JPS636553A - レチクルの塵埃付着防止方法 - Google Patents
レチクルの塵埃付着防止方法Info
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- JPS636553A JPS636553A JP61149690A JP14969086A JPS636553A JP S636553 A JPS636553 A JP S636553A JP 61149690 A JP61149690 A JP 61149690A JP 14969086 A JP14969086 A JP 14969086A JP S636553 A JPS636553 A JP S636553A
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- 239000000428 dust Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000276 deep-ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は投影型の半導体露光装置に関し、特にエキシマ
レーザ等の遠紫外線（ディープＵＶ光）を光源とした投
影型半導体露光装置におけるレチクルの塵埃付着防止方
法に関する。
レーザ等の遠紫外線（ディープＵＶ光）を光源とした投
影型半導体露光装置におけるレチクルの塵埃付着防止方
法に関する。
［発明の背景］
半導体フォトリソグラフィープロセスにおけるウェハ上
へのパターン焼付のための露光方式として、密着（コン
タクト）方式、プロキシミティ方式、反射型投影方式お
よび縮小レンズ投影方式が現在用いられている。コンタ
クト方式、プロキシミティ方式はマスクとウェハとを密
着または超近接させてマスクパターンをウェハ上に転写
する。
へのパターン焼付のための露光方式として、密着（コン
タクト）方式、プロキシミティ方式、反射型投影方式お
よび縮小レンズ投影方式が現在用いられている。コンタ
クト方式、プロキシミティ方式はマスクとウェハとを密
着または超近接させてマスクパターンをウェハ上に転写
する。
投影方式においては、ウェハとレチクル（マスク）とを
完全に離し、投影光学系を介してレチクル（マスク）上
のパターンを等倍でまたは縮小してウェハ上に露光転写
する。
完全に離し、投影光学系を介してレチクル（マスク）上
のパターンを等倍でまたは縮小してウェハ上に露光転写
する。
このようなパターン転写のための露光装置の光源として
従来３５０〜４５０ｎｍ程度の波長の紫外光が用いられ
ていたが、近年パターン高密度化に対処し解像度を高め
るために、２００〜：１００ｎ＊程度の遠紫外域の光を
用いた遠紫外露光法（ディープＵＶリソグラフィー）が
開発されている。
従来３５０〜４５０ｎｍ程度の波長の紫外光が用いられ
ていたが、近年パターン高密度化に対処し解像度を高め
るために、２００〜：１００ｎ＊程度の遠紫外域の光を
用いた遠紫外露光法（ディープＵＶリソグラフィー）が
開発されている。
このような露光装置においては、転写すべきパターンが
形成されたレチクルまたはマスク（以下単にレチクルと
いう）上に塵埃が付着するとこれがウェハ上に投影露光
転写され欠陥パターンの原因となる。したがって、パタ
ーン結像に影響するレチクルへの塵埃付着は完全に防止
されなければならない。
形成されたレチクルまたはマスク（以下単にレチクルと
いう）上に塵埃が付着するとこれがウェハ上に投影露光
転写され欠陥パターンの原因となる。したがって、パタ
ーン結像に影響するレチクルへの塵埃付着は完全に防止
されなければならない。
［従来の技術］
従来の３５０〜４５０ｎｓの紫外光を用いた露光装置に
おいて、レチクル表面への塵埃付着を防止するために、
レチクル表面にニトロセルロース等からなる非常に薄い
高分子膜であるペリクルを投影光学系の焦点深度以上に
離して配置し、レチクル表面に直接塵埃が付着しないよ
うにするとともにペリクル上に付着した塵埃はウェハ上
で結像しないようにして欠陥パターンの焼付を防止して
いた。
おいて、レチクル表面への塵埃付着を防止するために、
レチクル表面にニトロセルロース等からなる非常に薄い
高分子膜であるペリクルを投影光学系の焦点深度以上に
離して配置し、レチクル表面に直接塵埃が付着しないよ
うにするとともにペリクル上に付着した塵埃はウェハ上
で結像しないようにして欠陥パターンの焼付を防止して
いた。
しかしながら、このようなペリクルによる塵埃付着防止
方法を遠紫外光露光装置に用いると、高分子膜であるペ
リクルが遠紫外光を吸収し、焼付光量の低下をきたしフ
ループツトが低下する。また、遠紫外光は波長が短く、
したがって、光子エネルギーが大きい（Ｅ ： １．２
４／λ、 Ｅ （ｅＶ） ：光子エネルギー、入（ｕｍ
）：波長）、シたがって、遠紫外光が高分子膜であるペ
リクルを光化学反応により劣化させる。
方法を遠紫外光露光装置に用いると、高分子膜であるペ
リクルが遠紫外光を吸収し、焼付光量の低下をきたしフ
ループツトが低下する。また、遠紫外光は波長が短く、
したがって、光子エネルギーが大きい（Ｅ ： １．２
４／λ、 Ｅ （ｅＶ） ：光子エネルギー、入（ｕｍ
）：波長）、シたがって、遠紫外光が高分子膜であるペ
リクルを光化学反応により劣化させる。
［発明の目的］
本発明は前記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、遠紫外光を用いた投影露光装置において、遠紫外光
の吸収による光量低下をきたさず、また遠紫外光の高エ
ネルギーによる材質劣化を起こさないレチクルの塵埃付
着防止方法の提供を目的とする。
て、遠紫外光を用いた投影露光装置において、遠紫外光
の吸収による光量低下をきたさず、また遠紫外光の高エ
ネルギーによる材質劣化を起こさないレチクルの塵埃付
着防止方法の提供を目的とする。
