JP3114084B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、角形状の被処理基板
に塗布液を塗布する処理方法及び処理装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。

【０００３】例えば、被処理基板である矩形状のＬＣＤ
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置
にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト
すなわち感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジス
トを加熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施した
後、露光装置にて所定のパターンを露光する。そして、
露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布して現
像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理
を完了する。

【０００４】上記のような処理を行う場合、ＬＣＤ基板
等の被処理基板の表面にスピンコーティング法やスプレ
ー法等によってレジスト液を塗布する処理が行われる
が、この塗布処理の際、塗布直後における膜厚は均一で
あるが、回転が停止して遠心力が働かなくなった後や時
間が経つに従い表面張力の影響でＬＣＤ基板周縁部でレ
ジスト液が盛り上がるように厚くなり、また、レジスト
液がＬＣＤ基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜
が形成される現象が発生する。このようにＬＣＤ基板の
周縁部に不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路
パターン等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除
去されずに残存することになり、その後のＬＣＤ基板の
搬送工程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティ
クル発生の原因となる。

【０００５】そこで、従来では、ＬＣＤ基板の表面にレ
ジスト液等を塗布した後、ＬＣＤ基板の周縁部の不要な
塗布膜を除去する処理が行われている。この塗布膜除去
工程によって塗布膜形成工程の後のＬＣＤ基板の周縁部
に溶剤等の除去液を噴射してＬＣＤ基板の周縁部の不要
な塗布膜を除去することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、矩形状
の被処理基板の周縁部の塗布膜を除去するには、被処理
基板の各辺に沿わせて塗布膜除去用の溶剤吐出ノズル等
を相対移動させて塗布膜を除去しなければならないた
め、塗布膜の除去に多くの時間と手間を要するという問
題があった。

【０００７】また、被処理基板が矩形状等の方形状をな
しているため、レジスト液等の塗布液を塗布した後に被
処理基板を高速回転して塗布液を振り切る際に、遠心力
によって被処理基板の周辺から外方へ飛散する塗布液が
回転する被処理基板の角部裏面に再付着することがあ
り、この付着した塗布液が乾燥して、パーティクルの発
生原因となるという問題があった。

【０００８】更に、塗布膜除去機構を塗布・現像処理シ
ステムに組込むことによって塗布・現像処理システムが
大型となるばかりか、処理能力の低下を招くという問題
があった。

【０００９】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板の周縁部の不要な塗布膜を容易に除去
し、製品歩留まりの向上を図ると共に、塗布・現像処理
のスループットの向上を図り、かつ、装置の小型化を図
れるようにした処理方法及び処理装置を提供することを
目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、塗布機構において、角形状
の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布工程と、塗
布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗布機構の側
方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内に
配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、上記縁部除
去機構において、上記塗布により塗布膜が形成された上
記被処理基板の第１の辺の縁部に除去液を噴射して縁部
の塗布膜を除去する第１の除去工程と、上記縁部除去機
構において、上記被処理基板の第２の辺の縁部に除去液
を噴射して縁部の塗布膜を除去する第２の除去工程とを
有することを特徴とするものである。

【００１１】請求項２記載の発明は、塗布機構におい
て、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布
工程と、塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗
布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲
気領域内に配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、
上記縁部除去機構において、上記塗布により塗布膜が形
成された上記被処理基板の４辺の縁部に除去液を噴射し
て縁部の塗布膜を除去する工程とを有することを特徴と
する。

【００１２】請求項３記載の発明は、塗布機構におい
て、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布
工程と、塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗
布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲
気領域内に配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、
上記縁部除去機構において、上記塗布により塗布膜が形
成された上記被処理基板の少なくとも１辺に除去液噴射
ノズルを配置する工程と、上記ノズルを上記被処理基板
の辺に沿って移動させ、上記塗布により塗布膜が形成さ
れた上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部の塗
布膜を除去する工程とを有することを特徴とする。この
場合、上記ノズルは被処理基板の少なくとも１辺に配置
されればその位置は任意でよく、例えばノズルを被処理
基板の隅部に配置してもよい（請求項４）。また、ノズ
ルを、被処理基板の４隅に配置して、被処理基板の各辺
に沿ってそれぞれ移動させるようにしてもよい（請求項
５）。

【００１３】請求項１、２又は３記載の処理方法におい
て、上記塗布膜を除去する工程に補助洗浄工程を具備さ
せ、補助洗浄工程において、被処理基板の角部裏面に向
けて除去液を噴射して被処理体の裏面から塗布膜を除去
するようにしてもよい（請求項６）。また、上記補助洗
浄工程において、被処理基板の裏面に向けて噴射する除
去液の噴射領域を、被処理基板の裏面に付着する塗布膜
に応じて調節可能にするようにしてもよい（請求項
７）。また、上記補助洗浄工程において、被処理基板の
端面に向けて除去液を噴射して被処理基板の端面から塗
布膜を除去するようにしてもよい（請求項８）。この場
合、被処理基板の縁部に付着する塗布膜に応じて、被処
理基板の裏面及び又は端面への除去液の噴射を制御する
ことも可能である（請求項９）。

【００１４】また、上記塗布膜を除去する工程中に、被
処理基板の中心方向から周辺外側に向けてガスを噴射す
るようにしてもよい（請求項１０）。また、上記塗布膜
を除去する前に、被処理基板の縁部に加熱された乾燥用
ガスを噴射して塗布膜を乾燥するようにしてもよく（請
求項１１）、また上記塗布膜を除去した後に、被処理基
板の縁部に加熱された乾燥用ガスを噴射して被処理基板
及び塗布膜を乾燥するようにしてもよい（請求項１
２）。

【００１５】また、少なくとも上記塗布膜を除去する工
程中における被処理基板、除去液、乾燥ガスを、塗布膜
の溶解の最適温度に温調することも可能である（請求項
１３）。

【００１６】請求項１４記載の発明は、角形状の被処理
基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、上記塗布機
構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気内
に配設され、上記塗布により塗布膜が形成された上記被
処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁
部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機構へ上記被
処理基板を搬送する搬送機構と、を具備することを特徴
とする。

【００１７】また、請求項１５記載の発明は、角形状の
被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、上記
塗布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰
囲気内に配設され、上記塗布により塗布膜が形成された
上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除去
する縁部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機構へ
上記被処理基板を搬送する搬送機構とを具備し、上記縁
部除去機構を、上記被処理基板を保持する保持手段と、
被処理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基板の縁
部に除去液を噴射するノズルとで構成してなることを特
徴とする。

【００１８】請求項１６記載の発明は、角形状の被処理
基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、上記塗布に
より塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部に除去液
を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、上記塗布
機構から縁部除去機構へ上記被処理基板を搬送する搬送
機構とを具備し、上記縁部除去機構を、上記被処理基板
を保持する保持手段と、被処理基板の辺に沿って移動す
ると共に被処理基板の縁部に除去液を噴射する表面及び
裏面洗浄ノズルと、上記裏面洗浄ノズルの外方側に延在
して上記被処理基板の角部裏面に除去液を噴射する補助
洗浄ノズルとで構成してなることを特徴とする。

【００１９】また、請求項１７記載の発明は、角形状の
被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、上記
塗布により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部に
除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、上
記塗布機構から縁部除去機構へ上記被処理基板を搬送す
る搬送機構とを具備し、上記縁部除去機構を、上記被処
理基板を保持する保持手段と、被処理基板の辺に沿って
移動すると共に被処理基板の縁部に除去液を噴射するノ
ズルと、上記保持手段の下部側に配設されて上記被処理
基板の裏面に除去液を噴射する補助洗浄ノズルとで構成
してなることを特徴とする。

