JP3914654B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,半導体素子と外部端子とを電気的に接続するための導電性配線を備えた絶縁性テープによって構成された半導体装置に係り,特に外部端子を球状はんだなどから形成したボールグリッドアレイ(BGA)型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の高密度実装化に対応するため,多ピン化,小型化および高速化に適したボールグリッドアレイ(BGA)型の半導体装置が実用化されている。BGA型半導体装置は,半導体装置の面内にはんだバンプなどからなる外部端子をアレイ状に2次元配置した構造となっている。BGA型半導体装置では,半導体素子と外部端子との電気的接続のため,表面,あるいは表面および内部に導電性配線が形成されているインターポーザと呼ばれる部材が用いられている。インターポーザにはガラス/エポキシなどを基材とするプリント配線基板や,ポリイミドなどを基材として表面などに導電性配線を形成した絶縁性テープなどが使用されている。
【0003】
導電性配線が形成された絶縁性テープによって半導体装置を構成した例が日経マイクロデバイス,1998年2月号「構造を改良したCSPで接続信頼性をクリア」(48ページ〜55ページ)に示されている。図10に示すような従来のBGA型半導体装置では,インターポーザとして導電性配線4,ボンディングパッド3およびランド5と絶縁膜6とが形成された絶縁性テープ2が用いられている。半導体素子1は,その下面1bが絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aに接着部材8によって接着されている。絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aに形成されているボンディングパッド3部分は絶縁膜6に開口部12が設けられており,図示されていない半導体素子上面1aに形成されている電極とボンディングパッド3それぞれに金属細線7を接合することによって両者は電気的に接続されている。封止材9は導電性テープ2の半導体素子搭載面2a側に設けられ,半導体素子1と金属細線7を封止している。外部端子10は絶縁性テープ2の実装面2b側に設けられており,絶縁性テープ2の開口部11内部においてランド5に接合している。半導体素子1と外部端子10は,金属細線7,ボンディングパッド3,導電性配線4,ランド5を経由して電気的に接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図10に示した従来の半導体装置では,半導体素子1の材料として線膨張係数が2〜3×10~6/℃程度であるシリコン(Si)が用いられている。絶縁性テープ2にはポリイミド樹脂あるいはガラス/エポキシ樹脂を基材とする材料が用いられており,これらの線膨張係数は10×10~6/℃程度である。また,封止材9にはシリカ粒子が充てんされたエポキシ樹脂が主に用いられており,線膨張係数は8〜14×10~6/℃である。
【0005】
半導体装置は通常ガラス/エポキシ樹脂(例えばFR−4)などを基材とする線膨張係数が15〜16×10~6/℃程度のプリント配線基板に外部端子10によって実装される。また上記した従来の半導体装置全体の線膨張係数は,半導体装置内で占める半導体素子1の割合が大きいため半導体素子1の線膨張係数に近い値になっている。
【0006】
上記プリント配線基板に実装された状態の半導体装置に,信頼性試験として実施する温度サイクル試験などの温度変化が加わると,半導体装置とプリント配線基板の線膨張係数差に起因したひずみが,主にはんだ材料(Pb−Sn系共晶はんだ,Sn−Ag−Cu系はんだなど)が用いられている外部端子10に発生する。
【0007】
また,図10の従来の半導体装置では,絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aの片面のみを封止材9で封止している。このため,温度変化の冷却過程時に封止材9の収縮によって半導体装置に反り変形が発生し,外部端子10にひずみを生じさせる。この反りによるひずみは,上記プリント配線基板との線膨張係数差に起因して発生するひずみと重畳して,外部端子に発生するひずみをさらに増大させることになる。外部端子10に大きなひずみが発生すると,温度変化の繰り返しによって外部端子10にき裂が発生し,いずれは破断に至る。
【0008】
上記の要因によって発生するひずみは,半導体装置の中で線膨張係数が最も小さい半導体素子1の端部に近接するランド5aに接合された外部端子10aで最も大きくなり,この部分から破断が発生する可能性が高い。特に,図10のように半導体素子1の端部に近接するランド5aが半導体素子1の側面端部を横断するように配置されている場合に,大きなひずみが発生する。これは以下の理由による。外部端子10aの半導体素子1の投影面内部分に存在する部分は,柔軟な性質を有する接着部材8の変形によってひずみが緩和されるが,上部に半導体素子1が存在しない投影面外部分は封止材9によって拘束されるため,自由に変形することができなくなっている。そのため,半導体素子1の側面端部より外側に存在する外部端子10aの端部に大きなひずみが集中するため,破断が発生する可能性が極めて大きくなる。
また,封止材9の線膨張係数があまり大きくない場合には,半導体装置の端部に配置されている外部端子10bに発生するひずみも大きくなることがあり,半導体素子1端部に近接する外部端子10aと同様に破断が発生する可能性がある。
外部端子10に破断が発生すると,電気的接続が損なわれるため半導体装置が正常に機能しなくなり,半導体装置の信頼性を著しく低下させることになる。
本発明は,外部端子の破断を防止・抑制し,信頼性の高い半導体装置,特にボールグリッドアレイ(BGA)型の半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記の課題は,例えば下記の(A)〜(H)に示す構成を備えた半導体装置により解決することができる。
【0010】
(A)第一の絶縁部材と、前記第一の絶縁部材の一主面に配設された外部端子と、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された半導体素子と、前記半導体素子と前記外部端子を電気的に接続する導電性部材と、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された封止部材とを備えた半導体装置において、前記半導体素子と前記第一の絶縁部材との間には第二の絶縁部材が介在しており、前記第二の絶縁部材の外縁部が前記半導体素子の外縁部よりも突出していること。
【0011】
(B)第一の絶縁部材と、前記第一の絶縁部材の一主面に配設された外部端子と、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された半導体素子と、前記半導体素子と前記外部端子を電気的に接続する導電性部材と、前記第一の絶縁部材の前記外部端子が配設された面とは反対側に配設された封止部材とを備えた半導体装置において、前記半導体素子と前記第一の絶縁部材との間には第二の絶縁部材が介在しており、前記第二の絶縁部材の外縁部が、前記半導体素子の外縁部よりも外側に位置する外部端子であって最も前記半導体側に存在する外部端子の外縁部に対応する位置まで延在していること。
【0012】
(C)複数のボンディングパッドおよびランド,前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと,半導体素子と,前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と,前記半導体素子を接着する少なくとも前記ボンディングパッドの前記導電性部材接合部分を除く前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けられた接着部材と,前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と,前記ランドに接合された外部端子と,を備えた半導体装置とすること。
【0013】
接着部材は本来,半導体素子を絶縁性テープの表面に搭載するために用いられる部材であるため,通常は半導体素子の下面にのみ設けられる。接着部材には,エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などが用いられており,これらの材料は通常絶縁性テープ材料より柔軟な性質を有している。この接着部材を,半導体素子の下面だけでなくボンディングパッド領域を除く絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けることによって,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを,柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。さらに,封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。
【0014】
また,接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため,接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材の弾性率が小さくなると,接着部材自体の変形が容易になり,外部端子に作用する変形が接着部材の変形で吸収されやすくなるため,外部端子に発生するひずみがより低減するようになる。絶縁性テープの弾性率(縦弾性率)は,3000〜9000MPa程度である。接着部材にはこれより小さい弾性率を有する材料を用いるが,実用的には1000MPa程度の材料が用いられる。
【0015】
(D)複数のボンディングパッドおよびランド,前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと,半導体素子と,前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と,前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と,前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と,前記半導体素子の投影面内および投影面外の両方に配置された前記ランドに接合される外部端子と,を備えた半導体装置において,前記接着部材は前記半導体素子の投影面外側の少なくとも前記ランドを覆う範囲まで設けたこと。
【0016】
外部端子を接合するランドが半導体素子の投影面内と面外に設けられている場合,接着部材自体は半導体素子を絶縁性テープ表面に搭載するための部材であるため,接着部材は,通常半導体素子の投影面内すなわち下面に位置するランドのみを覆う範囲に形成される。
【0017】
