JP3932445B2

JP3932445B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3932445B2
Application number: JP2001156831A
Authority: JP
Inventors: パルゴサインダラム; 和正野本; 暁夫町田; 美弥子中越; 節夫碓井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-05-31
Filing date: 2001-05-25
Publication date: 2007-06-20
Anticipated expiration: 2021-05-25
Also published as: JP2002057164A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体層に導入した不純物をエネルギービームにより活性化する工程を含む半導体装置の製造方法に係り、特に、低耐熱性の基板上にトップゲート型薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を製造するのに用いて好適な半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ガラス基板上に形成された多結晶シリコン（Ｓｉ）ＴＦＴは、スイッチング機能素子として液晶表示装置の画素およびドライバに用いられており、またそれ以外にも半導体メモリとしての開発が進められている。このＴＦＴ等の半導体装置においては、軽量、耐衝撃性、多少の応力が加えられても破損しない柔軟性などが基板に要求されるため、基板には従来よりガラス基板あるいはシリコン基板等が用いられてきた。このうち、ガラス基板は耐熱性が低く（耐熱温度４００℃）、レーザや赤外ランプ等のエネルギービームを用いて局所加熱することにより、基板温度を比較的低温に抑えて半導体層などの熱処理が行われていた。
【０００３】
最近では、これらの基板よりも軽量で衝撃に強いプラスチック基板が用いられるようになっている。ところが、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate；ＰＥＴ）などのプラスチック基板の耐熱温度は２００℃程度であり、ガラス基板と比べてもさらに低い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そのため、プラスチック基板を用いる場合には、半導体装置の全ての製造工程が２００℃以下の温度において行われる必要がある。つまり、結晶化や不純物の活性化などの目的で行われる熱処理はもとより、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等に用いられる二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）膜などの一般には２００℃より高温で行われる薄膜の形成における温度条件が２００℃以下となる。
【０００５】
しかしながら、一般的に、半導体層に注入された不純物を温度２００℃以下で活性化することは不可能である。また、ＳｉＯ₂膜を２００℃以下の温度で形成すると、得られるＳｉＯ₂膜は多量の欠陥を含み、半導体層との界面にも欠陥が多く存在する。なお、このＳｉＯ₂膜を成膜した後に熱処理して欠陥を除去する方法は、少なくとも４００℃以上であることが条件であり、プラスチック基板に適用することができなかった。
【０００６】
また、上述の熱処理にエネルギービームを用いて、素子の表面を局所加熱するようにしても、エネルギービームは瞬時に高温加熱を行うため、絶縁層以下の層は急激に温度が上昇し、その結果、照射されたビームの熱によって耐熱性が非常に低いプラスチック基板が損傷する場合があった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、低耐熱性の基板上に良好な特性を持つ半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に半導体層を形成する工程と、この半導体層上に絶縁層を介して選択的に金属層を形成する工程と、この金属層をマスクとして半導体層に選択的に不純物を導入する工程と、絶縁層および金属層を覆うように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を堆積してエネルギー吸収層を形成する工程と、このエネルギー吸収層の側からパルスレーザビームを照射し、前記半導体層に導入された不純物を活性化する工程とを含むものである。
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、照射されたエネルギービームは、一旦エネルギー吸収層に吸収され、このエネルギー吸収層を介して、プラスチック等の低耐熱性の基板に損傷を与えることなく、間接的にその下層の金属層、絶縁層および半導体層を加熱する。これにより、半導体層中の不純物の活性化および絶縁層中の欠陥の除去が行われる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るトップゲート型ＴＦＴの断面構成を表すものである。このＴＦＴには、例えば、基板１０の上にバッファ層１１を介してチャネル領域１３ａ，ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを備えた多結晶シリコン（Ｓｉ）層１３が設けられている。これらソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃは、互いに離間しかつチャネル領域１３ａに隣接して形成されている。チャネル領域１３ａの上には絶縁層１４を介してゲート電極１５が形成されており、ソース領域１３ｂにはソース電極１７，ドレイン領域１３ｃにはドレイン電極１８がそれぞれ電気的に接続されている。
