JP3777542B2 - ノズル装置及び塗布装置及び塗布方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）や半導体デバイス等の製造プロセスにおいて被処理基板に塗布膜を形成するための塗布装置及び塗布方法並びにノズル装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＬＣＤや半導体デバイスの製造プロセスにおけるリソグラフィー工程では、被処理基板（ガラス基板、半導体基板）上にレジスト液を塗布するために、いわゆるスピンコート法が常用ないし多用されている。しかし、従来一般のスピンコート法では、被処理基板をかなりの高速度でスピン回転させるため、多量のレジスト液が遠心力で基板の外へ飛散して、無駄に捨てられたりパーティクルの原因になるという問題がある。また、基板が大型化すると、スピン回転時に基板外周部において周速度が大きいために空気の乱流を引き起こしやすく、レジスト膜の膜厚の変動ひいては解像度の低下を招きやすいといった問題もある。
【０００３】
そこで、スピンコート法に替わる新しいレジスト塗布法として、図１５に示すように、被処理基板１上でレジストノズル２を走査させながらレジストノズル２よりレジスト液Ｒを細径の線状で連続的に吐出させることにより、高速回転を要することなく基板１上に万遍無く所望の膜厚でレジスト液Ｒを塗布するようにした技法（スピンレス法）が提案されている。このスピンレス法に使用されるレジストノズル２は、口径の非常に小さい（たとえば１００μｍ程度の）吐出口を有し、相当高い圧力でレジスト液Ｒを吐出するように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、レジストノズルにおいては、吐出動作を止めた際に、吐出口付近にレジスト液が付着または残留しやすく、これがそのまま放置されて乾燥固化すると、次回の塗布処理の際にレジスト吐出流を妨げたり、または乱すおそれがあり、あるいはパーティクルの発生源になることもある。そこで、塗布処理領域に隣接して設置されるノズル待機部に、吐出動作を終えて帰還したレジストノズルに対して、吐出口付近の部分に洗浄液または溶剤を吹き掛けてレジストを洗い流すためのノズル洗浄機構が備えられている。
【０００５】
しかしながら、上記のような従来のノズル洗浄機構は、塗布処理中の合間にレジストノズルの吐出口付近を洗浄またはクリーニングすることはできないだけでなく、洗浄効率もさほど高いものではない。特に、上記のようなスピンレス法に使用される微細径型のレジストノズルは、吐出口周辺部にレジストが付着または残留する度合いが大きいため、従来のノズル洗浄機構では対応しきれない。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、吐出口付近に付着または残留した処理液を吐出中断時等の短い合間を利用して短時間できれいに取り除くようにした処理液吐出用のノズル装置を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の別の目的は、処理液吐出用ノズルの吐出口付近に付着または残留した処理液を吐出中断時等の短い合間を利用してきれいに取り除いて、塗布処理の効率と品質を向上させる塗布装置および塗布方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、ノズル吐出口付近の汚れを取り除くための洗浄能力および効率を向上させる処理液吐出用のノズル装置、塗布装置および塗布方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のノズル装置は、被処理基板上に上方から処理液を滴下するためのノズル装置において、１個または複数個の吐出口とそれらの吐出口に連通する処理液導入口とを有し、処理液を前記処理液導入口より導入して前記吐出口より吐出するノズル本体と、前記ノズル本体の少なくとも前記吐出口付近の部分を所定の隙間を空けて覆い、前記吐出口と対向する位置に開口部を有するノズルカバーと、前記ノズル本体の少なくとも前記吐出口付近の部分に溶剤を供給するために前記ノズルカバーの内側に設けられた溶剤噴射ノズルと、前記ノズル本体の吐出口付近に存在する液体を前記隙間の開口端部を介してバキューム吸引により除去するために、前記ノズルカバーの前記開口部を除く前記隙間の開口端部にほぼ気密に接続されているバキューム手段とを有する。
【００１０】
上記の構成においては、ノズル装置内（ノズルカバーの内側）に溶剤噴射ノズルを設けており、この溶剤噴射ノズルよりノズル本体の吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けることにより、その部分に付着または残存している処理液を洗い落とすことができる。そこに、バキューム手段を作動させると、バキューム手段からのバキューム吸引力がノズルカバー内側の隙間（エジェクト通路）を介してノズル本体の吐出口付近に及ぶことにより、吐出口付近から洗い落とされた処理液はノズルカバーの開口部より中に吸い込まれた気流や溶剤噴射ノズルより供給された溶剤と一緒にエジェクトまたはバキューム系統へ排出される。
【００１１】
本発明のノズル装置において、好ましくは、ノズルカバー内の隙間（エジェクト通路）がノズル本体の吐出口の配列方向と平行な両側面に沿って延在する構成であってよい。かかる構成により、エジェクト通路を可及的に狭めて、バキューム手段からのバキューム吸引力を効率的にノズル本体の吐出口付近に及ぼすことができる。この場合、ノズル本体の両側面をノズル吐出口側に向かって次第に細くなるようにテーパ状に形成することで、エジェクト通路内のバキューム伝達性を一層高めることができる。
【００１２】
また、吐出口付近を効率的に隈なく洗浄するために、好ましくは、溶剤噴射ノズルがノズル本体の吐出口と１対１の対応関係で配置される構成であってよい。この場合、溶剤噴射ノズルがノズル本体の吐出口列を挟んで両側に千鳥状に配置される構成、つまり各隣接する２つのノズル本体の吐出口にそれぞれ対応する２つの溶剤噴射ノズルがノズル本体の吐出口列に対して両側に分かれて配置される構成が、設計および製作面だけでなく洗浄効率の面でも一層好ましい。
【００１３】
また、ノズル本体の吐出口付近に向けて溶剤噴射ノズルより溶剤を吹き付けるに際してバキューム吸引も同時に行うことにより、バキューム手段のバキューム吸引力を可変制御することにより溶剤噴射流の向きを可変制御してもよい。
【００１４】