［実施例］
図面は本発明方法をエキシマレーザを光源とする投影型
半導体露光装置に適用した実施例を示す、１はエキシマ
レーザであり、２４８ ｎｓ （ＫｒＦ）。
半導体露光装置に適用した実施例を示す、１はエキシマ
レーザであり、２４８ ｎｓ （ＫｒＦ）。
：＋Ｏ８ｎｍ （Ｘ ｅ Ｃｌ ）等の遠紫外光で発
振する希ガスまたは晶ガスとハロゲンガスを含んだレー
ザである。２は照明光学系てあり、エキシマレーザｌか
らの光を所定のＮＡをもつ均一な照明光とする。３はレ
チクルであり、転写すべきパターン８が下面に形成され
ている。このレチクル３のパターン形成面（下面）はス
ペーサ４を介して平行平面板５で密月的に覆われる。６
は投影光学系であり、レチクル３のパターン８をウェハ
７上に転写する。
振する希ガスまたは晶ガスとハロゲンガスを含んだレー
ザである。２は照明光学系てあり、エキシマレーザｌか
らの光を所定のＮＡをもつ均一な照明光とする。３はレ
チクルであり、転写すべきパターン８が下面に形成され
ている。このレチクル３のパターン形成面（下面）はス
ペーサ４を介して平行平面板５で密月的に覆われる。６
は投影光学系であり、レチクル３のパターン８をウェハ
７上に転写する。
平行平面板５はエキシマレーザｌからの遠紫外光に対し
充分な透過率（はぼ１００％）を有する合成石英、石英
、蛍石等の無機材料により構成する。加工性、コスト、
品質の安定性の点から合成石英が最も好ましい、平行平
面板５は、予めレチクル表面から塵埃を除去した状態で
スペーサ４とともにレチクル表面を密封して覆い、レチ
クル３とスペーサ４と平行平面板５とにより形成された
密封空間内への塵埃の侵入を防止しレチクル表面への塵
埃付着を防止する。平行平面板５はレチクル３に対し略
平行に配置され、かつ投影光学系６のレチクル側の焦点
深度、すなわち（ウェハ側の焦点深度）÷（投影光学系
の投影倍率）２以上の距離だけレチクル３から離れた位
置に配置されるようにスペーサ４の長さが定められる。
充分な透過率（はぼ１００％）を有する合成石英、石英
、蛍石等の無機材料により構成する。加工性、コスト、
品質の安定性の点から合成石英が最も好ましい、平行平
面板５は、予めレチクル表面から塵埃を除去した状態で
スペーサ４とともにレチクル表面を密封して覆い、レチ
クル３とスペーサ４と平行平面板５とにより形成された
密封空間内への塵埃の侵入を防止しレチクル表面への塵
埃付着を防止する。平行平面板５はレチクル３に対し略
平行に配置され、かつ投影光学系６のレチクル側の焦点
深度、すなわち（ウェハ側の焦点深度）÷（投影光学系
の投影倍率）２以上の距離だけレチクル３から離れた位
置に配置されるようにスペーサ４の長さが定められる。
このような構成により、平行平面板５の外側表面に塵埃
が付着してもウニへ上には結像しないため、塵埃がパタ
ーン転写に影響を及ぼすことはない、同様に、レチクル
３のパターン形成面との反対側表面（上面）がパターン
形成面から前記焦点深度以上離れるようにレチクル３の
厚さを定める。レチクル３の厚さが薄い場合にはパター
ン形成面との反対面側にも前述と同様の防塵用平行平面
板を配置することが望ましい。
が付着してもウニへ上には結像しないため、塵埃がパタ
ーン転写に影響を及ぼすことはない、同様に、レチクル
３のパターン形成面との反対側表面（上面）がパターン
形成面から前記焦点深度以上離れるようにレチクル３の
厚さを定める。レチクル３の厚さが薄い場合にはパター
ン形成面との反対面側にも前述と同様の防塵用平行平面
板を配置することが望ましい。
平行平面板５を配置した場合、投影光学系６の収差に影
響する。投影光学系６の収差への影響な無視できる程度
に平行平面板５の厚さを小さくすることは不可能であり
、したがって、投影光学系６の収差補正を行う場合には
、平行平面板５を装着した状態で行うことが望ましい。
響する。投影光学系６の収差への影響な無視できる程度
に平行平面板５の厚さを小さくすることは不可能であり
、したがって、投影光学系６の収差補正を行う場合には
、平行平面板５を装着した状態で行うことが望ましい。
平行平面板５の厚さまたは形状を変えることにより投影
光学系６の製造誤差のバラつきを補正することができる
０例えば、平行平面板５の厚さを変えることにより球面
収差および像周囲に表われる軸外ハロが変化し、平行平
面板５の平行度を変化させて傾斜させることにより非対
称収差である軸上コマを変化させることができる。また
、平行平面板の表面形状を変えることによりその他各種
の収差を補正することができる。
光学系６の製造誤差のバラつきを補正することができる
０例えば、平行平面板５の厚さを変えることにより球面
収差および像周囲に表われる軸外ハロが変化し、平行平
面板５の平行度を変化させて傾斜させることにより非対
称収差である軸上コマを変化させることができる。また
、平行平面板の表面形状を変えることによりその他各種
の収差を補正することができる。
平行平面板５の表面に、焼付波長の遠紫外光等の投影光
学系６の使用波長の光に対する反射防止膜をコーティン
グしておくことが望ましい、これにより投影光学系によ
るウェハ上の結像位置にゴースト像が形成されることが
防止され、また露光光量の損失が防止される。
学系６の使用波長の光に対する反射防止膜をコーティン
グしておくことが望ましい、これにより投影光学系によ
るウェハ上の結像位置にゴースト像が形成されることが
防止され、また露光光量の損失が防止される。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係るレチクルの塵埃付着
防止方法においては、紫外光を透過する無機材料からな
る防塵用平行平面板をレチクル表面から投影光学系の焦
点深度以上に離してレチクル表面を密封するように配置
している。したがって、エキシマレーザ等の遠紫外光を
光源とする投影型露光装置において、光量低下あるいは
平行平面板の劣化等をきたすことなくレチクル表面への
