JP2005099311A - 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 元基板に対する切断の適否を判定するためのマークを付しても、元基板を切断する際に発生する静電気が配線や電気素子に入り込むことのない電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置の素子基板20を元基板200から切り出す際の良否を判定することを目的に、TFD素子の第1金属層のTaを形成する際、1次切断予定線L11、2次切断予定線L12の交差部分80に対して、1次切断予定線L1の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第1の線状マーク81と、2次切断予定線L12の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第2の線状マーク82と、1次切断予定線L11上に沿って延びた第3の線状マーク83と、2次切断予定線L12上に沿って延びた第4の線状マーク84とを形成しておく。
【選択図】 図9
【解決手段】 電気光学装置の素子基板20を元基板200から切り出す際の良否を判定することを目的に、TFD素子の第1金属層のTaを形成する際、1次切断予定線L11、2次切断予定線L12の交差部分80に対して、1次切断予定線L1の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第1の線状マーク81と、2次切断予定線L12の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第2の線状マーク82と、1次切断予定線L11上に沿って延びた第3の線状マーク83と、2次切断予定線L12上に沿って延びた第4の線状マーク84とを形成しておく。
【選択図】 図9
Description
本発明は、配線や電気素子を形成した元基板を切断して電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、この電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、切断工程の適否の判定技術に関するものである。
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。このような液晶装置のうち、画素スイッチング素子としてTFD素子を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置では、画素毎に画素スイッチング用の非線形素子としてのTFD素子、および画素電極が絶縁基板上に形成された素子基板(電気光学装置用基板)と、対向電極が形成された対向基板との間に液晶を充填しておき、各画素毎に液晶に印加される電界を制御して、液晶の配向を制御し、所定の画像情報を表示する。
このような基板を製造するには、一般に、大型の元基板の状態で各種配線など形成しておき、しかる後に、元基板を切断して所定サイズの基板を得る。ここで、元基板に対する切断の適否を判定するために、元基板の切断予定線付近には丸や矢印といったマークを付しておくことが一般的である(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−231086号公報
電気光学装置に用いる基板の場合、画像表示領域を広く確保し、かつ、表示に直接、寄与しない額縁領域と称せられる外周領域を狭くしてあるため、切断線の近傍に配線や電気素子が位置している。それ故、電気光学装置に用いる基板を元基板から切り出す際に静電気が配線や電気素子が形成されている側に入り込んで、配線や電気素子が損傷しやすいという問題点がある。しかるに上記特許文献に開示のマークは、丸や矢印といった、比較的面積をとってしまう形態であるため、マークを導電膜で形成した場合、切断時に、このマークを介して、配線や電気素子に静電気が入り込みやすいという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、元基板に対する切断の適否を判定するためのマークを付しても、元基板を切断する際に発生する静電気が配線や電気素子に入り込むことのない電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、この電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、絶縁性の元基板の表面に成膜工程およびパターニング工程により少なくとも配線を形成した後、前記元基板を切断してなる電気光学装置用基板の製造方法において、前記元基板上で互い直交する2方向をX方向およびY方向としたとき、X方向に延びる前記元基板に対する第1の切断予定線と、Y方向に延びる前記元基板に対する第2の切断予定線との交差部分には、導電膜によって、前記第1の切断予定線の近傍で当該第1の切断予定線と平行に延びた第1の線状マークと、前記第2の切断予定線の近傍で当該第2の切断予定線と平行に延びた第2の線状マークと、前記第1の切断予定線上に沿って延びた第3の線状マークと、前記第2の切断予定線上に沿って延びた第4の線状マークとを形成しておくことを特徴とする。
本発明において、前記元基板を前記第1の切断予定線および前記第2切断予定線に沿って切断して前記電気光学装置用基板を切り出した後、前記第1、第2、第3、および第4の線状マークの残り具合に基づいて前記元基板に対する切断の適否を判定する。
本発明において、前記第1、第2、第3、および第4の線状マークは、前記配線を構成する導電膜と同時形成されていることが好ましい。このように構成すると、マークを形成することを目的に新たな工程を追加する必要がない。
本発明において、前記第1の線状マークと前記第2の線状マークは、前記交差部分に近い方の端部同士が繋がっている構成、および前記交差部分に近い方の端部同士が離間している構成を採用することができる。