また、ノズル本体における処理液の吐出を止めた後は、先ず第１の時間だけ溶剤噴射ノズルより溶剤を噴射させると同時にバキューム手段にバキューム吸引を行わせ、溶剤噴射ノズルの溶剤噴射を止めた後に第２の時間だけバキューム手段のバキューム吸引を継続させてよい。このように、溶剤噴射ノズルを稼動させた直後にバキューム乾燥を行うことで、短い所要時間でウエット式の吐出口洗浄を実施することができる。
【００１５】
本発明の第１の塗布装置は、被処理基板上に処理液を塗布するための塗布装置であって、本発明のノズル装置と、前記ノズル装置のノズル本体に処理液を供給するための処理液供給手段と、前記ノズル装置の溶剤噴射ノズルに溶剤を供給するための溶剤供給手段と、前記ノズル装置のバキューム手段にバキュームを供給するためのバキューム供給手段と、被処理基板をほぼ水平に保持する保持手段と、
前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記基板に対して相対的に前記ノズル装置を水平方向で走査する走査手段とを有する。
【００１６】
この第１の塗布装置の好適な一態様として、走査中にノズル装置において処理液吐出動作を間欠的に中断させ、その中断時間の間にノズル装置において第１の時間だけ溶剤噴射ノズルより溶剤を噴射させると同時にバキューム手段に前記バキューム吸引を行わせ、前記溶剤噴射ノズルの溶剤噴射を止めた後に第２の時間だけバキューム手段のバキューム吸引を継続させる走査中にノズル装置において処理液吐出動作を間欠的に中断させ、その中断時間の間にバキューム手段を作動させてバキューム吸引を行わせてよい。そうすることで、塗布処理中にノズル本体の吐出口付近を随時きれいに洗浄することができる。
【００１７】
本発明の第１の塗布方法は、ノズル装置を用いて被処理基板上に処理液を塗布するための塗布方法であって、ほぼ水平に保持されている前記基板に対して、前記ノズル装置の吐出口より処理液を吐出させ、かつ前記ノズル装置を相対的に水平方向に走査する第１の工程と、前記ノズル装置が処理液の吐出を中断した合間または終了した後に、前記ノズル装置内で、少なくとも前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けるとともにバキューム吸引によって前記吐出口付近から液を取り除く第２の工程とを有する。好ましくは、第２の工程では、第１の時間だけ前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けると同時に前記バキューム吸引を行い、前記溶剤の吹き付けを止めた後に第２の時間だけ前記バキューム吸引を継続させてよい。
【００１８】
上記第１の塗布方法においては、走査方式の塗布処理（第１の工程）の過程で、またはその結果として、ノズル装置の吐出口付近に処理液が付着または残留する。第２の工程では、ノズル装置内で、吐出口付近の部分に溶剤が吹き付けられることにより、そこに付着または残留していた処理液が洗浄されるとともに、それら溶剤および洗浄液がバキューム吸引によって気流と一緒にバキューム系統へ排出される。これにより、ノズル装置が移動している最中にもノズル装置内で吐出口付近の部分を随時洗浄することができる。
【００１９】
本発明の第２の塗布装置は、被処理基板上に処理液を塗布するための塗布装置であって、本発明のノズル装置と、前記ノズル装置のノズル本体に処理液を供給するための処理液供給手段と、前記ノズル装置の溶剤噴射ノズルに溶剤を供給するための溶剤供給手段と、前記ノズル装置のバキューム手段にバキュームを供給するためのバキューム供給手段と、被処理基板をほぼ水平に保持する保持手段と、前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記基板をスピン回転させる回転手段とを有する。
【００２０】
本発明の第２の塗布方法は、ノズル装置を用いて被処理基板上に処理液を塗布するための塗布方法であって、ほぼ水平に保持されている前記基板に対して、前記ノズル装置の吐出口より処理液を吐出させて、前記基板上に処理液を供給する第１の工程と、前記ノズル装置が処理液の吐出を中断した合間または終了した後に、前記ノズル装置内で、少なくとも前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けるとともにバキューム吸引によって前記吐出口付近から液を取り除く第２の工程と、前記ノズル装置が前記基板に対する処理液の供給を終了した後に、前記基板をスピン回転させる第３の工程とを有する。好ましくは、第２の工程では、第１の時間だけ前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けると同時に前記バキューム吸引を行い、前記溶剤の吹き付けを止めた後に第２の時間だけ前記バキューム吸引を継続させてよい。
【００２１】
上記第２の塗布方法においては、基板のスピン回転によるレベリング工程（第３の工程）が後に控えているので、塗布工程（第１の工程）では基板上に処理液を大まかな分布で供給してよい。もっとも、処理液の吐出を止めたノズル装置の吐出口付近には処理液が付着または残留する。第２の工程では、ノズル装置内で、吐出口付近の部分に溶剤が吹き付けられることにより、そこに付着または残留していた処理液が洗浄されるとともに、それら溶剤および洗浄液がバキューム吸引によって気流と一緒にバキューム系統へ排出される。これにより、ノズル装置が移動している最中にもノズル装置内で吐出口付近の部分を随時洗浄することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図１４を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００３１】
図１に、本発明のノズル装置、塗布装置および塗布方法が適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。
【００３２】
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。
【００３３】
システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このステージ１２上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３４】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。
【００３５】
洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。
【００３６】
塗布プロセス部２４は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。
【００３７】
現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５４と、加熱ユニット（ＨＰ）５６とを含んでいる。
【００３８】
各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，５２，５８が設けられ、主搬送装置３８，５４，６０が各搬送路に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，５２，５８の一方の側にスピンナ系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。
【００３９】
システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５７およびバッファステージ５６を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。
【００４０】
図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、ステージ１２上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。
【００４１】
洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）では所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。
【００４２】
次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、主搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。
【００４３】
塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、先ずアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ6）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
【００４４】
その後、基板Ｇは、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受け、次いでエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４で基板周縁部の余分（不要）なレジストを除かれる（ステップＳ8）。
【００４５】
次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ9）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。
【００４６】
上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の主搬送装置５４と現像プロセス部２６の主搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ11）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５７を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ11）。
【００４７】
現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ12）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５５の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ13）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ14）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５３を用いることもできる。
【００４８】
現像プロセス部２６での一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４内の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。
【００４９】
この塗布現像処理システムにおいては、塗布プロセス部２４のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に本発明を適用することができる。以下、図３〜図２０につき本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に適用した実施形態を説明する。
【００５０】
図３および図４に、塗布プロセス部１２におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４の要部の構成を示す。
【００５１】
これらの塗布系処理ユニット群（ＣＴ）４０、（ＶＤ）４２、（ＥＲ）４４は支持台６０の上に処理工程の順序にしたがって横一列に配置されている。支持台６０の両側に一対のガイドレール６２，６２が敷設され、これらガイドレール６２，６２に沿って平行移動する一組または複数組の搬送アーム６４，６４により、ユニット間で基板Ｇを直接（主搬送路５２側の主搬送装置５４を介することなく）やりとりできるようになっている。
【００５２】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ６６と、この下部チャンバ６６の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ６８とを有している。下部チャンバ６６はほぼ四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して支持するためのステージ７０が配設され、底面の四隅には排気口７２が設けられている。下部チャンバ６６の下から各排気口７２に接続する排気管７４は真空ポンプ（図示せず）に通じている。下部チャンバ６６に上部チャンバ６８を被せた状態で、両チャンバ６６，６８内の処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。
【００５３】
エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）４４には、基板Ｇを水平に載置して支持するステージ７６と、基板Ｇを相対向する一対の角隅部にて位置決めするアライメント手段７８と、基板Ｇの四辺の周縁部（エッジ）から余分なレジストを除去する４個のリムーバヘッド８０等が設けられている。アライメント手段７８がステージ７６上の基板Ｇを位置決めした状態で、各リムーバヘッド８０が基板Ｇの各辺に沿って移動しながら、基板各辺の周縁部に付着している余分なレジストを溶剤たとえばシンナーで溶解して除去するようになっている。
【００５４】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０は、上面が開口しているカップ状の処理容器８２と、この処理容器８２内で基板Ｇを水平に載置して保持するための昇降可能なステージ８４と、このステージ８４を昇降させるために処理容器８２の下に設けられた昇降駆動部８６と、ステージ８４上の基板Ｇに対して上方からレジスト液を滴下するためのレジストノズル８８をＸＹ方向で駆動するノズル走査機構９０と、稼動していないレジストノズル８８を処理容器８２の外でメンテナンスするためのノズルメンテナンス部９１と、各部を制御するコントローラ（図示せず）とを有している。ノズルメンテナンス９１は、後述するノズル洗浄部９２およびノズル待機部９３を備えている。
【００５５】
図５に、ノズル走査機構９０の構成を示す。このノズル走査機構９０では、Ｙ方向に延びる一対のＹガイドレール９４，９４が処理容器８２（図５では図示省略）の両側に配置されるとともに、両Ｙガイドレール９４，９４の間にＸ方向に延在するＸガイドレール９６がＹ方向に移動可能に架け渡されている。所定位置たとえば片側のＹガイドレール９４の一端に配置されたＹ方向駆動部９８が，無端ベルト等の伝動機構（図示せず）を介してＸガイドレール９６を両Ｙガイドレール９４，９４に沿ってＹ方向に駆動するようになっている。また、Ｘガイドレール９６に沿ってＸ方向にたとえば自走式または外部駆動式で移動できるキャリッジ（搬送体）１００が設けられており、このキャリッジ１００にレジストノズル８８が着脱可能に取り付けられる。
【００５６】
レジストノズル８８の後背部には、キャリッジ１００に着脱可能に取付されるための連結部材１０２が固着または一体形成されている。図示の例の連結部材１０２は垂直方向に延びる円柱部１０４を有しており、この円柱部１０２ａの外壁面に形成された左右一対の盲孔またはざぐり穴１０４ａ（図６）にキャリッジ１００側の左右一対のノズル保持アーム１００ａの先端部が両側から着脱可能に嵌るようになっている。
【００５７】
レジストノズル８８の上部には、レジスト液容器およびポンプ等からなるレジスト液供給部（図示せず）に通じる可撓性のレジスト供給管１０６と空気圧式真空装置からなるエジェクタ装置（図示せず）に通じる可撓性のバキューム管またはエジェクタ管１０８が接続されている。これらレジスト供給管１０６およびエジェクタ管１０８にはコントローラによって制御可能な開閉弁（図示せず）がそれぞれ設けられている。
【００５８】
図６にレジストノズル８８の構成を示す。レジストノズル８８は、レジスト供給管１０６に接続されるノズル本体１１０と、このノズル本体１１０の下面ないし側面を包囲するノズルカバー１１２と、エジェクタ管１０８に接続されるマニホールド１１４とを有する。
【００５９】
ノズル本体１１０は、図６および図７に示すように、レジスト供給管１０６の終端よりレジスト液を導入するための導入口１１０ａと、導入したレジスト液をいったん溜めるバッファ室１１０ｂと、このバッファ室１１０ｂの底面より垂直下方に延びる１個または複数個の吐出流路１１０ｃと、各吐出流路１１０ｃの終端に設けられた微細径の吐出口１１０ｄとを有している。ノズル本体１１０の外形面では、吐出口１１０ｄの配列方向と平行な両側面１１０ｅ，１１０ｆが、吐出口１１０ｄ側に向かって次第に細くなる（幅が狭まる）ようにテーパ状に形成されている。
【００６０】
ノズルカバー１１２は、図６に示すように、ノズル本体１１０の下面（吐出面）および両側面１１０ｅ，１１０ｆを比較的狭い隙間１１６を空けて覆い、吐出口１１０ｄと対向する位置にスリット状の開口部１１２ａを有している。ノズル本体１１０とノズルカバー１１２との間の隙間１１６は、レジストノズル８８内のエジェクト通路を構成するものであり、吐出口１１０ｄ付近では連続しているのが好ましいが、ノズル本体１１０およびノズルカバー１１２の上部では吐出口１１０ａの配列方向に垂直な隔壁部（図示せず）によって分断されていてもよく、マニホールド１１４に通じていればよい。図示の例では、ノズル本体１１０の両側面の上端部で隙間１１６が開口し、この上部隙間開口部１１６ａを気密に覆うようにマニホールド１１４が形成または取付されている。
【００６１】
ノズル本体１１０およびノズルカバー１１２は、シンナー等の溶剤に対して変質し難い材質たとえばテフロン（商品名）等で構成されるのが好ましく、あるいは金属等の剛体の表面にそのような耐薬品性に優れた材質をコーティングしたものでもよい。
【００６２】
図８および図９に、ノズルメンテナンス部９１（図３）に設けられるノズル洗浄部９２およびノズル待機部９３の構成をそれぞれ示す。
【００６３】
図８に示すように、ノズル洗浄部９２は、レジスト用の洗浄液たとえばシンナーＣを収容する洗浄液槽１２０からなる。塗布処理の終了後に、ノズル走査機構９０がレジストノズル８８をノズルメンテナンス部９１まで移送し、この洗浄液槽１２０でレジストノズル８８を少なくとも吐出部（吐出口１１０ｄ付近の部分）が洗浄液Ｃに浸かるように沈めることで、吐出口１１０ｄ近傍に付着または残留しているレジストが洗い落されるようになっている。
【００６４】
洗浄液槽１２０には、洗浄液タンク（図示せず）より必要に応じて洗浄液Ｃを供給または補給するための洗浄液供給管（図示せず）や、ノズル洗浄に使用した洗浄液Ｃを排出するための洗浄液排出管（図示せず）等が接続されていてよい。また、上記のようなノズル洗浄浴が行われない間は開閉可能な蓋体（図示せず）で洗浄液槽１２０の上面を閉じておいてもよい。
【００６５】
図９に示すように、ノズル待機部９３は、上面にレジストノズル８８を受け入れるための凹所１２２ａが形成されているノズル保持体１２２からなる。このノズル保持体１２２の凹所１２２ａは、レジストノズル８８のノズルカバー１１２がすっぽり入る形状を有している。凹所１２２ａの上面周縁部にはシール部材たとえばＯリング１２４が取り付けられている。ノズルカバー１１２が凹所１２２ａに挿入されレジストノズル８８のマニホールド１０４がフランジ部としてＯリング１２４を介してノズル保持体１２２の上面に載せられることで、レジストノズル８８がノズル保持体１２２に装着されるとともに、ノズル保持体１２２の凹所１２２ａが大気から密閉され、凹所１２２ａの底部に気密な空間１２６が形成されるようになっている。
【００６６】
ノズル保持体１２２の凹所１２２ａには、底面中心部つまりレジストノズル８８の吐出口１１０ｄと対向する位置にドレイン口１２８が形成されるとともに、ドレイン口１２８の周囲に溝状の溶剤溜り１３０が形成されている。この溶剤溜り１３０には、溶剤供給部（図示せず）より配管１３２およびノズル保持体１２２内の流路１２２ｂを介してレジスト用の溶剤たとえばシンナーＳが引かれる。上記のようにして、レジストノズル８８がノズル保持体１２２に装着されると、凹所１２２ａ底部の密閉空間１２６には溶剤溜り１３０から発生する溶剤の蒸気が充満するようになっている。ドレイン口１２８はドレイン管１３４を介して廃液処理部（図示せず）に通じている。ドレイン管１３４の途中には開閉弁１３６が設けられてよい。
【００６７】
次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０における作用を説明する。
【００６８】
先ず、主搬送路５２側の主搬送装置５４（図１）により塗布処理前の基板Ｇがレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に搬入される。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０では、昇降駆動部８６によりステージ８４が処理容器８２の上面開口から上に出る位置まで持ち上げられ、主搬送装置５４により基板Ｇがステージ８４上に移載される。ステージ８４の上面には、基板Ｇを保持するために、たとえばバキューム式の吸着手段（図示せず）が設けられてもよい。
【００６９】
ステージ８４上に基板Ｇが載置されると、次に昇降駆動部８６によりステージ８４が処理容器８２内の所定位置まで降ろされ、その位置で基板Ｇに対するレジスト塗布処理が実行される。
【００７０】
より詳細には、ノズル走査機構９０が、レジストノズル８８をノズルメンテナンス部９１のノズル待機部９３から処理容器８２の内側へ移動させ、ステージ８４に載置されている基板Ｇの上方でＸＹ方向に走査する。走査中にレジストノズル８８は、レジスト液供給部よりレジスト供給管１０６を介してレジスト液の供給を受け、各吐出口１１０ｄより微細径の吐出流でレジスト液Ｒを所定の圧力および流量で基板Ｇに向けて滴下する。
【００７１】
この実施形態でも、たとえば図１０に示すように、直角ジグザグ状の走査パターンで基板Ｇの端から端まで走査し、基板Ｇ上で相隣接する滴下ラインをライン幅方向に繋げることで、基板Ｇの上面（被処理面）全体を覆うようなレジスト塗布膜を形成することができる。この場合、レジストノズル８８が各ライン走査の折り返しのためいったん基板Ｇの外へ出ている間に、レジストノズル８８の吐出口１１０ｄ付近に付着または残留しているレジストを取り除くことができる。
【００７２】
より詳細には、レジストノズル８８が各ライン走査の終端部で基板Ｇの外へ出た直後またはその直前に、レジスト液供給部側でレジスト液Ｒの供給を止め、レジストノズル８８のレジスト吐出動作を中断させる。次いで、レジストノズル８８用のエジェクタ装置が作動して、エジェクタ管１０８、吸気マニホールド１１４およびエジェクト通路（隙間）１１６を介してレジストノズル８８の吐出口１１０ｄ付近に負圧またはバキュームの吸引力を及ぼす。吐出口１１０ｄの正面はノズルカバー１１２の開口部１１２ａが開いているので、図６の点線の矢印で示すように、外の空気が開口部１１２ａから強い風圧で流入し、吐出口１１０ｄ近傍に付着または残留しているレジスト液も外からの空気流と一緒にエジェクト通路（隙間）１１６→吸気マニホールド１１４→エジェクタ管１０８の経路を通ってエジェクタ装置へ吸い込まれる。
【００７３】
このレジストノズル８８では、ノズル本体１１０の吐出口１１０ｄの配列方向と平行な両側面１１０ｅ，１１０ｆをテーパ状に形成し、これらのテーパ側面１１０ｅ，１１０ｆにノズルカバー１１４の内壁面をほぼ一定の間隔または隙間を維持するように倣わせてエジェクト通路（隙間）１１６を可及的に狭くしているので、吐出口１１０ｄ付近に強力なバキューム吸引力を効率よく与えることができる。このバキューム式のノズル吐出口クリーニング処理は、レジストノズル８８が基板Ｇの外でライン走査の折り返しまたは１ピッチ移動を行っている合間に実行されてよい。
【００７４】
このように、この実施形態では、塗布処理のためのノズル走査の途中でレジストノズル８８を基板Ｇの外へ出す時は、レジスト吐出動作を一時中断し、その中断時間中にレジストノズル８８の吐出口１１０ｄ付近に付着または残留しているレジストをバキューム吸引力で瞬時に取り除くことができる。これによって、レジストノズル８８の吐出口１１０ｄが詰まったり吐出流が乱れるような不具合がなくなり、吐出口１１０ｄ付近からパーティクルを発生させることもなくなる。しかも、基板Ｇの外でレジスト液を無駄に吐出して捨てることもないので、そのぶんレジスト液の消費量を節減できる。
【００７５】
上記のような塗布処理のノズル走査が終了したならば、レジストノズル８８のレジスト吐出動作を止めて、ノズル走査機構９０がレジストノズル８８を処理容器８２の外へ退出させるべくノズルメンテナンス部９１のノズル洗浄部９２へ移送する。このノズル退出移送の途中に、上記と同様にバキューム式の吐出口クリーニングを行ってもよい。ノズル洗浄部９２では、上記したようにノズル走査機構９０のノズルハンドリング機能を用いて洗浄液槽１２０内の洗浄液にレジストノズル８８の吐出部を浸け込む（図８）。レジストノズル８８の吐出口１１０ｄ付近にレジストの取り残しがあったとしても、このウェット洗浄によって洗い流される。
【００７６】
ノズル洗浄部９２でウェット洗浄を施されたレジストノズル８８は、ノズル走査機構９０によって隣のノズル待機部９３へ移される。ノズル待機部９３では、上記したように、レジストノズル８８がノズル保持体１２２に装着または保持されると、レジストノズル８８の吐出部がノズル保持体１２２の凹所１２２ａ底部に形成される気密な空間１２６内で溶剤溜り１３０より発生される溶剤蒸気に晒される（図９）。この溶剤蒸気の雰囲気の中で、レジストノズル８８の内部（吐出口１１０ｄ、吐出流通路１１０ｃ、バッファ室１１０ｂ）に残存しているレジスト液は液相状態を安定に維持することができる。また、ノズル待機部９３では、必要に応じてダミーディスペンスを行うことも可能である。