絶縁性テープ材料より柔軟な性質を有している接着部材を,半導体素子の投影面内だけでなく投影面外に配置されているランドを覆う範囲まで設けることによって,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを,柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。さらに,封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。
また,接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため,接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。
【0018】
(E)複数のボンディングパッドおよびランド,前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと,半導体素子と,前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と,前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と,前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と,前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドに接合される外部端子と,を備えた半導体装置において,前記接着部材は前記半導体素子の投影面外の少なくとも前記ランドを覆う範囲まで設けたこと。
【0019】
外部端子を接合するランドが半導体素子の投影面外に設けられている場合,接着部材自体は半導体素子を絶縁性テープ表面に搭載するための部材であるため,接着部材は,通常半導体素子の下面にのみ形成され,少なくとも半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆うようには構成されない。
【0020】
絶縁性テープ材料より柔軟な性質を有している接着部材を,半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆う範囲まで設けることによって,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを,柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。さらに,封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。
また,接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため,接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。
【0021】
また、接着部材をフィルム状の部材で形成することが望ましい。
半導体素子を絶縁性テープ表面に搭載する方法として,接着部材をあらかじめ絶縁性テープの半導体素子搭載領域に形成しておき,その後半導体素子を接着する方法がある。この場合の接着部材の形成方法には,液状材料を用いる方法とフィルム状材料を用いる方法がある。接着部材によるひずみ低減効果を有効に発揮させるためには,接着部材の低弾性率化とともに,接着部材の厚さをある程度確保することが必要になる。これは半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみは,主にせん断変形によって発生しているためである。
【0022】
液状材料による接着部材の形成は,スクリーン印刷法,ポッティング法などによって行われる。しかしこれらの方法では,接着部材の厚さの制御が困難であったり,製造プロセスが複雑になるなどの問題が生じる場合がある。
【0023】
一方フィルム状材料によって接着部材を形成する場合は,フィルムの厚さがほぼ均一となっているため,接着後の接着部材厚さの制御が容易であり,半導体装置の製造も従来と同様のプロセス行うことができる。フィルム状の接着部材では,半導体素子接着後の接着部材の厚さを絶縁性テープの厚さと同等の約50〜80μmにすることができる。これによって,接着部材の変形能力が向上し,外部端子のひずみ低減効果が大きくなる。
【0024】
(F)複数のボンディングパッドおよびランド,前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと,半導体素子と,前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と,前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と,前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と,前記ランドに接合される外部端子と,を備えた半導体装置において,前記接着部材が前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドの内,少なくとも前記半導体素子の端部に近接する前記ランドを覆う範囲まで設けたこと。
【0025】
図10に示した従来の半導体装置をプリント配線基板に実装した場合,外部端子に発生するひずみは,半導体装置の中でも線膨張係数が最も小さい半導体素子の端部に近接する外部端子10aで最も大きくなる。すなわち,この外部端子10aが最も破断が発生しやすい外部端子である。
【0026】
そこで,半導体素子の端部に近接し,かつ半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆う範囲まで柔軟な接着部材を形成することによって,このランドに接合された外部端子に生じるひずみを,柔軟な接着部材の変形によって緩和することができる。
【0027】
(G)複数のボンディングパッドおよびランド,前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと,半導体素子と,前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と,前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と,前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と,前記半導体素子の投影面内および投影面外の両方に配置された前記ランドに接合される外部端子と,を備えた半導体装置において,前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドを覆う前記絶縁性テープより低弾性の部材を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けたこと。
【0028】
(H)複数のボンディングパッドおよびランド,前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと,半導体素子と,前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と,前記半導体素子を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に接着する接着部材と,前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と,前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドに接合される外部端子と,を備えたボールグリッドアレイ型半導体装置において,前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドを覆う前記絶縁性テープより低弾性の部材を前記絶縁性テープの半導体素子搭載面に設けたこと。
【0029】
半導体素子の投影面外に配置されているランドを覆うように柔軟な低弾性部材を形成することによって,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子に生じるひずみを,柔軟な低弾性部材の変形によって緩和することができる。さらに,封止材の収縮により発生する半
ができる。さらに,封止材の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,反り変形によって外部端子に生じるひずみを低減することもできる。
【0030】
半導体素子の投影面内に配置されているランドは,柔軟な接着部材で覆われているため,接着部材の変形によるひずみ緩和作用によって面内のランドに接合されている外部端子に発生するひずみが低減する。
【0031】
また,接着部材および低弾性部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため,両者の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材および低弾性部材の弾性率が小さくなると,これら自体の変形が容易になり,外部端子に作用する変形が接着部材および低弾性部材の変形で吸収されやすくなるため,外部端子に発生するひずみがより低減するようになる。
【0032】
本願発明者は,下記に示す構造の半導体装置をプリント配線基板に実装し,125℃→−55℃の温度変化を与えた場合に,外部端子であるはんだ材に発生するひずみを有限要素法により調べた。その結果,接着部材を半導体素子の投影面内にのみ設けた場合の半導体素子端部に近接する外部端子に発生するひずみが1.5%であるのに対して,接着部材を半導体素子の投影面内と投影面外の両方に設けた場合は,ひずみが1.1%まで低減することを確認した。解析を行った半導体装置の仕様を以下に示す。
【0033】
・ 半導体装置外形:13mm×13mm
・ 半導体素子外形:8.8mm×8.8mm
・ 外部端子数:176個
・ 外部端子間隔:0.8mm
【0034】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の実施例を,図面を用いて説明する。
図1は,本発明の第1実施例に係る半導体装置の断面図であり,図2は封止材を取り除いた状態での平面図である。
【0035】
図1および図2に示すように,本実施例の半導体装置は,半導体素子1と,ボンディングパッド3,導電性配線4およびランド5とが形成された絶縁性テープ2と,接着部材5と,半導体素子1とボンディングパッド3を電気的に接続する金属細線7と,半導体素子1と金属細線7を覆う封止材9と,外部端子10とから構成されている。
【0036】
絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aには,金属細線7が接合されるボンディングパッド3と,外部端子10が接合されるランド5と,ボンディングパッド3とランド5を電気的に接続する導電性配線4が設けられている。また,導電性配線4とランド5は絶縁膜6で覆われている。半導体素子1はその下面1bが絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2a側に接着部材8によって接着されている。接着部材8は半導体素子1の面内だけでなく面外の領域にも設けられており,半導体素子1の面内および面外に配置されているランド5を,絶縁膜6を介して覆うように形成されている。ボンディングパッド3が形成されている領域では,絶縁膜6および接着部材8に開口部12が形成されており,金属細線7の一方の端とボンディングパッド3とが,この開口部12内にて接合されている。金属細線7の他方の端は半導体素子上面1aに形成されている図示されていない電極と接合されている。絶縁性テープ2の実装面2b側にはランド5まで貫通したテープ開口部11が形成されており,ランド5に外部端子10が接合されている。
【0037】
導電性配線4には,銅(Cu)箔あるいは表面に金(Au),ニッケル(Ni)などのメッキを施した銅箔などが用いられる。導電性配線4に連なるボンディングパッド3およびランド5も同じ材料で形成されるが,接合性を高めるなどのため各個所に応じたメッキなどを施す場合がある。
【0038】
外部端子10には,はんだ材料(例えばPb−Sn系共晶はんだ,Sn−Ag−Cu系はんだ)などを使用し,球状のはんだ材もしくはペースト状のはんだ材を開口部11に載置した後,はんだを溶融させてランド5と接合させる。
【0039】
接着部材8は単一材料からなる単層構造の材料,あるいはテープ状の基材表面に接着材料を形成した三層構造もしくはそれ以上の層構成の材料を用いる。単層構造の材料としては,エポキシ系樹脂,ポリイミド系樹脂,エホキシ+ポリイミド系樹脂,エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される樹脂,アクリル系樹脂,多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂およびシリコーン系樹脂などを使用する。単層構造の接着部材8は,絶縁性テープ2表面にスクリーン印刷法,ポッティング法あるいはフィルム状にした状態での貼り付けによって形成しても良いし,半導体素子1の下面1bに形成されたものでも良い。三層構造の接着部材8は,ポリイミド樹脂などからなるテープ状基材表面に上記単層構造の材料として挙げたものを接着剤として形成した部材より構成する。
【0040】
金属細線7には,金(Au),銀(Ag)あるいはアルミ(Al)などの材料を用いる。絶縁膜6はソルダーレジストとも呼ばれており,エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,ポリブタジエン樹脂などの材料が用いられる。
【0041】
封止材9には熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂にシリカ粒子を充てんした材料などが用いられ,トランスファモールド法あるいはポッティング法によって形成される。
【0042】
上記したように,本実施例の半導体装置では,柔軟な性質を有する接着部材8を半導体素子1の面内に配置されているランド5だけでなく,一部あるいは全部が半導体素子1の面外に配置されているランド5をも覆うように形成する。これによって,半導体装置を外部端子10によってプリント配線基板に実装した後に,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子10に生じるひずみを,柔軟な接着部材8の変形によって緩和することができる。さらに,封止材9の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,この反り変形によって外部端子10に生じるひずみも低減することができる。
【0043】
これによって,プリント配線基板への半導体装置実装後に発生する外部端子10の断線を防止することが可能となり,信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0044】
また,接着部材8の柔軟な性質を十分に発揮させるため,接着部材8の弾性率は絶縁性テープ2の弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材8の弾性率が小さくなると,接着部材8自体の変形がより容易になり,外部端子10に作用する変形が接着部材8の変形で吸収されやすくなるため,外部端子10に発生するひずみがさらに低減するようになる。
【0045】
なお,図1,図2に示した第1実施例は,絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aに絶縁膜6を設けてある。絶縁膜6は導電性配線4やランド5を保護するとともに,半導体素子1と接触して発生する短絡不良を防止するために設けられている。本実施例のように接着部材8がランド5および導電性配線4を覆うように形成されている場合は,接着部材8自体が絶縁性を有しているので,絶縁膜6を設けない構成であっても半導体装置の機能を損なうことはない。
【0046】
また,図1および図2に示した第1の実施例では,絶縁性テープ2の表面に形成されたランド5すべてを接着部材8で覆う例を示した。半導体装置をプリント配線基板に実装した場合,外部端子に発生するひずみは,半導体装置の構成部材のうち最も線膨張係数が小さい半導体素子1の端部に近接するランド5aに接合された外部端子10aで最大となる。すなわち,この外部端子10aが最も破断が発生しやすい外部端子である。
【0047】
そこで,図3に示すように半導体素子1の端部に近接し,かつ半導体素子1の面外にすくなくともその一部が配置されているランド5aを覆う範囲まで柔軟な接着部材8を形成することによって,このランド5aに接合された外部端子10aに生じるひずみを,柔軟な接着部材8の変形によって緩和することができる。
【0048】
図4は本発明の第2実施例に係る半導体装置の断面図である。
【0049】
本実施例による半導体装置の基本的な構成は,前述した第1実施例と同じであるが,第1実施例と異なるのは,ランド5が半導体素子1の面外に配置されており,柔軟な性質を有する接着部材8が半導体素子1の面外に配置されている半導体装置端部のランド5bを覆う範囲まで設けられている点である。
【0050】
図4のようにランド5が半導体素子1の面外に配置されている半導体装置は,半導体素子1の面内にランド5が配置されている場合より半導体装置のサイズが大きくなる。そのため,半導体装置をプリント配線基板に実装した後に外部端子10に発生するひずみは,半導体素子1に近接している外部端子10aとともに,半導体装置の端部に配置された外部端子10bも大きくなる場合がある。これは,封止材9に線膨張係数の小さい材料を用いた場合などに生じる。本実施例に示したように半導体装置の端部に配置された外部端子10bを接合するランド5bを覆う範囲まで接着部材8を設けることによって,半導体素子1に近接した外部端子10aと半導体装置端部の外部端子10bの両方に発生するひずみを低減することが可能となる。
【0051】
本実施例によれば,半導体装置を外部端子10によってプリント配線基板に実装した後に,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子10に生じるひずみを,柔軟な接着部材8の変形によって緩和することができる。さらに,封止材9の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,この反り変形によって外部端子10に生じるひずみも低減することができる。
【0052】
これによって,プリント配線基板への半導体装置実装後に発生する外部端子10の断線を防止することが可能となり,信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
また,接着部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため,接着部材の弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材の弾性率が小さくなると,接着部材自体の変形がより容易になり,外部端子に作用する変形が接着部材の変形で吸収されやすくなるため,外部端子に発生するひずみが低減するようになる。
【0053】
また,図4に示した第2の実施例では,絶縁性テープ2の表面に形成されたランド5すべてを接着部材8で覆う例を示した。半導体装置をプリント配線基板に実装した場合,外部端子に発生するひずみは,半導体装置の構成部材のうち最も線膨張係数が小さい半導体素子の端部に近接する外部端子10aで最大となる。すなわち,この外部端子10aが最も破断が発生しやすい外部端子である。
【0054】
そこで,図5に示すように半導体素子1の端部に近接して配置されているランド5aを少なくとも覆う範囲まで柔軟な接着部材8を形成することによって,このランド5aに接合された外部端子10aに生じるひずみを,柔軟な接着部材8の変形によって緩和することができる。
【0055】
図6は本発明の第3実施例に係る半導体装置の断面図であり,図7は図6に示した半導体装置の封止材を取り除いた平面図である。
【0056】
本実施例による半導体装置の基本的な構成は,前述した第1実施例と同じであるが,第1実施例と異なるのは,ボンディングパッド3より中央側に配置されているランド5は絶縁膜6を介して接着部材8が覆うように形成されており,ボンディングパッド3より外側に配置されているランド5は絶縁膜6を介して低弾性部材13で覆われている点である。
【0057】
低弾性部材13は,接着部材と同様に柔軟な性質を有する材料で形成する。例えば,単一材料からなる単層構造の材料,あるいはテープ状の基材表面に接着材料を形成した三層構造もしくはそれ以上の層構成の材料を用いる。単層構造の材料としては,エポキシ系樹脂,ポリイミド系樹脂,エホキシ+ポリイミド系樹脂,エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される樹脂,アクリル系樹脂,多孔質ポリテトラフルオロエチレンおよびシリコーン系樹脂などを使用する。単層構造の低弾性部材13は,絶縁性テープ2表面にスクリーン印刷法,ポッティング法あるいはフィルム状態での貼り付けによって形成しても良いし,半導体素子1の下面1bに形成されたものでも良い。三層構造の低弾性部材13は,ポリイミド樹脂からなるテープ状基材表面に上記単層構造の材料として挙げたものを接着剤として形成した部材より構成する。
【0058】
本実施例によれば,ランド5が柔軟な性質を有する接着部材8あるいは低弾性部材13で覆われているので,半導体装置を外部端子10によってプリント配線基板に実装した後に,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子10に生じるひずみを,柔軟な接着部材8と低弾性部材13の変形によって緩和することができる。さらに,封止材9の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,この反り変形によって外部端子10に生じるひずみも低減することができる。
【0059】
これによって,プリント配線基板への半導体装置実装後に発生する外部端子10の断線を防止することが可能となり,信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0060】
また,接着部材と低弾性部材の柔軟な性質を十分に発揮させるため,これらの弾性率は絶縁性テープの弾性率より小さくすることが望ましい。接着部材と低弾性部材の弾性率が小さくなると,これら自体の変形がより容易になり,外部端子に作用する変形が吸収されやすくなるため,外部端子に発生するひずみがさらに低減するようになる。
【0061】
図8は図6に示した半導体装置の他の様態を示す断面図である。
【0062】
図8において,ランド5は半導体素子1の面外に配置されており,これらのランド5のうち,ボンディングパッド3より中央側に配置されているランド5は絶縁膜6を介して接着部材8が覆うように形成されており,ボンディングパッド3より外側に配置されているランド5は絶縁膜6を介して低弾性部材13で覆われている。
【0063】
本実施例によれば,半導体素子1の面外に配置されているランド5が柔軟な性質を有する接着部材8あるいは低弾性部材13で覆われているので,半導体装置を外部端子10によってプリント配線基板に実装した後に,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子10に生じるひずみを,柔軟な接着部材8と低弾性部材13の変形によって緩和することができる。さらに,封止材9の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,この反り変形によって外部端子10に生じるひずみも低減することができる。
【0064】
なお,本実施例では,ボンディングパッド3より中央側に配置されているランド5は絶縁膜6を介して接着部材8が覆うように形成してある。しかし,本実施例のように半導体素子1の面外にランド5が配置されている構成では,すべてのランド5を低弾性部材13で覆うように形成しても差し支えはない。
【0065】
図9は本発明の第4実施例に係る半導体装置の断面図である。
【0066】
図9に示すように,本実施例の半導体装置は,半導体素子1と,ボンディングパッド3,導電性配線4およびランド5とが形成された絶縁性テープ2と,充てん材15と,半導体素子1とボンディングパッド3を電気的に接続するバンプ14と,半導体素子1を覆う封止材7と,外部端子10とから構成されている。
【0067】
絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aには,バンプ14が接合されるボンディングパッド3と,外部端子10が接合されるランド5と,ボンディングパッド3とランド5を電気的に接続する導電性配線4が設けられている。また,ランド5は半導体素子1の面外に配置されており,ランド5と導電性配線4の一部とが絶縁膜3で覆われている。半導体素子1はその上面1aを絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2a側に向けて搭載されている。半導体素子1の上面1aに形成されている図示されていない電極とボンディングパッド3はバンプ14をそれぞれに接合することによって電気的に接続されている。半導体素子上面1aと絶縁性テープ2の間には接着部材15が設けられており,半導体素子上面1aとバンプ14およびバンプ14の接合個所を保護している。絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2aには,絶縁膜6を介してランド5を覆うように低弾性部材13が形成されている。封止材9は半導体素子1の周囲を覆い,絶縁性テープ2の半導体素子搭載面2a側に設けられている。絶縁性テープ2の実装面2b側にはランド5まで貫通したテープ開口部11が形成されており,ランド5に外部端子10が接合されている。
【0068】
導電性配線4には,銅(Cu)箔あるいは表面に金(Au),ニッケル(Ni)などのメッキを施した銅箔などが用いられる。導電性配線4に連なるボンディングパッド3およびランド5も同じ材料で形成されるが,バンプ14および外部端子10との接合性を高めるなどのため各個所に応じたメッキなどを施す場合がある。
【0069】
外部端子10には,はんだ材料(例えばPb−Sn系共晶はんだ,Sn−Ag−Cu系はんだ)などを使用し,球状のはんだ材もしくはペースト状のはんだ材を開口部11に載置した後,はんだを溶融させてランド5と接合させる。
【0070】
低弾性部材13は単一材料からなる単層構造の材料,あるいはテープ状の基材表面に接着材料を形成した三層構造もしくはそれ以上の層構成の材料を用いる。単層構造の材料としては,エポキシ系樹脂,ポリイミド系樹脂,エホキシ+ポリイミド系樹脂,エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される樹脂,アクリル系樹脂,多孔質ポリテトラフルオロエチレンおよびシリコーン系樹脂などを使用する。単層構造の低弾性部材13は,絶縁性テープ2表面にスクリーン印刷法,ポッティング法あるいはフィルム状態での貼り付けによって形成しても良いし,半導体素子1の下面1bに形成されたものでも良い。三層構造の低弾性部材13は,ポリイミド樹脂からなるテープ状基材表面に上記単層構造の材料として挙げたものを接着剤として形成した部材より構成する。
【0071】
接着部材15はアンダーフィルとも呼ばれており,例えばエポキシ系樹脂,ポリイミド系樹脂,シリコーン樹脂系などを基材とする柔軟な性質を有する材料を用いる。
【0072】
バンプ14には,金(Au),銀(Ag)あるいはアルミ(Al),もしくははんだ(例えばPb−Sn系共晶はんだ)などの材料を用いる。絶縁膜6はソルダーレジストとも呼ばれており,エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,ポリブタジエン樹脂などの材料が用いられる。
【0073】
封止材7には熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂にシリカ粒子を充てんした材料などが用いられ,トランスファモールド法あるいはポッティング法によって形成される。
【0074】
本実施例によれば,半導体素子1の面外に配置されているランド5が柔軟な性質を有する低弾性部材13で覆われているので,半導体装置を外部端子10によってプリント配線基板に実装した後に,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差によって外部端子10に生じるひずみを,柔軟な低弾性部材13の変形によって緩和することができる。さらに,封止材9の収縮により発生する半導体装置の反り変形量を低減できるので,この反り変形によって外部端子10に生じるひずみも低減することができる。
【0075】
また,本実施例のように,半導体素子1とボンディングパッド3とをバンプ14によって接合することによって,電気的な経路を短くすることができ,半導体装置の高速化にも対応することができる。
【0076】
【発明の効果】
本発明によれば,半導体装置をプリント配線基板に実装した後に,半導体装置とプリント配線基板との線膨張係数差および半導体装置の反り変形とによって外部端子に生じるひずみを低減することができるので,外部端子の破断発生を防止することができる。これによって,信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る半導体装置の断面図である。
。
【図2】本発明の第1実施例に係る半導体装置の封止材を取り除いた状態での平面図である。
【図3】本発明の第1実施例に係る半導体装置の他の様態を示す断面図である。
【図4】本発明の第2実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図5】本発明の第2実施例に係る半導体装置の他の様態を示す断面図である。
【図6】本発明の第3実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図7】本発明の第3実施例に係る半導体装置の封止材を取り除いた状態での平面図である。。
【図8】本発明の第3実施例に係る半導体装置の他の様態を示す断面図である。
【図9】本発明の第4実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図10】従来の半導体装置の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1…半導体素子,1a…半導体素子上面,1b…半導体素子下面,2…絶縁性テープ,2a…絶縁性テープの素子搭載面,2b…絶縁性テープの実装面,3…ボンディングパッド,4…導電性配線,5…ランド,5a…半導体素子端部に近接したランド,5b…半導体装置端部に位置するランド,6…絶縁膜,7…金属細線,8…接着部材,9…封止材,10…外部端子,10a…半導体素子の端部に近接した外部端子,10b…半導体装置端部に位置する外部端子,11…絶縁性テープの開口部,12…絶縁膜および接着部材の開口部,13…低弾性部材,14…バンプ,15…接着部材。
Claims (3)
- 複数のボンディングパッドおよびランド、前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと、半導体素子と、前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と、前記絶縁性テープの前記半導体素子搭載面で前記導電性配線を覆う絶縁膜と、前記半導体素子を前記絶縁膜の半導体素子搭載面に接着する接着部材と、前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と、前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドに接合される外部端子と、を備え、前記接着部材は前記半導体素子の投影面外側の少なくとも前記ランドを覆う範囲まで設けられており、前記接着部材を前記絶縁性テープより低弾性率の材料で形成したことを特徴とする半導体装置。
- 複数のボンディングパッドおよびランド、前記ボンディングパッドとランドを電気的に接続する導電性配線とを有する絶縁性テープと、半導体素子と、前記半導体素子と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する導電性部材と、前記絶縁性テープの前記半導体素子搭載面で前記導電性配線を覆う絶縁膜と、前記半導体素子を前記絶縁膜の半導体素子搭載面に接着する接着部材と、前記半導体素子と導電性部材の周囲を封止する封止材と、前記ランドに接合される外部端子と、を備えたボールグリッドアレイ型半導体装置において、前記接着部材が前記半導体素子の投影面外に配置された前記ランドのうち、少なくとも前記半導体素子の端部に近接する前記ランドを覆う範囲まで設けられており、前記接着部材を前記絶縁性テープより低弾性率の材料で形成したことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または請求項2において、
前記封止部材は、前記接着部材の外縁部よりも外側まで配置されていることを特徴とする半導体装置。
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