本発明では、絶縁性基板の表面に薄膜パターンによって少なくとも配線が形成された電気光学装置用基板において、前記絶縁性基板上で直交する2方向をX方向およびY方向としたとき、前記絶縁性基板の表面には、X方向に延びた第1の基板縁とY方向に延びた第2の基板縁とが形成する角部分に、導電膜によって、前記第1の基板縁近傍で当該第1の基板縁に平行に延びた第1の線状マークと、前記第2の基板縁近傍で当該第2の基板縁に平行に延びた第2の線状マークとが形成されていることを特徴とする。
本発明において、前記第1、第2、第3、および第4の線状マークは、いずれも前記配線を構成する導電膜と同一の材料からなることが好ましい。
本発明において、前記第1の線状マークと前記第2の線状マークは、前記角部分に近い方の端部同士が繋がっている構成、および前記角部分に近い方の端部同士が離間している構成のいずれを採用してもよい。
本発明において、前記電気光学装置用基板は、液晶装置に用いることができる。この場合、前記電気光学装置用基板は、該電気光学装置用基板と対向配置された別の基板との間に前記電気光学物質としての液晶を保持する。
ここで、前記電気光学装置用基板は、エレクトロルミネッセンス表示装置に用いることができる。この場合、前記電気光学装置用基板は、エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料を保持する。
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
本発明では、元基板の第1の切断予定線と第2の切断予定線との交差部分に形成されているマークは、線状であるため、電気光学装置用基板において、配線や電気素子が形成されている領域から最も距離を隔てた形態になっている。このため、マークを導電膜によって形成した場合でも、元基板を切断する際に発生する静電気がマークを介して配線や電気素子に入り込むことがない。それ故、電気光学装置用基板の歩留まりや信頼性を向上することができる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置用基板のうち、画素スイッチング素子としてTFD素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に用いられる素子基板を例に説明する。
[電気光学装置の全体構成]
図1は、本発明が適用される電気光学装置(液晶装置)の電気的構成を示すブロック図である。図2および図3はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。
図1は、本発明が適用される電気光学装置(液晶装置)の電気的構成を示すブロック図である。図2および図3はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。
図1に示すように、本形態の電気光学装置100では、複数本の走査線51行(X)方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線52が列(Y)方向に延在して形成されている。また、画素部100aにおいて、走査線51とデータ線52との各交差点に対応する位置に画素53が形成され、これら画素53は、マトリクス状に配置されている。各画素53では、液晶層54と二端子型アクティブ素子たるTFD(Thin Film Diode/薄膜ダイオード)素子56とが直列接続しており、図1に示す例では、液晶層54が走査線51の側に、TFD素子56がデータ線52の側にそれぞれ接続されている。なお、液晶層54がデータ線52の側に、TFD素子56が走査線51の側にそれぞれ接続されることもある。また、各走査線51は、走査線駆動回路57によって駆動される一方、各データ線52は、データ線駆動回路58によって駆動される構成となっている。
このような電気光学装置100は、例えば、図2に示すように構成される。ここで、対向配置された一対の基板のうち、一方の基板は、前記のTFD素子や画素電極が形成される素子基板20(電気光学装置用基板)であり、他方の基板は、対向基板30である。
これらの基板のうち、素子基板20の内側表面には、図3に示すように、複数本のデータ線52と、それらのデータ線52に接続される複数のTFD素子56と、それらのTFD素子56と1対1に接続される画素電極23とが形成されている。データ線52は、図3において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、TFD素子56および画素電極23は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極23などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜24が形成されている。
一方、対向基板30の内側表面には、カラーフィルタ38が形成されており、「R」、「G」、「B」の3色の着色層を構成している。なお、これら3色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス39が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ38およびブラックマトリクス39の表面にはオーバーコート層37が形成され、さらにその表面には、走査線51として機能する対向電極31が、データ線52と直交する方向に形成されている。なお、オーバーコート層37は、カラーフィルタ38およびブラックマトリクス39の平滑性を高めて、対向電極31の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極31の表面には、ラビング処理が施された配向膜34が形成されている。なお、配向膜24、34は、一般にポリイミド等から形成される。
素子基板20と対向基板30とは、スペーサ(図示省略)を含むシール材104によって一定の間隙を保って接合され、この間隙に、液晶105が封入された構成となっている。また、素子基板20の外側表面には、配向膜24へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板217が貼着され、対向基板30の外側表面には、配向膜34へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板317が貼着されている。