【００２０】請求項１４ないし１７のいずれかに記載の
処理装置において、上記搬送手段を、塗布機構と縁部除
去機構と同一雰囲気領域内に配設する方が好ましい（請
求項 １８）。

【００２１】請求項１５ないし１８のいずれかに記載の
処理装置において、上記保持手段を水平方向に回転可能
に形成してもよい（請求項１９）。また、請求項１５又
は１７記載の処理装置において、上記ノズルを、被処理
基板の縁部両面に除去液を噴射するノズルにて形成する
方が好ましい（請求項２０）。また、請求項１６又は１
７記載の処理装置において、上記補助洗浄ノズルを、被
処理基板の角部裏面に除去液を噴射するノズルにて形成
する方が好ましい（請求項２１）。

【００２２】また、請求項１５ないし１８のいずれかに
記載の処理装置において、上記被処理基板の縁部両面に
除去液を噴射する縁部除去機構のノズルを少なくとも２
個設け、かつ各ノズルの噴口から噴射された除去液がノ
ズル近傍で互いに干渉しない位置に設ける方が好ましい
（請求項２２）。また、上記縁部除去機構に、被処理体
の縁部を覆う除去部を設け、この除去部に排気口を設け
てもよい（請求項２３）。この場合、上記除去部を断面
略コ字状の噴頭にて形成し、この噴頭の上部水平片と下
部水平片にそれぞれノズルを設け、かつ噴頭の垂直部に
排気口を設けると共に、この排気口に、排気装置と接続
する排気管を接続してもよい（請求項２４）。

【００２３】また、上記ノズルのうちの被処理基板の上
面に除去液を噴射するノズルの噴口を、上記被処理基板
の内方から外方側に向けて傾斜状に折曲するようにして
もよい（請求項２５）。また、上記縁部除去機構のノズ
ルを、断面略コ字状の噴頭本体の上部水平片と下部水平
片に設けられる表面洗浄ノズル及び裏面洗浄ノズルと、
上記噴頭本体の側面に連なりかつ噴頭本体より外方側へ
突出する断面略コ字状の補助噴頭の下部水平片に設けら
れる補助洗浄ノズルとで構成し、かつ、上記補助噴頭に
おける上記補助洗浄ノズルの上方に除去液を受け止める
上部水平片を設けるようにしてもよい（請求項２６）。

【００２４】また、請求項１５ないし１８のいずれかに
記載の処理装置において、上記縁部除去機構のノズル
を、被処理基板の対向する２辺に位置調整可能に配設し
てもよい（請求項２７）。この場合、上記被処理基板の
辺に沿って移動する縁部除去機構のノズルを、その移動
方向に複数適宜間隔を開けて設けることも可能である
（請求項２８）。また、上記縁部除去機構のノズルを、
被処理基板の縁部の塗布膜除去位置と、待機位置とに切
換え移動可能に形成してもよい（請求項２９）。また、
上記被処理基板の端面に向けて除去液を噴射する端面洗
浄ノズルを更に設けてもよい（請求項３０）。更に、上
記被処理基板の縁部に乾燥用ガスを噴射するガス噴射ノ
ズルを更に設けてもよい（請求項３１）。

【００２５】また、上記補助洗浄ノズルと除去液供給源
とを供給管路を介して接続すると共に、除去液供給源に
除去液搬送用ガスの供給源を接続し、かつ上記ガス供給
源と上記供給管路及び除去液供給源とを、三方切換弁を
介設した分岐管路を介して接続するようにしてもよい
（請求項３２）。

【００２６】また、上記塗布機構の上方に、空気供給機
構を具備するようにしてもよい（請求項３１）。また、
上記塗布機構を具備する塗布処理装置と縁部除去機構を
具備する塗布膜除去装置をそれぞれ積層構造とすること
も可能である（請求項３４）。

【００２７】また、請求項１４ないし１８のいずれかに
記載の処理装置において、上記塗布機構、縁部除去機構
及び搬送機構を具備する第１処理部と、この第１処理部
で処理された被処理基板に別の処理を施す第２処理部
と、上記第１処理部及び第２処理部との間に配設されて
被処理基板の受渡しをする中継部とを具備し、上記中継
部を第１処理部と第２処理部との間から引出し可能に形
成するようにしてもよい（請求項３５）。

【００２８】また、請求項１５ないし１８のいずれかに
記載の処理装置において、上記被処理基板の中心方向か
ら周辺方向に向けてガスを噴射するガス噴射ノズルを更
に設けるようにしてもよい（請求項３６）。

【００２９】

【作用】請求項１記載の発明によれば、塗布機構におい
て、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布した後、
塗布膜が形成された被処理基板を、塗布機構の側方に隣
接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内に配設さ
れる縁部除去機構へ搬送し、縁部除去機構において、上
記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の第１，第
２の２辺の縁部に同時に除去液を噴射して縁部の塗布膜
を除去することができる。

【００３０】請求項２記載の発明によれば、塗布機構に
おいて、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布した
後、塗布膜が形成された被処理基板を、塗布機構の側方
に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内に配
設される縁部除去機構へ搬送し、縁部除去機構におい
て、上記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の４
辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去するこ
とができる。

【００３１】請求項３記載の発明によれば、塗布機構に
おいて、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布した
後、塗布膜が形成された被処理基板を、塗布機構の側方
に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内に配
設される縁部除去機構へ搬送し、縁部除去機構におい
て、上記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の少
なくとも１辺に除去液噴射ノズルを配置し、かつ上記ノ
ズルを被処理基板の辺に沿って移動させると共に、除去
液を噴射して縁部の塗布膜を除去することができる。

【００３２】また、請求項１４記載の発明によれば、角
形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構
と、上記塗布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構
と同一雰囲気内に配設され、上記塗布により塗布膜が形
成された被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を
除去する縁部除去機構と、塗布機構から縁部除去機構へ
被処理基板を搬送する搬送機構とを具備することによ
り、装置を小型にすることができ、塗布処理後に速やか
に被処理基板の端部の不要な塗布膜の除去処理を行うこ
とができる。

【００３３】また、請求項１５記載の発明によれば、縁
部除去機構を、被処理基板を保持する保持手段と、被処
理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基板の縁部に
除去液を噴射するノズルとで構成することにより、保持
手段によって保持された被処理基板の縁部の塗布膜を除
去することができる。

【００３４】また、請求項１６又は１７記載の発明によ
れば、縁部除去機構に、被処理基板の裏面に除去液を噴
射する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処理基板
の角部裏面に付着した塗布膜を除去することができる。

【００３５】また、被処理基板の縁部両面に除去液を噴
射すべくノズルを少なくとも２個設け、かつ噴口から噴
射された除去液がノズル近傍で互いに干渉しない位置に
設けることにより、各ノズルから噴射される除去液の衝
突を防止することができ、衝突によって飛散される除去
液が被処理基板の表面部の塗布膜に付着して悪影響を及
ぼすのを防止することができる（請求項２２，２６）。

【００３６】また、被処理基板の端面に向けて除去液を
噴射する端面洗浄ノズルを更に設けることにより、被処
理基板の縁部に付着した塗布膜を更に確実に除去するこ
とができる（請求項９，３０）。

【００３７】また、塗布膜を除去する際に、被処理基板
の中心方向から周辺外側に向けてガスを噴射することに
より、洗浄ノズルから噴射された除去液や発生した気泡
等の被処理基板への再付着を防止することができる（請
求項１０，３６）。この場合、ガスに乾燥用ガスを用い
ることもでき（請求項３０）、更には乾燥用ガスを加熱
することもでき、この加熱された乾燥用ガスを塗布膜を
除去する前に噴射することで、溶解除去後の塗布膜の縁
部での盛り上がりの発生を抑制することができ（請求項
１１）、また塗布膜を除去した後に噴射することで、被
処理基板及び塗布膜を乾燥することができる（請求項１
２）。

