JP3893626B2 - 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 - Google Patents
投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 Download PDFInfo
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は第1の物体上のパターンを第2の物体上に投影するための投影光学装置の調整方法、この調整方法により調整された投影光学装置、この投影光学装置を備える露光装置及びこの露光装置を用いた露光方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
精密な回路パターンを感光材料が塗布された基板(ウェハ、プレート等)上に焼き付ける露光装置に使用する投影光学系には、非常に高い光学性能が要求される。このため、投影光学系に使用される光学部材も究極的な製造精度にて作製される。
【0003】
さらに、作製された光学部材を合わせて投影光学系として組み上げる際においても、実際に投影光学系の収差を測定しつつ、例えば、各光学部材を保持する鏡筒間のワッシャの厚みを変更することにより各光学部材の間隔を調整する手法や、該光学部材をティルト(光軸垂直方向を軸とする回転)する手法、該光学部材をシフト(光軸垂直方向に沿って移動)する手法などの非常に微妙な調整を行っている。この調整により、光学部材の製造誤差による光学性能の劣化や光学部材の組み込みの際に生じる光学性能の劣化を最小としている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術の投影光学系においては、上述のような組立調整を行なっても補正しきれないディストーション成分が残存していた。特に基準となる光軸に対して方向性を持たないディストーションのランダム成分(非対称なディストーション)については、従来技術においては有効な補正方法がなく、精密な焼き付け露光装置におけるトータルオーバレイ向上の障害となっていた。
【0005】
そこで、本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、複雑な組立調整を行うことなく、ディストーションのランダム成分を補正することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明では、例えば図1(a),(b)に示す如く、所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系に残存する収差成分のランダム成分または所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系における実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量等のランダム成分を計測する第1工程と、この残存収差成分のランダム成分またはこのずれ量等のランダム成分を補正する補正面形状を算出する第2工程と、前記第2工程にて算出された結果に基づき前記被加工部材を加工する第3工程と、前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有する調整方法を投影光学装置に施すものである。
【0007】
なお、本発明において、残存ディストーション成分とは、投影光学系が無収差の理想光学系である場合の理想結像位置を考えたとき、被加工部材及び投影光学系を介した光束の実際の結像位置と、前記理想結像位置とのずれ量のことを示す。
【0008】
【作用】
上述の構成の如き本発明においては、投影光学系を構成する光学部材である被加工部材の表面形状を加工しているため、この被加工部材を通過する光束を屈折作用により偏向させることができる。これにより、物体面上の所定の点の結像位置を像面上において光軸垂直方向に偏位させて、投影光学系における残存倍率成分及び残存ディストーション成分を補正することができる。
【0009】
図2を参照して簡単に説明する。図2(a) は加工前の被加工部材10がレチクルRとウェハWとの間の光路中に配置される様子を示す図であり、図2(a) では投影光学系を図示省略している。図2(a) において、レチクルR上の点Oからの光束は、被加工部材10及び図示なき投影光学系を介して、ウェハW上に結像する。ここで、図示なき投影光学系がディストーションを有する場合には、レチクルR上の点Oからの光束は点P1 上に集光し、この点P1 には点Oの像が形成される。仮に不図示の投影光学系が理想結像光学系である場合には、レチクルR上の点Oからの光束は点P0 上に集光し、この点P0 に点Oの像を形成する。このとき、ウェハW面内における点P0 と点P1 とのずれが投影光学系のディストーションに対応する。
【0010】
本発明では、図2(b) に示す如く、投影光学系の光路中に存在する被加工部材10の表面形状を、加工前の表面10aから表面10bとなるように加工している。これにより、レチクルR上の点Oからの光束が被加工部材10の表面10bによる屈折作用を受けるため、ウェハW上の点P0 上に集光する。これにより、投影光学系のディストーションが補正される。
【0011】
なお、本発明において、被加工部材による補正の前に、光軸に関して対称的に発生する諸収差を補正しておくことが望ましい。これにより、被加工部材の加工量を少なくすることができ、加工が容易となり、さらに他の収差への影響を防ぐことができる。
また、本発明において、投影光学系は、物体側から順に、前群、開口絞り及び後群を有するように構成されることが好ましく、このとき、被加工部材は、前記前群及び後群のうち小さい開口数の光束が通過する側の群に位置することが好ましい。この構成により、結像のために被加工部材を通過する光束が細くなる位置に被加工部材が設けられることになるため、残存倍率成分及び残存ディストーション成分のコントロールの精度をさらに向上させることが可能である。さらにこの構成によれば、組立調整された投影光学系における他の収差成分への影響を軽減できる。
【0012】
また、本発明において、被加工部材は、前群或いは後群中に位置し、かつ開口絞りから最も離れて位置するように構成されることが好ましい。この構成により、被加工部材が結像のために被加工部材を通過する光束が細くなる位置に設けられることになるため、残存倍率成分及び残存ディストーション成分の補正精度をさらに向上させることが可能である。さらに、この構成では、被加工部材が投影光学系の最も外側(最も物体側或いは最も像側)に位置することになるため、投影光学系の鏡筒の構成の簡素化を達成することができ、上記第3及び第4工程における被加工部材の挿脱が容易になる利点がある。
【0013】
また、本発明においては、被加工部材と隣接する光学部材と被加工部材との距離をdとし、被加工部材の位置する群の焦点距離をfとするとき、
【0014】
【数1】
(1) d/f<0.07
を満足することが好ましい。
この条件式(1)は、被加工部材の好適な配置を規定するものであり、この条件式(1)の上限を超える場合には、投影光学系の作動距離を充分に確保できなくなるため好ましくない。なお、この条件式(1)においては、下限を0.001とし、0.001<d/fとすることが好ましい。この下限を超える場合には、被加工部材を保持する保持部材と、この被加工部材と隣接する光学部材を保持する保持部材との干渉を招く恐れがあり、保持部材の設計の自由度が減少するため好ましくない。
【0015】
また、本発明においては、被加工部材の屈折力をφとするとき、
【0016】
【数2】
(2) −0.005<φ<0.005
を満足することが好ましい。なお、被加工部材の屈折力φは、被加工部材の焦点距離をfa とするとき、φ=1/fa で表される。
【0017】
この条件式(2)は、被加工部材の好適な屈折力φの範囲を規定して、被加工部材の組み込みの容易化を達成するためのものである。ここで、被加工部材が条件式(2)の範囲を超えた屈折力を有する際には、被加工部材の偏心精度が厳しくなり、高精度に被加工部材の位置決め(光軸調整)を行う必要があるため好ましくない。被加工部材の屈折力φがこの条件式(2)の範囲内である場合には、被加工部材の組み込み誤差による収差の影響を少なくすることができ、被加工部材の位置決めの精度を金物精度の程度とすることができる。なお、上述の観点と加工の容易性とを考えると、被加工部材は、屈折力を有しない平行平面板から構成されることが好ましい。
【0018】
【実施例】
以下、図面を参照して本発明による実施例を詳述する。図3は、本発明の投影光学装置に好適な露光装置の一例を概略的に示す構成図であり、2次元のXZ座標系を採用している。
図3において、照明光学装置ISは、例えば365nm(i線),248nm( KrFエキシマレーザ),193nm( ArFエキシマレーザ) 等の露光光によりレチクルステージRS上に載置されたレチクルRを均一照明する。レチクルRの下方には、被加工部材としてのディストーション補正板10と、このディストーション補正板10を載置する保持部材11と、所定の縮小倍率を有し実質的に両側テレセントリックな投影対物レンズPLとが設けられている。この投影対物レンズPLは、レチクルR側から順に、正屈折力の前群GF と開口絞りASと正屈折力の後群GR とを有するものであり、前群GF と後群GR との屈折力の比は投影対物レンズPLの縮小倍率と対応している。ここで、本実施例では、投影対物レンズPLは、ディストーション補正板10を含めた状態で収差補正がなされるように光学設計されている。従って、照明光学装置ISにより照明されたレチクルRからの光は、ディストーション補正板10及び投影対物レンズPLを介してウェハステージWS上に載置されたウェハW上に達し、ウェハWにレチクルRの縮小像を形成する。このウェハステージWSはXYZ方向に移動可能に設けられている。なお、本実施例において、ディストーション補正板10は、例えば石英ガラス等の露光光を透過させる材料からなる平行平面板から構成されている。
