JP3839555B2

JP3839555B2 - 局所密閉型清浄装置

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Publication number: JP3839555B2
Application number: JP16324797A
Authority: JP
Inventors: 弘五味; 隆紀吉田; 正憲井上
Original assignee: Takasago Thermal Engineering Co Ltd
Current assignee: Takasago Thermal Engineering Co Ltd
Priority date: 1997-06-05
Filing date: 1997-06-05
Publication date: 2006-11-01
Anticipated expiration: 2017-06-05
Also published as: JPH10340874A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は清浄装置に係り、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送する移送装置を備えたインターフェース部の清浄に効果のある局所密閉型清浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体製造装置の分野についていえば、エッチング装置、露光装置、成膜装置、コータ・デベロッパなどの半導体デバイスの製造装置（半導体製造装置）は、クリーンルーム内に設置されて稼働しているが、これらの半導体製造装置はその処理内容や処理時間が異なっており、しかも装置の種類によっては高熱を発したり、あるいは電磁波や強磁場を用いるものがあるため、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）やＬＣＤ基板等の基板に対して一連の連続した処理を行う装置であっても、接続して設置することができない場合がある。
【０００３】
かかる場合には、ある製造装置と他の種類の製造装置との間に、基板をカセット単位で搬送する搬送ロボットやその他の搬送機構などの基板搬送装置が存在するエリアを設けている。このとき半導体製造装置側には、基板搬送装置との間で基板を授受するためのインターフェース部が設けられており、インターフェース部に設けられた基板の移送機構によって基板搬送装置と半導体製造装置との間で処理対象となる基板を移送するようになっている。このインターフェース部には、基板を収納したカセットが載置され、未処理の基板をカセット内に待機させると共に、既処理の基板をカセット内に一時ストックしておくためのスペースとしても機能している。半導体製造装置が枚葉式の装置である場合には、かかる意義が大きい。
【０００４】
ところでクリーンルーム内には外気中に含まれていたクリーンルーム構成材や他の半導体製造装置から生ずる微量の有機物、酸・塩基性ガス、ボロン、リン等の化学汚染物質が浮遊している。当然のことながら、そのような化学汚染物質が、前記した基板表面等に付着すると、デバイスの電気特性が変化したり、所期の機能が得られなくなるなど、歩留まりが低下するおそれがある。そのため、従来からクリーンルーム内の前記化学汚染物質の除去に対して様々な対策が施されている。
【０００５】
これを図に基づいて説明すると、図３は、いわゆる開放式のシステムの場合を示しており、クリーンルームＣＲ内には、異なった処理を行う半導体製造装置１１０、１２０が設置されている。クリーンルームＣＲの天井部には、天井チャンバ１３０からの空気を吸い込んでこれを清浄化してダウンフローを形成するためのファン・フィルタ・ユニット１３１が複数設置されている。
【０００６】
半導体製造装置１１０と他の半導体製造装置１２０とは、距離を隔てて設置されており、半導体製造装置１１０、１２０の各インターフェース部１１１、１２１との間の仕切板１１２、１２２には、ウエハを収納したカセットＣを搬送するための開放型の搬送口１１３、１２３がそれぞれ形成されている。そして仕切板１１２、１２２の間のスペースＳ内を、オープン型のカセットＣを半導体製造装置１１０、１２０の各インターフェース部１１１、１２１間で搬送するための搬送装置としての搬送ロボット１４０が走行するようになっている。
【０００７】
この場合、半導体製造装置１１０、１２０の各インターフェース部１１１、１２１内では、ウエハが露出しているので化学汚染物質が付着しやすい。そのため例えば半導体製造装置１１０のインターフェース部１１１の上方に位置するファン・フィルタ・ユニット１３１ａの上流に、化学汚染物質を捕集するためのケミカルフィルタ１３２が設置されている。また半導体製造装置１２０のインターフェース部１２１の上方には、別途上流にケミカルフィルタ１３３を装備したファン・フィルタ・ユニット１３４が設置されている。かかる対策により、半導体製造装置１１０、１２０の各インターフェース部１１１、１２１内におけるダウンフロー中の化学汚染物質を事前に除去しておき、ウエハに化学汚染物質が付着するのを防止しようとしている。
【０００８】
一方これに対し、図４に示したものは、いわゆる閉鎖型のシステムであり、半導体製造装置１５０、１６０の各インターフェース部１５１、１６１は閉鎖空間内に設定すると共に、密閉型のカセットＣｘを採用し、このカセットＣｘを半導体製造装置１５０、１６０の各インターフェース部１５１、１６１にセットして、カセットＣｘが備えている開閉蓋が開放するとき以外は、完全な密閉空間の中にインターフェース部１５１、１６１が設定されている。
【０００９】
そしてインターフェース部１５１、１６１のある密閉空間内には、対応する配管１５２、１６２から窒素ガスを導入し、インターフェース部１５１、１６１がおかれている雰囲気をこの窒素ガスで充満させるようにしている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図３に示した従来技術によれば、化学汚染物質を除去するケミカルフィルタ１３２、１３３を通過した空気は、例えば搬送口１１３、１２３から直ちに外部に拡散してしまう。即ち化学汚染物質を除去するためのケミカルフィルタ１３２、１３３を通過する空気は一過性であるため、空気中の化学汚染物質を十分に除去できず、目的とする化学汚染物質の許容値を達成できないおそれがある。またそのように一過性であるから、ケミカルフィルタ１３２、１３３は高濃度の化学汚染物質を含んだ空気を多量に処理しなければならず、その結果寿命が短くなるという問題がある。
【００１１】
この点図４に示した従来技術は、インターフェース部１５１、１６１が密閉空間内に位置しているので、インターフェース部１５１、１６１はいわば窒素ガス雰囲気内に封入されている。しかしながらインターフェース部１５１、１６１内に発生した化学汚染物質を外部に排出できず、またその他の粒子、例えば基板とカセットとの摩擦によって発生する塵埃や、移送装置の摺動部から発生する塵埃を捕集できないという問題があった。そのうえ密閉空間であるため、インターフェース部１５１、１６１がおかれている雰囲気の温度が、例えば半導体製造装置１６０の熱負荷によって直ちに上昇してしまう。インターフェース部１５１、１６１の雰囲気の温度が上昇すると、基板に悪影響を与えて歩留まりが低下するおそれがある。
【００１２】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基本的にはインターフェース部を気密に閉鎖して低露点空気や不活性ガスを供給するようにしているが、インターフェース部内で発生した化学汚染物質を効率よく除去したり外部に排出できると共に、塵埃やパーティクルを捕集でき、さらに電子部品製造装置からの熱負荷に対しても対処できる新しい局所密閉型清浄装置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、請求項１の局所密閉型清浄装置は、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、前記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するための第１の移送口と、前記チャンバにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品を移送するための第２の移送口と、前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉装置と、前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移送空間と、前記移送空間に清浄な空気を供給するためのフィルタ装置と、フィルタ装置からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバと、移送空間とプレナムチャンバを結ぶレタンダクトと、前記チャンバ内においてプレナムチャンバ、移送空間、レタンダクト、プレナムチャンバと順に巡る循環気流を形成するための送風機と、前記所定の気流の温度調整を行う温度調整手段と、前記チャンバ内に外部から−５０℃以下の低露点空気を導入するガス導入手段と、前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、−５０℃以下の低露点空気の導入量を調整する導入量調整装置を備え、少なくとも第１の移送口又は第２の移送口が開放した際に、チャンバ内が正圧に保たれるように前記導入量調整装置が制御されることを特徴としている。
【００１４】
ここで、インターフェース部を気密に閉鎖するチャンバとは、名称にかかわらずインターフェース部自体を構成する外装パネルやフレームを一部又は全部利用して実質的にインターフェース部を気密に閉鎖するものであれば足りる。また電子部品には、ウエハやＬＣＤ基板、ハードディスク基板、その他薄板状の電子部品などが含まれる。なおここでいうインターフェース部自体は、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送する専用の移送装置が存在していなくても、電子部品製造装置側の方にかかる移送装置が存在し、インターフェース部が単なる通過領域や通過・待機領域であってもよい。さらに電子部品製造装置には、「製造装置」の名称にかかわらず、例えば半導体製造装置において使用されているプローバのように、電子部品に対して各種の検査を行う装置も含まれる。
【００１５】
この請求項１の局所密閉型清浄装置によれば、まずインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバ内で、移送空間に対してフィルタ装置を通過した清浄なガスが送風機によって移送空間→レタンダクト→プレナムチャンバと順に巡っている。したがって、導入するガスの有効利用が図れ、しかも塵埃やパーティクルはフィルタ装置によって捕集される。またプレナムチャンバからのダウンフローや水平層流の温度は温度調整手段によって調整できるから、インターフェース部の内部に設置される送風機や、必要に応じて設置される移送装置などからの発熱を熱的に補償するほか、電子部品製造装置側からの熱負荷があっても循環気流の温度を所定温度に維持することができ、電子部品を熱から保護することができる。またインターフェース部自体から汚染物質が発生した場合であっても、ガス導入手段と排気手段とを備えているから、必要に応じて当該汚染物質を外部にパージすることも可能である。
【００１６】
そして本発明によれば，外部からチャンバ内に汚染物質が流入することを防止でき、インターフェース部のおかれている雰囲気を、−５０℃以下の低露点空気の雰囲気とすることができる。この場合、導入量調整装置は第１の移送口又は第２の移送口を開閉装置と連動させたり、あるいは別途圧力センサを設けて、この圧力センサからの信号によって制御するようにしてもよい。
【００１７】
またさらに請求項４に記載したように、導入量調整装置の他に、チャンバ内の汚染物質の濃度を検出する検出装置を装備し、この検出装置からの検出値が所定値以下となるように、導入量調整装置を制御するようにしてもよい。この場合、同時に排気手段の方を制御するようにしてもよい。このような請求項４の局所密閉型清浄装置によれば、インターフェース部自体やチャンバ内から汚染物質が発生しても、自動的に当該汚染物質が所定値以下となるように制御される。したがって、チャンバ内雰囲気を常に清浄に保つことが可能である。
【００１９】
本発明の局所密閉型清浄装置において、チャンバ内に導入するガスとして、不活性ガスを用いれば、電子部品が例えばシリコンウエハであった場合に、当該ウエハの表面に酸化膜（ＳｉＯ₂）が形成されるのを防止することができる。なおここでいう不活性ガスとは、窒素ガス（Ｎ₂）を含み、その他アルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスなどの希ガス等も含む概念である。
【００２０】
そして循環気流中のガス状不純物を除去する手段、例えばイオン交換繊維や活性炭をろ材に固定させたケミカルフィルタなどをさらに付加すれば、有機物、酸・塩基性ガス、ボロン、リン等の化学汚染物質を除去することができる。なおここでいうガス状不純物を除去する手段には、その他に光触媒を利用してこれら化学汚染物質を悪影響のないものに分解する手段も含まれる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の好ましい実施の形態を説明する。図１は、本実施の形態にかかる局所密閉型清浄装置１が適用された電子部品製造装置２、及びそのインターフェース部３周りの断面を示し、図２はインターフェース部３内をその正面側、すなわち搬送ロボットなどの基板搬送装置４側からみた様子を示している。これら局所密閉型清浄装置１をはじめとする各種の装置は、クリーンルームＣＲ内に設置され、クリーンルームＣＲの天井部に設置された複数のファン・フィルタ・ユニット５によって、局所密閉型清浄装置１や半導体製造装置２など、クリーンルームＣＲ内に設置されている各装置に対しては、図示のようにダウンフローが形成されている。もちろんダウンフローに限らず、水平層流であってもよいが、クリーンルームＣＲ内の空気流は、乱流であっても構わない。
【００２２】
局所密閉型清浄装置１は、インターフェース部３を気密に閉鎖するためのチャンバを構成する側板１１、１２、１３、１４及び天板１５を有しており、基板搬送装置４側の側板１１には基板搬送装置４が所定位置に載置した密閉型のカセットＣｘとの間でウエハを移送するための移送口１６が形成され、半導体製造装置２側の側板１２には、半導体製造装置２との間でウエハを移送するための移送口１７が形成されている。
【００２３】
インターフェース部３には、移送口１６を通じて前記カセットＣｘからウエハを取り出し、これを移送口１７を通じて半導体製造装置２へと移送したり、逆に半導体製造装置２での処理が終わったウエハをカセットＣｘへと格納するための移送装置２１が設けられている。さらにインターフェース部３には、これら移送口１６、１７を各々独立して開閉自在な開閉装置２２、２３が設けられており、移送装置２１の移送アーム２１ａがこれら移送口１６、１７を通過する時以外は、常時閉鎖されており、インターフェース部３は気密に閉鎖された空間内におかれている。
【００２４】
インターフェース部３における移送装置２１の上方、すなわち局所密閉型清浄装置１内の上方には、ＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタによって構成されるフィルタ装置２４が設置されており、このフィルタ装置２４と天板１５との間の空間がプレナムチャンバ２５を形成している。他方、局所密閉型清浄装置１内の下方には、パンチングメタルなどからなる整流板２６が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インターフェース部３に均一な空気流を形成している。また本実施形態においては、特に移送装置２１におけるモータなどの駆動機構（図示せず）は、全てこの整流板２６よりも下方に配置されている。そしてフィルタ装置２４と整流板２６との間の空間が移送空間Ｔを構成している。
【００２５】
局所密閉型清浄装置１内の側方には、側板１３を利用して構成されたレタンダクト３１が設けられており、前記整流板２６の下方空間を通じてプレナムチャンバ２５と移送空間Ｔとを結んでいる。このレタンダクト３１の下方には、送風機３２が設置され、この送風機３２の吹出口近傍には、ガス導入管３３の導入口３４が配置されている。これらガス導入管３３、導入口３４がガス導入手段を構成している。本実施形態においては、このガス導入管３３から窒素ガス（Ｎ₂）が局所密閉型清浄装置１内が導入されるようになっている（図２参照）。
【００２６】
他方、送風機３２の近傍及び送風機３２のモータ３２ａの近傍には、各々排気管３５に通ずる排気口３６、３７が配置されている。これら排気管３５、排気口３６、３７は排気手段を構成している。この排気手段は、送風機３２や移送装置２１のモータ３２ａのベアリングのグリース、配線、塗料などから発生するガス状不純物を吸引する機能を有している。
【００２７】
前記ガス導入管３３には、流量調節バルブ３３ａが介装されており、また排気管３５には、流量調節バルブ３５ａが介装されている。これら流量調節バルブ３３ａ、３５ａは、制御装置Ｘによって制御される。
【００２８】
レタンダクト３１には、冷却コイル４１、加熱コイル４２が設けられている。なお冷却コイル４１は、冷水が通水する構成のものであってもよいし、例えばフロン系冷媒による直膨式のものであってもよい。また加熱コイル４２はも温水が通水するものであってもよく、もちろんそのような温水を使用しない、例えば電気ヒータであってもよい。そしてこれら冷却コイル４１及び／又は加熱コイル４２の熱量は前記制御装置Ｘによって制御される。また加熱コイル４２の下流側には、ケミカルフィルタ４３が設けられており、このケミカルフィルタ４３によって、加熱コイル４２を通過した気流中の化学汚染物質は除去される。
【００２９】
移送空間Ｔには、フィルタ装置２４を通過したダウンフローの温度を検出する温度センサ４４、移送空間Ｔ内の圧力を検出する圧力センサ４５、移送空間Ｔ内の化学汚染物質の濃度を検出する濃度センサ４６が設けられており、これら各センサからの信号は、制御装置Ｘに入力される。
【００３０】
そして制御装置Ｘは、温度センサ４４からの信号に基づいて、フィルタ装置２４を通過したダウンフローを所定の温度に維持するように、冷却コイル４１、加熱コイル４２を制御し、また圧力センサ４５からの信号に基づいて、移送空間Ｔ内の圧力を所定値に保つようにガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａ、及び排気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御する。さらにこの制御装置Ｘは、濃度センサ４６からの信号に基づいて、移送空間Ｔ内の化学汚染物質の濃度を所定値以下に保つように、ガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａ、及び排気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御するように構成されている。
【００３１】
本実施形態にかかる局所密閉型清浄装置１は以上のように構成されており、次にその作用効果について説明する。まず装置の起動時においては、移送口１６、１７の開閉装置２２、２３はいずれも閉鎖されると共に、ガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放して、局所密閉型清浄装置１内を窒素ガス雰囲気とすると共に、局所密閉型清浄装置１内が正圧になるように制御される。そして所定の圧力に達した時点でガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａは閉鎖される。このとき、排気管３５の流量調節バルブ３５ａは閉鎖されている。また送風機３２は送風運転を行い、レタンダクト３１、プレナムチャンバ２５、移送空間Ｔと巡る窒素ガスの循環気流を形成している。かかる場合、局所密閉型清浄装置１内に化学汚染物質があれば、ケミカルフィルタ４３によって除去される。
【００３２】
そして基板搬送装置４が半導体製造装置２で処理すべきウエハを収納した密閉型のカセットＣｘを局所密閉型清浄装置１の側板１１に設定された所定の位置に載置すると、開閉装置２２が開放し、インターフェース部３の移送装置２１の移送アーム２１ａがカセットＣｘ内のウエハを受け取りにいく。このとき開閉装置２２が開放した際に、移送空間Ｔ内の圧力が低下した場合には、圧力センサ４５によってそのことが検出され、所定の正圧になるまでガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放する。
【００３３】
次いで移送装置２１の移送アーム２１ａがウエハを半導体製造装置２に移送する際、今度は移送口１７の開閉を担う開閉装置２３が開放して当該ウエハが半導体製造装置２内に移送される。このとき、移送空間Ｔ内の圧力が低下した場合には、圧力センサ４５によってそのことが検出され、所定の正圧になるまでガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放する。そして移送装置２１の移送アーム２１ａが移送口１７から退避すると、開閉装置２３が閉鎖し、局所密閉型清浄装置１内は再び密閉空間となり、インターフェース部３は、窒素ガス雰囲気に封入された状態になる。
【００３４】
そして半導体製造装置２での所定の処理が終了したウエハを半導体製造装置２に受け取りにいく場合には、移送口１７の開閉を担う開閉装置２３が開放して移送装置２１の移送アーム２１ａがこの処理済みウエハを受け取り、次いでこの処理済みウエハをカセットＣｘの所定のスロット内に収納する。また移送装置２１の移送アーム２１ａが移送口１７から退避した時点で開閉装置２３は移送口１７を閉鎖する。
【００３５】
以上の一連のプロセスにおいて、ウエハを移送している移送装置２１に対しては、ケミカルフィルタ４３によって化学汚染物質が除去された後の清浄なダウンフローが常に形成されているので、ウエハは化学汚染物質に汚染されることはない。もちろん塵埃やその他のパーティクルはフィルタ装置２４によって除去される。しかも局所密閉型清浄装置１内は窒素ガスが充満しているので、ウエハ表面に例えば自然酸化膜が形成されることはない。さらに制御装置Ｘによって制御される冷却コイル４１、加熱コイル４２でダウンフローは所定の温度に維持されるから、半導体製造装置２からの熱負荷によって局所密閉型清浄装置１内の雰囲気の温度が上昇してウエハの温度が上昇するのを避け、熱膨張による製品の不良を防止できる。
【００３６】
そしてもし何らかの事情でインターフェース部３がおかれている雰囲気に、例えば多量の化学汚染物質が発生した場合には、濃度センサ４６がそのことを検出し、直ちにガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放すると共に、排気管３５の流量調節バルブ３５ａが開放し、インターフェース部３がおかれている雰囲気中の化学汚染物質が所定の濃度以下になるまでパージ運転がなされる。かかる場合も局所密閉型清浄装置１内が所定の正圧になるように、制御装置Ｘによって適正な制御がなされている。したがって、化学汚染物質の発生源がインターフェース部３がおかれている雰囲気中に存在しても、常に所定の濃度（許容濃度）以下に保たれる。
【００３７】
このように本実施形態にかかる局所密閉型清浄装置１によれば、インターフェース部３がおかれている雰囲気を常に清浄な窒素ガス雰囲気に保つことができるので、ウエハが汚染されることはない。またウエハ上に形成されるデバイスの電気特性が変化することも防止でき、しかもウエハ上に不必要な自然酸化膜が形成されることはない。また、局所密閉型清浄装置１に配置された機器自体や半導体製造装置２からの熱負荷によるウエハの温度上昇も抑えることができる。
【００３８】
そのうえ局所密閉型清浄装置１内は常に正圧に保たれているから、装置外からの塵埃やパーティクルの侵入を防止することが可能である。また局所密閉型清浄装置１内に導入する窒素ガスの導入量は、これを必要最小限に抑えることができるので、窒素ガスの量や導入に要するエネルギーも最小限に抑えられている。そして局所密閉型清浄装置１内は密閉された空間であり、その中を窒素ガスが循環しているので、ケミカルフィルタ４３やフィルタ装置２４の寿命も長く、これらのメンテナンスサイクルも長くなっている。
【００３９】
ところで送風機３２のモータ３２ａからは、ベアリングオイルなどから汚染物質が発生することがあるが、モータ３２ａの近傍にも排気口３７が設定されているので、そのようなモータ３２ａからの汚染物質は、循環気流に混入させることなく、直ちに排気管３５から装置外に排気することも可能である。
【００４０】
なお前記実施形態においては、圧力センサ４５の検出結果に基づいてガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａや排気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御して、局所密閉型清浄装置１内を正圧に保つように構成していたが、一般的に圧力変動が大きいのは、移送口１６、１７の開閉装置２２、２３の開閉のときである。したがって、これら開閉装置２２、２３の開閉に基づいてガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａや排気管３５の流量調節バルブ３５ａを制御するように構成してもよい。
【００４１】
また前記実施形態においては、ガス導入管３３からは窒素ガスを導入するようにしていたが、これに代えて清浄な空気、好ましくは低露点の空気を導入するように構成してもよい。またダウンフローに代えて水平層流を形成する構成としてもよく、その場合には、フィルタ装置２４は、移送空間Ｔの側方に設置すればよい。
【００４２】
さらに排気管３５の排気先は、クリーンルームＣＲの一般排気ダクトに接続したり、あるいはそのままクリーンルームＣＲ外に排気するようにしてもよい。もちろん排気管３５からの排気が低濃度の場合には、一旦汚染物を除去した後、再びガス導入管３３に導入して再び使用するようにすれば、使用する窒素ガスの量を節約することが可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、インターフェース部を気密に閉鎖するチャンバ内に導入する−５０℃以下の低露点空気や不活性ガスの有効利用を図りつつ、インターフェース部を−５０℃以下の低露点空気又は不活性ガス雰囲気に保つことができる。しかも塵埃やパーティクルを除去することが可能である。さらに電子部品製造装置側からの熱負荷から電子部品を保護することもできる。そしてインターフェース部自体から汚染物質が発生した場合であっても、必要に応じて当該汚染物質を外部にパージすることが可能である。
【００４４】
また，電子部品の移送の際に外部からチャンバ内に汚染物質が流入することを防止でき、インターフェース部のおかれている雰囲気を、常に導入ガス雰囲気とすることができる。さらに請求項４の発明によれば、インターフェース部自体やチャンバ内から汚染物質が発生しても、自動的に当該汚染物質が所定値以下となるように制御され、チャンバ内雰囲気を常に清浄に保つことが可能である。
【００４５】
そして本発明によれば、電子部品表面に酸化膜等、大気と反応した予期せぬ化学物質が形成するのを防止でき、歩留まりを向上させることができる。また移送装置やチャンバ構成部材から微量に発生する有機物や、電子部品製造装置との間の移送口が開口した時などにチャンバ内に拡散する可能性がある有機物、酸・塩基性ガス、ボロン、リン等の化学汚染物質をも除去することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる局所密閉型清浄装置の内部の様子を側面からみた説明図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる局所密閉型清浄装置の内部の様子を正面からみた説明図である。
【図３】開放型の従来技術の説明図である。
【図４】密閉型の従来技術の説明図である。
【符号の説明】
１局所密閉型清浄装置
２半導体製造装置
３インターフェース部
４基板搬送装置
１６、１７移送口
２２、２３開閉装置
２４フィルタ装置
２５プレナムチャンバ
３１レタンダクト
３２送風機
３３ガス導入管
３３ａ流量調節バルブ
３４導入口
３５排気管
３５ａ流量調節バルブ
３６、３７排気口
４１冷却コイル
４２加熱コイル
４３ケミカルフィルタ
Ｔ移送空間
Ｘ制御装置

Claims

電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、
前記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するための第１の移送口と、
前記チャンバにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品を移送するための第２の移送口と、
前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉装置と、前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移送空間と、
前記移送空間に清浄な空気を供給するためのフィルタ装置と、フィルタ装置からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバと、
移送空間とプレナムチャンバを結ぶレタンダクトと、
前記チャンバ内においてプレナムチャンバ、移送空間、レタンダクト、プレナムチャンバと順に巡る循環気流を形成するための送風機と、
前記所定の気流の温度調整を行う温度調整手段と、
前記チャンバ内に外部から−５０℃以下の低露点空気を導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
−５０℃以下の低露点空気の導入量を調整する導入量調整装置を備え、
少なくとも第１の移送口又は第２の移送口が開放した際に、チャンバ内が正圧に保たれるように前記導入量調整装置が制御されることを特徴とする，局所密閉型清浄装置。
電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、
前記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するための第１の移送口と、
前記チャンバにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品を移送するための第２の移送口と、
前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉装置と、前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移送空間と、
前記移送空間に清浄な空気を供給するためのフィルタ装置と、フィルタ装置からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバと、
移送空間とプレナムチャンバを結ぶレタンダクトと、
前記チャンバ内においてプレナムチャンバ、移送空間、レタンダクト、プレナムチャンバと順に巡る循環気流を形成するための送風機と、
前記所定の気流の温度調整を行う温度調整手段と、
前記チャンバ内に外部から−５０℃以下の低露点空気又は不活性ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記−５０℃以下の低露点空気又は不活性ガスの導入量を調整する導入量調整装置と、
前記移送空間内の圧力を検出する圧力センサとを備え、
少なくとも第１の移送口又は第２の移送口が開放した際に、前記圧力センサからの信号に基づいて、チャンバ内が正圧に保たれるように、前記導入量調整装置が制御されることを特徴とする，局所密閉型清浄装置。
電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、
前記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するための第１の移送口と、
前記チャンバにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品を移送するための第２の移送口と、
前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉装置と、前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移送空間と、
前記移送空間に清浄な空気を供給するためのフィルタ装置と、フィルタ装置からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバと、
移送空間とプレナムチャンバを結ぶレタンダクトと、
前記チャンバ内においてプレナムチャンバ、移送空間、レタンダクト、プレナムチャンバと順に巡る循環気流を形成するための送風機と、
前記所定の気流の温度調整を行う温度調整手段と、
前記チャンバ内に外部から−５０℃以下の低露点空気又は不活性ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記−５０℃以下の低露点空気又は不活性ガスの導入量を調整する導入量調整装置とを備え、
少なくとも第１の移送口又は第２の移送口が開放した際にチャンバ内が正圧に保たれるように、前記開閉装置の開閉に基づいて前記導入量調整装置が制御されることを特徴とする，局所密閉型清浄装置。
チャンバ内の汚染物質の濃度を検出する検出装置をさらに備え、当該検出装置からの検出値が所定値以下となるように、前記導入量調整装置が制御されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の局所密閉型清浄装置。
循環気流中のガス状不純物を除去する手段を備えたことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の局所密閉型清浄装置。