JP3899806B2 - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、元基板から切り出した基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、元基板に対する切断位置を指示するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。液晶装置では、第１の基板と第２の基板をシール材によって貼り合わして、空セルと称せられる空のパネルを構成した後、シール材で区画された領域内に、電気光学物質としての液晶が封入されている。
【０００３】
このような液晶装置に用いるパネルは、個々のパネルに対応した第１および第２の基板を一枚ずつ形成して貼り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を製造する場合には特に、複数のパネルを形成できる大きな元基板に対して複数の液晶装置分の配線パターンを形成するなど、製造工程の途中までは、大型の元基板のままで処理を行い、その後、元基板を個々の基板に分割することが多い。
【０００４】
また、パネル１枚分の元基板を準備し、この元基板に対して、配線パターンなどの製造工程を行う場合においても、製造工程の後半において元基板の周縁部を除去した後、液晶の注入工程などを行うことがある。
【０００５】
これらのいずれの場合でも、元基板に対する切断方法としては、カッター等を用いる方法、あるいは、元基板の表面に溝状の傷を形成し、その傷を形成した部分に応力を加えることによって基板を破断させる方法などが採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
液晶装置を構成する基板を元基板から切り出す工程では、元基板に対する切断位置がずれて基板の寸法や切断位置が所定の公差内に入っていないと、後の実装工程等において不良が発生する危険性があるため、切断した基板に対する検査が必要になる。
【０００７】
しかしながら、元基板に対する切断が正確に行われたか否かを知るためには、元基板から切り出した基板の寸法を何箇所も計測する必要があるなど、検査作業に多大な手間がかかるという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、元基板に対する切断位置を容易に検査でき、かつ、注入口から基板間に電気光学物質を注入した後、この注入口に対する封止材を適正な範囲に塗布することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の課題は、このような電気光学装置の製造方法を、新たな工程を付加することなく実現可能な構成を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板を形成するための元基板を切断予定線に沿って切断する切断工程と、前記第１の基板に第２の基板を貼り合わせた空パネルにおいて前記元基板に対する切断箇所で開口する注入口を介して基板間に電気光学物質を注入する注入工程と、前記注入口に封止材を塗布して当該注入口を封止する封止工程とを有する電気光学装置の製造方法において、前記元基板のうち、前記切断予定線に重なり、かつ、前記封止材の塗布範囲を指示する位置に所定幅のマークを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記マークの一部が各々残るように前記切断予定線に沿って前記元基板を切断し、前記封止工程では、前記マークを基準に前記封止材を所定の範囲に塗布することを特徴とする。
【００１１】
本発明では、元基板を切断するときの公差に対応する幅のマークを元基板に形成しておくので、切断予定線に沿って、元基板を切断したとき、切断箇所の両側にマークの一部が各々残っているか否かを確認すれば、切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側にマークの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみマークが残り、他方にマークが残らないからである。また、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた空パネルにおいて、基板に対して電気光学物質を注入するための注入口は、元基板に対する切断箇所で開口しているので、切断工程の良否を検査するのに用いたマークを、元基板に対する切断箇所のうち、注入口に塗布する封止材の塗布範囲を示す位置に形成しておけば、マークを基準に封止材を塗布できる。それ故、封止材の塗布量の多寡に起因する不具合の発生を回避できる。
【００１２】
本発明において、前記マークは、例えば、前記注入口を挟む両側２箇所に各々形成されている場合があり、この場合には、前記封止工程において、前記注入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口側の端部に重ならない範囲に前記封止材を塗布すればよい。このように構成すると、封止材の塗布しすぎを防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記マークを、前記元基板に形成される配線あるいは電気素子を構成する薄膜と同時形成することが好ましい。このように構成すると、元基板にマークを形成するといっても、新たな工程を追加する必要がない。
【００１４】
ここで、元基板に形成される配線あるいは電気素子の構成は、電気光学装置のタイプによって様々であるが、画素スイッチングの能動素子としてＴＦＤ素子を用いた電気光学装置では、配線あるいは電気素子を構成する薄膜として、Ｔａ（タンタル）膜やＣｒ（クロム）膜が用いられるので、前記マークをＴａ膜またはＣｒ膜から形成すればよい。
【００１５】
本発明において、前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターンと第２のパターンとを形成するとともに、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間に、これらのパターンと形態の異なる境界パターンを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断することが好ましい。このように構成するにあたって、第１のパターンと第２のパターンとを元基板を切断するときの公差に対応する距離を隔てて形成し、この間に境界パターンを形成する。従って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターンが残り、他方に境界パターンが残らないからである。
【００１６】
本発明において、前記第１のパターンを、前記第１の基板として切り出される基板形成領域に形成される複数の配線の端部として形成する一方、前記第２のパターンは、前記基板形成領域から切り離される周辺領域に給電パターンとして形成し、前記境界パターンは、前記第１のパターンの各々を前記第２のパターンに電気的に接続する中継パターンとして形成し、前記切断工程を行う前に、前記第２のパターンから前記境界パターンを経て前記第１のパターンに給電して、前記第１のパターンまたは該第１のパターンに電気的に接続する導電膜に対して陽極酸化処理を行うことが好ましい。ここで行う前記陽極酸化処理は、例えば、前記導電膜、および該導電膜の表面に形成された絶縁膜を用いて、ダイオード素子やキャパシタ素子などといった電気素子を形成する陽極酸化処理である。元基板に形成される配線あるいは電気素子の構成は、電気光学装置のタイプによって様々であるが、画素スイッチングの能動素子としてＴＦＤ素子を用いた電気光学装置では、配線あるいは電気素子を構成する導電膜としてＴａ膜を形成し、このＴａ膜に対して、基板として切り出される周辺領域に形成した給電パターン（第２のパターン）から、中継パターンおよび配線を介して給電して陽極酸化を行った後、中継パターンの部分で元基板を切断して給電パターンと配線とを切断する。従って、元基板に対する切断予定線を跨ぐ領域に中継パターンが形成されることになるので、この中継パターンを、切断工程の良否を検査するための境界パターンとして、第１のパターンや第２のパターンと容易に区別できる形態で形成すれば、このようなパターンが密に形成されている領域に対して、切断工程の良否を検査するためのマーク等を追加する必要がない。
【００１７】
本発明においては、前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターンおよび第２のパターンを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側で前記第１のパターンおよび第２のパターンが欠けないように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断してもよい。このように構成するにあたって、第１のパターンと第２のパターンとを元基板を切断するときの公差に対応する距離を隔てて形成する。従って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側で第１のパターンおよび第２のパターンが欠けることなく残っているか否かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に第１のパターンおよび第２のパターンが欠けずに残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方で第１のパターンあるいは第２のパターンが欠けてしまうからである。
【００１８】
本発明において、前記元基板に対して、所定幅をもって前記切断予定線を跨ぐ境界パターンを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断してもよい。このように構成するにあたって、境界パターンの幅を元基板を切断するときの公差に対応する寸法とする。従って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側で境界パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターンの一部が残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターンが残り、他方に境界パターンが残らないからである。
【００１９】
このようなパターンについても、前記マークと同様、前記元基板に形成された配線または電気素子を形成する薄膜、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜と同時形成することが好ましい。
【００２０】
このような製造方法を用いて製造した電気光学装置では、例えば、以下の構成を有することになる。すなわち、第１の基板と第２の基板とがシール材で貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部分からなる注入口が封止材で封止された電気光学装置において、前記第１の基板の縁部分には、前記封止材の塗布範囲を示すとともに、前記第１の基板を元基板から切り出したときの切断位置を検査するためのマークが付されている。
【００２１】
また、本発明に係る電気光学装置では、第１の基板と第２の基板とがシール材で貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部分からなる注入口が封止材で封止され、前記注入口は、前記第１の基板の縁部分で開口しており、前記第１の基板の縁部分には、この縁部分に沿って前記注入口の両側にマークが設けられていることを特徴とする。
【００２２】
本発明において、前記マークは、前記注入口を挟む両側２箇所に形成され、前記封止材は、前記注入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口側の端部に重ならない範囲に塗布されている。
【００２３】
本発明において、前記マークは、前記第１の基板に形成された配線または電気素子を形成する薄膜と同一の組成、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜から構成されている。
【００２４】
このような電気光学装置は、例えば、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として用いられる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子としてＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
【００２６】
［液晶パネルの構成］
図１は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、および図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２７】
図１に示すように、液晶装置に用いられる液晶パネル２では、複数の配線としての走査線５１が行方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置には画素５３が形成され、この画素５３では、液晶層５４と、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６とが直列に接続されている。各走査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動され、各データ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動される。本実施形態において、走査線駆動回路５７およびデータ線駆動回路５８は、図３を参照して後述する液晶駆動用ＩＣ８ａおよび液晶駆動用ＩＣ８ｂにそれぞれ構成されている。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）において、ＴＦＤ素子５６は、素子基板７ａの表面に成膜された下地層６１の上に形成された第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるBack-to-Back構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂは、第１金属層６２と、この第１金属層６２の表面に形成された絶縁層６３と、絶縁膜６３の表面に互いに離間して形成された第２金属層６４ａ、６４ｂとによって構成されている。第１金属層６２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成され、絶縁層６３は、例えば、陽極酸化法によって第１金属層６２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）である。
