JPS6093410A - 反射光学系 - Google Patents
反射光学系Info
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- JPS6093410A JPS6093410A JP58201801A JP20180183A JPS6093410A JP S6093410 A JPS6093410 A JP S6093410A JP 58201801 A JP58201801 A JP 58201801A JP 20180183 A JP20180183 A JP 20180183A JP S6093410 A JPS6093410 A JP S6093410A
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- optical system
- optical member
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- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/008—Systems specially adapted to form image relays or chained systems
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0804—Catadioptric systems using two curved mirrors
- G02B17/0812—Catadioptric systems using two curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0852—Catadioptric systems having a field corrector only
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば投影型走査露光装置、特にＬＳＩなど
の製造に使用されるアライナ用光学系などに適用して好
適な反射光学系に関するものである。
の製造に使用されるアライナ用光学系などに適用して好
適な反射光学系に関するものである。
従来のこの種の反射光学系には、例えば同心又は非同心
の凹面鏡、凸面鏡を使用した反射光学系や、凹面鏡、凸
面鏡の外に更に負のメニスカスレンズ及び色収差補正機
構を加えたほぼ同心の反射光学系など、種々の形式のも
のが知られている。
の凹面鏡、凸面鏡を使用した反射光学系や、凹面鏡、凸
面鏡の外に更に負のメニスカスレンズ及び色収差補正機
構を加えたほぼ同心の反射光学系など、種々の形式のも
のが知られている。
そして、これらの反射光学系は軸外のアーチ状領域に良
像域が形成されており、この良像域に対応するマスクの
部分像をウェハー上に形成し、マスク、ウェハーを一体
として反射光学系に対して相対的に走査してマスクの全
体像をウェハー上に形成するアライナが知られている。
像域が形成されており、この良像域に対応するマスクの
部分像をウェハー上に形成し、マスク、ウェハーを一体
として反射光学系に対して相対的に走査してマスクの全
体像をウェハー上に形成するアライナが知られている。
しかしながら、従来の反射光学系の何れも非点収差、及
び像面弯曲が大きく、そのために良像域の幅は極めて狭
く例えば１ｍｍ程度であって、アライナに適応した場合
に多くの走査時間、即ち露光時間を必要とし、時間当り
のウェハー焼付処理量が比較的小さいという難点があっ
た。
び像面弯曲が大きく、そのために良像域の幅は極めて狭
く例えば１ｍｍ程度であって、アライナに適応した場合
に多くの走査時間、即ち露光時間を必要とし、時間当り
のウェハー焼付処理量が比較的小さいという難点があっ
た。
本発明の目的は、このような従来例の欠点を改善し、非
球面レンズを導入して非点収差及び像面弯曲を充分に補
正しつつ、補正像高の良像域を拡大し、更には時間当り
のウェハー焼付量を増大する反射光学系を提供すること
にあり、その要旨は、凹面鏡と凸面鏡の反射面同志を対
向させ、前記凹面鏡の反射面側前方に、第１の光学部材
と第２の光学部材を有する光学手段を配置し、該光学手
段に対して前記凹面鏡と反対側に被写体を配置し、該被
写体からの光束が前記第１の光学部材を通過し、前記凹
面鏡、前記凸面鏡、前記凹面鏡の順に反射し、前記第２
の光学部材を通過した後に結像する反射光学系であって
、該被写体の前記反射光学系の光軸外の領域から光軸と
ほぼ平行に射出した前記被写体の主光線が、前記第１の
光学部材を通過し前記凹面鏡で反射した後に、前記凸面
鏡と光軸との交点に入射し、該交点から反射した主光線
が前記凹面鏡で反射し、前記第２の光学部材を通過した
後に光軸とほぼ平行に射出するように、前記第１の光学
部材及び前□記第２の光学部材の少なくとも一方に非球
面を施したことを特徴とするものである。
球面レンズを導入して非点収差及び像面弯曲を充分に補
正しつつ、補正像高の良像域を拡大し、更には時間当り
のウェハー焼付量を増大する反射光学系を提供すること
にあり、その要旨は、凹面鏡と凸面鏡の反射面同志を対
向させ、前記凹面鏡の反射面側前方に、第１の光学部材
と第２の光学部材を有する光学手段を配置し、該光学手
段に対して前記凹面鏡と反対側に被写体を配置し、該被
写体からの光束が前記第１の光学部材を通過し、前記凹
面鏡、前記凸面鏡、前記凹面鏡の順に反射し、前記第２
の光学部材を通過した後に結像する反射光学系であって
、該被写体の前記反射光学系の光軸外の領域から光軸と
ほぼ平行に射出した前記被写体の主光線が、前記第１の
光学部材を通過し前記凹面鏡で反射した後に、前記凸面
鏡と光軸との交点に入射し、該交点から反射した主光線
が前記凹面鏡で反射し、前記第２の光学部材を通過した
後に光軸とほぼ平行に射出するように、前記第１の光学
部材及び前□記第２の光学部材の少なくとも一方に非球
面を施したことを特徴とするものである。
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図に示す実施例では、凹面ｔａＭｌとそれよりも半
径の小さな凸面鏡Ｍ２とが、これらの光軸０が一致する
ように配置されると共に、これらの曲率中心が同一方向
になるようにして鏡面同志が対向的に配置されている。
径の小さな凸面鏡Ｍ２とが、これらの光軸０が一致する
ように配置されると共に、これらの曲率中心が同一方向
になるようにして鏡面同志が対向的に配置されている。
そして、物体Ｓ１と凸面鏡Ｍ２との間、及び物体Ｓ１と
光軸０の点０１を中心に対称的な位置の像面Ｓ２と凸面
鏡Ｍ２との間に、非球面レンズＬ１が光軸０を中心とし
て対称的な形状で配置されている。
光軸０の点０１を中心に対称的な位置の像面Ｓ２と凸面
鏡Ｍ２との間に、非球面レンズＬ１が光軸０を中心とし
て対称的な形状で配置されている。
物体Ｓ１から出射された光束は、凹面鏡胴、凸面鏡Ｍ２
、凹面鏡胴の順に進行するため、物体高Ｐ１はこれらの
２つの鏡面旧、Ｍ２間で計３回反射された後に、像面Ｓ
２における点Ｐ２に等倍結像されることになり、この反
射光学系の絞りの役割を凸面鏡Ｍ２が果している。この
反射光学系は凸面鏡Ｍ２の有効径の中心０２に関して対
称的に配置されているので、光束がこの中心０２に入射
するに際して非対称収差であるコマ収差や歪曲収差が発
