JP3915810B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3915810B2 JP3915810B2 JP2004328591A JP2004328591A JP3915810B2 JP 3915810 B2 JP3915810 B2 JP 3915810B2 JP 2004328591 A JP2004328591 A JP 2004328591A JP 2004328591 A JP2004328591 A JP 2004328591A JP 3915810 B2 JP3915810 B2 JP 3915810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- layer
- convex portion
- liquid material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 204
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 56
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 56
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 21
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 6
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 3
- HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrobenzofuran Chemical compound C1=CC=C2OCCC2=C1 HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWKSINPSASCIMZ-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1NC=NC1C YWKSINPSASCIMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazolidin-4-one Chemical compound CN1CN(C)C(=O)C1 YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZNJMLVCIZGWSC-UHFFFAOYSA-N 3',6'-bis(diethylamino)spiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1OC1=CC(N(CC)CC)=CC=C21 DZNJMLVCIZGWSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIUSGHALMCFISX-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-2,3-dihydro-1h-cyclopenta[c]chromen-4-one Chemical compound O=C1OC2=CC(N(C)C)=CC=C2C2=C1CCC2 RIUSGHALMCFISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZEYLLPOQRZUDF-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4-methylchromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(C)C)=CC=C21 GZEYLLPOQRZUDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N coumarin 120 Chemical compound C1=C(N)C=CC2=C1OC(=O)C=C2C GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDTAEYOYAZPLIC-UHFFFAOYSA-N coumarin 152 Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(=O)OC2=CC(N(C)C)=CC=C21 KDTAEYOYAZPLIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N coumarin 153 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C=C1C(F)(F)F VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBPCDMSEJVCNGV-UHFFFAOYSA-N coumarin 334 Chemical compound C1CCC2=C(OC(C(C(=O)C)=C3)=O)C3=CC3=C2N1CCC3 JBPCDMSEJVCNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGDDFMCJIHJNMK-UHFFFAOYSA-N coumarin 337 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C(C#N)=C1 LGDDFMCJIHJNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N coumarin 460 Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMJKUPWQKZFFCX-UHFFFAOYSA-N coumarin 504 Chemical compound C1CCC2=C(OC(C(C(=O)OCC)=C3)=O)C3=CC3=C2N1CCC3 VMJKUPWQKZFFCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- ZXZKYYHTWHJHFT-UHFFFAOYSA-N quinoline-2,8-diol Chemical compound C1=CC(=O)NC2=C1C=CC=C2O ZXZKYYHTWHJHFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- DJWWHVKRLDNDJK-UHFFFAOYSA-N rhodamine 640 perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C1=CC=2CCCN3CCCC(C=23)=C1O1)=C2C1=C(CCC1)C3=[N+]1CCCC3=C2 DJWWHVKRLDNDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium group Chemical group [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; CARE OF BIRDS, FISHES, INSECTS; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K61/00—Culture of aquatic animals
- A01K61/60—Floating cultivation devices, e.g. rafts or floating fish-farms
- A01K61/65—Connecting or mooring devices therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
- Y02P60/60—Fishing; Aquaculture; Aquafarming
Description
特許文献2に記載の技術では、凸状部により区画される領域を十分に小さくすれば、インクの濡れ広がりの問題は生じないが、それに伴って画素の開口率が低下するため、十分な表示輝度が得られなくなる。
液相法により前記電荷輸送層を形成する場合、第1電極上に、電荷輸送層を形成するための形成材料と溶媒とを含む液体材料を配し、乾燥固化させることで電荷輸送層を形成する。ここで、本発明では、前記第1電極と有機機能層との間に凸状部が設けられているので、前記液体材料を乾燥固化させる際に、前記凸状部により前記液体材料が画素電極上で 流動するのを堰き止めることができ、偏った状態で固化されるのを防止することができる。これにより、電荷輸送層が均一な膜厚、膜質を有して形成される。従って、電荷輸送層上に形成される発光層も平坦化され、均一な膜厚、膜質を有する有機機能層による均一な発光が得られる。また、膜厚が均一であることから、電極間での短絡も良好に防止され、信頼性に優れた有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置が得られる。
さらに、上記電荷輸送層は前記凸状部と発光層との間にも介在しているので、凸状部を設けたことによって発光層への電荷輸送が滞ることはなく、発光層はその全面で発光可能になっている。すなわち、凸状部を設けたことで開口率が低下することはない。
