JP3918462B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3918462B2 JP3918462B2 JP2001176687A JP2001176687A JP3918462B2 JP 3918462 B2 JP3918462 B2 JP 3918462B2 JP 2001176687 A JP2001176687 A JP 2001176687A JP 2001176687 A JP2001176687 A JP 2001176687A JP 3918462 B2 JP3918462 B2 JP 3918462B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- copper
- substrate
- nickel
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ等の半導体部品を搭載する配線基板の製造方法に関し、ボンディング性に優れる配線基板を製造することができる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップに代表される半導体部品の高集積化に伴い、半導体部品を搭載する、チップキャリアあるいはプリント配線板等の配線基板の、半導体部品との接続電極のピッチもますます狭くなってきている。接続電極には、ボンディング性を高めるために、金、銀、錫等がめっきされる。接続電極の狭ピッチ化に伴い、従来電気めっき法で行われていためっき皮膜形成は、無電解めっき法へ、まためっき厚も薄膜化の方向へ移行してきている。
すなわち、例えば無電解めっき法による金めっきは置換反応型と還元反応型の組み合わせで行われるが、このときの置換反応では下地を完全に被覆することができないため、電気めっき法により得られる金めっき皮膜よりもピンホールが多く存在する結果になりやすい。
よって無電解めっき法により形成した金皮膜は、電気めっき法で得られる金皮膜よりも、加熱による下地金属の表面拡散の速度が速く、最表面の金属結合に関与するべき金の露出面積が減少するため結果としてワイヤボンディングなどの接合の信頼性を損ないやすくなる。
まためっき厚の薄膜化についても同様なことが言え、ピンホールの数が同じめっき条件であればめっき皮膜が薄いほどピンホールが多いという報告は多数されており、この点についても接合の信頼性にとって不利な環境にあると言える。
このような状況を改善するため、従来はワイヤボンディング工程の直前にプラズマクリーニングをおこなって、ボンディングパッドのごく浅い層をドライエッチングによって除去し、フレッシュな金を露出させ、金ワイヤとの接合信頼性を確保している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
チップキャリアあるいはプリント配線板等の配線基板の製造に用いられる装置は設備費や製造費をおさえるため、ほとんど常圧下でのウェット処理となっている。それに対しプラズマクリーニング装置は依然として設備投資額がメーカにとって非常に負担になりかつ、高純度ガスを使用するため加工コストが従来よりも増加するため、配線基板製造メーカーがプラズマクリーニング装置を導入するのに障害となっている。また高真空環境を必要とするプラズマクリーニング処理装置は、従来よりの基板メーカにはなじみが薄いため受け入れられにくく、管理運転上の不安がつきまとう。プラズマクリーニングは、バッチ処理のため一度に処理できる枚数に限界があり、大量生産には不適である。
【０００４】
本発明の課題とするところは、ウェット処理により半導体部品との接合信頼性を確保できるような配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【問題を解決するための手段】
本発明は、係る課題を解決するものであり、請求項１の発明は、絶縁基板上に、配線パターン及び半導体部品との接続電極を含む配線層を有し、前記接続電極上に最表面が金のめっき層を形成した後に、前記めっき層表面に拡散している下地金属酸化物を取り除くために当該めっき層を表面処理する配線基板の製造方法であって、前記めっき層の下地金属が銅或いはニッケル或いは銅とニッケルの両方であり、前記表面処理が、シュウ酸アンモニウム及びテトラエチレンテトラミンの少なくとも一方と、アミノカルボン酸類を含む表面処理液で洗浄することを特徴とする配線基板の製造方法としたものである。
【０００６】
本発明の請求項２の発明は、前記表面処理液中の前記アミノカルボン酸類の濃度は０．０００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法としたものである。
本発明の請求項３の発明は、前記表面処理液が、フッ化水素を含まないことを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板の製造方法としたものである。
【０００８】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、アミノカルボン酸類のうちの少なくとも一つを含む水溶液へ処理したい配線基板を浸漬する事により、接続電極に形成されためっき皮膜上に拡散している下地金属酸化物を取り除くことができることを見いだした。
【０００９】
一般的なプリント配線板およびチップキャリア等の配線基板の接続電極に施されるめっきの下地金属は、すなわちニッケルあるいは銅が多い。ニッケルあるいは銅の酸化物に対し水溶液中で速やかに反応し捕捉し、しかも沈殿、再付着が起きないように、捕捉したままで水への高い溶解度を示す物質を考えてみると、分析化学の分野で一般的に使用されるマスキング剤に相当する物質がふさわしいという結論に至った。
【００１０】
銅およびニッケルのマスキング剤としては、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウムおよびアミノカルボン酸類が一般的である。さらにアミノカルボン酸としてはα−アラニン、グルタミン酸、グリシン、イミジノ酢酸、ピコリン酸、システイン、１，２−ジアミノジクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、エチレングリコールビス（２−アミノエチルエーテル）テトラ酢酸（ＥＧＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサジアミンテトラ酢酸、２−ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸（ＨＥＤＴＡ）ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、等の化合物及びそのアンモニウム塩が使用できる。