生することはないが、非点収差と像面弯曲の発生は免れ
難い。
、凹面鏡胴の順に進行するため、物体高Ｐ１はこれらの
２つの鏡面旧、Ｍ２間で計３回反射された後に、像面Ｓ
２における点Ｐ２に等倍結像されることになり、この反
射光学系の絞りの役割を凸面鏡Ｍ２が果している。この
反射光学系は凸面鏡Ｍ２の有効径の中心０２に関して対
称的に配置されているので、光束がこの中心０２に入射
するに際して非対称収差であるコマ収差や歪曲収差が発
生することはないが、非点収差と像面弯曲の発生は免れ
難い。
そこでこの反射光学系においては、非点収差と像面弯曲
は非球面レンズＬｌによって補正するようにされている
。このために非球面レンズし１の形状は、第２図の非点
収差図で示す補正領域り内での各像高の光軸Ｏと平行な
主光線の全てが凸面鏡Ｍ２の中心０２へ入射し、また凸
面鏡Ｍ２の中心０２から反射した各主光線が像面に全て
平行に入射するように非球面レンズＬ１の形状が決めら
れている。なお、第２図の非点収差は（ａ） 、 （ｂ
） 、 （ｃ） 、 （ｄ）でそれぞれ非球面形状が異
なる場合を示している。
は非球面レンズＬｌによって補正するようにされている
。このために非球面レンズし１の形状は、第２図の非点
収差図で示す補正領域り内での各像高の光軸Ｏと平行な
主光線の全てが凸面鏡Ｍ２の中心０２へ入射し、また凸
面鏡Ｍ２の中心０２から反射した各主光線が像面に全て
平行に入射するように非球面レンズＬ１の形状が決めら
れている。なお、第２図の非点収差は（ａ） 、 （ｂ
） 、 （ｃ） 、 （ｄ）でそれぞれ非球面形状が異
なる場合を示している。
なお、収差が良好に補正できる範囲であれば、主光線の
全てが多少中心からずれていても、また一部の主光線が
中心からずれて入射するように、また全ての主光線が像
面に多少非平行に或いは一部の主光線が多少非平行に入
射するように非球面レンズＬｌの形状を決めてもよい、
このような場合に、例えばレンズし１の物体Ｓｔ側に非
球面を施し、像面Ｓ２側にメニスカスレンズ部材を用い
ることができる。しかしながら、一方だけに非球面を施
すよりも、双方に非球面を施す場合の方が製作が容易で
あり、更には説明も容易であるため、以下は双方に非球
面を施した場合について述さる。
全てが多少中心からずれていても、また一部の主光線が
中心からずれて入射するように、また全ての主光線が像
面に多少非平行に或いは一部の主光線が多少非平行に入
射するように非球面レンズＬｌの形状を決めてもよい、
このような場合に、例えばレンズし１の物体Ｓｔ側に非
球面を施し、像面Ｓ２側にメニスカスレンズ部材を用い
ることができる。しかしながら、一方だけに非球面を施
すよりも、双方に非球面を施す場合の方が製作が容易で
あり、更には説明も容易であるため、以下は双方に非球
面を施した場合について述さる。
この場合に凹面鏡胴は凸レンズの作用をなすから、補正
領域りのアーチ状の各興高に一応、した凹面鏡Ｍｌの各
入射高での凹面鏡Ｍ１で発生する正の球面収差の値に応
じて、非球面レンズ１，１の対応入射光で負の球面収差
を発生させる。従って、正負の球面収差が補正領域りの
各像高で互いに打消し合うように非球面レスズＬ１の形
状を選択すれば、各像高の光軸Ｏに平行・な主光線はこ
の光学系の中心０２に入射することになる。つまり、補
正領域り内での各像高の無限遠主光線が常に光学系の中
心０２へ集光するように補正されたとき、中心０２での
対称性からこの反射光学系全体の非点収差は補正される
ことになる。
領域りのアーチ状の各興高に一応、した凹面鏡Ｍｌの各
入射高での凹面鏡Ｍ１で発生する正の球面収差の値に応
じて、非球面レンズ１，１の対応入射光で負の球面収差
を発生させる。従って、正負の球面収差が補正領域りの
各像高で互いに打消し合うように非球面レスズＬ１の形
状を選択すれば、各像高の光軸Ｏに平行・な主光線はこ
の光学系の中心０２に入射することになる。つまり、補
正領域り内での各像高の無限遠主光線が常に光学系の中
心０２へ集光するように補正されたとき、中心０２での
対称性からこの反射光学系全体の非点収差は補正される
ことになる。
第２図の補正領域りはサジタル像面Ｓとメリディオナル
像面ｍの傾きと許容深度との関係で決定されるから、非
点収差の補正、即ちサジタル像面Ｓとメリディオナル像
面ｍの非点隔差を無くし、補正領域り内の各像高の像面
弯曲な小さくするために非球面レンズＬ１が採用され、
これによって補正領域りの拡大、スリット幅の増大を図
ることができる。
像面ｍの傾きと許容深度との関係で決定されるから、非
点収差の補正、即ちサジタル像面Ｓとメリディオナル像
面ｍの非点隔差を無くし、補正領域り内の各像高の像面
弯曲な小さくするために非球面レンズＬ１が採用され、
これによって補正領域りの拡大、スリット幅の増大を図
ることができる。
第１図に示す第１の実施例では凹面鏡Ｍ１と凸面鏡Ｍ２
は非同心であり、非球面レンズＬ１は緩い凸レンズで凹
面鏡層側の凸面を非球面とし、補正領域り内の各主光線
が通過する非球面部分は像高が高くなるにつれて、参照
球面よりも負の成分を形成するようになっている。なお
、この非球面レンズＬ１の数は１個ではなく、これを複
数個としても特に支障はない。
は非同心であり、非球面レンズＬ１は緩い凸レンズで凹
面鏡層側の凸面を非球面とし、補正領域り内の各主光線
が通過する非球面部分は像高が高くなるにつれて、参照
球面よりも負の成分を形成するようになっている。なお
、この非球面レンズＬ１の数は１個ではなく、これを複
数個としても特に支障はない。
第３図及び第４図は第２の実施例の構成図及び非点収差
図を示すものであり、凹面鏡層と凸面鏡Ｍ２は同心であ
り、非球面レンズＬ２は緩い凸レンズでその凸面を非球
面としているが、凸面は物体Ｓ１及び像面Ｓ２側に配置
されている。補正領域り内での各像高の主光線が通過す
る非球面部分は像高が高くなるにつれて、つまり凹面鏡
層の屈折力が大きくなるに従って、参′照球面よりも負
の成分を持つように形成されている。
図を示すものであり、凹面鏡層と凸面鏡Ｍ２は同心であ
り、非球面レンズＬ２は緩い凸レンズでその凸面を非球
面としているが、凸面は物体Ｓ１及び像面Ｓ２側に配置
されている。補正領域り内での各像高の主光線が通過す
る非球面部分は像高が高くなるにつれて、つまり凹面鏡
層の屈折力が大きくなるに従って、参′照球面よりも負
の成分を持つように形成されている。
第５図及び第６図は第３の実施例を示し、凹面鏡層と凸
面鏡Ｍ２とは非同心であり、非球面レンズＬ３は平行平
面板の両面が非球面化されている。補正領域り内での各
像高の主光線が通過する範囲では、この非球面レンズＬ
３は負の屈折力を持つように構成され、像高が高くなる
につれて、より負の成分を持つようになっている。
面鏡Ｍ２とは非同心であり、非球面レンズＬ３は平行平
面板の両面が非球面化されている。補正領域り内での各
像高の主光線が通過する範囲では、この非球面レンズＬ
３は負の屈折力を持つように構成され、像高が高くなる
につれて、より負の成分を持つようになっている。
第７図及び第８図は第４の実施例であり、凹面鏡層と凸
面鏡Ｍ２は非同心であって、凹面鏡層の正の作用を打消
すために負のメニスカスレンズから成る非球面レンズＬ
４が配置されている。非球面レンズＬ４の凹面鏡層側の
面は非球面化され、補正領域り内の非点収差を略々零と
することができる。
面鏡Ｍ２は非同心であって、凹面鏡層の正の作用を打消
すために負のメニスカスレンズから成る非球面レンズＬ
４が配置されている。非球面レンズＬ４の凹面鏡層側の
面は非球面化され、補正領域り内の非点収差を略々零と
することができる。
この非球面レンズＬ４の非球面部分の形状は各補正像高
の主光線が通過する範囲では、負のメニスカスレンズが
凹面鏡層の屈折力よりも強いため、非球面部はそれを補
正するように参照球面よりも正の成分で構成されている
。
の主光線が通過する範囲では、負のメニスカスレンズが
凹面鏡層の屈折力よりも強いため、非球面部はそれを補
正するように参照球面よりも正の成分で構成されている
。
第９図は第７図における負のメニスカスレンズを非球面
としない場合の非点収差図を示しているが、サジタル像
面Ｓとメリディオナル像面ｍは、メニスカスレンズがな
い場合よりも補正されるが、第８図の非点収差図と比較
して明らかなように補正領域りは極めて狭い幅しか得ら
れない。
としない場合の非点収差図を示しているが、サジタル像
面Ｓとメリディオナル像面ｍは、メニスカスレンズがな
い場合よりも補正されるが、第８図の非点収差図と比較
して明らかなように補正領域りは極めて狭い幅しか得ら
れない。
次に、第１．第２、第３、第４の各実施例における光学
的構成の数値例をそれぞれ第１表、第２表、第３表、第
４表として記載する。また、第５表は第９図において非
球面を使用しない場合の数値例である。なお、旧は第１
図、第３図、第５図、第７図において光の進行順序に従
って第１番目の光学部材面の曲率半径、Ｄｉは第１番目
の光学部材の軸上厚又は空気間隔であり、正負の符号は
左から右に進行する場合を正としている。
的構成の数値例をそれぞれ第１表、第２表、第３表、第
４表として記載する。また、第５表は第９図において非
球面を使用しない場合の数値例である。なお、旧は第１
図、第３図、第５図、第７図において光の進行順序に従
って第１番目の光学部材面の曲率半径、Ｄｉは第１番目
の光学部材の軸上厚又は空気間隔であり、正負の符号は
左から右に進行する場合を正としている。
第１表
Ｒ１−ω ロｌ−１４，８５溶融石英
水ＩＲ２モー［１８８２，０８Ｄ２−４８８． 空気Ｒ
３−−５００，Ｄ３諺−２４Ｂ、４５ミラーＲ４−−２
４７，３７０４−２４ｆ１．４５ ミラーＲ５＝ −５
００，０５＝−４８８，空気ネｌ Ｒｆｌ−８８８２，
０８０ｆｉ−−１４，８５溶融石英Ｒ７−ｏｏ ０７−
− ミラ一 本は非球面であり、光軸に関して対称で光軸からの距１
１１！ｈにおける平面からの偏りＸを、Ｘ＝（ｈ２ ／
Ｒ） ／［１◆（１−（ｈ／Ｒ） ２）−２］＋Ｂｈ’
−Ｍｌ：ｈ’ ＋Ｄｈ８＋Ｅｈ’非球面量をΔＳとし
たとき、 （１）第２図（ａ）の場合 ＊ ” Ｒ＝−１３８８２，０８ Ｂ−４，５１１１３０２−１０−” Ｃ−−２，３２ｆ
１０９−１０”Ｄ−−１，１８１１３５・１０−” Ｅ
−５，５８４２５・１０４２ΔＳ＝５．５８φ１０４ （２）第２図（ｂ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ−−ｆｉ８８２．０６ Ｂ−４，７３０８０−ｔｏ−ｇ Ｃ−−２，３９５８７
−１Ｏ−１２０＝−１，２２７７０−１０−１” Ｅ−
５，７３１１７−１０−２２ΔＳ−５，７５０ｌＯ″２ （３）第２図（ｃ）の場合 ＊ ” Ｒ−−８８８２，０１（ Ｂ−４，８２２Ｅｉ７− １０−＠ Ｃ−−２，４４２
４０−１Ｏ−Ｉ２０＝−１，２５１５５−１０−息”
Ｅ−５，８４２４Ｇ −１０−２２ΔＳ−５，８ｆｉ・
１０４ （４）第２図（ｄ）の場合 ＊ ’ Ｒ−−１３８８２，０８ Ｂ−４，３ｆｉ３３７−１０−’ Ｃ−−２，２０９７
８’−１０”Ｄ−−１，１３２３５−１０” Ｅ−５，
２８８０３−１０′２２ΔＳ−５，３０・１０４ 第２表 木Ｉ Ｒ１−３Ｅｉ０２．４０ ＤＩ−１５，溶融石英
Ｒ２−（ＸＩ ０２−４５０． 空気 Ｒ３−−５００，０３＝−２４４，８４４ミラーＲ４＝
−２５５，１５５０４−２４４，８４４ミラーＲ５＝−
５００，０５＝−４５０，ミラーＲ６−■ Ｄ８＝ ’
−１５，溶融石英＊ ’ Ｒ７＝ ３８０２．４０ ０
７− − 空気（１）第４図（ａ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ＝３ｆｉ０２．４０ Ｂ＝−１，４７３７８−１０−” Ｃ−５，１８５５１
１−１Ｏ−Ｉ３０−−２．０２０５７−１０”’ Ｅ＝
３．４８４２１−１０−２３ΔＳ−３，０１・１０４ （２）第４図（ｂ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ−３ｆｉ０２．４０ Ｂ−−１，５１７８９−１０−ｇＣ＝ ５．３４１１５
−１０”Ｄ−−２，０ｆｌｌ１８−１０”’ Ｅ−３，
５８８１３−、１ｇ４３ΔＳ−３，１０・１Ｏ−２ （３）第４図（ｃ）の場合 木’ Ｒ−３８０２，４０ Ｂ−−１，５４７４７０１０−” Ｃ−５，４４４８８
・１０−１３０−２．１２１８０・１０−” Ｅ＝ ３
．８３７４２・１０４３ΔＳ−３，１８・１０′２ （４）第４図（ｄ）の場合 ＊ ’ Ｒ−３８０２，４０ Ｂ−１，３８３２４−ｔｏ−ｓｃ−４，７ａｅｅ７−
ｔｏ−Ｉ３０−−１．８８１３０３０１０−” Ｅ−３
，２０４４０・１０″２３ΔＳ−２，８０−１０４ 第３表 ＊１Ｒ１璽 （１） ＤＩ−１５，溶融石英＊２Ｒ２−
■ ［１２−４８９，９７空気Ｒ３−−５００，０３−
−２４４，８４４ミラーＲ４−−２５５，１５５０４鱈
２４４．８４４ ミラーＲ５＝−５００，Ｄ５黛−４８
！３．９７ ミラー＊２ ＲＥＩ−Ｏｏ ＤＯ−−１５
，溶融石英＊Ｉ Ｒ７−ｏ３［１７−− 空気 （１）第６図（ａ）の場合 ＊１Ｒ１■ Ｂ−１，４３６７７−１０−８Ｇ−５，１１３４５９−
１０”Ｄ寥１．３８５８７・・１Ｏ−１６Ｅ＝−１，４
８０９３拳ｌＯりＯΔＳ−５，２５・１０４ ＊２Ｒ＝ ■ Ｂ−８，５１８１ｆｔ−１０−９Ｇ−２，０５１９２−
１０”ロー−８，６２７８１−１０−１７Ｅ−３，５８
２７？・ １０噌１ΔＳ−４，８３・１０−２ Ｉ２）第６図（ｂ）の場合 木ＩＲ＝ 閃 Ｂ＝ １．４７８８０・ｔｏ−” Ｃ＝ ５．３１９５
０＠１０−’３Ｄ＝ １．４２７４４・１Ｏ−Ｉ６Ｅ＝
−１，５２５３５・１０−２０ΔＳ−５，４３ｅｌＯ号 ＊２ Ｒ−■ Ｂ−８，７７３７０−１０−Ｑ Ｃ−２，１１３４８−
１０”［１−−８，８８８４３−ｔｏ−１７Ｅ−３，８
９０２５； ｔｏ′２’Ａ Ｓ−５，１０−１０′２ （３）第６図（ｃ）の場合 ＊” Ｒ＝ ψ Ｂ＝ １．５０８５３−１０−” Ｃ＝ ５．４２２８
０−１Ｏ−１３０＝ １．４５５１ｆｌ−１０” Ｅ＝
−１，５５４９７−１０−”ΔＳ＝５．５５・ １０４ オζ２ 、Ｒ＝ ψ Ｂ＝ ８．ｆ１４４０７−１０−９ Ｇ−２，１５４５
１−，１Ｏ−１２ｎ＝−ｓ、ｏ５ｅａｓ＠１０−１７
Ｅ＝−３，７８１８０＊ １ｏ−２１ΔＳ＝５．２１・
１０り （４）第６１ｆｆｌ （ｄ）の場合 ＊Ｉ Ｒ＝ （１） Ｂ＝−１，３８４８８−１０−Ｉ Ｃ＝ ４．９０１！
３８−１０−”Ｄ−１，３１８５８−１０” Ｅ、−１
，４０８８８−１０−２’ΔＳ＝４．９５− １０４ 木２１７−ｏ。
３−−５００，Ｄ３諺−２４Ｂ、４５ミラーＲ４−−２
４７，３７０４−２４ｆ１．４５ ミラーＲ５＝ −５
００，０５＝−４８８，空気ネｌ Ｒｆｌ−８８８２，
０８０ｆｉ−−１４，８５溶融石英Ｒ７−ｏｏ ０７−
− ミラ一 本は非球面であり、光軸に関して対称で光軸からの距１