さらにまた、前記凸状部は、有機EL素子からの光取り出し効率を高める効果も奏する。有機EL素子の発光層で生じた光は等方的に放射されるので、表示光として取り出される光は有機機能層の層厚方向に射出される光が中心となり、有機機能層の面方向に伝搬する光成分はほとんど表示に寄与しない。そこで、本発明のように電極面から突出する凸状部を設けておくことで、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分を表示光として取り出しやすくすることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置では、前記凸状部を成す突起が、前記第1電極上の領域の周縁部に高密度に配置されている構成とすることもできる。すなわち、前記突起が特定位置(電極周縁部)で狭間隔に配置されている構成とすることができる。この構成によれば、第1電極上に配された液体材料の形状がその表面張力で半球状(あるいはドーム状)となり、第1電極上で偏在するのを防止することができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置では、前記凸状部を成す突起が、前記第1電極上の領域の角部に高密度に配置されている構成とすることができる。この構成によれば、前記角部においても液体材料を良好に保持できるようになり、電荷輸送層を電極上の全面で均一な膜厚に形成できるようになる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置では、前記凸状部を成す突起が、前記第1電極上の領域の中央部に高密度に配置されている構成とすることもできる。この構成は、前記第1電極上の領域が一方向に細長い平面形状である場合に特に有効なものである。つまり、細長い形状の第1電極上では、その長手方向端部に液体材料が偏りやすくなるが、第1電極上の中央部に凸状部を高密度に配置することで、第1電極上の領域の中央部に液体材料を保持できるようになり、形成される電荷輸送層の膜厚均一化が図れる。
この製造方法によれば、第1電極上に凸状部を形成し、この凸状部が配された電極上に液体材料を塗布するので、前記液体材料を乾燥させる際に、前記凸状部によって液体材料が偏在化するのを防止することができ、もって均一な膜厚にて電荷輸送層を形成できる。これにより、その上の発光層も平坦化されるので、良好な発光特性を備えた有機EL装置を製造可能である。また、前記凸状部を覆って電荷輸送層を形成するので、発光層への電荷輸送性を損なうことが無く、従って高開口率の有機EL装置を製造することができる。
さらに本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、前記隔壁部材を立設する工程が、前記基体上に無機絶縁材料からなる第1隔壁層を形成する工程と、該第1隔壁層上に、有機絶縁材料からなる第2隔壁層を積層形成する工程とを含んでおり、前記第1隔壁層を形成する工程において、前記凸状部を前記無機絶縁材料により形成することもできる。
これらの製造方法によれば、前記隔壁部材を形成する工程にて前記凸状部を同時に形成できるので、凸状部を形成する工程を別途設ける必要が無く、効率的な製造を行える。また従来の工程からの移行も容易である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、有機EL素子を画素として基体上に配列してなる有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)を例示して説明する。この有機EL装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。
図1は本発明の第1の実施形態の有機EL装置の回路構成図、図2は、同有機EL装置に備えられた各画素71の平面構造を示す図であって、(a)は画素71のうち、主にTFT等の画素駆動部分を示す図、(b)は画素間を区画するバンク(隔壁部材)等を示す図である。また図3(a)は、図2(a)のA−A線に沿う断面構成を示す図であり、(b)は(a)に示す領域Bの拡大図である
画素電極141は、基板Pを介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ITO(インジウム錫酸化物)等の透光性導電材料により形成されるが、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
従って、本実施形態の有機EL装置によれば、明るくかつ高効率に発光可能な有機EL素子200を備えたことで、高輝度、高コントラストの高画質表示を得ることができる。
上記実施の形態では、正孔注入層140Aが単層構造である場合を図示して説明したが、正孔注入層140Aが2層以上の複層構造であっても本発明は適用できる。図10は、2層構造の正孔注入層140Aを形成した場合における有機EL装置の部分断面構造を示す図であり、同図は図3(a)に相当する断面構成図である。
図10に示すように、正孔注入層140Aが、第1の正孔注入層140A1と第2の正孔注入層140A2とを積層した構造である場合、画素電極141上に設けられる凸状部149a…は、最上層(最も発光層140B寄りの層)である第2の正孔注入層140A2を貫通しない高さ以下の範囲で任意の高さに形成される。例えば図10では、凸状部149a…は第1の正孔注入層140A1を貫通し、その頂部を第2の正孔注入層140A2内に配された状態で配置されているが、凸状部149a…が第1の正孔注入層140A1内にのみ配されている形態であってもよい。いずれの場合にも、発光層140Bへの電荷輸送性を損なうことなく正孔注入層140A1、140A2の平坦化、及び均一化を実現でき、均一な発光を得られ、高輝度の有機EL素子を形成することができる。
次に、図13を参照して本発明に係る有機EL装置の第3の実施形態について説明する。図13(a)〜(d)は、第3の実施形態に係る有機EL装置の画素71を示す平面構成図であって、図2(b)に相当する図である。
突起149cの形状は特に限定されることなく、円柱状、多角柱状、円錐状、多角錐状、円錐台状、多角錐台状等の種々の形状を適用することができる。また、平面視ないし側面視で対称形状となっていなくてもよい。
以下、本発明に係る有機EL装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。本実施形態では、図1から図3に示した構成を備えた有機EL装置を、液滴吐出法(インクジェット法)を用いて製造する方法を例示して説明する。
まず、製造方法の説明に先立ち、有機EL装置の製造に好適に使用できる液滴吐出装置について説明する。図4は本発明の有機EL装置を製造する際に用いる液滴吐出装置を示す概略斜視図である。また、図5及び図6は液滴吐出装置に設けられた液滴吐出ヘッドを示す図である。
図4において、液滴吐出装置IJは、基板Pの表面(所定面)に液滴(インク滴)を配置可能な成膜装置であって、ベース12と、ベース12上に設けられ、基板Pを支持するステージ(ステージ装置)STと、ベース12とステージSTとの間に介在し、ステージSTを移動可能に支持する第1移動装置14と、ステージSTに支持されている基板Pに対して、有機機能層の形成材料を含む液滴を定量的に吐出(滴下)可能な液滴吐出ヘッド20と、液滴吐出ヘッド20を移動可能に支持する第2移動装置16とを備えている。液滴吐出ヘッド20の液滴の吐出動作や、第1移動装置14及び第2移動装置16の移動動作を含む液滴吐出装置IJの動作は制御装置CONTにより制御される。
このリニアモータ形式の第1移動装置14のスライダー42はガイドレール40に沿ってY軸方向に移動して位置決め可能である。スライダー42はZ軸回り(θZ)用のモータ44を備えている。このモータ44は例えばダイレクトドライブモータであり、モータ44のロータはステージSTに固定されている。これにより、モータ44に通電することでロータとステージSTとはθZ方向に沿って回転してステージSTをインデックス(回転割り出し)することができる。すなわち、第1移動装置14はステージSTをY軸方向及びθZ方向に移動可能である。
スライダー60はガイドレール62Aに沿ってX軸方向に移動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド20はスライダー60に取り付けられている。
液滴吐出ヘッド20の主要部構造は、図6の斜視図一部断面図に示すように、圧力室基板90をノズルプレート80と振動板85とで挟み込んだ構造とされている。ノズルプレート80のノズル81は、各々圧力室基板90に区画形成された圧力室(キャビティ)91に対応している。圧力室基板90には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ91が複数設けられている。キャビティ91同士の間は側壁92で分離されている。各キャビティ91は供給口94を介して共通の流路であるリザーバ93に繋がっている。振動板85は例えば熱酸化膜等により構成される。
圧電体素子87は制御装置CONTから供給される吐出信号に対応して体積変化を発生可能に構成されている。
本実施形態に係る液滴吐出装置IJに備えられた液滴吐出ヘッド20は、圧電体素子に体積変化を生じさせて液滴を吐出させる構成であるが、発熱体により液体材料に熱を加えその膨張によって液滴を吐出させるような構成であってもよい。