【0019】
また、ディストーション補正板10が載置される保持部材11は、例えば図4に示す如く、露光光を通過させるための開口を有し、その一部にディストーション補正板を規制するピン11a〜11cが設けられている。従って、ディストーション補正板10がピン11a〜11cに当接することにより、ディストーション補正板10の位置決めがなされる。
【0020】
本実施例では、ディストーションのランダム成分の補正に先立って、投影対物レンズPLの諸収差のうち対称的な成分の補正を行う。まず、レチクルステージRS上に所定のパターンが形成されたテストレチクルTR1 を載置する。このテストレチクルTR1 は、例えば図5に示す如く、複数のマークが設けられたパターン領域PA1 と、このパターン領域PA1 を囲む遮光帯LSTとを有する。次に、照明光学装置ISの露光光によりテストレチクルTR1 をケーラー照明する。この照明されたテストレチクルTR1 からの光は、ディストーション補正板10及び投影対物レンズPLを介して、レジスト等の感光材料が塗布されたウェハWに達し、このウェハWにテストレチクルTR1 のパターン像を形成する。その後、ウェハWの現像処理を行い、この現像によるレジストパターン像を座標測定機によって計測する。その後、計測されたレジストパターン像の情報に基づいて、光学部材の間隔の調整や、この光学部材のティルト・シフト調整を行い、ディストーションのランダム成分以外の諸収差を補正する。
【0021】
上述の如きディストーションのランダム成分以外の諸収差の補正動作の後に、ディストーションのランダム成分を補正する。
まず、上述の補正に用いられたテストレチクルTR1 の代わりに、図6に示す如きテストレチクルTR2 をレチクルステージRS上に載置する。このテストレチクルTR2 は、露光光を遮光する遮光帯LSTで囲まれるパターン領域PA2 内にマトリックス状に配列された、すなわち正方格子の格子点上に配列された複数の十字マークM0,0 〜M8,8 を有するものである。なお、テストレチクルTR1 のパターン領域PA1 上に、テストレチクルTR2 の十字マークM0,0 〜M8,8 を設ける、すなわちテストレチクルTR1 とテストレチクルTR2 とを共用しても良い。
【0022】
次に、図3に戻って、レチクルステージRS上のテストレチクルTR2 を照明光学装置ISの露光光により照明する。このテストレチクルTR2 からの光は、ディストーション補正板10及び投影対物レンズPLを介して、レジスト等の感光材料が表面上に塗布されたウェハW上の露光領域に達し、このウェハWにテストレチクルTR2 の複数の十字マークM0,0 〜M8,8 の像(潜像)を形成する。その後、露光されたウェハWの現像処理を行い、露光された複数の十字マークM0,0 〜M8,8 像をパターン化する。
【0023】
ウェハW上の露光領域EA内においてパターンされた複数の十字マークを図7に示す。なお、図7では、投影光学系が理想光学系(無収差の光学系)である場合の結像位置である理想結像位置を破線の交点で表している。図7において、レチクルR上の十字マークM0,0 の像に対応するものが十字パターンP0,0 であり、レチクルR上の十字マークM1,0 の像に対応するものが十字パターンP1,0 であり、レチクルR上の十字マークM0,1 の像に対応するものが十字パターンP0,1 であり、以下の十字マークと十字パターンとは同様に対応している。
【0024】
その後、ウェハW上に形成された複数の十字パターンP0,0 〜P8,8 のそれぞれのXY座標を座標測定機によって測定する。
本実施例においては、複数の十字パターンP0,0 〜P8,8 上に集光する複数の十字マークM0,0 〜M8,8 からの光束をディストーション補正板10の表面形状を加工することにより、複数の十字パターンP0,0 〜P8,8 を理想結像位置に変位させている。以下、具体的なディストーション補正板10の面形状の算出について説明する。
【0025】
図3に示した通り、本実施例におけるディストーション補正板10は、投影対物レンズPLとレチクルRとの間の光路中に配置されている。この位置は、比較的に開口数(N.A.)が細い光束が通過する位置であるため、ディストーション補正板10による結像位置の変位を行うにあたっては、ディストーション補正板10の表面形状の変更により変位される光束のうち、代表的に主光線の変位を考えれば良い。
【0026】
ここで、図7に示す理想結像位置と複数の十字パターンP0,0 〜P8,8 とのずれ量であるディストーション量をwとし、複数の十字マークM0,0 〜M8,8 からの主光線がディストーション補正板10を通過する点である主光線通過点におけるディストーション補正板10の表面の法線の角度変化量をθとするとき、
【0027】
【数3】
(3) w=β・LR (n−1)・θ
が成立する。なお、上記角度変化量θは、加工前の基準状態におけるディストーション補正板10の表面の法線に対するものであり、βは投影光学系の横倍率、LR はレチクルRとディストーション補正板10の加工される表面との光軸方向に沿った距離、nはディストーション補正板10の屈折率である。また、(3)式において、ディストーション補正板10の加工される面は、ウェハW側の面であるとしている。
【0028】
また、ディストーション補正板10が投影対物レンズPLとウェハWとの間の光路中にある場合には、
【0029】
【数4】
(4) w=LW (n−1)・θ
が成立する。ただし、LW はウェハWとディストーション補正板10の加工される表面との光軸方向に沿った距離である。
【0030】
従って、前述の座標測定機による複数の十字パターンP0,0 〜P8,8 の座標と、理想結像位置とのずれ量であるディストーション量から、ディストーション補正板10の表面の主光線通過点における面法線を求められる。
これにより、ディストーション補正板10の面法線は各主光線通過点においては定まるが、ディストーション補正板10の表面が連続的につながった形状にならない。従って、本実施例では、(3)式により求められたディストーション補正板10の主光線通過点における面法線から曲面補完式を用いて連続的な表面形状としている。
【0031】
ここで、曲面補完式としては種々のものが存在するが、本実施例に用いる曲面補完式としては、面法線が既知であり、この面法線から主光線通過点における面の接線ベクトルを求めることができるため、点の座標とその座標における接線ベクトルとから曲面を補完するクーンズ(Coons) の式によるものが好適である。しかしながら、図8(a) に示すように、例えば点Q0 と点Q1 との隣合う座標における接線ベクトルθ0,θ1 が共に等しい場合には、補完される曲線(曲面)がうねってしまう問題が生じる。
【0032】
本実施例において、隣合う主光線通過点を通過する主光線によるディストーション量が等しい場合には、これらの隣合う主光線通過点の間においてもディストーション量を等しくすることが効果的である。ここで、図8(a) に示すように、補完される曲線(曲面)がうねる場合には、隣合う主光線通過点の間におけるディストーションの量と方向とが逐次変化し、ディストーションのランダム成分を補正できないばかりか、測定点の間においてディストーションのランダム成分をさらに発生させてしまう恐れがある。
【0033】
そこで、本実施例では、隣合う主光線通過点の間においてもディストーション量を等しくするために、図8(b) に示すように、座標Q0 における接線ベクトルθ0 のZ方向のベクトル成分を、Z方向の高さZ1 として座標Q0 の隣の座標Q1 に加える。これにより、隣合う座標Q0,Q1 の接線ベクトルが共に等しい場合においても、補完される曲線はこれらの座標Q0,Q1 間においてほぼ直線となり、これらの座標Q0,Q1 間を通過する主光線はほぼ等しい角度で屈折する。従って、隣合う主光線通過点を通過する主光線によるディストーション量が等しい場合には、これらの隣合う主光線通過点の間においてもディストーション量を等しくすることが可能となる。
【0034】
次に、図9〜図13を参照して、本実施例における曲面補完の手順を具体的に説明する。なお、図9乃至図13においては、XYZ座標系を採用している。
〔ステップ1〕
まず、図9に示す如く、ディストーション補正板10の被加工面10aにXYZ座標をとる。なお、図9においては、図6に示す複数の十字マークM0,0 〜M8,8 から図7に示す複数の十字パターンP0,0 〜P8,8 へ向かう光束の主光線がディストーション補正板10を通過する主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 を破線の交点で示している。ここで、上述の(3)式にて求められた各主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 における法線ベクトルをθi,j (但し本実施例では i=0-8,j=0-8すなわちθ0,0 〜θ8,8 )と表し、各主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 におけるZ方向の高さをZi,j (但し本実施例では i=0-8,j=0-8すなわちZ0,0 〜Z8,8 )と表す。