塵埃付着を防止することができ、また塵埃によるウェハ
上の不要像の結像が防止され良好な転写パターンが得ら
れる。
防止方法においては、紫外光を透過する無機材料からな
る防塵用平行平面板をレチクル表面から投影光学系の焦
点深度以上に離してレチクル表面を密封するように配置
している。したがって、エキシマレーザ等の遠紫外光を
光源とする投影型露光装置において、光量低下あるいは
平行平面板の劣化等をきたすことなくレチクル表面への
塵埃付着を防止することができ、また塵埃によるウェハ
上の不要像の結像が防止され良好な転写パターンが得ら
れる。
図面は本発明方法を適用した投影型露光装置の構成図で
ある。 １：エキシマレーザ、 ２：照明光学系。 ３ニレチクル、 ４ニスペーサ、５：平行平面板
、 ６：投影光学系、７：ウェハ、 ８
：パターン。 ７・シエへ
ある。 １：エキシマレーザ、 ２：照明光学系。 ３ニレチクル、 ４ニスペーサ、５：平行平面板
、 ６：投影光学系、７：ウェハ、 ８
：パターン。 ７・シエへ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、投影光学系を介してレチクル上のパターンを紫外線
によってウェハ上に転写する半導体露光装置のレチクル
表面への塵埃付着防止方法において、スペーサを介して
前記レチクル表面から前記投影光学系の焦点深度以上離
れた位置に紫外線透過性の無機材料からなる防塵用平行
平面板を配置し、該平行平面板およびスペーサにより前
記レチクル表面を密封して覆うことを特徴とするレチク
ルの塵埃付着防止方法。 ２、前記平行平面板は前記レチクルのパターン形成面側
に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のレチクルの塵埃付着防止方法。 ３、前記平行平面板はさらに前記レチクルのパターン形
成面との反対面側にも配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のレチクルの塵埃付着防止方法。 ４、前記平行平面板は前記投影光学系の使用波長の紫外
線反射防止コーティングが施されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１項記載
のレチクルの塵埃付着防止方法。 ５、前記投影光学系はレチクルに平行平面板を装着した
状態でウェハ上へのパターン結像に関する収差補正が施
されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４
項までのいずれか１項記載のレチクルの塵埃付着防止方
法。 ６、前記平行平面板は合成石英板からなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１
項記載のレチクルの塵埃付着防止方法。 ７、前記投影光学系の製造誤差に応じて前記平行平面板
の厚さまたは形状を変えることにより、前記製造誤差の
補正を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項から
第６項までのいずれか１項記載のレチクルの塵埃付着防
止方法。 ８、前記露光装置はエキシマレーザを光源として用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第７項まで
のいずれか１項記載のレチクルの塵埃付着防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149690A JPS636553A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | レチクルの塵埃付着防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149690A JPS636553A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | レチクルの塵埃付着防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636553A true JPS636553A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15480675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149690A Pending JPS636553A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | レチクルの塵埃付着防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636553A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
| US5246767A (en) * | 1988-12-13 | 1993-09-21 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | High light-transmissive dust-proof body and method of preparing same |
| WO2001020401A1 (fr) * | 1999-09-13 | 2001-03-22 | Asahi Glass Company, Limited | Pellicule et son procede de fabrication |
| US6262793B1 (en) | 1993-12-22 | 2001-07-17 | Nikon Corporation | Method of manufacturing and using correction member to correct aberration in projection exposure apparatus |
| US6268903B1 (en) | 1995-01-25 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Method of adjusting projection optical apparatus |
| US6524754B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-02-25 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle |
| US6627365B1 (en) | 1998-03-20 | 2003-09-30 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure apparatus |
| US6665049B1 (en) | 1999-08-10 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Photomask, method for manufacturing the same, projection aligner using the photomask, and projection exposing method |
| US7351503B2 (en) | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149690A patent/JPS636553A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
| JPH0532900B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1993-05-18 | Ushio Electric Inc | |
| US5246767A (en) * | 1988-12-13 | 1993-09-21 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | High light-transmissive dust-proof body and method of preparing same |
| US6958803B2 (en) | 1993-12-22 | 2005-10-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method with adjustment of rotationally asymmetric optical characteristics |
| US6262793B1 (en) | 1993-12-22 | 2001-07-17 | Nikon Corporation | Method of manufacturing and using correction member to correct aberration in projection exposure apparatus |
| US6268903B1 (en) | 1995-01-25 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Method of adjusting projection optical apparatus |
| US6377333B1 (en) | 1995-01-25 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Method of adjusting projection optical apparatus |
| US6627365B1 (en) | 1998-03-20 | 2003-09-30 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure apparatus |
| US6665049B1 (en) | 1999-08-10 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Photomask, method for manufacturing the same, projection aligner using the photomask, and projection exposing method |
| US6475575B1 (en) | 1999-09-13 | 2002-11-05 | Asahi Glass Company, Limited | Pellicle and method for manufacture thereof |
| WO2001020401A1 (fr) * | 1999-09-13 | 2001-03-22 | Asahi Glass Company, Limited | Pellicule et son procede de fabrication |
| US6524754B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-02-25 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle |
| US6686103B2 (en) | 2001-01-22 | 2004-02-03 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle |
| US7351503B2 (en) | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
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