次に、上述した液滴吐出装置IJを用いた、本発明に係る有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)の製造方法について説明するが、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。
まず、基板Pに対し、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護膜(図示せず)を形成しておく。その後、基板温度を350℃程度に設定して基板Pの表面にプラズマCVD法により厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで半導体膜210を形成する。そしてこの半導体膜210を、レーザアニールまたは固相成長法などによる結晶化工程に供することで結晶化してポリシリコン膜とする。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザであってビームの長寸が400mmのラインビームを用いることができ、その出力強度は例えば200mJ/cm2である。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
次に、層間絶縁膜230、及び各配線の上面を覆うように平坦化絶縁膜240を形成し、この平坦化絶縁膜240を貫通してドレイン電極236に達するコンタクトホール240aを貫設する。
また、このバンク150を形成するに際しては、バンク150の開口部151の壁面を、無機バンク149の開口部149bから若干外側へ後退させて形成するのがよい。このようにバンク150の開口部151内に無機バンク149を一部露出させておくことで、バンク150内での液体材料の濡れ広がりを良好なものとすることができる。
係る撥液処理として、例えばバンクの表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法を採用できる。フッ素化合物としては、例えばCF4、SF6、CHF3などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、UV照射処理などが挙げられる。
なお、前記液体材料114aは、この液体材料114aを乾燥固化して得られる正孔注入層140B(図8(c)参照)が、凸状部149a…を覆って形成される吐出量に調整されてバンク150内に供給される。
すなわち、本実施形態では、液体材料114aの乾燥時にも凸状部149aの作用により、形成する正孔注入層140Aの膜厚及び膜質を均一化できるようになっている。図9は、この凸状部149aの作用を説明するための部分断面構成図であり、図3(a)に相当する図面である。
この発光層形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものを好適に用いることができる。共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともに液滴吐出ヘッド20から吐出されて薄膜に成形された後、例えば以下の(化I)に示すように加熱硬化されることによって共役系高分子有機EL層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。
ηE=放出されるフォトンのエネルギー/入力電気エネルギー
そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の3原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。さらに蛍光色素をドーピングすることにより、EL素子の発光効率を大幅に向上させることができる。
以上の蛍光色素については、各色ともに1種のみを用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。
尚、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加してもよく、例えば、安定剤、粘度調整剤、老化防止剤、pH調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤等を用いることができる。
図11は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図11に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の有機EL表示装置(表示装置)を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ1200は、先の有機EL装置により高画質で、均一な明るさの表示が可能である。特に大型のパネルでは画素が大型であるため、発光部である有機機能層を均一に形成するのが困難になるが、本発明に係る有機EL装置では、任意の大きさの有機機能層を均一に形成できるため、大型のパネルに用いて好適な有機EL装置となっている。
上記各実施の形態の有機EL装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高画質表示が可能になっている。
Claims (10)
- 第1電極と第2電極との間に有機機能層を挟持した有機EL素子を基体上に配設してなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記有機機能層が、前記第1電極の周縁部に沿って立設された隔壁部材に囲まれる領域内に配されるとともに、前記第1電極側から電荷輸送層と発光層とを積層して含み、
前記第1電極上に、前記電荷輸送層側へ突出する凸状部が設けられており、
前記凸状部と前記発光層との間には、前記電荷輸送層の一部が介在しており、
前記凸状部が、前記隔壁部材の少なくとも一部と同一の材質であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記凸状部が、平面視略ストライプ状を成して前記第1電極上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記凸状部が、前記有機EL素子の長手方向に沿って延在していることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記凸状部が概略点状の突起からなり、複数の前記凸状部が前記第1電極上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記隔壁部材が、無機絶縁材料からなる第1隔壁層上に、有機絶縁材料からなる第2隔壁層を積層した構成を備えており、
前記凸状部が、前記第1隔壁層と同一材質であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記電荷輸送層が1又は複数の導電層であり、
前記凸状部が、前記各導電層を層厚方向に跨るように配置されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 第1電極と、電荷輸送層及び発光層を含む有機機能層と、第2電極とを順に積層してなる有機EL素子を基体上に配設してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基体上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の周縁部に沿って隔壁部材を立設するとともに、前記第1電極上に凸状部を形成する工程と、
前記隔壁部材に囲まれた領域内に、電荷輸送材料を含む液体材料を配置する工程と、
前記液体材料を乾燥させて前記凸状部を覆う電荷輸送層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記隔壁部材を立設する工程が、前記基体上に無機絶縁材料からなる第1隔壁層を形成する工程と、該第1隔壁層上に、有機絶縁材料からなる第2隔壁層を積層形成する工程とを含んでおり、
前記第1隔壁層を形成する工程において、前記凸状部を前記無機絶縁材料により形成することを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記液体材料を配する工程に先立って、
前記凸状部表面の前記液体材料に対する親和性を、前記第1電極表面の前記液体材料に対する親和性より高くすることを特徴とする請求項7又は8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004328591A JP3915810B2 (ja) | 2004-02-26 | 2004-11-12 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
US11/056,270 US7501754B2 (en) | 2004-02-26 | 2005-02-14 | Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus |
KR1020050013956A KR100691702B1 (ko) | 2004-02-26 | 2005-02-21 | 유기 일렉트로루미네선스 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
TW094105433A TW200539745A (en) | 2004-02-26 | 2005-02-23 | Organic electroluminescence device, its manufacturing method, and electronic device |