なお、本形態の電気光学装置100は、図2に示すように、COG(Chip On Glass)技術が適用されて、素子基板20の表面に直接、液晶駆動用ICチップ250が実装されている。この結果、液晶駆動用IC250の各出力端子が、データ線52のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板30の表面にも直接、液晶駆動用ICチップ350が実装されて、液晶駆動用ICチップ350の各出力端子が、走査線51たる対向電極31のそれぞれに接続されている。
なお、COG技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ICチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いて、FPC(Flexible Printed Circuit)の上にICチップがボンディングされたTCP(Tape Carrier Package)を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ICチップをハード基板にボンディングするCOB(Chip On Board)技術を用いても良い。
[画素の構成]
図4は、電気光学装置において、TFD素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図5は、各画素に形成されたTFD素子の説明図である。
図4は、電気光学装置において、TFD素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図5は、各画素に形成されたTFD素子の説明図である。
図4および図5において、TFD素子56は、第1のTFD素子56aおよび第2のTFD素子56bからなり、素子基板20の表面に形成された下地層201上において、第1金属膜222と、この第1金属膜222の表面に陽極酸化によって形成された酸化膜からなる絶縁層224と、この表面に形成されて相互に離間した第2金属膜226a、226bとから構成されている。また、第2金属膜226aは、そのままデータ線52となる一方、第2金属膜226bは、画素電極23に接続されている。なお、データ線52は、第1金属膜222と同時形成された第1金属層223を有している。
下地層201は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化レンタル(Ta2O5)によって構成されている。第1金属層222は、例えば、厚さが100〜500nm程度タンタル単体膜、タンタル合金膜等によって形成され、絶縁層224は、陽極酸化法によって第1金属層222の表面を酸化することによって形成された厚さが10〜35nmの酸化タンタル(Ta2O5)である。第2金属層226a、226bは、例えばクロム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm程度の厚さに形成されている。
ここで、第1のTFD素子56aは、データ線52の側からみると順番に、第2金属膜226a/絶縁層224/第1金属膜222となって、金属(導電体)/絶縁体/金属(導電体)のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第2のTFD素子56bは、データ線52の側からみると順番に、第1金属膜222/絶縁層224/第2金属膜226bとなって、第1のTFD素子56aとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、TFD素子56は、2つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、1つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、1つのTFD素子のみを用いても良い。
画素電極23は、透過型として用いられる場合には、ITO(Indium Tin Oxide)などの導電性の透明膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、アルミニウムや銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極23は、反射型であってもITOなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後、絶縁層を介して透明な画素電極23が形成される。一方、半透過反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過反射膜とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。素子基板20自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板20の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図5において、素子基板20の表面に下地層201が設けられる理由は、熱処理により、第1金属膜222、223が下地から剥離しないようにするとともに、第1金属膜222、223に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、下地層201は省略可能である。
[電気光学装置の製造方法]
図6は、本形態の電気光学装置100の製造方法の一例を示す工程図である。図7は、電気光学装置を構成する素子基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図8は、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