【００１２】
このようなＴＦＴの製造方法を、以下、図１乃至図５を参照して説明する。
【００１３】
まず、図２に示したように、例えば耐熱温度が２００℃程度以下の基板１０の上に、断熱効果により基板１０を熱から保護するためのバッファ層１１を、基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。
【００１４】
基板１０としては、例えば有機材料が用いられる。具体的には、ポリエチレンサルフォン（ＰＥＳ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレートあるいはポリカーボネートなどのポリエステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、ポリフェニリンスルフィドなどのポリフェニリンスルフィド類、ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリエーテルケトン類またはポリイミド類などの高分子材料が好ましく、これらのうちいずれか１種以上を含んで構成されていてもよい。基板１０の厚さは例えば２００μｍであるが、ＴＦＴに柔軟性を付与すると共に小型化するためには薄い方がより好ましい。なお、このような有機材料の軟化点は２５０℃以下であり、そのうちＰＥＳおよびＰＥＴの耐熱温度は、それぞれ２００℃，１００℃程度である。また、バッファ層１１としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を用いる。その他にも、酸化ケイ素（ＳｉＯ_x），窒化ケイ素（ＳｉＮ_x），酸化窒化ケイ素（ＳｉＯ_xＮ_y）あるいはこれらの積層膜を用いることができる。バッファ層１１の厚みは例えば３００ｎｍとする。
【００１５】
次に、バッファ層１１の上に非晶質シリコン層１２を基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。非晶質シリコン層１２は膜厚を例えば３０ｎｍとする。これらバッファ層１１および非晶質シリコン層１２の形成には、例えば反応性スパッタリング法，プラズマエンハンストＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ；ＰＥＣＶＤ）法，減圧ＣＶＤ（Low Pressure CVD；ＬＰＣＶＤ）法，蒸着法などを用いることができる。なお、ここではシリコン（Ｓｉ）を用いて非晶質シリコン層１２を形成するようにしたが、Ｓｉを含めたシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ），ゲルマニウム（Ｇｅ），炭化ケイ素（ＳｉＣ）のうちの１種以上の半導体を用いることができる。
【００１６】
次に、非晶質シリコン層１２を例えばパルスレーザビームを照射して加熱する。これにより非晶質シリコン層１２が結晶化して、図３に示したように、多結晶シリコン層１３となる。パルスレーザビームとしては、非晶質シリコン層１２に吸収されやすい波長すなわち紫外域の波長を持つレーザを用いることが好ましい。具体的には、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ），ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ），ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ），ＸｅＦエキシマレーザ（波長３５１ｎｍ）、あるいはＮｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波（３５５ｎｍ），Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波（２６６ｎｍ）などを用いることができ、このレーザの波長，エネルギー密度，パルス幅および照射パルス数などの条件は、非晶質シリコン層１２の層厚などに応じて適宜選択される。但し、非晶質シリコン層１２を十分に加熱し、結晶性の良い多結晶シリコン層１３を得るためには、ビームのパルス幅を１００ｐｓ以上３００ｎｓ以下の範囲内とすることが好ましい。
【００１７】
照射されたパルスレーザビームは、非晶質シリコン層１２にほぼ完全に吸収される。従って、基板１０はほとんど加熱されることがない。ここで、多結晶シリコン層１３が本発明の「半導体層」の一具体例に対応する。なお、「半導体層」は必ずしも全体が多結晶である必要はなく、例えば部分的に結晶性を持つ結晶質領域を有するように形成されてもよい。
【００１８】
更に、多結晶シリコン層１３を、例えばリソグラフィおよびエッチングにより、所定形状例えば島状にパターニングする。
【００１９】
次に、図４に示したように、パターニングされた多結晶シリコン層１３を覆うように、この上から例えばＳｉＯ₂あるいはＳｉＮ_xなどを用いて絶縁層１４を基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。この絶縁層１４は、例えば、反応性スパッタリング法，ＰＥＣＶＤ法，蒸着法，ＪＶＤ（Jet Vapor Deposition) 法などにより形成することができ、その他、多結晶シリコン層１３の表面をプラズマ酸化またはプラズマ窒化して得ることもできる。絶縁層１４の厚みは例えば５０ｎｍとする。
【００２０】
次に、絶縁層１４の上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いて、ゲート電極１５をスパッタリング法または蒸着法により形成する。ゲート電極１５としてはＡｌの他、銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），白金（Ｐｔ），あるいはＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物）を用いることができる。ゲート電極１５の厚みは例えば２４０ｎｍとする。ここで、ゲート電極１５が本発明の「金属層」の一具体例に対応する。
【００２１】
続いて、例えばイオン注入法により、このゲート電極１５をマスクとして多結晶シリコン層１３に基板１０の耐熱温度以下の温度で不純物を導入する。不純物としては、ｎチャネル型のＴＦＴの場合には、ｎ型不純物として例えばリン（Ｐ）を用い、ｐチャネル型のＴＦＴの場合には、ｐ型不純物として例えばホウ素（Ｂ）を用いる。これにより、不純物注入領域であるソース領域１３ｂ，ドレイン領域１３ｃと、これらの間の非注入領域であるチャネル領域１３ａとがゲート電極１５に対して自己整合的に形成される（図５参照）。
【００２２】
更に、図５に示したように、ゲート電極１５と絶縁層１４の上から基板１０の最表面を覆うように、エネルギー吸収層１６を基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。エネルギー吸収層１６としては、後述するようにエネルギービームの照射エネルギーをよく吸収するために、そのバンドギャップがエネルギービームのエネルギー以下である材料を用いる。具体的には、炭素（Ｃ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化ケイ素（ＳｉＮ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、および遷移金属であるモリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ）等が挙げられ、これらのうちのいずれか１種または複数種を用いることができる。なお、エネルギービーム照射の後にエネルギー吸収層１６を除去する場合には、エネルギー吸収層１６は更に、ゲート電極１５に対してエッチング選択性を有するものを用いる。例えば、ゲート電極１５がＡｌであれば、エネルギー吸収層１６には非晶質シリコンを用いることが好ましい。このエネルギー吸収層１６の厚みは、例えば３０ｎｍである。
【００２３】
次に、このエネルギー吸収層１６の側から例えばエキシマレーザによる紫外のパルスレーザビームを照射して、エネルギー吸収層１６を加熱する。このパルスレーザビームには、非晶質シリコン層１２に照射するものと同様のものを用いることができる。照射されたレーザビームはエネルギー吸収層１６にほぼ完全に吸収され、このエネルギー吸収層１６から発散される熱により間接的に熱処理が行われる。一旦エネルギー吸収層１６に吸収されたエネルギーは、エネルギー吸収層１６の層面全体から均一に発散され、ゲート電極１５，絶縁層１４さらに多結晶シリコン層１３へと伝搬する。ゲート電極１５は熱伝導性がよく、その周囲、特にゲート電極１５の直下の絶縁層１４を加熱する。このように、絶縁層１４以下の層は比較的均一かつ緩慢に加熱され、基板１０はほとんど加熱されない。
【００２４】
この熱処理によって、多結晶シリコン層１３の不純物が活性化されると共に、ゲート電極１５が加熱され、これにより絶縁層１４および絶縁層１４と多結晶シリコン層１３との界面が加熱されて、絶縁層１４の内部およびこれと多結晶シリコン層１３との界面に存在する欠陥が除去される。ここで、多結晶シリコン層１３の不純物は活性化率２０％以上まで活性化されることが望ましい。ちなみに、従来のようにレーザビームを直接絶縁層１４に照射する場合には、基板１０の温度上昇を防ぐために照射量を減少させれば絶縁層１４以下の層を十分に加熱できず、更に、ビームエネルギーは局所的に放出されるので、絶縁層１４以下の層において層面方向の温度分布が生じ、この場合も例えば多結晶シリコン層１３や絶縁層１４の一部が十分に熱処理されない虞があった。
【００２５】
次に、図１に示したように、エネルギー吸収層１６を除去する。更に、ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃの上部に、ソース電極１７およびドレイン電極１８を形成する。これらソース電極１７，ドレイン電極１８には例えばＡｌを用い、スパッタリング法，蒸着法などにより成膜した後にリソグラフィーおよびエッチングによりパターニングする方法などの公知の方法により形成することができる。なお、このようにして形成されるＴＦＴに対し、その表面を例えばＳｉＯ₂などの酸化物やＳｉＮ_x等で被覆し、保護膜を形成するようにしてもよい。
【００２６】
