JP2002057164A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低耐熱性の基板上に良好な特性を持つ半導体
装置を製造することができるようにする。 【解決手段】 基板１０の上に多結晶シリコン層１３を
形成する。多結晶シリコン層１３の上に絶縁層１４，ゲ
ート電極１５を形成し、このゲート電極１５をマスクと
して多結晶シリコン層１３に不純物を導入して、チャネ
ル領域１３ａ，ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１
３ｃを自己整合的に形成する。次に、基板１０の全面を
覆うようにエネルギー吸収層１６を形成して、エネルギ
ー吸収層１６の側からパルスレーザビームを照射する。
エネルギー吸収層１６がレーザビームのエネルギーをほ
ぼ完全に吸収し、熱を発散することにより、間接的に下
層の熱処理が行われる。すなわち、基板１０を熱により
損傷することなく不純物の活性化と絶縁層１４中の欠陥
の除去とが同時に行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体層に導入し
た不純物をエネルギービームにより活性化する工程を含
む半導体装置の製造方法に係り、特に、低耐熱性の基板
上にトップゲート型薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor；ＴＦＴ）を製造するのに用いて好適な半導体装
置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ガラス基板上に形成された多結晶
シリコン（Ｓｉ）ＴＦＴは、スイッチング機能素子とし
て液晶表示装置の画素およびドライバに用いられてお
り、またそれ以外にも半導体メモリとしての開発が進め
られている。このＴＦＴ等の半導体装置においては、軽
量、耐衝撃性、多少の応力が加えられても破損しない柔
軟性などが基板に要求されるため、基板には従来よりガ
ラス基板あるいはシリコン基板等が用いられてきた。こ
のうち、ガラス基板は耐熱性が低く（耐熱温度４００
℃）、レーザや赤外ランプ等のエネルギービームを用い
て局所加熱することにより、基板温度を比較的低温に抑
えて半導体層などの熱処理が行われていた。

【０００３】最近では、これらの基板よりも軽量で衝撃
に強いプラスチック基板が用いられるようになってい
る。ところが、ポリエチレンテレフタレート（polyethy
lene terephthalate；ＰＥＴ）などのプラスチック基板
の耐熱温度は２００℃程度であり、ガラス基板と比べて
もさらに低い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そのため、プラスチッ
ク基板を用いる場合には、半導体装置の全ての製造工程
が２００℃以下の温度において行われる必要がある。つ
まり、結晶化や不純物の活性化などの目的で行われる熱
処理はもとより、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等に用いら
れる二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）膜などの一般には２００
℃より高温で行われる薄膜の形成における温度条件が２
００℃以下となる。

【０００５】しかしながら、一般的に、半導体層に注入
された不純物を温度２００℃以下で活性化することは不
可能である。また、ＳｉＯ₂ 膜を２００℃以下の温度で
形成すると、得られるＳｉＯ₂ 膜は多量の欠陥を含み、
半導体層との界面にも欠陥が多く存在する。なお、この
ＳｉＯ₂ 膜を成膜した後に熱処理して欠陥を除去する方
法は、少なくとも４００℃以上であることが条件であ
り、プラスチック基板に適用することができなかった。

【０００６】また、上述の熱処理にエネルギービームを
用いて、素子の表面を局所加熱するようにしても、エネ
ルギービームは瞬時に高温加熱を行うため、絶縁層以下
の層は急激に温度が上昇し、その結果、照射されたビー
ムの熱によって耐熱性が非常に低いプラスチック基板が
損傷する場合があった。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、低耐熱性の基板上に良好な特性を持
つ半導体装置を製造することができる半導体装置の製造
方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、基板上に半導体層を形成する工程と、こ
の半導体層上に絶縁層を介して選択的に金属層を形成す
る工程と、この金属層をマスクとして半導体層に選択的
に不純物を導入する工程と、絶縁層および金属層を覆う
ようにエネルギー吸収層を形成する工程と、このエネル
ギー吸収層の側からエネルギービームを照射し、前記半
導体層に導入された不純物を活性化する工程とを含むも
のである。

【０００９】本発明に係る半導体装置の製造方法では、
照射されたエネルギービームは、一旦エネルギー吸収層
に吸収され、このエネルギー吸収層を介して、プラスチ
ック等の低耐熱性の基板に損傷を与えることなく、間接
的にその下層の金属層、絶縁層および半導体層を加熱す
る。これにより、半導体層中の不純物の活性化および絶
縁層中の欠陥の除去が行われる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１１】〔第１の実施の形態〕図１は、本発明の第
１の実施の形態に係るトップゲート型ＴＦＴの断面構成
を表すものである。このＴＦＴには、例えば、基板１０
の上にバッファ層１１を介してチャネル領域１３ａ，ソ
ース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを備えた多結
晶シリコン（Ｓｉ）層１３が設けられている。これらソ
ース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃは、互いに離
間しかつチャネル領域１３ａに隣接して形成されてい
る。チャネル領域１３ａの上には絶縁層１４を介してゲ
ート電極１５が形成されており、ソース領域１３ｂには
ソース電極１７，ドレイン領域１３ｃにはドレイン電極
１８がそれぞれ電気的に接続されている。

【００１２】このようなＴＦＴの製造方法を、以下、図
１乃至図５を参照して説明する。

【００１３】まず、図２に示したように、例えば耐熱温
度が２００℃程度以下の基板１０の上に、断熱効果によ
り基板１０を熱から保護するためのバッファ層１１を、
基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。

【００１４】基板１０としては、例えば有機材料が用い
られる。具体的には、ポリエチレンサルフォン（ＰＥ
Ｓ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエ
チレンナフタレートあるいはポリカーボネートなどのポ
リエステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフィン
類、ポリフェニリンスルフィドなどのポリフェニリンス
ルフィド類、ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリ
エーテルケトン類またはポリイミド類などの高分子材料
が好ましく、これらのうちいずれか１種以上を含んで構
成されていてもよい。基板１０の厚さは例えば２００μ
ｍであるが、ＴＦＴに柔軟性を付与すると共に小型化す
るためには薄い方がより好ましい。なお、このような有
機材料の軟化点は２５０℃以下であり、そのうちＰＥＳ
およびＰＥＴの耐熱温度は、それぞれ２００℃，１００
℃程度である。また、バッファ層１１としては、例えば
二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）を用いる。その他にも、酸化
ケイ素（ＳｉＯ_x ），窒化ケイ素（ＳｉＮ_x ），酸化窒
化ケイ素（ＳｉＯ_x Ｎ_y ）あるいはこれらの積層膜を用
いることができる。バッファ層１１の厚みは例えば３０
０ｎｍとする。

【００１５】次に、バッファ層１１の上に非晶質シリコ
ン層１２を基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。
非晶質シリコン層１２は膜厚を例えば３０ｎｍとする。
これらバッファ層１１および非晶質シリコン層１２の形
成には、例えば反応性スパッタリング法，プラズマエン
ハンストＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Dep
osition ；ＰＥＣＶＤ）法，減圧ＣＶＤ（Low Pressure
CVD；ＬＰＣＶＤ）法，蒸着法などを用いることができ
る。なお、ここではシリコン（Ｓｉ）を用いて非晶質シ
リコン層１２を形成するようにしたが、Ｓｉを含めたシ
リコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ），ゲルマニウム（Ｇ
ｅ），炭化ケイ素（ＳｉＣ）のうちの１種以上の半導体
を用いることができる。

【００１６】次に、非晶質シリコン層１２を例えばパル
スレーザビームを照射して加熱する。これにより非晶質
シリコン層１２が結晶化して、図３に示したように、多
結晶シリコン層１３となる。パルスレーザビームとして
は、非晶質シリコン層１２に吸収されやすい波長すなわ
ち紫外域の波長を持つレーザを用いることが好ましい。
具体的には、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎ
ｍ），ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ），Ａｒ
Ｆエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ），ＸｅＦエキシマ
レーザ（波長３５１ｎｍ）、あるいはＮｄ：ＹＡＧレー
ザの第３高調波（３５５ｎｍ），Ｎｄ：ＹＡＧレーザの
第４高調波（２６６ｎｍ）などを用いることができ、こ
のレーザの波長，エネルギー密度，パルス幅および照射
パルス数などの条件は、非晶質シリコン層１２の層厚な
どに応じて適宜選択される。但し、非晶質シリコン層１
２を十分に加熱し、結晶性の良い多結晶シリコン層１３
を得るためには、ビームのパルス幅を１００ｐｓ以上３
００ｎｓ以下の範囲内とすることが好ましい。