図6は、本形態の電気光学装置100の製造方法の一例を示す工程図である。図7は、電気光学装置を構成する素子基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図8は、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
本形態において、電気光学装置100を製造するにあたっては、図6に示す能動素子形成工程P1〜シール材印刷工程P5からなる素子基板形成工程と、カラーフィルタ形成工程P6〜ラビング処理工程P10からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、これらの工程は、素子基板20および対向基板30を多数取りできる大型の元基板の状態で行われる。
素子基板形成工程(能動素子形成工程P1〜シール材印刷工程P5)においては、図7に示すような大面積の元基板200を準備する。この元基板200は、例えば、ガラス等といった透光性の絶縁基板によって形成されている。ここで、元基板200は、後々、一点鎖線で示す仮想の1次切断予定線L11(X方向に延びる第1の切断予定線)、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線L12(Y方向に延びる第2の切断予定線)に沿って切断されて素子基板20が複数個取りされ、その周辺領域209は廃棄される。
本形態では、元基板200に対して、まず、能動素子形成工程P1を行うことにより、電気光学装置複数個分のデータ線52およびTFD素子56を形成する。図7では、便宜上、元基板200から素子基板20を8枚分、形成する様子を示してあるが、実際の工程では、より多数の素子基板20が元基板200から製造される。
まず、能動素子形成工程P1は、例えば、図8に示す下地層形成工程(a)において、元基板200の表面にタンタル酸化物、例えば、Ta2O5を一様な厚さに成膜して下地層201を形成する。
次に、第1金属層形成工程(b)において、例えば、Taをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線52の第1金属層223、およびTFD素子56の第1金属層222を同時にパターニング形成する。このとき、データ線52の第1層と第1金属層222とはブリッジ部(図示せず)で繋がっている。また、この工程で、後述するマークも形成する。
次に、絶縁層形成工程(c)においては、複数枚の元基板200を電解液に浸漬した状態で陽極酸化を行う。その際、データ線52の第1金属層223を介して第1金属層222に給電され、それらの表面には、絶縁層224として作用する陽極酸化膜が形成される。
次に、アニール工程(d)においては、複数枚の元基板200を加熱する。その結果、絶縁層224内の転位や空孔などの欠陥密度が低減されるので、TFD素子56のI/V値を高くすることができる。
次に、第2金属層形成工程(e)において、Crをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線52の最上層、第1TFD素子56aの第2金属層226a、および第2TFD素子56bの第2金属層226bを形成する。以上により、能動素子であるTFD素子56が元基板200の表面に素子基板20の枚数分だけ形成される。
次に、ブリッジ部除去及び下地層除去工程(f)においては、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を元基板200から除去する。これにより、第1TFD素子56aおよび第2TFD素子56bの第1金属層222および絶縁層224が、データ線52から島状に分断される。なお、この工程では、ブリッジ部の他に、後述する給電パターンのうち、元基板200を切断予定線L11、L12に沿って切断した際に各素子基板20に残ってしまう不要な部分についても除去する。また、画素電極23に相当する領域の下地層201除去して元基板200を露出させる。
次に、図6の画素電極形成工程P2が行われる。具体的には、電極形成工程(g)において、画素電極23を形成するためのITOをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、1画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極23をその一部が第2金属層226bに重なるように形成する。これらの一連の工程により、図4および図5に示すTFD素子56および画素電極23が形成される。
しかる後には、図6の配向膜工程P3において、元基板200の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜24を形成した後、ラビング処理工程P4において、配向膜24に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
次に、シール材印刷工程P5において、図2に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材104を環状に塗布する。なお、シール材104の一部分には、液晶注入口(図示せず)を形成しておく。
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程(カラーフィルタ形成工程P6〜ラビング処理工程P10)を行う。それには、まず、素子基板20と同様、ガラス基板等といった透光性材料によって形成された大面積の大型基板を用意した後、カラーフィルタ形成工程P6において、元基板の表面上に対向基板30の枚数分、ブラックマトリクス39、およびカラーフィルタ38を形成する。
次に、平坦化層形成工程P7において、カラーフィルタ38の上に平坦化層37を一様な厚さに形成して表面を平坦化する。
次に、対向電極形成工程P8において、ITO膜等によりストライプ状の対向電極31、すなわち、走査線51を形成する。