【００３８】また、塗布機構の上方に、空気供給機構を
具備することにより、清浄空気が導入される雰囲気下で
塗布膜除去を行なうことができる（請求項３３）。ま
た、塗布機構を具備する塗布処理装置と縁部除去機構を
具備する塗布膜除去装置をそれぞれ積層構造とするで装
置の小型化が図れる（請求項３４）。

【００３９】また、塗布機構、縁部除去機構及び搬送機
構を具備する第１処理部と、この第１処理部で処理され
た被処理基板に別の処理を施す第２処理部と、第１処理
部及び第２処理部との間に配設されて被処理基板の受渡
しをする中継部とを具備し、中継部を第１処理部と第２
処理部との間から引出し可能に形成することにより、保
守点検を容易にすることができる（請求項３５）。

【００４０】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を、ＬＣＤ
基板のレジスト塗布装置に適用した場合について説明す
る。

【００４１】この発明の処理装置は、図１に示すよう
に、角形状の被処理基板例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇ
（以下に基板という）の表面に塗布液供給ノズル１ａか
ら塗布液例えばレジスト液を供給してレジスト液を塗布
する塗布機構１と、基板Ｇの周縁部に塗布形成された不
要な塗布膜を除去する縁部除去機構２とを隣接して例え
ば一体的に同一雰囲気内に配設し、塗布機構１によって
塗布された基板Ｇを縁部除去機構２に搬送する搬送機構
３を具備してなる。

【００４２】上記塗布機構１は、図２及び図３に示すよ
うに、基板Ｇを図示しない真空装置によって吸着保持す
ると共に水平方向（θ方向）に回転するスピンチャック
１０と、このスピンチャック１０の上部及び外周部を包
囲する処理室２０を有する上方部が開口した有低開口円
筒状の回転カップ１２と、回転カップ１２の開口部１２
ａを開閉可能に被着（着脱）される蓋体１６と、回転カ
ップ１２の外周側を取囲むように配置される中空リング
状のドレンカップ１４とで主要部が構成されている。

【００４３】上記スピンチャック１０は下方に配置した
駆動モータ２１の駆動によって回転される回転軸２２を
介して水平方向に回転（自転）可能になっており、また
回転軸２２に連結される昇降シリンダ２３の駆動によっ
て上下方向に移動し得るようになっている。この場合、
回転軸２２は、固定カラー２４の内周面にベアリング２
５ａを介して回転可能に装着される回転内筒２６ａの内
周面に嵌着されるスプライン軸受２７に摺動可能に連結
されている。スプライン軸受２７には従動プーリ２８ａ
が装着されており、従動プーリ２８ａには駆動モータ２
１の駆動軸２１ａに装着された駆動プーリ２１ｂとの間
にベルト２９ａが掛け渡されている。したがって、駆動
モータ２１の駆動によってベルト２９ａを介して回転軸
２２が回転してスピンチャック１０が回転される。ま
た、回転軸２２の下部側は図示しない筒体内に配設され
ており、筒体内において回転軸２２はバキュームシール
部３０を介して昇降シリンダ２３に連結され、昇降シリ
ンダ２３の駆動によって回転軸２２が上下方向に移動し
得るようになっている。

【００４４】上記回転カップ１２は、上記固定カラー２
４の外周面にベアリング２５ｂを介して装着される回転
外筒２６ｂの上端部に固定される連結筒３１を介して取
付けられており、回転カップ１２の底部１２ｂとスピン
チャック１０の下面との間には、シール機能を有するベ
アリング３２が介在されてスピンチャック１０と相対的
に回転可能になっている。そして、回転外筒２６ｂに装
着される従動プーリ２８ｂと上記駆動モータ２１に装着
される駆動プーリ２１ｂに掛け渡されるベルト２９ｂに
よって駆動モータ２１からの駆動が回転カップ１２に伝
達されて回転カップ１２が回転される。この場合、従動
プーリ２８ｂの直径は上記回転軸２２に装着された従動
プーリ２８ａの直径と同一に形成され、同一の駆動モー
タ２１にベルト２９ａ，２９ｂが掛け渡されているの
で、回転カップ１２とスピンチャック１０は同一回転す
る。なお、固定カラー２４と回転内筒２６ａ及び回転外
筒２６ｂとの対向面にはラビリンスシール部３３が形成
されて回転処理時に下部の駆動系から回転カップ１２内
にごみが進入するのを防止している（図４参照）。な
お、上記従動プーリ２８ａと２８ｂの直径を異ならせ、
異なる回転数で回転させるようにしてもよい。

【００４５】また、回転カップ１２は、側壁１２ｃが上
側に向って縮径されたテーパ面１２ｅを形成してなり、
この側壁１２ｃの上端から内方側に向って内向きフラン
ジ１２ｄが形成されている。そして、回転カップ１２の
上部周辺部すなわち内向きフランジ１２ｄには周方向に
適宜間隔をおいて給気孔３４が穿設され、下部周辺部す
なわち側壁１２ｃの下部側の周方向の適宜位置には排気
孔３５が穿設されている。このように給気孔３４と排気
孔３５を設けることにより、回転カップ１２が回転する
際に、給気孔３４から処理室２０内に流れる空気が排気
孔３５から外部に流れるので、回転カップ１２の回転時
に処理室２０内が必要以上に負圧になるのを防止するこ
とができ、また、処理後に回転カップ１２から蓋体１６
を開放する際に大きな力を要することなく，蓋体１６を
容易に開放することができる。

【００４６】なお、この実施例では給気孔３４を回転カ
ップ１２の周辺部に設けた場合について説明したが、給
気孔３４を回転カップ１２の中心部すなわち蓋体１６の
中心部に設けてもよい。例えば、図２に示すように、膨
隆頭部１８の下端部の周囲に、開口面積の総和が給気孔
３４の総和に等しくなるように、給気孔３４Ａを複数個
設ける。また、蓋体１６と基板Ｇとの中間位置に、中心
部分で蓋体１６に取着された基板Ｇ以上の大きさの板状
体３４Ｂを配置する。そして、給気孔３４Ａから流入し
た空気が板状体３４Ｂの上方を外周方向に向って流れ、
基板Ｇの周辺を通って排気孔３５から排気されるように
構成してもよい。

【００４７】一方、上記ドレンカップ１４内部には環状
通路１４ａが設けられており、この環状通路１４ａの外
周壁の適宜箇所（例えば周方向の４箇所）には図示しな
い排気装置に接続する排気口３６が設けられると共に、
ドレンカップ１４の内周側上方部に排気口３６と連通す
る放射状の排気通路３７が形成されている（図２及び図
３参照）。このようにドレンカップ１４の外周部に排気
口３６を設けると共に、ドレンカップ１４の内周側上方
部に排気口３６と連通する排気通路３７を形成すること
により、回転処理時に処理室２０内で遠心力により飛散
し排気孔３５を通ってドレンカップ１４内に流れ込んだ
ミストが回転カップ１２の上部側へ舞い上がるのを防止
して、排気口３６から外部に排出することができる。

【００４８】上記環状通路１４ａは、ドレンカップ１４
の底部から起立する外側壁１４ｂとドレンカップ１４の
天井部から垂下する内側壁１４ｃとで迂回状に区画され
て、排気が均一に行えるようになっており、外側壁１４
ｂと内側壁１４ｃとの間に位置する底部１４ｄには周方
向に適宜間隔をおいてドレン孔１４ｅが設けられてい
る。このドレン孔１４ｅを有するドレン管１４ｆは、図
３に示すように、ドレンカップ１４を支持する支柱３８
に取付けられたブラケット３８ａに装着されるジョイン
ト３８ｂに対して挿脱可能に係合されて排液管１４ｇと
連結されており、ドレンカップ１４の清掃、補修時に、
ドレンカップ１４が簡単にジョイント３８ｂ部分から取
外せるようになっている。