CNB2005100524050A CN100477323C (zh) | 2004-02-26 | 2005-02-24 | 有机电致发光装置及其制造方法和电子机器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004051663 | 2004-02-26 | ||
JP2004328591A JP3915810B2 (ja) | 2004-02-26 | 2004-11-12 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006334158A Division JP4497156B2 (ja) | 2004-02-26 | 2006-12-12 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005276803A JP2005276803A (ja) | 2005-10-06 |
JP3915810B2 true JP3915810B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=35011124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004328591A Expired - Fee Related JP3915810B2 (ja) | 2004-02-26 | 2004-11-12 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7501754B2 (ja) |
JP (1) | JP3915810B2 (ja) |
KR (1) | KR100691702B1 (ja) |
CN (1) | CN100477323C (ja) |
TW (1) | TW200539745A (ja) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7592207B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
US7719496B2 (en) * | 2004-11-23 | 2010-05-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor |
JP4918752B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2012-04-18 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
EP1875529A1 (en) * | 2005-04-25 | 2008-01-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method of producing a display device |
US7355385B2 (en) * | 2005-07-28 | 2008-04-08 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | Voltage injector and detector using pixel array for printed circuit board testing |
JP4476196B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2010-06-09 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007059302A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Denso Corp | 発光素子 |
KR20070039433A (ko) | 2005-10-08 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
KR100643376B1 (ko) | 2005-10-24 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 표시장치의 제조방법 |
KR100900550B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2009-06-02 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
JP5265084B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2013-08-14 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機elディスプレイ |
TWI336953B (en) * | 2006-03-29 | 2011-02-01 | Pioneer Corp | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method thereof |
TWI307978B (en) * | 2006-04-28 | 2009-03-21 | Au Optronics Corp | Cascade organic electroluminescent device |
JP2007311236A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
US7678648B2 (en) * | 2006-07-14 | 2010-03-16 | Micron Technology, Inc. | Subresolution silicon features and methods for forming the same |
DE102006045294A1 (de) * | 2006-09-26 | 2008-03-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer organischen Leuchtdiode und organische Leuchtdiode |
KR20080069076A (ko) * | 2007-01-22 | 2008-07-25 | 삼성전자주식회사 | 유기발광디스플레이 |
WO2009052089A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for solution processed electronic devices |
WO2009079327A1 (en) | 2007-12-14 | 2009-06-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for electronic devices |
JP5256863B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-08-07 | ソニー株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
JP5666300B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2015-02-12 | 昭和電工株式会社 | 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
KR101570471B1 (ko) | 2008-09-18 | 2015-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
JP5572942B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-08-20 | 住友化学株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
EP2256814B1 (en) * | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101084178B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-17 | 한국과학기술원 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 조명 장치, 및 이를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
WO2011143127A2 (en) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | Sri International | Cavity electroluminescent devices with integrated microlenses |
JP2012022168A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Sony Corp | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP5686014B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-03-18 | 凸版印刷株式会社 | 光学素子及びその製造方法 |