〔ステップ2〕
次に、図10に示す如く、主光線通過点のうちのY軸上の端点である主光線通過点Q0,0 をZ軸方向の基準として、Z0,0 =0とする。
〔ステップ3〕
主光線通過点Q0,0 の法線ベクトルθ0,0 に基づいて、Y軸上において主光線通過点Q0,0 と隣合う座標の主光線通過点Q0,1 におけるZ方向の高さZ0,1 を以下の(5)式により算出する。
【0035】
【数5】
(5) Z0,j =Z0,j-1 +θy0,j-1(y0,j −y0,j-1 )
但し、θy0,j:主光線通過点Q0,j における法線ベクトルθ0,j のY軸方向のベクトル成分、
y0,j :主光線通過点Q0,j における主光線通過点Q0,0 を原点に取ったときの座標値のY軸方向の成分、
である。
【0036】
該ステップ3において、主光線通過点Q0,1 におけるZ方向の高さZ0,1 は、上記(5)式に基づいて、
【0037】
【数6】
Z0,1 =Z0,0 +θy0,0(y0,1 −y0,0 )
より算出される。
〔ステップ4〕
上述の(5)式に基づいて、Y軸上の主光線通過点Q0,2 〜Q0,8 について、Z方向の高さZ0,2 〜Z0,8 を算出する。
〔ステップ5〕
主光線通過点Q0,0 の法線ベクトルθ0,0 に基づいて、X軸上において主光線通過点Q0,0 と隣合う座標の主光線通過点Q1,0 におけるZ方向の高さZ1,0 を以下の(6)式により算出する。
【0038】
【数7】
(6) Zi,0 =Zi-1,0 +θx i-1,0 (xi,0 −xi-1,0 )
但し、θx i,0 :主光線通過点Qi,0 における法線ベクトルθi,0 のX軸方向のベクトル成分、
xi,0 :主光線通過点Qi,0 における主光線通過点Q0,0 を原点にとったときの座標値のX軸方向の成分、
である。
【0039】
該ステップ5において、主光線通過点Q1,0 におけるZ方向の高さZ1,0 は、上記(6)式に基づいて、
【0040】
【数8】
Z1,0 =Z0,0 +θx0,0(x1,0 −x0,0 )
より算出される。
〔ステップ6〕
上述の(6)式に基づいて、X軸上の主光線通過点Q2,0 〜Q8,0 について、Z方向の高さZ2,0 〜Z8,0 を算出する。
〔ステップ7〕
図11に示す如く、X軸とY軸とに挟まれる主光線通過点Q1,1 〜Q8,8 のうち、原点Q0,0 に近い順からそれぞれZ方向の高さZi,j を以下の(7)式に基づいて算出する。
【0041】
【数9】
ステップ7においては、まず、原点Q0,0 に最も近い主光線通過点Q1,1 におけるZ方向の高さZ1,1 を求める。このとき、主光線通過点Q1,1 のZ方向の高さZ1,1 は、上記(7)式に基づいて、
【0042】
【数10】
より算出される。
ステップ7では、図12に示すように、主光線通過点Q1,1 のZ方向の高さZ1,1 の算出後、主光線通過点Q1,2 、Q2,1 、Q2,2 ‥‥Qi,j ‥‥Q8,8 のZ方向の高さZ1,2 、Z2,1 、Z2,2 ‥‥Zi,j ‥‥Z8,8 を上記(7)式に基づいて原点Q0,0 に近い順から算出する。
〔ステップ8〕
上述のステップ1〜7で求められた主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 におけるZ0, 0 〜Z8,8 と、主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 のXY座標と、主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 での面法線ベクトルθ0,0 〜θ8,8 から求められる主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 における接線ベクトルとに基づいて、クーンズ・パッチの手法により曲面を張る。すなわち、クーンズ・パッチの制御点を主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 におけるXYZ座標とし、その接線ベクトルを主光線通過点Q0,0 〜Q8,8 での面法線ベクトルθ0,0 〜θ8,8 から求められた接線ベクトルとする。
【0043】
このステップ8におけるクーンズ・パッチによる曲面補完により、例えば図13に示すような曲面を得ることができる。
なお、上述のステップ1〜ステップ8では、ステップ3〜ステップ6で求められるXY方向の基準線をX軸及びY軸上としているが、このXY方向の基準線が光軸を通るように設定しても良い。このときには、上述のステップ6とステップ7との間に以下のステップAを実行すれば良い。
〔ステップA〕
光軸が通過する点でのZ方向の高さを0とするように、上述のステップ3乃至ステップ6にて算出されたY軸上及びX軸上の主光線通過点におけるZ方向の高さにZ方向のオフセットをのせる。
【0044】
また、ディストーションの測定点、すなわちテストレチクル上のマークが正方格子の格子点上に配列されていない場合には、各測定点の中間点にあたる正方格子の格子点でのZ方向の高さ及び面法線ベクトルを内挿する。具体的には、Z方向の高さ及び面法線ベクトルを求めるべき正方格子の格子点を囲むディストーションの測定点におけるZ方向の高さ及び面法線ベクトルに、ディストーションの測定点から正方格子の格子点までの距離をウエイト化して乗じれば良い。
【0045】
なお、上述のステップ1〜ステップ8においては、ディストーションの測定点の内側の情報のみを使用しているが、より被加工部材としてのディストーション補正板10の表面形状をより滑らかにするためには、ディストーションの測定点に対応する主光線通過点のうち最も外側(光軸から離れる側)の主光線通過点の外側に格子点をとり、この格子点におけるZ方向の高さ及び面法線ベクトルを、最も外側の主光線通過点におけるZ方向の高さ及び面法線ベクトルから外挿すれば良い。
【0046】
次に、図3に示す投影光学装置からディストーション補正板10を取り外し、ステップ1〜ステップ8により求められたディストーション補正板10の面形状データに基づいて、取り外されたディストーション補正板10の表面形状の加工を行う。ここで、本実施例におけるディストーション補正板10は、ディストーションのランダム成分を補正するために、その表面形状がランダムで不規則にうねった形状となる。従って、本実施例では、図14に示す如き研磨装置を用いる。なお、図14においてはXZ座標系を採用している。
【0047】
図14において、ディストーション補正板10は、XY方向に移動可能なステージ21上に載置されており、その端部がステージ21上のピン21aに当接している。また、ステージ21をXY方向に沿って移動させる駆動部22は、制御部20によって制御されている。駆動部22によるステージ21の移動の際においてそのXY方向における位置を検出するために、エンコーダ、干渉計等からなる検出部30がステージ21に設けられている。この検出部30による検出信号は制御部20へ伝達される。
【0048】
また、研磨皿23は、保持部24を介して回転軸25の一端に取り付けられており、図中Z方向を軸として回転可能である。この回転軸25の他端には、制御部20によって制御されるモータ26が取り付けられている。回転軸25を回転自在に支持する軸受27は、図示なき本体に固設されている支持部28に対してZ方向に移動可能に設けられている。この支持部20には、制御部20により制御されるモータ29が取り付けられており、このモータの作用によって軸受27がZ方向に沿って移動し、ひいては研磨皿23がZ方向に沿って移動する。なお、研磨皿23を保持する保持部24には、研磨皿23とディストーション補正板10との接触圧を検出するためのセンサ(不図示)が設けられており、このセンサからの出力は制御部20へ伝達される。
【0049】
次に、図14の研磨装置の動作の説明を簡単にすると、まず、上述のステップ1〜ステップ8により求められた面形状データを制御部20へ入力する。その後、制御部20は、研磨皿23を回転させつつ、駆動部22を介してステージ21をXY方向に沿って移動させる。すなわち、研磨皿23がディストーション補正板10の被加工面10aをXY方向に沿ってなぞるように移動する。このとき、ディストーション補正板10の被加工面10aにおける研磨量は、該被加工面10aと研磨皿23との接触圧、研磨皿23の滞留時間で決定される。
【0050】
その後、図14の研磨装置により加工されたディストーション補正板10に対して反射防止膜を蒸着し、図3の投影光学装置の保持部材11上に加工されたディストーション補正板を載置する。尚、図14の研磨装置においては、研磨皿23はXY方向において固定されているが、ステージ21をXY方向へ移動させる代わりにこの研磨皿23を移動させても良い。
【0051】
以上の如き本実施例により、投影光学系を構成する各光学部材の調整のみでは不可能であったディストーションのランダム成分の補正を容易に行うことができる。
なお、上述の実施例においては、ディストーション補正板10として屈折力を有しない平行平面板を用いているため、ディストーション補正板の偏心精度を緩くすることができる。これにより、図4に示す如き保持部材11による位置決め、すなわち金物の精度で決まる位置決めであっても十分なる光学性能を達成することが可能である。さらに、ディストーション補正板10が平行平面板であるため、ディストーション補正板に対する加工が簡単になる利点がある。なお、ディストーション補正板10として所定の曲率を持つレンズを用いる場合には、上述の理由によりその屈折力は弱い方が望ましい。
【0052】
また、上述の実施例においては、ディストーション補正板10を光束の開口数が小さい側であるレチクルR側(拡大側)に配置しているため、主光線の変位のみを考慮しているが、ディストーション補正板10をウェハW側(縮小側)に配置する場合には、ディストーション補正板10の位置における光束径の大きさによる影響を考慮して、ディストーション補正板10に対する加工量を決定することが良い。また、さらにディストーション補正の精度を向上させるためには、ディストーション補正板10をレチクルR側に配置する場合であっても、ディストーション補正板10の位置における光束径に応じて、それに対する加工量を決定することが好ましい。
【0053】
また、上述の実施例においては、ディストーション補正板10の部品精度による影響を少なくするために、測定時に光路中に設けられたディストーション補正板10に対して加工を施しているが、測定時には、加工されるディストーション補正板とは異なるダミー部品を光路中に設けても良い。ただし、この場合、該ダミー部品の部品精度を高めておく必要がある。
【0054】
そして、上記実施例において、ディストーション補正板10を投影光学系PLを構成する光学部材のうち最もレチクル側の光学部材としているため、投影光学系PLの光路にディストーション補正板10を挿脱する作業を容易に行うことができる利点がある。
上述の如き実施例では、ディストーション補正板10を金物で決まる精度で位置決めしているが、さらに高精度な補正を行うためには、ディストーション補正板10の一部に所定のマークを設けて、保持部材11に対する(投影光学系PLに対する)位置を光学的に検出する構成も可能である。このとき、ディストーション補正板10に設けられるマークは、露光光が通過しない位置であることが望ましい。
【0055】
【発明の効果】
以上の通り本発明によれば、ディストーションランダム成分を複雑な組立調整を行うことなく補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による投影光学装置の調整方法を示す図であり、図1(a) は各工程の流れを示す図であり、図1(b) は計測されたディストーションから被加工部材の形状を算出する工程を示す図である。
【図2】本発明による調整方法の原理を説明する図であり、図2(a) は調整前の光束の状態を示す図であり、図2(b) は調整後の光束の状態を示す図である。
【図3】本発明による実施例の投影光学装置が適用された露光装置の概略を示す図である。
【図4】ディストーション補正板を保持する保持部材の構成を示す図である。
【図5】ディストーション以外の諸収差を測定するために用いられるテストレチクルの構成を示す平面図である。
【図6】ディストーションを測定するために用いられるテストレチクルの構成を示す平面図である。
【図7】図6のテストレチクルを用いて形成されたウェハ上のパターンの状態を示す図である。
【図8】本実施例による曲面補完式の説明のための図であり、図8(a) は従来の曲面補完式を用いた場合を示し、図8(b) は本実施例による曲面補完式を用いた場合を示す。
【図9】本実施例による曲面補完の手法を示す図である。
【図10】本実施例による曲面補完の手法を示す図である。
【図11】本実施例による曲面補完の手法を示す図である。
【図12】本実施例による曲面補完の手法を示す図である。
【図13】本実施例による曲面補完の手法を示す図である。
【図14】ディストーション補正板を加工するための装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
R … レチクル、
W … ウェハ、
10 … ディストーション補正板(被加工部材)、
11 … 保持部材、
PL … 投影光学系、
Claims (44)
- 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系におけるランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有し、
前記投影光学系は、物体側から順に、前群、開口絞り及び後群を有し、
前記被加工部材は、前記前群及び後群のうち小さい開口数の光束が通過する側の群に位置することを特徴とする投影光学装置の調整方法。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系におけるランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有し、
前記投影光学系は、物体側から順に、前群、開口絞り及び後群を有し、
前記被加工部材は、前記前群或いは後群中に位置し、かつ前記開口絞りから最も離れて位置することを特徴とする投影光学装置の調整方法。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系における実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ずれ量を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有し、
前記投影光学系は、物体側から順に、前群、開口絞り及び後群を有し、
前記被加工部材は、前記前群及び後群のうち小さい開口数の光束が通過する側の群に位置し、
前記ずれ量は、ランダム成分を含むことを特徴とする投影光学装置の調整方法。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系における実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ずれ量を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有し、
前記投影光学系は、物体側から順に、前群、開口絞り及び後群を有し、
前記被加工部材は、前記前群或いは後群中に位置し、かつ前記開口絞りから最も離れて位置し、
前記ずれ量は、ランダム成分を含むことを特徴とする投影光学装置の調整方法。 - 前記被加工部材と隣接する光学部材と前記被加工部材との距離をdとし、前記被加工部材の位置する群の焦点距離をfとするとき、
d/f<0.07
を満足することを特徴とする請求項2または請求項4記載の投影光学装置の調整方法。 - 前記被加工部材の屈折力をφとするとき、
−0.005<φ<0.005
を満足することを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
ただし、前記被加工部材の焦点距離をfaとするとき、φ=1/faである。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系におけるランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有し、
前記被加工部材の屈折力をφとするとき、
−0.005<φ<0.005
を満足することを特徴とする投影光学装置の調整方法。
ただし、前記被加工部材の焦点距離をfaとするとき、φ=1/faである。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系における実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ずれ量を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程とを有し、
前記ずれ量は、ランダム成分を含み、
前記被加工部材の屈折力をφとするとき、
−0.005<φ<0.005
を満足することを特徴とする投影光学装置の調整方法。
ただし、前記被加工部材の焦点距離をfaとするとき、φ=1/faである。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系におけるランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程と、
前記第1工程に先立って、前記投影光学系の収差成分のうちの対称的な収差成分の補正を行う第5工程を有する投影光学装置の調整方法。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系におけるランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程と、
前記第1工程に先立って、前記投影光学系中の光学部材を調整して諸収差を補正する第5工程を有する投影光学装置の調整方法。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系における実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ずれ量を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程と、
前記第1工程に先立って、前記投影光学系の収差成分のうちの対称的な収差成分の補正を行う第5工程を有し、
前記ずれ量は、ランダム成分を含むことを特徴とする投影光学装置の調整方法。 - 所定の被加工部材を光路中に有する投影光学系における実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量を計測する第1工程と、
前記第1工程の計測結果に基づいて、前記ずれ量を相殺する如き前記被加工部材の表面形状を算出する第2工程と、
前記被加工部材を前記投影光学系から取り出し、前記第2工程にて算出された表面形状となるように前記被加工部材を加工する第3工程と、
前記第3工程にて加工された前記被加工部材を前記投影光学系の光路中に挿入する第4工程と、
前記第1工程に先立って、前記投影光学系中の光学部材を調整して諸収差を補正する第5工程を有し、
前記ずれ量は、ランダム成分を含むことを特徴とする投影光学装置の調整方法。 - 前記被加工部材は、平行平面板から構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項12の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記第1工程における前記被加工部材と、前記第3工程において加工される前記被加工部材とは、別の光学部材であり、前記第1工程における前記被加工部材は測定用ダミー部材であることを特徴とする請求項1乃至請求項13の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記第3工程は、加工された前記被加工部材に反射防止膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項14の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記第1工程における前記ディストーション成分を含む収差成分または前記ずれ量の計測は、テストパターン露光を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項15の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記第2工程は、
前記被加工部材の面上における第1の点での面法線のベクトルを計算する第6工程と、
前記第6工程での計算結果に基づいて、前記投影光学系の光軸と直交する所定方向に関する前記第1の点での接線ベクトルを計算する第7工程と、
前記第1の点から所定方向に所定距離だけ離れた点を第2の点として設定し、前記所定方向に対して前記接線ベクトルがなす角度と所定距離との積を求める第8工程と、
前記第1の点における前記被加工部材が有するべき表面形状の光軸方向の高さに積を加えて、前記第2の点での前記被加工部材の光軸方向の高さを得る第9工程とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項16の何れか一項に記載の投影光学装置の調整方法。 - 前記第1工程における前記ディストーション成分を含む収差成分または前記ずれ量の計測は前記第2物体上の複数点で行われることを特徴とする請求項1乃至請求項17の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記第2工程は、
前記複数点での残存ディストーションを補正するために必要な複数の残存ディストーション補正量を計算、または前記複数点での前記ずれ量を補正するために必要な複数の前記ずれ量の補正量を計測するする第10工程と、
前記複数の計測点に対応する所定光学面での複数点における残存ディストーション量または前記ずれ量に必要な局所補正形状を得る第11工程と、
前記第11工程で得られた複数の局所補正形状に基づいて、全面の補正形状を得る第12工程とを有することを特徴とする請求項18記載の投影光学装置の調整方法。 - 前記第3工程では、前記被加工部材を通過する光束径の大きさを考慮して加工量を決定することを特徴とする請求項1乃至請求項19の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記被加工部材は、前記被加工部材を位置決めするためのマークを有することを特徴とする請求項1乃至請求項20の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記投影光学系は縮小倍率を有することを特徴とする請求項1乃至請求項21の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 前記投影光学系は実質的に両側テレセントリックであることを特徴とする請求項1乃至請求項22の何れか一項記載の投影光学装置の調整方法。
- 請求項1乃至請求項23の何れか一項記載の調整方法に従って調整されることを特徴とする投影光学装置。
- 第1物体の像を第2物体上に投影露光する露光装置において、
請求項24記載の投影光学装置を備えることを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中に前記前群及び後群のうち小さい開口数の光束が通過する側の群に位置する所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測されたランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分の計測結果に基づいて算出される該ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き表面形状を有するように加工されることを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体側から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中にの前記前群或いは後群中に位置し、かつ前記開口絞りから最も離れて位置する所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測されたランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分の計測結果に基づいて算出される該ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き表面形状を有するように加工されることを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中に前記前群及び後群のうち小さい開口数の光束が通過する側の群に位置する所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測された実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量の計測結果に基づいて算出されるランダム成分を相殺する如き表面形状を有するように加工されることを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中に前記前群或いは後群中に位置し、かつ前記開口絞りから最も離れて位置する所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測された実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量の計測結果に基づいて算出されるランダム成分を相殺する如き表面形状を有するように加工されることを特徴とする露光装置。 - 前記被加工部材と隣接する光学部材と前記被加工部材との距離をdとし、前記被加工部材の位置する群の焦点距離をfとするとき、
d/f<0.07
を満足することを特徴とする請求項27または請求項29記載の露光装置。 - 前記被加工部材の屈折力をφとするとき、
−0.005<φ<0.005
を満足することを特徴とする請求項26乃至請求項30の何れか一項記載の露光装置。
ただし、前記被加工部材の焦点距離をfaとするとき、φ=1/faである。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中には、所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測されたランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分の計測結果に基づいて算出される該ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き表面形状を有するように加工され、
前記被加工部材の屈折力をφとするとき、
−0.005<φ<0.005
を満足することを特徴とする露光装置。
ただし、前記被加工部材の焦点距離をfaとするとき、φ=1/faである。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中には、所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測された実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量の計測結果に基づいて算出されるランダム成分を相殺する如き表面形状を有するように加工され、
前記被加工部材の屈折力をφとするとき、
−0.005<φ<0.005
を満足することを特徴とする露光装置。
ただし、前記被加工部材の焦点距離をfaとするとき、φ=1/faである。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中には、所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測されたランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分の計測結果に基づいて算出される該ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き表面形状を有するように加工され、