【００７７】
一方、処理容器８２の中では、レジストノズル８８の退出後に、基板Ｇを搬出するため、昇降駆動部８６がステージ８４を処理容器８２の上面開口から上に出る位置まで上昇させる。直後に、搬送アーム６４，６４が、基板Ｇをステージ８４から受け取り、隣接する減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２へ移送する。
【００７８】
図１１に、別の実施例によるレジストノズル１４０の構成を示す。図中、上記した実施例におけるレジストノズル８８のものと実質的に同様の構成または機能を有する部分には同一の符号を付してある。
【００７９】
この実施例によるレジストノズル１４０は、上記実施例のレジストノズル８８において、ノズルカバー１１２の内側に、ノズル本体１１０のノズル吐出口１１０ｄ付近の部分に向けてレジスト用の溶剤たとえばシンナーＳを吹き付けるための１個または複数個の溶剤噴射ノズル１４２を設ける構成を特徴とする。
【００８０】
これらの溶剤噴射ノズル１４２は、たとえば、ノズルカバー１１２の開口部１１２ａ付近の内壁にノズル本体１１０の吐出口１１０ｄに向けて形成された１個または複数個の溶剤噴射口として構成されてよい。各溶剤噴射ノズル１４２は、ノズルカバー１１２の内部に形成された溶剤流路１４４を介してノズルカバー１１２の側面に気密に取り付けられたマニホールド１４６に通じている。ノズルカバー１１２内の溶剤流路１４４は、溶剤噴射ノズル１４２付近の終端部で各々独立に分岐した流路に形成されていればよく、中間部ないしマニホールド１４６側では幾つかのブロック単位で連続した流路に形成されてよい。マニホールド１４６は溶剤供給管１４８を介して溶剤容器およびポンプ等からなる溶剤供給部（図示せず）に通じている。溶剤供給管１４８の途中にコントローラによって制御機能な開閉弁（図示せず）が設けられてよい。
【００８１】
このレジストノズル１４０において、ノズル本体１１０の吐出口１１０ｄを一列に複数個設ける場合は、洗浄効率の面から同数の溶剤噴射ノズル１４２を吐出口１１０ｄと１対１の対応関係で配置するのが好ましく、さらに好ましくは図１２に示すように、溶剤噴射ノズル１４２をノズル本体１１０の吐出口列に対して千鳥状に配置する構成、つまり各隣接する２つの吐出口１１０ｄにそれぞれ対応する２つの溶剤噴射ノズル１４２を吐出口列に対して両側に分けて配置する構成としてよい。このような千鳥状の配置構成とすることで、溶剤噴射ノズル１４２のピッチ間隔が大きくなって設計・製作が容易になるだけでなく、洗浄効率も一層向上する。
【００８２】
このレジストノズル１４０において、ノズル本体１１０の吐出口１１０ｄ付近の部分に溶剤噴射ノズル１４２より溶剤Ｓを吹き付けるときは、溶剤供給部より溶剤供給管１４８、マニホールド１４６およびノズル内の溶剤流路１４４を介して溶剤噴射ノズル１４２に溶剤Ｓを圧送する。これと同時に、エジェクタ装置を作動させて、エジェクタ管１０８、マニホールド１１４およびノズル内エジェクト通路（隙間）１１６を介してノズル吐出部にバキューム吸引力を及ぼす。そうすると、溶剤噴射ノズル１４２より噴射された溶剤Ｓは、ノズル本体１１０の吐出口１１０ｄ付近に当たってからバキューム吸引力によってエジェクト通路１１６側に引き込まれ、同じバキューム吸引力によって開口部１１２ａからノズル内に吸い込まれる空気流と一緒にエジェクタ系統へ排出される。
【００８３】
その際、エジェクタ装置よりノズル吐出部に及ぼすバキューム吸引力の大きさ（強さ）を可変制御または加減することで、図１３に示すように、溶剤噴射ノズル１４２より噴射される溶剤Ｓの向きを可変制御またはスキャンすることができる。つまり、バキューム吸引力を弱くすることで溶剤噴射ノズル１４２からの溶剤Ｓをノズル本体１１０の吐出口１１０ｄまたはその極近傍に当てることも可能であり、バキューム吸引力を強くすることでノズル本体１１０の吐出口１１０ｄより比較的離れた部分たとえば吐出面の周縁部付近に当てることも可能である。
【００８４】
このように、このレジストノズル１４０では、バキューム吸引力の下でノズル本体１１０の吐出口１１０ｄ付近に溶剤噴射ノズル１４２より溶剤Ｓを吹き付けることにより、レジストノズル１４０自体で洗浄効率の高いウエット洗浄を行えるようになっている。通常、このウエット洗浄を終了した後は、エジェクタ装置側のバキューム吸引をそのまま継続させてバキューム乾燥を行ってよい。
【００８５】
この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０において、この実施例のレジストノズル１４０を使用する場合、全体的な動作は上記実施例のレジストノズル８８を使用した場合と殆ど同じでよい。塗布処理のためのノズル走査中にレジストノズル１４０を一時的に基板Ｇの外へ出すときは、レジスト吐出動作をいったん中断し、その合間にノズル本体１１０の吐出部に対して上記のようなウエット洗浄とバキューム乾燥とを順次実施してよい。このノズル吐出部洗浄によって、レジスト吐出動作を止めた直後にレジストノズル８８の吐出口１１０ｄ近傍に付着または残留しているレジストを、短時間で十全に取り除くことができる。
【００８６】
あるいは、上記のようなノズル吐出部洗浄をいったん行った後、レジストノズル１４０が再び基板Ｇ上に入る直前に、ノズル本体１１０の吐出口１１０ｄないし吐出流路１１０ｃに溶剤噴射ノズル１４２より溶剤Ｓを吹き付けてもよい。この溶剤吹き付けによって、次のレジスト吐出動作の開始または再開時に吐出流路１１０ｃないし吐出口１１０ｄよりレジスト液をスムースに出やすくすることも可能である。
【００８７】
この実施例のレジストノズル１４０は、塗布処理のノズル走査を終了した後、処理容器８２からノズルメンテナンス部９１側へ退出する途中で上記のようなウエット洗浄を行えるので、レジスト待機部９３へ直行してよい。したがって、ノズルメンテナンス部９１側ではノズル洗浄部９２を省くことができる。
【０１０７】
図１４に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０の塗布処理部の変形例を示す。この変形例では、スピンチャック１９０上に基板Ｇを載置して、静止状態の基板Ｇ上にレジスト液Ｒを大まかに分布させて供給する第１工程と、基板Ｇ上でレジスト液Ｒを広げて塗布膜をレベリング（膜厚均一化）するために基板Ｇをスピン回転させる第２工程とを順次行うようにしている。第１工程では、上記ノズル走査機構９０（図５）を用いることができる。
【０１０８】
従来一般のスピンコート法では基板中心部にレジスト液を滴下してから２０００〜３０００ｒｐｍ以上の高速度でスピン回転させるのに対して、この変形例の方式では基板上にレジスト液をある程度広く分布させてからたとえば１０００ｒｐｍ程度の低速度でスピン回転させるため基板の外に飛散するレジスト液を少なくすることができる。
【０１０９】
図１４において、スピンチャック１９０の回転軸１９０ａは駆動部１９２内に設けられている回転駆動部（図示せず）に作動結合されている。スピンチャック１９０の上面に設けられているチャック吸引口（図示せず）は回転軸１９０ａ内に貫通している空気通路を介して負圧源たとえば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。駆動部１９２内には、スピンチャック１９０を昇降移動させるための昇降駆動部（図示せず）も設けられている。基板Ｇの搬入／搬出時にはスピンチャック１９０が上昇して外部搬送装置つまり主搬送装置５４（図１）と基板Ｇのやりとりを行うようになっている。
【０１１０】
スピンチャック１９０を取り囲むように回転カップ１９４が回転可能に設けられ、さらに回転カップ１９４の外側にドレインカップ１９６が固定配置されている。両カップ１９４，１９６のいずれも上面が開口している。回転カップ１９４の底部は、筒状の支持部材１９８を介して駆動部１９２内の回転駆動部に作動接続されている。
【０１１１】
回転カップ１９４の上方には、ロボットアーム２００により上下移動可能な蓋体２０２が配置されている。回転カップ１９４の上方で上記実施例のレジストノズルたとえばレジストノズル１５０を走査させるとき、つまり基板Ｇ上にレジスト液Ｒを供給する工程（第１工程）の間は、蓋体２０２がノズル走査機構９０の上方に退避している。第１工程が終了して、塗布膜のレベリングを行う工程（第２の工程）に際して蓋体２０２が降りてきて回転カップ１９４の上面を閉じる。なお、図示省略するが、蓋体２０２および回転カップ１９４の上面は相互に係合する構成になっている。そして、駆動部１９２の回転駆動によりスピンチャック１９０と回転カップ１９４および蓋体２０２が一緒に回転することにより、基板Ｇ上でレジスト液Ｒが遠心力で広げられ、基板Ｇの外に飛散したレジスト液Ｒは回転カップ１９４に受けられる。スピンチャック１９８の下面には回転カップ１９４の底面を密閉するためのリング状シール部材２０４が取付されている。
【０１１２】
回転カップ１９４に回収されたレジスト液Ｒは、カップ１９４底部の外周縁部に形成されているドレイン口２０４を通ってドレインカップ１９６へ導かれ、ドレインカップ１９６底部のドレイン口２０６より廃液処理部（図示せず）へ送られる。なお、スピン回転中にドレイン口２０６より空気が流出して回転カップ１９４内部が負圧になるのを防止するために、回転カップ１９４の上部または蓋体２０２に適当な給気口（図示せず）が設けられてよい。回転カップ１９４側からドレインカップ１９６内に流入した空気はドレインカップ１９６の外周面に形成された排気口２０８より排気系統（図示せず）へ排出される。
【０１１３】
本発明は、上記した実施形態におけるようなレジスト液（処理液）を微細径で吐出する微細径型ノズルに適用して特に好適なものである。しかし、任意の吐出口を有する種々の処理液吐出ノズルに適用可能である。
【０１１４】
また、本発明は、処理液吐出ノズルを用いて被処理基板上に処理液を供給する任意のアプリケーションに適用可能であり、走査式でなくても、たとえば静止状態で処理液を吐出供給する方式にも適用可能である。本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【０１１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のノズル装置によれば、吐出口付近に付着または残留した処理液を吐出中断時等の短い合間を利用して短時間できれいに取り除くことができる。また、ノズル吐出口付近の汚れを取り除くための洗浄能力および効率を向上させることもできる。
【０１１６】
本発明の塗布装置によれば、処理液吐出用ノズルの吐出口付近に付着または残留した処理液を吐出中断時等の短い合間を利用して短時間できれいに取り除いて、塗布処理の効率と品質を向上させることができる。また、処理液吐出用ノズルのノズル吐出口付近の汚れを取り除くための洗浄能力および効率を向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の適用可能なノズル装置および塗布装置を含む塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】 実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図３】 実施形態の塗布現像処理システムにおける塗布系処理ユニット群の要部の構成を示す平面図である。
【図４】 実施形態の塗布現像処理システムにおける塗布系処理ユニット群の要部の構成を示す正面図である。
【図５】 実施形態のレジスト塗布ユニットに含まれるノズル走査機構の構成を示す斜視図である。
【図６】 第１の実施例によるレジストノズルの構成を示す縦断面図である。
【図７】 第１の実施例のレジストノズルにおけるノズル本体の構成を示す縦断面図である。
【図８】 実施形態のレジスト塗布ユニットに備えられるノズル洗浄部の構成を示す縦断面図である。
【図９】 実施形態のレジスト塗布ユニットに備えられるノズル待機部の構成を示す縦断面図である。
【図１０】 実施形態のレジスト塗布ユニットにおけるレジスト塗布方式を模式的に示す斜視図である。
【図１１】 第２の実施例によるレジストノズルの構成を示す縦断面図である。
【図１２】 第２の実施例のレジストノズルにおける溶媒噴射ノズルの配置構成を模式的に示す図である。
【図１３】 第２の実施例によるレジストノズルの一作用を模式的に示す部分拡大断面図である。
【図１４】 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける塗布処理部の一変形例の構成を示す一部断面正面図である。
【図１５】 スピンレス法によるレジスト塗布方法を模式的に示す図である。
【符号の説明】
４０ レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
８８ レジストノズル
９０ ノズル走査機構
９２ ノズル洗浄部
９３ ノズル待機部
１０６ レジスト供給管
１０８ エジェクト管
１１０ ノズル本体
１１０ａ 導入口
１１０ｄ 吐出口
１１２ ノズルカバー
１１２ａ 開口部
１１４ マニホールド
１１６ エジェクト通路（隙間）
１２０ 洗浄液槽
１２２ ノズル保持体
１２２ａ 凹所
１２６ 気密空間
１３０ 溶媒溜り
１４２ 溶剤噴射ノズル
１４８ 溶剤供給管
１９０ スピンチャック
１９２ 駆動部
１９４ 回転カップ

Claims (14)

1. 被処理基板上に上方から処理液を滴下するためのノズル装置において、
   １個または複数個の吐出口とそれらの吐出口に連通する処理液導入口とを有し、処理液を前記処理液導入口より導入して前記吐出口より吐出するノズル本体と、
   前記ノズル本体の少なくとも前記吐出口付近の部分を所定の隙間を空けて覆い、前記吐出口と対向する位置に開口部を有するノズルカバーと、
   前記ノズル本体の少なくとも前記吐出口付近の部分に溶剤を供給するために前記ノズルカバーの内側に設けられた溶剤噴射ノズルと、
   前記ノズル本体の吐出口付近に存在する液体を前記隙間の開口端部を介してバキューム吸引により除去するために、前記ノズルカバーの前記開口部を除く前記隙間の開口端部にほぼ気密に接続されているバキューム手段と
   を有するノズル装置。
2. 前記ノズルカバー内の前記隙間が、前記ノズル本体の前記吐出口の配列方向と平行な両側面に沿って延在する請求項１に記載のノズル装置。
3. 前記ノズル本体の前記吐出口の配列方向と平行な両側面が、前記吐出口側に向かって次第に細くなるようにテーパ状に形成されている請求項１または請求項２に記載のノズル装置。
4. 前記ノズルカバーの前記隙間の開口端部が、前記隙間の最上部位置に設けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載のノズル装置。
5. 前記溶剤噴射ノズルが、前記ノズル本体の吐出口と１対１の対応関係で配置される請求項１〜４のいずれか一項に記載のノズル装置。
6. 各隣接する２つの前記ノズル本体の吐出口にそれぞれ対応する２つの前記溶剤噴射ノズルが、前記ノズル本体の吐出口列に対して両側に分かれて配置される請求項５に記載のノズル装置。
7. 前記溶剤噴射ノズルより噴射される溶剤の向きを可変制御するために前記バキューム手段のバキューム吸引力を可変制御する請求項１〜６のいずれか一項に記載のノズル装置。
8. 前記ノズル本体における処理液の吐出を止めた後に第１の時間だけ前記溶剤噴射ノズルより溶剤を噴射させると同時に前記バキューム手段に前記バキューム吸引を行わせ、前記溶剤噴射ノズルの溶剤噴射を止めた後に第２の時間だけ前記バキューム手段のバキューム吸引を継続させる請求項１〜７のいずれか一項に記載のノズル装置。
9. 被処理基板上に処理液を塗布するための塗布装置であって、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載のノズル装置と、
   前記ノズル装置のノズル本体に処理液を供給するための処理液供給手段と、
   前記ノズル装置の溶剤噴射ノズルに溶剤を供給するための溶剤供給手段と、
   前記ノズル装置のバキューム手段にバキュームを供給するためのバキューム供給手段と、
   被処理基板をほぼ水平に保持するための保持手段と、
   前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記基板に対して相対的に前記ノズル装置を水平方向で走査する走査手段と
   を有する塗布装置。
10. 前記走査中に前記ノズル装置において処理液吐出動作を間欠的に中断させ、その中断時間の間に前記ノズル装置において第１の時間だけ前記溶剤噴射ノズルより溶剤を噴射させると同時に前記バキューム手段に前記バキューム吸引を行わせ、前記溶剤噴射ノズルの溶剤噴射を止めた後に第２の時間だけ前記バキューム手段のバキューム吸引を継続させる請求項９に記載の塗布装置。
11. 被処理基板上に処理液を塗布するための塗布装置であって、
    請求項１〜８のいずれか一項に記載のノズル装置と、
    前記ノズル装置のノズル本体に処理液を供給するための処理液供給手段と、
    前記ノズル装置の溶剤噴射ノズルに溶剤を供給するための溶剤供給手段と、
    前記ノズル装置のバキューム手段にバキュームを供給するためのバキューム供給手段と、
    被処理基板をほぼ水平に保持するための保持手段と、
    前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記基板をスピン回転させる回転手段と
    を有する塗布装置。
12. ノズル装置を用いて被処理基板上に処理液を塗布するための塗布方法であって、
    ほぼ水平に保持されている前記基板に対して、前記ノズル装置の吐出口より処理液を吐出させ、かつ前記ノズル装置を相対的に水平方向に走査する第１の工程と、
    前記ノズル装置が処理液の吐出を中断した合間または終了した後に、前記ノズル装置内で、少なくとも前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けるとともにバキューム吸引によって前記吐出口付近から液を取り除く第２の工程と
    を有する塗布方法。
13. ノズル装置を用いて被処理基板上に処理液を塗布するための塗布方法であって、
    ほぼ水平に保持されている前記基板に対して、前記ノズル装置の吐出口より処理液を吐出させて、前記基板上に処理液を供給する第１の工程と、
    前記ノズル装置が処理液の吐出を中断した合間または終了した後に、前記ノズル装置内で、少なくとも前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けるとともにバキューム吸引によって前記吐出口付近から液を取り除く第２の工程と、
    前記ノズル装置が前記基板に対する処理液の供給を終了した後に、前記基板をスピン回転させる第３の工程と
    を有する塗布方法。
14. 前記第２の工程では、第１の時間だけ前記吐出口付近の部分に溶剤を吹き付けると同時に前記バキューム吸引を行い、前記溶剤の吹き付けを止めた後に第２の時間だけ前記バキューム吸引を継続させる請求項１２または請求項１３に記載の塗布方法。

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