JP4248184B2 - 自己発光表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は各表示画素が複数の表示素子を備えた自己発光表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
CRTディスプレイに対して、薄型、軽量、低消費電力の特徴を生かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びてきた。中でも、各表示画素にスイッチ素子が設けられたアクティブマトリクス型平面表示装置は、隣接表示画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されるようになってきた。
【0003】
近年では、液晶表示装置に比べて高速応答及び広視野角化が可能な自己発光型のディスプレイとして有機エレクトロルミネセンス(EL)表示装置の開発が盛んに行われている。
【0004】
一例として有機EL表示装置を例にとり説明すると、基板の一主面上にマトリクス状に配置された表示素子を備えたアレイ基板と、アレイ基板の一主面と対向して配置される対向基板とを備えて構成される。
【0005】
このような表示素子は、陽極と陰極間に発光層を備えて構成され、これら表示素子間は親水膜と撥水膜を積層した構造の隔壁により区画されている。そして発光層は発光材料を溶解させた溶液(以下、発光層材料)を、陽極周囲の隔壁から構成される凹形状の画素発光領域にインクジェットなどの手法により充填し、乾燥により溶媒を取り除いて薄膜を形成することにより作成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら周囲隔壁との濡れ性、発光層材料自体の表面張力・粘性・溶媒の乾燥特性が出来上がる膜の膜厚プロファイルに影響し、発光層の膜厚バラツキが発生することがある。有機EL素子の発光効率は膜厚に依存するため、画素内に明るい部分と暗い部分が出来、所望の設計輝度を得ることができない。また、設計輝度を得る為に画素の電流密度を高めると部分的に高輝度発光するため画素の寿命を縮めてしまう。一方材料の構成から改善を試みると乾燥プロセス、隔壁に用いられる絶縁材料の構成をコントロールすることが検討されているが、特殊な材料の組み合わせになるなど、材料構成・プロセスの選択幅、コスト的、に欠点があった。
【0007】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされ、より表示品位の良好な自己発光表示装置を実現することを目的とする。また、一表示画素に複数の表示素子を配置する場合に、表示素子のレイアウトを改善し、発光面積を低減することのない自己発光表示装置を提供することを目的とする。また、材料・プロセスの複雑化を伴うことなく、より高輝度・長寿命の自己発光表示装置を提供することを目的とする。また、発光層の膜厚バラツキの抑制された自己発光表示装置を提供することを目的とする。また、表示素子形状を改善し、電気ショートや電界集中の低減された自己発光表示装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
例えばEL発光高分子を用いて表示画素を形成する場合、通常溶媒に溶解して得られた溶液を周囲を絶縁膜で形成された表示画素内に充填して高分子発光層を形成する。乾燥後形成された発光層の膜厚分布を詳細に観察した結果、膜厚は画素周辺部で厚く、画素中央部に向かい薄くなっていくことを確認し、この傾向は画素面積が小さい場合に周辺部−中央部の膜厚偏差を小さく出来ることを見出した。しかしながら、画素面積を小さくすると、所望の発光輝度を得る為には複数素子をもって1画素を形成しなければならず、結果として開口率が小さくなってしまう。画素の周辺部から膜の中央部までの距離を短く保つことで膜厚の偏差を小さくし、且つ所望の発光面積を得る為に、発明者らは複数素子を一つの画素内に内包させることで目的を達成できることを見出した。
【0009】
そこで、本件請求項1の発明は、マトリクス状に配置される複数の陽極膜と、前記陽極膜上に絶縁材料でなる凸状部と、前記凸状部が形成された前記陽極膜上に配置されインクジェット法によって形成された発光層と、前記発光層を介して前記陽極膜と対向配置される陰極膜とを備えた表示画素と、隣接する前記陽極膜間を電気的に絶縁し、前記陽極膜上に開口部を有する隔壁と、を備えたことを特徴としている。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態として有機EL表示装置を例にとり説明する。