KR20190031602A (ko) * | 2011-06-21 | 2019-03-26 | 카티바, 인크. | Oled 마이크로 공동 및 버퍼 층을 위한 물질과 그 생산 방법 |
JP5723344B2 (ja) | 2012-09-25 | 2015-05-27 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子および発光装置 |
KR101970539B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR102013317B1 (ko) | 2012-12-05 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9614191B2 (en) | 2013-01-17 | 2017-04-04 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods |
KR102048952B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
FR3003084B1 (fr) | 2013-03-08 | 2015-02-27 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication |
KR20140139304A (ko) * | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20150019392A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN104518090B (zh) * | 2013-09-29 | 2018-09-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 图像传感单元及其形成方法 |
KR102177214B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2020-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102230006B1 (ko) * | 2014-03-18 | 2021-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9997575B2 (en) | 2014-04-08 | 2018-06-12 | Joled Inc. | Organic light emitting device and method for manufacturing same |
KR102173510B1 (ko) | 2014-05-20 | 2020-11-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR102205700B1 (ko) * | 2014-07-16 | 2021-01-21 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102327087B1 (ko) * | 2014-10-14 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102234173B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2021-03-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102347847B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2022-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104465671B (zh) * | 2014-12-26 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
TWI565116B (zh) * | 2015-01-12 | 2017-01-01 | Organic light emitting diode structure | |
CN104795429B (zh) * | 2015-04-13 | 2017-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示器件 |
CN104779268B (zh) * | 2015-04-13 | 2016-07-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示器件 |
JP6514999B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-05-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101739771B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2017-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US11211582B2 (en) * | 2016-01-15 | 2021-12-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode |
US11404501B2 (en) * | 2016-05-30 | 2022-08-02 | Joled Inc. | Display unit and electronic apparatus |
US10833138B2 (en) | 2016-06-09 | 2020-11-10 | Joled Inc. | Organic EL display panel and production method therefor |
JP2018125136A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社デンソー | 有機el表示装置およびその製造方法 |
CN106783939B (zh) * | 2017-03-03 | 2020-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
CN109301075B (zh) | 2017-07-25 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
JP2019046599A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20190038704A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JPWO2019078318A1 (ja) | 2017-10-20 | 2020-11-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN107732021B (zh) * | 2017-11-23 | 2019-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
WO2019188416A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器 |
TWI648879B (zh) | 2018-04-11 | 2019-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件 |
CN109979983B (zh) * | 2018-06-22 | 2021-05-28 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN109935623B (zh) * | 2018-06-22 | 2021-01-22 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN108922912B (zh) * | 2018-08-01 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于有机发光显示装置的基板、显示面板、显示装置 |
CN110034153B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-03-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置及其制造方法和操作方法 |
WO2020065937A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR20200048310A (ko) * | 2018-10-29 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR20200096367A (ko) * | 2019-02-01 | 2020-08-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN109920825B (zh) * | 2019-03-14 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置 |