【００４９】また、ドレンカップ１４の内周面には、上
記回転カップ１２のテーパ面１２ｅに近接すべく上側に
向って縮径されたテーパ面１４ｈが形成されて、回転カ
ップ１２のテーパ面１２ｅとドレンカップ１４のテーパ
面１４ｈとの間に微小間隙Ｓが形成されている。このよ
うに下方に向って拡開するテーパ状の微小間隙Ｓを形成
することによって、回転カップ１２の回転時に回転カッ
プ１２とドレンカップ１４との間の上記微小間隙Ｓの上
下の間で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力
差が回転カップ１２の外周部の微小間隙Ｓの上側から下
側に向う気流を助長させてドレンカップ１４内の排気ミ
ストが上記微小間隙Ｓを通って回転カップ１２外へ飛散
するのを防止することができる。

【００５０】また、微小間隙Ｓを通って上方に向い回転
カップ１２外へ飛散しおうとするミストがあっても、排
気通路３７により吸引されてドレンカップ１４内に向い
排気口３６から排出される。

【００５１】上記蓋体１６は回転処理時には回転カップ
１２の開口部１２ａに固定されて一体に回転される必要
があるので、例えば回転カップ１２の上部に突出する固
定ピン（図示せず）と、この固定ピンに嵌合する嵌合凹
所（図示せず）とを互いに嵌合させて蓋体１６を回転カ
ップ１２に固定することができる。

【００５２】上記蓋体１６を開閉する場合には、図２に
想像線で示すように、蓋体１６の上面に突設された膨隆
頭部１８の下にロボットアーム４０を挿入し、膨隆頭部
１８に設けられた係止溝１８ａにロボットアーム４０か
ら突出する係止ピン４１を係合させた後、ロボットアー
ム４０を上下動させることによって行うことができる。
なお、蓋体１６を開放するときの膨隆頭部１８の係止溝
１８ａとロボットアーム４０の係止ピン４１との位置合
せ、及び蓋体１６を閉じるときの固定ピンと嵌合凹所の
位置合せは、サーボモータ等にて形成される駆動モータ
２１の回転角を制御することによって行うことができ
る。

【００５３】上記のように構成される処理室２０内に搬
入される基板Ｇの表面にレジスト液を塗布する場合、排
気孔３５を設けないと、基板Ｇから振り切られたレジス
ト液が処理室２０内の周辺部に滞留し、処理室２０内の
周辺部のレジスト雰囲気が濃厚となり、乾燥が鈍くな
り、レジストの膜厚が不均一になる虞れがある。また、
回転カップ１２の回転速度や処理室２０内と基板Ｇとの
隙間、回転カップ１２とドレンカップ１４との間隙等の
寸法によって塗布膜の膜厚が影響を受けるので、この点
を考慮する必要がある。そのため、この実施例では、回
転カップの回転速度を５００〜２０００ｒｐｍとし、回
転カップ１２の周囲に設けられる排気孔３５を直径４ｍ
ｍのものを周方向に２４個設けて乾燥及びカップ内雰囲
気の置換の促進を図り、また、回転カップ１２の空間の
深さすなわち処理室２０の高さＨを１０〜５０ｍｍ、回
転カップ１２の底面と基板Ｇとの間隔Ａを２〜１０ｍ
ｍ、回転カップ１２の内周面と基板Ｇの周辺との間隔Ｂ
を３０〜５０ｍｍ、回転カップ１２とドレンカップ１４
との間隙Ｓを１〜１０ｍｍとしている。

【００５４】なお、回転カップ１２の下部側の回転せず
固定された連結筒３１内にカップ洗浄ノズル４２を配設
することにより、回転カップ１２及び蓋体１６の内面を
洗浄することができる。すなわち、回転軸２２に取付け
られたブラケット４３にてカップ洗浄ノズル４２を保持
し、カップ洗浄ノズル４２に接続する洗浄液供給管４４
を固定カラー２４内に設けた通路（図示せず）を介して
外部の図示しない洗浄液供給源に接続することによっ
て、図４に想像線で示すように、スピンチャック１０を
上昇させてスピンチャック１０と回転カップ１２の底部
との間からカップ洗浄ノズル４２を臨ませて洗浄液を回
転する回転カップ１２及び蓋体１６の内面に噴射するこ
とができる。

【００５５】上記縁部除去機構２は、図１及び図５に示
すように、図示しない真空装置によって基板Ｇを吸着保
持すると共に水平方向に９０度以上回転可能な保持手段
である載置台５０と、この載置台５０によって保持され
る基板Ｇの対向する２辺の縁部の上下面にレジストの除
去液例えばレジストの溶剤を噴射する一対の除去ノズル
５１とで主要部が構成されている。

【００５６】上記載置台５０は、図示しないモータ等の
回転機構と昇降シリンダやボールネジ等の昇降機構を具
備する駆動装置５２によって水平方向に９０度以上回転
すると共に、昇降可能に構成されている。このように構
成される載置台５０は、昇降によって基板Ｇの受渡し位
置及び塗布膜の除去処理位置と、待機位置とに切換えら
れ、水平方向に９０度回転することによって基板Ｇの２
組の対向する２辺を除去ノズル５１側に切換え移動する
ことができる。

【００５７】上記除去ノズル５１は、図６及び図７に示
すように、基板Ｇの縁部の上下両面を覆う断面略コ字状
の噴頭５３（除去部）の上部水平片５３ａと下部水平片
５３ｂにそれぞれ設けられた表面のレジスト除去用の溶
剤供給路５３ｃと裏面のレジスト除去用の溶剤供給路５
３ｄに接続する針状の表面洗浄用のノズル５１ａと裏面
洗浄用のノズル５１ｂにて形成されている。この場合、
ノズル５１ａは噴口を下方に向けて垂下され、ノズル５
１ｂは噴口を上部に向けて垂設され、そして、ノズル５
１ａの噴口とノズル５１ｂの噴口は噴射された除去液が
各ノズルの近傍で互いに干渉しない位置にずらして配設
されている。このようにノズル５１ａの噴口とノズル５
１ｂの噴口をずらして設ける理由は、ノズル５１ａ，５
１ｂから噴射される溶剤がノズル近傍で衝突すると、こ
の衝突によって飛散される溶剤が基板Ｇの表面部のレジ
スト膜に付着してレジスト膜の膜厚を不均一にするなど
の悪影響を及ぼすのを防止するためである。

【００５８】なお、除去ノズル５１の噴頭５３内部のノ
ズル側の垂直部５３ｅには排気口５３ｆが設けられ、こ
の排気口５３ｆに図示しない排気装置に接続する排気管
５４が接続されており、除去ノズル５１から噴射されて
レジスト膜の除去に供された溶剤が排気管５４を介して
外部に排出されるようになっている。

【００５９】上記実施例では、ノズル５１ａを直状に垂
下した場合について説明したが、必ずしもこのような形
状とする必要はなく、図６に想像線で示すように、ノズ
ル５１ａの噴口を基板Ｇの内方から外方側に向けて傾斜
状に折曲してもよい。このように折曲させることによ
り、ノズル５１ａから噴射された除去液は基板Ｇの周辺
方向に向うので、中心側のレジスト膜に付着するのを防
止することもできる。また、同様にノズル５１ｂの噴口
を基板Ｇの内方から外方側に向けて傾斜状に折曲しても
よい。