【００２９】
第２金属層６４ａ、６４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層６４ａは、そのまま走査線５１となり、他方の第２金属層６４ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明導電材からなる画素電極６６に接続されている。なお、画素電極６６はＡｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成されることもある。
【００３０】
素子基板７ａを構成する基板１７ａは、対向基板７ａを構成する基板１７ｂ（図４参照）と同様、例えば、石英、ガラス、プラスチック等によって形成される。ここで、単純な反射型の場合には素子基板基板１７ａが透明であることは、必須要件ではないが、本実施形態のように透過型の場合には、素子基板基板１７ａは透明であることが必須の要件となる。
【００３１】
［液晶装置の構成］
このようにして走査線５１およびＴＦＤ素子５６が形成された素子基板７ａは、図３および図４を参照して説明するように、ＩＴＯ等といった透明導電材からなるデータ線５２がストライプ状に形成された対向基板７ｂと対向配置される。ここで、素子基板７ａと対向基板７ｂは、一列分の画素電極６６と１本のデータ線５２とが互いに対向する位置関係となるように互いに貼り合わされる。
【００３２】
図３および図４はぞれぞれ、液晶装置の分解斜視図およびその断面図である。
【００３３】
図３および図４に示すように、液晶装置１は、例えば、液晶パネル２にＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント基板）３ａ、３ｂを接続し、さらに液晶パネル２の裏面側に導光体４を取り付け、さらに導光体４の裏面側に制御基板５を設けることによって形成される。
【００３４】
液晶パネル２において、素子基板７ａと対向基板７ｂとは、これらの基板のうちの一方に環状に塗布されたシール材６によって貼り合わされている。また、シール材６の途切れ部分によって液晶注入口６ａが形成され、この液晶注入口６ａは、封止材６０によって塞がれている。
【００３５】
素子基板７ａのうち、対向基板７ｂから張り出す部分の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）９によって液晶駆動用ＩＣ８ａがＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。また、対向基板７ｂのうち、素子基板７ａから張り出す部分には、ＡＣＦ９によって液晶駆動用ＩＣ８ｂがＣＯＧ実装されている。
【００３６】
図４に示すように、素子基板７ａの内面には複数の画素電極６６がマトリクス状に形成され、その外面には偏光板１２ａが貼着されている。また、対向基板７ｂの内面には複数のデータ線５２がストライプ状に形成され、その外面には偏光板１２ｂが貼着されている。そして、素子基板７ａと対向基板７ｂとの基板間のうち、シール材６によって区画された間隙（セルギャップ）に、電気光学物質としての液晶Ｌが封入されている。
【００３７】
なお、図４には示されていないが、素子基板７ａおよび対向基板７ｂには必要に応じて上記以外の各種の光学要素が設けられる。例えば、液晶Ｌの配向を揃えるための配向膜が各基板の内面に設けられる。これらの配向膜は、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって形成される。このポリイミドのポリマー主鎖がラビング処理によって所定の方向へ延伸され、基板間に封入された液晶Ｌ内の液晶分子が配向膜の延伸方向に沿って方向配位する。また、カラー表示を行う場合には、対向基板７ｂに対して、画素電極６６と対向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形成され、画素電極６６に対向しない領域にはブラックマトリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面にデータ線５２が形成される。
【００３８】
図３において、素子基板７ａの張出し部分には複数の端子１３ａが形成され、これらの端子は、素子基板７ａの表面に画素電極６６を形成する際に同時に形成される。また、対向基板７ｂの張出し部分にも複数の端子１３ｂが形成され、これらの端子は、対向基板７ｂの表面にデータ線５２を形成する際に同時に形成される。ＦＰＣ３ｂの端部には複数の端子２２が設けられ、ＡＣＦ等を用いてそれらの端子が対向基板７ｂの端子１３ｂに導電接続されている。また、ＦＰＣ３ｂの他の端部に形成された複数の端子２３は、制御基板５の端子（図示せず）に接続されている。ＦＰＣ３ａでは、裏面側端部に複数のパネル側端子１４が形成され、その反対側の端部においてその表面側には複数の制御基板側端子１６が形成されている。ここで、ＦＰＣ３ａの表面には配線パターン１８が適宜、形成され、この配線パターン１８は、一方の端部で制御基板側端子１６に直接に接続し、他方の端部がスルーホール１９を介してパネル端子１４に接続している。
【００３９】
導光体４の液晶パネル２側の表面には、拡散板２７が貼着等によって装着され、導光体４の液晶パネル２と反対側の表面には、反射板２８が貼着等によって装着される。また、導光体４の１つの側面に設定された光取込み面４ａに対向して発光手段としての複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）２１がＬＥＤ基板３８に支持されて配置されている。
【００４０】
図４に示すように、導光体４は、ゴム、プラスチック等によって形成された緩衝材３２を挟んで液晶パネル２の裏面側に取り付けられる。また、制御基板５は導光体４の反射板２８が装着された面に対向して配設される。なお、制御基板５の端部には、外部回路との接続をとるための端子３３が形成される。
【００４１】
このように構成した液晶装置１において、ＬＥＤ２１が発光すると、その光が導光体４へ導入され、その導入された光が反射板２８で反射して液晶パネル２の方向へ進行し、拡散板２７によって平面内で一様な強度となるように拡散された状態で液晶パネル２へ供給される。供給された光は導光体側の偏光板１２ａを通過した成分が液晶層へ供給され、さらに画素電極６６とデータ線５２との間に印加される電圧の変化に応じて画素毎に配向が制御された液晶によって画素毎に変調され、さらにその変調光を表示側の偏光板１２ｂに通すことにより、外部に像を表示する。
【００４２】
［液晶装置の製造方法］
図５は、本形態の液晶装置１の製造方法の一例を示す工程図である。図６は、液晶パネル２を構成する１対の基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図７は、素子基板形成工程を示す工程断面図である。図８は、素子基板形成用の元基板に対するシール材印刷工程、および対向基板形成用の元基板に対するラビング工程までを終えた状態を模式的に示す斜視図である。図９は、素子基板形成用の元基板と、対向基板形成用の元基板とを貼り合わせて空のパネルを構成した状態を模式的に示す平面図である。図１０（ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、空のパネルを１次切断工程により短冊状に切断した状態を示す説明図、およびこの短冊状のパネルに液晶を注入した後、その注入口を封止材で封止した状態を示す説明図である。
【００４３】
本形態において、液晶装置１および液晶パネル２を製造するにあたっては、図５に示す能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５からなる素子基板形成工程と、カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。
【００４４】
まず、素子基板形成工程（能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５）において、図６に示すような大面積の元基板２４ａを準備する。この元基板２４ａは、例えば、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成されている。ここで、元基板２４ａは、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ１１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ１２に沿って切断されて素子基板７ａが複数個取りされ、その周辺領域７ｃは、廃棄される。
【００４５】
本形態では、この元基板２４ａに対して、まず、能動素子形成工程Ｐ１を行うことにより、液晶パネル複数枚分の配線５１およびＴＦＤ素子５６を形成する。図６では、便宜上、元基板２４ａの表面に液晶パネル６枚分のパターンが形成されている様子を示してあるが、実際の工程では、より多数の液晶パネル分のパターンが元基板２４ａ上に形成される。
【００４６】
能動素子形成工程Ｐ１は、例えば、図７に示すように行われる。すなわち、下地層形成工程（ａ）において、元基板２４ａの表面にＴａ酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層６１を形成する。
【００４７】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いて走査線５１の第１層、および第１金属層６２などを同時に形成する。このとき、走査線５１の第１層と第１金属層６２とはブリッジ部（図示せず）で繋がっている。
【００４８】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）において、走査線５１の第１層を陽極端子として陽極酸化処理を行い、その走査線５１および第１金属層５２の表面に絶縁膜６３として作用する陽極酸化膜を一様な厚さで形成する。これにより、走査線５１の表面に絶縁層（第２層）が形成されるとともに、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの絶縁層６３が形成される。なお、絶縁層形成工程（ｃ）を行うにあたって、走査線５１は、図８および図１３（ａ）を参照して後述するように、周辺領域７ｃに形成された給電パターン５９に対して、２次切断予定線Ｌ１２に沿って形成された中継パターン５５を介して接続されており、給電パターン５９から各走査線５１に対して電圧供給が行われる。
【００４９】
次に、ブリッジ部除去工程（ｄ）においては、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を元基板２４ａから除去する。これにより、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの第１金属層６２および絶縁層６３が走査線５１から島状に分断される。
【００５０】
次に、第２金属層形成工程（ｅ）において、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、走査線５１の第３層、第１ＴＦＤ素子５６ａの第２金属層６４ａ、および第２ＴＦＤ素子５６ｂの第２金属層６４ｂを形成する。以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６が元基板２４ａの表面に液晶パネルの枚数分だけ形成される。
【００５１】
次に、図５の画素電極形成工程Ｐ２が行われる。具体的には、まず、図７の下地層形成工程（ｆ）において、画素電極６６に相当する領域の下地層６１を除去して元基板２４ａを露出させた後、電極工程（ｇ）において、画素電極６６を形成するためのＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極６６をその一部が第２金属層６４ｂ重なるように形成する。これらの一連の工程により、図２に示すＴＦＤ素子５６および画素電極６６が形成される。この状態における元基板７ａの様子は、図８に示すとおりである。
【００５２】
しかる後には、図５の配向膜工程Ｐ３において、元基板２４ａの表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜を形成した後、ラビング処理工程Ｐ４において、配向膜に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００５３】
次に、シール材印刷工程Ｐ５において、図８に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材６を環状に塗布する。なお、シール材６の一部分には、液晶の注入口６ａが形成される。
【００５４】
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程（カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０）を行う。それには、まず、図６において、例えば、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成された大面積の大型基板２４ｂを用意した後、カラーフィルタ形成工程Ｐ６において、元基板２４ｂの表面上に液晶パネルの枚数分、カラーフィルタを形成する。
【００５５】
この元基板２４ｂは、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ２１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ２２に沿って切断されて対向基板７ｂが複数個取りされる。なお、図６では、便宜上、元基板２４ｂの表面に液晶装置６個分が表されているが、実際の工程では、より多数の液晶装置分が形成される。ここで、カラー表示が必要でない場合には、カラーフィルタを形成する必要はない。
【００５６】
次に、平坦化層形成工程Ｐ７において、カラーフィルタの上に平坦化層（図示せず）を一様な厚さに形成して表面を平坦化する。
【００５７】
次に、対向電極形成工程Ｐ８において、ＩＴＯ膜等によりストライプ状の対向電極、すなわち、データ線５２を形成する。
【００５８】
次に、配向膜形成工程Ｐ９において、データ線５２等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１０において、配向膜に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板側の元基板２４ｂが完成する。
【００５９】
その後、図８および図９に示すように、素子基板形成用の元基板２４ａと対向基板形成用の元基板２４ｂとを位置合わせした上でシール材６を間に挟んで、元基板２４ａ、２４ｂ同士を貼り合わせ（貼り合わせ工程Ｐ１１）、さらに紫外線硬化、熱硬化又はその他の方法でシール材６を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ１２）。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体２ａが形成される。
【００６０】
その後、空のパネル構造体２ａに対して、図６を参照して説明した第１の切断予定線Ｌ１１、Ｌ２１に沿って切断溝を形成し、さらに切断溝を基準にパネル構造体２ａを、図１０（ａ）に示すような、短冊状のパネル構造体２ｂに切断する（１次切断工程Ｐ１３）。この短冊状のパネル構造体２ｂにおいて、元基板２４ａ、２４ｂに対する切断箇所では、シール材６の途切れ部分からなる液晶注入口６ａが外部に開口している。
【００６１】
次に、露出した液晶注入口６ａからパネル構造体２ｂの内側に液晶を減圧注入した後（液晶注入工程Ｐ１４）、図１０（ｂ）に示すように、各液晶注入口６ａに対して樹脂等の封止材６０を塗布して、各液晶注入口６ａを封止する（注入口封止工程Ｐ１５）。なお、この工程により、パネル構造体２ｂに液晶が付着するので、液晶を注入し終えたパネル構造体２ｂは洗浄処理を受ける（洗浄工程Ｐ１６）。
【００６２】
その後、パネル構造体２ｂに対しては、図６を参照して説明した第２の切断予定線Ｌ１２、Ｌ２２に沿って切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体２ｂにおいて元基板２４ａ、２４ｂを切断することにより、複数個の液晶パネル２が切り出される（２次切断工程Ｐ１７）。
【００６３】
しかる後に、液晶パネル２に液晶駆動用ＩＣ８ａ、８ｂ、制御基板５などを実装し、さらにＦＰＣ３ａ、３ｂを接続することにより、液晶装置１が完成する（実装工程Ｐ１８）。
【００６４】
（本形態の特徴点）
図１１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ａで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、図１１（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。図１２は、本発明を適用した液晶装置の製造方法において、短冊状のパネルに対して液晶を注入した後、液晶注入口を封止材で封止した様子を示す説明図である。図１３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｂで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、図１３（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。図１４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｃで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、図１４（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【００６５】
本発明に係る液晶装置１の製造方法において、貼り合わせ工程Ｐ１１を行う直前の元基板２４ａは、図８に示すように構成され、この図８において、元基板２４ａの丸Ａで囲んだ領域では、図１１（ａ）に示すように、１次切断予定線Ｌ１１に沿って、１次切断予定線Ｌ１１に所定幅をもって重なる矩形のべたのマーク１００が形成されている。このマーク１００は、１次切断工程Ｐ１３を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されるＴａ膜、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜、あるいはこれらの膜を積層した多層膜である。
【００６６】
ここで、マーク１００は、シール材６の途切れ部分からなる液晶注入口６ａの両側２箇所に形成されている。
【００６７】
このように構成した素子基板形成用の元基板２４ａに対して対向基板形成用の元基板２４ｂを貼り合わせてパネル構造体２ａを構成した後、１次切断工程Ｐ１３において、パネル構造体２ａを１次切断予定線Ｌ１１、２１に沿って切断するとき、マーク１００の幅方向の中央を通るように切断溝を形成してパネル構造体２ａを切断する。ここで、マーク１００の幅寸法Ｗ１については、この切断箇所の公差に対応した幅寸法にしてある。
【００６８】
従って、パネル構造体２ａを短冊状のパネル構造体２ｂに切断したとき、切断箇所の両側にマーク１００の一部が各々残っているか否かを確認すれば、切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、図１１（ｂ）に示すように、切断箇所の両側にマーク１００の一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみマーク１００が残り、他方にマーク１００が残らない。
【００６９】
このような１次切断工程Ｐ１３を終えた後、短冊状のパネル構造体２ｂでは、１０（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、その切断箇所で液晶注入口６ａが開口し、液晶注入口６ａの両側２箇所にマーク１００の一部が残っている。
【００７０】
そこで、液晶注入工程Ｐ１４においては、短冊状のパネル構造体３ｂの状態で液晶注入口６ａから液晶を注入した後、封止工程Ｐ１５においては、マーク１００を基準にして、液晶注入口６ａに封止材６０を塗布する。すなわち、図１２に示すように、液晶注入口６ａの両側に位置するマーク１００の端部に封止材６０がかからないように、即ち、液晶注入口６ａの両側に位置するマーク１００の端部からはみ出さないように封止材６０を塗布し、しかる後に、封止材６０を硬化させる。それ故、液晶注入口６ａを確実に封止できるとともに、封止材６０を塗布しすぎることもない。
【００７１】
また、本形態において、マーク１００は、図７を参照して説明した素子基板形成工程において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されたＴａ膜、あるいは、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜であり、このような膜については、ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより形成できるので、マーク１００を形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基準にして１次切断工程Ｐ１３に対する検査、あるいはマーク１００を基準にしての封止材６０の塗布を行うのが容易である。
【００７２】
また、本形態では、その他の切断箇所においても、切断精度を容易に検査できるような構成が採用されている。
【００７３】
まず、図８において丸Ｂで囲った領域では、図１３に示すように、各走査線５１の端部は、走査線５１に一対一で対応する中継パターン５５を介して給電パターン５９に接続しており、この中継パターン５５を横切るように２次切断予定線Ｌ１２が通っている。従って、元基板２４ａにおいて、走査線５１の端部と給電パターン５９とは、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に第１のパターン２０１と第２のパターン２０２として所定の距離を隔てて対向し、かつ、第１のパターン２０１と第２のパターン２０２との間において、中継パターン５５は、第１のパターン２０１および第２のパターン２０２と幅寸法、形状、色および形成位置などといった形態の異なる境界パターン２０３として形成されている。また、境界パターン２０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ２は、この切断箇所での公差に対応する寸法になっている。
【００７４】
それ故、２次切断工程Ｐ１７において、短冊状のパネル構造体２ｂに対して２次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断するとき、切断箇所の両側に境界パターン２０３（中継パターン５５）の一部が残るように元基板２４ａを切断した後、切断箇所の両側に境界パターン２０３の一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、図１３（ｂ）に示すように、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１３（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみ境界パターン２０３が残り、他方に境界パターン２０３が残らない。
【００７５】
ここで、走査線５１の端部からなる第１のパターン２０１、給電パターン５９からなる第２のパターン２０２、および中継パターン５５からなる境界パターン２０３は、１次切断工程Ｐ１３および２次切断工程Ｐ１７を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されるＴａ膜、あるいは、陽極酸化処理後、このＴａ膜の表面に対して第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜が積層された多層膜であり、このような膜は、ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより形成される。それ故、切断検査用の境界パターン２０３などを形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基準にして２次切断工程Ｐ１７に対する検査を容易に行うことができる。
【００７６】
さらに、本形態において、図８において丸Ｃで囲った領域では、図１４（ａ）に示すように、端子１３ａからなる第１のパターン３０１と、周辺領域に形成された第２のパターン３０２とが、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向し、かつ、第１のパターン３０１と第２のパターン３０２との間には、これらのパターン３０１、３０２と幅寸法の異なる境界パターン３０３が形成されている。ここで、境界パターン３０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ３は、２次切断予定線Ｌ１２で元基板２４ａを切断するときの公差に対応する寸法になっている。
【００７７】
従って、２次切断工程Ｐ１３において、短冊状のパネル構造体２ｂを２次切断予定線Ｌ１２に沿って切断するときは、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が残るように元基板２４ａを切断し、しかる後に、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、図１４（ｂ）に示すように、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１４（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみ境界パターン３０３が残り、他方に境界パターン３０３が残らない。
【００７８】
ここで、端子１３ａからなる第１のパターン３０１、第２のパターン３０２、および境界パターン３０３は、１次切断工程Ｐ１３および２次切断工程Ｐ１７を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されるＴａ膜、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜、あるいはこれらの膜を積層した多層膜であり、このような膜は、ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより形成できる。それ故、切断検査用の境界パターン３０３を形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基準にして二次切断工程Ｐ１７に対する検査を容易に行うことができる。
【００７９】
［その他の実施の形態］
図１５（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の構成を示す平面図、および説明図である。図１６は、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の別の構成を示す平面図である。図１７は、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近のさらに別の構成を示す平面図である。
【００８０】
図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、元基板２４ａにおいて、端子１３ａは、Ｔａ膜とＣｒ膜の２層構造として形成される場合が多いので、例えば、第１のパターン４０１および第２のパターン４０２については、Ｔａ膜とＣｒ膜の２層構造とし、境界パターン４０３については、Ｔａ膜のみから構成してもよい。このように構成した場合、Ｃｒ膜とＴａ膜とは、色相が異なるので、これらのパターン４０１、４０２、４０３の形状が同一でも、切断箇所の両側に境界パターン４０３の一部が各々残っているか否かを確認することが可能である。
【００８１】
また、図１６に示すように、元基板２４ａに対して、給電パターン５９などを形成するときに、このパターンを、所定幅をもって二次切断予定線Ｌ１２を跨ぐ境界パターン５０３として形成しておくとともに、切断工程では、切断箇所の両側に境界パターン５０３の一部が残るように元基板２４ａを二次切断予定線Ｌ１２に沿って切断してもよい。
【００８２】
この際に、境界パターン４０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ５を、この部分を切断するときの公差に対応する寸法としておく。従って、二次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断したとき、切断箇所の両側で境界パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターン５０３の一部が残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターン５０３が残り、他方に境界パターン５０３が残らないからである。このようなパターンについても、元基板２４ａに形成された配線または電気素子を形成する薄膜、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜と同時形成することができる。
【００８３】
さらに、図１７に示すように、元基板２４ａに対して、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターン６０１および第２のパターン６０２を形成しておき、切断工程Ｐ１７では、切断箇所の両側で前記第１のパターン３０１および第２のパターン３０２が欠けないように元基板２４ａを２次切断予定線Ｌ１２に沿って切断してもよい。
【００８４】
このような構成は、例えば、図１３（ａ）を参照して説明した構成において、陽極酸化処理が終った後、切断工程を行う前に、中継パターン５５を除去しておき、切断工程で発生した静電気が中継パターン５５を介して基板内に侵入するような場合に相当する。
【００８５】
このような構成においては、第１のパターン６０１と第２のパターン６０２とを元基板２４ａを切断するときの公差に対応する距離Ｗ６を隔てて形成する。従って、二次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断したとき、切断箇所の両側で第１のパターン６０１および第２のパターン６０２が欠けることなく残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に第１のパターン６０１および第２のパターン６０２が欠けずに残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方で第１のパターン６０１あるいは第２のパターン６０２が欠けてしまうからである。
【００８６】
なお、上記実施形態では、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置１を例に説明したが、能動素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置に本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００８７】
（電子機器の実施形態）
図１８は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶パネル７５としては、前述した液晶装置１および液晶パネル２を用いることができる。
【００８８】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００８９】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。駆動回路７６は、図１における走査線駆動回路５７やデータ線駆動回路５８、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００９０】
図１９は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００９１】
図２０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、元基板を切断するときの公差に対応する幅のマークを元基板に形成しておくので、切断予定線に沿って、元基板を切断したとき、切断箇所の両側にマークの一部が各々残っているか否かを確認すれば、切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側にマークの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみマークが残り、他方にマークが残らないからである。また、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた空パネルにおいて、基板に対して電気光学物質を注入するための注入口は、元基板に対する切断箇所で開口しているので、切断工程の良否を検査するのに用いたマークを、元基板に対する切断箇所のうち、注入口に塗布する封止材の塗布範囲を示す位置に形成しておけば、マークを基準に封止材を塗布できる。それ故、封止材の塗布量の多寡に起因する不具合の発生を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置の液晶パネルにおいて液晶層を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、および図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の分解斜視図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の断面図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図６】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルを構成する１対の基板を製造するのに用いた元基板の説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置の製造工程のうち、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、工程素子基板形成用の元基板に対するシール材印刷工程、および対向基板形成用の元基板に対するラビング工程までを終えた状態を模式的に示す斜視図である。
【図９】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、素子基板形成用の元基板と、対向基板形成用の元基板とを貼り合わせて空のパネルを構成した状態を模式的に示す平面図である。
【図１０】（ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図９に示す空のパネルを１次切断工程により短冊状に切断した状態を示す説明図、およびこの短冊状のパネルに液晶を注入した後、その注入口を封止材で封止した状態を示す説明図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ａで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【図１２】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、短冊状のパネルに対して液晶を注入した後、液晶注入口を封止材で封止した様子を示す説明図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｂで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｃで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の構成を示す平面図、および説明図である。
【図１６】図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の別の構成を示す平面図である。
【図１７】図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近のさらに別の構成を示す平面図である。
【図１８】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１９】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図２０】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置）
２ 液晶パネル
２ａ 大型のパネル構造体
２ｂ 短冊状のパネル構造体
６ シール材
６ａ 液晶注入口
７ａ 素子基板
７ｂ 対向基板
８ａ、８ｂ 液晶駆動用ＩＣ
１２ａ、１２ｂ 偏光板
１７ａ 素子基板を構成する基板
１７ｂ 対向基板を構成する基板
２４ａ 素子基板形成用の元基板
２４ｂ 対向基板形成用の元基板
５１ 走査線
５２ データ線
５３ 画素
５４ 液晶層
５５ 中継パターン
５６ ＴＦＤ素子
５７ 走査線駆動回路
５８ データ線駆動回路
５９ 給電パターン
６０ 封止材
６１ 下地層
６２ 第１金属層
６３ 絶縁層
６４ａ、６４ｂ 第２金属層
６６ 画素電極
１００ マーク
２０１、３０１、４０１、６０１ 第１のパターン
２０２、３０２、４０２、６０２ 第２のパターン
２０３、３０３、４０３ 境界パターン
Ｌ１１、Ｌ２１ １次切断予定線
Ｌ１２、Ｌ２２ ２次切断予定線
【発明の属する技術分野】
本発明は、元基板から切り出した基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、元基板に対する切断位置を指示するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。液晶装置では、第１の基板と第２の基板をシール材によって貼り合わして、空セルと称せられる空のパネルを構成した後、シール材で区画された領域内に、電気光学物質としての液晶が封入されている。
【０００３】
このような液晶装置に用いるパネルは、個々のパネルに対応した第１および第２の基板を一枚ずつ形成して貼り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を製造する場合には特に、複数のパネルを形成できる大きな元基板に対して複数の液晶装置分の配線パターンを形成するなど、製造工程の途中までは、大型の元基板のままで処理を行い、その後、元基板を個々の基板に分割することが多い。
【０００４】
また、パネル１枚分の元基板を準備し、この元基板に対して、配線パターンなどの製造工程を行う場合においても、製造工程の後半において元基板の周縁部を除去した後、液晶の注入工程などを行うことがある。
【０００５】
これらのいずれの場合でも、元基板に対する切断方法としては、カッター等を用いる方法、あるいは、元基板の表面に溝状の傷を形成し、その傷を形成した部分に応力を加えることによって基板を破断させる方法などが採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
液晶装置を構成する基板を元基板から切り出す工程では、元基板に対する切断位置がずれて基板の寸法や切断位置が所定の公差内に入っていないと、後の実装工程等において不良が発生する危険性があるため、切断した基板に対する検査が必要になる。
【０００７】
しかしながら、元基板に対する切断が正確に行われたか否かを知るためには、元基板から切り出した基板の寸法を何箇所も計測する必要があるなど、検査作業に多大な手間がかかるという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、元基板に対する切断位置を容易に検査でき、かつ、注入口から基板間に電気光学物質を注入した後、この注入口に対する封止材を適正な範囲に塗布することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の課題は、このような電気光学装置の製造方法を、新たな工程を付加することなく実現可能な構成を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板を形成するための元基板を切断予定線に沿って切断する切断工程と、前記第１の基板に第２の基板を貼り合わせた空パネルにおいて前記元基板に対する切断箇所で開口する注入口を介して基板間に電気光学物質を注入する注入工程と、前記注入口に封止材を塗布して当該注入口を封止する封止工程とを有する電気光学装置の製造方法において、前記元基板のうち、前記切断予定線に重なり、かつ、前記封止材の塗布範囲を指示する位置に所定幅のマークを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記マークの一部が各々残るように前記切断予定線に沿って前記元基板を切断し、前記封止工程では、前記マークを基準に前記封止材を所定の範囲に塗布することを特徴とする。
【００１１】
本発明では、元基板を切断するときの公差に対応する幅のマークを元基板に形成しておくので、切断予定線に沿って、元基板を切断したとき、切断箇所の両側にマークの一部が各々残っているか否かを確認すれば、切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側にマークの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみマークが残り、他方にマークが残らないからである。また、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた空パネルにおいて、基板に対して電気光学物質を注入するための注入口は、元基板に対する切断箇所で開口しているので、切断工程の良否を検査するのに用いたマークを、元基板に対する切断箇所のうち、注入口に塗布する封止材の塗布範囲を示す位置に形成しておけば、マークを基準に封止材を塗布できる。それ故、封止材の塗布量の多寡に起因する不具合の発生を回避できる。
【００１２】
本発明において、前記マークは、例えば、前記注入口を挟む両側２箇所に各々形成されている場合があり、この場合には、前記封止工程において、前記注入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口側の端部に重ならない範囲に前記封止材を塗布すればよい。このように構成すると、封止材の塗布しすぎを防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記マークを、前記元基板に形成される配線あるいは電気素子を構成する薄膜と同時形成することが好ましい。このように構成すると、元基板にマークを形成するといっても、新たな工程を追加する必要がない。
【００１４】
ここで、元基板に形成される配線あるいは電気素子の構成は、電気光学装置のタイプによって様々であるが、画素スイッチングの能動素子としてＴＦＤ素子を用いた電気光学装置では、配線あるいは電気素子を構成する薄膜として、Ｔａ（タンタル）膜やＣｒ（クロム）膜が用いられるので、前記マークをＴａ膜またはＣｒ膜から形成すればよい。
【００１５】
本発明において、前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターンと第２のパターンとを形成するとともに、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間に、これらのパターンと形態の異なる境界パターンを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断することが好ましい。このように構成するにあたって、第１のパターンと第２のパターンとを元基板を切断するときの公差に対応する距離を隔てて形成し、この間に境界パターンを形成する。従って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターンが残り、他方に境界パターンが残らないからである。
【００１６】
本発明において、前記第１のパターンを、前記第１の基板として切り出される基板形成領域に形成される複数の配線の端部として形成する一方、前記第２のパターンは、前記基板形成領域から切り離される周辺領域に給電パターンとして形成し、前記境界パターンは、前記第１のパターンの各々を前記第２のパターンに電気的に接続する中継パターンとして形成し、前記切断工程を行う前に、前記第２のパターンから前記境界パターンを経て前記第１のパターンに給電して、前記第１のパターンまたは該第１のパターンに電気的に接続する導電膜に対して陽極酸化処理を行うことが好ましい。ここで行う前記陽極酸化処理は、例えば、前記導電膜、および該導電膜の表面に形成された絶縁膜を用いて、ダイオード素子やキャパシタ素子などといった電気素子を形成する陽極酸化処理である。元基板に形成される配線あるいは電気素子の構成は、電気光学装置のタイプによって様々であるが、画素スイッチングの能動素子としてＴＦＤ素子を用いた電気光学装置では、配線あるいは電気素子を構成する導電膜としてＴａ膜を形成し、このＴａ膜に対して、基板として切り出される周辺領域に形成した給電パターン（第２のパターン）から、中継パターンおよび配線を介して給電して陽極酸化を行った後、中継パターンの部分で元基板を切断して給電パターンと配線とを切断する。従って、元基板に対する切断予定線を跨ぐ領域に中継パターンが形成されることになるので、この中継パターンを、切断工程の良否を検査するための境界パターンとして、第１のパターンや第２のパターンと容易に区別できる形態で形成すれば、このようなパターンが密に形成されている領域に対して、切断工程の良否を検査するためのマーク等を追加する必要がない。
【００１７】
本発明においては、前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターンおよび第２のパターンを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側で前記第１のパターンおよび第２のパターンが欠けないように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断してもよい。このように構成するにあたって、第１のパターンと第２のパターンとを元基板を切断するときの公差に対応する距離を隔てて形成する。従って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側で第１のパターンおよび第２のパターンが欠けることなく残っているか否かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に第１のパターンおよび第２のパターンが欠けずに残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方で第１のパターンあるいは第２のパターンが欠けてしまうからである。
【００１８】
本発明において、前記元基板に対して、所定幅をもって前記切断予定線を跨ぐ境界パターンを形成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断してもよい。このように構成するにあたって、境界パターンの幅を元基板を切断するときの公差に対応する寸法とする。従って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側で境界パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターンの一部が残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターンが残り、他方に境界パターンが残らないからである。
【００１９】
このようなパターンについても、前記マークと同様、前記元基板に形成された配線または電気素子を形成する薄膜、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜と同時形成することが好ましい。
【００２０】
このような製造方法を用いて製造した電気光学装置では、例えば、以下の構成を有することになる。すなわち、第１の基板と第２の基板とがシール材で貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部分からなる注入口が封止材で封止された電気光学装置において、前記第１の基板の縁部分には、前記封止材の塗布範囲を示すとともに、前記第１の基板を元基板から切り出したときの切断位置を検査するためのマークが付されている。
【００２１】
また、本発明に係る電気光学装置では、第１の基板と第２の基板とがシール材で貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部分からなる注入口が封止材で封止され、前記注入口は、前記第１の基板の縁部分で開口しており、前記第１の基板の縁部分には、この縁部分に沿って前記注入口の両側にマークが設けられていることを特徴とする。
【００２２】
本発明において、前記マークは、前記注入口を挟む両側２箇所に形成され、前記封止材は、前記注入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口側の端部に重ならない範囲に塗布されている。
【００２３】
本発明において、前記マークは、前記第１の基板に形成された配線または電気素子を形成する薄膜と同一の組成、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜から構成されている。
【００２４】
このような電気光学装置は、例えば、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として用いられる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子としてＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
【００２６】
［液晶パネルの構成］
図１は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、および図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２７】
図１に示すように、液晶装置に用いられる液晶パネル２では、複数の配線としての走査線５１が行方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置には画素５３が形成され、この画素５３では、液晶層５４と、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６とが直列に接続されている。各走査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動され、各データ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動される。本実施形態において、走査線駆動回路５７およびデータ線駆動回路５８は、図３を参照して後述する液晶駆動用ＩＣ８ａおよび液晶駆動用ＩＣ８ｂにそれぞれ構成されている。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）において、ＴＦＤ素子５６は、素子基板７ａの表面に成膜された下地層６１の上に形成された第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるBack-to-Back構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂは、第１金属層６２と、この第１金属層６２の表面に形成された絶縁層６３と、絶縁膜６３の表面に互いに離間して形成された第２金属層６４ａ、６４ｂとによって構成されている。第１金属層６２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成され、絶縁層６３は、例えば、陽極酸化法によって第１金属層６２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）である。
【００２９】
第２金属層６４ａ、６４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層６４ａは、そのまま走査線５１となり、他方の第２金属層６４ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明導電材からなる画素電極６６に接続されている。なお、画素電極６６はＡｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成されることもある。
【００３０】
素子基板７ａを構成する基板１７ａは、対向基板７ａを構成する基板１７ｂ（図４参照）と同様、例えば、石英、ガラス、プラスチック等によって形成される。ここで、単純な反射型の場合には素子基板基板１７ａが透明であることは、必須要件ではないが、本実施形態のように透過型の場合には、素子基板基板１７ａは透明であることが必須の要件となる。
【００３１】
［液晶装置の構成］
このようにして走査線５１およびＴＦＤ素子５６が形成された素子基板７ａは、図３および図４を参照して説明するように、ＩＴＯ等といった透明導電材からなるデータ線５２がストライプ状に形成された対向基板７ｂと対向配置される。ここで、素子基板７ａと対向基板７ｂは、一列分の画素電極６６と１本のデータ線５２とが互いに対向する位置関係となるように互いに貼り合わされる。
【００３２】
図３および図４はぞれぞれ、液晶装置の分解斜視図およびその断面図である。
【００３３】
図３および図４に示すように、液晶装置１は、例えば、液晶パネル２にＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント基板）３ａ、３ｂを接続し、さらに液晶パネル２の裏面側に導光体４を取り付け、さらに導光体４の裏面側に制御基板５を設けることによって形成される。
【００３４】
液晶パネル２において、素子基板７ａと対向基板７ｂとは、これらの基板のうちの一方に環状に塗布されたシール材６によって貼り合わされている。また、シール材６の途切れ部分によって液晶注入口６ａが形成され、この液晶注入口６ａは、封止材６０によって塞がれている。
【００３５】
素子基板７ａのうち、対向基板７ｂから張り出す部分の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）９によって液晶駆動用ＩＣ８ａがＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。また、対向基板７ｂのうち、素子基板７ａから張り出す部分には、ＡＣＦ９によって液晶駆動用ＩＣ８ｂがＣＯＧ実装されている。
【００３６】
図４に示すように、素子基板７ａの内面には複数の画素電極６６がマトリクス状に形成され、その外面には偏光板１２ａが貼着されている。また、対向基板７ｂの内面には複数のデータ線５２がストライプ状に形成され、その外面には偏光板１２ｂが貼着されている。そして、素子基板７ａと対向基板７ｂとの基板間のうち、シール材６によって区画された間隙（セルギャップ）に、電気光学物質としての液晶Ｌが封入されている。
【００３７】
なお、図４には示されていないが、素子基板７ａおよび対向基板７ｂには必要に応じて上記以外の各種の光学要素が設けられる。例えば、液晶Ｌの配向を揃えるための配向膜が各基板の内面に設けられる。これらの配向膜は、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって形成される。このポリイミドのポリマー主鎖がラビング処理によって所定の方向へ延伸され、基板間に封入された液晶Ｌ内の液晶分子が配向膜の延伸方向に沿って方向配位する。また、カラー表示を行う場合には、対向基板７ｂに対して、画素電極６６と対向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形成され、画素電極６６に対向しない領域にはブラックマトリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面にデータ線５２が形成される。
【００３８】
図３において、素子基板７ａの張出し部分には複数の端子１３ａが形成され、これらの端子は、素子基板７ａの表面に画素電極６６を形成する際に同時に形成される。また、対向基板７ｂの張出し部分にも複数の端子１３ｂが形成され、これらの端子は、対向基板７ｂの表面にデータ線５２を形成する際に同時に形成される。ＦＰＣ３ｂの端部には複数の端子２２が設けられ、ＡＣＦ等を用いてそれらの端子が対向基板７ｂの端子１３ｂに導電接続されている。また、ＦＰＣ３ｂの他の端部に形成された複数の端子２３は、制御基板５の端子（図示せず）に接続されている。ＦＰＣ３ａでは、裏面側端部に複数のパネル側端子１４が形成され、その反対側の端部においてその表面側には複数の制御基板側端子１６が形成されている。ここで、ＦＰＣ３ａの表面には配線パターン１８が適宜、形成され、この配線パターン１８は、一方の端部で制御基板側端子１６に直接に接続し、他方の端部がスルーホール１９を介してパネル端子１４に接続している。
【００３９】
導光体４の液晶パネル２側の表面には、拡散板２７が貼着等によって装着され、導光体４の液晶パネル２と反対側の表面には、反射板２８が貼着等によって装着される。また、導光体４の１つの側面に設定された光取込み面４ａに対向して発光手段としての複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）２１がＬＥＤ基板３８に支持されて配置されている。
【００４０】
図４に示すように、導光体４は、ゴム、プラスチック等によって形成された緩衝材３２を挟んで液晶パネル２の裏面側に取り付けられる。また、制御基板５は導光体４の反射板２８が装着された面に対向して配設される。なお、制御基板５の端部には、外部回路との接続をとるための端子３３が形成される。
【００４１】
このように構成した液晶装置１において、ＬＥＤ２１が発光すると、その光が導光体４へ導入され、その導入された光が反射板２８で反射して液晶パネル２の方向へ進行し、拡散板２７によって平面内で一様な強度となるように拡散された状態で液晶パネル２へ供給される。供給された光は導光体側の偏光板１２ａを通過した成分が液晶層へ供給され、さらに画素電極６６とデータ線５２との間に印加される電圧の変化に応じて画素毎に配向が制御された液晶によって画素毎に変調され、さらにその変調光を表示側の偏光板１２ｂに通すことにより、外部に像を表示する。
【００４２】
［液晶装置の製造方法］
図５は、本形態の液晶装置１の製造方法の一例を示す工程図である。図６は、液晶パネル２を構成する１対の基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図７は、素子基板形成工程を示す工程断面図である。図８は、素子基板形成用の元基板に対するシール材印刷工程、および対向基板形成用の元基板に対するラビング工程までを終えた状態を模式的に示す斜視図である。図９は、素子基板形成用の元基板と、対向基板形成用の元基板とを貼り合わせて空のパネルを構成した状態を模式的に示す平面図である。図１０（ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、空のパネルを１次切断工程により短冊状に切断した状態を示す説明図、およびこの短冊状のパネルに液晶を注入した後、その注入口を封止材で封止した状態を示す説明図である。
【００４３】
本形態において、液晶装置１および液晶パネル２を製造するにあたっては、図５に示す能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５からなる素子基板形成工程と、カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。
【００４４】
まず、素子基板形成工程（能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５）において、図６に示すような大面積の元基板２４ａを準備する。この元基板２４ａは、例えば、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成されている。ここで、元基板２４ａは、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ１１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ１２に沿って切断されて素子基板７ａが複数個取りされ、その周辺領域７ｃは、廃棄される。
【００４５】
本形態では、この元基板２４ａに対して、まず、能動素子形成工程Ｐ１を行うことにより、液晶パネル複数枚分の配線５１およびＴＦＤ素子５６を形成する。図６では、便宜上、元基板２４ａの表面に液晶パネル６枚分のパターンが形成されている様子を示してあるが、実際の工程では、より多数の液晶パネル分のパターンが元基板２４ａ上に形成される。
【００４６】
能動素子形成工程Ｐ１は、例えば、図７に示すように行われる。すなわち、下地層形成工程（ａ）において、元基板２４ａの表面にＴａ酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層６１を形成する。
【００４７】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いて走査線５１の第１層、および第１金属層６２などを同時に形成する。このとき、走査線５１の第１層と第１金属層６２とはブリッジ部（図示せず）で繋がっている。
【００４８】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）において、走査線５１の第１層を陽極端子として陽極酸化処理を行い、その走査線５１および第１金属層５２の表面に絶縁膜６３として作用する陽極酸化膜を一様な厚さで形成する。これにより、走査線５１の表面に絶縁層（第２層）が形成されるとともに、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの絶縁層６３が形成される。なお、絶縁層形成工程（ｃ）を行うにあたって、走査線５１は、図８および図１３（ａ）を参照して後述するように、周辺領域７ｃに形成された給電パターン５９に対して、２次切断予定線Ｌ１２に沿って形成された中継パターン５５を介して接続されており、給電パターン５９から各走査線５１に対して電圧供給が行われる。
【００４９】
次に、ブリッジ部除去工程（ｄ）においては、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を元基板２４ａから除去する。これにより、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの第１金属層６２および絶縁層６３が走査線５１から島状に分断される。
【００５０】
次に、第２金属層形成工程（ｅ）において、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、走査線５１の第３層、第１ＴＦＤ素子５６ａの第２金属層６４ａ、および第２ＴＦＤ素子５６ｂの第２金属層６４ｂを形成する。以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６が元基板２４ａの表面に液晶パネルの枚数分だけ形成される。
【００５１】
次に、図５の画素電極形成工程Ｐ２が行われる。具体的には、まず、図７の下地層形成工程（ｆ）において、画素電極６６に相当する領域の下地層６１を除去して元基板２４ａを露出させた後、電極工程（ｇ）において、画素電極６６を形成するためのＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極６６をその一部が第２金属層６４ｂ重なるように形成する。これらの一連の工程により、図２に示すＴＦＤ素子５６および画素電極６６が形成される。この状態における元基板７ａの様子は、図８に示すとおりである。
【００５２】
しかる後には、図５の配向膜工程Ｐ３において、元基板２４ａの表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜を形成した後、ラビング処理工程Ｐ４において、配向膜に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００５３】
次に、シール材印刷工程Ｐ５において、図８に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材６を環状に塗布する。なお、シール材６の一部分には、液晶の注入口６ａが形成される。
【００５４】
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程（カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０）を行う。それには、まず、図６において、例えば、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成された大面積の大型基板２４ｂを用意した後、カラーフィルタ形成工程Ｐ６において、元基板２４ｂの表面上に液晶パネルの枚数分、カラーフィルタを形成する。
【００５５】
この元基板２４ｂは、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ２１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ２２に沿って切断されて対向基板７ｂが複数個取りされる。なお、図６では、便宜上、元基板２４ｂの表面に液晶装置６個分が表されているが、実際の工程では、より多数の液晶装置分が形成される。ここで、カラー表示が必要でない場合には、カラーフィルタを形成する必要はない。
【００５６】
次に、平坦化層形成工程Ｐ７において、カラーフィルタの上に平坦化層（図示せず）を一様な厚さに形成して表面を平坦化する。
【００５７】
次に、対向電極形成工程Ｐ８において、ＩＴＯ膜等によりストライプ状の対向電極、すなわち、データ線５２を形成する。
【００５８】
次に、配向膜形成工程Ｐ９において、データ線５２等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１０において、配向膜に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板側の元基板２４ｂが完成する。
【００５９】
その後、図８および図９に示すように、素子基板形成用の元基板２４ａと対向基板形成用の元基板２４ｂとを位置合わせした上でシール材６を間に挟んで、元基板２４ａ、２４ｂ同士を貼り合わせ（貼り合わせ工程Ｐ１１）、さらに紫外線硬化、熱硬化又はその他の方法でシール材６を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ１２）。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体２ａが形成される。
【００６０】
その後、空のパネル構造体２ａに対して、図６を参照して説明した第１の切断予定線Ｌ１１、Ｌ２１に沿って切断溝を形成し、さらに切断溝を基準にパネル構造体２ａを、図１０（ａ）に示すような、短冊状のパネル構造体２ｂに切断する（１次切断工程Ｐ１３）。この短冊状のパネル構造体２ｂにおいて、元基板２４ａ、２４ｂに対する切断箇所では、シール材６の途切れ部分からなる液晶注入口６ａが外部に開口している。
【００６１】
次に、露出した液晶注入口６ａからパネル構造体２ｂの内側に液晶を減圧注入した後（液晶注入工程Ｐ１４）、図１０（ｂ）に示すように、各液晶注入口６ａに対して樹脂等の封止材６０を塗布して、各液晶注入口６ａを封止する（注入口封止工程Ｐ１５）。なお、この工程により、パネル構造体２ｂに液晶が付着するので、液晶を注入し終えたパネル構造体２ｂは洗浄処理を受ける（洗浄工程Ｐ１６）。
【００６２】
その後、パネル構造体２ｂに対しては、図６を参照して説明した第２の切断予定線Ｌ１２、Ｌ２２に沿って切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体２ｂにおいて元基板２４ａ、２４ｂを切断することにより、複数個の液晶パネル２が切り出される（２次切断工程Ｐ１７）。
【００６３】
しかる後に、液晶パネル２に液晶駆動用ＩＣ８ａ、８ｂ、制御基板５などを実装し、さらにＦＰＣ３ａ、３ｂを接続することにより、液晶装置１が完成する（実装工程Ｐ１８）。
【００６４】
（本形態の特徴点）
図１１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ａで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、図１１（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。図１２は、本発明を適用した液晶装置の製造方法において、短冊状のパネルに対して液晶を注入した後、液晶注入口を封止材で封止した様子を示す説明図である。図１３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｂで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、図１３（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。図１４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｃで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、図１４（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【００６５】
本発明に係る液晶装置１の製造方法において、貼り合わせ工程Ｐ１１を行う直前の元基板２４ａは、図８に示すように構成され、この図８において、元基板２４ａの丸Ａで囲んだ領域では、図１１（ａ）に示すように、１次切断予定線Ｌ１１に沿って、１次切断予定線Ｌ１１に所定幅をもって重なる矩形のべたのマーク１００が形成されている。このマーク１００は、１次切断工程Ｐ１３を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されるＴａ膜、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜、あるいはこれらの膜を積層した多層膜である。
【００６６】
ここで、マーク１００は、シール材６の途切れ部分からなる液晶注入口６ａの両側２箇所に形成されている。
【００６７】
このように構成した素子基板形成用の元基板２４ａに対して対向基板形成用の元基板２４ｂを貼り合わせてパネル構造体２ａを構成した後、１次切断工程Ｐ１３において、パネル構造体２ａを１次切断予定線Ｌ１１、２１に沿って切断するとき、マーク１００の幅方向の中央を通るように切断溝を形成してパネル構造体２ａを切断する。ここで、マーク１００の幅寸法Ｗ１については、この切断箇所の公差に対応した幅寸法にしてある。
【００６８】
従って、パネル構造体２ａを短冊状のパネル構造体２ｂに切断したとき、切断箇所の両側にマーク１００の一部が各々残っているか否かを確認すれば、切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、図１１（ｂ）に示すように、切断箇所の両側にマーク１００の一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみマーク１００が残り、他方にマーク１００が残らない。
【００６９】
このような１次切断工程Ｐ１３を終えた後、短冊状のパネル構造体２ｂでは、１０（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、その切断箇所で液晶注入口６ａが開口し、液晶注入口６ａの両側２箇所にマーク１００の一部が残っている。
【００７０】
そこで、液晶注入工程Ｐ１４においては、短冊状のパネル構造体３ｂの状態で液晶注入口６ａから液晶を注入した後、封止工程Ｐ１５においては、マーク１００を基準にして、液晶注入口６ａに封止材６０を塗布する。すなわち、図１２に示すように、液晶注入口６ａの両側に位置するマーク１００の端部に封止材６０がかからないように、即ち、液晶注入口６ａの両側に位置するマーク１００の端部からはみ出さないように封止材６０を塗布し、しかる後に、封止材６０を硬化させる。それ故、液晶注入口６ａを確実に封止できるとともに、封止材６０を塗布しすぎることもない。
【００７１】
また、本形態において、マーク１００は、図７を参照して説明した素子基板形成工程において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されたＴａ膜、あるいは、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜であり、このような膜については、ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより形成できるので、マーク１００を形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基準にして１次切断工程Ｐ１３に対する検査、あるいはマーク１００を基準にしての封止材６０の塗布を行うのが容易である。
【００７２】
また、本形態では、その他の切断箇所においても、切断精度を容易に検査できるような構成が採用されている。
【００７３】
まず、図８において丸Ｂで囲った領域では、図１３に示すように、各走査線５１の端部は、走査線５１に一対一で対応する中継パターン５５を介して給電パターン５９に接続しており、この中継パターン５５を横切るように２次切断予定線Ｌ１２が通っている。従って、元基板２４ａにおいて、走査線５１の端部と給電パターン５９とは、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に第１のパターン２０１と第２のパターン２０２として所定の距離を隔てて対向し、かつ、第１のパターン２０１と第２のパターン２０２との間において、中継パターン５５は、第１のパターン２０１および第２のパターン２０２と幅寸法、形状、色および形成位置などといった形態の異なる境界パターン２０３として形成されている。また、境界パターン２０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ２は、この切断箇所での公差に対応する寸法になっている。
【００７４】
それ故、２次切断工程Ｐ１７において、短冊状のパネル構造体２ｂに対して２次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断するとき、切断箇所の両側に境界パターン２０３（中継パターン５５）の一部が残るように元基板２４ａを切断した後、切断箇所の両側に境界パターン２０３の一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、図１３（ｂ）に示すように、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１３（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみ境界パターン２０３が残り、他方に境界パターン２０３が残らない。
【００７５】
ここで、走査線５１の端部からなる第１のパターン２０１、給電パターン５９からなる第２のパターン２０２、および中継パターン５５からなる境界パターン２０３は、１次切断工程Ｐ１３および２次切断工程Ｐ１７を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されるＴａ膜、あるいは、陽極酸化処理後、このＴａ膜の表面に対して第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜が積層された多層膜であり、このような膜は、ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより形成される。それ故、切断検査用の境界パターン２０３などを形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基準にして２次切断工程Ｐ１７に対する検査を容易に行うことができる。
【００７６】
さらに、本形態において、図８において丸Ｃで囲った領域では、図１４（ａ）に示すように、端子１３ａからなる第１のパターン３０１と、周辺領域に形成された第２のパターン３０２とが、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向し、かつ、第１のパターン３０１と第２のパターン３０２との間には、これらのパターン３０１、３０２と幅寸法の異なる境界パターン３０３が形成されている。ここで、境界パターン３０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ３は、２次切断予定線Ｌ１２で元基板２４ａを切断するときの公差に対応する寸法になっている。
【００７７】
従って、２次切断工程Ｐ１３において、短冊状のパネル構造体２ｂを２次切断予定線Ｌ１２に沿って切断するときは、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が残るように元基板２４ａを切断し、しかる後に、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、図１４（ｂ）に示すように、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１４（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみ境界パターン３０３が残り、他方に境界パターン３０３が残らない。
【００７８】
ここで、端子１３ａからなる第１のパターン３０１、第２のパターン３０２、および境界パターン３０３は、１次切断工程Ｐ１３および２次切断工程Ｐ１７を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成されるＴａ膜、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜、あるいはこれらの膜を積層した多層膜であり、このような膜は、ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより形成できる。それ故、切断検査用の境界パターン３０３を形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基準にして二次切断工程Ｐ１７に対する検査を容易に行うことができる。
【００７９】
［その他の実施の形態］
図１５（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の構成を示す平面図、および説明図である。図１６は、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の別の構成を示す平面図である。図１７は、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近のさらに別の構成を示す平面図である。
【００８０】
図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、元基板２４ａにおいて、端子１３ａは、Ｔａ膜とＣｒ膜の２層構造として形成される場合が多いので、例えば、第１のパターン４０１および第２のパターン４０２については、Ｔａ膜とＣｒ膜の２層構造とし、境界パターン４０３については、Ｔａ膜のみから構成してもよい。このように構成した場合、Ｃｒ膜とＴａ膜とは、色相が異なるので、これらのパターン４０１、４０２、４０３の形状が同一でも、切断箇所の両側に境界パターン４０３の一部が各々残っているか否かを確認することが可能である。
【００８１】
また、図１６に示すように、元基板２４ａに対して、給電パターン５９などを形成するときに、このパターンを、所定幅をもって二次切断予定線Ｌ１２を跨ぐ境界パターン５０３として形成しておくとともに、切断工程では、切断箇所の両側に境界パターン５０３の一部が残るように元基板２４ａを二次切断予定線Ｌ１２に沿って切断してもよい。
【００８２】
この際に、境界パターン４０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ５を、この部分を切断するときの公差に対応する寸法としておく。従って、二次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断したとき、切断箇所の両側で境界パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターン５０３の一部が残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターン５０３が残り、他方に境界パターン５０３が残らないからである。このようなパターンについても、元基板２４ａに形成された配線または電気素子を形成する薄膜、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜と同時形成することができる。
【００８３】
さらに、図１７に示すように、元基板２４ａに対して、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターン６０１および第２のパターン６０２を形成しておき、切断工程Ｐ１７では、切断箇所の両側で前記第１のパターン３０１および第２のパターン３０２が欠けないように元基板２４ａを２次切断予定線Ｌ１２に沿って切断してもよい。
【００８４】
このような構成は、例えば、図１３（ａ）を参照して説明した構成において、陽極酸化処理が終った後、切断工程を行う前に、中継パターン５５を除去しておき、切断工程で発生した静電気が中継パターン５５を介して基板内に侵入するような場合に相当する。
【００８５】
このような構成においては、第１のパターン６０１と第２のパターン６０２とを元基板２４ａを切断するときの公差に対応する距離Ｗ６を隔てて形成する。従って、二次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断したとき、切断箇所の両側で第１のパターン６０１および第２のパターン６０２が欠けることなく残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に第１のパターン６０１および第２のパターン６０２が欠けずに残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方で第１のパターン６０１あるいは第２のパターン６０２が欠けてしまうからである。
【００８６】
なお、上記実施形態では、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置１を例に説明したが、能動素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置に本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００８７】
（電子機器の実施形態）
図１８は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶パネル７５としては、前述した液晶装置１および液晶パネル２を用いることができる。
【００８８】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００８９】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。駆動回路７６は、図１における走査線駆動回路５７やデータ線駆動回路５８、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００９０】
図１９は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００９１】
図２０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、元基板を切断するときの公差に対応する幅のマークを元基板に形成しておくので、切断予定線に沿って、元基板を切断したとき、切断箇所の両側にマークの一部が各々残っているか否かを確認すれば、切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両側にマークの一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみマークが残り、他方にマークが残らないからである。また、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた空パネルにおいて、基板に対して電気光学物質を注入するための注入口は、元基板に対する切断箇所で開口しているので、切断工程の良否を検査するのに用いたマークを、元基板に対する切断箇所のうち、注入口に塗布する封止材の塗布範囲を示す位置に形成しておけば、マークを基準に封止材を塗布できる。それ故、封止材の塗布量の多寡に起因する不具合の発生を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置の液晶パネルにおいて液晶層を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、および図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の分解斜視図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の断面図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図６】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルを構成する１対の基板を製造するのに用いた元基板の説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置の製造工程のうち、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、工程素子基板形成用の元基板に対するシール材印刷工程、および対向基板形成用の元基板に対するラビング工程までを終えた状態を模式的に示す斜視図である。
【図９】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、素子基板形成用の元基板と、対向基板形成用の元基板とを貼り合わせて空のパネルを構成した状態を模式的に示す平面図である。
【図１０】（ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図９に示す空のパネルを１次切断工程により短冊状に切断した状態を示す説明図、およびこの短冊状のパネルに液晶を注入した後、その注入口を封止材で封止した状態を示す説明図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ａで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【図１２】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、短冊状のパネルに対して液晶を注入した後、液晶注入口を封止材で封止した様子を示す説明図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｂで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｃで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の構成を示す平面図、および説明図である。
【図１６】図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近の別の構成を示す平面図である。
【図１７】図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予定線付近のさらに別の構成を示す平面図である。
【図１８】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１９】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図２０】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置）
２ 液晶パネル
２ａ 大型のパネル構造体
２ｂ 短冊状のパネル構造体
６ シール材
６ａ 液晶注入口
７ａ 素子基板
７ｂ 対向基板
８ａ、８ｂ 液晶駆動用ＩＣ
１２ａ、１２ｂ 偏光板
１７ａ 素子基板を構成する基板
１７ｂ 対向基板を構成する基板
２４ａ 素子基板形成用の元基板
２４ｂ 対向基板形成用の元基板
５１ 走査線
５２ データ線
５３ 画素
５４ 液晶層
５５ 中継パターン
５６ ＴＦＤ素子
５７ 走査線駆動回路
５８ データ線駆動回路
５９ 給電パターン
６０ 封止材
６１ 下地層
６２ 第１金属層
６３ 絶縁層
６４ａ、６４ｂ 第２金属層
６６ 画素電極
１００ マーク
２０１、３０１、４０１、６０１ 第１のパターン
２０２、３０２、４０２、６０２ 第２のパターン
２０３、３０３、４０３ 境界パターン
Ｌ１１、Ｌ２１ １次切断予定線
Ｌ１２、Ｌ２２ ２次切断予定線
Claims (12)
- 第１の基板を形成するための元基板を切断予定線に沿って切断する切断工程と、前記第１の基板に第２の基板を貼り合わせた空パネルにおいて前記元基板に対する切断箇所で開口する注入口を介して基板間に電気光学物質を注入する注入工程と、前記注入口に封止材を塗布して当該注入口を封止する封止工程とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記元基板のうち、前記切断予定線に重なり、かつ、前記封止材の塗布範囲を指示する位置に所定幅のマークを形成する工程を具備し、
前記切断工程では、切断箇所の両側に前記マークの一部が各々残るように前記切断予定線に沿って前記元基板を切断し、
前記封止工程では、前記マークを基準に前記封止材を所定の範囲に塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項１において、前記マークは、前記注入口を挟む両側２箇所に各々形成され、前記封止工程では、前記注入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口側の端部に重ならない範囲に前記封止材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項１または２において、前記マークを、前記元基板に形成される配線あるいは電気素子を構成する薄膜と同時形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項１または２において、前記マークをＴａ膜またはＣｒ膜から形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターンと第２のパターンとを形成するとともに、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間には、これらのパターンと形態の異なる境界パターンを形成する工程を具備し、
前記切断工程では、切断箇所の両側に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項５において、前記第１のパターンを、前記第１の基板として切り出される基板形成領域に形成される複数の配線の端部として形成する一方、前記第２のパターンを、前記基板形成領域から切り離される周辺領域に給電パターンとして形成し、前記境界パターンを、前記第１のパターンの各々を前記第２のパターンに電気的に接続する中継パターンとして形成し、
前記切断工程を行う前に、前記第２のパターンから前記境界パターンを経て前記第１のパターンに給電して、前記第１のパターンあるいは該第１のパターンに電気的に接続する導電膜に対して陽極酸化処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項６において、前記陽極酸化処理は、前記導電膜、および該導電膜の表面に形成された絶縁膜を用いて電気素子を形成するための陽極酸化処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項７において、前記電気素子は、画素スイッチング用のＴＦＤ素子であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記元基板に対して、所定幅をもって前記切断予定線を跨ぐパターンを形成する工程を具備し、
前記切断工程では、切断箇所の両側に前記パターンの一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項１ないし４のいずれかおいて、前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向する第１のパターンおよび第２のパターンを形成する工程を具備し、
前記切断工程では、切断箇所の両側で前記第１のパターンおよび第２のパターンが欠けないように前記元基板を前記切断予定線に沿って切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項５ないし１０のいずれかにおいて、前記パターンの各々を、前記元基板に形成された配線あるいは電気素子を形成する薄膜と同時形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項５ないし１０のいずれかにおいて、前記パターンの各々をＴａ膜またはＣｒ膜から形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374301A JP3899806B2 (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374301A JP3899806B2 (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002174819A JP2002174819A (ja) | 2002-06-21 |
| JP3899806B2 true JP3899806B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=18843515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000374301A Expired - Fee Related JP3899806B2 (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3899806B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4148086B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2008-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネルの製造方法及び液晶パネル |
| CN101233554B (zh) | 2005-09-15 | 2010-08-18 | 夏普株式会社 | 显示板 |
| JP4731576B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-07-27 | シャープ株式会社 | 表示パネル |
| JP2008257014A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sony Mobile Display Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| GB2510994B (en) * | 2010-06-04 | 2014-12-31 | Plastic Logic Ltd | Edge detection |
| JP5769989B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2015-08-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN106125413A (zh) * | 2016-08-25 | 2016-11-16 | 广西钦州天山微电子有限公司 | 一种直线切角lcd显示器及其制造方法 |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000374301A patent/JP3899806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002174819A (ja) | 2002-06-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060907 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061218 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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