次に、配向膜形成工程P9において、走査線51等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜34を形成した後、ラビング処理工程P10において、配向膜34に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板側の元基板が完成する。
その後、素子基板形成用の元基板200と対向基板形成用の元基板とを位置合わせた上でシール材104を間に挟んで、元基板同士を貼り合わせ(貼り合わせ工程P11)、さらに紫外線硬化その他の方法でシール材104を硬化させる(シール材硬化工程P12)。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体に対して、図7を参照して説明した第1の切断予定線L11に沿って切断溝を形成し、さらに切断溝を基準にパネル構造体を短冊状のパネル構造体に切断する(1次切断工程P13)。この短冊状のパネル構造体において、元基板に対する切断個所では、シール材104の途切れ部分からなる液晶注入口が外部に開口しているので、露出した液晶注入口からパネル構造体の内側に液晶を減圧注入した後(液晶注入工程P14)、各液晶注入口に対して樹脂等の封止材を塗布して、各液晶注入口を封止する(注入口封止工程P15)。なお、この工程により、パネル構造体に液晶が付着するので、液晶を注入し終えたパネル構造体は洗浄処理を受ける(洗浄工程P16)。その後、パネル構造体に対しては、図7を参照して説明した第2の切断予定線L12に沿って切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体において元基板を切断することにより、複数個の電気光学装置100が切り出される(2次切断工程P17)。しかる後に、電気光学装置100に液晶駆動用IC250、350などを実装し、電気光学装置100が完成する(実装工程P18)。
[切断適否確認用のマークの詳細説明]
このように構成した電気光学装置100を製造する際、元基板200の切断の良否を判定することを目的に、本形態では、第1金属層形成工程(b)において、Taによって、データ線52の第1金属層223、およびTFD素子56の第1金属層222を形成する際、X方向に延びる元基板200に対する1次切断予定線L11と、Y方向に延びる元基板200に対する2次切断予定線L12との交差部分80に対して、1次切断予定線L1の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第1の線状マーク81と、2次切断予定線L12の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第2の線状マーク82と、1次切断予定線L11上に沿って延びた第3の線状マーク83と、2次切断予定線L12上に沿って延びた第4の線状マーク84とを形成しておく。ここで、第1の線状マーク81と第2の線状マーク82は、交差部分80に近い方の端部同士が繋がっている。
このように構成した電気光学装置100を製造する際、元基板200の切断の良否を判定することを目的に、本形態では、第1金属層形成工程(b)において、Taによって、データ線52の第1金属層223、およびTFD素子56の第1金属層222を形成する際、X方向に延びる元基板200に対する1次切断予定線L11と、Y方向に延びる元基板200に対する2次切断予定線L12との交差部分80に対して、1次切断予定線L1の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第1の線状マーク81と、2次切断予定線L12の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第2の線状マーク82と、1次切断予定線L11上に沿って延びた第3の線状マーク83と、2次切断予定線L12上に沿って延びた第4の線状マーク84とを形成しておく。ここで、第1の線状マーク81と第2の線状マーク82は、交差部分80に近い方の端部同士が繋がっている。
また、第1金属層形成工程(b)において、Taによって、データ線52の第1金属層223、およびTFD素子56の第1金属層222を形成する際、素子基板20を形成するための元基板200と、対向基板を形成するための元基板とを貼り合わす際の位置合わせマーク89も交差部分80の近傍に形成しておく。
そして、1次切断工程P13、あるいは2次切断工程P17を行った後、線状マーク81〜84をブレイク確認マーク(チップコーナーマーク)として線状マーク81〜84の残り具合により、元基板200に対する切断の適否を判定する。例えば、一方に偏って切断が行われた場合、第3の線状マーク83や第4の線状マーク84が一方の素子基板20に残ってしまう。また、場合によっては、第1の線状マーク81や第2の線状マーク82が一方の素子基板20で欠けてしまう。従って、1次切断工程P13、あるいは2次切断工程P17を行った後、線状マーク81〜84の残り具合を確認すれば、元基板200に対する切断の適否を確実に判定することができる。従って、正常に切断された素子基板20では、X方向に延びた第1の基板縁205とY方向に延びた第2の基板縁206とが形成する角部分88には、少なくとも、第1の基板縁205近傍に第1の基板縁205に平行に延びた第1の線状マーク81が残り、第2の基板縁206近傍には第2の基板縁206に平行に延びた第2の線状マーク82が残っていることになる。
ここで、線状マーク81〜84は、線状であり、1次切断予定線L11および2次切断予定線L12の近傍に、極めて狭い面積しか占めていない。このため、第3および第4の線状マーク83、84だけでなく、第1および第2の線状マーク81、82も、データ線52やTFD素子56が形成されている画素部100aから離れている。また、第3および第4の線状マーク83、84だけでなく、第1および第2の線状マーク81、82も、位置合わせマーク89から離れている。
このため、他の工程をそのまま利用して、線状マーク81〜84を導電膜(Ta)から構成した場合でも、元基板200を1次切断予定線L11および2次切断予定線L12傍に沿って切断する際に発生した静電気は、線状マーク81〜84を介して、画素部100aに入り込むことがない。それ故、線状マーク81〜84を形成することを目的に新たな工程を追加せずに、データ線52やTFD素子56を構成する導電膜の形成工程をそのまま利用して、線状マーク81〜84を形成した場合でも、電気光学装置100a(素子基板20)の歩留まりや信頼性を向上することができる。
[その他の実施の形態]
なお、上記形態では、第1の線状マーク81と第2の線状マーク82は、交差部分80に近い方の端部同士が繋がっていたが、図10(A)、(B)に示すように、第1の線状マーク81と第2の線状マーク82は、交差部分80に近い方の端部同士が離間している構成を採用してもよい。
なお、上記形態では、第1の線状マーク81と第2の線状マーク82は、交差部分80に近い方の端部同士が繋がっていたが、図10(A)、(B)に示すように、第1の線状マーク81と第2の線状マーク82は、交差部分80に近い方の端部同士が離間している構成を採用してもよい。
また、上記形態は、TFDを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、以下に示す電気光学装置でも、絶縁性の元基板の表面に成膜工程およびパターニング工程により配線および電気素子を形成した後、元基板を切断して素子基板を形成するので、本発明を適用すれば、歩留まりおよび信頼性を向上することができる。また、本発明は、プラズマディスプレイ装置、FED(フィールドエミッションディスプレイ)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた装置などの各種の電気光学装置に用いる素子基板にも適用できる。
図11は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図12は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
図11に示すように、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置100bでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極109bを制御するための画素スイッチング用のTFT130bが形成されており、画像信号を供給するデータ線106bが当該TFT130bのソースに電気的に接続されている。データ線106bに書き込む画像信号は、データ線駆動回路102bから供給される。また、TFT130bのゲートには走査線131bが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線131bにパルス的に走査信号が走査線駆動回路103bから供給される。画素電極109bは、TFT130bのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT130bを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線106bから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極109bを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板(図省略)に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極109bと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量170b(キャパシタ)を付加することがある。この蓄積容量170bによって、画素電極109bの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量170bを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線132bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線131bとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
図12に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置100pは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するEL(エレクトロルミネッセンス)素子、またはLED(発光ダイオード)素子などの発光素子をTFTで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
ここに示す電気光学装置100pでは、複数の走査線103pと、この走査線103pの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線106pと、これらのデータ線106pに並列する複数の共通給電線123pと、データ線106pと走査線103pとの交差点に対応する画素115pとが構成されている。データ線106pに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路101pが構成されている。走査線103pに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路104pが構成されている。
また、画素115pの各々には、走査線103pを介して走査信号がゲート電極に供給される第1のTFT131pと、この第1のTFT131pを介してデータ線106pから供給される画像信号を保持する保持容量133pと、この保持容量133pによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2のTFT132pと、第2のTFT132pを介して共通給電線123pに電気的に接続したときに共通給電線123pから駆動電流が流れ込む発光素子140pとが構成されている。
ここで、発光素子140pは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線106pなどを跨いで複数の画素115pにわたって形成されている。
(電子機器の実施形態)
図13は、本発明に係る電気光学装置が搭載される電子機器の一例を示す携帯電話機の説明図である。
図13は、本発明に係る電気光学装置が搭載される電子機器の一例を示す携帯電話機の説明図である。
図13に示すように、携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と、本発明を適用した電気光学装置100などを有している。
本発明では、元基板の第1の切断予定線と第2の切断予定線との交差部分に形成されているマークは、線状であるため、素子基板において、配線や電気素子が形成されている領域から最も距離を隔てた形態になっている。このため、マークを導電膜によって形成した場合でも、元基板を切断する際に発生する静電気がマークを介して配線や電気素子に入り込むことがない。それ故、素子基板の歩留まりや信頼性を向上することができる。
20 素子基板(電気光学装置用基板)、23 画素電極、30 対向基板、51 走査線、52 データ線、53 画素、56、56a、56b TFD素子、80 交差部分、81 第1の線状マーク、82 第2の線状マーク、83 第3の線状マーク、84 第4の線状マーク、88 角部分、89 位置合わせマーク、100 電気光学装置、100a 画素部、200 元基板、205、206 基板縁、222、223 第1金属膜、L11、L21 1次切断予定線
Claims (14)
- 絶縁性の元基板の表面に成膜工程およびパターニング工程により少なくとも配線を形成した後、前記元基板を切断してなる電気光学装置用基板の製造方法において、
前記元基板上で互い直交する2方向をX方向およびY方向としたとき、X方向に延びる前記元基板に対する第1の切断予定線と、Y方向に延びる前記元基板に対する第2の切断予定線との交差部分には、導電膜によって、前記第1の切断予定線の近傍で当該第1の切断予定線と平行に延びた第1の線状マークと、前記第2の切断予定線の近傍で当該第2の切断予定線と平行に延びた第2の線状マークと、前記第1の切断予定線上に沿って延びた第3の線状マークと、前記第2の切断予定線上に沿って延びた第4の線状マークとを形成しておくことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。 - 請求項1において、前記元基板を前記第1の切断予定線および前記第2切断予定線に沿って切断して前記電気光学装置用基板を切り出した後、前記第1、第2、第3、および第4の線状マークの残り具合に基づいて前記元基板に対する切断の適否を判定することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
- 請求項1または2において、前記第1、第2、第3、および第4の線状マークは、いずれも前記配線を構成する導電膜と同時形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記第1の線状マークと前記第2の線状マークは、前記交差部分に近い方の端部同士が繋がっていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記第1の線状マークと前記第2の線状マークは、前記交差部分に近い方の端部同士が離間していることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに規定する製造方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置用基板。
- 絶縁性基板の表面に薄膜パターンによって少なくとも配線が形成された電気光学装置用基板において、
前記絶縁性基板上で直交する2方向をX方向およびY方向としたとき、前記絶縁性基板の表面には、X方向に延びた第1の基板縁とY方向に延びた第2の基板縁とが形成する角部分に、導電膜によって、前記第1の基板縁近傍で当該第1の基板縁に平行に延びた第1の線状マークと、前記第2の基板縁近傍で当該第2の基板縁に平行に延びた第2の線状マークとが形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 請求項7において、前記第1、第2、第3、および第4の線状マークは、いずれも前記配線を構成する導電膜と同一の材料からなることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項7または8において、前記第1の線状マークと前記第2の線状マークは、前記角部分に近い方の端部同士が繋がっていることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項7または8において、前記第1の線状マークと前記第2の線状マークは、前記角部分に近い方の端部同士が離間していることを特徴とする電気光学装置用基板。
- 請求項6ないし10のいずれかに規定する電気光学装置用基板によって電気光学物質が保持されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項11において、前記電気光学装置用基板は、該電気光学装置用基板と対向配置された別の基板との間に前記電気光学物質としての液晶を保持していることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項11において、前記電気光学装置用基板は、エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料を保持していることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項6ないし13のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
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