JPH10149882A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH10149882A JPH10149882A JP8308808A JP30880896A JPH10149882A JP H10149882 A JPH10149882 A JP H10149882A JP 8308808 A JP8308808 A JP 8308808A JP 30880896 A JP30880896 A JP 30880896A JP H10149882 A JPH10149882 A JP H10149882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- injection electrode
- electron injection
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 56
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 56
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 5
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホール注入電極と電子注入電極との間に、少
なくとも有機材料を用いた発光層が設けられた有機ＥＬ
素子において、電子注入電極からの電子の注入が効率よ
く行なえると共に、この電子注入電極が酸化されて特性
が低下するということが少なく、また発光層等に使用し
た有機材料が時間が経過するに連れて次第に結晶化し
て、有機ＥＬ素子に短絡等が生じるということも抑制さ
れ、長期にわたって十分な輝度の光を安定して発光でき
る有機ＥＬ素子を提供する。 【構成】 ホール注入電極１２と電子注入電極１６との
間に、少なくとも有機材料を用いた発光層１４が設けら
れてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共に、こ
の電子注入電極における発光層側の面に仕事関数の低い
金属層１６ａを設けた。
なくとも有機材料を用いた発光層が設けられた有機ＥＬ
素子において、電子注入電極からの電子の注入が効率よ
く行なえると共に、この電子注入電極が酸化されて特性
が低下するということが少なく、また発光層等に使用し
た有機材料が時間が経過するに連れて次第に結晶化し
て、有機ＥＬ素子に短絡等が生じるということも抑制さ
れ、長期にわたって十分な輝度の光を安定して発光でき
る有機ＥＬ素子を提供する。 【構成】 ホール注入電極１２と電子注入電極１６との
間に、少なくとも有機材料を用いた発光層１４が設けら
れてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共に、こ
の電子注入電極における発光層側の面に仕事関数の低い
金属層１６ａを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ホール注入電極
と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いた
発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子に係り、電子注入電極における電子の注入効率を低
下させることなく、この電子注入電極の安定性を向上さ
せた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもので
ある。
と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いた
発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子に係り、電子注入電極における電子の注入効率を低
下させることなく、この電子注入電極の安定性を向上さ
せた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化等にともなっ
て、従来より一般に使用されているＣＲＴに比べて消費
電力が少なく容積の小さい平面表示素子のニーズが高ま
り、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロル
ミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略す。）が注目さ
れている。
て、従来より一般に使用されているＣＲＴに比べて消費
電力が少なく容積の小さい平面表示素子のニーズが高ま
り、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロル
ミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略す。）が注目さ
れている。
【０００３】そして、このようなＥＬ素子は、使用する
材料によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに大別され
る。
材料によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに大別され
る。
【０００４】ここで、無機ＥＬ素子は、一般に発光部に
高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光
中心に衝突させ、これにより発光中心を励起させて発光
させるようになっている。これに対し、有機ＥＬ素子
は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子
とホールとを発光部内に注入し、このように注入された
電子とホールとを発光中心で再結合させて、有機分子を
励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態に
戻るときに蛍光を発光するようになっている。
高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光
中心に衝突させ、これにより発光中心を励起させて発光
させるようになっている。これに対し、有機ＥＬ素子
は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子
とホールとを発光部内に注入し、このように注入された
電子とホールとを発光中心で再結合させて、有機分子を
励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態に
戻るときに蛍光を発光するようになっている。
【０００５】そして、無機ＥＬ素子の場合には、上記の
ように高電界を作用させるために、その駆動電圧として
１００〜２００Ｖと高い電圧を必要とするのに対して、
有機ＥＬ素子の場合には、５〜２０Ｖ程度の低い電圧で