【００６０】また、上記のように構成される一対の除去
ノズル５１は、位置調整機構５５によって基板Ｇの対向
する第１の辺例えば長辺側及び第２の辺例えば短辺側の
２辺に位置調整可能に配設され、上下移動機構５６によ
って基板Ｇの縁部のレジスト膜除去位置と待機位置とに
上下（切換え）移動されると共に、左右移動機構５７に
よって基板Ｇの縁部に沿って移動し得るように構成され
ている。この場合、除去ノズル５１を移動方向に複数対
適宜間隔を開けて設けることも可能であり、更に除去性
能の向上を図ることができる。

【００６１】この場合、上記位置調整機構５５は、対向
する一方の除去ノズル５１の噴頭に取付部材５８ａを介
して連結するシリンダ体５９ａと、このシリンダ体５９
ａに摺動自在に装着され、他方の除去ノズル５１の噴頭
５３に取付部材５８ｂを介して連結される伸縮ロッド５
９ｂとからなるエアーシリンダ５９と、このエアーシリ
ンダ５９の伸縮ロッド５９ｂが伸長した際に両取付部材
５８ａ，５８ｂが衝突して除去ノズル５１の基板Ｇ長辺
側の除去位置を位置決めする外側ストッパ６０ａと、エ
アーシリンダ５９の伸縮ロッド５９ｂが収縮した際に両
取付部材５８ａ，５８ｂが衝突して除去ノズル５１の基
板Ｇ短辺側の除去位置を位置決めする内側ストッパ６０
ｂとで構成されている。なお、両除去ノズル５１はエア
ーシリンダ５９のシリンダ体５９ａを取付ける支持部材
６１によって支持されている。

【００６２】また、上下移動機構５６は、支持部材６１
の一端の下面側に取付けられ、後述する水平方向（Ｙ方
向）に移動可能な走行板６２に設けられた昇降用ガイド
レール６３に沿って昇降可能な昇降部材６４と、この昇
降部材６４に取付けられるシリンダ体６５ａと、このシ
リンダ体６５ａに摺動可能に装着され、走行板６２に取
付けられる伸縮ロッド６５ｂとで構成されている。ま
た、ベース板６６から起立された起立壁６７の側面に水
平に配設された互いに平行な上下２本の走行用ガイドレ
ール６８に上記走行板６２を走行可能に取付け、起立壁
６７に装着されたプーリ６９と図示しない駆動モータの
駆動軸に装着される駆動プーリ（図示せず）に掛け渡さ
れるタイミングベルト６９ａを走行板６２に締結して上
記左右移動機構５７が構成されている。

【００６３】また、載置台５０の下部には、基板Ｇの角
部裏面に付着するレジスト膜を除去するための補助洗浄
ノズル５１Ａが配設されている（図５参照）。この補助
洗浄ノズル５１Ａは、図８に示すように、載置台５０の
対角線位置に１個ずつ支持部材４ａによって噴射方向が
調節可能に取付けられており、この補助洗浄ノズル５１
Ａと溶剤としてのシンナーＴを収容するタンク４ｂが溶
剤供給チューブ４ｃを介して接続されている。なお、補
助洗浄ノズル５１Ａから基板Ｇの角部裏面に付着したレ
ジスト膜を除去するには、例えば窒素（Ｎ₂）ガス供給
源４ｄからタンク４ｂ内に圧送用ガスを供給すると共
に、溶剤供給チューブ４ｃに介設されたバルブ４ｅを開
放して、補助洗浄ノズル５１ＡからシンナーＴを基板Ｇ
の角部裏面に向って噴射する。なおこの場合、図８に想
像線で示すように、溶剤供給チューブ４ｃとタンク４ｂ
とＮ₂ガス供給源４ｄとを分岐管路４ｇを介して接続
し、分岐管路４ｇに三方切換弁４ｆを介設することによ
り、補助洗浄ノズル５１Ａから溶剤を噴射して基板Ｇの
角部裏面に付着するレジスト膜を除去した後、三方切換
弁４ｆを切り換えて補助洗浄ノズル５１ＡからＮ₂ガス
を噴射（供給）して角部裏面の乾燥を促進させることが
できる。

【００６４】この場合、基板Ｇが矩形状（例えば長方
形）のときは、図９（ａ）に示すように、スピンチャッ
ク１０の回転によって基板Ｇの表面に塗布されたレジス
ト液を振り切る際、遠心力によって基板Ｇの長辺側に付
着したレジスト液は外方に飛散されるが、基板Ｇの短辺
側に付着したレジスト液は基板Ｇの辺部から外方に飛散
された後、隣接する角部に衝突して、基板Ｇの対角位置
の角部裏面に再付着する。この付着量は基板Ｇの回転速
度が速い程、また基板Ｇの寸法が大きい程、短辺と長辺
の比率が大きい程、また、塗布されたレジスト液の量が
多い程多くなる。したがって、レジスト液が付着する基
板Ｇの対角位置の角部に対応する載置台５０の対角位置
の下部側に補助洗浄ノズル５１Ａを配設しておけば、補
助洗浄ノズル５１Ａから噴射されるシンナーによって基
板Ｇの角部裏面に付着したレジスト膜を容易に除去する
ことができる。

【００６５】なお、基板Ｇの形状が正方形の場合には、
長方形の場合と比較して、もともと再付着量は減少する
が、図９（ｂ）に示すように、スピンチャック１０の回
転によって基板Ｇの表面に塗布されたレジスト液を振り
切る際、基板Ｇの各辺部から飛散されるレジスト液が隣
接する各角部裏面に再付着するので、載置台５０の各角
部下部側にそれぞれ補助洗浄ノズル５１Ａを合計４個配
設しておけばよい。

【００６６】上記補助洗浄ノズル５１Ａを設ける代わり
に、上述した除去ノズル５１を改良した構造のものを用
いることもできる。すなわち、図１０（ａ）に示すよう
に、除去ノズル５１の噴頭５３の下部水平片５３ａを外
方に延長させ、そして、裏面洗浄ノズル５１ｂの外側に
適宜間隔をおいて針状の第１ないし第４の補助洗浄ノズ
ル５１ｃ，５１ｄ，５１ｅ，５１ｆを起立状に延在させ
て、除去ノズル５１が基板Ｇの角部に位置したときに、
表面洗浄ノズル５１ａ及び裏面洗浄ノズル５１ｂと第１
ないし第４の補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから溶剤例
えばシンナーを噴射して基板Ｇの角部の表裏面に付着し
たレジスト膜を除去する。除去ノズル５１が基板Ｇの各
辺の中央部を移動するときは、第１ないし第４の補助ノ
ズル５１ｃ〜５１ｆからのシンナーの噴射を停止して、
ノズル５１ａと５１ｂからのみシンナーを噴射して基板
Ｇの縁部両面に付着するレジスト膜を除去する。

【００６７】なお、裏面洗浄ノズル５１ｂの溶剤供給路
５３ｂとは別に補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆの溶剤供
給路５３ｃが設けられている。また、溶剤供給路５３ｃ
の各補助洗浄ノズル間にそれぞれバルブ（図示せず）を
介設して、補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆを順次開放あ
るいは閉鎖させて補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから噴
射される溶剤を徐々に増加あるいは減少させることもで
きる。