前記投影光学系の収差成分のうちの対称的な収差成分の補正を行った後に前記残存ディストーション成分を含む収差成分の計測を行うことを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中には、所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測されたランダムな残存ディストーション成分を含む収差成分の計測結果に基づいて算出される該ランダムな残存ディストーション成分を相殺する如き表面形状を有するように加工され、
前記投影光学系を調整して諸収差を補正した後に前記残存ディストーション成分を含む収差成分の計測を行うことを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中には、所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測された実際の結像位置と理想結像位置とのずれ量の計測結果に基づいて算出されるランダム成分を相殺する如き表面形状を有するように加工され、
前記投影光学系の収差成分のうちの対称的な収差成分の補正を行った後に前記ずれ量の計測を行うことを特徴とする露光装置。 - 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1物体から順に、正屈折力の前群と、開口絞りと、正屈折力の後群とを有し、
前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中には、所定の被加工部材が配置され、
該被加工部材は、該被加工部材が前記光路中に配置された状態にて計測された実際の結 像位置と理想結像位置とのずれ量の計測結果に基づいて算出されるランダム成分を相殺する如き表面形状を有するように加工され、
前記投影光学系を調整して諸収差を補正した後に前記ずれ量の計測を行うことを特徴とする露光装置。 - 前記残存ディストーション成分を含む収差成分または前記ずれ量の計測は前記第2物体上の複数点で行われることを特徴とする請求項26乃至請求項37の何れか一項記載の露光装置。
- 前記ランダムな残存ディストーション成分または前記ずれ量の計測は、前記加工される前記被加工部材とは別の光学部材としての測定用ダミー部材を前記第1物体から前記第2物体へ至る光路中に配置された状態で行われることを特徴とする請求項26乃至請求項38の何れか一項記載の露光装置。
- 前記加工された前記被加工部材は反射防止膜を含むことを特徴とする請求項26乃至請求項39の何れか一項記載の露光装置。
- 前記被加工部材は、前記被加工部材を位置決めするためのマークを有することを特徴とする請求項26乃至請求項40の何れか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系は縮小倍率を有することを特徴とする請求項26乃至請求項41の何れか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系は実質的に両側テレセントリックであることを特徴とする請求項26乃至請求項42の何れか一項記載の露光装置。
- 第1物体上のパターンを第2物体上に投影露光する方法において、
請求項26乃至請求項43の何れか一項記載の露光装置を用いて、第1物体のパターン像を第2物体上に形成することを特徴とする露光方法。
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---|---|---|---|---|
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WO1998008141A1 (en) * | 1996-08-23 | 1998-02-26 | Robin Christopher Colclough | Image projecting apparatus |
US5888675A (en) * | 1996-12-04 | 1999-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reticle that compensates for radiation-induced lens error in a photolithographic system |
US6522386B1 (en) * | 1997-07-24 | 2003-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element |
AU9095798A (en) | 1997-09-19 | 1999-04-12 | Nikon Corporation | Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby |
JP2000091209A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6373552B1 (en) | 1999-01-20 | 2002-04-16 | Asm Lithography B.V. | Optical correction plate, and its application in a lithographic projection apparatus |
EP1022617A3 (en) * | 1999-01-20 | 2003-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Optical correction plate, and its application in a lithographic projection apparatus |
US6710930B2 (en) | 1999-12-01 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Illumination optical system and method of making exposure apparatus |
JP4545874B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2010-09-15 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、および該照明光学系を備えた露光装置と該露光装置によるデバイスの製造方法 |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2002134396A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置 |
JP2002175964A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nikon Corp | 観察装置およびその製造方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002184667A (ja) | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 補正部材の製造方法、投影光学系の製造方法および露光装置の調整方法 |
KR100893516B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2009-04-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상특성 계측방법, 결상특성 조정방법, 노광방법 및노광장치, 프로그램 및 기록매체, 그리고 디바이스 제조방법 |
JP2002222760A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
TWI221000B (en) * | 2001-02-13 | 2004-09-11 | Nikon Corp | Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method |
US20060285100A1 (en) * | 2001-02-13 | 2006-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
DE10120987C2 (de) * | 2001-04-28 | 2003-06-05 | Zeiss Carl | Verfahren zur Herstellung einer Projektionsbelichtungsanlage |
JP2003031474A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
KR100562190B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2006-03-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치의 투영시스템의 수차를 측정하는 방법,디바이스제조방법, 및 그 제조된 디바이스 |