【００１７】照射されたパルスレーザビームは、非晶質
シリコン層１２にほぼ完全に吸収される。従って、基板
１０はほとんど加熱されることがない。ここで、多結晶
シリコン層１３が本発明の「半導体層」の一具体例に対
応する。なお、「半導体層」は必ずしも全体が多結晶で
ある必要はなく、例えば部分的に結晶性を持つ結晶質領
域を有するように形成されてもよい。

【００１８】更に、多結晶シリコン層１３を、例えばリ
ソグラフィおよびエッチングにより、所定形状例えば島
状にパターニングする。

【００１９】次に、図４に示したように、パターニング
された多結晶シリコン層１３を覆うように、この上から
例えばＳｉＯ₂ あるいはＳｉＮ_x などを用いて絶縁層１
４を基板１０の耐熱温度以下の温度で形成する。この絶
縁層１４は、例えば、反応性スパッタリング法，ＰＥＣ
ＶＤ法，蒸着法，ＪＶＤ（Jet Vapor Deposition) 法な
どにより形成することができ、その他、多結晶シリコン
層１３の表面をプラズマ酸化またはプラズマ窒化して得
ることもできる。絶縁層１４の厚みは例えば５０ｎｍと
する。

【００２０】次に、絶縁層１４の上に、例えばアルミニ
ウム（Ａｌ）を用いて、ゲート電極１５をスパッタリン
グ法または蒸着法により形成する。ゲート電極１５とし
てはＡｌの他、銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タン
タル（Ｔａ），白金（Ｐｔ），あるいはＩＴＯ（インジ
ウムとスズの酸化物）を用いることができる。ゲート電
極１５の厚みは例えば２４０ｎｍとする。ここで、ゲー
ト電極１５が本発明の「金属層」の一具体例に対応す
る。

【００２１】続いて、例えばイオン注入法により、この
ゲート電極１５をマスクとして多結晶シリコン層１３に
基板１０の耐熱温度以下の温度で不純物を導入する。不
純物としては、ｎチャネル型のＴＦＴの場合には、ｎ型
不純物として例えばリン（Ｐ）を用い、ｐチャネル型の
ＴＦＴの場合には、ｐ型不純物として例えばホウ素
（Ｂ）を用いる。これにより、不純物注入領域であるソ
ース領域１３ｂ，ドレイン領域１３ｃと、これらの間の
非注入領域であるチャネル領域１３ａとがゲート電極１
５に対して自己整合的に形成される（図５参照）。

【００２２】更に、図５に示したように、ゲート電極１
５と絶縁層１４の上から基板１０の最表面を覆うよう
に、エネルギー吸収層１６を基板１０の耐熱温度以下の
温度で形成する。エネルギー吸収層１６としては、後述
するようにエネルギービームの照射エネルギーをよく吸
収するために、そのバンドギャップがエネルギービーム
のエネルギー以下である材料を用いる。具体的には、炭
素（Ｃ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），
炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化ケイ素（ＳｉＮ），窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ），シリコンゲルマニウム（ＳｉＧ
ｅ）、および遷移金属であるモリブデン（Ｍｏ），タン
タル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎ
ｉ），クロム（Ｃｒ）等が挙げられ、これらのうちのい
ずれか１種または複数種を用いることができる。なお、
エネルギービーム照射の後にエネルギー吸収層１６を除
去する場合には、エネルギー吸収層１６は更に、ゲート
電極１５に対してエッチング選択性を有するものを用い
る。例えば、ゲート電極１５がＡｌであれば、エネルギ
ー吸収層１６には非晶質シリコンを用いることが好まし
い。このエネルギー吸収層１６の厚みは、例えば３０ｎ
ｍである。

【００２３】次に、このエネルギー吸収層１６の側から
例えばエキシマレーザによる紫外のパルスレーザビーム
を照射して、エネルギー吸収層１６を加熱する。このパ
ルスレーザビームには、非晶質シリコン層１２に照射す
るものと同様のものを用いることができる。照射された
レーザビームはエネルギー吸収層１６にほぼ完全に吸収
され、このエネルギー吸収層１６から発散される熱によ
り間接的に熱処理が行われる。一旦エネルギー吸収層１
６に吸収されたエネルギーは、エネルギー吸収層１６の
層面全体から均一に発散され、ゲート電極１５，絶縁層
１４さらに多結晶シリコン層１３へと伝搬する。ゲート
電極１５は熱伝導性がよく、その周囲、特にゲート電極
１５の直下の絶縁層１４を加熱する。このように、絶縁
層１４以下の層は比較的均一かつ緩慢に加熱され、基板
１０はほとんど加熱されない。