【００１１】
本発明の表面処理液は、最表面に金皮膜を有する配線基板に対し特に有効であり、さらに、下地に銅或いはニッケル或いは銅とニッケルの両方を有する配線基板について最も有効であるよう検討されているが、処理液の性質上、最表面の金属が下地金属よりもイオン化傾向の小さい場合は他の金属にも有効である。たとえば、下地金属として銅を有し最表面に銀皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅およびニッケルを有し最表面に銀皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅を有し最表面に錫皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅およびニッケルを有し最表面に錫皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅を有し最表面にパラジウム皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅およびニッケルを有し最表面にパラジウム皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板などである。
【００１２】
また、本発明の表面処理液は、フッ化水素を含まないため、接続電極あるいはめっき層が腐食されることがなく、ボンディング性が低下することがない。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明において、絶縁基板としてはエポキシ、ポリイミド等の有機材料やセラミック等の無機材料があげられる。そして、その上に配線層が形成されている。ここでいう配線層は、配線パターンと接続電極を含む。接続電極は、配線パターンと同じ材料工程で製造されることが一般的であり、材料は銅に代表される。接続電極上には各種めっきが施されるが、本発明は、最表面が金、銀、錫、はんだのいずれかの材料の場合に適用できるものである。これらのめっきは配線層が銅で形成され、その上に直接めっきされる場合、即ち下地が銅である、という場合もあるが、ニッケルめっきを介して行われる場合もある。
【００１４】
本発明の表面処理液は、処理液中のチオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、又はシュウ酸アンモニウムの濃度が好ましくは０．１〜３０ｗｔ％、さらに好ましくは１．０〜１０ｗｔ％である。これらの濃度が低すぎては処理の効果が十分に得られず、また高濃度にした場合、濃度に見合った効果が発揮されない恐れがある。
【００１５】
またアミノカルボン酸類としては、α−アラニン、グルタミン酸、グリシン、イミジノ酢酸、ピコリン酸、システイン、１，２−ジアミノジクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、エチレングリコールビス（２−アミノエチルエーテル）テトラ酢酸（ＥＧＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサジアミンテトラ酢酸、２−ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、等の化合物及びそのアンモニウム塩が使用できる。
【００１６】
アミノカルボン酸の濃度としてはその分子量もよるが、好適な範囲は、０．０００１〜１０ｗｔ％、さらに好ましくは０．００１〜３ｗｔ％である。濃度が低すぎる場合には、処理の効果が十分に得られないだけでなく、処理液としての寿命が短くなってしまう。また高濃度にした場合、濃度に見合った効果が発揮されない恐れがある。さらに、処理液として十分効果を発揮させるため、ｐＨは適正に設定することが好ましい。
【００１７】
【実施例】
＜実施例１＞
松下電工製銅箔付ガラスエポキシ樹脂基板（ＦＲ−４グレード）総厚１．６ｍｍ、銅箔厚３６マイクロメートルの、まず銅箔表面をムラタ製酸性クリーナＰＡＣ−２００の１０ｗｔ％水溶液に４０℃、２分間浸漬し脱脂処理をおこなったあと、ムラタ製ソフトエッチング液ＭＥＯＸ１０％と硫酸２ｖｏｌ％の混合水溶液に３０℃、３０秒間浸漬し表面の活性化をおこなった。
そののちスルファミン酸ニッケルめっき液において、５０℃、４Ａ／ｄｍ2、３分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、銅箔上に厚さ約１．５マイクロメートルのニッケル皮膜を得た。
そののち金濃度１．０ｇ／ｌの日本高純度化学製ストライク金めっき液において、３０℃、２Ａ／ｄｍ2、２０秒間めっきをおこない金ストライク層を形成し、水洗後、さらにその基板を金濃度８．０ｇ／ｌの日本高純度化学製金めっき液において、７０℃、０．４Ａ／ｄｍ2、４８秒間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．２マイクロメートルの金皮膜を形成して基板の作製が完了した。
【００１８】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５７．４％、タリウム０．９％、塩素２．５％、炭素３３．４％、酸素５．５％、ニッケル０％、銅０．３％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．６５ｇでその時の標準偏差は０．５３であった。
【００１９】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２９．７％、タリウム０．８％、塩素４．１％、炭素３８．６％、酸素２１．８％、ニッケル３．９％、銅１．１％であり、金の構成比率が下がり、酸素、ニッケル、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が６．２８ｇでその時の標準偏差は０．４９であった。
【００２０】
さらにこの基板をシュウ酸アンモニウム５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５４．４％、タリウム０％、塩素０％、炭素３４．６％、酸素１０．２％、ニッケル０．４％、銅０．３％であり、金比率が加熱前の数値近くまで回復し、酸素、ニッケル、銅の比率も加熱前の状態近くまで回復していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．８１ｇでその時の標準偏差は０．４３であった。
【００２１】
＜実施例２＞