CN109994536A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板及oled显示面板 |
KR102268603B1 (ko) | 2019-07-10 | 2021-06-22 | 세메스 주식회사 | 기판, 디스플레이 패널 및 기판 제조 방법 |
CN110379844B (zh) * | 2019-08-22 | 2021-07-20 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 |
KR20210028780A (ko) * | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111564477B (zh) * | 2020-05-18 | 2022-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
WO2024009376A1 (ja) * | 2022-07-05 | 2024-01-11 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2002008868A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Seiko Epson Corp | 面発光装置 |
US20030146692A1 (en) * | 2002-01-11 | 2003-08-07 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device and manufacturing method therefor, electrooptic apparatus, and electronic apparatus |
US6841266B2 (en) * | 2002-03-08 | 2005-01-11 | Industrial Technology Research Institute | Photosensitive insulating film of organic light emitting diode (OLED) |
JP4248184B2 (ja) | 2002-03-19 | 2009-04-02 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 自己発光表示装置 |
JP4265161B2 (ja) | 2002-07-05 | 2009-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 組成物とその製造方法、有機el素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
WO2004026003A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機elディスプレイ |
-
2004
- 2004-11-12 JP JP2004328591A patent/JP3915810B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-14 US US11/056,270 patent/US7501754B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-21 KR KR1020050013956A patent/KR100691702B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-23 TW TW094105433A patent/TW200539745A/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-24 CN CNB2005100524050A patent/CN100477323C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100691702B1 (ko) | 2007-03-09 |
US20050285509A1 (en) | 2005-12-29 |
US7501754B2 (en) | 2009-03-10 |
CN1662112A (zh) | 2005-08-31 |
TW200539745A (en) | 2005-12-01 |
KR20060042136A (ko) | 2006-05-12 |
CN100477323C (zh) | 2009-04-08 |
JP2005276803A (ja) | 2005-10-06 |
TWI301036B (ja) | 2008-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3915810B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 | |
JP4232415B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 | |
JP4211804B2 (ja) | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP4645064B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
US7897211B2 (en) | Method for forming film pattern and method for manufacturing an organic EL device, a color filter substrate and a liquid crystal display device | |
JP4497156B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
JP4918752B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 | |
KR100490195B1 (ko) | 액적 토출 장치와 그 구동 방법, 제막 장치와 제막 방법,컬러 필터의 제조 방법, 유기 el 장치의 제조 방법, 및전자 기기 | |
JP2007311236A (ja) | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP2007080603A (ja) | 膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2005197027A (ja) | 有機el装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器 | |
JP2005340011A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2004098012A (ja) | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 | |
JP2005276479A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005158583A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 | |
JP2004158815A (ja) | 成膜方法、光学素子、半導体素子および電子機器、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法 | |
JP5076295B2 (ja) | 膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP4631609B2 (ja) | 機能膜の形成方法、有機el表示パネルの製造方法、液晶表示パネルの製造方法、プラズマディスプレイパネルの製造方法、カラーフィルタの製造方法 | |
JP5082217B2 (ja) | 膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法 | |
JP4678400B2 (ja) | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2005294204A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
JP2005322469A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005294205A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
JP2010102892A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法および装置 | |
JP2007035484A (ja) | 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |