JP3808178B2 - ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明は、新規なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に関し、さらに詳しくは、アルゴンフルオライド(ArF)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマレジスト等で代表される、各種放射線を使用する化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として有用であり、さらには各種合成品の中間体として有用なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
アルゴンフルオライド(ArF)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマレジスト用の溶解抑制剤としては、短波長紫外線領域にあるArFまたはKrFレーザーに対する透過性(透明性)に優れ、しかも現像時に画像部の耐エッチング性を向上させるような化合物が求められている。
【0003】
従来、耐エッチング性の高い溶解抑制剤としてベンゼン環含有の有機化合物が知られているが、短波長紫外線領域にあるArFまたはKrFレーザーに対する透過性が低い。特にArFレーザーに対する透過性が低いため、ベンゼン環含有有機化合物は、ArFエキシマレジスト用の溶解抑制剤として使用することは困難である。
【0004】
また、上記の耐エッチング性と透明性を備えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提案されている。特にヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステルが望ましいが、ヒドロ芳香環に直接結合したカルボキシル基をt-ブチルエステル化するのは難しいため、このような有機化合物の検討は殆どなされていない。特にヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結合した化合物は、その合成が極めて困難になるため、検討されていない。
【0005】
したがって、上記溶解抑制剤の材料として有用な新規なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類、特にヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結合した化合物の出現が望まれている。
【0006】
【発明の目的】
本発明は、アルゴンフルオライド(ArF)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマレジスト等の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として、さらには各種合成品の中間体として有用なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を提供することを目的としている。
【0007】
【発明の概要】
本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、少なくとも1個のt-ブトキシカルボニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式[ II ]、[ III ]、[ IV ]、[IV]'、[V]、または[V]'で表わされる。
【0010】
【化10】
【0011】
[式中、Xは、メトキシ基またはトリフルオロメチル基であり、pは1〜4の整数である。]
【0012】
【化11】
【0013】
[式中、mおよびnは、それぞれ0〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2である。]
【0015】
【化13】
【0016】
[式中、mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。]
【0017】
【化14】
【0018】
【化15】
【0019】
[式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基であり、
mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。]
【0020】
【化16】
【0021】
[式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基である。]
上記ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、下記の化合物が好ましい。
(1)前記一般式[II]において、Xがトリフルオロメチル基であるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
(2)前記一般式[III]において、m及びnが1であるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
(3)前記一般式[IV]において、m及びnが2であるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
(4)前記一般式[V]において、m及びnが1であるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
【0022】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類について具体的に説明する。
【0023】
本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、少なくとも1個のt-ブトキシカルボニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式[I]、[II]、[III]、[III]’、[IV]、[IV]’、[V]または[V]’で表わされる。
【0024】
【化17】
【0025】
一般式[I]中、nは、2〜4の整数である。
上記一般式[I]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
1,2-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、
1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、
1,4-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、
1,2,4-シクロヘキサントリカルボン酸t-ブチルエステル、
1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0026】
【化18】
【0027】
一般式[II]中、Xは、水酸基、メチル基、t-ブチル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル基であり、pは1〜4の整数である。
上記一般式[II]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
2-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
3-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
4-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
4-t-ブチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
2-トリフルオロメチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
4-トリフルオロメチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
2-ヒドロキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、
4-ヒドロキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0028】
【化19】
【0029】
一般式[III]中、mおよびnは、それぞれ0〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2である。
上記一般式[III]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
1-デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
2-デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、
1,4-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0030】
【化20】
【0031】
上記一般式[III]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
7-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
5-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
6-ヒドロキシ-1- デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0032】
【化21】
【0033】
一般式[IV]中、mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。
上記一般式[IV]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4-ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'- ジシクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3',4- ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0034】
【化22】
【0035】
上記一般式[IV]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4'- ヒドロキシ-4- ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0036】
【化23】
【0037】
一般式[V]中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基(−(F3C)C(CF3)−基)である。mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。
【0038】
上記一般式[V]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4-(t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、
4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、
3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、
3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1'-ジシクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1',2-ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1',2,2'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルケトン、
3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルケトン
などが挙げられる。
【0039】
【化24】
【0040】
一般式[V]’におけるYは、上記一般式[V]のYと同じである。
上記一般式[V]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4-ヒドロキシ-4'-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルエーテルなどが挙げられる。
【0041】
ヒドロ芳香族カルボン酸 t- ブチルエステル類の合成法
上記一般式[I]、[II]、[III]、[III]’、[IV]、[IV]’、[V]および[V]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、たとえば目的とするヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸ブチルエステル類の芳香核に、貴金属触媒または貴金属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で、水素添加することにより合成することができる。
【0042】
上記一般式[I]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Ia]で表わされる。
【0043】
【化25】
【0044】
式[Ia]中、nは、2〜4の整数である。
上記式[Ia]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
1,2-ベンゼンジカルボン酸t-ブチルエステル(=フタル酸ジ-t- ブチルエステル)、
1,3-ベンゼンジカルボン酸t-ブチルエステル(=イソフタル酸ジ-t- ブチルエステル)、
1,4-ベンゼンジカルボン酸t-ブチルエステル(=テレフタル酸ジ-t- ブチルエステル)、
1,2,4-ベンゼントリカルボン酸t-ブチルエステル(=トリメリット酸トリt-ブチルエステル)、
1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン酸t-ブチルエステル(=ピロメリット酸テトラ-t- ブチルエステル)
などが挙げられる。
【0045】
上記一般式[II]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIa]で表わされる。
【0046】
【化26】
【0047】
式[IIa]中、Xは、水酸基、メチル基、t-ブチル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル基であり、pは1〜4の整数である。
上記式[IIa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
o-トルイル酸t-ブチルエステル、
m-トルイル酸t-ブチルエステル、
p-トルイル酸t-ブチルエステル、
4-t-ブチル安息香酸t-ブチルエステル、
4-メトキシ安息香酸t-ブチルエステル、
2-メトキシ安息香酸t-ブチルエステル、
2-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエステル、
4-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエステル、
2-ヒドロキシ安息香酸t-ブチルエステル、
4-ヒドロキシ安息香酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0048】
上記一般式[III]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIIa]で表わされる。
【0049】
【化27】
【0050】
式[IIIa]中、mおよびnは、それぞれ0〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2である。
上記式[IIIa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
α- ナフトエ酸t-ブチルエステル、
β- ナフトエ酸t-ブチルエステル、
2,6-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、
1,4-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0051】
上記一般式[III]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIIa]’で表わされる。
【0052】
【化28】
【0053】
上記式[IIIa]’で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
5-ヒドロキシ-1- ナフトエ酸t-ブチルエステル、
6-ヒドロキシ-2- ナフトエ酸t-ブチルエステル、
4-ヒドロキシ-1- ナフトエ酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0054】
上記一般式[IV]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IVa]で表わされる。
【0055】
【化29】
【0056】
式[IVa]中、mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつm+nは、1〜4の整数である。
上記式[IVa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4-ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'- ビフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3',4- ビフェニルトリカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0057】
上記一般式[IV]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IVa]’で表わされる。
【0058】
【化30】
【0059】
上記式[IVa]’で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4'- ヒドロキシ-4- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0060】
上記一般式[V]で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Va]で表わされる。
【0061】
【化31】
【0062】
式[Va]中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基である。mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。
【0063】
上記式[Va]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4-(t-ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、
4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、
3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、
3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1'-ジフェニルジカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1',2-ジフェニルトリカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1',2,2'- ジフェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ベンゾフェノン、
3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ベンゾフェノン、
などが挙げられる。
【0064】
上記一般式[V]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Va]’で表わされる。
【0065】
【化32】
【0066】
式[Va]’におけるYは、上記式[Va]’のYと同じである。
上記式[Va]’で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、
4-ヒドロキシ-4'-t- ブトキシカルボニルフェニルエーテル
などが挙げられる。
【0067】
この合成法で用いられる水素化金属触媒としては、貴金属触媒、貴金属担持触媒および貴金属錯体触媒が好ましい。特に貴金属担持触媒が触媒の価格、回収等の点から工業的に好ましい。
【0068】
貴金属触媒、貴金属担持触媒および貴金属錯体触媒の貴金属触媒成分としては、具体的には、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、銀(Ag)が挙げられる。
【0069】
また、貴金属担持触媒に用いられる担体としては、具体的には、カーボン、アルミナ、シリカなどが挙げられる。
この合成法においては、ロジウムカーボン、パラジウムカーボン、ルテニウムカーボン、ロジウムアルミナ、パラジウムアルミナ、ルテニウムアルミナ等の貴金属担持触媒が好ましく用いられる。
【0070】
貴金属触媒および貴金属担持触媒は、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の使用量100重量部に対して、0.1〜50重量部、好ましくは1〜20重量部の量で用いられる。
【0071】
また、この合成法においては、反応温度で融解する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を原料とする場合、溶媒を用いる必要はないが、反応温度で融解しない芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を原料として用いる場合、その芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を溶解することができる溶媒が用いられる。
【0072】
このような溶媒としては、具体的には、テトラヒドロフラン(THF)、ジオキソラン、ジオキサン等のエーテル類;メタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール類;エチレングリコール等の多価アルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類などが挙げられる。これらの溶媒は、原料の溶解性や反応性に合わせ、適宜用いれば良いが、反応性の特に悪いものには、tーブタノールが、反応速度を高めるため好ましく使用される。
【0073】
上記のような溶媒は、芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類使用量の0〜50倍、好ましくは0〜10倍の量で用いられる。
上記芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の芳香核に水素添加する反応条件については、反応温度は、室温〜200℃、好ましくは50〜150℃であり、反応圧力は、常圧〜100kg/cm2 、好ましくは30〜70kg/cm2 、より好ましくは50kg/cm2 程度であり、反応時間は、反応温度と反応圧力により異なるが、数十分〜数十時間、好ましくは数十分〜数時間である。
【0074】
上記の一般式[Ia]、[IIa]、[IIIa]、[IIIa]’、[IVa]、[IVa]’、[Va]または[Va]’で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類の芳香核に、上記のような反応条件で、貴金属触媒、貴金属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で水素添加することにより、本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類が生成する。この反応収率は、水添前の物質によって異なるが、50〜100%である。
【0075】
上記水素添加後、触媒の除去、溶媒の除去ないし生成物の濃縮の工程を経て、得られた本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類をそのまま製品とすることができる。
【0076】
また、上記工程を経た後、さらに溶媒を添加して再結晶するか、あるいは蒸留することにより、ヒドロ芳香族カルボン酸エステル類を精製し、この精製品を製品とすることもできる。
【0077】
この製品性状は、結晶、または塊状固体、アメ状固体あるいは液状である。
【0078】
【発明の効果】
本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類製品は、アルゴンフルオライド(ArF)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマレジスト等の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として非常に有用である。さらには、ArF、KrF以外の、電子線、X線、紫外線等の各種放射線レジスト用の溶解抑制剤としても有用である。
【0079】
また、このヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、酸によりt-ブチルエステル基を容易に脱離させることができるので、ヒドロ芳香族カルボン酸類を用いる各種合成品の中間体、たとえば医農薬品、機能性色素、機能性材料、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド等の樹脂、各種添加剤の中間体として有用である。
【0080】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【0081】
【実施例1】
[2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの製造]
原料として2,6-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル25g、溶媒としてテトラヒドロフラン200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン2g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力20kg/cm2 Gの条件下で、4時間半、撹拌した。
【0082】
反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別した後、溶媒を留去して、下式で表わされる2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル25.2gを白色塊状固体として得た。この2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、96.8%であった。
【0083】
【化33】
【0084】
なお上記2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にその測定データを示す。
(1)H1-NMR(60MHz)
【0085】
【表1】
【0086】
(2)マススペクトル(DI法)
分子イオンピーク(m/e):338
フラグメントピーク :283、227、208
(3)赤外線吸収スペクトル
C=O :1720cm-1
C−O−C :1160cm-1
【0087】
【実施例2】
[3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの製造]
原料として3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸t-ブチルエステル30g、溶媒としてテトラヒドロフラン200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン3g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力30kg/cm2 Gの条件下で、30分間、撹拌した。
【0088】
反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別した後、溶媒を留去して、下式で表わされる3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル30.1gを白色塊状として得た。
【0089】
この3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、95.1%であった。
【0090】
【化34】
【0091】
なお上記3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にその測定データを示す。
(1)H1-NMR(60MHz)
【0092】
【表2】
【0093】
(2)マススペクトル(DI法)
分子イオンピーク(m/e):566(微弱)
フラグメントピーク :334、307
(3)赤外線吸収スペクトル
C=O :1710cm-1
C−O−C :1160cm-1
【0094】
【実施例3】
[1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステルの製造]
原料としてイソフタル酸ジt-ブチルエステル20g、溶媒としてテトラヒドロフラン200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン2g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、20分間、撹拌した。
【0095】
反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別した後、溶媒を留去して、下式で表わされる1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル20.1gを無色透明液体として得た。
【0096】
この1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、96.7%であった。
【0097】
【化35】
【0098】
なお上記1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にその測定データを示す。
(1)H1-NMR(60MHz)
【0099】
【表3】
【0100】
(2)マススペクトル(DI法)
分子イオンピーク(m/e):検出不能
フラグメントピーク :211、173、155
(3)赤外線吸収スペクトル
C=O :1730cm-1
C−O−C :1160cm-1
【0101】
【実施例4】
[2-トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルの製造]
原料として2-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエステル20g、溶媒としてt-ブタノール200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン4g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力100kg/cm2 Gの条件下で、30分間、撹拌した。
【0102】
反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別した後、溶媒を留去して、下式で表わされる2-トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル20.1gを無色透明液体として得た。
【0103】
この2-トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、99.9%であった。
【0104】
【化36】
【0105】
なお上記2-トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にその測定データを示す。
(1)H1-NMR(60MHz)
【0106】
【表4】
【0107】
(2)マススペクトル(DI法)
分子イオンピーク(m/e):検出不能
フラグメントピーク :224、209、179
(3)赤外線吸収スペクトル
C=O :1730cm-1
C−O−C :1140cm-1
【0108】
【実施例5】
[4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルの製造]
原料として4-メトキシ安息香酸t-ブチルエステル20g、溶媒としてテトラヒドロフラン200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン2g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、2時間、撹拌した。
【0109】
反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別した後、溶媒を留去して、下式で表わされる4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル19.7gを無色透明液体として得た。
【0110】
この4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、88.3%であった。
【0111】
【化37】
【0112】
なお上記4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にその測定データを示す。
(1)H1-NMR(60MHz)
【0113】
【表5】
【0114】
(2)マススペクトル(DI法)
分子イオンピーク(m/e):検出不能
フラグメントピーク :159、141、126
(3)赤外線吸収スペクトル
C=O :1730cm-1
C−O−C :1150cm-1
【0115】
【実施例6】
[4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテルの製造]
原料として4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル20g、溶媒としてt-ブタノール200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン4g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度70℃、水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、20分間、撹拌した。
【0116】
反応終了後、得られた反応混合物を常温まで冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別した後、溶媒を留去して、下式で表わされる4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル19.7gを無色透明液体として得た。
【0117】
この4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテルの純度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、64.0%であった。
【0118】
【化38】
【0119】
なお上記4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテルの同定は、H1 −NMR、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にその測定データを示す。
(1)H1-NMR(60MHz)
【0120】
【表6】
【0121】
(2)マススペクトル(DI法)
分子イオンピーク(m/e):検出不能
フラグメントピーク :326、309、270
(3)赤外線吸収スペクトル
C=O :1730cm-1
C−O−C :1150cm-1
Claims (11)
- 少なくとも1個のt-ブトキシカルボニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式[II]、[III]、[IV]、[IV]'、[V]、または[V]'で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類;
- 前記一般式[II]において、Xがトリフルオロメチル基である請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[III]において、mおよびnが1である請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[IV]において、mおよびnが2である請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[V]において、mおよびnが1である請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[II]で表わされる化合物が、 2- トリフルオロメチル -1- シクロヘキサンカルボン酸 t- ブチルエステルまたは 4- トリフルオロメチル -1- シクロヘキサンカルボン酸 t- ブチルエステルであることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[III]で表わされる化合物が、2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、または1,4-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[IV]で表わされる化合物が、4-ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'- ジシクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステル、3,3',4- ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチルエステル、または3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[IV]'で表わされる化合物が、4'- ヒドロキシ-4- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[V]で表わされる化合物が、4-(t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1'-ジシクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1',2-ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1,1',2,2'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルケトン、または3,3',4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルケトンであることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
- 前記一般式[V]'で表わされる化合物が、4-ヒドロキシ-4'-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルエーテルであることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18130797A JP3808178B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18130797A JP3808178B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1129529A JPH1129529A (ja) | 1999-02-02 |
JP3808178B2 true JP3808178B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=16098396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18130797A Expired - Fee Related JP3808178B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3808178B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1219586B1 (en) * | 2000-12-26 | 2006-04-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing a hydrogenation product of an aromatic carboxylic acid |
EP3024427B1 (en) | 2013-07-22 | 2019-10-09 | Takasago International Corporation | Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate |
US20180118917A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-03 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Naphthoic acid ester plasticizers and method of making |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18130797A patent/JP3808178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1129529A (ja) | 1999-02-02 |
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