１１！ｈにおける平面からの偏りＸを、Ｘ＝（ｈ２ ／
Ｒ） ／［１◆（１−（ｈ／Ｒ） ２）−２］＋Ｂｈ’
−Ｍｌ：ｈ’ ＋Ｄｈ８＋Ｅｈ’非球面量をΔＳとし
たとき、 （１）第２図（ａ）の場合 ＊ ” Ｒ＝−１３８８２，０８ Ｂ−４，５１１１３０２−１０−” Ｃ−−２，３２ｆ
１０９−１０”Ｄ−−１，１８１１３５・１０−” Ｅ
−５，５８４２５・１０４２ΔＳ＝５．５８φ１０４ （２）第２図（ｂ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ−−ｆｉ８８２．０６ Ｂ−４，７３０８０−ｔｏ−ｇ Ｃ−−２，３９５８７
−１Ｏ−１２０＝−１，２２７７０−１０−１” Ｅ−
５，７３１１７−１０−２２ΔＳ−５，７５０ｌＯ″２ （３）第２図（ｃ）の場合 ＊ ” Ｒ−−８８８２，０１（ Ｂ−４，８２２Ｅｉ７− １０−＠ Ｃ−−２，４４２
４０−１Ｏ−Ｉ２０＝−１，２５１５５−１０−息”
Ｅ−５，８４２４Ｇ −１０−２２ΔＳ−５，８ｆｉ・
１０４ （４）第２図（ｄ）の場合 ＊ ’ Ｒ−−１３８８２，０８ Ｂ−４，３ｆｉ３３７−１０−’ Ｃ−−２，２０９７
８’−１０”Ｄ−−１，１３２３５−１０” Ｅ−５，
２８８０３−１０′２２ΔＳ−５，３０・１０４ 第２表 木Ｉ Ｒ１−３Ｅｉ０２．４０ ＤＩ−１５，溶融石英
Ｒ２−（ＸＩ ０２−４５０． 空気 Ｒ３−−５００，０３＝−２４４，８４４ミラーＲ４＝
−２５５，１５５０４−２４４，８４４ミラーＲ５＝−
５００，０５＝−４５０，ミラーＲ６−■ Ｄ８＝ ’
−１５，溶融石英＊ ’ Ｒ７＝ ３８０２．４０ ０
７− − 空気（１）第４図（ａ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ＝３ｆｉ０２．４０ Ｂ＝−１，４７３７８−１０−” Ｃ−５，１８５５１
１−１Ｏ−Ｉ３０−−２．０２０５７−１０”’ Ｅ＝
３．４８４２１−１０−２３ΔＳ−３，０１・１０４ （２）第４図（ｂ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ−３ｆｉ０２．４０ Ｂ−−１，５１７８９−１０−ｇＣ＝ ５．３４１１５
−１０”Ｄ−−２，０ｆｌｌ１８−１０”’ Ｅ−３，
５８８１３−、１ｇ４３ΔＳ−３，１０・１Ｏ−２ （３）第４図（ｃ）の場合 木’ Ｒ−３８０２，４０ Ｂ−−１，５４７４７０１０−” Ｃ−５，４４４８８
・１０−１３０−２．１２１８０・１０−” Ｅ＝ ３
．８３７４２・１０４３ΔＳ−３，１８・１０′２ （４）第４図（ｄ）の場合 ＊ ’ Ｒ−３８０２，４０ Ｂ−１，３８３２４−ｔｏ−ｓｃ−４，７ａｅｅ７−
ｔｏ−Ｉ３０−−１．８８１３０３０１０−” Ｅ−３
，２０４４０・１０″２３ΔＳ−２，８０−１０４ 第３表 ＊１Ｒ１璽 （１） ＤＩ−１５，溶融石英＊２Ｒ２−
■ ［１２−４８９，９７空気Ｒ３−−５００，０３−
−２４４，８４４ミラーＲ４−−２５５，１５５０４鱈
２４４．８４４ ミラーＲ５＝−５００，Ｄ５黛−４８
！３．９７ ミラー＊２ ＲＥＩ−Ｏｏ ＤＯ−−１５
，溶融石英＊Ｉ Ｒ７−ｏ３［１７−− 空気 （１）第６図（ａ）の場合 ＊１Ｒ１■ Ｂ−１，４３６７７−１０−８Ｇ−５，１１３４５９−
１０”Ｄ寥１．３８５８７・・１Ｏ−１６Ｅ＝−１，４
８０９３拳ｌＯりＯΔＳ−５，２５・１０４ ＊２Ｒ＝ ■ Ｂ−８，５１８１ｆｔ−１０−９Ｇ−２，０５１９２−
１０”ロー−８，６２７８１−１０−１７Ｅ−３，５８
２７？・ １０噌１ΔＳ−４，８３・１０−２ Ｉ２）第６図（ｂ）の場合 木ＩＲ＝ 閃 Ｂ＝ １．４７８８０・ｔｏ−” Ｃ＝ ５．３１９５
０＠１０−’３Ｄ＝ １．４２７４４・１Ｏ−Ｉ６Ｅ＝
−１，５２５３５・１０−２０ΔＳ−５，４３ｅｌＯ号 ＊２ Ｒ−■ Ｂ−８，７７３７０−１０−Ｑ Ｃ−２，１１３４８−
１０”［１−−８，８８８４３−ｔｏ−１７Ｅ−３，８
９０２５； ｔｏ′２’Ａ Ｓ−５，１０−１０′２ （３）第６図（ｃ）の場合 ＊” Ｒ＝ ψ Ｂ＝ １．５０８５３−１０−” Ｃ＝ ５．４２２８
０−１Ｏ−１３０＝ １．４５５１ｆｌ−１０” Ｅ＝
−１，５５４９７−１０−”ΔＳ＝５．５５・ １０４ オζ２ 、Ｒ＝ ψ Ｂ＝ ８．ｆ１４４０７−１０−９ Ｇ−２，１５４５
１−，１Ｏ−１２ｎ＝−ｓ、ｏ５ｅａｓ＠１０−１７
Ｅ＝−３，７８１８０＊ １ｏ−２１ΔＳ＝５．２１・
１０り （４）第６１ｆｆｌ （ｄ）の場合 ＊Ｉ Ｒ＝ （１） Ｂ＝−１，３８４８８−１０−Ｉ Ｃ＝ ４．９０１！
３８−１０−”Ｄ−１，３１８５８−１０” Ｅ、−１
，４０８８８−１０−２’ΔＳ＝４．９５− １０４ 木２１７−ｏ。
Ｂ＝ ８．０９２２５−１０−’Ｉ Ｃ＝ １．９４９
３２−１０”［１＝−８，１１１Ｂ２３＠ １０−１７
Ｅ−−３，４０３６３−１０”Ｊ Ｓ＝４．８５−
１０＋２ 第４表 Ｒ１＝ −１４１，１１１旧＝ １１．０３ 溶融石英
＊ ’ Ｒ２＝ −１４８，５８０２＝ ３９４．４８
空気Ｒ３＝−５５１，１５０３＝−２７９，０７ミラ
ーＲ４＝−２ｆｌ？、１８０４＝２７９．０７ミラーＲ
５＝−５５１，１５０５＝−３９４，４８ミラー＊ ’
Ｒ８＝ −４４８，５８Ｄ６＝ −１１，０３溶融石
英Ｒ７＝−１４１，９１０？＝ −空気 （＋）第８図（ａ、）の場合 木’ Ｒ＝−１４８，５８ Ｂ−−８，２２０５１−ｔｏ−Ｉｏｃｍ ｔ、ｏｓｓｔ
２− ｔｏ−１３Ｄ＝−７，８９１７２−ｔｏ−１８Ｅ
＝２．４１２８７− ｔｏ−”ΔＳ＝１．８８−１０−
’ （２）第８図（ｂ）の場合 ネＩ Ｒ＝−１４８，５８ Ｂ＝−１（，４１７７５−１０−” Ｃ＝−７，９２２
４０−１０−”［１＝−７，９２２４０−１０” Ｅ＝
２．４８５２５−１０”ΔＳ−２．０４０１Ｏ−４ （３）第８図（ｃ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ−１４８，５８ Ｂ−８，５３１５２−１０−１’ Ｃ−１，１４３５８
−１Ｏ−１３０＝−８，０７８３１−ｔｏ” Ｅ−２，
５３３５１−１０”ΔＳ＝２．０８・ １Ｏ−４ （４）第８図（ｄ）の場合 ＊ ” Ｒ＝−１４８，５８ Ｂ＝−８，０８４９８−１０” Ｃ−１，０８１８９−
ｔｏ−１３Ｄ−７，４９９００＠１０” Ｅ−２，３５
２５４−１０４２ΔＳ−１，９３・ １Ｏ−４ 第５表 Ｒ１−−１４１，９１ＤＩ−１１，０３溶融石英Ｒ２−
、−１４８，５８０２−３９４，４８空気Ｒ３−−５５
１，１５０３−２７９，０？ ミ ラ −Ｒ４−−２８
７，１８０４−２７９，０７ミ５−Ｒ５−−５５１，１
５Ｄ５諺−３９４，４８ミ ラ −Ｒｅ−−１４８，５
８０８−−１１，０３溶融石英Ｒ７＝−１４１，！３１
Ｄ？−−空気なおこれらの表において、非球面量ΔＳ
はΔＳ＝（ΔＲ）１２−ΔＲＨＩ）／ΔＨと定義する。
３２−１０”［１＝−８，１１１Ｂ２３＠ １０−１７
Ｅ−−３，４０３６３−１０”Ｊ Ｓ＝４．８５−
１０＋２ 第４表 Ｒ１＝ −１４１，１１１旧＝ １１．０３ 溶融石英
＊ ’ Ｒ２＝ −１４８，５８０２＝ ３９４．４８
空気Ｒ３＝−５５１，１５０３＝−２７９，０７ミラ
ーＲ４＝−２ｆｌ？、１８０４＝２７９．０７ミラーＲ
５＝−５５１，１５０５＝−３９４，４８ミラー＊ ’
Ｒ８＝ −４４８，５８Ｄ６＝ −１１，０３溶融石
英Ｒ７＝−１４１，９１０？＝ −空気 （＋）第８図（ａ、）の場合 木’ Ｒ＝−１４８，５８ Ｂ−−８，２２０５１−ｔｏ−Ｉｏｃｍ ｔ、ｏｓｓｔ
２− ｔｏ−１３Ｄ＝−７，８９１７２−ｔｏ−１８Ｅ
