JP3932636B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した後に、そのコンタクトホール内に残存する有害な副生成物を除去する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIで代表される半導体装置の製造では、半導体装置の微細化に伴って多層配線構造が採用されており、微細な配線パターンを精度良く形成するために、種々の構造が提案されている。その一つとして、ボーダーレスコンタクト構造があげられる。このボーダーレスコンタクト構造は、下層のメタル配線に、いわゆる座布団を形成せずにコンタクトをとる手法であるために、配線ピッチを縮小することが可能であるという利点がある。したがって、このボーダーレスコンタクト構造は、半導体装置を微細化するために有効な手段になりつつある。
【0003】
図4(A)乃至(C)は、そのようなボーダーレスコンタクト構造を採用した従来の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【0004】
まず、図4(A)に示すように、予めトランジスタ等の必要な素子を形成した例えばSi単結晶などからなる半導体基板21上にSiO2 などを含む第1の層間絶縁膜22を形成した後、この第1の層間絶縁膜22上にAlなどのメタル配線23を形成する。次に、メタル配線23を覆うようにSOG(スピン・オン・グラス)系膜、O3 (オゾン)−TEOS(テトラエトキシシラン)系膜等からなる第2の層間絶縁膜24を形成し、CMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング)技術を用いてその表面を平坦化する。続いて、メタル配線23に達するコンタクトホールを形成すべく、第2の層間絶縁膜24上にフォトレジストを塗布し、所定形状にパターニングしてレジスト膜25を形成する。
【0005】
次に、図4(B)に示すように、半導体基板21に対してレジスト膜25を形成した状態で、例えばC2 F6 、CHF3 などを用いたRIE(リアクティブ・イオン・エッチング)法によりドライエッチング処理を行って、第2の層間絶縁膜24を選択的に除去してメタル配線23に達するコンタクトホール26を形成する。このとき、コンタクトホール26内にドライエッチング処理における副生成物としてF(フッ素)を含むポリマー27が堆積することが多い。
【0006】
次に、図4(C)に示すように、半導体基板21に対してO2 プラズマを主としてアッシング処理を行って、レジスト膜25を昇華させて除去する。続いて、レジスト残渣とポリマー27の除去を目的として、半導体基板21をアミン系有機溶剤などを用いた有機剥離液による洗浄処理を行う。これによって、第2の層間絶縁膜24にはメタル配線23に達するコンタクトホール26が形成されるので、このコンタクトホール26内に他の配線材料を堆積することにより、メタル配線23と導通した上層配線を形成することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の半導体装置の製造方法では、O2 プラズマを主としたアッシング処理によっても除去されないでコンタクトホール26内に残存しているフッ素Fやポリマー27に含まれているフッ素Fが、その後の有機剥離液による洗浄処理の際に洗浄液を介してHF(フッ酸)と同じような有害な働きをするので、メタル配線23の一部を侵蝕(腐食)するという問題がある。28はその侵蝕された部分を指す。
【0008】
即ち、図4(C)に示すように、そのような侵蝕によってメタル配線23の一部に溝28が形成される現象が生ずる。この結果、コンタクト抵抗の増加や、メタル配線の信頼性の低下等の不都合が発生するようになる。
【0009】
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に残存している有害な副生成物、例えばフッ素Fを除去することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成した層間絶縁膜上にメタル配線を形成し、このメタル配線を他の層間絶縁膜で覆った後、他の層間絶縁膜をレジスト膜をマスクとしてドライエッチングをすることにより、層間絶縁膜にメタル配線に達するコンタクトホールを形成し、O 2 プラズマによりレジスト膜に対するアッシング処理を施し、更にコンタクトホール内のフッ素を含むポリマーを除去するための洗浄を行う半導体装置の製造方法であって、プラズマによるアッシング処理によりレジスト膜を除去した後、フッ素を含むポリマーを除去するためのアルコールによる洗浄工程と、アルコールが半導体基板に付着した状態で行う有機剥離液による洗浄工程と、有機剥離液を置換するためのアルコールによる置換工程と、アルコールを置換するための水による置換工程と、半導体基板の乾燥工程とを有することを特徴とする。
【0011】
従って、本発明の半導体装置の製造方法によれば、コンタクトホール内、例えば内壁面に残存するフッ素Fをアルコールによる洗浄処理により除去することができ、延いてはフッ素Fによりメタル配線が侵蝕されるのを未然に防止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された層間絶縁膜にドライエッチング処理を行ってコンタクトホールを形成する際にマスクとして用いたレジスト膜をプラズマによるアッシング処理を行って除去した後、半導体基板に対して有機剥離液による洗浄処理を行う前にアルコールによる洗浄処理を施すが、用いるアルコールは一般にはアルコールなら何でも良いと一応は言える。しかし、IPA(イソプロピルアルコール)若しくはエタノールを用いることがより好ましい。というのは、半導体に利用できる高純度な(不純物を含まない)アルコールだからである。アルコールによる処理時間は数十秒〜数分程度であり、例えば1分間程度が最適といえる。この程度の時間でフッ素Fは充分に除去することができ、時間が長すぎると、折角除去したフッ素が半導体ウェハに悪影響を与えるおそれがある。
【0015】
アルコールによる洗浄処理の後、有機系剥離液により洗浄処理を施すが、この有機系剥離液による洗浄処理は、その前の洗浄処理によるアルコールが付着したままで行って良く、完全にアルコールを切ってから行うことは必要ではない。そして、有機系剥離液による洗浄処理が終わると、アルコールリンスと純水リンスを経て乾燥処理を施すことが好ましい。
【0016】
本発明半導体装置の製造方法は、第1のアルコール洗浄手段と、有機剥離液洗浄手段と、第2のアルコール洗浄手段と、一又は複数の純水洗浄手段と、乾燥手段を有する。第1のアルコール洗浄手段から純水洗浄手段までの各洗浄手段は、液槽により構成しても良いし、洗浄液吐出部により構成しても良い。
【0017】
そして、各洗浄手段及び乾燥手段を洗浄等の処理順に一方向に直線上に配列するようにしても良いし、半導体基板を回転可能に支持し、その支持部の周辺部上方に洗浄液吐出部及び乾燥部を配設し、順次各洗浄液吐出部から回転する半導体基板表面上に洗浄液を供給し、乾燥部により乾燥するようにしても良い。
【0018】
【実施例】
以下、本発明を図示実施の実施例に従って詳細に説明する。図1(A)乃至(C)は、本発明半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【0019】
(A)予めトランジスタ等の必要な素子を形成したSi単結晶等からなる半導体基板1上にSiO2 等を含む第1の層間絶縁膜2を形成した後、この第1の層間絶縁膜2上にAlなどのメタル配線3を形成する。次に、メタル配線3を覆うようにSOG系膜、O3 −TEOS系膜等からなる第2の層間絶縁膜4を形成し、CMP技術を用いてその表面を平坦化する。
【0020】
続いて、メタル配線3に達するコンタクトホールを形成すべく、第2の層間絶縁膜4上にフォトレジストを塗布し、所定形状にパターニングすることによりレジスト膜5を形成する。図1(A)は該レジスト膜5形成後の状態を示す。
【0021】
(B)次に、図1(B)に示すように、半導体基板1に対してレジスト膜5を形成した状態で、例えばC2 F6 、CHF3 などを用いたRIE法によりドライエッチング処理を行って、第2の層間絶縁膜4を選択的に除去してメタル配線3に達するコンタクトホール6を形成する。このとき、コンタクトホール6内にドライエッチング処理における副生成物としてフッ素Fを含むポリマー7が形成される。
【0022】
(C)続いて、半導体基板1に対してO2プラズマを主としてアッシング処理を行って、レジスト膜5を昇華させて除去する。次に、アッシング処理後の後洗浄シーケンスを行う。図1(C)はその洗浄シーケンスが終了した状態を示す。
【0023】
この後洗浄シーケンスは、例えば図2に示したような装置を用いて行う。この装置は、レジスト膜5を除去するためのO2 プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1を洗浄処理する第1のアルコール槽8と、その第1のアルコール槽8から取り出された半導体基板1を洗浄処理する有機剥離液槽9と、その有機剥離液槽9から取り出された半導体基板1を洗浄処理するアルコールを用いた第2のアルコール槽10と、その第2のアルコール槽10から取り出された半導体基板1を洗浄処理する純水を用いた第1の水洗槽11及び第2の水洗槽12と、その第2の水洗槽12から取り出された半導体基板1を乾燥する乾燥機13とを備えている。ここで、第1のアルコール槽8に入れる洗浄用アルコールとしてはIPA又はエタノールを用いることが好ましい。また、有機剥離液槽9にはアミン系有機溶剤などが用いられる。
【0024】
後洗浄シーケンスは次のように行う。まず、レジスト膜5を除去するためのO2 プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1を、半導体装置の製造装置の入口部LDより供給して、例えばIPA或いはエタノールを用いた第1のアルコール槽8に約1分程度浸漬する。これによって、コンタクトホール6内に形成されていたFを含むポリマー7は、図2(C)に示すように容易に除去される。この浸漬時間は、あまり長くとると除去したフッ素Fが半導体基板1に対して悪影響を与える可能性があるので、上記した時間で十分である。
【0025】
次に、第1のアルコール槽8から取り出した半導体基板1をその表面にアルコールが付着している状態で、アミン系有機溶剤などを用いた有機剥離液槽9に浸漬する。これによって、半導体基板1からレジスト残渣やポリマー7の除去を行う。アルコールを付着しておくことにより、その除去が効率よく行われる。
【0026】
次に、有機剥離液槽9から取り出した半導体基板1を、アルコールを用いた第2のアルコール槽10に浸漬して、アルコールによるリンスを行う。続いて、第2のアルコール槽10から取り出した半導体基板1を、純水を用いた第1の水洗槽11及び第2の水洗槽12に順次に浸漬して、純水によるリンスを行う。次に、第2の水洗槽12から取り出した半導体基板1を乾燥機13に晒して乾燥を行った後、出口部ULDから取り出す。この後、さらに洗浄処理を行う事により、図2(C)に示したようなポリマー7のない状態にできる。
【0027】
続いて、このコンタクトホール5内に他の配線材料を堆積することにより、メタル配線3と導通した上層配線を形成することができる。
【0028】
このように、本半導体装置の製造方法によれば、レジスト膜5を除去するためのO2プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1に対して、有機剥離液による洗浄処理を行う前に、アルコールによる洗浄処理を行うようにしたので、第2の層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホール6内に残存しているフッ素Fを含むポリマー7のような有害な副生成物を容易に除去することができる。従って、フッ素Fによる侵食は抑制されるので、メタル配線3の一部に溝が形成されることはなくなる。この結果、コンタクト抵抗の増加や、メタル配線の信頼性の低下などの不都合は発生しなくなる。これにより、安定した製造プロセスが可能になる。
【0029】
また、本実施例の半導体装置の製造方法を実施するために用いる半導体装置の製造装置は、特別に複雑な構成にすることなく、周知のアルコール槽8や有機剥離液槽9等を組み合わせた簡単な構成になっているので、コストアップを避けることができる。
【0030】
図3は半導体装置の製造装置を示す構成図である。
【0031】
本装置は、レジスト膜5を除去するためのO2 プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1を収容するチャンバー14と、そのチャンバー14内に設けられ半導体基板1を回転させる回転支持機構15と、チャンバー14内の上方に設けられ半導体基板1に対して例えばIPA又はエタノールを用いたアルコールを吐出する第1のアルコール吐出ノズル16と、チャンバー14内の上方に設けられ半導体基板1に対して有機剥離液を吐出する有機剥離液吐出ノズル17と、チャンバー14内の上方に設けられ半導体基板1に対してアルコールを吐出する第2のアルコール吐出ノズル18と、チャンバー14内の上方に設けられ半導体基板1に対して純水を吐出する純水吐出ノズル19と、チャンバー14内の上方に設けられ半導体基板1を乾燥する乾燥機20とを備えている。
【0032】
図3の装置を用いた後洗浄シーケンスは次のように行う。先ず、レジスト膜5を除去するためのO2 プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1を、チャンバー14内に収容してその回転支持機構15に支持させる。次に、半導体基板1を回転させて第1のアルコール吐出ノズル16の直下位置において、その第1のアルコール吐出ノズル16から半導体基板1に対してIPAまたはエタノールを用いたアルコールを約30秒程度吐出する。これによって、コンタクトホール6内に形成されていたフッ素Fを含むポリマー7は、図2(C)に示すように容易に除去される。この浸漬時間は、あまり長くとると除去したFが半導体基板1に対して悪影響を与える可能性があるので、上記した時間で十分である。
【0033】
次に、さらに半導体基板1を回転させて有機剥離液吐出ノズル17の直下位置において、その有機剥離液吐出ノズル17から半導体基板1に対してアミン系有機溶剤液を吐出する。これによって、半導体基板1からレジスト残渣やポリマー7が除去される。続いて、更に半導体基板1を回転させて第2のアルコール吐出ノズル18の直下位置において、その第2のアルコール吐出ノズル18から半導体基板1に対してアミン系有機溶剤液を吐出する。次に、更に半導体基板1を回転させて純水吐出ノズル19の直下位置において、その純水吐出ノズル19から半導体基板1に対して純水を吐出する。続いて、さらに半導体基板1を回転させて乾燥機20の直下位置において、乾燥機20に晒して乾燥を行った後、チャンバー14から取り出す。この後、さらに洗浄処理を行うことにより、図2(C)に示したようなポリマー7のない状態になる。続いて、このコンタクトホール5内に他の配線材料を堆積することにより、メタル配線3と導通した上層配線を形成することができる。
【0034】
このような、半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法によれば、上記実施例と同様に、レジスト膜5を除去するためのO2プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1に対して、有機剥離液による洗浄処理を行う前に、アルコールによる洗浄処理を行うようにしたので、第2の層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホール6内に残存しているフッ素Fを含むポリマー7のような有害な副生成物を容易に除去することができる。
【0035】
また、本実施例の半導体装置の製造装置は、チャンバー14を用意してこの内部に一連の洗浄に必要な構成手段を配置しているので、製造装置のコンパクト化を図ることができる。
【0036】
なお、本文中では第2の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する例で説明したが、多層配線構造であれば特定の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する例に限らない。
【0037】
【発明の効果】
請求項1に係る発明の半導体装置の製造方法によれば、レジスト膜を除去するためのO2 プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板に対して、有機剥離液による洗浄処理を行う前に、アルコールによる洗浄処理を行うようにしたので、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に残存している有害な副生成物、例えばフッ素Fを容易に除去することができる。
【0038】
さらに、アルコールが半導体基板に付着している状態で有機剥離液による洗浄処理を行うようにしたので、有害な副生成物、例えばフッ素Fを効率よく除去することができる。
【0039】
請求項2に係る発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体に利用できる高純度な(不純物を含まない)アルコールであるIPAまたはエタノールを用いて洗浄処理を行うようにしたので、有害な副生成物を簡単且つ有効に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(C)は本発明半導体装置の製造方法の第1の実施例を工程順に示す断面図である。
【図2】 半導体装置の製造装置の第1の例を示す構成図である。
【図3】 半導体装置の製造装置の第2の例を示す構成図である。
【図4】(A)〜(C)は従来の半導体装置の製造方法を工程順に従って示す断面図である。
【符号の説明】
1…半導体基板、2…第1の層間絶縁膜、3…メタル配線、4…第2の層間絶縁膜、5…レジスト膜、6…コンタクトホール、7…フッ素を含むポリマー、8…第1のアルコール槽、9…有機剥離液槽、10…第2のアルコール槽、11…第1の水洗層、12…第2の水洗槽、13…乾燥機、14…チャンバー、15…回転支持機構、16…第1のアルコール吐出ノズル、17…有機剥離液吐出ノズル、18…第2のアルコール吐出ノズル、19…純水吐出ノズル、20…乾燥機。
Claims (2)
- 半導体基板上に形成した層間絶縁膜上にメタル配線を形成し、該メタル配線を他の層間絶縁膜で覆った後、該他の層間絶縁膜をレジスト膜をマスクとしてドライエッチングをすることにより該層間絶縁膜に上記メタル配線に達するコンタクトホールを形成し、O2プラズマにより上記レジスト膜に対するアッシング処理を施し、更に該コンタクトホール内のフッ素を含むポリマーを除去するための洗浄を行う半導体装置の製造方法であって、
上記プラズマによるアッシング処理により上記レジスト膜を除去した後、
上記フッ素を含むポリマーを除去するためのアルコールによる洗浄工程と、
上記アルコールが上記半導体基板に付着した状態で行う有機剥離液による洗浄工程と、
上記有機剥離液を置換するためのアルコールによる置換工程と、
上記アルコールを置換するための水による置換工程と、
上記半導体基板の乾燥工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記アルコールによる洗浄工程を、IPA又はエタノールを用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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