【００２４】この熱処理によって、多結晶シリコン層１
３の不純物が活性化されると共に、ゲート電極１５が加
熱され、これにより絶縁層１４および絶縁層１４と多結
晶シリコン層１３との界面が加熱されて、絶縁層１４の
内部およびこれと多結晶シリコン層１３との界面に存在
する欠陥が除去される。ここで、多結晶シリコン層１３
の不純物は活性化率２０％以上まで活性化されることが
望ましい。ちなみに、従来のようにレーザビームを直接
絶縁層１４に照射する場合には、基板１０の温度上昇を
防ぐために照射量を減少させれば絶縁層１４以下の層を
十分に加熱できず、更に、ビームエネルギーは局所的に
放出されるので、絶縁層１４以下の層において層面方向
の温度分布が生じ、この場合も例えば多結晶シリコン層
１３や絶縁層１４の一部が十分に熱処理されない虞があ
った。

【００２５】次に、図１に示したように、エネルギー吸
収層１６を除去する。更に、ソース領域１３ｂおよびド
レイン領域１３ｃの上部に、ソース電極１７およびドレ
イン電極１８を形成する。これらソース電極１７，ドレ
イン電極１８には例えばＡｌを用い、スパッタリング
法，蒸着法などにより成膜した後にリソグラフィーおよ
びエッチングによりパターニングする方法などの公知の
方法により形成することができる。なお、このようにし
て形成されるＴＦＴに対し、その表面を例えばＳｉＯ₂
などの酸化物やＳｉＮ_x 等で被覆し、保護膜を形成する
ようにしてもよい。

【００２６】このように、本実施の形態によれば、基板
１０の上にエネルギー吸収層１６を設けた後にパルスレ
ーザビームを照射するようにしたので、レーザビームの
ような瞬時に局所的に放出されるエネルギーが、一旦、
エネルギー吸収層１６に吸収され、このエネルギー吸収
層１６の層面全体から間接的に発散されることにより、
基板１０は実質的に加熱されないが、エネルギー吸収層
１６の下層のゲート電極１５、絶縁層１４および多結晶
シリコン層１３は均一かつ緩慢に加熱される。従って、
レーザビームを直接照射する場合に生じる基板１０の損
傷を防止しつつ、多結晶シリコン層１３の不純物の活性
化および絶縁層１４の内部や周囲に生じる欠陥の除去を
十分に、しかも同時に行うことができる。

【００２７】また、本実施の形態によれば、ゲート電極
１５をマスクとして多結晶シリコン層１３に不純物をイ
オン注入するようにしたので、マスクを別に形成するこ
となく、一つの工程でチャネル領域１３ａ，ソース領域
１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを自己整合的に形成す
ることができる。

【００２８】〔第２の実施の形態〕図６は、本発明の第
２の実施の形態に係るトップゲート型ＴＦＴの断面構成
を表すものである。このＴＦＴは、絶縁層１４ａ，１４
ｂの間にゲート電極１５ａが形成されていること以外は
第１の実施の形態と同様の構成を有している。ここで、
絶縁層１４ａ，１４ｂおよびゲート電極１５ａ，１５ｂ
は、第１の実施の形態の絶縁層１４およびゲート電極１
５に対応している。よって、第１の実施の形態と同一の
構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。

【００２９】このようなＴＦＴの製造方法を、以下、図
６乃至図９を参照して説明する。

【００３０】まず、第１の実施の形態と同様にして、基
板１０の上にバッファ層１１，非晶質シリコン層１２を
順に基板１０の耐熱温度以下の温度で形成し、非晶質シ
リコン層１２をパルスレーザビームにより加熱する。こ
れにより非晶質シリコン層１２が結晶化し、多結晶シリ
コン層１３となる。パルスレーザビームとしては、例え
ばエキシマレーザなどの第１の実施の形態と同様のもの
を用いることができる。照射されたパルスレーザビーム
は、非晶質シリコン層１２にほぼ完全に吸収され、基板
１０はほとんど加熱されることがない。

【００３１】次に、図７に示したように、多結晶シリコ
ン層１３の上に絶縁層１４ａを基板１０の耐熱温度以下
の温度で形成し、その上にゲート電極１５ａを形成す
る。次いで、ゲート電極１５ａをマスクとしてＣＦ₄ と
Ｈ₂ の混合ガス中のＥＣＲ−ＲＩＥ(Electron Cyclotro
n Resonance Reactive Ion Etching) による選択性エッ
チングを行う。これにより、ソース領域１３ｂ，ドレイ
ン領域１３ｃとなる多結晶シリコン層１３の上の絶縁層
１４ａが、自己整合的に除去される。

【００３２】更に、このゲート電極１５ａをマスクとし
て、プラズマドーピングにより多結晶シリコン層１３に
不純物を導入する。プラズマドーピングは、例えば、基
板１０の温度を１１０℃としてＰＨ₃ ，Ｈｅの混合ガス
のグロー放電プラズマに曝し、多結晶シリコン層１３の
表面にリン（Ｐ）を吸着させて行う。不純物としては、
ｎ型不純物であるリン（Ｐ）の他、例えばｐ型不純物で
あるホウ素（Ｂ）を用いることもでき、その場合は基板
１０をＢ₂ Ｈ₆ プラズマ中に曝してホウ素（Ｂ）を吸着
させる。なお、吸着した不純物は、そのままでは多結晶
シリコン層１３の表面（〜１ｎｍ）付近にしか拡散しな
いので、以下のレーザ照射において充分に拡散して多結
晶シリコン層１３の層内にドープされる。

【００３３】次に、図８に示したように、多結晶シリコ
ン層１３およびゲート電極１５の上に、絶縁層１４ｂお
よびエネルギー吸収層１６を順に基板１０の耐熱温度以
下の温度で形成する。

【００３４】次に、図９に示したように、エネルギー吸
収層１６の側から例えばエキシマレーザによる紫外のパ
ルスレーザビームを照射し、エネルギー吸収層１６を加
熱する。エネルギー吸収層１６はレーザビームをほぼ完
全に吸収して熱を発散し、この熱により、多結晶シリコ
ン層１３の不純物（ここではリン（Ｐ））が拡散され活
性化されると共に、加熱されたゲート電極１５ａを介し
て絶縁層１４ａ，１４ｂおよび、絶縁層１４ａ，１４ｂ
と多結晶シリコン層１３との界面が熱処理される。この
ように、熱処理はこのエネルギー吸収層１６を介して間
接的に行われ、基板１０はほとんど加熱されない。な
お、多結晶シリコン層１３の不純物は活性化率２０％以
上まで活性化されることが望ましい。これにより、不純
物注入領域であるソース領域１３ｂ，ドレイン領域１３
ｃと、これらの間の非注入領域であるチャネル領域１３
ａとがゲート電極１５ａに対して自己整合的に形成され
る。同時に、絶縁層１４ａ，１４ｂの内部およびこれと
多結晶シリコン層１３との界面に存在する欠陥が除去さ
れる。

【００３５】次に、図６に示したように、エネルギー吸
収層１６を除去する。更に、チャネル領域１３ａ（正確
にはゲート電極１５ａ），ソース領域１３ｂおよびドレ
イン領域１３ｃの上部に、それぞれゲート電極１５ｂ，
ソース電極１７およびドレイン電極１８を形成する。

【００３６】このように本実施の形態においても、基板
１０の上にエネルギー吸収層１６を設けた後にパルスレ
ーザビームを照射するようにしたので、第１の実施の形
態と同様に、局所的に放出されるレーザビームのエネル
ギーが、一旦エネルギー吸収層１６に吸収され、このエ
ネルギー吸収層１６の層面全体から間接的に発散される
ことにより、エネルギー吸収層１６の下層は均一かつ緩
慢に加熱されるが基板１０は実質的に加熱されない。従
って、レーザビームを直接照射する場合に生じる基板１
０の損傷を防止しつつ、多結晶シリコン層１３の不純物
の活性化および絶縁層１４の内部や周囲に生じる欠陥の
除去を十分に、しかも同時に行うことができる。

【００３７】また、本実施の形態でも第１の実施の形態
と同様に、ゲート電極１５をマスクとして多結晶シリコ
ン層１３に不純物をプラズマドーピングするようにした
ので、マスクを別に形成することなく、チャネル領域１
３ａ，ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを自
己整合的に形成することができる。

