、ウェハＷに対し金属含有レジストのパターンを形成するための処理である。また、ウェハ処理の例１～４はいずれも、塗布現像処理装置１内（具体的にはウェハ搬送部１１内）へのウェハＷの搬入後から現像処理までの間に、酸濃度変化処理として酸性雰囲気処理を行う。ただし、ウェハ処理の例１～４は、酸性雰囲気処理を行うタイミングが互いに異なる。また、ウェハ処理の例１～４に用いられるウェハＷの表面には、金属含有レジスト膜の下地膜としてＳｏＣ膜が予め形成されている。なお、ウェハ処理の例１～４はいずれも、制御部Ｕの制御の下、行われる。
＜ウェハ処理の例１＞
図１３は、ウェハ処理の例１の主な工程を示すフローチャートである。ウェハ処理の例１では、レジスト塗布処理から露光処理までの間に酸性雰囲気処理が行われる。具体的には、ウェハ処理の例１では、前述の知見（Ｘ）に基づき、レジスト塗布処理後であってＰＡＢ処理前に酸性雰囲気処理が行われる。
（ステップＳ１）
ウェハ処理の例１では、まず、塗布現像処理装置１内にウェハＷが搬入される。
具体的には、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、塗布現像処理装置１のカセットステーション２に搬入され、載置板１３に載置される。その後、搬送ユニット２０によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、ウェハ搬送部１１内に搬入され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に搬送される。
（ステップＳ２）
次に、レジスト塗布処理が行われ、ウェハＷに金属含有レジスト膜が形成される。
具体的には、ウェハＷが、搬送ユニット７０によってレジスト塗布ユニット３１に搬送され、金属含有レジストが、ウェハＷの表面に回転塗布され、下地膜としてのＳｏＣ膜を覆うように、金属含有レジスト膜が形成される。
（ステップＳ３）
次いで、酸性雰囲気処理が行われる。
具体的には、ウェハＷが、搬送ユニット７０によって、酸性雰囲気処理ユニット３２に搬送されて、スピンチャック３１０に保持される。続いて、スピンチャック３１０に保持されたウェハＷにおける、予め定められた処理対象領域の上方に吐出ノズル３２２が移動され、当該処理対象領域に向けて、酢酸ガスを含むドライエアが供給される。上記処理対象領域は、例えば、当該領域に酸性雰囲気処理を行わないと（すなわち酢酸ガスを含むドライエアが供給されないと）、金属含有レジストの線幅が他の領域より太くなってしまう領域である。また、酢酸ガスを含むドライエアの供給時間は例えば５～１０秒である。これにより、処理対象領域内の金属含有レジスト膜の表面に、触媒としてのＨ+が供給される。
酢酸ガスを含むドライエアの供給の際、ＦＦＵ３４０からスピンチャック３１０に保持されたウェハＷへの清浄空気の供給も行われる。これにより、酢酸ガスを含むドライエアが、ウェハＷにおける処理対象領域以外の領域に達するのを抑制することができ、処理対象領域以外の領域が酸性雰囲気処理されるのを抑制することができる。
なお、この工程でウェハＷに供給される酢酸ガスを含むドライエアの酸濃度（具体的には酢酸濃度）は、例えば１０μｇ／ｍ３以上である。また、塗布現像処理装置１内のウェハ存在空間のうち、酸性雰囲気処理ユニット３２内の処理空間Ｋ以外の空間（前述の搬送空間を含む）は、例えば、酸濃度が１０ｎｇ／ｍ３未満とされる。
（ステップＳ４）
続いて、ＰＡＢ処理が行われる。
具体的には、ウェハＷが、搬送ユニット７０によって、ＰＡＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送されて、ＰＡＢ処理される。次いで、ウェハＷが、搬送ユニット７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送された後、搬送ユニット９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送ユニット８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。
（ステップＳ５）
次いで、露光処理が行われる。
具体的には、ウェハＷが、インターフェイスステーション５の搬送ユニット１００によって露光装置４に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜がＥＵＶ光を用いて所定のパターンで露光される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット１００によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。
（ステップＳ６）
次に、ＰＥＢ処理が行われる。
具体的には、ウェハＷが、搬送ユニット７０によって、ＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送されて、ＰＥＢ処理される。
（ステップＳ７）
続いて、現像処理が行われる。
具体的には、ウェハＷが、現像処理ユニット３０に搬送され、現像処理が行われ、ラインアンドスペースのレジストパターンが形成される。
（ステップＳ８）
その後、ＰＯＳＴ処理が行われる。
具体的には、ウェハＷが、ＰＯＳＴ処理用の熱処理ユニット４０に搬送されて、ＰＯＳＴ処理される。
（ステップＳ９）
そして、ウェハＷが塗布現像処理装置１から搬出される。
具体的には、ウェハＷが、ステップＳ１と逆の手順でカセットＣに戻される。
以上で、一連のウェハ処理が完了する。
以上のように、ウェハ処理の例１では、レジスト塗布処理後であってＰＡＢ処理前に酸性雰囲気処理を行うため、金属含有レジストのパターンの線幅を、当該線幅が細くなるよう制御することができる。特に、ウェハ処理の例１では、ウェハＷにおいて酸性雰囲気処理を行わないと線幅が他の領域より太くなる処理対象領域にのみ局所的に酸性雰囲気処理を行うため、当該処理対象領域の線幅を細くすることができ、線幅をウェハ面内でより均一にすることができる。
また、ウェハ処理の例１では、図１４に示すように、ウェハＷ上の金属含有レジスト膜Ｆの表面（上面）に、酸性雰囲気処理により、触媒としてのＨ+が供給される。そのため、酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果は、金属含有レジストのパターンの上部で大きい。したがって、酸性雰囲気処理を一切行わないと図１５に示すように金属含有レジストのパターンＰの上部において下部よりも線幅が太くなるようなパターン形状崩れが発生する場合に、ウェハ処理の例１のように酸性雰囲気処理を行うことにより、以下の効果が得られる。すなわち、図１６に示すように金属含有レジストのパターンＰの線幅を高さ方向の位置によらず均一にすることができる。
また、酸性雰囲気処理を一切行わないと上述のような上部が太くなるパターン形状崩れがウェハＷの一部に発生する場合に、ウェハ処理の例１のように酸性雰囲気処理を局所的に行い且つ処理対象領域を上記形状崩れが発生する領域とすることにより、金属含有レジストのパターン形状をウェハ面内でより均一にすることができる。
＜ウェハ処理の例２＞
図１７は、ウェハ処理の例２の主な工程を示すフローチャートである。
レジスト塗布処理後であってＰＡＢ処理前に酸性雰囲気処理を行うことにより、ウェハＷ上の金属含有レジスト膜の表面（すなわち上面）に、触媒としてのＨ+が供給されることを鑑みれば、前述の知見（Ｘ）から、以下の点（Ｘ’）が推測される。
（Ｘ’）レジスト塗布処理前に酸性雰囲気処理を行い、その後にウェハＷ上に形成される金属含有レジスト膜の下面に触媒としてのＨ+が供給されるようにすることにより、金属含有レジストのパターンの線幅を細くすることが可能であること。
ウェハ処理の例２では、上記推測（Ｘ’）に基づき、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入からレジスト塗布処理までの間に、具体的にはレジスト塗布処理前に、酸性雰囲気処理を行う。
より具体的には、ウェハ処理の例２では、まず、図１７に示すように、ウェハ処理の例１と同様、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入（ステップＳ１）が行われる。
次いで、ウェハ処理の例１とは異なり、レジスト塗布処理（ステップＳ２）の前に、酸性雰囲気処理（ステップＳ３Ａ）が行われる。
具体的には、前述のステップＳ３と同様に、酸性雰囲気処理が処理対象領域に対して局所的に行われる。これにより、処理対象領域内の下地膜の表面に、触媒としてのＨ+が供給される。
その後、レジスト塗布処理（ステップＳ２）、ＰＡＢ処理（ステップＳ４）、露光処理（ステップＳ５）、ＰＥＢ処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ７）、ＰＯＳＴ処理（ステップＳ８）、塗布現像処理装置１からのウェハＷの搬出（ステップＳ９）がこの順で行われる。
以上で、一連のウェハ処理が完了する。
以上のように、ウェハ処理の例２では、レジスト塗布処理前に酸性雰囲気処理を行うため、金属含有レジストのパターンの線幅を、当該線幅が細くなるよう制御することができる。特に、ウェハ処理の例２では、ウェハＷにおいて酸性雰囲気処理を行わないと線幅が他の領域より太くなる処理対象領域にのみ局所的に酸性雰囲気処理を行うため、当該処理対象領域の線幅を細くすることができ、線幅をウェハ面内でより均一にすることができる。
また、ウェハ処理の例２では、図１８に示すように、ウェハＷ上の金属含有レジスト膜Ｆの下面に、酸性雰囲気処理により、触媒としてのＨ+が供給される。そのため、酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果は、金属含有レジストのパターンの下部で大きい。したがって、酸性雰囲気処理を一切行わないと、図１９に示すように金属含有レジストのパターンＰの下部において上部よりも線幅が太くなるようなパターン形状崩れが発生する場合に、ウェハ処理の例２のように酸性雰囲気処理を行うことにより、以下の効果が得られる。すなわち、図１６に示すように金属含有レジストのパターンＰの線幅を高さ方向の位置によらず均一にすることができる。
また、酸性雰囲気処理を一切行わないと上述のよう下部が太くなるパターン形状崩れがウェハＷの一部に発生する場合に、ウェハ処理の例２のように酸性雰囲気処理を局所的に行い且つ処理対象領域を上記形状崩れが発生する領域とすることにより、以下の効果が得られる。すなわち、金属含有レジストのパターン形状をウェハ面内でより均一にすることができる。
＜ウェハ処理の例３＞
図２０は、ウェハ処理の例３の主な工程を示すフローチャートである。ウェハ処理の例３では、前述の知見（Ｙ）に基づき、露光処理からＰＥＢ処理までの間に、具体的には、露光処理後であってＰＥＢ処理前に、酸性雰囲気処理を行う。
より具体的には、ウェハ処理の例３では、まず、図２０に示すように、ウェハ処理の例１と同様、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入（ステップＳ１）、レジスト塗布処理（ステップＳ２）がこの順で行われる。
次いで、ウェハ処理の例１とは異なり、レジスト塗布処理（ステップＳ２）の後に、ＰＡＢ処理（ステップＳ４）、露光処理（ステップＳ５）がこの順で行われる。その後、酸性雰囲気処理（ステップＳ３Ｂ）が行われる。
具体的には、前述のステップＳ３と同様に、酸性雰囲気処理が処理対象領域に対して局所的に行われる。これにより、処理対象領域内の露光後の金属含有レジスト膜の表面に、触媒としてのＨ+が供給される。
酸性雰囲気処理後、ＰＥＢ処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ７）、ＰＯＳＴ処理（ステップＳ８）、塗布現像処理装置１からのウェハＷの搬出（ステップＳ９）がこの順で行われる。
以上で、一連のウェハ処理が完了する。
以上のように、ウェハ処理の例３では、露光処理後であってＰＥＢ処理前に酸性雰囲気処理を行うため、金属含有レジストのパターンの線幅を、当該線幅が細くなるよう制御することができる。特に、ウェハ処理の例３では、ウェハＷにおいて酸性雰囲気処理を行わないと線幅が他の領域より太くなる処理対象領域にのみ局所的に酸性雰囲気処理を行うため、当該処理対象領域の線幅を細くすることができ、線幅をウェハ面内でより均一にすることができる。
また、ウェハ処理の例３では、ウェハ処理の例１と同様、ウェハＷ上の金属含有レジスト膜Ｆの表面に、酸性雰囲気処理により、触媒としてのＨ+が供給される。しかし、ウェハ処理の例１では、露光前であり加水分解反応量が少ないため（すなわち加水分解が進む余地があるため）、触媒供給の有無により反応速度に差が大きく生じるのに対し、ウェハ処理の例３では、露光後であり加水分解がほぼ終了しているため、触媒供給の有無により加水分解の反応速度に差が生じにくい。そのため、ウェハ処理の例３において、酸性雰囲気処理により線幅が細くなる効果は、金属含有レジストのパターンの上部と下部で略同一である。言い換えれば、ウェハ処理の例３によれば、金属含有レジストのパターンの線幅を高さ方向の位置によらず略均一に細くすることができる。
＜ウェハ処理の例４＞
図２１は、ウェハ処理の例４の主な工程を示すフローチャートである。ウェハ処理の例４では、前述の知見（Ｚ）に基づき、ＰＥＢ処理から現像処理までの間に、具体的には、ＰＥＢ処理後であって現像処理前に、酸性雰囲気処理を行う。
より具体的には、ウェハ処理の例４では、まず、図２１に示すように、ウェハ処理の例３と同様、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入（ステップＳ１）、レジスト塗布処理（ステップＳ２）、ＰＡＢ処理（ステップＳ４）、露光処理（ステップＳ５）がこの順で行われる。次いで、ウェハ処理の例３と異なり、ＰＥＢ処理（ステップＳ６）が行われる。
その後、酸性雰囲気処理（ステップＳ３Ｃ）が行われる。
具体的には、前述のステップＳ３と同様に、酸性雰囲気処理が処理対象領域に対して局所的に行われる。これにより、処理対象領域内のＰＥＢ処理後の金属含有レジスト膜の表面に、触媒としてのＨ+が供給される。ただし、本例４の酸性雰囲気処理の処理対象領域は、ウェハ処理の例１と異なり、当該領域に酸性雰囲気処理を行わないと、金属含有レジストの線幅が他の領域より細くなってしまう領域である。
酸性雰囲気処理後、現像処理（ステップＳ７）、ＰＯＳＴ処理（ステップＳ８）、塗布現像処理装置１からのウェハＷの搬出（ステップＳ９）がこの順で行われる。
以上で、一連のウェハ処理が完了する。
以上のように、ウェハ処理の例４では、ＰＥＢ処理後であって現像処理前に酸性雰囲気処理を行うため、金属含有レジストのパターンの線幅を、当該線幅が太くなるよう制御することができる。特に、ウェハ処理の例４では、ウェハＷにおいて酸性雰囲気処理を行わないと線幅が他の領域より細くなる処理対象領域にのみ局所的に酸性雰囲気処理を行うため、当該処理対象領域の線幅を太くすることができ、線幅をウェハ面内でより均一にすることができる。
また、ウェハ処理の例４では、ウェハ処理の例１と同様、ウェハＷ上の金属含有レジスト膜Ｆの表面に、酸性雰囲気処理により、触媒としてのＨ+が供給される。しかし、ウェハ処理の例１と異なり、ウェハ処理の例４は、ＰＥＢ処理後であり加水分解よりも脱水縮合の方が優位であるが、脱水縮合がある程度進行しているため、触媒供給の有無により脱水縮合の反応速度に差が生じにくい。そのため、ウェハ処理の例４において、酸性雰囲気処理により線幅が太くなる効果は、金属含有レジストのパターンの上部と下部で略同一である。言い換えれば、ウェハ処理の例４によれば、金属含有レジストのパターンの線幅を高さ方向の位置によらず略均一に太くすることができる。
さらに、ウェハ処理の例４によれば、露光量が少なくても、太い線幅の金属含有レジストのパターンを得ることができる。つまり、ウェハ処理の例４によれば、目標の線幅のパターンを得るための露光量を抑えることができる。そのため、大きな電力が必要なＥＵＶ用の露光装置４で消費される電力を抑えることができるので、電力生成に伴うＣＯ２の発生量を低減することができる。
以上のように、本開示は、ウェハＷに対し金属含有レジストのパターンを形成するための処理を行う方法であって、現像処理までの間にウェハ存在空間の酸濃度を変化させる方法を提供する。この方法によれば、金属含有レジストのパターンの線幅を適切に制御することができる。
＜変形例＞
以上では、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入後から現像処理までの間に、１つの期間でのみ（すなわち１回のみ）、酸性雰囲気処理ユニット３２による酸性雰囲気処理を行っていた。これに代えて、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入後から現像処理までの間に含まれる複数の期間それぞれで、酸性雰囲気処理ユニット３２による酸性雰囲気処理を行ってもよい。
上記複数の期間は、例えば、ＰＥＢ処理の前と、ＰＥＢ処理の後の２つである。また、ＰＥＢ処理の前とは、レジスト塗布処理から露光処理までの間（具体的にはレジスト塗布処理からＰＡＢ処理までの間）と露光処理から露光後加熱処理までの間との少なくともいずれか一方である。
以下、ＰＥＢ処理の前とＰＥＢ処理の後との両方で、酸性雰囲気処理ユニット３２による酸性雰囲気処理を行う理由について説明する。
図５を用いて説明したように、金属含有レジストの露光領域Ａ１における未露光領域Ａ２に近い部分には、露光されるが露光領域Ａ１の中心より露光量が少ない中間露光領域Ａ３が存在する。酸性雰囲気処理を一切行わない従来の方法で、図２２に示すように目標線幅Ｔの金属含有レジストのパターンＰが得られたとしても、当該パターンＰに中間露光領域Ａ３に相当する部分Ｐ１が含まれていると、当該部分Ｐ１の緻密度が不足し、当該パターンＰのエッチング耐性が不十分となる。
ＰＥＢ処理の後に酸性雰囲気処理を行うことにより、中間露光領域Ａ３内で脱水縮合が進み、金属含有レジストのパターンにおける中間露光領域Ａ３に相当する部分の緻密度が高まる。しかし、図２３に示すように金属含有レジストのパターンにおける中間露光領域Ａ３に相当する部分Ｐ１が広がってしまい、パターンの線幅が目標線幅Ｔより太くなってしまうおそれがある。
そこで、ＰＥＢ処理の前とＰＥＢ処理の後との両方で酸性雰囲気処理を行う。
具体的には、ＰＥＢ処理の前に酸性雰囲気処理を行うことにより、図２４に示すように、あたかも中間露光領域Ａ３の略全体が目標線幅Ｔとなる領域の内側に移動するようにする。そして、ＰＥＢ処理の後にも酸性雰囲気処理を行い、中間露光領域Ａ３の略全体を緻密化させる。その後に現像することにより得られるパターンＰは、図２５に示すように、中間露光領域Ａ３に相当する部分Ｐ１を含むが、当該部分Ｐ１を含め全体的に緻密度及びエッチング耐性が高く、且つ、目標線幅Ｔを有するものとなる。
言い換えると、パターンの線幅を抑えながら、パターンのエッチング耐性を向上させることができる。
また、以上の例では、ウェハＷに対し、酸性雰囲気処理を局所的に行っていたが、ウェハＷの全面に対し、酸性雰囲気処理を行ってもよい。
図２６は、酸性雰囲気処理ユニットの他の例の概略を示す縦断面図である。
図２６の酸性雰囲気処理ユニット３２Ａは、ウェハＷの全面に対し、酸性雰囲気処理を行うための装置であり、図１１の酸性雰囲気処理ユニット３２と同様、スピンチャック３１０やカップ３１２を有する。ただし、酸性雰囲気処理ユニット３２Ａは、図１１の酸性雰囲気処理ユニット３２と異なり、吐出ノズル３２２及びＦＦＵ３４０を有さず、代わりに、ガス流形成ユニット３５０を有する。ガス流形成ユニット３５０は、酸性ガスを含む処理ガスとしての、酢酸ガスを含むドライエアの下降気流を形成し、当該ドライエアをカップ３１２内のウェハＷの全面に一度に供給する。
ガス流形成ユニット３５０は、供給管３３０を介して供給機構３３１Ａに接続されている。供給機構３３１Ａは、酢酸ガスを含むドライエアをガス流形成ユニット３５０に供給する。供給機構３３１Ａでは、ドライエアの供給源（図示せず）からのドライエアを、供給管３３３を介してボトル３３２に供給することにより、酢酸ガスを含むドライエアを、供給管３３０を介してガス流形成ユニット３５０に供給することができる。
ガス流形成ユニット３５０は昇降可能に構成されていてもよい。昇降可能に構成されている場合、酸性雰囲気処理の際、カップ３１２の上部開口がガス流形成ユニット３５０で塞がれるように、ガス流形成ユニット３５０を加工させてもよい。
前述のウェハ処理の例１と同様に、レジスト塗布処理後であってＰＡＢ処理前にウェハＷの全面に対し酸性雰囲気処理を行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅及び金属含有レジストのパターン形状を、異なるウェハＷ間で均一にすることができる。
また、前述のウェハ処理の例２と同様に、塗布現像処理装置１内へのウェハＷの搬入後であってレジスト塗布処理前に、酸性雰囲気処理をウェハＷの全面に対し行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅及び金属含有レジストのパターン形状を、異なるウェハＷ間で均一にすることができる。
前述のウェハ処理の例３と同様に、露光処理後であってＰＥＢ処理前に、ウェハＷの全面に対し酸性雰囲気処理を行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅を、異なるウェハＷ間で均一にすることができる。
前述のウェハ処理の例４と同様に、ＰＥＢ処理後であって現像処理前に、ウェハＷの全面に対し酸性雰囲気処理を行うことにより、金属含有レジストのパターンの線幅を、異なるウェハＷ間で均一にすることができ、また、ＣＯ２の発生量を低減することができる。
なお、ウェハＷの全面に対する酸性雰囲気処理を、図２６の酸性雰囲気処理ユニット３２Ａではなく、図１１の酸性雰囲気処理ユニット３２で行ってもよい。
また、以上の例では、酸性雰囲気処理に酸性ガスとして酢酸ガスを用いていたが、他の有機酸ガスを用いてもよいし、有機酸ガス以外の酸性ガスであってもよい。なお、ＰＥＢ処理後であって現像処理前に行う酸性雰囲気処理には、酢酸、クエン酸、シュウ酸、ギ酸等のカルボン酸のガスが好適に用いられる。
以上の例では、金属含有レジストの下地膜がＳｏＣ膜であった。しかし、上記下地膜は、ＳｏＣ膜に限られず、例えば、ＳｉＣ膜であってもよいし、シリコン含有反射防止コーティング膜として用いられる膜であってもよい。
また、以上の例では、金属含有レジストの下地膜としてのＳｏＣ膜がウェハＷに予め形成されているものとしたが、上記下地膜は塗布現像処理装置１で形成されてもよい。
さらに、以上の例では、酸性雰囲気処理ユニットは、現像処理ユニット３０等の液処理ユニットと別体であったが、一体であってもよい。
以上の例では、酸性雰囲気処理ユニットは、処理ステーション３における現像処理ユニット３０等の液処理ユニットと平面視で重なる領域に設けられていたが、処理ステーション３における他の領域に設けられてもよい。また、酸性雰囲気処理ユニットは、塗布現像処理装置１における処理ステーション３以外の領域に設けられていてもよい。例えば、露光処理後であってＰＥＢ処理前に酸性雰囲気処理を行う場合には、当該酸性雰囲気処理を行う酸性雰囲気処理ユニットをインターフェイスステーション５に設けてもよい。これにより、酸性雰囲気処理を行う場合のスループットを向上させることができる。
以上の例では、酸性雰囲気処理ユニットは、塗布現像処理装置に組み込まれていた。すなわち、酸性雰囲気処理を行う装置と塗布現像処理装置とが一体化されていた。ただし、酸性雰囲気処理を行う装置は、塗布現像処理装置と別体であってもよい。より詳細には、酸性雰囲気処理を行う装置は、レジスト塗布処理、ＰＡＢ処理、ＰＥＢ処理、現像処理の少なくともいずれか１つを行う装置とは、別体の装置であってもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 塗布現像処理装置
３２ 酸性雰囲気処理ユニット
３２Ａ 酸性雰囲気処理ユニット
Ｋ 処理空間
Ｐ （金属含有レジスト膜の）パターン
Ｗ ウェハ

Claims (12)

  1. 基板に対し金属含有レジストのパターンを形成するための処理を行う基板処理方法であって、
    前記金属含有レジストの膜の現像処理までの間に基板処理装置内における前記基板が存在する基板存在空間の酸濃度を変化させる、基板処理方法。
  2. 前記基板存在空間は、
    前記基板に対し所定の処理を行う処理空間と、
    前記処理空間に対し基板を搬送する搬送機構が設けられた搬送空間と、を含み、
    前記基板存在空間の酸濃度を変化させる際、前記処理空間の酸濃度を上昇させ、
    前記搬送空間の酸濃度は、前記処理空間の最低酸濃度以下に維持される、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記金属含有レジストの膜の形成から当該膜に対する露光処理までの間に前記基板存在空間の酸濃度を上昇させる、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記金属含有レジストの膜に対する露光処理から露光後加熱処理までの間に前記基板存在空間の酸濃度を上昇させる、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 露光後加熱処理から前記現像処理までの間に前記基板存在空間の酸濃度を上昇させる、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  6. 前記基板処理装置内への前記基板の搬入から前記金属含有レジストの膜の形成までの間に前記基板存在空間の酸濃度を上昇させる、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  7. 前記現像処理までの間に含まれる複数の期間それぞれで前記基板存在空間の酸濃度を上昇させる、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  8. 前記複数の期間は、露光後加熱処理の前と、前記露光後加熱処理の後である、請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 請求項１～８のいずれか１項に記載の基板処理方法を前記基板処理装置に実行させるために、前記基板処理方法を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
  10. 基板に対し金属含有レジストのパターンを形成するための処理を行う基板処理装置であって、
    前記金属含有レジストの膜の現像処理までの間に当該基板処理装置内における前記基板が存在する基板存在空間の酸濃度を変化させる酸濃度変化部を有する、基板処理装置。
  11. 前記基板存在空間は、
    前記基板に対し所定の処理を行う処理空間と、
    前記処理空間に対し基板を搬送する搬送機構が設けられた搬送空間と、を含み、
    前記酸濃度変化部は、前記基板存在空間の酸濃度を変化させる際、前記処理空間の酸濃度を上昇させ、
    前記搬送空間の酸濃度は、前記処理空間の最低酸濃度以下に維持される、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記酸濃度変化部は、前記現像処理までの間に含まれる複数の期間それぞれで前記基板存在空間の酸濃度を上昇させる、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。
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