図1は、有機EL表示装置の概略回路図、図2はその一部概略断面図である。有機EL表示装置1は、ガラス等の絶縁性支持基板101上に表示画素140がマトリクス状に配置されるアレイ基板100と、アレイ基板100に対向配置された封止基板200とから構成される。
【0012】
アレイ基板100は、複数の信号線110と、この信号線110と略直交して配置される複数の走査線120と、これら信号線110および走査線120の各交点付近に配置される画素スイッチ130と、各画素スイッチ130と接続される表示画素140とを備える。各表示画素140は、複数の表示素子PXnと、これら表示素子PXnを駆動する駆動制御素子141を備える。例えば画素スイッチ130はn型薄膜トランジスタ、駆動制御素子141はp型薄膜トランジスタ、各表示素子PXnは、陽極と陰極とこれら電極間に狭持される発光層EM、で構成される。画素スイッチ130のソース電極は信号線110に、ゲート電極は走査線120に、ドレイン電極は駆動制御素子141のゲート電極Gにそれぞれ接続される。また、駆動制御素子141のソース電極Sは電源供給線VDDに、ドレイン電極Dは陽極膜ADに接続される。
【0013】
カラー表示を行う場合は、表示画素140毎に対応する色の発光を行い、ここでは赤、青、緑の波長に対応する光を出射する。各表示画素140の発光形状は、後で述べる画素発光領域の形状にほぼ一致する。
【0014】
ここで、アレイ基板100の各表示画素140についてさらに詳しく説明する。図3は、図2の表示画素140の一部であり、同図(a)は略平面図、(b)は略断面図を示す。各陽極は、表示画素140毎に島状に設けられた陽極膜ADにより構成され、各陰極は各表示画素140共通に連続して配置される陰極膜CDにより構成される。陽極膜ADおよび陰極膜CDの少なくとも一方は光透過性を有する導電膜により形成され、ここでは例えば陽極膜ADがITO(Indium Tin Oxide)等の光透過性導電膜、陰極膜CDがBaで構成される。光透過性導電膜の膜厚は、通常、10〜150nm程度がよい。また、陰極膜CDを覆うように例えばAl等の保護層150を積層する。
【0015】
各表示画素140の画素発光領域を区画する隔壁160は、例えば第1隔壁161と第1隔壁161に積層される第2隔壁162の2層構造で形成され、第1隔壁161は例えばSiN、SiO等の無機絶縁材料でなる親水膜で形成され、第2隔壁162は例えば有機絶縁材料でなる撥水膜で形成される。これら隔壁160の開口部に発光層EMが配置され、複数の表示素子PXnを構成する。この隔壁160には、発光層材料を充填した時に、発光材料が隣接する他の画素発光領域に流出しない程度の高さが必要である。また、第1隔壁161の開口は、第2隔壁162の開口と同等か、第2隔壁162の開口よりも小さい径で形成されている。
【0016】
そして本発明においては、この隔壁160の開口部に対応する画素発光領域の陽極膜AD上に1以上の凸状部170を備え、複数の表示素子PXnの各々に区分する。この凸状部170は例えばSiN、SiO等の無機絶縁材料でなる親水膜でなり、各表示画素140に対応して設けられる陽極膜ADのうち、凸状部170の配置されない部分が陽極として機能する。この凸状部170の高さは各表示画素140を分離する隔壁160の高さ以下であり、発光層EMの膜厚とほぼ同等の高さを有することが望ましく、およそ50〜200nmである。また凸状部170の幅は、発光面積を低下させないよう狭いほうが望ましい。また、凸状部170の形状は、環状形で、各表示画素140が3以上の複数の表示素子PXnを含む場合には、表示素子PXn数に応じて大きさの異なる複数の環状形の凸状部を有する。これら凸状部は、その外周でなる面積(外形の大きさ)がより小さい他の凸状部を内包するよう配置され、各凸状部は枝分かれしたり、互いに交差することはない。また、一番小さい環状形の凸状部の内側に、所定形状の凸状部を備えていてもよい。
【0017】
このような凸状部170で分離される表示素子PXnの各々は、その外周でなる面積(外形の大きさ)がそれぞれ異なるように形成され、外周でなる面積がより小さい表示素子PXn全てを内包するように形成されている。つまり各表示画素140は互いに大きさの異なる環形状の表示素子PXn、あるいは一番小さい環状凸状部170の内側に所定形状の表示素子PXnを備え、外形の大きさが大きい表示素子PXnが外形の大きさのより小さい表示素子PXnを内包するよう配置される。
【0018】
このように、表示画素140に含まれる複数の表示素子PXnの形状を環形状とすることで、鋭角のエッジを有する表示素子PXnを形成することなく、エッジ部分での発光層EMの成膜不良を低減することができる。そして、発光層EMの未充填部の発生を抑制し、陽極と陰極間の電気ショートの発生を低減することができる。また、画素発光領域に1以上の凸状部170を配置することにより、膜厚バラツキの抑制された発光層EMを配置することが可能となり、電界集中を低減し、表示品位を良好なものとすることができる。そして、高輝度、長寿命の有機EL表示装置を実現することができる。
【0019】
また、外形の大きさの大きい表示素子が外形の小さい表示素子を内包するよう配置することにより、実質的に発光に寄与する領域を削減することない表示素子のレイアウトが可能となる。
【0020】
図3には一例として、円状の画素発光領域を備える場合について図示している。この例では、各表示画素140が2つの表示素子PX1、PX2を有している場合で、画素発光領域のサイズを規定する外周を有し幅d1の環状の第1表示素子PX1と、直径d2の円状の第2表示素子PX2とを有する。これら表示素子PX1、PX2は、幅D1の環状の凸状部170により区分されている。
【0021】
第1表示素子PX1の幅d1と第1表示素子PX1に内包される第2表示素子PX2の直径d2の大きさは同一である。このように各表示素子PX1、PX2の発光層EMと凸状部170あるいは隔壁160の端部との距離を均一に保つことにより、端部との濡れ性、および端部からの距離が発光層EMの膜厚に及ぼす影響を均一化することができる。
【0022】
また、各表示素子の形状を相似形状とし、外形の大きさの小さい表示素子を表示素子の外形の大きい表示素子が内包するよう配置することにより、各表示素子を表示画素140内に対称的に配置することができ、電界集中や形状に起因する膜厚バラツキを抑制することができる。
【0023】
上述の実施形態では、各表示画素140が2つの表示素子を含む場合について説明したが、図4に図示すように、さらに複数の表示素子PX1〜3を含むものであってもよい。この場合も、最外周の表示素子PX1の発光幅d1と最内側の表示素子PX2直径d2は等しいことが望ましく、さらに、これらの間に配置される環状表示素子PX3の幅d3の大きさも等しいこと(d1=d2=d3)が望ましい。また、最内側の表示素子PX2を除く環状表示素子PX1、PX3が相似形であることが望ましい。
【0024】
また図5に図示すように、複数の環状の凸状部171、172および最も径の外形の小さい凸状部172の内側に円形の凸状部173を有し、表示素子PX1〜3全てが環状のものであってもよい。この場合も各環状表示素子PX1〜3の幅が等しいこと(d1=d2=d4)が望ましく、また、それぞれ相似形であることが望ましい。
【0025】
また、画素発光形状は円形に限定されず、図6に図示するような正多角形状であってもよい。発光層EMがインクジェットノズルを用いて塗布される場合には、画素発光形状は縦横比が1:1となるよう形成することが望ましい。
【0026】
また、各表示素子の形状を正多角形状とし、各辺のなす内角θを90°以上の角度を有する構造とすることにより、鋭角のエッジによる電界集中を低減することができる。また、鋭角のエッジを有する場合エッジ部分に発光層材料が行き渡らず未充填となるような製造上の不具合を抑制することができる。そして、未充填部分に起因する電気ショートの発生を防止することができる。
【0027】
次に、この有機EL表示装置1の製造方法の一例について説明する。
マトリクスアレイ状に信号線110、走査線120、画素スイッチ130、駆動制御素子141等を配置した基板上に、陽極膜AD材料として例えばITOを蒸着、スパッタリング等により膜厚50nmに成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより表示画素140に対応した陽極膜ADを形成する。
【0028】
この陽極膜AD上に、第1隔壁材料として例えばSiN膜を膜厚100nmに成膜し、連続して第1隔壁膜上に第2隔壁材料として例えばポリイミドを膜厚3000nmとなるように成膜する。第1隔壁161の膜厚は、発光層EMの膜厚とほぼ同一となるよう設定することが望ましく、第2隔壁162の膜厚は、発光層材料塗布時に各表示画素140の発光層材料が隣接する表示画素140に付与されない程度に設定することが望ましい。
【0029】
第2隔壁材料は、有機絶縁膜からなり、有機絶縁膜としては、その目的を達する物ならばいかなる物でもかまわないが、プロセスの簡便性から感光性を有する物が望ましい。たとえばポジ型のパターンを与える有機絶縁膜としては、フェノール樹脂・ポリアクリル・ポリアミド樹脂・ポリアミック酸などのアルカリ可溶性の高分子誘導体にナフトキノンジアジドなどの感光性化合物を添加し、露光・アルカリ現像によりポジパターンを得られるような材料が挙げられる。ネガ型のパターンを与える有機絶縁膜としては化学線の照射により現像液への溶解速度が遅くなる感光性組成物、たとえば化学線照射により架橋する官能基を有する感光性組成物が挙げられる。化学線照射により架橋するたとえばエポキシ基を有する化合物を含有する感光性組成物、等を用いることが出来る。
【0030】
次に第2隔壁膜をパターニングし、画素発光領域に対応する位置に開口を有する格子状の第2隔壁162を形成する。本実施形態では、開口の形状を円形状としたが、これに限定されない。
【0031】
続いて、第1隔壁膜を所定形状にパターニングし、画素発光領域を規定する開口部を有する第1隔壁161と、各表示素子PXnを区分する凸状部170を同時に形成する。例えば、本実施形態においては表示画素140内に直径(内側)d2、幅D1の環状凸状部170を第1隔壁161端部から等距離d1の位置に配置した。こうして形成される凸状部170は、画素発光領域の発光形状の外周形状とほぼ同一である。ここでは、d2=d1とし、例えばD1を0.1μmに設定した。このように第1隔壁161と同一材料で同時に凸状部170を形成するため、材料、プロセスを増大させることなく、またコストを増大させることなく凸状部170を形成することができる。
【0032】
次に、陽極上に発光層EMを形成する。ここでは陽極バッファ層および有機発光層EMからなる有機積層構造で形成される。陽極バッファ層材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、(たとえば、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物、または、ポリアニリンとポリスチレンスルホン酸の混合物)等を用いることが出来る。陽極バッファ層の膜厚は、通常、1〜100nm程度がよい。陽極バッファ層はスピンコート法あるいはインクジェット法により形成される。
【0033】
有機発光層材料としては、通常、有機EL素子に用いられるものを用いることが出来る。そのようなものとして、赤は、たとえばポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などが挙げられる。緑は、たとえばアルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などが挙げられる。青は、たとえばジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体など、ポリフルオレン誘導体が挙げられる。また、これらの高分子化合物に低分子の発光材料などを添加してもかまわない。有機発光層の膜厚は、材料により最適な膜厚があるが、通常50〜200nm程度がよい。
【0034】
発光層は、それぞれの成分を含む溶液をインクジェット法により成膜する。
まず、第1隔壁161および第2隔壁162でなる隔壁160により区分された各画素発光領域に、スピンコート法により、陽極バッファ層材料を成膜し、120℃で3分加熱して、厚さ30nmの陽極バッファ層を形成した。
【0035】
その後、各色に相当する画素発光領域の陽極バッファ層上に、各色の有機発光層材料をインクジェット法により所定液量を滴下し、90℃で1時間乾燥して、厚さ80nmの有機発光層EMを形成した。例えば、赤画素および青画素用には文献(Adv.Mater.1998,10,1340)を参考にPPV誘導体を合成し、これをテトラリンに1%溶解し、青画素用には文献(Adv.Mater.1998,10,993)を参考にジヘキシルフルオレンとアントラセンの誘導体を合成し、同様にテトラリンに1%溶解して有機発光層材料とした。
【0036】
このとき、画素発光領域に凸状部170を配置することにより、発光領域を分割することができ、乾燥後の発光層EMの膜厚バラツキを効果的に抑制することができる。
【0037】
次いで、陰極材料としてBaを10−7Paの真空度で90Åの膜厚に蒸着し、陰極膜CDを形成した。続いて、Alを1500Åの膜厚に蒸着し、保護層150を形成した。
【0038】
また、封止基板200の主表面の周縁部に紫外線硬化型樹脂からなるシール材を塗布し、アレイ基板100の主表面と対向させN2またはAr等の不活性ガス雰囲気中で貼りあわせる。ついで、紫外線を照射しシール材を硬化させ、有機EL表示素子PXnが支持基板101および封止基板200間に封止された有機EL表示装置1を作成する。
【0039】
このようにして形成したカラー表示型アクティブマトリクス有機EL表示装置は、高い発光輝度を示した。
【0040】
尚、上述の実施形態では、陽極とTFTのソース・ドレイン電極とが同一平面上にある場合について説明したが、ソース・ドレイン電極上に絶縁膜を配置して、この絶縁膜上に陽極を配置し、絶縁膜に形成されるコンタクトホールを介して陽極と駆動制御素子141のドレイン電極Dとを電気的に接続するものであってもよい。
【0041】
また、上述の実施形態では、アレイ基板100側から光を取出し表示面とする下面発光型について説明したがこれに限定されず、陰極を光透過性導電膜で形成し対向基板側から光を取出す上面発光型としてもよい。例えば陽極をPt、陰極をMg:Agを成膜速度比9:1で共に蒸着しその上にITOを配置して形成する。このとき、Mg:Agは光透過性を有する程度に薄膜に成膜することができる。
【0042】
また、アレイ基板100に用いられる基板としては、発光層構造を保持できるものであれば、どのようなものを用いてもよい。ガラス基板が一般的であるが、デバイスの目的に合わせ、たとえばプラスチックシートなど、フレキシブルなものであってもよい。
【0043】
また、発光層EMを陽極バッファ層と有機発光層の2層構造で形成するものについて説明したが、さらに陰極および有機発光層間に陰極バッファ層を備えた3層構造、あるいは機能的に複合された単層構造で構成してもよい。
【0044】
また、本発明は有機EL表示装置に限定されず、自己発光表示装置一般に適用することができる。
【0045】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によると発光層の膜厚バラツキが抑制され、高い表示性能を有する自己発光表示装置を達成することができる。また、表示素子のレイアウトの改善により、発光面積を低減することのなく、電気ショートや電界集中の低減された自己発光表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の概略平面図。
【図2】本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の一部概略断面図。
【図3】本発明の一実施形態に係る表示画素を示し同図(a)はその部分平面図、同図(b)は部分断面図。
【図4】本発明の他の実施形態に係る表示画素を示し同図(a)はその部分平面図、同図(b)は部分断面図。
【図5】本発明の他の実施形態に係る表示画素を示し同図(a)はその部分平面図、同図(b)は部分断面図。
【図6】本発明の他の実施形態に係る表示画素を示し同図(a)はその部分平面図、同図(b)は部分断面図。
【符号の説明】
1・・・有機EL表示装置
100・・・アレイ基板
110・・・信号線
120・・・走査線
130・・・画素スイッチ
140・・・表示画素
141・・・駆動制御素子
150・・・保護層
160・・・隔壁
161・・・第1隔壁
162・・・第2隔壁
170・・・凸状部
200・・・封止基板
AD・・・陽極膜
CD・・・陰極膜
EM・・・発光層
PXn・・・表示素子
Claims (7)
- マトリクス状に配置される複数の陽極膜と、
前記陽極膜上に絶縁材料でなる凸状部と、
前記凸状部が形成された前記陽極膜上に配置されインクジェット法によって形成された発光層と、
前記発光層を介して前記陽極膜と対向配置される陰極膜とを備えた表示画素と、
隣接する前記陽極膜間を電気的に絶縁し、前記陽極膜上に開口部を有する隔壁と、を備えたことを特徴とする自己発光表示装置。 - 前記隔壁は、前記凸状部以上の高さであることを特徴とする請求項1記載の自己発光表示装置。
- 前記凸状部は、無機絶縁材料でなることを特徴とする請求項1記載の自己発光表示装置。
- 前記凸状部は、前記隔壁の前記開口部端部から等距離にある環状形であることを特徴とする請求項1記載の自己発光表示装置。
- 前記自己発光表示装置は、外形の大きさが異なる複数の環状の前記凸状部を有し、外形の大きい凸状部が大きさの小さい凸状部を内包することを特徴とする請求項1記載の自己発光表示装置。
- 前記表示素子は、円形状または正多角形状であることを特徴とする請求項4記載の自己発光表示装置。
- 前記表示素子の環状幅はそれぞれ等しいことを特徴とする請求項4記載の自己発光表示装置。
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