JP4239744B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
図1の(a)〜(d)は、本発明の実施の形態1による低温ポリシリコンTFTの製造方法について、その要部の一例を示した図であり、島状の半導体層が形成されるまでの各工程が示されている。
実施の形態1では、アンダーコート膜上に非晶質シリコン膜10が形成される場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、絶縁性基板1とアンダーコート膜としての窒化シリコン膜2との間に非晶質シリコン膜を新たに設け、2層の非晶質シリコン膜によってアンダーコート膜のアニール効果を向上させている。
2 窒化シリコン膜
3a 第1の酸化シリコン膜
3b 第2の酸化シリコン膜
4 多結晶シリコン膜(半導体層)
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 層間絶縁膜
8 ソース及びドレイン電極
9 パッシベーション膜
10,12 非晶質シリコン膜
11 YAGレーザーの照射光
A 干渉により生じる定在波
A1 定在波の節
A2 定在波の腹
D1 酸化シリコン膜の膜厚
D2 非晶質シリコン膜の膜厚
Claims (5)
- 基板上に、窒化シリコン膜を形成するステップと、
上記窒化シリコン膜上に100nm以上500nm以下の膜厚を有する酸化シリコン膜を形成するステップと、
上記酸化シリコン膜上に非晶質シリコンからなる半導体膜を形成するステップと
上記半導体膜にレーザーを照射し、上記半導体膜を多結晶シリコン膜とするステップと
を備え、
上記酸化シリコン膜を形成するステップは、
モノシラン系の材料ガスを用いるプラズマCVDにより、上記窒化シリコン膜上に酸化シリコンからなる第1の下地膜を形成するステップと、
テトラエトキシシラン系の材料ガスを用いるプラズマCVDにより、上記第1の下地膜上に酸化シリコンからなる第2の下地膜を形成することにより、
上記窒化シリコン膜と上記第1の下地膜と上記第2の下地膜とからなるアンダーコート膜を形成するステップと、
を備え、
前記第1の下地膜の成膜速度は前記第2の下地膜の成膜速度よりも速いことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 上記第1の下地膜、第2の下地膜及び半導体膜が真空状態を保ちながら順次に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 上記第2の下地膜の膜厚が上記第1の下地膜の膜厚より小さいことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上に非晶質シリコンからなる第3の下地膜を形成するステップと、
この第3の下地膜上に窒化シリコンからなる第4の下地膜を形成するステップとを備え、
上記第1の下地膜は上記第4の下地膜上に形成され、
上記第3の下地膜、第4の下地膜、第1の下地膜、第2の下地膜及び半導体膜が真空状態を保ちながら順次に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 上記半導体膜が形成された基板にYAGレーザーを照射し、半導体膜をアニールするステップを備えたことを特徴とする請求項1又は4に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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