DE10143385C2 (de) * | 2001-09-05 | 2003-07-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
JP3799275B2 (ja) | 2002-01-08 | 2006-07-19 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及びその製造方法並びにデバイス製造方法 |
KR100927560B1 (ko) * | 2002-01-29 | 2009-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 |
JP4352458B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 |
JP3762323B2 (ja) | 2002-04-02 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
DE10225265A1 (de) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie |
JP4054666B2 (ja) | 2002-12-05 | 2008-02-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
DE10258715B4 (de) * | 2002-12-10 | 2006-12-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung eines optischen Abbildungssystems |
DE10329793A1 (de) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
JP2005049726A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Olympus Corp | 光学システムの心立ち調整方法及びその調整システム |
US7277231B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-10-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective of a microlithographic exposure apparatus |
US7528954B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-05-05 | Nikon Corporation | Method of adjusting optical imaging system, positional deviation detecting mark, method of detecting positional deviation, method of detecting position, position detecting device and mark identifying device |
DE602005008591D1 (de) * | 2004-06-10 | 2008-09-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung |
DE102004046542A1 (de) * | 2004-09-21 | 2006-03-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Einstellung optischer Abbildungseigenschaften durch Strahlungsbehandlung |
US20060238735A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Vladimir Kamenov | Optical system of a projection exposure apparatus |
EP1746463A2 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-24 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv |
DE102006003375A1 (de) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Gruppenweise korrigiertes Objektiv |
US7724351B2 (en) | 2006-01-30 | 2010-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element |
JP5174810B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2013-04-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物器械 |
TWI439815B (zh) | 2006-07-03 | 2014-06-01 | Zeiss Carl Smt Gmbh | 校正/修復微影投影曝光裝置中之投影物鏡的方法與此投影物鏡 |
EP1906253A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
EP2097789B1 (en) | 2006-12-01 | 2012-08-01 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations |
EP2188673A1 (en) * | 2007-08-03 | 2010-05-26 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for microlithography, projection exposure apparatus, projection exposure method and optical correction plate |
JP5402391B2 (ja) | 2009-01-27 | 2014-01-29 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法 |
WO2011141046A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Process of operating a lithographic system comprising a manipulation of an optical element of the lithographic system |
CN102566296B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-07-16 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻曝光***集成装配方法 |
US9058974B2 (en) * | 2013-06-03 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Distorting donor wafer to corresponding distortion of host wafer |
JP6478593B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-03-06 | キヤノン株式会社 | 投影光学系の製造方法、および、デバイス製造方法 |
US10761031B1 (en) * | 2018-03-20 | 2020-09-01 | Kla-Tencor Corporation | Arbitrary wavefront compensator for deep ultraviolet (DUV) optical imaging system |
US11408730B2 (en) * | 2018-11-20 | 2022-08-09 | Industrial Technology Research Institute | Stress measuring device and stress measuring method |
CN109343037B (zh) * | 2018-11-27 | 2024-06-21 | 森思泰克河北科技有限公司 | 光探测器安装误差检测装置、方法和终端设备 |
DE102019218925A1 (de) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur montage eines optischen systems |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3583790A (en) | 1968-11-07 | 1971-06-08 | Polaroid Corp | Variable power, analytic function, optical component in the form of a pair of laterally adjustable plates having shaped surfaces, and optical systems including such components |