【００３８】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態にお
いては、半導体装置としてＴＦＴについて具体的に製造
方法を説明したが、本発明は、基板上に形成された半導
体層の上に絶縁層を介して金属層を形成し、金属層をマ
スクとして半導体層に不純物を注入した後、更に上部に
エネルギー吸収層を一面に形成して、この上側からエネ
ルギービームを照射し不純物を活性化する方法で作製で
きるその他の構成を有する半導体装置についても、広く
適用することができる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法によれば、半導体層上に設けた絶縁層および
金属層を覆うようにエネルギー吸収層を形成し、このエ
ネルギー吸収層の側からエネルギービームを照射するよ
うにしたので、照射されたエネルギーはエネルギー吸収
層を介して下層の金属層、絶縁層および半導体層を加熱
するが、基板は実質的に加熱しない。よって、直接エネ
ルギービームが基板に向けて照射されて基板を損傷する
ことを防止することができる。また、このような方法に
よれば、絶縁層および半導体層を十分に加熱するので、
半導体層内の不純物の活性化と同時に、絶縁層とその周
囲に存在する欠陥の除去を効果的に行い、特性良好な半
導体装置とすることができる。従って、基板として例え
ば有機材料よりなる低耐熱性の基板を用いることがで
き、軽量で衝撃に強く、かつ優れた特性を有する半導体
装置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴの構成
を表す断面図である。

【図２】図１に示したＴＦＴの製造工程を説明するため
の断面図である。

【図３】図２の工程に続く製造工程を説明するための断
面図である。

【図４】図３の工程に続く製造工程を説明するための断
面図である。

【図５】図４の工程に続く製造工程を説明するための断
面図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係るＴＦＴの構成
を表す断面図である。

【図７】図６に示したＴＦＴの製造工程を説明するため
の断面図である。

【図８】図７の工程に続く製造工程を説明するための断
面図である。

【図９】図８の工程に続く製造工程を説明するための断
面図である。

【符号の説明】

１０…基板、１２…非晶質シリコン層、１３…多結晶シ
リコン層、１３ａ…チャネル領域、１３ｂ…ソース領
域、１３ｃ…ドレイン領域、１４…絶縁膜、１５…ゲー
ト電極、１６…エネルギー吸収層、１７…ソース電極、
１８…ドレイン電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 町田 暁夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 中越 美弥子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F110 AA17 BB02 BB05 CC02 DD01 DD07 DD13 DD14 DD15 DD17 EE02 EE03 EE04 EE07 EE38 EE43 EE44 FF02 FF03 FF25 FF26 FF27 FF28 FF30 GG01 GG02 GG03 GG13 GG25 GG42 GG43 GG45 GG47 HJ01 HJ13 HJ18 HJ23 HL03 HL22 HL23 NN02 NN23 NN24 PP03 PP04 QQ11

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に絶縁層を介して選択的に金属層を形成
   する工程と、 前記金属層をマスクとして前記半導体層に選択的に不純
   物を導入する工程と、 前記絶縁層および前記金属層を覆うようにエネルギー吸
   収層を形成する工程と、 前記エネルギー吸収層の側からエネルギービームを照射
   し、前記半導体層に導入された不純物を活性化する工程
   とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記基板として軟化点が２５０℃以下で
   あるものを用いることを特徴とする請求項１記載の半導
   体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記基板を有機高分子材料により形成す
   ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記エネルギー吸収層を、バンドギャッ
   プが前記エネルギービームのエネルギー以下となる材料
   により形成することを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記エネルギー吸収層を、炭素（Ｃ），
   シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），シリコンカ
   ーバイド（ＳｉＣ），シリコンゲルマニウム（ＳｉＧ
   ｅ），窒化シリコン（ＳｉＮ），窒化アルミニウム（Ａ
   ｌＮ）のうちの１種以上により形成することを特徴とす
   る請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記エネルギー吸収層を、モリブデン
   （Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），ニ
   ッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ）のうちの１種以上によ
   り形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置
   の製造方法。
7. 【請求項７】 前記半導体層を、シリコン（Ｓｉ），シ
   リコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ），ゲルマニウム（Ｇ
   ｅ），シリコンカーバイド（ＳｉＣ）のうちの１種以上
   の半導体により形成することを特徴とする請求項１記載
   の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記半導体層の不純物領域において、前
   記不純物の活性化率を２０％以上とすることを特徴とす
   る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記エネルギービームがパルスレーザビ
   ームであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
   の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記パルスレーザビームのパルス幅を
    １００ｐｓ以上３００ｎｓ以下の範囲内とすることを特
    徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。