実施例１と同じ工程で厚さ約１．５マイクロメートルのニッケル皮膜を形成した銅箔付きガラスエポキシ樹脂基板に対し、金ストライク層を形成せずに金濃度８．０ｇ／ｌの日本高純度化学製金めっき液において、７０℃、０．４Ａ／ｄｍ２、４８秒間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．２マイクロメートルの金皮膜を形成し基板の作製が完了した。
【００２２】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金６１．０％、タリウム１．１％、塩素０．２％、炭素３１．１％、酸素５．９％、ニッケル０％、銅０．７％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．３１ｇでその時の標準偏差は０．３２であった。
【００２３】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２７．５％、タリウム０．５％、塩素６．６％、炭素４１．７％、酸素１９．９％、ニッケル３．５％、銅０．４％であり、金の構成比率が下がり、酸素、ニッケル、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が５．５２ｇでその時の標準偏差は０．２９であった。
【００２４】
さらにこの基板をシュウ酸アンモニウム５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５１．５％、タリウム０％、塩素０％、炭素３７．９％、酸素１０．１％、ニッケル０％、銅０．５％であり、金比率が加熱前の数値近くまで上昇し、酸素、ニッケル、銅の比率も加熱前の状態近くまで低下していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．３３ｇでその時の標準偏差は０．３６であった。
【００２５】
＜実施例３＞
実施例１と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＥＤＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４５．９％、タリウム０％、塩素０％、炭素４３．３％、酸素１０．５％、ニッケル０％、銅０．３％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．４４ｇでその時の標準偏差は０．６０であった。
【００２６】
＜実施例４＞
実施例２と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＥＤＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２８．５％、タリウム０％、塩素０％、炭素５５．３％、酸素１５．６％、ニッケル０％、銅０．６％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．２２ｇでその時の標準偏差は０．６６であった。
【００２７】
＜実施例５＞
ニッカン工業製フレキシブル基板（商品名：パイララックス）基材厚５０マイクロメートル、接着剤厚１３マイクロメートル、銅箔厚１８マイクロメートルの、銅箔表面をムラタ製酸性クリーナＰＡＣ２００の１０ｗｔ％水溶液に４０℃、２分間浸漬し脱脂処理をおこなったあと、ムラタ製ソフトエッチング液ＭＥＯＸ１０ｖｏｌ％と硫酸２ｖｏｌ％の混合水溶液に３０℃、３０秒間浸漬し、塩化パラジウムの塩酸溶液に１０秒浸漬して触媒の活性化をおこなった。
そして上村工業製無電解ニッケルめっき液ニムデンＮＰＲ−４において、８０℃、１０分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、銅箔上に厚さ約２．５マイクロメートルのニッケル皮膜を得た。
そののち金濃度１．０ｇ／ｌの小島化学薬品製置換型ストライク無電解金めっき液オーエル２において、９０℃、５分間めっきをおこない金ストライク層を形成し、水洗後、さらにその基板を金濃度８．０ｇ／ｌの小島化学薬品製自己触媒型無電解金めっき液オーレットにおいて、６５℃、５分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．５マイクロメートルの金皮膜を形成し基板の作製が完了した。
【００２８】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５５．３％、タリウム０．２％、塩素１．２％、炭素３４．２％、酸素７．８％、ニッケル０．３％、銅０．８％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．９６ｇでその時の標準偏差は０．３７であった。
【００２９】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２７．１％、タリウム０．３％、塩素４．８％、炭素３７．６％、酸素２０．５％、ニッケル３．４％、銅６．３％であり、金の構成比率が下がり、酸素、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングを試みたが、ボンディング条件を種々変えてみたが安定してボンディングをすることができなかった。
【００３０】
さらにこの基板をテトラエチレンテトラミン５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５２．９％、タリウム０％、塩素０％、炭素３６．７％、酸素９．８％、ニッケル０％、銅０．６％であり、金比率が加熱前の数値近くまで回復し、酸素、銅の比率も加熱前の状態近くまで回復していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が９．４２ｇでその時の標準偏差は０．３３であった。
【００３１】
＜実施例６＞
実施例５と同じ工程で厚さ約２．５マイクロメートルのニッケル皮膜を形成したフレキシブル基板に対し、上村工業製置換型ストライク無電解金めっき液ＴＫＫ−５１において、８５℃、１０分間めっきをおこない金ストライク層を形成し、水洗後、さらにその基板を上村工業製置換型厚づけ無電解金めっき液ＴＳＫ−２５において、８５℃、２０分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．５マイクロメートルの金皮膜を形成し基板の作製が完了した。
【００３２】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金６２．１％、タリウム１．３％、塩素２．１％、炭素３０．１％、酸素３．６％、ニッケル０．８％、銅０％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が９．０８ｇでその時の標準偏差は０．４７であった。
【００３３】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２３．７％、タリウム０．７％、塩素６．１％、炭素３６．６％、酸素２０．７％、ニッケル２．７％、銅９．６％であり、金の構成比率が下がり、酸素、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングを試みたが、ボンディング条件を種々変えてみたが安定してボンディングをすることができなかった。
【００３４】
さらにこの基板をテトラエチレンテトラミン５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４９．３％、タリウム０％、塩素０％、炭素４１．７％、酸素８．８％、ニッケル０％、銅０．３％であり、金比率が加熱前の数値近くまで上昇し、酸素、銅の比率も加熱前の状態近くまで低下していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が９．１４ｇでその時の標準偏差は０．４２であった。
【００３５】
＜実施例７＞
実施例５と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＮＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４７．９％、タリウム０％、塩素０％、炭素３８．９％、酸素１２．４％、ニッケル０％、銅０．８％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．２３ｇでその時の標準偏差は０．４２であった。
【００３６】
＜実施例８＞
実施例６と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＮＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４９．３％、タリウム０％、塩素０％、炭素４１．７％、酸素８．８％、ニッケル０％、銅０．３％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．６３ｇでその時の標準偏差は０．５７であった。
【００３７】
以上のように本願発明の方法によれば、ワイヤボンディングの強度が向上し、接合信頼性が確保できた。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁基板上に、配線パターン及び半導体部品との接続電極を含む配線層を有し、前記接続電極上に最表面が金、銀、錫、はんだから選ばれるめっき層を形成した後に、前記めっき層表面を表面処理する配線基板の製造方法において、前記表面処理を、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、アミノカルボン酸類のうち少なくとも１つを含む表面処理液で洗浄するため、接続電極のボンディング性が高い配線基板を製造することができる。
【００３９】
さらに、本発明によれば、上記の発明において、前記表面処理液が、フッ化水素を含まないため、接続電極あるいはめっき層が腐食され、ボンディング性が低下することがない。
【００４０】
さらに、本発明によれば、上記の発明において、前記表面処理液が、シュウ酸アンモニウム及びテトラエチレンテトラミンの少なくとも一方と、アミノカルボン酸類を含むため、特に接続電極のボンディング性が高い配線基板を製造することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ等の半導体部品を搭載する配線基板の製造方法に関し、ボンディング性に優れる配線基板を製造することができる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップに代表される半導体部品の高集積化に伴い、半導体部品を搭載する、チップキャリアあるいはプリント配線板等の配線基板の、半導体部品との接続電極のピッチもますます狭くなってきている。接続電極には、ボンディング性を高めるために、金、銀、錫等がめっきされる。接続電極の狭ピッチ化に伴い、従来電気めっき法で行われていためっき皮膜形成は、無電解めっき法へ、まためっき厚も薄膜化の方向へ移行してきている。
すなわち、例えば無電解めっき法による金めっきは置換反応型と還元反応型の組み合わせで行われるが、このときの置換反応では下地を完全に被覆することができないため、電気めっき法により得られる金めっき皮膜よりもピンホールが多く存在する結果になりやすい。
よって無電解めっき法により形成した金皮膜は、電気めっき法で得られる金皮膜よりも、加熱による下地金属の表面拡散の速度が速く、最表面の金属結合に関与するべき金の露出面積が減少するため結果としてワイヤボンディングなどの接合の信頼性を損ないやすくなる。
まためっき厚の薄膜化についても同様なことが言え、ピンホールの数が同じめっき条件であればめっき皮膜が薄いほどピンホールが多いという報告は多数されており、この点についても接合の信頼性にとって不利な環境にあると言える。
このような状況を改善するため、従来はワイヤボンディング工程の直前にプラズマクリーニングをおこなって、ボンディングパッドのごく浅い層をドライエッチングによって除去し、フレッシュな金を露出させ、金ワイヤとの接合信頼性を確保している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
チップキャリアあるいはプリント配線板等の配線基板の製造に用いられる装置は設備費や製造費をおさえるため、ほとんど常圧下でのウェット処理となっている。それに対しプラズマクリーニング装置は依然として設備投資額がメーカにとって非常に負担になりかつ、高純度ガスを使用するため加工コストが従来よりも増加するため、配線基板製造メーカーがプラズマクリーニング装置を導入するのに障害となっている。また高真空環境を必要とするプラズマクリーニング処理装置は、従来よりの基板メーカにはなじみが薄いため受け入れられにくく、管理運転上の不安がつきまとう。プラズマクリーニングは、バッチ処理のため一度に処理できる枚数に限界があり、大量生産には不適である。
【０００４】
本発明の課題とするところは、ウェット処理により半導体部品との接合信頼性を確保できるような配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【問題を解決するための手段】
本発明は、係る課題を解決するものであり、請求項１の発明は、絶縁基板上に、配線パターン及び半導体部品との接続電極を含む配線層を有し、前記接続電極上に最表面が金のめっき層を形成した後に、前記めっき層表面に拡散している下地金属酸化物を取り除くために当該めっき層を表面処理する配線基板の製造方法であって、前記めっき層の下地金属が銅或いはニッケル或いは銅とニッケルの両方であり、前記表面処理が、シュウ酸アンモニウム及びテトラエチレンテトラミンの少なくとも一方と、アミノカルボン酸類を含む表面処理液で洗浄することを特徴とする配線基板の製造方法としたものである。
【０００６】
本発明の請求項２の発明は、前記表面処理液中の前記アミノカルボン酸類の濃度は０．０００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法としたものである。
本発明の請求項３の発明は、前記表面処理液が、フッ化水素を含まないことを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板の製造方法としたものである。
【０００８】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、アミノカルボン酸類のうちの少なくとも一つを含む水溶液へ処理したい配線基板を浸漬する事により、接続電極に形成されためっき皮膜上に拡散している下地金属酸化物を取り除くことができることを見いだした。
【０００９】
一般的なプリント配線板およびチップキャリア等の配線基板の接続電極に施されるめっきの下地金属は、すなわちニッケルあるいは銅が多い。ニッケルあるいは銅の酸化物に対し水溶液中で速やかに反応し捕捉し、しかも沈殿、再付着が起きないように、捕捉したままで水への高い溶解度を示す物質を考えてみると、分析化学の分野で一般的に使用されるマスキング剤に相当する物質がふさわしいという結論に至った。
【００１０】
銅およびニッケルのマスキング剤としては、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウムおよびアミノカルボン酸類が一般的である。さらにアミノカルボン酸としてはα−アラニン、グルタミン酸、グリシン、イミジノ酢酸、ピコリン酸、システイン、１，２−ジアミノジクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、エチレングリコールビス（２−アミノエチルエーテル）テトラ酢酸（ＥＧＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサジアミンテトラ酢酸、２−ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸（ＨＥＤＴＡ）ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、等の化合物及びそのアンモニウム塩が使用できる。
【００１１】
本発明の表面処理液は、最表面に金皮膜を有する配線基板に対し特に有効であり、さらに、下地に銅或いはニッケル或いは銅とニッケルの両方を有する配線基板について最も有効であるよう検討されているが、処理液の性質上、最表面の金属が下地金属よりもイオン化傾向の小さい場合は他の金属にも有効である。たとえば、下地金属として銅を有し最表面に銀皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅およびニッケルを有し最表面に銀皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅を有し最表面に錫皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅およびニッケルを有し最表面に錫皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅を有し最表面にパラジウム皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板、下地金属として銅およびニッケルを有し最表面にパラジウム皮膜を有するチップキャリアおよびプリント配線板などである。
【００１２】
また、本発明の表面処理液は、フッ化水素を含まないため、接続電極あるいはめっき層が腐食されることがなく、ボンディング性が低下することがない。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明において、絶縁基板としてはエポキシ、ポリイミド等の有機材料やセラミック等の無機材料があげられる。そして、その上に配線層が形成されている。ここでいう配線層は、配線パターンと接続電極を含む。接続電極は、配線パターンと同じ材料工程で製造されることが一般的であり、材料は銅に代表される。接続電極上には各種めっきが施されるが、本発明は、最表面が金、銀、錫、はんだのいずれかの材料の場合に適用できるものである。これらのめっきは配線層が銅で形成され、その上に直接めっきされる場合、即ち下地が銅である、という場合もあるが、ニッケルめっきを介して行われる場合もある。
【００１４】
本発明の表面処理液は、処理液中のチオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、又はシュウ酸アンモニウムの濃度が好ましくは０．１〜３０ｗｔ％、さらに好ましくは１．０〜１０ｗｔ％である。これらの濃度が低すぎては処理の効果が十分に得られず、また高濃度にした場合、濃度に見合った効果が発揮されない恐れがある。
【００１５】
またアミノカルボン酸類としては、α−アラニン、グルタミン酸、グリシン、イミジノ酢酸、ピコリン酸、システイン、１，２−ジアミノジクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、エチレングリコールビス（２−アミノエチルエーテル）テトラ酢酸（ＥＧＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサジアミンテトラ酢酸、２−ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、等の化合物及びそのアンモニウム塩が使用できる。
【００１６】
アミノカルボン酸の濃度としてはその分子量もよるが、好適な範囲は、０．０００１〜１０ｗｔ％、さらに好ましくは０．００１〜３ｗｔ％である。濃度が低すぎる場合には、処理の効果が十分に得られないだけでなく、処理液としての寿命が短くなってしまう。また高濃度にした場合、濃度に見合った効果が発揮されない恐れがある。さらに、処理液として十分効果を発揮させるため、ｐＨは適正に設定することが好ましい。
【００１７】
【実施例】
＜実施例１＞
松下電工製銅箔付ガラスエポキシ樹脂基板（ＦＲ−４グレード）総厚１．６ｍｍ、銅箔厚３６マイクロメートルの、まず銅箔表面をムラタ製酸性クリーナＰＡＣ−２００の１０ｗｔ％水溶液に４０℃、２分間浸漬し脱脂処理をおこなったあと、ムラタ製ソフトエッチング液ＭＥＯＸ１０％と硫酸２ｖｏｌ％の混合水溶液に３０℃、３０秒間浸漬し表面の活性化をおこなった。
そののちスルファミン酸ニッケルめっき液において、５０℃、４Ａ／ｄｍ2、３分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、銅箔上に厚さ約１．５マイクロメートルのニッケル皮膜を得た。
そののち金濃度１．０ｇ／ｌの日本高純度化学製ストライク金めっき液において、３０℃、２Ａ／ｄｍ2、２０秒間めっきをおこない金ストライク層を形成し、水洗後、さらにその基板を金濃度８．０ｇ／ｌの日本高純度化学製金めっき液において、７０℃、０．４Ａ／ｄｍ2、４８秒間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．２マイクロメートルの金皮膜を形成して基板の作製が完了した。
【００１８】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５７．４％、タリウム０．９％、塩素２．５％、炭素３３．４％、酸素５．５％、ニッケル０％、銅０．３％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．６５ｇでその時の標準偏差は０．５３であった。
【００１９】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２９．７％、タリウム０．８％、塩素４．１％、炭素３８．６％、酸素２１．８％、ニッケル３．９％、銅１．１％であり、金の構成比率が下がり、酸素、ニッケル、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が６．２８ｇでその時の標準偏差は０．４９であった。
【００２０】
さらにこの基板をシュウ酸アンモニウム５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５４．４％、タリウム０％、塩素０％、炭素３４．６％、酸素１０．２％、ニッケル０．４％、銅０．３％であり、金比率が加熱前の数値近くまで回復し、酸素、ニッケル、銅の比率も加熱前の状態近くまで回復していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．８１ｇでその時の標準偏差は０．４３であった。
【００２１】
＜実施例２＞
実施例１と同じ工程で厚さ約１．５マイクロメートルのニッケル皮膜を形成した銅箔付きガラスエポキシ樹脂基板に対し、金ストライク層を形成せずに金濃度８．０ｇ／ｌの日本高純度化学製金めっき液において、７０℃、０．４Ａ／ｄｍ２、４８秒間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．２マイクロメートルの金皮膜を形成し基板の作製が完了した。
【００２２】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金６１．０％、タリウム１．１％、塩素０．２％、炭素３１．１％、酸素５．９％、ニッケル０％、銅０．７％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．３１ｇでその時の標準偏差は０．３２であった。
【００２３】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２７．５％、タリウム０．５％、塩素６．６％、炭素４１．７％、酸素１９．９％、ニッケル３．５％、銅０．４％であり、金の構成比率が下がり、酸素、ニッケル、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が５．５２ｇでその時の標準偏差は０．２９であった。
【００２４】
さらにこの基板をシュウ酸アンモニウム５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５１．５％、タリウム０％、塩素０％、炭素３７．９％、酸素１０．１％、ニッケル０％、銅０．５％であり、金比率が加熱前の数値近くまで上昇し、酸素、ニッケル、銅の比率も加熱前の状態近くまで低下していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．３３ｇでその時の標準偏差は０．３６であった。
【００２５】
＜実施例３＞
実施例１と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＥＤＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４５．９％、タリウム０％、塩素０％、炭素４３．３％、酸素１０．５％、ニッケル０％、銅０．３％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．４４ｇでその時の標準偏差は０．６０であった。
【００２６】
＜実施例４＞
実施例２と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＥＤＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２８．５％、タリウム０％、塩素０％、炭素５５．３％、酸素１５．６％、ニッケル０％、銅０．６％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．２２ｇでその時の標準偏差は０．６６であった。
【００２７】
＜実施例５＞
ニッカン工業製フレキシブル基板（商品名：パイララックス）基材厚５０マイクロメートル、接着剤厚１３マイクロメートル、銅箔厚１８マイクロメートルの、銅箔表面をムラタ製酸性クリーナＰＡＣ２００の１０ｗｔ％水溶液に４０℃、２分間浸漬し脱脂処理をおこなったあと、ムラタ製ソフトエッチング液ＭＥＯＸ１０ｖｏｌ％と硫酸２ｖｏｌ％の混合水溶液に３０℃、３０秒間浸漬し、塩化パラジウムの塩酸溶液に１０秒浸漬して触媒の活性化をおこなった。
そして上村工業製無電解ニッケルめっき液ニムデンＮＰＲ−４において、８０℃、１０分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、銅箔上に厚さ約２．５マイクロメートルのニッケル皮膜を得た。
そののち金濃度１．０ｇ／ｌの小島化学薬品製置換型ストライク無電解金めっき液オーエル２において、９０℃、５分間めっきをおこない金ストライク層を形成し、水洗後、さらにその基板を金濃度８．０ｇ／ｌの小島化学薬品製自己触媒型無電解金めっき液オーレットにおいて、６５℃、５分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．５マイクロメートルの金皮膜を形成し基板の作製が完了した。
【００２８】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５５．３％、タリウム０．２％、塩素１．２％、炭素３４．２％、酸素７．８％、ニッケル０．３％、銅０．８％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．９６ｇでその時の標準偏差は０．３７であった。
【００２９】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２７．１％、タリウム０．３％、塩素４．８％、炭素３７．６％、酸素２０．５％、ニッケル３．４％、銅６．３％であり、金の構成比率が下がり、酸素、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングを試みたが、ボンディング条件を種々変えてみたが安定してボンディングをすることができなかった。
【００３０】
さらにこの基板をテトラエチレンテトラミン５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金５２．９％、タリウム０％、塩素０％、炭素３６．７％、酸素９．８％、ニッケル０％、銅０．６％であり、金比率が加熱前の数値近くまで回復し、酸素、銅の比率も加熱前の状態近くまで回復していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が９．４２ｇでその時の標準偏差は０．３３であった。
【００３１】
＜実施例６＞
実施例５と同じ工程で厚さ約２．５マイクロメートルのニッケル皮膜を形成したフレキシブル基板に対し、上村工業製置換型ストライク無電解金めっき液ＴＫＫ−５１において、８５℃、１０分間めっきをおこない金ストライク層を形成し、水洗後、さらにその基板を上村工業製置換型厚づけ無電解金めっき液ＴＳＫ−２５において、８５℃、２０分間めっきをおこない、水洗、乾燥後、厚さ約０．５マイクロメートルの金皮膜を形成し基板の作製が完了した。
【００３２】
この基板の金皮膜表面をＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金６２．１％、タリウム１．３％、塩素２．１％、炭素３０．１％、酸素３．６％、ニッケル０．８％、銅０％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が９．０８ｇでその時の標準偏差は０．４７であった。
【００３３】
その後の実装工程を想定し、ホットプレート上で１８０℃、６時間大気圧下で加熱処理をおこない、自然放冷後、もう一度Ｘ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金２３．７％、タリウム０．７％、塩素６．１％、炭素３６．６％、酸素２０．７％、ニッケル２．７％、銅９．６％であり、金の構成比率が下がり、酸素、銅の構成比率が上昇していることが確認された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングを試みたが、ボンディング条件を種々変えてみたが安定してボンディングをすることができなかった。
【００３４】
さらにこの基板をテトラエチレンテトラミン５ｗｔ％とＥＤＴＡ１ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４９．３％、タリウム０％、塩素０％、炭素４１．７％、酸素８．８％、ニッケル０％、銅０．３％であり、金比率が加熱前の数値近くまで上昇し、酸素、銅の比率も加熱前の状態近くまで低下していることを確認した。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が９．１４ｇでその時の標準偏差は０．４２であった。
【００３５】
＜実施例７＞
実施例５と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＮＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４７．９％、タリウム０％、塩素０％、炭素３８．９％、酸素１２．４％、ニッケル０％、銅０．８％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が８．２３ｇでその時の標準偏差は０．４２であった。
【００３６】
＜実施例８＞
実施例６と同じ工程で基板を作製し、同じ条件で加熱処理をおこなった基板に対しＮＴＡ０．０００２ｗｔ％の混合水溶液に４０℃、２０分間浸漬処理し、水洗乾燥後、再びＸ線光電子分光分析装置によりごく表面層の構成元素比率を調べたところ、金４９．３％、タリウム０％、塩素０％、炭素４１．７％、酸素８．８％、ニッケル０％、銅０．３％それぞれ検出された。この基板に対し、直径２５マイクロメートルの金ワイヤを使用してワイヤボンディングをおこない、そのプル強度を測定したところ標本数３０個の平均値が７．６３ｇでその時の標準偏差は０．５７であった。
【００３７】
以上のように本願発明の方法によれば、ワイヤボンディングの強度が向上し、接合信頼性が確保できた。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁基板上に、配線パターン及び半導体部品との接続電極を含む配線層を有し、前記接続電極上に最表面が金、銀、錫、はんだから選ばれるめっき層を形成した後に、前記めっき層表面を表面処理する配線基板の製造方法において、前記表面処理を、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、アミノカルボン酸類のうち少なくとも１つを含む表面処理液で洗浄するため、接続電極のボンディング性が高い配線基板を製造することができる。
【００３９】
さらに、本発明によれば、上記の発明において、前記表面処理液が、フッ化水素を含まないため、接続電極あるいはめっき層が腐食され、ボンディング性が低下することがない。
【００４０】
さらに、本発明によれば、上記の発明において、前記表面処理液が、シュウ酸アンモニウム及びテトラエチレンテトラミンの少なくとも一方と、アミノカルボン酸類を含むため、特に接続電極のボンディング性が高い配線基板を製造することができる。
Claims (3)
- 絶縁基板上に、配線パターン及び半導体部品との接続電極を含む配線層を有し、前記接続電極上に最表面が金のめっき層を形成した後に、前記めっき層表面に拡散している下地金属酸化物を取り除くために当該めっき層を表面処理する配線基板の製造方法であって、
前記めっき層の下地金属が銅或いはニッケル或いは銅とニッケルの両方であり、
前記表面処理が、シュウ酸アンモニウム及びテトラエチレンテトラミンの少なくとも一方と、アミノカルボン酸類を含む表面処理液で洗浄することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記表面処理液中の前記アミノカルボン酸類の濃度は０．０００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
- 前記表面処理液が、フッ化水素を含まないことを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176687A JP3918462B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176687A JP3918462B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368152A JP2002368152A (ja) | 2002-12-20 |
| JP3918462B2 true JP3918462B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=19017638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176687A Expired - Fee Related JP3918462B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3918462B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4721827B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 配線基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001176687A patent/JP3918462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002368152A (ja) | 2002-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101089201B1 (ko) | 도체 기재, 반도체 장치 및 이들의 제조 방법 | |
| KR100688833B1 (ko) | 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및 이로부터 제조된인쇄회로기판 | |
| EP1322798B1 (en) | Bath and method of electroless plating of silver on metal surfaces | |
| US20050121330A1 (en) | Chromium-free antitarnish adhesion promoting treatment composition | |
| JP3662010B2 (ja) | モジュール化プリント基板の表面処理用合金メッキ液 | |
| JPH09181028A (ja) | 半導体素子の洗浄液 | |
| KR20060051327A (ko) | 비시안화물 무전해 금 도금액 및 무전해 금 도금 공정 | |
| CN1639385A (zh) | 银的浸镀 | |
| JP3918462B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2622016B2 (ja) | 銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 | |
| JP2666470B2 (ja) | 無電解めっき法 | |
| JP2004346405A (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法 | |
| WO2003040432A1 (fr) | Pellicules de traitement de surface a base de nickel presentant une excellente adherence thermoresistante a une resine | |
| KR100619345B1 (ko) | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및이로부터 제조된 인쇄회로기판 | |
| JP3299370B2 (ja) | 非シアン銀めっき方法及びそれに用いられる非シアン溶液 | |
| JPH03124091A (ja) | 厚膜印刷基板の製造方法 | |
| JP3567539B2 (ja) | 電子部品用基板及びその製造方法 | |
| JP4740773B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 | |
| JP3765709B2 (ja) | 電子部品の放熱板用めっき付き金属板・条材の製造方法 | |
| JP4307473B2 (ja) | 導体基材及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2003147542A (ja) | 無電解置換型金メッキ液 | |
| Honma et al. | Adhesion strength of electroless nickel deposits on alumina ceramic substrate | |
| JP3206342B2 (ja) | セラミックスｉｃパッケージの製造方法 | |
| JPH01247578A (ja) | 高密度実装部品の製造方法 | |
| JP2010080556A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050324 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061010 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070123 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140223 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |