JPH10163293A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH10163293A
JPH10163293A JP8323166A JP32316696A JPH10163293A JP H10163293 A JPH10163293 A JP H10163293A JP 8323166 A JP8323166 A JP 8323166A JP 32316696 A JP32316696 A JP 32316696A JP H10163293 A JPH10163293 A JP H10163293A
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unit
units
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬送装置からみた各処理室に対するアクセス
角度を等しくでき、機械的機構及び制御面において構成
の簡略化を図ること。 【解決手段】 第１の処理ユニット群Ｇ1 のレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）と第２の処理ユニット群Ｇ2 のレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とは以上のように同一構
成であるが、各部が２つのユニット間で相互に対称とな
るように各ユニット内に配置されている。すなわちカッ
プＣＰは各ユニットのほぼ中央部に配置され、リンスノ
ズル１２４等からなる各ユニットのサイドリンス部は隣
接する２つのユニットの境界線の近傍に配置され、各ユ
ニットのレジスト塗布部はそれぞれカップＣＰを挟んで
サイドリンス部と対向するように配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の被処理基板の表面にレジストや現像液等の処理液
を供給する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われるが、従来からこれらレ
ジスト塗布処理と現像処理とは、対応する各種処理ユニ
ットが１つのシステム内に装備された複合処理システム
内で、所定のシーケンスに従って行われている。ところ
で、このような複合システムにおいては、スループット
の向上を図るため、例えばレジスト塗布処理を行う処理
室を２つ設ける場合がある。
【０００３】このようなシステムでは、例えば図９に示
すように、レジスト塗布処理を行う同一構成の２つの処
理室１０１、１０２とを隣接して配置し、これらの処理
室１０１、１０２の境界線上に回転可能なウエハ搬送装
置を配置し、ウエハ搬送装置には処理室１０１、１０２
に対して進退自在でウエハを保持するアーム１０４を設
け、これにより各処理室１０１、１０２に対してそれぞ
れウエハＷを搬入・搬出するように構成する。各処理室
１０１、１０２のほぼ中央には、ウエハＷを保持しつつ
回転するウエハチャック１０５を配置し、各処理室１０
１、１０２の両側には、それぞれレジスト液をウエハＷ
に塗布するレジスト塗布部１０６とリンス液をウエハＷ
の外縁部に吐出するサイドリンス部１０７を配置する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに各処理室１０１、１０２内を構成すると、レジスト
塗布部１０６とサイドリンス部１０７とは通常異なるサ
イズであるため、ウエハ搬送装置のアーム１０４からみ
た各処理室１０１、１０２に対するアクセス角度θが異
なり、このためアーム１０４の各処理室に対するストロ
ークが異なるものとなり、機械的機構及び制御面におい
て構成が複雑になるという問題がある。
【０００５】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、搬送装置からみた各処理室に対するアク
セス角度を等しくでき、機械的機構及び制御面において
構成の簡略化を図ることができる処理装置を提供するこ
とを目的する。
【０００６】本発明の別の目的は、不具合が発生しても
その方向性を一方向に揃えることができる処理装置を提
供することにある。
【０００７】本発明のさらに別の目的は、サイドリンス
部に関する構成を２つの処理室間で共通化でき、これに
より構成の簡略化を図ることができる処理装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の発明では、被処理体に対して所定の
処理を行う第１の処理室と、前記第１の処理室と隣接し
て配置されると共に、前記第１の処理室内の配置とは対
称的に内部が配置され、かつ、前記被処理体に対して所
定の処理を行う第２の処理室とを具備することを特徴と
する、処理装置が提供される。
【０００９】請求項２記載の発明では、隣接して配置さ
れた２つの処理室と、前記各処理室内に配置され、被処
理基板を保持しつつ回転する２つの回転保持部と、前記
各回転保持部により保持・回転された被処理基板の表面
に所定の処理液を供給する２つの処理液供給部と、前記
各回転保持部により保持・回転された被処理基板に対し
てサイドリンスを施す２つのサイドリンス部とを具備
し、前記２つの回転保持部、前記２つの処理液供給部及
び前記２つのサイドリンス部がそれぞれ前記２つの処理
室間で相互に対称となるように各処理室内に配置されて
いることを特徴とする、処理装置が提供される。
【００１０】請求項３記載の発明では、請求項４記載の
処理装置において、上記構成の２つの処理室が上下に２
組配置されていることを特徴とする、処理装置が提供さ
れる。 請求項４記載の発明では、請求項２または３記
載の処理装置において、前記各回転保持部が被処理基板
をそれぞれ同じ回転方向に回転することを特徴とする、
処理装置が提供される。
【００１１】請求項５記載の発明では、請求項２、３ま
たは４記載の処理装置において、前記各サイドリンス部
が被処理基板の外縁部にリンス液を吐出するリンスノズ
ルをそれぞれ有し、これらリンスノズルが相互に逆方向
にリンス液を吐出するように配置されていることを特徴
とする、処理装置が提供される。
【００１２】請求項６記載の発明では、請求項２、３、
４または５記載の処理装置において、前記各サイドリン
ス部がそれぞれ隣接する処理室の近傍に配置されている
ことを特徴とする、処理装置が提供される。
【００１３】請求項７記載の発明では、隣接して配置さ
れた２つの処理室と、前記各処理室内に配置され、被処
理基板を保持しつつ回転する２つの回転保持部と、前記
各回転保持部により保持・回転された被処理基板の表面
に所定の処理液を供給する２つの処理液供給部と、前記
２つの処理室を跨いで配置され、各処理室の回転保持部
により保持・回転された被処理基板に対してサイドリン
スを施す１つのサイドリンス部とを具備することを特徴
とする、処理装置が提供される。
【００１４】請求項８記載の発明では、請求項７記載の
処理装置において、前記２つの回転保持部及び前記２つ
の処理液供給部がそれぞれ前記２つの処理室間で相互に
対称となるように各処理室内に配置されていることを特
徴とする、処理装置が提供される。
【００１５】請求項１または２記載の処理装置では、隣
接する２つの各処理室の境界線上に１つの搬送装置を配
置し、この搬送装置により隣接する２つの各処理室に対
してそれぞれ被処理基板を搬入・搬出するように構成し
たとき、２つの回転保持部、２つの処理液供給部及び２
つのサイドリンス部がそれぞれ２つの処理室間で相互に
対称となるように各処理室内に配置されているので、搬
送装置からみた各処理室に対するアクセス角度が等しく
なる。従って、搬送装置の各処理室に対する搬送ストロ
ークが等しくなり、機械的機構及び制御面において構成
の簡略化を図ることができる。
【００１６】請求項３記載の処理装置では、上記構成の
２つの処理室が上下に２組配置されているので、搬送装
置を上下動可能とすれば、搬送装置からみた４つの処理
室に対するアクセス角度が等しくなる。従って、搬送装
置の４つの処理室に対する搬送ストロークが等しくな
り、機械的機構及び制御面において構成の簡略化を図る
ことができる。
【００１７】請求項４記載の処理装置では、回転保持部
が被処理基板をそれぞれ同じ回転方向に回転するように
構成したので、不具合が発生してもその方向がいずれの
処理室においても一方向となり、不具合箇所を揃えるこ
とができる。
【００１８】請求項５記載の処理装置では、リンスノズ
ルが相互に逆方向にリンス液を吐出するように配置され
ているので、不具合が発生してもその方向がいずれの処
理室においても一方向となり、不具合箇所を揃えること
ができる。
【００１９】請求項６記載の処理装置では、各サイドリ
ンス部がそれぞれ隣接する処理室の近傍に配置されてい
るので、サイドリンス部に関する供給系等の機構の共通
化が容易となり、構成の簡略化を図ることができる。
【００２０】請求項７記載の処理装置では、２つの処理
室で１つのサイドリンス部を共通化しているので、構成
の簡略化を図ることができる。
【００２１】請求項８記載の発明では、搬送装置からみ
た各処理室に対するアクセス角度を等しくすることがで
きるので、搬送装置の各処理室に対する搬送ストローク
が等しくなり、機械的機構及び制御面において構成の簡
略化を図ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明すれば、図１〜図３は、各々本発明の実施形
態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であっ
て、図１は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示して
いる。
【００２３】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例え
ば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対し
てウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステ
ーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処
理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図
示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインタ
ーフェース部１２とを一体に接続した構成を有してい
る。
【００２４】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、
このカセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜
ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；
垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカ
セットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
【００２５】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ3 の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。
【００２６】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。
【００２７】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。
【００２８】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。
【００２９】また、この例では、５つの処理ユニット群
Ｇ1 、Ｇ2 、Ｇ3 、Ｇ4 、Ｇ5 が配置可能な構成であ
り、第１および第２の処理ユニット群Ｇ1 、Ｇ2 の多段
ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配
置され、第３の処理ユニット群Ｇ3 の多段ユニットはカ
セットステーション１０に隣接して配置され、第４の処
理ユニット群Ｇ4 の多段ユニットはインターフェース部
１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ5 の
多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【００３０】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ1 では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。第２の処理ユニット群Ｇ2 でも、２台のスピンナ型
処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ね
られている。すなわち、第１の処理ユニット群Ｇ1のレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と第２の処理ユニット群
Ｇ2 のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが隣接して配
置され、第１の処理ユニット群Ｇ1 の現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）と第２の処理ユニット群Ｇ2 の現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）とが隣接して配置されている。上記のレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機構的に
もメンテナンスの上でも面倒であることから、このよう
に下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて
適宜上段に配置することももちろん可能である。
【００３１】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ3 では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニ
ット群Ｇ4 でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クー
リングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例
えば８段に重ねられている。
【００３２】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
【００３３】前記インターフェース部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部１２
の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセット
ＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスするよう
になつている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、前記処理ステーシ
ョン１１側の第４の処理ユニット群Ｇ4 の多段ユニット
に属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さら
には隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）
にもアクセスできるようになっている。
【００３４】また前記塗布現像処理システム１では、既
述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示し
た第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニットが配置でき
るようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ5
の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬
送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ5 の多
段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レー
ル２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保
されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメ
ンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお
第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニッ卜は、そのよう
に案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限
らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したよう
に、システム外方へと回動シフトさせるように構成して
も、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業の
スペース確保が容易である。
【００３５】次に、図４は隣接して配置された第１の処
理ユニット群Ｇ1 のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と
第２の処理ユニット群Ｇ2 のレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）の断面図、図５はその平面図である。
【００３６】第１の処理ユニット群Ｇ1 及び第２の処理
ユニット群Ｇ2 の各レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の
中央部には環状のカップＣΡが配設され、カップＣΡの
内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピン
チャック５２は真空吸着によって半導体ウエハＷを固定
保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動され
る。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた
開口５０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミ
ニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介して
たとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および
昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ５４
の側面にはたとえばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケッ
ト６４が取り付けられ、フランジ部材５８はこの冷却ジ
ャケット６４の上半部を覆うように取り付けられてい
る。
【００３７】レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端
５８ａは開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に密
着し、これによってユニット内部が密閉されるようにな
っている。スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２
の保持部材４８との間で半導体ウエハＷの受け渡しが行
われる時は、昇降駆動手段６０が駆動モータ５４ないし
スピンチャック５２を上方へ持ち上げることでフランジ
部材５８の下端がユニット底板５０から浮く。
【００３８】半導体ウエハＷの表面にレジスト液を供給
するためのレジストノズル８６は、図示を省略したレジ
スト供給管を介してレジスト供給部に接続されている。
レジストノズル８６は、カップＣＰの外に配設されたレ
ジストノズル待機部９０でレジストノズルスキャンアー
ム９２の先端部に着脱可能に取り付けられ、スピンチャ
ック５２の上方に設定された所定のレジスト液吐出位置
まで移送されるようになっている。レジストノズルスキ
ャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ
方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能
な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、図
示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一
体にＹ方向に移動するようになっている。
【００３９】また、レジストノズルスキャンアーム９２
は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なΧ方向にも移
動可能であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方
向にも移動するようになっている。
【００４０】さらに、レジストノズル待機部９０でレジ
ストノズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口（図示せ
ず）に挿入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、
ノズル先端のレジスト液が固化または劣化しないように
なっている。また、複数本のレジストノズル８６，８
６，…が設けられ、レジスト液の種類に応じてそれらの
ノズルが使い分けられるようになっている。
【００４１】さらに、レジストノズルスキャンアーム９
２の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供給に先
立ってウエハ表面にレジスト液の溶剤例えばシンナを供
給するシンナノズル１０１が取り付けられている。この
シンナノズル１０１は図示しないシンナ供給管を介して
シンナ供給部に接続されている。シンナノズル１０１と
レジストノズル８６はレジストノズルスキャンアーム９
２のＹ移動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置する
ように取り付けられている。
【００４２】さらに、ガイドレール９４上には、レジス
トノズルスキャンアーム９２を支持する垂直支持部材８
６だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支
持しＹ方向に移動可能な垂直支持部材１２２も設けられ
ている。このリンスノズルスキャンアーム１２０の先端
部にはサイドリンス用のリンスノズル１２４が取り付け
られている。このリンスノズル１２４はリンス液供給管
１２５を介してリンス液供給部（図示せず）に接続され
ている。
【００４３】リンスノズルスキャンアーム１２０および
リンスノズル１２４はＹ方向駆動機構（図示せず）によ
ってカップＣＰの側方に設定されたノズル待機位置（点
線の位置）とスピンチャック５２に設置されている半導
体ウエハＷの外縁部の真上に設定されたリンス液吐出位
置（実線の位置）との間で並進または直線移動するよう
になっている。
【００４４】また、リンスノズル１２４のノズル待機位
置の下方にはリンスノズル１２４から垂れ落ちるリンス
液を回収するためのドレインカップ１２６が配置されて
いる。 第１の処理ユニット群Ｇ1 のレジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）と第２の処理ユニット群Ｇ2 のレジスト
塗布ユニット（ＣＯＴ）とは以上のように同一構成であ
るが、各部が２つのユニット間で相互に対称となるよう
に各ユニット内に配置されている。すなわちカップＣＰ
は各ユニットのほぼ中央部に配置され、リンスノズルス
キャンアーム１２０、垂直支持部材１２２、リンスノズ
ル１２４及びドレインカップ１２６等からなる各ユニッ
トのサイドリンス部は隣接する２つのユニットの境界線
の近傍に配置され、各ユニットのレジスト塗布部はそれ
ぞれカップＣＰを挟んでサイドリンス部と対向するよう
に配置されている。
【００４５】また図６に示すように、第１の処理ユニッ
ト群Ｇ1 のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるウ
エハＷは所定の回転方向例えば右回りに回転駆動され、
第２の処理ユニット群Ｇ2 のレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）におけるウエハＷは第１の処理ユニット群Ｇ1 の
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるウエハＷと同
じ回転方向すなわち右回りに回転駆動される。さらに第
１の処理ユニット群Ｇ1 及び第２の処理ユニット群Ｇ2
のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）における各リンスノ
ズル１２４は、それぞれウエハＷの回転方向に向けてリ
ンス液を吐出するように配置されている。この結果、第
１の処理ユニット群Ｇ1 のレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）におけるリンスノズル１２４と第２の処理ユニット
群Ｇ2のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるリン
スノズル１２４とは、相互に逆方向にリンス液を吐出す
るように配置されている。
【００４６】すなわち、第１の処理ユニット群Ｇ1 のレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と第２の処理ユニット群
Ｇ2 のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とは、各部が２
つのユニット間で相互に対称となるように各ユニット内
に配置されているが、ウエハＷの回転方向が同じでリン
スノズル１２４の先端が逆向きになっている。
【００４７】このように対称の構成とすることで、図５
に示すように、主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８か
らみた各ユニットに対するアクセス角度αが等しくな
り、保持部材４８の各ユニットに対する搬送ストローク
Ｓが等しくなる。この結果、ウエハ搬送装置４６から各
ユニットに対するアクセス制御等の条件が等しくなり、
機械的機構及び制御面において構成の簡単化を図ること
ができる。また、ウエハＷの回転方向が同じでリンスノ
ズル１２４の先端が逆向きになるように構成すること
で、各ユニットにおけるウエハＷがそれぞれ同一方向か
らリンス液を吐出されることになる。この結果、リンス
工程で不具合が発生してもその方向がいずれのユニット
においても同じ方向となり、不具合箇所を一方向に揃え
ることができるようになる。つまり、単に隣接するユニ
ットを対称となるように構成しただけでは各ユニットに
おけるウエハＷが相互に逆方向に回転するため、リンス
工程で不具合が発生してもその方向性がユニット間で逆
方向となる。そこで、本実施形態では、ユニット間でス
ピンチャック５２の回転方向が同じでリンスノズル１２
４の先端が逆向きになるように構成することで、かかる
不具合の方向性を一方向としている。しかし、単に隣接
するユニットを対称となるように構成することも勿論可
能である。
【００４８】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れず、その技術思想の範囲内で様々に変形して実施する
ことが可能である。
【００４９】例えば、上記実施形態では隣接する第１の
処理ユニット群Ｇ1 のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
と第２の処理ユニット群Ｇ2 のレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）とを２つのユニット間で相互に対称となるよ
うに各部を各ユニット内に配置したが、図７に示すよう
にこのような隣接するユニットを上下に２組配置するよ
うに構成してもよい。
【００５０】また、上記実施形態では各ユニットごとに
サイドリンス部を設けていたが、サイドリンス部を共通
化して１つにしてもよい。図８にその構成例を示す。す
なわち、ガイドレール９４が隣接するユニット間を貫通
し、リンスノズルスキャンアーム１２０を支持する垂直
支持部材１２２が隣接ユニット間を移動可能となるよう
に構成する。そして、この１つのサイドリンス部が各ユ
ニットに対してサイドリンスを行う。図８の如く構成す
ることで、サイドリンス部の構成をより簡単化すること
ができる。
【００５１】また、本発明はレジスト塗布ユニットに限
らず、例えば現像ユニットにも適用可能である。
【００５２】さらに、被処理基板は上記の半導体ウエハ
に限るものでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基
板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等で
も可能である。
【００５３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
搬送装置からみた各処理室に対するアクセス角度を等し
くでき、機械的機構及び制御面において構成の簡略化を
図ることができる。また、不具合が発生してもその方向
性を一方向に揃えることができる。さらに、サイドリン
ス部に関する構成を２つの処理室間で共通化でき、これ
により構成の簡略化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態が採用された半導体ウエハの
塗布現像処理システムの全体構成の平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図で
ある。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面図で
ある。
【図４】隣接して配置された第１の処理ユニット群のレ
ジスト塗布ユニットと第２の処理ユニット群のレジスト
塗布ユニットの断面図である。
【図５】図４に示した２つのユニットの平面図である。
【図６】図４に示した２つのユニットにおけるリンスノ
ズルの方向性を概念的に示した図である。
【図７】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図８】本発明のさらに別の実施形態を示す図である。
【図９】従来技術を説明するための平面図である。
【符号の説明】
２２ 主ウエハ搬送機構 ４６ ウエハ搬送装置 ５２ スピンチャック ５４ 駆動モータ １２０ リンスノズルスキャンアーム １２２ 垂直支持部材 １２４ リンスノズル １２５ リンス液供給管 Ｗ ウエハ Ｇ1 第１の処理ユニット群 Ｇ2 第２の処理ユニット群 ＣＯＴ レジスト塗布ユニット

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体に対して所定の処理を行う第１
    の処理室と、 前記第１の処理室と隣接して配置されると共に、前記第
    １の処理室内の配置とは対称的に内部が配置され、か
    つ、前記被処理体に対して所定の処理を行う第２の処理
    室とを具備することを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 隣接して配置された２つの処理室と、 前記各処理室内に配置され、被処理基板を保持しつつ回
    転する２つの回転保持部と、 前記各回転保持部により保持・回転された被処理基板の
    表面に所定の処理液を供給する２つの処理液供給部と、 前記各回転保持部により保持・回転された被処理基板に
    対してサイドリンスを施す２つのサイドリンス部とを具
    備し、 前記２つの回転保持部、前記２つの処理液供給部及び前
    記２つのサイドリンス部がそれぞれ前記２つの処理室間
    で相互に対称となるように各処理室内に配置されている
    ことを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の処理装置において、 上記構成の２つの処理室が上下に２組配置されているこ
    とを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項２または３記載の処理装置におい
    て、 前記各回転保持部が被処理基板をそれぞれ同じ回転方向
    に回転することを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項２、３または４記載の処理装置に
    おいて、 前記各サイドリンス部が被処理基板の外縁部にリンス液
    を吐出するリンスノズルをそれぞれ有し、これらリンス
    ノズルが相互に逆方向にリンス液を吐出するように配置
    されていることを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項２、３、４または５記載の処理装
    置において、 前記各サイドリンス部がそれぞれ隣接する処理室の近傍
    に配置されていることを特徴とする処理装置。
  7. 【請求項７】 隣接して配置された２つの処理室と、 前記各処理室内に配置され、被処理基板を保持しつつ回
    転する２つの回転保持部と、 前記各回転保持部により保持・回転された被処理基板の
    表面に所定の処理液を供給する２つの処理液供給部と、 前記２つの処理室を跨いで配置され、各処理室の回転保
    持部により保持・回転された被処理基板に対してサイド
    リンスを施す１つのサイドリンス部とを具備することを
    特徴とする処理装置。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の処理装置において、 前記２つの回転保持部及び前記２つの処理液供給部がそ
    れぞれ前記２つの処理室間で相互に対称となるように各
    処理室内に配置されていることを特徴とする処理装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008526033A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 共有分配を伴うコート／現像モジュール
KR20160012076A (ko) * 2014-07-23 2016-02-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW417148B (en) * 1998-07-02 2001-01-01 Tokyo Electron Ltd Process solution supplying apparatus and fluid passageway opening-closing valve device for process solution supplying apparatus
US6092937A (en) * 1999-01-08 2000-07-25 Fastar, Ltd. Linear developer
US6692572B1 (en) * 1999-09-13 2004-02-17 Precision Valve & Automation, Inc. Active compensation metering system
US6514344B2 (en) * 1999-12-16 2003-02-04 Tokyo Electron Limited Film forming unit
US6250822B1 (en) 2000-02-04 2001-06-26 Advanced Micro Device, Inc. Semiconductor wafer manufacturing method and apparatus for an improved heat exchanger for a photoresist developer
US6626996B1 (en) * 2000-03-14 2003-09-30 Pizza Hut, Inc. Pizza sauce dispensing devices and methods
US6368985B1 (en) * 2000-05-30 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Dual track/stepper interface configuration for wafer processing
JP3585217B2 (ja) * 2000-07-03 2004-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3752136B2 (ja) * 2000-08-14 2006-03-08 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
US6379056B1 (en) 2000-09-12 2002-04-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3754322B2 (ja) * 2001-05-24 2006-03-08 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
US6559072B2 (en) * 2001-08-30 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Develop processing method of a resist surface of a substrate for reduced processing time and reduced defect density
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060130767A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
KR101036592B1 (ko) * 2008-11-28 2011-05-24 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치
JP4941570B2 (ja) * 2010-03-04 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US20150050105A1 (en) * 2012-04-26 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer module with reduced particle generation
DE102017212887A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Gebr. Schmid Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Anlage zur Leiterplattenherstellung
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58124241A (ja) * 1982-01-21 1983-07-23 Nec Corp 半導体基板現像装置
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
JP2843134B2 (ja) * 1990-09-07 1999-01-06 東京エレクトロン株式会社 塗布装置および塗布方法
US5489337A (en) * 1993-01-28 1996-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for applying organic material to semiconductor wafer in which the nozzle opening adjusts in response to data
JP3299338B2 (ja) * 1993-04-28 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
EP0634699A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
JP3122868B2 (ja) * 1994-09-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
TW297910B (ja) * 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008526033A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 共有分配を伴うコート／現像モジュール
JP2011139076A (ja) * 2004-12-22 2011-07-14 Sokudo Co Ltd 共有分配を伴うコート／現像モジュール
JP4842280B2 (ja) * 2004-12-22 2011-12-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 共有分配を伴うコート／現像モジュール
KR20160012076A (ko) * 2014-07-23 2016-02-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 장치
JP2016029703A (ja) * 2014-07-23 2016-03-03 東京エレクトロン株式会社 現像装置

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