【００６８】上記のように構成される補助洗浄ノズル５
１ｃ〜５１ｆは裏面洗浄ノズル５１ｂの外方側（基板Ｇ
側）に配設されていれば、その配設位置は任意でよい
が、補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから噴射された溶剤
が噴水状に噴射されて周囲に飛散する虞れがあるので、
図１１に示すように、上記噴頭５３を、表面洗浄ノズル
５１ａと裏面洗浄ノズル５１ｂを配設した断面略コ字状
の噴頭本体５３Ａと、この噴頭本体５３Ａの側面に連な
りかつ噴頭本体５３Ａより外方側へ突出する断面略コ字
状の補助噴頭５３Ｂとで構成し、補助噴頭５３Ｂの下部
水平片５３ｇに補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆを配設し
て、補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから噴射された溶剤
を補助噴頭５３Ｂの上部水平片５３ｈで受け止めるよう
にする方が好ましい。なお、補助噴頭５３Ｂの上部及び
下部水平片５３ｇ，５３ｈの対向面を断面円弧状面とす
ることにより、噴射された溶剤の周囲の飛散を更に確実
に防止することができる。

【００６９】一方、上記搬送機構３は、図１２に示すよ
うに、基板Ｇの対向する２辺の周辺部下面を係止する一
対の搬送アーム７０を具備し、これら搬送アーム７０
は、リニアガイド７１によってガイドされ、タンミング
ベルト７２、プーリ７３、シャフト７４によって伝達さ
れるアーム駆動モータ７５の駆動力によって図示矢印Ｘ
方向に移動可能に構成されている。この場合、搬送アー
ム７０とタイミングベルト７２とは、締結部材７６によ
って締結されている。また、アーム駆動モータ７５は、
中央演算処理装置（ＣＰＵ）等にて形成された制御装置
７７によって制御され、所望により搬送方向に往復運動
を繰り返して、所定時間基板Ｇの塗布処理、塗布膜除去
処理を実施することができるように構成されている。

【００７０】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置を用いて基板Ｇ上へのレジスト塗布及び辺部の
不要なレジスト膜の除去手順について図１３を参照して
説明する。

【００７１】まず、塗布機構１のスピンチャック１０上
に搬送されてきた基板Ｇをスピンチャック１０にて吸着
保持する。そして、基板Ｇの表面に塗布液供給ノズルか
らレジスト液を滴下した後、回転カップ１２の蓋体１６
を閉じてスピンチャック１０と回転カップ１２を同時に
回転して基板Ｇ表面にレジスト液を塗布する（図１３
（ａ）参照）。次に、搬送機構３の搬送アーム７０によ
って基板Ｇを縁部除去機構２の載置台５０上に搬送し、
載置台５０にて基板を吸着保持する（図１３（ｂ）参
照）。基板Ｇを搬送した搬送機構３の搬送アーム７０は
待機位置へ後退した後、縁部除去機構２の除去ノズル５
１が基板Ｇの長辺側の両縁部にセットされ、長辺に沿っ
て移動しながら除去液例えばレジスト溶剤（例：シンナ
ー）を基板Ｇの縁部両面に噴射して基板Ｇの長辺の不要
なレジスト膜を端部から幅約５ｍｍ程度、溶解して除去
する（第１の除去工程；図１３（ｃ）参照）。この際、
塗布機構１に次の基板Ｇを搬入して塗布処理を行う。基
板Ｇの長辺の不要なレジスト膜を除去した後、載置台５
０を例えば時計回りに９０度回転させて基板Ｇの短辺側
を除去ノズル５１側に位置させる。なお、９０度回転の
他に、２７０度，４５０度，…，また、反時計回りに、
回転させてもよい。このとき、位置調整機構５５のエア
ーシリンダ５９を伸長して除去ノズル５１を基板Ｇの短
辺側にセットする（図１３（ｄ）参照）。そして、除去
ノズル５１を基板Ｇの短辺に沿って移動しながら溶剤を
基板Ｇの短辺の縁部両面に噴射して基板Ｇの短辺の不要
なレジスト膜を除去して、基板Ｇのレジスト塗布及び短
辺の不要なレジスト膜の除去作業は完了する（第２の除
去工程；図１３（ｅ）参照）。この後、基板Ｇを搬出
し、次の工程へ搬送する。上記のように、レジスト膜を
塗布形成後、直ちに基板Ｇを搬送して周縁部レジストを
除去できる。

【００７２】なお、第１又は第２の除去工程中、あるい
はこれらの除去工程の前後のいずれかの時点で、補助洗
浄ノズル５１Ａ；５１ｃ〜５１ｆからシンナーを噴射さ
せることによって基板Ｇの角部裏面に付着したレジスト
膜を容易に除去することができる。例えば図１０（ｂ）
に示すように、基板Ｇの各部裏面に付着したレジスト液
Ｒ1，Ｒ2を除去する場合、次のように補助洗浄ノズル５
１ｃ〜５１ｆの噴射を制御する。

【００７３】左右の除去ノズル５１を最初に矢印で示す
方向に移動させると仮定し、まず、右の除去ノズル５１
について説明する。

【００７４】レジスト液Ｒ1が、短辺Ｇs側に距離ＬS1ま
で、長辺ＧL側に距離ＬL1までと三角形状の領域に付着
している場合、ノズルが短辺ＧSの縁付近に位置する時
には距離ＬS1まで十分洗浄可能なように表面洗浄ノズル
５１ａ、裏面洗浄ノズル５１ｂと共に補助洗浄ノズル５
１ｃ〜５１ｆ全部から溶剤を噴射させる。

【００７５】そして、除去ノズル５１が矢印方向に移動
するのに連れレジスト液Ｒ1の付着幅はＬS1より狭くな
るので、順次、補助洗浄ノズル５１ｆ，５１ｅ，５１ｄ
の溶剤噴射を停止させる。ノズルが長辺ＧLに沿って距
離ＬL1付近まで移動すると、レジスト液Ｒ1の裏面付着
はなくなるので、補助洗浄ノズル５１ｃの溶剤噴射も停
止させ、この後、裏面側は裏面洗浄ノズル５１ｂのみ溶
剤を噴射させた状態で、除去ノズル５１は長辺ＧLに沿
って移動する。

【００７６】一方、左の除去ノズル５１は、図１０
（ｂ）に示すように、移動し始めの時、角部裏面にはレ
ジスト液は付着していないので、表面洗浄ノズル５１ａ
と裏面洗浄ノズル５１ｂとから溶剤を噴射させ、補助洗
浄ノズル５１ｃ〜５１ｆからの溶剤噴射は停止してお
く。

【００７７】除去ノズル５１が更に移動して角部裏面に
付着したレジスト液Ｒ2に近づき、短辺ＧSより距離ＬL2
付近になると、補助洗浄ノズル５１ｃからまず溶剤を噴
射させる。レジスト液Ｒ1同様、レジスト液Ｒ2も三角形
状の領域に付着している場合、順次、補助洗浄ノズル５
１ｄ，５１ｅ，５１ｆから溶剤を噴射させ距離ＬS2の部
分まで溶解除去する。

【００７８】そして、左右の除去ノズル５１により長辺
ＧL側のレジスト除去が終了すると、各ノズルからの溶
剤噴射を停止して、左右の除去ノズル５１を基板Ｇの回
転に支障を与えないように退避させる。次に、基板Ｇを
左又は右廻りに９０°回転させ、短辺ＧS側のレジスト
液除去に移る。この場合、角部裏面に付着したレジスト
液Ｒ1，Ｒ2は既に除去されているため、表面洗浄ノズル
５１ａ及び裏面洗浄ノズル５１ｂから溶剤を噴射させる
だけでよい。

【００７９】このように、裏面側に付着したレジスト液
の付着場所・領域に対応して予め決められた範囲で補助
洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆの溶剤噴射を制御することに
より、必要最小限の溶剤使用量により、不要レジストを
溶解除去することが可能となる。また、溶剤の温度や蒸
発により基板Ｇの温度が変化し、表面のレジスト膜の膜
厚を必要以上に変動させないためでもある。

【００８０】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は単独の装置として使用できることは勿論であるが、
以下に説明するＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムに
組込んで使用することができる。

【００８１】上記塗布・現像処理システムは、図１４に
示すように、基板Ｇを搬入・搬出するローダ部９０と、
基板Ｇの第１処理部９１と、中継部９３を介して第１処
理部９１に連設される第２処理部９２とで主に構成され
ている。なお、第２処理部９２には受渡し部９４を介し
てレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置９５が連設可能になっている。

【００８２】上記ローダ部９０は、未処理の基板Ｇを収
容するカセット９６と、処理済みの基板Ｇを収容するカ
セット９７を載置するカセット載置台９８と、このカセ
ット載置台９８上のカセット９６，９７との間で基板Ｇ
の搬出入を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方
向の移動及び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９
９とで構成されている。

【００８３】上記第１処理部９１は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム８０の搬送路１０２
の一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置
１２０と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェット
水洗浄装置１３０と、基板Ｇの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置１０５と、基板Ｇを所定温度に冷
却する冷却処理装置１０６とを配置し、搬送路１０２の
他方の側に、この発明の処理装置であるレジスト塗布機
構１と縁部除去機構２を具備する塗布処理装置１０７及
び塗布膜除去装置１０８を配置してなる。

【００８４】この場合、上記メインアーム８０は、図１
５及び図１６に示すように、上下２段のコ字状アーム体
８１ａ，８１ｂがそれぞれ独立して水平方向に進退移動
可能な二重構造となっている。すなわち、対向して配置
される外側リニアガイド８２に沿って摺動可能な一対の
外側フレーム８３によって上部アーム体８１ａの両側を
支持し、第１の駆動モータ８４に伝達プーリ８５ａを介
して駆動される外側プーリ８５に掛け渡されるタイミン
グベルト（図示せず）と外側フレーム８３とを締結し
て、第１の駆動モータ８４の正逆回転によって上部アー
ム体８１ａを進退移動可能に構成し、また、外側リニア
ガイド８２の内側に配設される一対の内側リニアガイド
８６に沿って移動可能な内側フレーム８７にて下部アー
ム体８１ｂを支持し、第２の駆動モータ８８に伝達プー
リ８９ａを介して駆動される内側プーリ８９に掛け渡さ
れるタイミングベルト（図示せず）と内側フレーム８７
とを締結して、第２の駆動モータ８８の正逆回転によっ
て下部アーム体８１ｂを進退移動可能に構成してある。
なお、上記アーム体８１ａ，８１ｂには基板Ｇを保持す
る保持爪８１ｃが立設されている。また、メインアーム
８０のアーム体８１ａ，８１ｂ上に載置される基板Ｇの
有無はセンサ１５０によって検出できるように構成され
ている（図１６参照）。

【００８５】上記ブラシ洗浄装置１２０には、図１７及
び図１８に示すように、基板Ｇを係止して直線的（図中
左右方向）に搬送する基板搬送アーム１２１が設けられ
ており、この基板搬送アーム１２１による基板Ｇの搬送
路を挟むように上下に多数の表面洗浄ブラシ１２２及び
裏面洗浄ブラシ１２３と、図示しないリンス液供給ノズ
ルが設けられている。また、基板Ｇの搬送位置には、基
板Ｇを真空チャックにより吸着保持して上下動及び９０
度回転可能に構成された基板保持機構１２４が設けられ
ている。上記基板搬送アーム１２１の搬送機構は、上記
搬送機構３と同様に構成されている。一方、ジェット水
洗浄装置１３０は、排液口１３１を有する容器１３２
と、この容器１３２内に配設されて基板Ｇを回転及び昇
降可能に保持する基板保持機構１３３と、この基板保持
機構１３３の外周側に回転可能に配設されるディスクス
テージ１３４と、これら基板保持機構１３３とディスク
ステージ１３４の上方の両側に配設され、図示しないリ
ンス液供給源あるいは洗浄水供給源に接続すると共に移
動機構１３８によって移動可能なリンス液供給ノズル１
３５及び洗浄水供給ノズル１３６とで構成されている。
この場合、ディスクステージ１３４の上には基板Ｇの端
面に当接する保持部材１３７が立設されている。

【００８６】上記のように構成されるブラシ洗浄装置１
２０とジェット水洗浄装置１３０によって基板Ｇの洗浄
を行うには、以下のような手順で行われる。すなわち、
基板搬送アーム１２１によって基板Ｇを表面洗浄ブラシ
１２２と裏面洗浄ブラシ１２３との間に搬送し、これら
のブラシ１２２，１２３を回転させつつリンス液例えば
純水等を噴射させる。そして、アーム駆動モータ（図示
せず）を交互に正転及び逆転させ、基板Ｇを前後に移動
させて基板Ｇの洗浄を行う。次に、基板Ｇをジェット水
洗浄装置１３０に搬送して基板保持機構１３３を介して
ディスクステージ１３４上に基板Ｇを受け渡した後、洗
浄水供給ノズル１３６を基板Ｇの上方に移動させ、高圧
ジェット水流を基板Ｇに噴射して洗浄処理を行う。この
とき、基板Ｇを低速回転させながら洗浄処理を行う。次
に、洗浄水供給ノズル１３６を後退させ、代わりにリン
ス液供給ノズル１３５を基板Ｇ上に移動し、リンス液供
給ノズル１３５からリンス液例えば純水を噴射してリン
スすればよい。

【００８７】一方、上記第２処理部９２は、第１処理部
９１と同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム８０ａを有し、このメインアーム８０ａの
搬送路１０２ａの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置１０９を配置し、搬送路１０２ａの他方の側
に、現像装置１１０を配置している。

【００８８】上記のように構成される第１処理部９１及
び第２処理部９２の上方はカバーによって覆われてお
り、処理部内に清浄化された空気が供給されるようにな
っている。この空気供給機構について、図１９の第１処
理部９１を代表して説明すると、処理部を覆うカバー１
４０の上部にダクト１４１が形成され、このダクト１４
１と処理部内とを連通する連通路１４２内に吸引ファン
１４３とフィルタ１４４が配設されて清浄化された空気
が処理部内に供給されるように構成されている。また、
処理部中央の搬送路の底部には排気通路１４５が設けら
れており、この排気通路１４５内に排気ファン１４６が
配設されて、処理部内に供給された清浄な空気が搬送路
１０２、冷却処理装置１０６、アドヒージョン処理装置
１０５及び塗布機構・縁部除去機構に供給された後、排
気されるようになっている。

【００８９】また、上記中継部９３は、基板Ｇを支持す
る支持ピン９３ａを立設する受渡し台９３ｂを有する箱
体９３ｃの底面にキャスタ９３ｄを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部９３を第１処理部
９１及び第２処理部９２から引出して、第１処理部９１
又は第２処理部９２内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる（図２０参照）。

【００９０】なお、上記受渡し部９４には、基板Ｇを一
時待機させるためのカセット１１１と、このカセット１
１１との間で基板Ｇの出入れを行う搬送用ピンセット１
１２と、基板Ｇの受渡し台１１３が設けられている。