＝２．４１２８７− ｔｏ−”ΔＳ＝１．８８−１０−
’ （２）第８図（ｂ）の場合 ネＩ Ｒ＝−１４８，５８ Ｂ＝−１（，４１７７５−１０−” Ｃ＝−７，９２２
４０−１０−”［１＝−７，９２２４０−１０” Ｅ＝
２．４８５２５−１０”ΔＳ−２．０４０１Ｏ−４ （３）第８図（ｃ）の場合 ＊ Ｉ Ｒ−１４８，５８ Ｂ−８，５３１５２−１０−１’ Ｃ−１，１４３５８
−１Ｏ−１３０＝−８，０７８３１−ｔｏ” Ｅ−２，
５３３５１−１０”ΔＳ＝２．０８・ １Ｏ−４ （４）第８図（ｄ）の場合 ＊ ” Ｒ＝−１４８，５８ Ｂ＝−８，０８４９８−１０” Ｃ−１，０８１８９−
ｔｏ−１３Ｄ−７，４９９００＠１０” Ｅ−２，３５
２５４−１０４２ΔＳ−１，９３・ １Ｏ−４ 第５表 Ｒ１−−１４１，９１ＤＩ−１１，０３溶融石英Ｒ２−
、−１４８，５８０２−３９４，４８空気Ｒ３−−５５
１，１５０３−２７９，０？ ミ ラ −Ｒ４−−２８
７，１８０４−２７９，０７ミ５−Ｒ５−−５５１，１
５Ｄ５諺−３９４，４８ミ ラ −Ｒｅ−−１４８，５
８０８−−１１，０３溶融石英Ｒ７＝−１４１，！３１
Ｄ？−−空気なおこれらの表において、非球面量ΔＳ
はΔＳ＝（ΔＲ）１２−ΔＲＨＩ）／ΔＨと定義する。
ここで、ΔＨは第１Ｏ図（ａ）に示すように非球面レン
ズＬでＲ２−旧で与えられるアーチ状の良像域を示し、
ΔＲＨＩ 、ΔＲＨ２は第１０図（ｂ）に示すように高
さ旧、Ｒ２における参照球面からの非球面量を表してい
る。なお、（ｂ）における実線Ａは点０３を中心とする
参照平面を、点線Ｂは非球面を示している。
ズＬでＲ２−旧で与えられるアーチ状の良像域を示し、
ΔＲＨＩ 、ΔＲＨ２は第１０図（ｂ）に示すように高
さ旧、Ｒ２における参照球面からの非球面量を表してい
る。なお、（ｂ）における実線Ａは点０３を中心とする
参照平面を、点線Ｂは非球面を示している。
そして、これらの表から判るように非球面量ΔＳは１／
１０４とｌ／ｌ Ｏとの間にあり、ΔＳが１／１０４よ
りも小となると非球面の変化量が少なくなり、非球面の
効果が薄れ゛てきて広いスリット巾が得られなくなる。
１０４とｌ／ｌ Ｏとの間にあり、ΔＳが１／１０４よ
りも小となると非球面の変化量が少なくなり、非球面の
効果が薄れ゛てきて広いスリット巾が得られなくなる。
またΔＳがｌ／１０より大きくなると非球面の変化量が
増大し、サジタル像面Ｓとメリディオナル像面ｍが離れ
てゆき、広いスリットｌ」が得られなくなる。
増大し、サジタル像面Ｓとメリディオナル像面ｍが離れ
てゆき、広いスリットｌ」が得られなくなる。
またこれらの表から判るように、参照球面の大きさによ
って非球面量ΔＳの許容値が変ってくる。即ち、参照球
面ＩＲＩが１０００ｍｍよりも大の場合にΔＳはｌ／１
０３と１／１０の間にあり、これらの下限値及び上限値
を越えると先に述へた場合と同様のデメリットを生ずる
。更に、参照球面ＩＲＩが２００ｍｍ以下の場合にΔＳ
は１／Ｉ Ｑ４と１／ＩＱ３との間にあり、これらの下
限値及び上限値を越えると同様のデメリットが生ずる。
って非球面量ΔＳの許容値が変ってくる。即ち、参照球
面ＩＲＩが１０００ｍｍよりも大の場合にΔＳはｌ／１
０３と１／１０の間にあり、これらの下限値及び上限値
を越えると先に述へた場合と同様のデメリットを生ずる
。更に、参照球面ＩＲＩが２００ｍｍ以下の場合にΔＳ
は１／Ｉ Ｑ４と１／ＩＱ３との間にあり、これらの下
限値及び上限値を越えると同様のデメリットが生ずる。
更ニ、非球面レンズＬ１〜Ｌ４を構成するガラスのアラ
へ数をνとすると、 ６０くν＜１００ なる条件を満足することが望ましい。アラへ数νが６０
よりも小さい場合は色収差の発生が増大し、使用波長域
が非常に狭く限定される。なお、アツベ数νがｌｏｏよ
りも大きな光学ガラスは現在のところ存在しない。
へ数をνとすると、 ６０くν＜１００ なる条件を満足することが望ましい。アラへ数νが６０
よりも小さい場合は色収差の発生が増大し、使用波長域
が非常に狭く限定される。なお、アツベ数νがｌｏｏよ
りも大きな光学ガラスは現在のところ存在しない。
このようにして本発明に係る反射光学系によれば、非球
面レンズの導入により補正領域の各像高でのサジタル像
面Ｓ、メリディオナル像面ｍを広範囲に一致するように
補正して補正像高の良像域を拡大することが可能になる
。また良像域の拡大、即ちスリット幅の拡大によって露
光時間を短縮できるという効果が得られる。特に、凹面
鏡層と凸面鏡Ｎ２との同心性に制限されず、球面系のみ
のレンズ構成と異なって配置する位置も制限されずに非
球面の補正のみに注目すればよいことになり、高性能の
反射光学系が得られる。なお実施例によれば、像高りが
１００〜９０ｍｍ即ちスリットＩＯが約１０ｍｍまでに
良像域が拡大されている。
面レンズの導入により補正領域の各像高でのサジタル像
面Ｓ、メリディオナル像面ｍを広範囲に一致するように
補正して補正像高の良像域を拡大することが可能になる
。また良像域の拡大、即ちスリット幅の拡大によって露
光時間を短縮できるという効果が得られる。特に、凹面
鏡層と凸面鏡Ｎ２との同心性に制限されず、球面系のみ
のレンズ構成と異なって配置する位置も制限されずに非
球面の補正のみに注目すればよいことになり、高性能の
反射光学系が得られる。なお実施例によれば、像高りが
１００〜９０ｍｍ即ちスリットＩＯが約１０ｍｍまでに
良像域が拡大されている。
次に、本発明に係る反射光学系を半導体焼付装置に適応
した例を第１１図、第１２図を使用して説明する。第１
１図は焼付装置の光学的配置を示し、■はマスク照明用
光学系であり、水平な光軸に沿って球面ミラー２、円弧
状水銀ランプがら成る光源３、レンズ４、フィルタ５．
４５度ミラー６、レンズ７が配置されている。なお、フ
ィルタ５はウェハーに対して感光性を有する光を除去し
、マスク・ウェハーのアライメント時に照明光路中に挿
入される。このマスク照明用光学系ｌはマスクを円弧状
に或いはアーチ状に照明することによって、反射光学系
の結像領域を円弧状或いはアーチ状に制限している。８
は上部水平面に配置されたマスクであり、このマスク８
は図示しない公知のマスク保持具によって保持されてい
る。このマスク８の下方には、マスク８の像をウェハー
９上に形成する本発明に係る反射光学系１０が配置され
ている。なお、非球面レンズＬの光軸０を対称とする物
体側Ｓｌと像面Ｓ２側とは先の実施例と異なり分離され
ており、それぞれミラー１１．１２によって光束偏向し
て使用される。ウェハー９は公知のウニへ−保持具によ
って保持されており、ウェハー保持具は通常の保持具と
同様にＸ、Ｙ、０方向に微調整可能となっている。
した例を第１１図、第１２図を使用して説明する。第１
１図は焼付装置の光学的配置を示し、■はマスク照明用
光学系であり、水平な光軸に沿って球面ミラー２、円弧
状水銀ランプがら成る光源３、レンズ４、フィルタ５．
４５度ミラー６、レンズ７が配置されている。なお、フ
ィルタ５はウェハーに対して感光性を有する光を除去し
、マスク・ウェハーのアライメント時に照明光路中に挿
入される。このマスク照明用光学系ｌはマスクを円弧状
に或いはアーチ状に照明することによって、反射光学系
の結像領域を円弧状或いはアーチ状に制限している。８
は上部水平面に配置されたマスクであり、このマスク８
は図示しない公知のマスク保持具によって保持されてい
る。このマスク８の下方には、マスク８の像をウェハー