US4259004A (en) | 1979-06-13 | 1981-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning device with optical path length compensator |
JPS59144127A (ja) | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Canon Inc | 像調整された光学装置 |
JPS6093410A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Canon Inc | 反射光学系 |
DE3443856A1 (de) | 1983-12-02 | 1985-06-13 | Nippon Kogaku K.K., Tokio/Tokyo | Optisches projektionsgeraet |
GB2153543B (en) * | 1983-12-28 | 1988-09-01 | Canon Kk | A projection exposure apparatus |
JPS60163046A (ja) | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光光学装置及び投影露光方法 |
US4801808A (en) * | 1984-07-27 | 1989-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus having an objective lens system capable of observing a mark on an exposure optical holding member to permit alignment of a mask relative to the exposure optical system |
JPS61254915A (ja) | 1985-05-03 | 1986-11-12 | Canon Inc | 光束径調整用の光学系 |
JPS6235619A (ja) | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS6235620A (ja) | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Canon Inc | 光学倍率補正装置 |
US4888614A (en) | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
JPS636553A (ja) | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Canon Inc | レチクルの塵埃付着防止方法 |
JPS63185024A (ja) | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
JPS63232320A (ja) | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | パタ−ン露光装置 |
US4943733A (en) * | 1987-05-15 | 1990-07-24 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment |
JPS6474547A (en) | 1987-09-14 | 1989-03-20 | Motorola Inc | Manufacture of semiconductor for compensating strain between pattern on semiconductor body and mask for obtaining pattern |
JPH01106426A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Canon Inc | 露光装置 |
US5105075A (en) | 1988-09-19 | 1992-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JP2679195B2 (ja) | 1988-12-21 | 1997-11-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5095386A (en) | 1990-05-01 | 1992-03-10 | Charles Lescrenier | Optical system for generating lines of light using crossed cylindrical lenses |
US5117255A (en) | 1990-09-19 | 1992-05-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5367406A (en) * | 1990-10-16 | 1994-11-22 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical device with inherent focusing error correction |
JP3041939B2 (ja) | 1990-10-22 | 2000-05-15 | 株式会社ニコン | 投影レンズ系 |
US5136413A (en) | 1990-11-05 | 1992-08-04 | Litel Instruments | Imaging and illumination system with aspherization and aberration correction by phase steps |
JPH04355419A (ja) | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Asahi Optical Co Ltd | 対物レンズ |
EP0523033A1 (de) | 1991-07-10 | 1993-01-13 | IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. | Ionenoptisches Abbildungssystem |
JP3298131B2 (ja) | 1991-10-24 | 2002-07-02 | 株式会社ニコン | 縮小投影レンズ |
US5309198A (en) | 1992-02-25 | 1994-05-03 | Nikon Corporation | Light exposure system |
JPH0754794B2 (ja) | 1992-04-27 | 1995-06-07 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置 |
US5459577A (en) | 1992-06-01 | 1995-10-17 | Nikon Corporation | Method of and apparatus for measuring pattern positions |
US5308991A (en) * | 1992-06-02 | 1994-05-03 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for making a predistorted reticle to compensate for lens distortions |
JPH065490A (ja) | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5303001A (en) * | 1992-12-21 | 1994-04-12 | Ultratech Stepper, Inc. | Illumination system for half-field dyson stepper |
JP3037040B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP3374991B2 (ja) | 1993-06-14 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、露光方法、及び露光装置 |
US5392119A (en) | 1993-07-13 | 1995-02-21 | Litel Instruments | Plate correction of imaging systems |
US5677757A (en) | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5995263A (en) * | 1993-11-12 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3341269B2 (ja) | 1993-12-22 | 2002-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、半導体の製造方法及び投影光学系の調整方法 |
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