JP3988725B2 - 電力変換装置及びそれを備えた電力システム並びに移動体 - Google Patents
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Description
本発明は、負荷に供給される電力を制御する電力変換装置及びそれを備えた電力システム並びに移動体に関する。
背景技術
負荷に電力を供給する電力システムでは、負荷に流れる負荷電流などに基づいて電力変換装置を制御し、負荷に供給される電力を制御している。このため、電力システムには、負荷に流れる負荷電流を検出するための電流検出器が設けられている。
従来、負荷に電力を供給する電力システム、例えば電気自動車,ハイブリッド自動車などの駆動源である電動機に蓄電池からの直流電力を交流電力に変換して供給する電動機駆動システムでは、例えば特開平11−136960号公報に記載された電流検出器を、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置に備え、電動機に供給される電流を検出している。この従来の電流検出器は、電力変換装置の回路モジュールの出力導体であるブスバーに嵌着された環状の磁性コアのギャップにホール素子を収容したものであり、電力変換装置の回路モジュールを構成する冷却ブロックに嵌着されている。
また、最近では、例えば特開2001−221815号公報,特開2002−40058号公報に記載されているように、U字状の導体の内側中央にホール素子を配置し、その部分に集中する磁束をホール素子に直接入力し、U字状の導体に流れる電流を検出する電流検出器が提案されている。この電流検出器は、U字状の導体及び樹脂成形体からなる第1部品と、ホール素子を含む半導体チップが固着された支持板,リード端子及び樹脂成形体からなる第2部品とが接着されて構成されている。
さらに、最近では、例えば特開2000−19199号公報に記載されているように、線対称又は点対称に電流経路を形成してその中心部の磁束密度が略一定となる位置にホール素子を配置し、小型かつ低価格で電流経路を流れる電流を検出する電流検出方法なども提案されている。
負荷に電力を供給する電力システム、例えば電気自動車,ハイブリッド自動車などの駆動源である電動機に蓄電池からの直流電力を交流電力に変換して供給する電動機駆動システムでは、電気自動車,ハイブリッド自動車などの電動車両の低価格化,燃費の向上,一充電あたりの走行距離の向上,電力変換装置の実装スペースの縮小化などから、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置の小型化及び低価格化が検討されている。
これを達成するためには、電力変換装置を構成する部品のうち、構成部品間の絶縁距離をとる必要がある高電圧部品,大電流の印加によって発熱する部品を小型化してこれらを集積化し、絶縁性及び放熱性に優れたモジュールを形成することが望ましく、近年、様々なモジュールが提案されている。最近では、前述した特開平11−136960号公報に記載のように、電流検出器を集積化したモージュールも提案されている。
しかしながら、特開平11−136960号公報に記載された電流検出器では磁性コアを必要とするので、冷却ブロックの大型化を招くことなく冷却ブロックの内部に電流検出器を設けることができない。すなわち磁性コアを用いた電流検出器では、通電導体に流れる電流を検出するにあたり、磁性コアが飽和しないようにギャップ幅などで磁束量を調節したり、磁性コアの実効断面積を大きく、実効磁路長を短くしたり必要などがあり、磁性コアを小型化することが難しい。このため、冷却ブロックの内部に設置する場合には、冷却ブロックを大型化せざるを得なくなる。また、冷却ブロックの側壁に設ける場合でも、冷却ブロックの側壁を外側に突出させて磁性コアを設ける必要があり、冷却ブロックを大型化せざるを得ない。
発明の開示
上記課題を解決するために本願の発明者らは、通電導体に電流が流れることによって生成される磁束をホール素子に直接入力して通電導体に流れる電流を検出する電流検出器の電力変換装置への適用に着目した。そこで、電流検出器の電力変換装置への取り付け方について検討した。
まず、例えば特開2001−221815号公報,特開2002−40058号公報に記載された電流検出器の電力変換装置への適用を検討した。この場合の電流検出器の電力変換装置への取り付け方としては、放熱用導電性部材上に半田で固着した絶縁基板上の電極に、半導体素子などと共に電流検出器の検出導体を半田で固着することが考えられる。しかし、上述の取り付け方では、放熱用導電性部材及び電流検出器の温度を半田の融点温度以上の温度に均一に上昇させて半田付けしなければならい。しかも、半田付け工程の温度プロファイルで半田の融点温度以上の温度を数分以上必要とする場合も多い。このため、上述の取り付け方では、ホール素子と樹脂成形体との線膨張係数の差によって生じる熱応力などによってホール素子に永久歪みが生じ、電流検出器の検出精度が低下すると考えられる。
また、上述の電流検出器のように、ホール素子を含む半導体チップが固着された支持板,リード端子及び樹脂成形体からなる部品を通電導体上にシート状の接着層或いは絶縁層を介して接着させる取り付け方が考えられる。しかし、上述の取り付け方では、接着層或いは絶縁層の厚さにバラツキが生じた場合、ホール素子と通電導体との間の間隔にバラツキが生じ、電流検出器の検出精度が低下すると考えられる。
さらに、上述の電流検出器のように、通電導体に位置決めのための第1樹脂成形体を設け、ホール素子を含む半導体チップが固着された支持板,リード端子及び第2樹脂成形体からなる部品の第2樹脂成形体を第1樹脂成形体に組み合わせる取り付け方が考えられる。しかし、上述の取り付け方では、位置決め治具となる第1樹脂成形体の微細部分を高精度に樹脂成形しなければならず、歩留まりが低下して製造コストが上昇すると考えられる。
また、例えば特開2000−19199号公報に記載された電流検出方法のように、通電導体を線対称又は点対称に形成し、その中心部の磁束密度が略一定となる位置にホール素子を配置する取り付け方が考えられる。しかし、上述の取り付け方では、通電導体の配置の自由度が損なわれると考えられる。また、上述の取り付け方では、放熱用導電性部材上に半田で固着した絶縁基板上の電極を線対称又は点対称に形成すると、一方の電極に流れる電流が作る磁束が他方の電極に鎖交し、他方の電極に渦電流が流れる。これにより、他方の電極には渦電流による磁束が生成される。このため、上述の取り付け方では、他方の電極に流れた渦電流によって生成された磁束がホール素子で検出され、電流検出器の検出精度が低下すると考えられる。
さらに、本願の発明者らは、電流検出器の電力変換装置への適用をさらに現実のものとすために検討を進めた。電力変換装置、例えば電気自動車,ハイブリッド自動車向けのものでは、検出すべき電流が数百アンペアと大きく、電流検出器の検出用導体での抵抗損失が過大に発生するので、検出用導体の放熱が必要になってくる。この場合の電流検出器の取り付け方としては、放熱用導電性部材上に半田で固着された絶縁基板上の電極に、電力変換用半導体素子などと共に検出用導体を半田で固着することが考えられる。
しかし、上述の取り付け方では、検出用導体に流れる電流が作る検出磁束が放熱用導電性部材と鎖交するので、放熱用導電性部材に電磁気学で用いられる鏡像法(若しくは影像法)に基づく鏡像電流が流れる。一般に鏡像電流は、検出電流によって誘導された誘導電流(或いは渦電流ともいう)であり、検出電流の周波数と放熱用導電性部材の導電率及び透磁率の積の平方根に比例して放熱用導電性部材表面近傍を流れ、特に放熱用導電性部材の抵抗が極めて小さい場合、若しくは検出電流の周波数が極めて高い場合に放熱用導電性部材表面を対称面とした位置に検出電流と同じ大きさで逆方向に流れ、放熱用導電性部材周辺に磁束を生成する。従って、ホール素子は、検出用導体に流れる検出電流が生成した磁束に加えて鏡像電流による磁束を検出することになるので、特開2000−19199号公報に記載された電流検出方法と同じように、電流検出器の検出精度が低下すると考えられる。また、鏡像電流により生成される磁束は検出電流の周波数に応じて変化(周波数に依存)する特性をもっている。従って、ホール素子の検出結果が検出電流の周波数により変化し、電流検出器の検出精度が低下すると考えられる。
このように、通電導体が作る磁束をホール素子に直接入力して通電導体に流れる電流を検出する電流検出器の電力変換装置への適用にあたっては、電流検出器の検出精度が低下することが判明した。そこで、本願の発明者らは、電流検出器の検出精度の低下を抑制することができる電流検出器の構成及び電力変換装置への取り付け方についてさらに検討を重ねた。その結果、電流検出器を電力変換装置に取り付けるのに望ましい電流検出器の取り付け方及び電流検出器の構成を発見することができた。
ここに、本発明は、小型でかつ高精度な電力制御が行える電力変換装置及びそれを備えた電力システム並びに移動体を提供する。また、本発明は、小型でかつ高精度な電流検出が行える電流検出器を備えた電力変換装置及びそれを備えた電力システム並びに移動体を提供する。
上記電力変換装置は、絶縁部材を介して導電性部材上に載置された電力制御用半導体素子、及び電力制御用半導体素子に入力される或いは電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部とを有するものにおいて、電流検出器を、電力制御用半導体素子と電気的に接続されると共に、絶縁部材を介して導電性部材上に載置され、かつ絶縁部材を介して導電性部材上に積層された部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい部分を有する導体と、絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい導体部分に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものから構成することにより達成することができる。
上記電力変換装置によれば、導体が作る磁束を磁気検出用半導体素子に直接入力して導体に流れる電流を検出する電流検出器を電力変換装置に用いたので、従来よりも電流検出器を小型にでき、電流検出器を電力変換装置のパワーモジュール部の内部に設けることができる。従って、上記電力変換装置によれば、電力変換装置の内部に電流検出器を設けるスーペスが不要となるので、電力変換装置を小型化することができる。しかも、上記電力変換装置によれば、パワーモジュール部の大型化も抑制することができる。
また、上記電力変換装置によれば、絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい導体部分に磁気検出部を設ける或いはその近傍に配置しているので、導体に流れる電流によって生成された磁束が導電性部材に鎖交し、導電性部材に渦電流(誘導電流)が流れることによって生成される磁束の影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。すなわち導体に流れる電流によって生成された磁束が導電性部材に鎖交する量は、導体に流れる電流によって生成された磁束と導電性部材の磁気的な結合係数の大小によって変化する。これにより、渦電流(誘導電流)の大きさが上記結合係数の大きさに比例して変化する。このため、検出用導体と導電性部材との相対的距離が大きくなると、導体に流れる電流によって生成された磁束の漏れる量が増加して上記結合係数が小さくなる。これにより、渦電流(誘導電流)つまり鏡像電流が減少して、渦電流(誘導電流)が流れることによって生成される磁束の影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
上記電力変換装置において、磁気検出部が設けられた或いは磁気検出部の近傍に配置された導体部分は、導電性部材との相対的距離が電力制御用半導体素子と導電性部材との相対的距離よりも大きく、絶縁部材を介して導電性部材上に積層される導体部分よりも導電性部材から遠ざかる方向に突出している。ここで、突出部分は、絶縁部材を介して導電性部材上に積層される導体部分から屈曲し、導電性部材から遠ざかる方向に延びるものである。或いは導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分からさらに屈曲して延びるものである。或いは導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分からさらに複数屈曲して、導電性部材上に至るものである。或いは絶縁部材を介して導電性部材上に積層される部分が導電性部材の載置面と平行な平面上において流す電流を、平面から遠ざかる方向に流して平面に近づく方向に流すものである。
上記電力変換装置において、絶縁部材を介して導電性部材上に積層される導体部分よりも導電性部材に対する相対距離が大きい導体部分に対応する導電性部材部分の厚みを他の部分の厚みよりも小さくすることにより、磁気検出部が設けられた或いは磁気検出部の近傍に配置された導体部分の導電性部材に対する相対的距離を、絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも大きくすることができる。
上記電力変換装置において、磁気検出部は、絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい導体部分で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、或いは導電性部材に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の磁束を検出できるように、絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい導体部分に設けられる或いはその近傍に配置される。
上記電力変換装置において、絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい導体部分は、導電性部材に対して垂直で導電性部材から遠ざかる方向に延びる部分を有しており、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、導電性部材及び導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分に対して垂直で導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分に対して平行になるように、導電性部材に対して垂直で導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分に設けられる。或いは絶縁部材を介して導電性部材上に積層された導体部分よりも導電性部材に対する相対的距離が大きい導体部分は、導電性部材に対して平行に延びる部分を有しており、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、導電性部材に対して平行に延びる導体部分に対して垂直かつ平行になるように、導電性部材に対して平行に延びる導体部分に設けられる。
上記電力変換装置は、導体を介して負荷或いは電力供給手段と電気的に接続された電力制御用半導体素子を有するパワーモジュール部と、電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、導体に設けられた電流検出器とを有するものにおいて、電流検出器を、磁気検出用半導体素子と、磁気検出用半導体素子と制御部とを電気的に接続する接続導体の一部とが樹脂で梱包された磁気検出部を有するものであり、磁気検出部の少なくとも一部が、導体に形成された窪みに収納されるものから構成することにより達成することができる。
上記電力変換装置によれば、磁気検出部の少なくとも一部分を導体の窪みに収納しているので、磁気検出用半導体素子と導体との間の間隔を一定に保つことができる。従って、上記電力変換装置によれば、磁気検出用半導体素子と導体との間にバラツキを生じることがないので、電流検出器の検出精度の低下を防止することができる。また、上記電力変換装置によれば、磁気検出部の少なくとも一部分を導体の窪みに収納しているので、位置決めが簡単に行うことができる。従って、上記電力変換装置によれば、歩留まりの低下を抑制することができ、電力変換装置の製造コストの上昇を抑えることができる。
上記電力変換装置において、導体は、負荷或いは電力供給手段に電気的に接続された配線がネジの締め付けによって電気的に接続された端子台の電極とパワーモジュール部或いは制御部とを電気的に接続する端子台の引出電極であり、引出電極には窪みが形成されている。
上記電力変換装置は、電力制御用半導体素子、及び電力制御用半導体素子に入力される或いは電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有するものにおいて、電流検出器を、電力制御用半導体素子と電気的に接続された導体と、導体に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、導体で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するものから構成することにより達成することができる。
上記電力変換装置によれば、導体で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するので、導電性部材に生じる誘導電流によって生成され、検出電流の周波数に依存する磁束が電流検出器の検出結果に与える影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。すなわち導電性部材に対して平行な成分をもつ直線的な検出電流が流れると、その平行な成分に対して平行で逆向きの誘導電流が導電性部材に流れて磁束を生成する。誘導電流による磁束は、導電性部材に対して垂直で誘導電流に対して直交する平面に対して平行な成分であり、導電性部材或いは誘導電流に対して平行な成分を持たない。従って、導体で生成される磁束のうち、導電性部材或いは誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出すれば、周波数依存特性を持つ誘導電流の影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
上記電力変換装置において、導体は、導電性部材から遠ざかる方向に延びる部分を有しており、磁気検出部は、導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出する。
上記電力変換装置において、導体は、導電性部材に対して垂直で導電性部材から遠ざかる方向に延びる部分を有しており、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、導電性部材及び導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分に対して垂直かつ導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分に対して平行になるように、導電性部材に対して垂直で導電性部材から遠ざかる方向に延びる導体部分に設けられる。
上記電力変換装置において、導体は、導電性部材に対して平行に延びるものであって、少なくとも第1及び第2の屈曲部を有するものであり、磁気検出部は、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる電気誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出する。
上記電力変換装置において、導体は、導電性部材に対して平行に延びるものであって、少なくとも第1及び第2の屈曲部を有するものであり、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分及び導電性部材に対して垂直で第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分に対して平行になるように、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分に設けられる。
上記電力変換装置は、電力制御用半導体素子、及び電力制御用半導体素子に入力される或いは電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有するものにおいて、電流検出器を、電力制御用半導体素子と電気的に接続されると共に、導電性部材に対して平行に延び、かつ少なくとも第1及び第2の屈曲部を有する導体と、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するものから構成することにより達成することができる。
上記電力変換装置によれば、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するので、導電性部材に生じる誘導電流によって生成され、検出電流の周波数に依存する磁束が電流検出器の検出結果に与える影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。すなわち導電性部材に対して平行に延びる導体に少なくとも第1及び第2の屈曲部を形成することにより、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分近傍の導電性部材に流れる誘導電流を、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分に対してほぼ直交するように交差して流すことができる。誘導電流よって生成される磁束は、導電性部材に対して垂直で誘導電流に対して直交する平面に対して平行な成分であり、導電性部材に対して垂直で誘導電流に対して平行な平面に対して平行な成分を持たない。従って、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出すれば、導電性部材上において導体が導電性部材に対して平行に延びるものであっても、周波数依存特性を持つ誘導電流の影響を抑制して導体に流れる電流を検出することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
上記電力変換装置において、導体は、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分である第1の導体部と、第1の導体部から第1の屈曲部で屈曲して延びる第2の導体部と、第1の導体部から第2の屈曲部で屈曲して延びる第3の導体部から構成されており、磁気検出部は、第1の導体部で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出する。
上記電力変換装置において、導体は、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分である第1の導体部と、第1の導体部から第1の屈曲部で屈曲して延びる第2の導体部と、第1の導体部から第2の屈曲部で屈曲して延びる第3の導体部から構成されており、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、第1の導体部及び導電性部材に対して垂直で第1の導体部に対して平行になるように、第1の導体部に設けられる。
上記電力変換装置は、電力制御用半導体素子、前記電力制御用半導体素子に入力される或いは前記電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、前記電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、前記電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有するものにおいて、電流検出器を、電力制御用半導体素子と電気的に接続されると共に、少なくとも第1及び第2の屈曲部を有する導体と、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するものから構成することにより達成することができる。
上記電力変換装置によれば、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するので、導電性部材に生じる誘導電流によって生成され、検出電流の周波数に依存する磁束が電流検出器の検出結果に与える影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。すなわち導電性部材に対して平行な成分をもつ直線的な検出電流が流れると、その平行な成分に対して平行で逆向きの誘導電流が導電性部材に流れて磁束を生成する。誘導電流による磁束は、導電性部材に対して垂直で誘導電流に対して直交する平面に対して平行な成分であり、導電性部材或いは誘導電流に対して平行な成分を持たない。従って、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材或いは誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出すれば、周波数依存特性を持つ誘導電流の影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
上記電力変換装置において、導体は、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分であって、導電性部材に対して垂直に延びる第1の導体部と、第1の導体部から第1の屈曲部で屈曲して延びる第2の導体部と、第1の導体部から第2の屈曲部で屈曲して延びる第3の導体部から構成されており、磁気検出部は、第1の導体部で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出する。
上記電力変換装置において、第2の導体部と第3の導体部は、第1の導体部に対して直角に屈曲したものであって、互いに異なる方向に延びるものである。具体的には、第2の導体部と第3の導体部が、互いに相反する方向に延びるもの或いは第3の導体部が、第2の導体部に対して鈍角(90°<θ<180°の範囲)でずれた方向に延びるものである。前者の場合、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子が、第1の導体部で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、第1の導体部の軸線を交点として第2の導体部及び第3の導体部に対して垂直な平面上に配置される。
後者の場合、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子が、第1の導体部で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、第1の屈曲部を交点として第2の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、第1の導体部を含む第3の導体部側の空間に配置される。或いは磁気検出用半導体素子が、第1の導体部で生成された磁束のうち、導電性部材或いは導電性部材に流れる誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、第1の屈曲部を交点として第2の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、第1の導体部を含む第3の導体部側の空間と、第2の屈曲部を交点として第3の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、第1の導体部を含む第2の導体部側の空間との重複する空間に配置される。
上記電力変換装置は、電力制御用半導体素子、及び電力制御用半導体素子に入力される或いは電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有するものにおいて、電流検出器を、電力制御用半導体素子と電気的に接続された導体と、導体に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、導体で生成される磁束のうち、導電性部材に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の磁束を検出するものから構成することにより達成することができる。
上記電力変換装置によれば、導体で生成される磁束のうち、導電性部材に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の磁束を磁気検出部で検出するので、導電性部材に流れる誘導電流によって生成され、検出電流の周波数に依存する磁束が電流検出器の検出結果に与える影響を抑制することができる。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。すなわち導電性部材に流れる誘導電流によって生成される磁束は、導体から導電性部材に対して垂直に交わる垂線に対して垂直な成分に比べ、垂線に対して平行な成分の方が小さい。従って、導体で生成される磁束のうち、導電性部材に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の磁束を検出すれば、誘導電流によって生成される磁束の影響を受け難い。従って、上記電力変換装置によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
上記電力変換装置において、導体は、導電性部材から遠ざかる方向に突出する部分を有しており、磁気検出部は、導電性部材から遠ざかる方向に突出する導体部分で生成される磁束のうち、導電性部材に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の磁束を検出する。
上記電力変換装置において、導体は、導電性部材から遠ざかる方向に突出して導電性部材に対して平行な部分を有しており、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、導電性部材に対して平行であって、導電性部材から遠ざかる方向に突出して導電性部材に対して平行な導体部分に対して垂直かつ平行になるように、導電性部材から遠ざかる方向に突出して導電性部材に対して平行な導体部分に設けられる。
上記電力システムは、電力供給手段から供給された電力を電力変換装置によって所定の電力に変換して負荷に供給するものにおいて、電力変換装置を、上記いずれかに記載の電力変換装置から構成することにより達成することができる。上記電力システムによれば、電力システムの電力変換装置として、小型でかつ高精度な電力制御が行える上述の電力変換装置を用いたので、電力システムのシステム構成の小型化、電力システムの低価格化,電力システムの信頼性の向上などを図ることができる。
上記電力システムは具体的には、電力供給手段である電力発生手段(例えば太陽電池或いは燃料電池)から供給された直流電力を電力変換装置で交流電力に変換し、負荷である電力系統に供給する発電システムである。或いは電力供給手段である電力系統から供給された交流電力を電力変換装置で所定の交流電力或いは直流電力に変換し、負荷である電気負荷(例えば回転電機)に供給して電気負荷を駆動させる駆動システムである。或いは電力供給手段である蓄電手段(例えばバッテリ)から供給された直流電力を電力変換装置で交流電力に変換し、負荷である電気負荷(例えば回転電機)に供給して電気負荷を駆動させる駆動システムなどである。
上記移動体は、胴体と、胴体に設けられた被駆動体と、外部電源或いは胴体に取り付けられた内部電源からの供給電力によって駆動され、被駆動体を駆動する電動機と、電源から電動機に供給される電力を制御する電力変換装置とを備えたものにおいて、電力変換装置を、上記いずれかに記載の電力変換装置から構成することにより達成することができる。上記移動体によれば、移動体の電力変換装置として、小型でかつ高精度な電力制御が行える上述の電力変換装置を用いたので、移動体の低価格化,燃費の向上,一充電あたりの走行距離の向上,電力変換装置の実装スペースの縮小化などを図ることができる。
上記移動体は、電気自動車,ハイブリッド自動車,電動四輪駆動車などの電動車両であって、外部電源或いは内部電源(バッテリ)から供給された直流電力を上記電力変換装置で交流電力に変換し、胴体(車両)に設けられた被駆動体(車輪)を駆動する電動機に供給して電動機を駆動し、被駆動体(車輪)を駆動する電機駆動システムを搭載したものである。或いは自動車であって、外部電源或いは内部電源(バッテリ)から供給された直流電力を上記電力変換装置で交流電力に変換し、胴体(車両)に設けられた被駆動体(コンプレッサ,スリアリング装置,ブレーキ装置)を駆動する電動機に供給して電動機を駆動し、被駆動体(コンプレッサ,ステアリング装置,ブレーキ装置)を駆動する電動エアコンシステム,電動パワーステアリングシステム,電動ブレーキシステムなどの電機駆動システムを搭載したものである。
上記電力変換装置は、車両の運転操作機器が収納された運転室,内燃機関が収納された機関室,物品を載置できる荷台,前後輪の少なくとも一部の周囲を覆う部分のいずれかに設置されている。
さらに、上記電力変換装置の好ましい実施態様について説明する。
上記電力変換装置において、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子と、磁気検出用半導体素子と前記制御部とを電気的に接続する端子部材の少なくとも一部分とが樹脂で梱包されたものであることが好ましい。磁気検出部が設けられた導体部分には、磁気検出部の少なくとも一部分を収納する窪みが設けられて、磁気検出部の少なくとも一部分が収納されていることが好ましい。端子部材は導体に対して遠ざかる方向に引き出されていることが好ましい。磁気検出部の窪みとの非対向部分には固定治具が接着層を介して当てがわれ、磁気検出部を固定していることが好ましい。固定治具は、導体が磁気検出部の窪みとの非対向部分に突出したものであることが好ましい。或いは樹脂を成形して形成した成形品であると共に、導体と噛み合い、かつ導体側から磁気検出部の窪みとの非対向部分側に突出して磁気検出部を固定するものであることが好ましい。若しくは樹脂を成形して形成した成形品であると共に、端子部材と電気的に接続された電極部材が挿入され、かつ電極部材の一部が、ワイヤのボンディングが可能なように外部に露出したものであることが好ましい。また、固定治具は、導体側から磁気検出部側に突出して端子部材を固定するものであることが好ましい。
上記電力変換装置において、磁気検出部は、基板上に固定された磁気検出用半導体素子と、制御部に電気的に接続された端子部材とが基板上で電気的に接続されたものであることが好ましい。磁気検出部が設けられた導体部分には、磁気検出部の少なくとも一部分を収納する窪みが設けられて、磁気検出部の少なくとも一部分が収納されていることが好ましい。磁気検出部の窪みとの非対向部分の少なくとも2箇所には固定治具が接着層を介して当てがわれ、磁極検出部を固定していることが好ましい。固定治具は、導体が基板の窪みとの非対向部分に突出したものであることが好ましい。
上記電力変換装置において、磁気検出部は、磁気検出用半導体素子と、磁気検出用半導体素子及び制御部に電気的に接続されると共にワイヤボディングが可能な電極部材とが、電極部材が外部に露出するように樹脂で梱包されたものであることが好ましい。
上記電力変換装置において、磁気検出部の近傍に配置された他の導体と磁気検出部との相対的距離は、導体と磁気検出部との相対的距離よりも大きいことが好ましい。導体の磁気検出部が近接する部分の通電面積は導体のその他の部分の通電面積よりも小さいことが好ましい。
上記電力変換装置において、制御部は、電流検出器の検出精度を校正させる手段を有することが好ましい。校正手段は、電力制御用半導体素子の制御に必要な演算を実行する計算機であることが好ましい。計算機は、基準電流を導体に流して電流検出器から得られた結果と基準電流の値との比較に基づいて、電流検出器に入力すべく校正信号を生成することが好ましい。校正信号は、信号の昇圧或いは降圧が可能な回路を介して電流検出器に入力されることが好ましい。また、制御部は、校正信号及び電流検出器の検出結果を外部に出力する手段を有することが好ましい。また、校正手段は、電力制御用半導体素子の制御に必要な演算を実行する第1計算機と、第1計算機と電気的に接続された第2計算機であることが好ましい。第1計算機は、基準電流を前記導体に流して電流検出器から得られた結果と基準電流の値との比較に基づいて、電流検出器に入力すべく第1校正信号を生成し、第2計算機は、基準電流を導体に流して電流検出器から得られた結果と基準電流の値との比較に基づいて第2校正信号を生成すると共に、第2校正信号と第1校正信号とを比較して第1校正信号が偽信号と判断した場合、第1校正信号に代えて第2校正信号を電流検出器に出力することが好ましい。第1校正信号或いは第2校正信号は、信号の昇圧或いは降圧が可能な回路を介して電流検出器に入力されることが好ましい。また、制御部は、第1校正信号或いは第2校正信号を外部に出力する手段を有することが好ましい。また、制御部は、電流検出器の検出精度を校正させるべく校正信号を外部から入力する手段を有することが好ましい。
上記電力変換装置において、磁気検出部は、少なくとも2個設けられることが好ましい。磁気検出部の他方は、磁気検出部の一方のバックアップ用として設けられたものであり、磁気検出部の一方と対称となるように設けられることが好ましい。
上記電力変換装置において、電流検出器は、少なくとも2個設けられることが好ましい。電流検出器の一方は、導体に流れる電流を検出するものであり、電流検出器の他方は、電流検出器の一方の磁気検出用半導体素子と同方向に向く磁気検出用半導体素子を備えて電流検出器の一方の近傍に設けられたものであることが好ましい。また、電流検出器の他方は、外部から放射された磁気を検出するものであり、制御部は、電流検出器の他方の検出結果に基づいて電流検出器の一方の検出結果を補正することが好ましい。
上記電力変換装置において、導電性部材は、半導体モジュール及び制御部を収納する金属製の筐体であることが好ましい。或いは電力変換用半導体素子が実装された絶縁基板の導電体箔であることが好ましい。若しくは電力制御用半導体素子と電気的に接続された他の導体であることが好ましい。又は絶縁部材を介して電力制御用半導体素子が積層された金属製のベースであることが好ましい。金属製のベースは、電力制御用半導体素子及び導体の発熱を外部或いは冷却器に放出する放熱部材であることが好ましい。
発明を実施するための最良の形態
電力変換装置は、負荷に供給される電力を制御するものであり、例えば交流電力を直流電力に変換する整流装置,直流電力を交流電力に変換するインバータ装置,整流装置とインバータ装置とを組み合せであって、入力された直流電力を所望の直流電力に変換するDC−DCコンバータ装置などがある。以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
〔実施例1〕
本発明の第1実施例を第1図乃至第9図に基づいて説明する。本実施例では、電動機を唯一の駆動源とする電気自動車の電動機駆動システムに適用されると共に、蓄電手段であるバッテリから出力された直流電力を3相交流電力に変換して電動機に供給する電力変換装置(インバータ装置)を例にとり説明する。
第9図は、本実施例の電力変換装置が適用された電動機駆動システムを搭載する電気自動車の概略構成を示す。図において18は車体である。車体18の前部には、車軸20と、車軸20の両端に取り付けられた車輪19a,19bとを有してなる前輪が回転可能に取り付けられている。車体18の後部には、後輪は、車軸22と、車軸22の両端に取り付けられた車輪21a,21bとを有してなる後輪が回転可能に取り付けられている。
車軸20にはギア23を介して電動機5が機械的に接続されている。電動機5には電力変換装置24が電気的に接続されており、バッテリ6から供給された直流電力が3相交流電力に変換されて供給される。電力変換装置24には上位制御装置25が電気的に接続されており、アクセルの踏込みに対応する指令信号などが入力される。
第8図は、本実施例の電力変換装置が適用された電気自動車の電動機駆動システムのシステム構成を示す。本実施例の電力変換装置は、PWM信号(パルス・ワイド・モジュレーション信号)に基づいてパワー半導体素子7のスイッチング動作(ON・OFF動作)を制御し、バッテリ6から出力された直流電力を3相交流電力に変換して電動機5に供給するパルス幅変調方式のものであり、パワーモジュール16及び制御部26から構成されている。
パワーモジュール16は、バッテリ6から出力された直流電力を3相交流電力に変換する変換部であり、パワー半導体素子7及び電流検出器40を有する。パワー半導体素子7には、IGTBとダイオード素子との組み合せからなるスイッチング素子或いはMOS−FETからなるスイッチング素子を用いている。電流検出器40は、通電導体が作る磁束を磁気検出用半導体素子に直接入力して通電導体に流れる電流を検出するものであり、パワー半導体素子7によって変換された3相交流電力の各相(u相,v相,w相)の電流を検出するために、各相毎に設けられている。
制御部26は、パワーモジュール16に設けられたパワー半導体素子7のスイッチング動作(ON・OFF動作)を上位制御装置25の指令信号などに基づいて制御する部分であり、ドライブ回路8,計算機9,制御電源36及びインターフェース回路37を有する。
インターフェース回路37は、アクセルの踏込みに対応する指令信号など上位制御装置25から出力された指令信号を受信するものであり、上位制御装置25から入力ポート38を介して入力された指令信号を受信する通信用レシーバIC39Aと、通信用レシーバIC39Aから出力された信号を絶縁するフォトカプラ39Bとを有する。
計算機9は、マイコンチップに代表される演算処理用素子で構成されたものであり、インターフェース回路37から出力された信号、電流検出器40から出力された検出信号などに基づいて演算処理を行い、PWM制御信号を生成して出力するものである。
ドライブ回路8は、計算機9から出力されたPWM制御信号を昇圧若しくは降圧し、パワーモジュール16に設けられたパワー半導体素子7のスイッチング動作(ON・OFF動作)を制御するドライブ信号としてパワーモジュール16に出力するものである。
制御電源36は、ドライブ回路8,計算機9,電流検出器40及びインターフェース回路37に駆動電力を供給するものであり、バッテリ6から供給された直流電力の電圧値を昇圧或いは降圧させるための電圧制御用素子であるレギュレータICと、レギュレータICの出力を安定化させるための容量素子であるコンデンサと、バッテリ6から絶縁した電源を作り出すための電圧制御用素子であると共に、一次巻線及び二次巻線を有するトランスと、トランスの一次巻線の電圧を二次巻線の電圧に基づいて変化させる手段と、トランスの二次巻線の出力を平滑化させるための整流素子及び容量素子であるダイオード及びコンデンサ3とを有する。
バッテリ6から供給された直流電力は、直流用の端子台35Aに保持された直流用のブスバー31Aを介してパワーモジュール16に入力される。一方、上位制御装置25からアクセルの踏込みに対応する指令信号などが制御部26に入力され、インターフェース回路37を介して計算機9に、電流検出器40から出力された検出信号などと共に入力される。計算機9では、入力された信号に基づいて演算処理を実行し、PWM制御信号を生成し、ドライブ回路8に出力する。ドライブ回路8では、PWM制御信号を昇圧若しくは降圧した後、ドライブ信号としてパワーモジュール16に入力する。これにより、パワー半導体素子7のスイッチング動作が制御され、パワーモジュール16に入力された直流電力が3相交流電力に変換される。変換された3相交流電力は、交流用の端子台35Bに保持された交流用のブスバー31Bを介して電動機5に供給される。電動機5は、供給された3相交流電力によって駆動される。
第4図,第5図は、本実施例の電力変換装置に設けられた1相分のパワーモジュールの構成を示す。第6図は、本実施例の電力変換装置に設けられた一相分のパワーモジュールの電気的な回路構成を示す。第7図は本実施例の電力変換装置の全体構成を示す。
図において30は電力変換装置ケースである。電力変換装置ケース30内にはパワーモジュール16及び制御部26が収納されている。パワーモジュール16は、パワーモジュールベース27及びこの周縁に沿って立設するモジュールケース29から構成された器体が電力変換装置ケース30の底壁上に3相分並設されたものである。
パワーモジュールベース27上には、平板状の絶縁部材であるセラミックス基板28が3つ設けられている。セラミックス基板28は、パワーモジュールベース27側の面に固着された積層銅箔製の電極52を介してパワーモジュールベース27上に半田51によって固着されている。セラミックス基板28のパワーモジュールベース27側とは反対側の面には、積層銅箔製の電極52によって形成された配線パターン(或いはアームという)が固着されている。セラミックス基板28の3つのうちの2つのパワーモジュールベース27側とは反対側の面に固着された電極52の上にはパワー半導体素子7が半田51によって固着されている、これにより、正極側の変換回路及び負極側の変換回路を構成する積層体が形成されている。正極側の変換回路及び負極側の変換回路を構成する積層体は、パワーモジュールベース27上において対向するように配置されている。正極側の変換回路及び負極側の変換回路を構成する積層体には、それぞれIGBT7Aとダイオード素子7Bとを電気的に並列接続してなるパワー半導体素子7が2つ電気的に並列接続されるように実装されている。
正極側の変換回路を構成する積層体では、IGBT7Aのコレクタとダイオード素子7Bのカソードがコレクタ1のアームに、IGBT7Aのエミッタとダイオード素子7Bのアノードがエミッタ1のアームに、IGBT7Aのゲートがゲート1のアームにそれぞれ電気的に接続されている。コレクタ1のアームには直流用正極側の接続端子11が電気的に接続されている。エミッタ1のアームには電流検出器40が電気的に接続されている。
負極側の変換回路を構成する積層体では、IGBT7Aのコレクタとダイオード素子7Bのカソードがコレクタ2のアームに、IGBT7Aのエミッタとダイオード素子7Bのアノードがエミッタ2のアームに、IGBT7Aのゲートがゲート2のアームにそれぞれ電気的に接続されている。エミッタ2のアームには直流用正極側の接続端子12が電気的に接続されている。コレクタ2のアームには電流検出器40が電気的に接続されている。
セラミック基板28の残りの1つは、正極側の変換回路を構成する積層体と負極側の変換回路を構成する積層体との一方端側に配置されている。セラミック基板28の残りの1つのパワーモジュールベース27側とは反対側の面に固着された電極52の上には電流検出器40が半田51によって固着されている。これにより、電流検出器40を実装する積層体が形成されている。尚、電流検出器40の具体的な構成については後述する。
パワーモジュール16の電流検出器40側とは反対側には、直流用正極側のブスバー31Aと機械的に接続される正極側の接続端子11と、直流用負極側のブスバー31Aと機械的に接続される負極側の接続端子12が設けられている。パワーモジュール16の電流検出器40側には、交流用1相分のブスバー31Bと機械的に接続される1相分の接続端子13が設けられている。
パワーモジュール16の上方には、平板状の絶縁部材である制御基板55が配置されている。制御基板55の両面には積層銅箔製の電極が固着されており、制御部26を構成するドライブ回路8,計算機9,制御電源36及びインターフェース回路37が電気的に接続されている。また、制御基板55には、バッファ回路72及び外部接続端子73,パワーモジュール16から上方に突出するパワー半導体素子7の制御端子15及び電流検出器40の接続端子44が電気的に接続されている。
電力変換装置ケース30の底壁の収容体と対応する部分には冷却器34が設けられている。冷却器43は、冷却媒体である冷却水が流れる冷却水路である。これにより、パワー半導体素子7の発熱はセラミックス基板28,パワーモジュールベース27を介して冷却器34に熱伝達され、冷却器34を流通する冷却水によって冷却される。尚、本実施例では、冷却器43として冷却水路を用いた場合について説明したが、冷却媒体である冷却空気との熱交換が可能な放熱部材(冷却フィン)を用いてもよい。
制御基板55の上方には、容量素子であるコンデンサ3が設けられている。コンデンサ3は、パワー半導体素子7のスイッチング動作による直流電圧の変動を抑制するために設けられているものであり、直流用正極側のブスバー31Aと直流用負極側のブスバー31Aとの間に電気的に接続されている。コンデンサ3には電界コンデンサを用いているが、上記機能を果たすことができる容量素子であればそれに限定される必要はない。
接続端子11とコレクタ1のアームとの電気的な接続,接続導体12とエミッタ2のアームとの電気的な接続,パワー半導体素子7の極と各アームとの電気的な接続,電流検出器40とエミッタ1のアーム,コレクタ2のアーム及び接続端子13との電気的な接続には、接続部材であるアルミワイヤ32によるワイヤボンディング方式が用いられている。
第1図乃至第3図は、本実施例の電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す。電流検出器40は、パワー半導体素子7によって変換されると共に、電動機5に供給される交流電力の電流を検出するものであり、磁気検出部47,検出導体41及び検出電流用電極42から構成されている。磁気検出部47は、検出精度を校正する機能を有するものであり、磁気検出用半導体素子43と、磁気検出用半導体素子43と電気的に接続された接続端子44、すなわち電源端子65,信号端子70及び校正端子71の一部とをモールド樹脂45によって覆われて構成されている。磁気検出用半導体素子43にはホール素子を用いている。
電源端子65は、磁気検出用半導体素子43の駆動用電力を磁気検出用半導体素子43に供給する接続端子44であり、制御部26の制御電源36と電気的に接続されている。信号端子70は、磁気検出用半導体素子43で検出された結果を伝送する接続端子44であり、制御部26の計算機9と電気的に接続されている。校正端子71は、検出精度校正用の校正信号を磁気検出用半導体素子43に伝送する接続端子44であり、バッファ回路72を介して制御部26の計算機9と電気的に接続されている。制御部26の計算機9から出力された校正信号はバッファ回路72で昇圧或いは降圧される。また、電源端子65,信号端子70及び校正端子71は外部接続端子73と電気的に接続されおり、磁気検出用半導体素子43の駆動用電力及び磁気検出部47の検出精度校正用の校正信号を外部から受けたり、磁気検出用半導体素子43で検出された結果を外部に供給したりすることができる。
検出電流用電極42は平板状の導電性部材であり、セラミックス基板28のパワーモジュールベース27側とは反対側の面に固着された電極52上に2つ、間隔をあけて対向配置され、電極52上に半田51によって固着されている。検出電流用電極42の一方が固着された電極52と、検出電流用電極42の他方が固着された電極52は電気的に非導通である。
検出導体41は、検出電流である負荷電流10が流れ、磁気検出部47に検出されるべく磁束を形成する導電性部材であり、検出電流が作る磁束の密度が所定の位置で所定の強さになるよう効率良く集中させかつ所定の位置近傍で磁束密度の変化が緩やかな領域を生成できるように、細長くかつ往復電流が近接し流れるように形成され、間隔をあけて対向配置された検出電流用電極42に電気的及び機械的に接続されている。
具体的には、検出導体41は、検出電流用電極42の一方に垂直に立設する部分,検出電流用電極42の他方に垂直に立設する部分,検出電流用電極42と平行であり、垂直に立設する部分間を電気的及び機械的に接続する部分から逆凹状に、すなわちセラミックス基板28を介してパワーモジュールベース27上に積層された検出電流用電極42よりもパワーモジュールベース27から遠ざかる方向(或いはパワーモジュールベース27,セラミックス基板28及び検出電流用電極42の積層方向でパワーモジュールベース27から検出電流用電極42に向う方向若しくは上方)に突出するように形成されている。
このように形成された検出導体41においては、検出電流用電極42に流れる検出電流(パワーモジュールベース27の載置面と平行な平面上において流れる検出電流)が、パワーモジュールベース27(パワーモジュールベース27の載置面と平行な平面)から遠ざかる方向(或いはパワーモジュールベース27,セラミックス基板28及び検出電流用電極42の積層方向でパワーモジュールベース27から検出電流用電極42に向う方向若しくは上方)に流れ、パワーモジュールベース27(パワーモジュールベース27の載置面と平行な平面)に近づく方向(或いはパワーモジュールベース27,セラミックス基板28及び検出電流用電極42の積層方向で検出電流用電極42からパワーモジュールベース27に向う方向若しくは下方)に流れる。
検出導体41のパワーモジュールベース27との相対的距離はパワー半導体素子7のパワーモジュールベース27との相対的距離よりも大きい。また、検出導体41は、セラミックス基板28を介してパワーモジュールベース27上に積層された検出電流用電極42よりもパワーモジュールベース27に対する相対的距離が大きい。
検出導体41の表面上において検出電流が流れる方向に直交する方向の一方側端部(逆凹状断面の一方側端部)には窪み46(凹部)が設けられている。窪み46には磁気検出部47の一部が、接続端子44が上方(或いはパワーモジュールベース27,セラミックス基板28及び検出電流用電極42の積層方向でパワーモジュールベース27から検出電流用電極42に向う方向)に延びるように収納されている。本実施例では、磁気検出部47を一つ設けた場合について説明したが、検出導体41の表面上において検出電流が流れる方向に直交する方向の他方側端部(逆凹状断面の他方側端部)にもう一つ磁気検出部を同様に設けて、すなわち対称に設けてバックアップ用としてもよい。
磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分には接着層50を介して固定治具が1箇所に当てがわれている。固定治具は、磁気検出部47のモールド樹脂45の一部分を囲む(抱く)ように、磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に検出導体41が突出して形成されたアーム状の凸部49である。接着層50は、磁気検出部47を押し付ける弾性力を有するもの或いは所定の処理を施すことで硬化し接着する機能を持つものであり、磁気検出部47と凸部49とを接着させている。
電流検出器40の検出精度校正の校正信号は、基準電流を検出導体41に流して電流検出器40から得られた結果と基準電流の値との比較に基づいて計算機9で生成される。生成されたと校正信号は、バッファ回路72で昇圧或いは降圧されてから電流検出器40に入力される。
本実施例では、計算機9で校正信号を生成する場合について説明したが、計算機9とは別の計算機を設け、基準電流を検出導体41に流して電流検出器40から得られた結果と基準電流の値との比較に基づいて計算機9で第1校正信号を生成し、計算機9とは別の計算機では、基準電流を検出導体41に流して電流検出器40から得られた結果と基準電流の値との比較に基づいて第2校正信号を生成すると共に、第2校正信号と第1校正信号とを比較して第1校正信号が偽信号と判断した場合、第1校正信号に代えて第2校正信号を電流検出器40に出力するようにしてもよい。
本実施例によれば、検出導体41が作る磁束を磁気検出用半導体素子43に直接入力して検出導体41に流れる電流を検出する電流検出器40を電力変換装置24に用いたので、従来よりも電流検出器40を小型にでき、電流検出器40を電力変換装置24のパワーモジュール16に内蔵することができる。従って、本実施例によれば、電力変換装置24の内部に電流検出器を設けるスーペスが不要となると共に、交流用のブスバー31Bを短く或いは交流用のブスバー31Bを削除さらには交流用の端子台35Bをも削除し、電動機5に電力を供給する配線を直接、接続端子15に接続することができるので、電力変換装置24を小型化することができる。しかも、本実施例によれば、パワーモジュール16の大型化も抑制することができる。
また、本実施例によれば、検出導体41のパワーモジュールベース27に対する相対的距離を、セラミック基板28を介してパワーモジュールベース27上に載置された検出電流用電極42のパワーモジュールベース27に対する相対的距離よりも大きく(パワー半導体素子7のパワーモジュールベース27に対する相対的距離よりも大きく)なるようにしているので、検出導体41に流れる電流によって生成された磁束がパワーモジュールベース27に鎖交し、パワーモジュールベース27に渦電流(誘導電流)が流れることによって生成される磁束の影響を抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。すなわち検出導体41に流れる電流によって生成された磁束がパワーモジュールベース27に鎖交する量は、検出導体41に流れる電流によって生成された磁束とパワーモジュールベース27との磁気的な結合係数の大小によって変化する。これにより、渦電流(誘導電流)の大きさが結合係数の大きさに比例して変化する。このため、検出導体41とパワーモジュールベース27との相対的距離が大きくなると、検出導体41に流れる電流によって生成された磁束の漏れる量が増加して結合係数が小さくなる。これにより、渦電流(誘導電流)つまり鏡像電流が減少して、渦電流(誘導電流)が流れることによって生成される磁束の影響を抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
尚、本実施例では、検出導体41とパワーモジュールベース27との相対的距離を検出電流用電極42とパワーモジュールベース27との相対的距離よりも大きく(パワー半導体素子7とパワーモジュールベース27との相対的距離よりも大きく)なるように構成する手段として、上述の検出導体41を備えた例をとり説明したが、検出導体41と対応するパワーモジュールベース27の部分に窪みを設けたり、その部分の厚みを他の部分より小さくしても、同様の効果の得ることができる。
また、本実施例によれば、磁気検出部47の少なくとも一部分を検出導体41に設けた窪み46に収納したので、磁気検出用半導体素子43と検出導体41との間の間隔を一定に保つことができる。従って、本実施例によれば、磁気検出用半導体素子43と検出導体41との間にバラツキを生じることがないので、電流検出器40の検出精度の低下を防止することができる。また、磁気検出部47の位置決めを簡単に行うことができる。従って、本実施例によれば、歩留まりの低下を抑制することができ、電力変換装置24の製造コストの上昇を抑えることができる。
また、本実施例によれば、磁気検出部47が設けられた検出導体41を検出電流用電極42,セラミック基板28を介してパワーモジュールベース27上に載置させたので、電流の流通によって検出導体41や検出電流用電極42に発生する熱を、放熱部材であるパワーモジュールベース27を介して放熱することができる。従って、本実施例によれば、磁気検出部47への熱伝達を抑制することができ、磁気検出用半導体素子43をその仕様限界温度以上に上昇させることを防止することができる。これにより、熱による磁気検出用半導体素子43の性能の低下を抑制することができ、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。また、磁気検出用半導体素子43とモールド樹脂45との線膨張係数の差によって生じる熱応力などによって磁気検出用半導体素子43に生じる永久歪みを抑制することができ、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
また、本実施例によれば、所定位置の磁束密度を高めることができるので、検出電流以外からの磁束流入によるノイズ成分と検出成分とのS/N比を向上させるできる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
また、本実施例によれば、熱変形に弱い磁気検出部47と検出導体41とを分けてパワーモジュール16に実装することが可能である。まず、パワー半導体素子7が半田付けされる高温かつ数分間という長い半田プロセスを用いて検出導体41をセラミックス基板28の電極52に半田付けする。この後、検出導体41に形成された窪み46に磁気検出部47を差し込み、磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に接着層50を介して凸部49を当てがって磁気検出部47を検出導体41に固定する。従って、本実施例によれば、半田プロセスを避けて磁気検出部47を検出導体41に固定することができるので、半田プロセスの熱応力に対する磁気検出部47の信頼性及び検出精度の低下を抑えることができる。
また、本実施例によれば、検出精度の校正機能をもった電流検出器40を用いており、その校正を行わせる校正信号を計算機で生成しているので、電力変換装置24の組立時に生じる磁気検出部47と検出導体41との位置ズレによる検出誤差や制御電源36の誤差により生じる電流検出器40の検出誤差を計算機9で校正することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の初期不良によるパワーモジュール16及び電力変換装置24の歩留まりの低下を防ぐことができる。ここで、当然ながら検出精度の校正機能をもたない電流検出器40であっても、図示していないが制御部26に補正回路を別途用意するかもしくは計算機9を用いデジタル補正してもよい。
また、本実施例によれば、計算機9とは別の計算機を設け、計算機9の校正内容を検証させているので、電流検出器40の信頼性をさらに向上させることができる。
また、本実施例によれば、小型でかつ高精度な電力制御が行える電力変換装置24を提供することができるので、その電力変換装置24を用いた電気自動車の電動機駆動システムでは、システムの小型化,低価格化,信頼性の向上などを図ることができる。また、その電力変換装置24を用いた電気自動車では、電気自動車の低価格化,一充電あたりの走行距離の向上,電力変換装置の実装スペースの縮小化などを図ることができる。
〔実施例2〕
次に、本発明の第2実施例を第10図乃至第12図に基づいて説明する。第10図乃至第12図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例である。本実施例では、樹脂絶縁層と積層銅箔からなる積層配線54が複数積層されたプリント配線基板53上に磁気検出用半導体素子43が固着されると共に、磁気検出用半導体素子43と積層配線54とがアルミワイヤによって電気的に接続され、かつ接続端子44と積層配線54とが電気的に接続された磁気検出部47を備えている。磁気検出用半導体素子43はモールド樹脂45によって覆われている。
積層配線54は、例えば同一配線層に引き回すと共に、異なる配線層に積層配線54の大凡全体が重なるような幅の広いシールド電極を設けて配置する。或いは積層配線54の幾つかを異なる配線層に配置すると共に、積層配線54が全域に渡り重なるように配置する。後者の場合、積層配線54間にチップコンデンサ56などの電子部品を搭載することができる。
検出導体41には、第1実施例と同様に窪み46が設けられている。窪み46には磁気検出部47の一部が、接続端子44が第1実施例と同様の方向に延びるように収納されている。
磁気検出部47の窪み46との非対向のプリント配線基板53部分には接着層50を介して固定治具が2箇所に当てがわれている。固定治具は、プリント配線基板53の一部分を囲む(抱く)ように、磁気検出部47の窪み46との非対向のプリント配線基板53部分に検出導体41が突出して形成されたアーム状の凸部49である。接着層50は、磁気検出部47を押し付ける弾性力を有するもの或いは所定の処理を施すことで硬化し接着する機能を持つものであり、プリント配線基板53と凸部49とを接着させている。この他の構成は第1実施例と同様であり、その具体的な説明は省略する。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を達成できると共に、プリント配線板53の積層配線54と電気的に接続された接続端子44の形状を自由に変更することができる。従って、本実施例によれば、制御部26の制御基板55との接続方式の自由度を向上することができ、例えばコネクタによる接続も容易に実施することができる。
また、本実施例によれば、同一配線層に引き回すと共に、異なる配線層に積層配線54の大凡全体が重なるような幅の広いシールド電極を設けて積層配線54を配置したり、積層配線54の幾つかを異なる配線層に配置すると共に、積層配線54が全域に渡り重なるように配置したりするので、制御基板55の回路配線などで作られる電気的な環状結線内に鎖交する磁束(ノイズ)を低減することができ、磁気検出用半導体素子43の近接にチップコンデンサ56などのノイズ対策部品を配置することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例3〕
次に、本発明の第3実施例を第13図乃至第15図に基づいて説明する。第13図乃至第15図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例である。本実施例では、第1実施例と同様に構成された磁気検出部47を有し、この一部を、接続端子44が第1実施例と同様の方向に延びるように、第1実施例と同様に設けられた検出導体41の窪み46に収納している。
検出導体41には、凹凸部58を有する略コ字状の樹脂成形体57の下片部分が、検出導体41の磁気検出部47側とは反対側から検出導体41の空洞部に挿入され、検出導体41の検出電流用電極42と平行な部分を挟み込むように検出導体41と噛み合っている。樹脂成形体57の下片部分の先端には爪部59が形成されている。爪部59の爪状突起部は、磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に接着層50を介して当てがわれ、磁気検出部47を固定している。樹脂成形体57の上片部分の先端には接続端子44が嵌め込み可能な凹部が形成されている。樹脂成形体57の上片部分の先端の凹部には接続端子44が嵌め込まれ、接続端子44を支持している。樹脂成形体57は磁気検出部47の固定治具である。この他の構成は第1実施例と同様であり、その具体的な説明は省略する。
このように構成された電流検出器40では、パワー半導体素子7が半田付けされる高温かつ数分間という長い半田プロセスを用いて検出導体41をセラミックス基板28の電極52に半田付けする。この後、樹脂成形体57に形成された凹凸部58を用いて樹脂成形体57を検出導体41に挿入し、樹脂成形体57と検出導体41とを噛み合わせる。この後、検出導体41に形成された窪み46に磁気検出部47を差し込み、磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に接着層50を介して樹脂成形体57の爪部59の爪状突起部を当てがって磁気検出部47を検出導体41に固定する。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を達成できると共に、樹脂成形体57に磁性体粉末などを混ぜ合わせ、検出導体41と共に樹脂成形体57で磁気回路を構成することにより、磁気検出部47に入力される磁束量を向上させることができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出感度をさらに向上させることができる。
〔実施例4〕
次に、本発明の第4実施例を第16図乃至第18図に基づいて説明する。第16図乃至第18図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例である。本実施例では、第1実施例と同様に構成された磁気検出部47を有し、この一部を、接続端子44が第1実施例と同様の方向に延びるように、第1実施例と同様に設けられた検出導体41の窪み46に収納している。
接続端子44は、磁気検出用半導体素子43が実装された平面に対して検出導体41側とは反対側に角度θを持つように曲げられてから上方(或いはパワーモジュールベース27,セラミックス基板28及び検出電流用電極42の積層方向でパワーモジュールベース27から検出電流用電極42に向う方向)に延びている。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を達成できると共に、検出電流の通電によって作られる磁束が、検出導体41に近接して配置される接続端子44と制御基板55の回路配線などで作られる電気的な環状結線内に鎖交し、低減されることを抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例5〕
次に、本発明の第5実施例を第19図,第20図に基づいて説明する。第19図,第20図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例である。本実施例では、セラミック基板28の電極52が固着される面を2等分線によって左右対称に2等分し、電極52が2等分線を面対称軸として左右対称に配置されるように、かつ左右の電極52が連続しないように、電極52をセラミック基板28上に設けている。
電極52には、検出電流が流れる流路を狭くするくびれ部61が2等分線を面対称軸として左右対称に配置されるように設けられている。電極52上には、第1実施例と同様に構成された電流検出器40が2等分線を面対称軸としてその軸上に左右対称に配置されるように、電流検出器40の検出電流用電極42が半田によって固着されている。くびれ部61は電流検出器40の上流側及び下流側の近傍に配置されている。
セラミック基板28の左側に設けられた電極52はアルミワイヤ32を介してパワー半導体素子7の変換回路と電気的に接続されている。セラミック基板28の右側に設けられた電極52はリード端子60を介して接続端子15と電気的に接続されている。この他の構成は第1実施例と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を達成できると共に、セラミック基板28の2等分線を面対称軸として左右対称に配置されるように、電極52及電流検出器40を設け、かつ2等分線を面対称軸として左右対称に配置されるように、くびれ部61を電極52に設けているので、検出導体41に流通する検出電流の分布が2等分線を面対称軸として左右対称になるように制御することができる。従って、本実施例によれば、小形化によってパワーモジュール16内の配線が複雑になって配線内に電流集中が生じ、検出導体41における電流密度が不均一になることを抑制することができ、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例6〕
次に、本発明の第6実施例を第21図,第22図に基づいて説明する。第21図,第22図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例では、セラミック基板28の電極52が固着される面を2等分線によって左右対称に2等分し、電極52が2等分線を面対称軸として左右対称に配置され、かつ左右の電極52が連続する電流流路となるように、電極52をセラミック基板28上に設けている。
電極52には、検出電流が流れる流路を狭くするくびれ部61が2等分線を面対称軸として左右対称に、かつ左側の電極52(検出電流の上流側)から右側の電極52(検出電流の下流側)に連続するように設けられ、検出導体41が形成されている。セラミック基板28上には、電流検出器を構成する磁気検出部47が接着層50を介して固着されている。磁気検出部47は、その一部がくびれ部61に収納されるように、かつ2等分線を面対称軸としてその軸上に左右対称に配置されるように、検出導体41に近接配置されている。
磁気検出部47は、磁気検出用半導体素子43と、磁気検出用半導体素子43に電気的に接続されたパッド62がモールド樹脂45によって覆われたものである。パッド62は導電性の電極部材であり、モールド樹脂45の外表面に露出している。パッド62は、セラミック基板28上に固着された電極52にアルミワイヤを介して接続されている。セラミック基板28の左側に設けられた電極52はアルミワイヤ32を介してパワー半導体素子7の変換回路と電気的に接続されている。セラミック基板28の右側に設けられた電極52はリード端子60を介して接続端子15と電気的に接続されている。尚、56はチップコンデンサである。
セラミック基板28には、検出導体41及び磁気検出部47に近接する自層及び他層の配線が無い無配線領域64が設けられている。検出導体41及び磁気検出部47と対応するパワーモジュールベース27部分には彫込み部63(或いは窪み)が設けられている。これにより、検出導体41及び磁気検出部47と対応するパワーモジュールベース27部分の厚みはその他の部分の厚みより小さくなっている。従って、検出導体41及び磁気検出部47とのパワーモジュールベース27との相対的距離はパワー半導体素子7とパワーモジュールベース27との相対的距離よりも大きい。
本実施例によれば、検出導体41及び磁気検出部47に近接する自層及び他層の配線を無くすると共に、検出導体41及び磁気検出部47と対応するパワーモジュールベース27部分に彫込み部63を設けたので、検出電流が作る磁束が検出導体41以外の配線導体、セラミック基板28の接続用の半田51及びパワーモジュールベース27に鎖交し、配線導体,セラミック基板28の接続用の半田51及びパワーモジュールベース27に渦電流が流れ、渦電流によって反抗磁束が生成され、検出電流が作る磁束が反抗磁束によって相殺されることを抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器の検出精度を向上させることができる。
〔実施例7〕
次に、本発明の第7実施例を第23図乃至第25図に基づいて説明する。第23図乃至第25図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例である。本実施例では、第1実施例と同様に構成された磁気検出部47を有し、この一部を、接続端子44が第1実施例と同様の方向に延びるように、第1実施例と同様に設けられた検出導体41の窪み46に収納している。
磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分には接着層50を介して固定治具が当てがわれている。固定治具は電極一体樹脂成形体74であり、磁気検出部47の検出導体11側とは反対側に配置されたステップ部分、ステップ部分から検出導体11の磁気検出部47側とは反対側に延びるアーム部分から構成されている。電極一体樹脂成形体74のステップ部分の低部側には、その外表面に露出するようにパット62が複数設けられている。パット62のそれぞれには、電極一体樹脂成形体74のステップ部分の形状に沿うように複数埋め込まれたインサート電極76の一端が電気的に接続されている。インサート電極76の他端は、電極一体樹脂成形体74のステップ部分の高部側において外表面から突出しており、対応する接続端子44と半田51により接続されている。パット62は導電性の電極部材であり、アルミワイヤ32のボンディングが可能な平坦なものである。
電極一体樹脂成形体74のアーム部分は、検出導体41の立設する部分を取り囲むように、ステップ部分から検出導体11の磁気検出部47側とは反対側に延びて検出導体41を挟示すると共に、接着層50を介して検出電流用電極42に固着されている。
このように構成された電流検出器40では、パワー半導体素子7が半田付けされる高温かつ数分間という長い半田プロセスを用いて検出導体41をセラミックス基板28の電極52に半田付けする。この後、電極一体樹脂成形体74を検出導体41に装着する。この後、検出導体41に形成された窪み46に磁気検出部47を差し込み、磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に接着層50を介して電極一体樹脂成形体74を固着する。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を達成できると共に、磁気検出部47の接続端子44を直接に制御基板55と接続しないので、アルミワイヤ32やアルミワイヤ32に接続されたパワーモジュール16内の配線にて自由な位置に引き回すことができ、制御基板55との接続位置を電流検出部47の位置に関係なくレイアウトでき、磁気検出部47と検出導体41との間の距離を効率良く高精度化することができる。
〔実施例8〕
次に、本発明の第8実施例を第26図乃至第31図に基づいて説明する。第26図乃至第30図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。第31図は本実施例の電力変換装置の構成を示す。電力変換装置24で用いられる交流用の端子台35Bは、電気負荷である電動機5に交流電力を供給する配線を電力変換装置24に接続する端子であり、配線を接続するための電極板6と、配線を固定するための締め付けネジ部67と、電極板66を固定する樹脂部68と、電力変換装置24に内蔵された計算機9及びパワー半導体素子7を制御するドライブ回路8,コンデンサ3,パワーモジュール16が接続される制御基板55の所定の配線と接続される引出電極69とを有している。電極板66と配線が接触する面は樹脂部68表面に露出している。電極板66及び引出電極69の一部は樹脂部68に内蔵されて固定されている。電極板66と引出電極69は同一の樹脂部68に等間隔にて配置されている。
本実施例では、第1実施例と同様に構成された磁気検出部47を有し、この一部を、引出電極69の表面の一部に設けた窪み46に収納している。検出電流を集中させるために引出電極69の幅は一部細められている。磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分には接着層50を介して固定治具が当てがわれている。固定治具は、磁気検出部47のモールド樹脂45の一部分を囲む(抱く)ように、磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に引出電極69が突出して形成されたアーム状の凸部49である。接着層50は、磁気検出部47を押し付ける弾性力を有するもの或いは所定の処理を施すことで硬化し接着する機能を持つものであり、磁気検出部47と凸部49とを接着させている。
本実施例によれば、電流検出器40を交流用の端子台35Bの引出電極69の一部に備えたので、電力変換装置24の負荷電流10が流れる配線部に新たに電流検出器40専用の配線を設ける必要がない。従って、本実施例によれば、検出導体41を内蔵することによるパワーモジュール16の大型化や大型化に伴なうコストの上昇を押さえることができる。
また、本実施例によれば、計算機9及びパワー半導体素子7を制御するドライブ回路8が実装される制御基板55から検出導体41を取り去ることができるので、制御基板55のサイズを小形化することができる。
また、本実施例によれば、磁気検出部47の検出結果に重畳する検出導体41の周辺回路からの磁気的なノイズ成分を低減することができるので、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例9〕
次に、本発明の第9実施例を第32図に基づいて説明する。第32図は本実施例の電力変換装置の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例である。本実施例では、電力変換装置24内に負荷電流10を検出する電流検出器40以外に新たに外来磁気検出器48を電流検出器40近傍に設け、外来磁気検出器48の向きを磁気検出部47と同方向となるよう制御基板55上に配置している。磁気検出部47と外来磁気検出器48との検出結果は、計算機9に入力されて引き合わせられる。尚、本実施例では、磁気検出部47と外来磁気検出器48との検出結果を計算機9に入力して引き合わせたが、磁気検出部47と外来磁気検出器48との検出結果を引き合わせる回路を別途設けてもよい。
本実施例によれば、電流検出器40が電力変換装置24の外部から放射された強磁界と検出電流が作り出す磁界の和を検出し、外来磁気検出器48が電力変換装置24の外部から放射された強磁界を検出し、電流検出器40の出力と外来磁気検出器48の出力を引き合わせるので、電流検出器40の外来磁界による誤検出値を補正できると共に、外来磁気検出器48が所定値以上の外来磁界を検出した場合には、その検出をもって電力変換装置24の運転を制限或いは停止することができる。従って、本実施例によれば、外来磁気ノイズが原因の誤検出による影響を抑制することができるので、電力変換装置24の信頼性を向上させることができる。
〔実施例10〕
本発明の第10実施例を第33図乃至第38図に基づいて説明する。第33図乃至第38図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例であり、第1実施例とは磁気検出部47の配置が異なっている。検出用導体41は、絶縁性を有するセラミック基板(図示省略)を介してパワーモジュールベース27上に積層されている。検出用導体41、検出電流用電極42及び検出電流用電極42の両端に接続された他の電極52に流れる検出電流77が作る検出磁束80はパワーモジュールベース27に鎖交する。このため、パワーモジュールベース27には、電磁気学で用いられる鏡像法(若しくは影像法)に基づく鏡像電流81が流れる。
一般に鏡像電流81は、パワーモジュールベース27に対して平行に流れる検出電流77によって誘導された誘導電流78(渦電流ともいう)であり、検出電流77の周波数とパワーモジュールベース27の導電率及び透磁率の積との平方根に比例してパワーモジュールベース27の表面近傍を流れる。特にパワーモジュールベース27の抵抗が極めて小さい場合、若しくは検出電流77の周波数が極めて高い場合には、パワーモジュールベース27の表面を対称面とした面対称の位置に検出電流77と同じ大きさで逆方向に、しかも検出電流77に対して平行に流れ、パワーモジュールベース27の周辺に磁束79を生成する。誘導電流による磁束79は、検出電流77の周波数によってパワーモジュールベース27の表面に流れる鏡像電流81つまり誘導電流78(或いは渦電流)の電流密度が変化することから周波数依存性を持つものであり、パワーモジュールベース27に対して垂直な方向の成分を主とし、パワーモジュールベース27に対して平行な方向の成分は極めて小さい或いは持たないという特徴がある。従って、磁気検出部47の配置によっては、パワーモジュールベース27で生成された磁束の磁気検出部47への影響を抑制し、電流検出器40の検出精度をさらに向上させることができる。
そこで、本実施例では、検出用導体41で生成された検出磁束80のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78(渦電流)に対して平行な成分の磁束を検出するように、検出用導体41に対して磁気検出部47を配置している。具体的には、検出用導体41のうち、検出電流用電極42から屈曲してパワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる部分、すなわち検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直に立設する部分の一方側に対して磁気検出用半導体素子43の磁気検出面が平行かつ垂直になるように、しかも検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直になるように、検出電流用電極42から屈曲してパワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる検出用導体41部分に磁極検出部47を配置している。
磁気検出部47の配置は、検出用導体41のうち、検出電流用電極42から屈曲して、パワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる部分、すなわち検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直に立設する部分の一方側或いは他方側のどちらであっても構わない。すなわちパワーモジュールベース27から遠ざかる方向に電流を流す検出用導体41部分或いはパワーモジュールベース27に近づく方向に電流を流す検出用導体41部分のどちらであっても構わない。また、磁気検出部47の配置は、検出用導体41、検出電流用電極42,電極52から構成された電流の輪の内側或いは外側のどちらであっても構わない。
また、検出用導体41のうち、検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して平行に延びる部分の長さを十分に確保することにより、検出電流用電極42から屈曲して、パワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる部分、すなわち検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直に立設する部分の一方側から他方側への磁気的相互干渉を低減することができる。従って、検出磁束80の磁束密度を高めることができ、電流検出器40の電流検出精度をさらに向上させることができる。
磁気検出部47は、第1実施例と同様に、検出精度を校正する機能を有するものであり、磁気検出用半導体素子43と、磁気検出用半導体素子43と電気的に接続された接続端子44、すなわち電源端子65,信号端子70及び校正端子71の一部とをモールド樹脂45によって覆われて構成されている。磁気検出用半導体素子43にはホール素子を用いている。
磁気検出部47が配置される検出用導体41部分には磁気検出部47の一部を収納するための窪み46(凹部)が設けられいる。窪み46(凹部)には、接続端子44が検出用導体41から遠ざかる方向に延びるように、磁気検出部47のモールド樹脂45の一部が収納されている。磁気検出部47の窪み46との非対向のモールド樹脂45部分には接着層50を介して固定治具が1箇所に当てがわれている。固定治具は、磁気検出部47のモールド樹脂45の一部分を囲む(抱く)ように、窪み46との非対向のモールド樹脂45部分に検出用導体41が突出して形成されたアーム状の凸部49である。接着層50は、モールド樹脂45を押し付ける弾性力を有するもの或いは所定の処理を施すことで硬化し接着する機能を持つものであり、モールド樹脂45と凸部49とを接着させて固定させるものである。
さらに具体的に説明する。検出用導体41のうち、検出電流用電極42から屈曲(第1の屈曲部)して、パワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる部分、すなわち検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直に立設する(延びる)部分を第1の導体部、第1の導体部から第1の屈曲部で屈曲して延びる検出電流用電極42を第2の導体部、第1の導体部から第2の屈曲部で屈曲して延びる検出用導体41部分(検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直に立設する(延びる)部分から屈曲(第2の屈曲部)して、検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して平行に延びる検出用導体41部分)を第3の導体部とすると、磁気検出部47は、第1の導体部で生成された磁束のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78に対して平行な成分の磁束を検出する。
第2の導体部と第3の導体部は、第1の導体部に対して直角に屈曲したものであって、互いに異なる方向に延びるものである。具体的には、第2の導体部と第3の導体部が、互いに相反する方向に延びる。この場合、磁気検出部47は、磁気検出用半導体素子43が、第1の導体部で生成された磁束のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出用半導体素子43の磁気検出面が、第1の導体部の軸線を交点として第2の導体部及び第3の導体部に対して垂直な平面上に配置される。
尚、本実施例では、第2の導体部と第3の導体部が、互いに相反する方向に延びる場合について説明したが、次のような場合も考えられる。すなわち第2の導体部及び第3の導体部を同一平面上に配置した場合、第3の導体部が、第2の導体部に対して鈍角(90°<θ<180°の範囲)でずれた方向に延びる場合もある。このような場合、磁気検出部47は、磁気検出用半導体素子43が、第1の導体部で生成された磁束のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出用半導体素子43の磁気検出面が、第1の屈曲部を交点として第2の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、第1の導体部を含む第3の導体部側の空間に配置される。或いは磁気検出用半導体素子43が、第1の導体部で生成された磁束のうち、第1の導体部で生成された磁束のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出用半導体素子43の磁気検出面が、第1の屈曲部を交点として第2の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、第1の導体部を含む第3の導体部側の空間と、第2の屈曲部を交点として第3の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、第1の導体部を含む第2の導体部側の空間との重複する空間に配置される。
この他の構成については第1実施例と同様であるので、第1実施例と同符号を付してここでの説明を省略する。
本実施例では、検出用導体41のうち、検出電流用電極42から屈曲して、パワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる部分、すなわち検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して垂直に立設する部分の一方側に窪み46を設け、そこに磁気検出部47の一部を収納させたが、他方側にも同様の窪みを設け、そこにもう一つ別の磁気検出部を同様に収納し、バックアップ用としてもよい。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を奏することができると共に、検出用導体41で生成された検出磁束80のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78(渦電流)に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出部47を検出用導体41に配置しているので、誘導電流78によって生成され、周波数依存性を持つ磁束79による影響を抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度をさらに向上させることができる。
尚、本実施例では、導電性部材として、検出用導体41と電気的に絶縁されたパワーモジュールベース27を例にとり、パワーモジュールベース27に流れる誘導電流78によって生成される磁束79の影響を抑制することについて説明したが、検出用導体41と電気的に絶縁された或いは電気的に1点で接続された他の導電性部材、例えば金属製の電力変換装置ケース30(筐体),パワー半導体素子7と電気的に接続された導体,セラミックス基板28上の配線パターン(導電体箔)についても同様である。
また、本実施例によれば、磁気検出部47が設けられた検出用導体41を検出電流用電極42,セラミック基板28を介してパワーモジュールベース27上に載置させたので、電流の流通によって検出用導体41や検出電流用電極42に発生するジュール発熱を、放熱部材であるパワーモジュールベース27を介して放熱することができる。従って、本実施例によれば、ジュール発熱の増大を招く検出用導体41の細線化が可能となり、検出磁束80の磁束密度を高め、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例11〕
本発明の第11実施例を第38図,第39図に基づいて説明する。第38図,第39図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例であり、第1実施例とは磁気検出部47の配置が異なっている。
本実施例では、検出用導体41で生成された検出磁束80のうち、パワーモジュールベース27に対して垂直或いはパワーモジュールベース27に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の検出磁束82を検出するように、検出用導体41に対して磁気検出部47を配置している。具体的には、検出用導体41のうち、検出電流用電極42から屈曲してパワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる部分からさらに屈曲し、パワーモジュールベース27に対して平行に延びる部分に対して磁気検出用半導体素子43の磁気検出面が平行かつ垂直になるように、しかも検出電流用電極42(パワーモジュールベース27)に対して平行になるように、検出電流用電極42から屈曲してパワーモジュールベース27から遠ざかる方向に延びる検出用導体41部分からさらに屈曲し、パワーモジュールベース27に対して平行に延びる検出用導体41部分に磁極検出部47を配置している。
すなわちパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78によって生成される磁束79は、パワーモジュールベース27に対して垂直に交わる垂線に対して垂直な成分に比べ、垂線に対して平行な成分の方が小さい。従って、検出用導体41で生成される磁束のうち、パワーモジュールベース27に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の磁束を検出すれば、誘導電流によって生成される磁束の影響を受け難い。このため、本実施例では、上記のようにパワーモジュールベース27に対して平行に延びる検出用導体41部分に磁極検出部47を配置している。
この他の構成については第1実施例と同様であるので、第1実施例と同符号を付してここでの説明を省略する。
本実施例によれば、第1実施例と同様の効果を奏することができる共に、検出用導体41で生成された検出磁束80のうち、パワーモジュールベース27に対して垂直或いはパワーモジュールベース27に対して垂直に交わる垂線に対して平行な成分の検出磁束82を検出するように、検出用導体41に対して磁気検出部47を配置しているので、誘導電流78によって生成され、周波数依存性を持つ磁束79による影響を抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度をさらに向上させることができる。
〔実施例12〕
本発明の第12実施例を第40図に基づいて説明する。第40図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例では検出用導体41の構成が異なっている。すなわち本実施例では、検出用導体41と検出電流用電極42から構成される導体がパワーモジュールベース27に対して平行に延びたものであって、第1の屈曲部及び第2の屈曲部を有する略S字状形状のものである。本実施例では、第1の屈曲部と第2の屈曲部との間の導体部分が検出用導体41に相当し、他の部分が検出電流用電極42に相当する。検出用導体41は直線状に形成されている。検出電流用電極42の一方側(第1の屈曲部に近い導体の一端と第1の屈曲部との間の導体部分)と、検出電流用電極42の他方側(第2の屈曲部に近い導体の他端と第2の屈曲部との間の導体部分)は互いに平行であり、相反する方向に延びている。すなわち検出電流用電極42の一方側及び他方側は、検出用導体41に対して直角な方向に延びている。検出用導体41の長さは検出電流用電極42の長さより短い。
磁気検出部47は検出用導体41に配置されている。本実施例では、検出用導体41で生成される検出磁束80のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78(渦電流)に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出部47を検出用導体41に配置している。具体的には、磁気検出用半導体素子43の磁気検出面が、パワーモジュールベース27及び検出用導体41に対して垂直で検出用導体41に対して平行になるように、磁気検出部47を検出用導体41に配置している。
すなわちパワーモジュールベース27に対して平行に延びる導体に第1及び第2の屈曲部を形成して検出用導体41を形成することにより、検出用導体41近傍のパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78を、検出用導体41に対してほぼ直交するように交差して流すことができる。誘導電流78よって生成される磁束79は、パワーモジュールベース27に対して垂直で誘導電流78に対して直交する平面に対して平行な成分であり、パワーモジュールベース27に対して垂直で誘導電流78に対して平行な平面に対して平行な成分を持たない。このため、本実施例では、上記のようにパワーモジュールベース27に対して平行に延びる導体に第1及び第2の屈曲部を形成して検出用導体41を形成し、それに磁極検出部47を配置している。
この他の構成については第1実施例と同様であるので、第1実施例と同符号を付してここでの説明を省略する。
本実施例によれば、パワーモジュールベース27に対して平行に延びる導体に第1及び第2の屈曲部を形成して検出用導体41を形成し、検出用導体41で生成される検出磁束80のうち、パワーモジュールベース27或いはパワーモジュールベース27に流れる誘導電流78(渦電流)に対して平行な成分の磁束を検出するように、磁気検出部47を検出用導体41に配置しているので、誘導電流78によって生成され、周波数依存性を持つ磁束79による影響を抑制することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
尚、本実施例では、第1の屈曲部及び第2の屈曲部の屈曲角度を直角としたが鋭角であってもよい。また、本実施例では、検出電流用電極42の一方側と検出電流用電極42の他方側とを互いに平行で相反する方向に延びるように、検出用導体41と検出電流用電極42から構成される導体を構成したが、検出電流用電極42の一方側と検出電流用電極42の他方側とを互いに平行で同じ方向に延びるように、検出用導体41と検出電流用電極42から構成される導体を構成しても構わない。
〔実施例13〕
本発明の第13実施例を第41図乃至第43図に基づいて説明する。第41図乃至第43図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第10実施例の変形例である。本実施例では、樹脂絶縁層と積層銅箔からなる積層配線54が複数積層されたプリント配線基板53上に磁気検出用半導体素子43が固着されると共に、磁気検出用半導体素子43と積層配線54とがアルミワイヤによって電気的に接続され、かつ接続端子44と積層配線54とが電気的に接続された磁気検出部47を備えている。磁気検出用半導体素子43はモールド樹脂45によって覆われている。
積層配線54は、例えば同一配線層に引き回すと共に、異なる配線層に積層配線54の大凡全体が重なるような幅の広いシールド電極を設けて配置する。或いは積層配線54の幾つかを異なる配線層に配置すると共に、積層配線54が全域に渡り重なるように配置する。後者の場合、積層配線54間にチップコンデンサ56などの電子部品や磁気検出用半導体素子43の出力特性を改善する補正回路85を搭載することができる。
検出用導体41には、第10実施例と同様に窪み46が設けられている。窪み46には、磁気検出部47のプリント配線基板53の一部が収納されている。具体的に窪み46は、検出用導体41の一部を検出用導体41から2箇所突出させて設けたものである。尚、本実施例では、検出用導体41の一部分を2箇所突出させたが、1個でも又それ以上であっても構わない。また、検出用導体41と磁気検出用半導体素子43の磁気検出面との配置関係は第10実施例と同様の関係にある。
検出用導体41の窪み46(突出部)と対向するプリント配線基板53部分には接着層50が配置されている。プリント配線基板53は接着層50を介して窪み46(突出部)に当てがわれ、窪み46(突出部)に固定されている。接着層50は所定の処理を施すことによって硬化され、窪み46(突出部)とプリント配線基板53とを接着している。
この他の構成については第10実施例と同様であるので、第10実施例と同符号を付してここでの説明を省略する。
本実施例によれば、第10実施例と同様の効果を奏することができると共に、プリント配線板53の積層配線54と電気的に接続された接続端子44の形状を自由に変更することができる。従って、本実施例によれば、制御部26の制御基板55との接続方式の自由度を向上することができ、例えばコネクタによる接続も容易に実施することができる。
また、本実施例によれば、同一配線層に引き回すと共に、異なる配線層に積層配線54の大凡全体が重なるような幅の広いシールド電極を設けて積層配線54を配置したり、積層配線54の幾つかを異なる配線層に配置すると共に、積層配線54が全域に渡り重なるように配置したりするので、制御基板55の回路配線などで作られる電気的な環状結線内に鎖交する磁束(ノイズ)を低減することができ、磁気検出用半導体素子43の近接にチップコンデンサ56などのノイズ対策部品を配置することができる他、磁気検出用半導体素子43の出力特性を改善する補正回路85を搭載することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例14〕
本発明の第14実施例を第44図乃至第46図に基づいて説明する。第44図乃至第46図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第10実施例の変形例である。本実施例では、第10実施例と同様に構成された磁気検出部47を有し、接続端子44が第10実施例と同様の方向に延びるように、磁気検出部47のモールド樹脂45の一部を検出用導体41の窪み46に収納している。
検出用導体41には、磁気検出部47と検出用導体41とを固定するための爪部59及び凹凸部58を有する略コ字状の樹脂成形体57が挿入されている。樹脂成形体57は磁気検出部47の固定治具であり、凹凸部58が検出用導体41の磁気検出部47側とは反対側の検出用導体41の空洞部に挿入され、爪部59及び凹凸部58によって検出用導体41と磁気検出部47とを挟み込むように検出用導体41と噛み合っている。爪部59は、検出用導体41の窪み46との対向するのモールド樹脂45部分に接着層50を介して当てがわれており、磁気検出部47のモールド樹脂45部分を窪み46側に抑え付けて、磁気検出部47のモールド樹脂45部分を窪み46に固定してる。接着層50は所定の処理を施すことによって硬化され、磁気検出部47のモールド樹脂45と爪部59とを接着する。
このように構成された電流検出器40では、パワー半導体素子7が半田付けされる高温かつ数分間という長い半田プロセスを用いて検出用導体41をセラミックス基板28の電極52に半田付けした後、樹脂成形体57の凹凸部58を検出用導体41の空洞部に挿入して、樹脂成形体57と検出導体41とを噛み合わせる。この後、検出用導体41の窪み46に磁気検出部47を差し込み、検出用導体41の窪み46との対向のモールド樹脂45部分に接着層50を介して樹脂成形体57の爪部59を当てがい、磁気検出部47を検出用導体41の窪み46に固定する。尚、本実施例では、爪部59とモールド樹脂45部分との間に接着層50を設けたが、これを無くし、樹脂成形体57の爪部59及び凹凸部58に弾力性を持たせ、検出用導体41と磁気検出部47とを樹脂成形体57の爪部59及び凹凸部58によって挟み込むようにしてもよい。
この他の構成については第10実施例と同様であるので、第10実施例と同符号を付してここでの説明を省略する。
本実施例によれば、第10実施例と同様の効果を奏することができると共に、樹脂成形体57に磁性体粉末などを混ぜ合わせ、検出用導体41と共に樹脂成形体57で磁気回路を構成することにより、磁気検出部47に入力される磁束量を向上させることができると共に、近接回路から放出されるノイズ磁束や導電性部材84の移動及び変形さらには追加による誘導電流による磁束79の影響を低減することができる。従って、本実施例によれば、電流検出器40の検出感度をさらに向上させることができ、電流検出器40の検出精度を向上させることができる。
〔実施例15〕
本発明の第15実施例を第47図乃至第49図に基づいて説明する。第47図乃至第49図は、本実施例の電力変換装置に設けられた電流検出器の構成を示す。本実施例は第14実施例の変形例である。本実施例では、第14実施例と同様に構成された磁気検出部47を有し、接続端子44が第14実施例と同様の方向に延びるように、磁気検出部47のモールド樹脂45の一部を検出用導体41の窪み46に収納している。
検出用導体41には、磁気検出部47と検出用導体41とを固定するための爪部59及び凹凸部58を有する略コ字状の樹脂成形体74が挿入されている。樹脂成形体74は磁気検出部47の固定治具であり、凹凸部58が検出用導体41の磁気検出部47側とは反対側の検出用導体41の空洞部に挿入され、爪部59及び凹凸部58によって検出用導体41と磁気検出部47とを挟み込むように検出用導体41と噛み合っている。爪部59は、検出用導体41の窪み46との対向するのモールド樹脂45部分に接着層50を介して当てがわれており、磁気検出部47のモールド樹脂45部分を窪み46側に抑え付けて、磁気検出部47のモールド樹脂45部分を窪み46に固定してる。接着層50は所定の処理を施すことによって硬化され、磁気検出部47のモールド樹脂45と爪部59とを接着する。
また、本実施例では、樹脂成形体74の爪部59の検出用導体41側とは反対側には複数のインサート電極76が内蔵されている。複数のインサート電極76は、爪部59の検出用導体41側とは反対側に設けられたステップ部分まで延びている。樹脂成形体74の爪部59のステップ部分には、アルミワイヤ32のボンディングが可能な平坦な複数のパット62がその表面に露出するように埋設されおり、対応するインサート電極76の一端が接続されている。複数のインサート電極76の他端は爪部59の先端から外部に突出しており、対応する接続端子44と半田51によって接続されている。
本実施例によれば、第14実施例と同様の効果を奏することができると共に、磁気検出部47の接続端子44を直接、制御基板55に接続しないので、アルミワイヤ32やアルミワイヤ32に接続されたパワーモジュール16内の配線にて自由な位置に引き回すことができる。従って、本実施例によれば、制御基板55との接続位置を磁気検出部47の位置に関係なくレイアウトすることができ、磁気検出部47と検出用導体41との間の距離を効率良く高精度化することができる。
〔実施例16〕
本発明の第16実施例を第50図に基づいて説明する。第50図は、前述した第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電動機駆動システムが搭載されたハイブリッド自動車の概略構成を示す。ハイブリッド自動車は、内燃機関17と電動機5を切り替えて一方の車輪を駆動するものである。車軸20にはギア23を介して内燃機関17が機械的に接続されている。内燃機関17には電動機5が機械的に接続されている。この他の構成は第1実施例の電気自動車と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
本実施例によれば、小型でかつ高精度な電力制御が行える第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置24を用いたので、ハイブリッド自動車の電動機駆動システムとしては、システムの小型化,低価格化,信頼性の向上などを図ることができる。また、ハイブリッド自動車としては、低価格化,燃費の向上,一充電あたりの走行距離の向上,電力変換装置の実装スペースの縮小化などを図ることができる。
〔実施例17〕
本発明の第17実施例を第51図に基づいて説明する。第51図は、前述した第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電動機駆動システムが搭載された電動四駆式の自動車の構成を示す。電動四駆式の自動車は、内燃機関17を主駆動源として車輪を駆動し、電動機5を副駆動源(アシスト用)として他方の車輪を駆動するものである。車軸20にはギア23を介して内燃機関17が機械的に接続されている。車軸22にはギア23を介して電動機5が機械的に接続されている。この他の構成は第1実施例の電気自動車と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
本実施例によれば、小型でかつ高精度な電力制御が行える第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置24を用いたので、電動四駆式の自動車の電動機駆動システムとしては、システムの小型化,低価格化,信頼性の向上などを図ることができる。また、電動四駆式の自動車としては、低価格化,燃費の向上,電力変換装置の実装スペースの縮小化などを図ることができる。
〔実施例18〕
本発明の第18実施例を第52図に基づいて説明する。第52図は、前述した第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電動機駆動システムが搭載された自動車の概略構成を示す。電動機駆動システムとしては、電動機87を駆動して、被駆動体である操舵装置86(ステアリング装置)の操舵角を調整する電動パワーステアリングシステム,電動機88を駆動して、被駆動体であるコンプレッサを駆動する電動エアコンシステム,電動機89を駆動して、被駆動体であるブレーキキャリパー内のブレーキパッドを加圧する電動ブレーキシステムのいずれか或いは2つ以上を備えている。電動機駆動システムは、第1実施例の電気自動車と同様に、バッテリ6から供給された直流電力を電力変換装置24で交流電力に変換し、電動機86,88,89に供給し、電動機86,88,89を駆動するように構成されている。
本実施例によれば、小型でかつ高精度な電力制御が行える第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置24を用いたので、自動車に搭載された電動機駆動システムの小型化,低価格化,信頼性の向上などを図ることができる。尚、本実施例では、直流電源としバッテリを用いて説明したが、燃料電池を用いたシステムなどにも適用することができる。
〔実施例19〕
本発明の第19実施例を第53図に基づいて説明する。第53図は、前述した第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した太陽光発電システムの構成を示す。太陽光発電システムは、太陽電池で得られた直流電力をバッテリ6に蓄えている。バッテリ6に蓄えられた直流電力は、電力変換装置24で交流電力に変換され、電源系統に供給される。
本実施例によれば、小型でかつ高精度な電力制御が行える第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置24を用いたので、太陽光発電システムの小型化,低価格化,信頼性の向上などを図ることができる。尚、本実施例では、太陽電池を用いた太陽光発電システムを例にとり説明したが、燃料電池を用いた燃料電池システムなどにも適用することができる。
〔実施例20〕
本発明の第20実施例を第54図に基づいて説明する。第54図は、前述した第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電力システムの構成を示す。本実施例の電力システムは、商用電源4から供給された交流電力を電力変換装置のコンバータ部1で直流電力に平滑し、この直流電力を電力変換装置のインバータ部2で所定の電圧と所定の周波数の交流電力に変換して電気負荷、例えば電動機5に供給する電動機駆動システムである。電力変換装置は、ダイオードなどの整流素子から構成されたコンバータ部1(順変換部)と、PWM(パルス・ワイド・モジュレーション:パルス幅変調)制御方式のインバータ部2(逆変換部)と、コンバータ部1とインバータ部2との間の直流部に接続された平滑用のコンデンサ3(キャパシタ)が電気的に接続されて電力変換装置ケース30内に収納されている。インバータ部2は、前述した第1乃至9実施例のいずれかの電力変換装置と同様に構成されている。従って、インバータ部2の詳細な説明は省略する。
本実施例によれば、インバータ部2の構成として、小型でかつ高精度な電力制御が行える第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置と同様の構成を用いたので、電力システム、例えば電動機駆動システムの小型化,低価格化,信頼性の向上などを図ることができる。
産業上の利用可能性
以上説明した本発明によれば、小型でかつ高精度な電流検出が行える電流検出器を備えたので、小型でかつ高精度な電力制御が行える電力変換装置及びそれをそえた電力システム並びに移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第2図は、本発明の第1実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第3図は、本発明の第1実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第4図は、本発明の第1実施例である電力変換装置のパワーモジュール(1相分)の内部構成を示す平面図である。
第5図は、本発明の第1実施例である電力変換装置のパワーモジュール(1相分)の内部構成を示すものであり、第4図のA−A′断面を示す断面図である。
第6図は、本発明の第1実施例である電力変換装置のパワーモジュール(1相分)の電気的な回路構成を示す回路図である。
第7図は、本発明の第1実施例である電力変換装置の内部構成を示す断面図である。
第8図は、本発明の第1実施例である電力変換装置が適用された電気自動車の電動機駆動システムの構成を示すシステムブロック図である。
第9図は、本発明の第1実施例である電力変換装置が適用された電動機駆動システムを搭載する電気自動車の概略構成を示すブロック図である。
第10図は、本発明の第2実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第11図は、本発明の第2実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第12図は、本発明の第2実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第13図は、本発明の第3実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第14図は、本発明の第3実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第15図は、本発明の第3実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第16図は、本発明の第4実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第17図は、本発明の第4実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第18図は、本発明の第4実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第19図は、本発明の第5実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第20図は、本発明の第5実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第21図は、本発明の第6実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第22図は、本発明の第6実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示すものであり、第21図のB−B′断面を示す断面図である。
第23図は、本発明の第7実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第24図は、本発明の第7実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第25図は、本発明の第7実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第26図は、本発明の第8実施例である電力変換装置の端子台に設けられた電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第27図は、本発明の第8実施例である電力変換装置の端子台に設けられた電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第28図は、本発明の第8実施例である電力変換装置の端子台の構成を示す正面平面図である。
第29図は、本発明の第8実施例である電力変換装置の端子台の構成を示す上面平面図である。
第30図は、本発明の第8実施例である電力変換装置の端子台の構成を示す側面平面図である。
第31図は、本発明の第8実施例である電力変換装置の構成を示す断面図である。
第32図は、本発明の第9実施例である電力変換装置の構成を示す断面図である。
第33図は、本発明の第10実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す斜視図である。
第34図は、本発明の第10実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す一部断面の側面平面図である。
第35図は、本発明の第10実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第36図は、本発明の第10実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第37図は、本発明の第10実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第38図は、本発明の第11実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す斜視図である。
第39図は、本発明の第11実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す一部断面の側面平面図である。
第40図は、本発明の第12実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す斜視図である。
第41図は、本発明の第13実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第42図は、本発明の第13実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第43図は、本発明の第13実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第44図は、本発明の第14実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第45図は、本発明の第14実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第46図は、本発明の第14実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第47図は、本発明の第15実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す正面平面図である。
第48図は、本発明の第15実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す上面平面図である。
第49図は、本発明の第15実施例である電力変換装置のパワーモジュールに内蔵された電流検出器の構成を示す側面平面図である。
第50図は、本発明の第16実施例であり、第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電動機駆動システムが搭載されたハイブリッド自動車の概略構成を示すブロック図である。
第51図は、本発明の第17実施例であり、第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電動機駆動システムが搭載された電動四駆式の自動車の概略構成を示すブロック図である。
第52図は、本発明の第18実施例であり、第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電動機駆動システムが搭載された自動車の概略構成を示すブロック図である。
第53図は、本発明の第19実施例であり、第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した太陽光発電システムの構成を示すブロック図である。
第54図は、本発明の第20実施例であり、第1乃至15実施例のいずれかの電力変換装置を適用した電力システムの構成を示すブロック図である。
Claims (16)
- 電力制御用半導体素子、前記電力制御用半導体素子に入力される或いは前記電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、前記電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、前記電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有し、前記電流検出器は、前記電力制御用半導体素子と電気的に接続された導体と、前記導体に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、前記制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、前記導体で生成される磁束のうち、前記導電性部材に流れる前記誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出するものであることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記導電性部材から遠ざかる方向に延びる部分を有しており、前記磁気検出部は、前記導電性部材から遠ざかる方向に延びる前記導体部分で生成される磁束のうち、前記導電性部材に流れる前記誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出することを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記導電性部材に対して垂直で前記導電性部材から遠ざかる方向に延びる部分を有しており、前記磁気検出部は、前記磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、前記導電性部材及び前記導電性部材から遠ざかる方向に延びる前記導体部分に対して垂直で前記導電性部材から遠ざかる方向に延びる前記導体部分に対して平行になるように、前記導電性部材に対して垂直で前記導電性部材から遠ざかる方向に延びる前記導体部分に設けられることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記導電性部材に対して平行に延びるものであって、少なくとも第1及び第2の屈曲部を有するものであり、前記磁気検出部は、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分で生成される磁束のうち、前記導電性部材に流れる誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出することを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記導電性部材に対して平行に延びるものであって、少なくとも第1及び第2の屈曲部を有するものであり、前記磁気検出部は、前記磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分及び前記導電性部材に対して垂直で前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分に対して平行になるように、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分に設けられることを特徴とする電力変換装置。
- 電力制御用半導体素子、前記電力制御用半導体素子に入力される或いは前記電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、前記電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、前記電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有し、前記電流検出器は、前記電力制御用半導体素子と電気的に接続されると共に、前記導電性部材に対して平行に延び、かつ少なくとも第1及び第2の屈曲部を有する導体と、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、前記制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分で生成される磁束のうち、前記導電性部材に流れる前記誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出するものであることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項6に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分である第1の導体部と、前記第1の導体部から前記第1の屈曲部で屈曲して延びる第2の導体部と、前記第1の導体部から前記第2の屈曲部で屈曲して延びる第3の導体部から構成されており、前記磁気検出部は、前記第1の導体部で生成された磁束のうち、前記導電性部材に流れる前記誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出することを特徴とする電力変換装置。
- 請求項6に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分である第1の導体部と、前記第1の導体部から前記第1の屈曲部で屈曲して延びる第2の導体部と、前記第1の導体部から前記第2の屈曲部で屈曲して延びる第3の導体部から構成されており、前記磁気検出部は、前記磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、前記第1の導体部及び前記導電性部材に対して垂直で前記第1の導体部に対して平行になるように、前記第1の導体部に設けられることを特徴とする電力変換装置。
- 電力制御用半導体素子、前記電力制御用半導体素子に入力される或いは前記電力制御用半導体素子から出力された電流を検出する電流検出器を有するパワーモジュール部と、前記電力制御用半導体素子の動作を制御する制御部と、前記電流検出器に流れる電流で生じる電磁誘導によって誘導電流が流れる導電性部材とを有し、前記電流検出器は、前記電力制御用半導体素子と電気的に接続されると共に、少なくとも第1及び第2の屈曲部を有する導体と、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分に設けられる或いはその近傍に配置されると共に、前記制御部と電気的に接続された磁気検出用半導体素子を有する磁気検出部とを有するものであり、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分で生成される磁束のうち、前記導電性部材に流れる前記誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出するものであることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項9に記載の電力変換装置において、前記導体は、前記第1の屈曲部と前記第2の屈曲部との間の前記導体部分であって、前記導電性部材に対して垂直に延びる第1の導体部と、前記第1の導体部から前記第1の屈曲部で屈曲して延びる第2の導体部と、前記第1の導体部から前記第2の屈曲部で屈曲して延びる第3の導体部から構成されており、前記磁気検出部は、前記第1の導体部で生成された磁束のうち、前記導電性部材に流れる前記誘導電流の方向に平行な成分の磁束を検出することを特徴とする電力変換装置。
- 請求項10に記載の電力変換装置において、前記第2の導体部と前記第3の導体部は、前記第1の導体部に対して直角に屈曲したものであって、互いに異なる方向に延びるものであることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項11に記載の電力変換装置において、前記第2の導体部と前記第3の導体部は、互いに相反する方向に延びるものであることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項12に記載の電力変換装置において、前記磁気検出部は、前記磁気検出用半導体素子が、前記第1の導体部で生成された磁束のうち、前記導電性部材或いは前記導電性部材に流れる前記誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、前記磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、前記第1の導体部の軸線を交点として前記第2の導体部及び前記第3の導体部に対して垂直な平面上に配置されることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項11に記載の電力変換装置において、前記第3の導体部は、前記第2の導体部に対して鈍角(90°<θ<180°の範囲)でずれた方向に延びるものであることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項14に記載の電力変換装置において、前記磁気検出部は、前記磁気検出用半導体素子が、前記第1の導体部で生成された磁束のうち、前記導電性部材或いは前記導電性部材に流れる前記誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、前記磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、前記第1の屈曲部を交点として前記第2の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、前記第1の導体部を含む前記第3の導体部側の空間に配置されることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項14に記載の電力変換装置において、前記磁気検出部は、前記磁気検出用半導体素子が、前記第1の導体部で生成された磁束のうち、前記導電性部材或いは前記導電性部材に流れる前記誘導電流に対して平行な成分の磁束を検出するように、前記磁気検出用半導体素子の磁気検出面が、前記第1の屈曲部を交点として前記第2の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、前記第1の導体部を含む前記第3の導体部側の空間と、前記第2の屈曲部を交点として前記第3の導体部に対して垂直な平面で区切られる空間であって、前記第1の導体部を含む前記第2の導体部側の空間との重複する空間に配置されることを特徴とする電力変換装置。
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