駆動できるという利点があった。
ように高電界を作用させるために、その駆動電圧として
１００〜２００Ｖと高い電圧を必要とするのに対して、
有機ＥＬ素子の場合には、５〜２０Ｖ程度の低い電圧で
駆動できるという利点があった。
【０００６】また、上記の有機ＥＬ素子の場合には、発
光材料である螢光物質を選択することによって適当な色
彩に発光する発光素子を得ることができ、マルチカラー
やフルカラーの表示装置等としても利用できるという期
待があり、さらに低電圧で面発光できるために、近年、
このような有機ＥＬ素子について様々な研究が行なわれ
るようになった。
光材料である螢光物質を選択することによって適当な色
彩に発光する発光素子を得ることができ、マルチカラー
やフルカラーの表示装置等としても利用できるという期
待があり、さらに低電圧で面発光できるために、近年、
このような有機ＥＬ素子について様々な研究が行なわれ
るようになった。
【０００７】そして、近年においては、このような有機
ＥＬ素子として、ホール注入電極と電子注入電極との間
にホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層させたＤ
Ｈ構造と称される三層構造のものや、ホール注入電極と
電子注入電極との間にホール輸送層と電子輸送性に富む
発光層とが積層されたＳＨ−Ａ構造と称される二層構造
のものや、ホール注入電極と電子注入電極との間にホー
ル輸送性に富む発光層と電子輸送層とが積層されたＳＨ
−Ｂ構造と称される二層構造のものが開発されている。
ＥＬ素子として、ホール注入電極と電子注入電極との間
にホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層させたＤ
Ｈ構造と称される三層構造のものや、ホール注入電極と
電子注入電極との間にホール輸送層と電子輸送性に富む
発光層とが積層されたＳＨ−Ａ構造と称される二層構造
のものや、ホール注入電極と電子注入電極との間にホー
ル輸送性に富む発光層と電子輸送層とが積層されたＳＨ
−Ｂ構造と称される二層構造のものが開発されている。
【０００８】また、従来の有機ＥＬ素子においては、上
記のホール注入電極や電子注入電極からホールや電子が
効率よく注入されるようにするため、ホール注入電極と
しては、仕事関数が大きいインジウム−スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）等が用いられる一方、電子注入電極としては、仕
事関数が小さいマグネシウム−インジウム合金やリチウ
ム−アルミニウム合金等が広く利用されていた。
記のホール注入電極や電子注入電極からホールや電子が
効率よく注入されるようにするため、ホール注入電極と
しては、仕事関数が大きいインジウム−スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）等が用いられる一方、電子注入電極としては、仕
事関数が小さいマグネシウム−インジウム合金やリチウ
ム−アルミニウム合金等が広く利用されていた。
【０００９】しかし、電子注入電極に使用される上記の
マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウ
ム合金等は一般に酸化されやすく、これにより電子注入
電極としての特性が低下し、有機ＥＬ素子の耐環境性や
信頼性が悪くなり、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるとい
う問題があった。
マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウ
ム合金等は一般に酸化されやすく、これにより電子注入
電極としての特性が低下し、有機ＥＬ素子の耐環境性や
信頼性が悪くなり、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるとい
う問題があった。
【００１０】また、上記のような従来の有機ＥＬ素子を
使用すると、上記の発光層等に使用されている有機材料
が次第に結晶化し、これにより有機ＥＬ素子に短絡等が
生じ、長期にわたって安定した発光が得られなくなると
いう問題もあった。
使用すると、上記の発光層等に使用されている有機材料
が次第に結晶化し、これにより有機ＥＬ素子に短絡等が
生じ、長期にわたって安定した発光が得られなくなると
いう問題もあった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ホール注
入電極と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を
用いた発光層が設けられた有機ＥＬ素子における上記の
ような問題を解決することを課題とするものであり、電
子注入電極からの電子の注入が効率よく行なえると共
に、この電子注入電極が酸化されて特性が低下するとい
うことが少なく、また発光層等に使用した有機材料が時
間が経過するに連れて次第に結晶化して、有機ＥＬ素子
に短絡等が生じるということも抑制され、長期にわたっ
て十分な輝度の光を安定して発光できる有機ＥＬ素子を
提供することである。
入電極と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を
用いた発光層が設けられた有機ＥＬ素子における上記の
ような問題を解決することを課題とするものであり、電
子注入電極からの電子の注入が効率よく行なえると共
に、この電子注入電極が酸化されて特性が低下するとい
うことが少なく、また発光層等に使用した有機材料が時
間が経過するに連れて次第に結晶化して、有機ＥＬ素子
に短絡等が生じるということも抑制され、長期にわたっ
て十分な輝度の光を安定して発光できる有機ＥＬ素子を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明における有機エ
レクトロルミネッセンス素子においては、上記のような
課題を解決するため、ホール注入電極と電子注入電極と
の間に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられ
てなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、上
記の電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共
に、この電子注入電極における発光層側の面に仕事関数
の低い金属層を設けた。
レクトロルミネッセンス素子においては、上記のような
課題を解決するため、ホール注入電極と電子注入電極と
の間に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられ
てなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、上
記の電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共
に、この電子注入電極における発光層側の面に仕事関数
の低い金属層を設けた。
【００１３】そして、この発明における有機ＥＬ素子の
ように、電子注入電極をアモルファス金属で構成する
と、マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミ
ニウム合金を用いた従来の電子注入電極のように酸化さ
れて、その特性が低下するということが少なくなり、有
機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると共に、アモ
ルファス金属で構成されて電子注入電極によって発光層
等に使用されている有機材料の結晶化が抑制され、有機
ＥＬ素子における短絡等も少なくなり、長期にわたって
安定した発光が行なえようになる。
ように、電子注入電極をアモルファス金属で構成する
と、マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミ
ニウム合金を用いた従来の電子注入電極のように酸化さ
れて、その特性が低下するということが少なくなり、有
機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると共に、アモ
ルファス金属で構成されて電子注入電極によって発光層
等に使用されている有機材料の結晶化が抑制され、有機
ＥＬ素子における短絡等も少なくなり、長期にわたって
安定した発光が行なえようになる。
【００１４】また、この発明の有機ＥＬ素子において
は、上記のような電子注入電極における発光層側の面に
仕事関数の低い金属層を設けているため、この金属層を
通して電子が効率よく注入されるようになり、長期にわ
たって十分な輝度の発光が安定して行なえるようにな
る。
は、上記のような電子注入電極における発光層側の面に
仕事関数の低い金属層を設けているため、この金属層を
通して電子が効率よく注入されるようになり、長期にわ
たって十分な輝度の発光が安定して行なえるようにな
る。
【００１５】ここで、この発明における有機ＥＬ素子に
おいて、電子注入電極を構成するアモルファス金属とし
ては、例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素の少なくとも１つと、Ｂ，
Ｃ，Ｐ，Ｓｉの少なくとも１つの元素とを含むアモルフ
ァス金属等を用いることができ、具体的には、Ｆｅ80Ｂ
20，Ｆｅ78Ｂ13Ｓｉ9 ，Ｆｅ5 Ｃｏ70Ｓｉ15Ｂ10等のア
モルファス金属を用いることができる。
おいて、電子注入電極を構成するアモルファス金属とし
ては、例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素の少なくとも１つと、Ｂ，
Ｃ，Ｐ，Ｓｉの少なくとも１つの元素とを含むアモルフ
ァス金属等を用いることができ、具体的には、Ｆｅ80Ｂ
20，Ｆｅ78Ｂ13Ｓｉ9 ，Ｆｅ5 Ｃｏ70Ｓｉ15Ｂ10等のア
モルファス金属を用いることができる。
【００１６】また、この電子注入電極における発光層側
の面に設ける仕事関数の低い金属層を構成する材料とし
ては、例えば、従来より一般に電子注入電極に使用され
ているマグネシウム−インジウム合金やリチウム−アル
ミニウム合金等を用いることができる。
の面に設ける仕事関数の低い金属層を構成する材料とし
ては、例えば、従来より一般に電子注入電極に使用され
ているマグネシウム−インジウム合金やリチウム−アル
ミニウム合金等を用いることができる。
【００１７】また、この発明における有機ＥＬ素子にお
いて、上記のように電子注入電極における発光層側の面
に仕事関数の低い金属層を設けるにあたり、この金属層
の膜厚が厚くなり過ぎると、電子注入電極によって発光
層等に使用されている有機材料の結晶化を十分に抑制す
ることができなくなるため、この金属層の膜厚を４０ｎ
ｍ以下にすることが好ましい。
いて、上記のように電子注入電極における発光層側の面
に仕事関数の低い金属層を設けるにあたり、この金属層
の膜厚が厚くなり過ぎると、電子注入電極によって発光
層等に使用されている有機材料の結晶化を十分に抑制す
ることができなくなるため、この金属層の膜厚を４０ｎ
ｍ以下にすることが好ましい。
【００１８】なお、この発明における有機ＥＬ素子の素
子構造は、前記のＤＨ構造、ＳＨ−Ａ構造、ＳＨ−Ｂ構
造の何れの構造のものであってもよい。
子構造は、前記のＤＨ構造、ＳＨ−Ａ構造、ＳＨ−Ｂ構
造の何れの構造のものであってもよい。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の実施例に係る有機ＥＬ素子
を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、比較例
を挙げ、この発明の実施例における有機ＥＬ素子の場
合、長期にわたって十分な輝度の発光が行なえることを
明らかにする。なお、この発明における有機ＥＬ素子
は、下記の実施例に示したものに限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実
施できるものである。
を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、比較例
を挙げ、この発明の実施例における有機ＥＬ素子の場
合、長期にわたって十分な輝度の発光が行なえることを
明らかにする。なお、この発明における有機ＥＬ素子
は、下記の実施例に示したものに限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実
施できるものである。
【００２０】（実施例１）この実施例１の有機ＥＬ素子
においては、図１に示すように、１ｍｍのガラス基板１
１上に、前記のＩＴＯで構成されて膜厚が８０〜１００
ｎｍになったホール注入電極１２と、下記の化１に示す
トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）で構成され
て膜厚が６０ｎｍになったホール輸送層１３と、下記の
化２に示すＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’
−ジアミン（ＴＰＤ）からなるホスト材料に下記の化３
に示すルブレンが５重量％ドープされて膜厚が４０ｎｍ
になった発光層１４と、下記の化４に示す１０−ベンゾ
［ｈ］キノリノール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ2 ）で
構成されて膜厚が４０〜５０ｎｍになった電子輸送層１
５と、マグネシウム−インジウム合金で構成されて膜厚
が１０ｎｍになった金属層１６ａと、Ｆｅ80Ｂ 20からな
るアモルファス金属で構成されて膜厚が２００ｎｍにな
った電子注入電極１６とが順々に形成されて前記のＤＨ
構造になっている。
においては、図１に示すように、１ｍｍのガラス基板１
１上に、前記のＩＴＯで構成されて膜厚が８０〜１００
ｎｍになったホール注入電極１２と、下記の化１に示す
トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）で構成され
て膜厚が６０ｎｍになったホール輸送層１３と、下記の
化２に示すＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’
−ジアミン（ＴＰＤ）からなるホスト材料に下記の化３
に示すルブレンが５重量％ドープされて膜厚が４０ｎｍ
になった発光層１４と、下記の化４に示す１０−ベンゾ
［ｈ］キノリノール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ2 ）で
構成されて膜厚が４０〜５０ｎｍになった電子輸送層１
５と、マグネシウム−インジウム合金で構成されて膜厚
が１０ｎｍになった金属層１６ａと、Ｆｅ80Ｂ 20からな
るアモルファス金属で構成されて膜厚が２００ｎｍにな
った電子注入電極１６とが順々に形成されて前記のＤＨ
構造になっている。
【００２１】
【化１】
【００２２】
【化２】
【００２３】
【化３】
【００２４】
【化４】
【００２５】ここで、この実施例１の有機ＥＬ素子を製
造する場合について具体的に説明する。
造する場合について具体的に説明する。
【００２６】先ず、ＩＴＯで構成されたホール注入電極
１２が表面に形成されたガラス基板１１を中性洗剤によ
り洗浄した後、これをアセトン中で２０分間、エタノー
ル中で２０分間それぞれ超音波洗浄し、さらに上記のガ
ラス基板１１を沸騰したエタノール中に約１分間入れて
取り出した後、このガラス基板１１をすぐに窒素ブロー
により乾燥させた。
１２が表面に形成されたガラス基板１１を中性洗剤によ
り洗浄した後、これをアセトン中で２０分間、エタノー
ル中で２０分間それぞれ超音波洗浄し、さらに上記のガ
ラス基板１１を沸騰したエタノール中に約１分間入れて
取り出した後、このガラス基板１１をすぐに窒素ブロー
により乾燥させた。
【００２７】次いで、このガラス基板１１を抵抗加熱さ
せながら、このガラス基板１１に形成されたホール注入
電極１２の上に、前記のＭＴＤＡＴＡを真空蒸着させて
ホール輸送層１３を形成し、またこのホール輸送層１３
の上に前記のＴＰＤとルブレンとを真空下で共蒸着させ
て発光層１４を形成し、さらにこの発光層１４の上に前
記のＢｅＢｑ2 を真空蒸着させて電子輸送層１５を形成
した後、この電子輸送層１５の上にマグネシウム−イン
ジウム合金を真空蒸着させて金属層１６ａを形成した。
そして、この金属層１６ａの上にスパッタリングにより
Ｆｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属を被着させて電子
注入電極１６を形成した。
せながら、このガラス基板１１に形成されたホール注入
電極１２の上に、前記のＭＴＤＡＴＡを真空蒸着させて
ホール輸送層１３を形成し、またこのホール輸送層１３
の上に前記のＴＰＤとルブレンとを真空下で共蒸着させ
て発光層１４を形成し、さらにこの発光層１４の上に前
記のＢｅＢｑ2 を真空蒸着させて電子輸送層１５を形成
した後、この電子輸送層１５の上にマグネシウム−イン
ジウム合金を真空蒸着させて金属層１６ａを形成した。
そして、この金属層１６ａの上にスパッタリングにより
Ｆｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属を被着させて電子
注入電極１６を形成した。
【００２８】（実施例２）この実施例２の有機ＥＬ素子
においては、上記の実施例１における有機ＥＬ素子にお
いて、マグネシウム−インジウム合金で構成された金属
層１６ａの膜厚を７０ｎｍにし、それ以外については、
実施例１の場合と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
においては、上記の実施例１における有機ＥＬ素子にお
いて、マグネシウム−インジウム合金で構成された金属
層１６ａの膜厚を７０ｎｍにし、それ以外については、
実施例１の場合と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【００２９】（比較例１）この比較例１の有機ＥＬ素子
においては、上記の実施例１の有機ＥＬ素子におけるＢ
ｅＢｑ2 で構成された電子輸送層１５の上に、図２に示
すように、マグネシウム−インジウム合金で構成されて
膜厚が２００ｎｍになった電子注入電極１６を設けるよ
うにし、マグネシウム−インジウム合金で構成された金
属層１６ａは設けないようにした。
においては、上記の実施例１の有機ＥＬ素子におけるＢ
ｅＢｑ2 で構成された電子輸送層１５の上に、図２に示
すように、マグネシウム−インジウム合金で構成されて
膜厚が２００ｎｍになった電子注入電極１６を設けるよ
うにし、マグネシウム−インジウム合金で構成された金
属層１６ａは設けないようにした。
【００３０】そして、上記の実施例１，２及び比較例１
の各有機ＥＬ素子において、ホール注入電極１２をプラ
ス、電子注入電極１６をマイナスにして電圧を印加する
と、何れも電圧１４Ｖ，電流密度３００ｍＡ／ｃｍ2
で、最高輝度が８０００ｃｄ／ｍ2 になった高輝度なル
ブレンによる発光が得られた。
の各有機ＥＬ素子において、ホール注入電極１２をプラ
ス、電子注入電極１６をマイナスにして電圧を印加する
と、何れも電圧１４Ｖ，電流密度３００ｍＡ／ｃｍ2
で、最高輝度が８０００ｃｄ／ｍ2 になった高輝度なル
ブレンによる発光が得られた。
【００３１】また、これらの各有機ＥＬ素子における初
期輝度が１０００ｃｄ／ｍ2 になるように発光させ、こ
れを３カ月連続発光させた後における各有機ＥＬ素子の
発光輝度を測定し、その結果を下記の表１に示した。
期輝度が１０００ｃｄ／ｍ2 になるように発光させ、こ
れを３カ月連続発光させた後における各有機ＥＬ素子の
発光輝度を測定し、その結果を下記の表１に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】この結果、電子輸送層１５の上に、従来の
ようにマグネシウム−インジウム合金からなる電子注入
電極１６を設けた比較例１の有機ＥＬ素子に比べて、マ
グネシウム−インジウム合金で構成された金属層１６ａ
とＦｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属で構成された電
子注入電極１６とを設けた実施例１，２の各有機ＥＬ素
子の方が３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
少なくなっており、特に、上記の金属層１６ａの膜厚を
４０ｎｍ以下にした実施例１の有機ＥＬ素子において
は、電子輸送層１５等における有機材料の結晶化が抑制
されて、３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
より少なくなっていた。
ようにマグネシウム−インジウム合金からなる電子注入
電極１６を設けた比較例１の有機ＥＬ素子に比べて、マ
グネシウム−インジウム合金で構成された金属層１６ａ
とＦｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属で構成された電
子注入電極１６とを設けた実施例１，２の各有機ＥＬ素
子の方が３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
少なくなっており、特に、上記の金属層１６ａの膜厚を
４０ｎｍ以下にした実施例１の有機ＥＬ素子において
は、電子輸送層１５等における有機材料の結晶化が抑制
されて、３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
より少なくなっていた。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明における
有機ＥＬ素子においては、電子注入電極をアモルファス
金属で構成すると共に、この電子注入電極における発光
層側の面に仕事関数の低い金属層を設けているため、こ
の金属層を通して電子が効率よく注入されると共に、マ
グネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウム
合金を用いた従来の電子注入電極に比べて電子注入電極
が安定化して、電子注入電極の特性が低下するというこ
とが少なくなり、また発光層等に使用されている有機材
料の結晶化も抑制されるようになった。
有機ＥＬ素子においては、電子注入電極をアモルファス
金属で構成すると共に、この電子注入電極における発光
層側の面に仕事関数の低い金属層を設けているため、こ
の金属層を通して電子が効率よく注入されると共に、マ
グネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウム
合金を用いた従来の電子注入電極に比べて電子注入電極
が安定化して、電子注入電極の特性が低下するというこ
とが少なくなり、また発光層等に使用されている有機材
料の結晶化も抑制されるようになった。
【００３５】この結果、この発明における有機ＥＬ素子
の場合、有機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると
共に、有機ＥＬ素子における短絡等の発生も少なくな
り、長期にわたって十分な輝度の発光が安定して行なえ
るようになった。
の場合、有機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると
共に、有機ＥＬ素子における短絡等の発生も少なくな
り、長期にわたって十分な輝度の発光が安定して行なえ
るようになった。
【図１】この発明の実施例１，２に示した有機ＥＬ素子
の構造を示した概略説明図である。
の構造を示した概略説明図である。
【図２】比較例１の有機ＥＬ素子の構造を示した概略説
明図である。
明図である。
１１ ガラス基板 １２ ホール注入電極 １３ ホール輸送層 １４ 発光層 １５ 電子輸送層 １６ 電子注入電極 １６ａ 金属層
Claims (2)
- 【請求項１】 ホール注入電極と電子注入電極との間
に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられてな
る有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記の
電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共に、こ
の電子注入電極における発光層側の面に仕事関数の低い
金属層を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、上記の仕事関数の低い金属層
の膜厚を４０ｎｍ以下にしたことを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30880896A JP3378747B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30880896A JP3378747B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149882A true JPH10149882A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3378747B2 JP3378747B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=17985567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30880896A Expired - Fee Related JP3378747B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3378747B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532849A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイスの製造方法 |
| WO2003098976A1 (fr) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Fuji Electric Holdings Co.,Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
| JP2004014360A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子 |
| JP2004247106A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2009123362A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子 |
| JP2013211132A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sony Corp | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法及び電子機器 |
| WO2023159007A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Amorphyx, Incorporated | Amorphous metal based top emission organic light emitting diodes |
-
1996
- 1996-11-20 JP JP30880896A patent/JP3378747B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532849A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイスの製造方法 |
| WO2003098976A1 (fr) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Fuji Electric Holdings Co.,Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
| GB2405746A (en) * | 2002-05-22 | 2005-03-09 | Fuji Electric Holdings Co | Organic el luminescence device |
| GB2405746B (en) * | 2002-05-22 | 2005-10-26 | Fuji Electric Holdings Co | Organic el light-emitting device |
| US7646145B2 (en) | 2002-05-22 | 2010-01-12 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic EL light emitting device |
| KR100968684B1 (ko) * | 2002-05-22 | 2010-07-06 | 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 발광소자 |
| JP2004014360A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子 |
| JP2004247106A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2009123362A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子 |
| JP2013211132A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sony Corp | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法及び電子機器 |
| WO2023159007A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Amorphyx, Incorporated | Amorphous metal based top emission organic light emitting diodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3378747B2 (ja) | 2003-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3561549B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3885412B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP3505257B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3249297B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| US6387546B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP2004319424A (ja) | 有機電界発光ディスプレイ装置 | |
| JP2006332049A (ja) | 積層型ｏｌｅｄ構造 | |
| JPH06314594A (ja) | 複数のキャリヤー注入層を有する有機薄膜ｅｌ素子 | |
| KR100469240B1 (ko) | 유기 전계발광소자 | |
| JPH11345687A (ja) | 発光素子 | |
| JP3691192B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH08185983A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH10149882A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3651347B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH10223372A (ja) | 有機電界発光素子およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ | |
| JP3482446B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP3490856B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH11339969A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2002260869A (ja) | 有機発光ダイオードデバイス | |
| US20020187366A1 (en) | Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof | |
| JPH06212151A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH06240245A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2004172149A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH09134786A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3490854B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081206 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081206 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091206 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |