JP4267546B2 - 基板の製造方法 - Google Patents
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Description
〔1〕 平均粒子径が1 〜30nmであるコロイダルシリカ粒子と、酸と、水とを含有してなる研磨液組成物において、pHを0.1 〜6.5に、該コロイダルシリカ粒子の充填率を79〜90重量%に調整する工程、前記工程により調製された研磨液組成物を磁気ディスク用基板と研磨パッドとの間に導入し、該磁気ディスク用基板に接触させながら研磨する工程を有する基板の製造方法、
〔2〕 平均粒子径が1 〜30nmであるコロイダルシリカ粒子と、酸と、水とを含有してなる研磨液組成物において、pHを0.1 〜6.5に、該コロイダルシリカ粒子の充填率を79〜90重量%に調整する工程、前記工程により調製された研磨液組成物を磁気ディスク用基板と研磨パッドとの間に導入し、該磁気ディスク用基板に接触させながら研磨する工程を有する基板の研磨方法、並びに
〔3〕 平均粒子径が1 〜30nmであるコロイダルシリカ粒子と、酸と、水とを含有してなる研磨液組成物の調製において、pHを0.1 〜6.5に、該コロイダルシリカ粒子の充填率を79〜90重量%に調整することを特徴とする、研磨液組成物の調製方法、
に関する。
<充填率の求め方>
1)研磨液組成物25.0g を日立工機社製のポリアロマ製容器(40PAボトル)に計量し上部の蓋をしっかりと閉める。
2)日立工機株式会社製「TYPE:CP56G 」(最大速度:56,000r/m、電圧:200V、50/60Hz 、CUP :30A 、MFG .No:N0008 )の超遠心分離機を用いて(温度25℃)、20000 r/mで10時間連続運転する。
3)遠心分離により、容器の上部の水分と下部の研磨材は分離され、研磨材は容器の下部に圧縮されて沈降する(これをケークと呼ぶ)。容器上部の水分をピペットで丁寧に除去し、更に容器の内壁に付着する水滴や、沈降したケークの上部に残る水分を、容器を傾けケークに濾紙を接触させることなく、水分のみを濾紙で吸い取り、沈降したケーク(A)の重量を正確に測定する。沈降したケーク(A)は研磨材粒子の堆積物からなり、その粒子間には水分が存在している。
4)この沈降したケーク(A)を120 ℃で24時間東洋製作所(株)製、「ADVANTEC FC−610 FORCED CONVENTIONAL OVEN」を用いて乾燥した後、乾燥後固形物(B)の重量を測定する。
充填率(重量%)=(B/A)×100 (1)
乾燥による重量減少分は、沈降したケーク中に存在する水分の重量に相当する。A及びBは微量の添加剤を含むことがあるが、これを考慮せず(1)式を研磨材の充填率とする。
1)シリカ粒子を含有する研磨液組成物を研磨材粒子濃度が0.5 重量%になるようにエタノールで希釈する。希釈した溶液を約50℃に加熱したSEM用の試料台に均一に塗布する。その後、過剰の溶液を濾紙で吸い取り、溶液が凝集しないように均一に自然乾燥させる。
2)自然乾燥させたシリカ粒子にPt-Pd を蒸着させて、日立製作所(株)製電界効果走査型電子顕微鏡(FE−SEM:S-4000型)を用いて、視野中に500 個程度の研磨材粒子が観測されるように倍率を3000倍〜10万倍に調整し、一つの試料台について2 点観測し写真を撮影する。
3)撮影された写真(10.16cm ×12.7cm)をコピー機等によりA4サイズ(21.0cm×29.7cm)に拡大して、撮影された全てのシリカ粒子の粒径をノギス等により計測し集計する。この操作を数回繰り返して、計測するシリカ粒子の数が2000個以上になるようにする。
研磨材の充填率が79〜90重量%である研磨液組成物を、基板と研磨パッドとの間に導入し、該基板に接触させながら研磨する工程を有する基板の製造方法。
中でも、前記態様の基板の製造方法において、研磨材の平均粒子径は、表面を平滑にする観点から、好ましくは1〜30nm、より好ましくは5 〜30nm、さらに好ましくは10〜25nmである。
具体的には、不織布状の有機高分子系研磨布等を貼り付けた研磨盤で基板を挟み込み、研磨液組成物を基板表面に供給し、一定圧力を加えながら研磨盤や基板を動かすことにより研磨する方法等が挙げられる。
表1、2に示す組成を有する研磨液組成物を調製した。硫酸(98重量%品、和光純薬工業社製)及び/又はHEDP(1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸60重量%品、ソルーシア・ジャパン)の水溶液に、要すれば過酸化水素水(35重量%品、旭電化工業社製)を添加、混合し、最後にコロイダルシリカスラリー(30〜40重量%品、媒体:水)を攪拌しながら加えた。
A:デュポン社製(平均粒子径27nm)
B:デュポン社製(平均粒子径17nm)
C:日産化学工業社製(平均粒子径15nm)
D:デュポン社製(平均粒子径40nm)
E:日産化学工業社製(平均粒子径10nm)
・研磨試験機:スピードファム社製、両面9B研磨機
・研磨布:富士紡績社製 ウレタン製研磨パッド
・定盤回転数:32.5r/m
・研磨液組成物供給量:100mL/min
・研磨時間:4分
・研磨荷重:7.8kPa
・投入した基板の枚数:10枚
前記方法に従い測定した。
pHメーター(東亜電波工業(株)製、ガラス式水素イオン濃度指示計「HM−30G」)を用いて、研磨液組成物のpHを直接測定した。
研磨試験前後の基板の重量差(g)を被研磨物の密度(8.4g/cm3 )で除し、さらにディスクの表面積(65.97cm2 )と研磨時間で除することにより、単位時間当たりの両面研磨量(μm/min)を算出した。
・測定機器:VISION PSYTEC社製、「MicroMax VMX−2100CSP」
・光源:2Sλ(250W)及び3Pλ(250W)共に100%
・チルド角:−6°
・倍率:最大(視野範囲:全面積の120分の1)
・観察領域:全面積(外周95mmφで内周25mmの基板)
・アイリス:notch
・評価:研磨試験機に投入した基板の中、無作為に4枚を選択し、その4枚の基板の各々両面にあるナノスクラッチ数(本)の合計を8で除して、基板面当たりのナノスクラッチ数を算出した。
・測定機器:デジタルインスツルメント社製、「NanoscopeIII 、Dimension3000」
・Scanrate:1.0Hz
・Scanarea:2×2μm
・評価:基板の両面の内周と外周間の中心を120°毎に各3点で基板の中心線平均粗さ(AFM−Ra)を計6点測定し、その平均値とした。
また、比較例1、2、5、6、7、10、11に示す通り、充填率が低ければ、ナノスクラッチは多く、比較例3、4、8、9に示す通り、充填率が79重量%以上と高くても平均粒子径が30nmを超える場合は、表面粗さが大きくなった。
被研磨基板として、外周65mm、内周20mm、厚さ0.65mm、Ra4.0Åの強化ガラス製基板を用いて研磨評価を行なった。
表5に示すような研磨液組成物を調製した。塩酸(36重量%品、和光純薬工業社製)の水溶液に、コロイダルシリカスラリーA〜Cを攪拌しながら加えた。 なお、コロイダルシリカスラリーA〜Cは、前記と同じものである。
・研磨試験機:ムサシノ電子社製、MA−300製(片面研磨機、定盤直径300mm、キャリア強制駆動式)
・研磨布:カネボウ社製、スウェードタイプ研磨パッド
・定盤回転数:90r/min
・キャリア回転数:90r/min
・研磨液組成物供給量:50mL/min
・研磨時間:10分
・研磨荷重:14.7kPa
・1回の研磨で投入した基板の枚数:1枚
研磨試験前後の基板の重量差(g)を被研磨物の密度(2.41g/cm3 )で除し、さらにディスクの表面積(30.04cm2 )と研磨時間で除することにより、単位時間当たりの片面研磨量を算出した。
測定機器、評価方法は、実施例1と同じものを用いた。
なお、ガラス基板の場合は、AFM−Raが0.3nm以下であるものを合格品とする。
Claims (11)
- 平均粒子径が1 〜30nmであるコロイダルシリカ粒子と、酸と、水とを含有してなる研磨液組成物において、pHを0.1 〜6.5に、該コロイダルシリカ粒子の充填率を79〜90重量%に調整する工程、前記工程により調製された研磨液組成物を磁気ディスク用基板と研磨パッドとの間に導入し、該磁気ディスク用基板に接触させながら研磨する工程を有する基板の製造方法。
- コロイダルシリカ粒子の充填率を、コロイダルシリカの製造段階における粒子の成長過程で新たな核となる粒子を加えることにより様々な粒径を有する粒子を混在させる方法、異なる粒子径を有する2種以上のコロイダルシリカ粒子を混合する方法、及びコロイダルシリカ粒子の表面修飾又は添加剤により粒子間の反発力を小さくする方法よりなる群から選択される1種以上の方法により調整する、請求項1記載の基板の製造方法。
- 酸が、無機酸及び有機ホスホン酸からなる群から選択される1種以上の酸である、請求項1又は2記載の基板の製造方法。
- 研磨液組成物中におけるコロイダルシリカ粒子の含有量が0.5〜20重量%である、請求項1〜3いずれか記載の基板の製造方法。
- 研磨液組成物が過酸化水素をさらに含有する、請求項1〜4いずれかに記載の基板の製造方法。
- 磁気ディスク用基板がNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項1〜5いずれか記載の基板の製造方法。
- 磁気ディスク用基板がガラス基板である、請求項1〜5いずれか記載の基板の製造方法。
- 平均粒子径が1 〜30nmであるコロイダルシリカ粒子と、酸と、水とを含有してなる研磨液組成物において、pHを0.1 〜6.5に、該コロイダルシリカ粒子の充填率を79〜90重量%に調整する工程、前記工程により調製された研磨液組成物を磁気ディスク用基板と研磨パッドとの間に導入し、該磁気ディスク用基板に接触させながら研磨する工程を有する基板の研磨方法。
- 平均粒子径が1 〜30nmであるコロイダルシリカ粒子と、酸と、水とを含有してなる研磨液組成物の調製において、pHを0.1 〜6.5に、該コロイダルシリカ粒子の充填率を79〜90重量%に調整することを特徴とする、研磨液組成物の調製方法。
- コロイダルシリカ粒子の充填率を、コロイダルシリカの製造段階における粒子の成長過程で新たな核となる粒子を加えることにより様々な粒径を有する粒子を混在させる方法、異なる粒子径を有する2種以上のコロイダルシリカ粒子を混合する方法、及びコロイダルシリカ粒子の表面修飾又は添加剤により粒子間の反発力を小さくする方法よりなる群から選択される1種以上の方法により調整する、請求項9記載の調製方法。
- 研磨液組成物が過酸化水素をさらに含有する、請求項9又は10記載の調製方法。
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