このように、本実施の形態によれば、基板１０の上にエネルギー吸収層１６を設けた後にパルスレーザビームを照射するようにしたので、レーザビームのような瞬時に局所的に放出されるエネルギーが、一旦、エネルギー吸収層１６に吸収され、このエネルギー吸収層１６の層面全体から間接的に発散されることにより、基板１０は実質的に加熱されないが、エネルギー吸収層１６の下層のゲート電極１５、絶縁層１４および多結晶シリコン層１３は均一かつ緩慢に加熱される。従って、レーザビームを直接照射する場合に生じる基板１０の損傷を防止しつつ、多結晶シリコン層１３の不純物の活性化および絶縁層１４の内部や周囲に生じる欠陥の除去を十分に、しかも同時に行うことができる。
【００２７】
また、本実施の形態によれば、ゲート電極１５をマスクとして多結晶シリコン層１３に不純物をイオン注入するようにしたので、マスクを別に形成することなく、一つの工程でチャネル領域１３ａ，ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを自己整合的に形成することができる。
【００２８】
〔第２の実施の形態〕
図６は、本発明の第２の実施の形態に係るトップゲート型ＴＦＴの断面構成を表すものである。このＴＦＴは、絶縁層１４ａ，１４ｂの間にゲート電極１５ａが形成されていること以外は第１の実施の形態と同様の構成を有している。ここで、絶縁層１４ａ，１４ｂおよびゲート電極１５ａ，１５ｂは、第１の実施の形態の絶縁層１４およびゲート電極１５に対応している。よって、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２９】
このようなＴＦＴの製造方法を、以下、図６乃至図９を参照して説明する。
【００３０】
まず、第１の実施の形態と同様にして、基板１０の上にバッファ層１１，非晶質シリコン層１２を順に基板１０の耐熱温度以下の温度で形成し、非晶質シリコン層１２をパルスレーザビームにより加熱する。これにより非晶質シリコン層１２が結晶化し、多結晶シリコン層１３となる。パルスレーザビームとしては、例えばエキシマレーザなどの第１の実施の形態と同様のものを用いることができる。照射されたパルスレーザビームは、非晶質シリコン層１２にほぼ完全に吸収され、基板１０はほとんど加熱されることがない。
【００３１】
次に、図７に示したように、多結晶シリコン層１３の上に絶縁層１４ａを基板１０の耐熱温度以下の温度で形成し、その上にゲート電極１５ａを形成する。次いで、ゲート電極１５ａをマスクとしてＣＦ₄とＨ₂の混合ガス中のＥＣＲ−ＲＩＥ(Electron Cyclotron Resonance Reactive Ion Etching) による選択性エッチングを行う。これにより、ソース領域１３ｂ，ドレイン領域１３ｃとなる多結晶シリコン層１３の上の絶縁層１４ａが、自己整合的に除去される。
【００３２】
更に、このゲート電極１５ａをマスクとして、プラズマドーピングにより多結晶シリコン層１３に不純物を導入する。プラズマドーピングは、例えば、基板１０の温度を１１０℃としてＰＨ₃，Ｈｅの混合ガスのグロー放電プラズマに曝し、多結晶シリコン層１３の表面にリン（Ｐ）を吸着させて行う。不純物としては、ｎ型不純物であるリン（Ｐ）の他、例えばｐ型不純物であるホウ素（Ｂ）を用いることもでき、その場合は基板１０をＢ₂Ｈ₆プラズマ中に曝してホウ素（Ｂ）を吸着させる。なお、吸着した不純物は、そのままでは多結晶シリコン層１３の表面（〜１ｎｍ）付近にしか拡散しないので、以下のレーザ照射において充分に拡散して多結晶シリコン層１３の層内にドープされる。
【００３３】
次に、図８に示したように、多結晶シリコン層１３およびゲート電極１５の上に、絶縁層１４ｂおよびエネルギー吸収層１６を順に基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。
【００３４】
次に、図９に示したように、エネルギー吸収層１６の側から例えばエキシマレーザによる紫外のパルスレーザビームを照射し、エネルギー吸収層１６を加熱する。エネルギー吸収層１６はレーザビームをほぼ完全に吸収して熱を発散し、この熱により、多結晶シリコン層１３の不純物（ここではリン（Ｐ））が拡散され活性化されると共に、加熱されたゲート電極１５ａを介して絶縁層１４ａ，１４ｂおよび、絶縁層１４ａ，１４ｂと多結晶シリコン層１３との界面が熱処理される。このように、熱処理はこのエネルギー吸収層１６を介して間接的に行われ、基板１０はほとんど加熱されない。なお、多結晶シリコン層１３の不純物は活性化率２０％以上まで活性化されることが望ましい。これにより、不純物注入領域であるソース領域１３ｂ，ドレイン領域１３ｃと、これらの間の非注入領域であるチャネル領域１３ａとがゲート電極１５ａに対して自己整合的に形成される。同時に、絶縁層１４ａ，１４ｂの内部およびこれと多結晶シリコン層１３との界面に存在する欠陥が除去される。
【００３５】
次に、図６に示したように、エネルギー吸収層１６を除去する。更に、チャネル領域１３ａ（正確にはゲート電極１５ａ），ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃの上部に、それぞれゲート電極１５ｂ，ソース電極１７およびドレイン電極１８を形成する。
【００３６】