９上に形成する本発明に係る反射光学系１０が配置され
ている。なお、非球面レンズＬの光軸０を対称とする物
体側Ｓｌと像面Ｓ２側とは先の実施例と異なり分離され
ており、それぞれミラー１１．１２によって光束偏向し
て使用される。ウェハー９は公知のウニへ−保持具によ
って保持されており、ウェハー保持具は通常の保持具と
同様にＸ、Ｙ、０方向に微調整可能となっている。
照明用光学系としてマスク８との間には、アライメント
時に顕微鏡光学系１３が挿入され、マスク８、ウェハー
９が所定の位置関係であるか否かが判断される。マスク
８、ウェハー９が所定の位置関係にない場合は、先に述
べたウェハー保持具のＸ、Ｙ、θ調整部材により、マス
ク８に対してウェハー９を調節移動させて所定の関係に
する。
時に顕微鏡光学系１３が挿入され、マスク８、ウェハー
９が所定の位置関係であるか否かが判断される。マスク
８、ウェハー９が所定の位置関係にない場合は、先に述
べたウェハー保持具のＸ、Ｙ、θ調整部材により、マス
ク８に対してウェハー９を調節移動させて所定の関係に
する。
次に、この焼付装置の外観が示された第１２図を説明す
る。第１２図において２０はランプノ＼ウスであり、こ
の中に第１１図の照明光学系１が内蔵されている。２１
はアライメント用顕微鏡光学系１３が配置されているユ
ニットであり、このユニット２１は前後に移動可能に支
持されている。
る。第１２図において２０はランプノ＼ウスであり、こ
の中に第１１図の照明光学系１が内蔵されている。２１
はアライメント用顕微鏡光学系１３が配置されているユ
ニットであり、このユニット２１は前後に移動可能に支
持されている。
２２はマスク支持具、２３はウェハー支持具であり、こ
れらの支持具２２．２３は結合部材２４によって一体的
に移動するように連結されている。
れらの支持具２２．２３は結合部材２４によって一体的
に移動するように連結されている。
ここで、支持具２２．２３は一体的に移動するか、ウェ
ハー９は支持具２３に対して微小移動が可能である。２
５は結合部材２４に固定されたアームであり、このアー
ム２５はガイド２６によって支持されている。そして、
ガイド２６に含まれる水平移動機構によって、支持具２
２．２３は一体的に水平にかつ直線的に移動される。２
７は反射結像光学系を収納する筒、２８は基台、２９は
ターンテーブル、３０はオートフ仁−ダである。このオ
ートフィーグ３０によってウニ／＼−９はターンテーブ
ル２９を介してウェハー支持具２３上に自動的に供給さ
れる。
ハー９は支持具２３に対して微小移動が可能である。２
５は結合部材２４に固定されたアームであり、このアー
ム２５はガイド２６によって支持されている。そして、
ガイド２６に含まれる水平移動機構によって、支持具２
２．２３は一体的に水平にかつ直線的に移動される。２
７は反射結像光学系を収納する筒、２８は基台、２９は
ターンテーブル、３０はオートフ仁−ダである。このオ
ートフィーグ３０によってウニ／＼−９はターンテーブ
ル２９を介してウェハー支持具２３上に自動的に供給さ
れる。
次にこの装置の動作を説明すると、先ずマスク８とウェ
ハー９の相互位置関係の７ライメントが行われる。この
アライメント時には、前述したフィルタが照明用光学系
１中に挿入され、マスク８上にレンズ４．７によってア
ーチ状光源像が非感光性の光によって形成される。この
際に、顕微鏡光学系１３もレンズ７とマスク８の間に挿
入されている。この顕微鏡光学系１３によって、マスク
８、ウェハー９の７ライメントマークを観察し、両アラ
イメントマークの調整をウェハー支持具２３を操作する
ことによって行う、マスク８、ウェハー９の７ライメン
ト終了後に、前述のフィルタ及び顕微鏡光学系１３は光
路から退避する。
ハー９の相互位置関係の７ライメントが行われる。この
アライメント時には、前述したフィルタが照明用光学系
１中に挿入され、マスク８上にレンズ４．７によってア
ーチ状光源像が非感光性の光によって形成される。この
際に、顕微鏡光学系１３もレンズ７とマスク８の間に挿
入されている。この顕微鏡光学系１３によって、マスク
８、ウェハー９の７ライメントマークを観察し、両アラ
イメントマークの調整をウェハー支持具２３を操作する
ことによって行う、マスク８、ウェハー９の７ライメン
ト終了後に、前述のフィルタ及び顕微鏡光学系１３は光
路から退避する。
同時に、光源３は消灯或いは不図示のシャッタ手段によ
って遮光され、次いで光源３の点灯或いはシャッタの開
放によって、感光性のアーチ状光源像がマスク８上に形
成される。これと同時に、アーム２５がガイド２６を水
平方向に移動開始する。この水平移動によってマスク８
全体の像がウェハー９上に焼付けられることになる。
って遮光され、次いで光源３の点灯或いはシャッタの開
放によって、感光性のアーチ状光源像がマスク８上に形
成される。これと同時に、アーム２５がガイド２６を水
平方向に移動開始する。この水平移動によってマスク８
全体の像がウェハー９上に焼付けられることになる。
図面は本発明に係る反射光学系に実施例を示し、第１図
は本発明の第１の実施例の構成図、第２図はその非点収
差図、第３図は第２の実施例の構成図、第４図はその非
点収差図、第５図は第３の実施例の構成図、第６図はそ
の非点収差図、第７図は第４の実施例の構成図、第８図
はその非点収差図、第９図は第７図の構成において非球
面を使用しない場合の非点収差図、第１０図は非球面量
ΔＳの説明図、第１１図、第１２図は本発明に係る反射
光学系を使用した焼付装置の構成図である。 符号Ｍ１は凹面鏡、Ｍ２は凸面鏡、Ｌｌ、Ｌ２、Ｌ３、
し４は非球面レンズ、ｈは補正領域、０２は凸面鏡の中
心、ΔＨは良像域、Ｓはサジタル像面、ｍはメリディオ
ナル像面、１は照明用光学系、８はマスク、９はウェノ
へ−、ｌＯは反射光学系、１３は顕微鏡光学系である。 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 第３図 第４図 （Ｇ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 第５図 第６図 （Ｑ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第７図 第８図 （Ｇ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） −１Ｊ、ＺＬｌ υ、ＺＩＪ −ＩＪ、ｌυ ０．２Ｌ
） −ｕ、ｚｕ υ、ＺＬｌ −〇、ｌυ ０．２０第
９図 （ｂ） 第１１図 １ソ ソ 手続補正書（自発） 昭和５９年３月２６日 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２０１８０１号 ２、発明の名称 反射光学系 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子三丁目３０番２号名称（１０
０）キャノン株式会社 代表者 賀来龍三部 ４、代理人 〒１２１東京都足立区梅島二丁目１７番３号梅島ハイタ
ウンＣ−１０４ ５、補正の対象 （り明細書第１４頁第６行目「空気Ｊを「ミラー」と補
正する。 （２）同同頁第８行目「ミラー」を「空気」と補正する
。 （３）同同頁第８行目ｒＥ）１１ ＪをｒＥｈ’Ｊと補
止する。 （０図面第１１図を添付コピーの未配の通り補正する。 第１ 臀−７゜ □ −−ｊ ｌ、Ｉ２ 、Ｍｌ １０
は本発明の第１の実施例の構成図、第２図はその非点収
差図、第３図は第２の実施例の構成図、第４図はその非
点収差図、第５図は第３の実施例の構成図、第６図はそ
の非点収差図、第７図は第４の実施例の構成図、第８図
はその非点収差図、第９図は第７図の構成において非球
面を使用しない場合の非点収差図、第１０図は非球面量
ΔＳの説明図、第１１図、第１２図は本発明に係る反射
光学系を使用した焼付装置の構成図である。 符号Ｍ１は凹面鏡、Ｍ２は凸面鏡、Ｌｌ、Ｌ２、Ｌ３、
し４は非球面レンズ、ｈは補正領域、０２は凸面鏡の中
心、ΔＨは良像域、Ｓはサジタル像面、ｍはメリディオ
ナル像面、１は照明用光学系、８はマスク、９はウェノ
へ−、ｌＯは反射光学系、１３は顕微鏡光学系である。 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 第３図 第４図 （Ｇ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 第５図 第６図 （Ｑ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第７図 第８図 （Ｇ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） −１Ｊ、ＺＬｌ υ、ＺＩＪ −ＩＪ、ｌυ ０．２Ｌ
） −ｕ、ｚｕ υ、ＺＬｌ −〇、ｌυ ０．２０第
９図 （ｂ） 第１１図 １ソ ソ 手続補正書（自発） 昭和５９年３月２６日 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２０１８０１号 ２、発明の名称 反射光学系 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子三丁目３０番２号名称（１０
０）キャノン株式会社 代表者 賀来龍三部 ４、代理人 〒１２１東京都足立区梅島二丁目１７番３号梅島ハイタ
ウンＣ−１０４ ５、補正の対象 （り明細書第１４頁第６行目「空気Ｊを「ミラー」と補
正する。 （２）同同頁第８行目「ミラー」を「空気」と補正する
。 （３）同同頁第８行目ｒＥ）１１ ＪをｒＥｈ’Ｊと補
止する。 （０図面第１１図を添付コピーの未配の通り補正する。 第１ 臀−７゜ □ −−ｊ ｌ、Ｉ２ 、Ｍｌ １０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、凹面鏡と凸面鏡の反射面同志を対向させ、前記凹面
鏡の反射面側前方に、第１の光学部材と第２の光学部材
を有する光学手段を配置し、該光学手段に対して前記凹
面鏡と反対側に被写体を配置し、該被写体からの光束が
前記第１の光学部材を通過し、前記凹面鏡、前記凸面鏡
、前記凹面鏡の順に反射し、前記第２の光学部材を通過
した後に結像する反射光学系であって、該被写体の前記
反射光学系の光軸外の領域から光軸とほぼ平行に射出し
た前記被写体の主光線が、前記第１の光学部材を通過し
前記凹面鏡で反射した後に、前記凸面鏡と光軸との交点
に入射し、該交点から反射した主光線が前記凹面鏡で反
射し、前記第２の光学部材を通過した後に光軸とほぼ平
行に射出するように、前記第１の光学部材及び前記第２
の光学部材の少なくとも一方に非球面を施したことを特
徴とする反射光学系。 ２、前記第１の光学部材及び前記第２の光学部材の少な
くとも一方に、少なくとも１つの非球面を施した特許請
求の範囲第１項に記載の反射光学系。 ３、前記非球面は光軸より離れるに従い負の屈折力成分
が増大する形状を有するようにした特許請求の範囲第１
項に記載の反射光学系。 ４、前記第１の光学部材及び前記第２の光学部材にそれ
ぞれ１つの非球面を施した特許請求の範囲第１項に記載
の反射光学系、。 ５、前記第１の光学部材と前記第２の光学部材の非球面
を同一形状とし、光軸に対して対称に配置した特許請求
の範囲第４項に記載の反射光学系φ ６、前記非球面は何れも光軸より離れるに従い負の屈折
力成分が増大する形状を有するようにした特許請求の範
囲第４項に記載の反射光学系。 ７、前記第１の光学部材と前記第２の光学部材を同一の
非球面レンズにより構成した特許請求の範囲第５項に記
載の反射光学系。 ８、前記第１の光学部材と前記第２の光学部、材は並列
して一体的に配置した特許請求の範囲第１項に記載の反
射光゛学系。 ９、前記第１の光学部材と前記第２の光学部材は分離し
て別位置に配置した特許請求の範囲第１項に記載の反射
光学系。 １０、前記光軸外の領域をアーチ状とした特許請求の範
囲第１項に記載の反射光学系。 １１、前記光学手段のガラスのアツベ数をνとするとき
１ 、６０くνく１００ なる条件を満足するようにした特許請求の範囲第１項に
記載の反射光学系。 １２、前記被写体を光軸からの高さＨｌと高さＨ２とで
囲まれる領域ΔＨ内に配置し、前記非球面の参照球面か
らの非球面量を負の屈折力を増大させる方向を正符号と
し、光軸からの高さ旧と高さＨ２におけるそれぞれの非
球面量をそれぞれΔＲＨＩ、ΔＲＨ２としたとき、 １／１０４≦１ （ΔＲＨ２−ΔＲＨＩ）／ΔＨ１≦１
／ｌ Ｏ なる条件を満足する特許請求の範囲第１項に記載の反射
光学系。 １３、前記第１の光学部材に非球面を施し゛、該レンズ
面の曲率半径をＲとし、前記被写体を光軸からの高さ旧
と高さＨ２とで囲まれる領域ΔＨ内に配置し、光軸から
の高さ旧と高さＨ２におけ゛る前記非□球面の参照球面
からの非球面量をそれぞれΔＲＨＩ 、ΔＲＨ２とした
とき、 ＩＲＩ＞１０００ １／１０Ａ＜Ｉ （ΔＲ）１２−ΔＲ）Ｉｔ）／ΔＨ１
＜ｌ／１０ なる条件を満足するようにした特許請求の範囲第１項に
記載の反射光学系。 １４、前記第２の光学部材は前記第１の光学部材と同一
の非球面形状を有するようにした特許請求の範囲第１３
項に記載の反射光学系。 １５、前記第１の光学部材に非球面を施し、該レンズ面
の曲率半径をＲとし、前記被写体を光軸からの高さ旧と
高さＨ２とで囲まれる領域ΔＨ内に配置し、光軸からの
高さ旧と高さＨ２における前記非球面の参照球面からの
非球面量をそれぞれΔＲＨＩ 、ΔＲＨ２としたとき、 ＩＲＩ＜２００ １／ｌｏ４＜１ （ΔＲＨ２−ΔＲＨＩ）／ΔＨ１＜
ｌ／ｌ Ｏ３ なる条件式を満足するようにした特許請求の範囲第１項
に記載の反射光学系。 １６、前記第２の光学部材は前記第１の光学部材と同一
の非球面形状を有するようにした特許請求の範囲第１５
項に記載の反射光学系。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201801A JPS6093410A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 反射光学系 |
| US06/662,601 US4688904A (en) | 1983-10-27 | 1984-10-19 | Reflecting optical system |
| DE3439297A DE3439297C2 (de) | 1983-10-27 | 1984-10-26 | Spiegellinsenobjektiv |
| GB08427082A GB2150314B (en) | 1983-10-27 | 1984-10-26 | Annular field reflecting optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201801A JPS6093410A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 反射光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093410A true JPS6093410A (ja) | 1985-05-25 |
| JPH0533368B2 JPH0533368B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=16447148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201801A Granted JPS6093410A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 反射光学系 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4688904A (ja) |
| JP (1) | JPS6093410A (ja) |
| DE (1) | DE3439297C2 (ja) |
| GB (1) | GB2150314B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290833U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | ||
| JPH0583717U (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 結像光学系 |
Families Citing this family (19)
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|---|---|---|---|---|
| EP0252734B1 (en) * | 1986-07-11 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| FR2678742B1 (fr) * | 1991-07-04 | 1994-10-07 | Edgard Hugues | Systeme optique a miroirs de revolution sans obturation centrale. |
| JP3037040B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
| FR2721718A1 (fr) * | 1994-06-27 | 1995-12-29 | Dario Souhami | Objectif catadioptrique. |
| JP3893626B2 (ja) * | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
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| DE69728126T2 (de) * | 1996-12-28 | 2005-01-20 | Canon K.K. | Projektionsbelichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
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| WO1999052004A1 (fr) | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition a projection, et systeme optique reflechissant a refraction |
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| US10095016B2 (en) | 2011-01-04 | 2018-10-09 | Nlight, Inc. | High power laser system |
| US9429742B1 (en) * | 2011-01-04 | 2016-08-30 | Nlight, Inc. | High power laser imaging systems |
| US9720244B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-08-01 | Nlight, Inc. | Intensity distribution management system and method in pixel imaging |
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| US9709810B2 (en) | 2014-02-05 | 2017-07-18 | Nlight, Inc. | Single-emitter line beam system |
| JP2022022911A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 結像光学系、露光装置、および物品製造方法 |
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| CA1103498A (en) * | 1977-02-11 | 1981-06-23 | Abe Offner | Wide annulus unit power optical system |
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-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201801A patent/JPS6093410A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-19 US US06/662,601 patent/US4688904A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-26 DE DE3439297A patent/DE3439297C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-26 GB GB08427082A patent/GB2150314B/en not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0533368B2 (ja) | 1993-05-19 |
| GB2150314A (en) | 1985-06-26 |
| US4688904A (en) | 1987-08-25 |
| DE3439297C2 (de) | 1996-12-12 |
| GB8427082D0 (en) | 1984-12-05 |
| DE3439297A1 (de) | 1985-05-09 |
| GB2150314B (en) | 1986-12-10 |
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