このように本実施の形態においても、基板１０の上にエネルギー吸収層１６を設けた後にパルスレーザビームを照射するようにしたので、第１の実施の形態と同様に、局所的に放出されるレーザビームのエネルギーが、一旦エネルギー吸収層１６に吸収され、このエネルギー吸収層１６の層面全体から間接的に発散されることにより、エネルギー吸収層１６の下層は均一かつ緩慢に加熱されるが基板１０は実質的に加熱されない。従って、レーザビームを直接照射する場合に生じる基板１０の損傷を防止しつつ、多結晶シリコン層１３の不純物の活性化および絶縁層１４の内部や周囲に生じる欠陥の除去を十分に、しかも同時に行うことができる。
【００３７】
また、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様に、ゲート電極１５をマスクとして多結晶シリコン層１３に不純物をプラズマドーピングするようにしたので、マスクを別に形成することなく、チャネル領域１３ａ，ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを自己整合的に形成することができる。
【００３８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、半導体装置としてＴＦＴについて具体的に製造方法を説明したが、本発明は、基板上に形成された半導体層の上に絶縁層を介して金属層を形成し、金属層をマスクとして半導体層に不純物を注入した後、更に上部にエネルギー吸収層を一面に形成して、この上側からエネルギービームを照射し不純物を活性化する方法で作製できるその他の構成を有する半導体装置についても、広く適用することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体層上に設けた絶縁層および金属層を覆うように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を堆積してエネルギー吸収層を形成し、このエネルギー吸収層の側からパルスレーザビームを照射するようにしたので、照射されたエネルギーはエネルギー吸収層を介して下層の金属層、絶縁層および半導体層を加熱するが、基板は実質的に加熱しない。よって、直接エネルギービームが基板に向けて照射されて基板を損傷することを防止することができる。また、このような方法によれば、絶縁層および半導体層を十分に加熱するので、半導体層内の不純物の活性化と同時に、絶縁層とその周囲に存在する欠陥の除去を効果的に行い、特性良好な半導体装置とすることができる。従って、基板として例えば有機材料よりなる低耐熱性の基板を用いることができ、軽量で衝撃に強く、かつ優れた特性を有する半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示したＴＦＴの製造工程を説明するための断面図である。
【図３】図２の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図３の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図５】図４の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図７】図６に示したＴＦＴの製造工程を説明するための断面図である。
【図８】図７の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図９】図８の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１０…基板、１２…非晶質シリコン層、１３…多結晶シリコン層、１３ａ…チャネル領域、１３ｂ…ソース領域、１３ｃ…ドレイン領域、１４…絶縁膜、１５…ゲート電極、１６…エネルギー吸収層、１７…ソース電極、１８…ドレイン電極

Claims

基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に絶縁層を介して選択的に金属層を形成する工程と、
前記金属層をマスクとして前記半導体層に選択的に不純物を導入する工程と、
前記絶縁層および前記金属層を覆うように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を堆積してエネルギー吸収層を形成する工程と、
前記エネルギー吸収層の側からパルスレーザビームを照射し、前記半導体層に導入された不純物を活性化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記基板として軟化点が２５０℃以下であるものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記基板を有機高分子材料により形成する
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体層を、シリコン（Ｓｉ），シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ），ゲルマニウム（Ｇｅ），シリコンカーバイド（ＳｉＣ）のうちの１種以上の半導体により形成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体層の不純物領域において、前記不純物の活性化率を２０％以上とする
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記パルスレーザビームのパルス幅を１００ｐｓ以上３００ｎｓ以下の範囲内とする
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。