【００９１】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット９６内に収容された未処理の
基板Ｇはローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって
取出された後、第１処理部９１のメインアーム８０に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１２０内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１２０内にてブラシ洗浄された
基板Ｇは引続いてジェット水洗浄装置１３０内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アド
ヒージョン処理装置１０５にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置１０６にて冷却された後、この発明に係るレ
ジスト塗布装置１０７の塗布機構１にてフォトレジスト
すなわち感光膜が塗布形成され、引続いてこの発明に係
る塗布膜除去装置１０８の縁部除去機構２によって基板
Ｇの辺部の不要なレジスト膜が除去される。したがっ
て、この後、基板Ｇを搬出する際には縁部のレジスト膜
は除去されているので、メインアーム８０にレジストが
付着することもない。そして、このフォトレジストが加
熱処理装置１０９にて加熱されてベーキング処理が施さ
れた後、露光装置９５にて所定のパターンが露光され
る。そして、露光後の基板Ｇは現像装置１１０内へ搬送
され、現像液により現像された後にリンス液により現像
液を洗い流し、現像処理を完了する。

【００９２】現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ
部９０のカセット９７内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。

【００９３】上記実施例では、この発明に係る塗布機構
１を具備する塗布処理装置１０７と、この発明に係る縁
部除去機構２を具備する塗布膜除去装置１０８とを１組
設けたＬＣＤ基板の塗布・現像システムについて説明し
たが、塗布処理装置１０７と塗布膜除去装置１０８を２
組以上設けることも可能である。この場合、塗布処理装
置１０７と塗布膜除去装置１０８とを並設してもよい
が、設置スペースを少なくるためには、図２１に示すよ
うに、塗布処理装置１０７と塗布膜除去装置１０８とを
それぞれ積層させて並設する構造としてもよい。このよ
うに塗布処理装置１０７と塗布膜除去装置１０８を積層
させる構造においては、メインアーム８０，８０ａを上
段の各装置１０７，１０８まで上昇可能にする以外は、
上記実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して、その説明は省略する。

【００９４】また、上記実施例では、左右一対の除去ノ
ズル５１により、最初に基板Ｇの長辺側の不要な端部の
レジスト膜を溶解して除去し、次に、基板Ｇを９０°回
転させて短辺側の不要なレジスト膜を溶解して除去する
例について説明したが、除去ノズルを例えば４個設け、
基板Ｇの四辺の不要なレジスト膜を、同時に溶解して除
去するように構成してもよい。

【００９５】例えば、図２２に示すように、除去ノズル
１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄを設ける。な
お、この４個の除去ノズルの構成、移動機構等は同一構
成のため、ここでは除去ノズル１５１Ａ部分についての
み説明し、他の詳細な説明は省略する。

【００９６】除去ノズル１５１Ａは、図のＹ方向に延在
するごとく設けられたガイドレール１５２Ａに摺動可能
に取付けられたスライド部材１５３Ａに取着されてい
る。このスライド部材１５３Ａは、ワイヤー，チェー
ン，ベルト，ボールネジやステッピングモータ，エアー
シリンダー，超音波モーター，超電導リニアモーター等
を使用した移動機構（図示せず）により、Ｙ方向に往復
移動可能に構成されている。

【００９７】また、除去ノズル１５１Ａは、図２３に示
すように、図６に示した除去ノズル５１と概ね同じ構成
であるので、ここでは異なる部分を主として説明する。
表面洗浄用のノズル１５１ａ、裏面洗浄用のノズル１５
１ｂの他に、基板Ｇの端面（側面）部を洗浄するための
端面洗浄用のノズル１５１ｇが内部に設けられており、
各ノズルは溶剤の各供給路に挿入された開閉バルブ（図
示せず）により、独立して溶剤供給の断続、供給量が制
御可能に構成されている。

【００９８】更に、噴頭１５３の基板Ｇ側端部の前方位
置には、基板Ｇ上面側にガス噴射ノズル１５４が、基板
Ｇ下面側にはガス噴射ノズル１５５が、その噴射方向が
噴頭１５３方向、すなわち基板Ｇの周辺外側方向になる
ように配置されている。そして、噴射されたガスは、噴
頭１５３内を通り、排気管１５６から排気される。

【００９９】更に、図２２に示すように、除去ノズル１
５１Ａの両側方には、基板Ｇの長辺Ａの基板Ｇ中心方向
から上面周辺部に向ってガスを噴射する乾燥用ガス噴射
ノズル１５７Ａ，１５８Ａが、例えば除去ノズル１５１
Ａと共にＹ方向に移動可能なように取付部材（図示せ
ず）により設けられている。なお、図２２では上記乾燥
用ガスノズル１５７Ａ，１５８Ａは基板Ｇの外側に示さ
れているが、基板Ｇの搬入・搬出に支障をきたさない任
意の位置に配置する。

【０１００】他の除去ノズル１５１Ｂ，１５１Ｃ，１５
１Ｄについては、除去ノズル１５１Ａと構成は同じであ
り、除去ノズル１５１Ａの各部に対応させて符号を付し
ている。なお、上記各ノズルは、それぞれ基板Ｇの短辺
Ｂ，長辺Ｃ，短辺Ｄの縁部の不要なレジストを溶解して
除去するためのノズルである。

【０１０１】次に、不要レジストの除去手順等について
説明する。図１に示す塗布機構１によって上面にレジス
ト膜が塗布形成された基板Ｇを搬送アーム７０によって
上記縁部除去機構２Ａの載置台１５９に、長辺がＹ方
向、短辺がＸ方向と平行となるように載置し、吸着保持
する。

【０１０２】搬送アーム７０が待機位置へ後退した後、
縁部除去機構２Ａの各除去ノズル１５１Ａ，１５１Ｂ，
１５１Ｃ，１５１Ｄが四辺の縁部にセットされ、各辺に
沿って同時に移動しながらレジスト溶剤を縁部に噴射し
て不要なレジスト膜を溶解して除去する。

【０１０３】この除去に際し、洗浄用の各ノズルからの
溶剤の噴射は、基板Ｇの端部のレジスト付着状況に対応
して制御してもよい。例えば、基板Ｇの端面及び裏面周
辺部にレジストの付着が無く、溶解除去する必要がない
場合には、表面洗浄用のノズル１５１ａのみ溶剤を噴射
させる。

【０１０４】端面にもレジストが付着している場合に
は、端面洗浄用のノズル１５１ｇからも溶剤を噴射さ
せ、更に、裏面周辺部にもレジストが付着している場合
には、裏面洗浄用のノズル１５１ｂからも溶剤を噴射さ
せる。

【０１０５】また、基板Ｇの端面、裏面周辺部に付着し
ているレジスト膜の付着場所が予め分っている場合に
は、除去ノズル１５１Ａがこの場所付近を移動する際
に、端面洗浄用ノズル１５１ｇや裏面洗浄用のノズル１
５１ｂから溶剤を噴射するように制御してもよい。これ
により、溶剤の消費量を低減させることが可能となる。
また、上述したように、表面のレジスト膜厚の変動を防
止することも可能となる。

【０１０６】更に、上記溶解除去中に、ガス噴射ノズル
１５４，１５５から例えば窒素（Ｎ₂）ガスを噴射させ
ると、基板Ｇ周辺に向い噴頭１５３内に吸引されるＮ₂
ガスの流れが存在するため、表面洗浄用のノズル１５１
ａ、端面洗浄用のノズル１５１ｇ、裏面洗浄用のノズル
１５１ｂから噴射された溶剤や発生した気泡等が基板Ｇ
の中心側に飛散しようとしても、上記Ｎ₂ガスの流れに
よって噴頭側に向って排出され、基板Ｇ面に飛来付着す
るのを防止することができる。

【０１０７】また、乾燥用ガスノズル１５７Ａから例え
ば加熱したＮ₂ガスを、除去ノズル１５１Ａでの溶剤に
よる溶解除去に先立って、基板Ｇ周辺部のレジスト膜に
向って噴射し、乾燥させておくことにより、溶解除去後
のレジスト膜のエッジ部分でのレジストの盛り上りの発
生を抑制することも可能となる。

【０１０８】更に、乾燥用ガスノズル１５８Ａから例え
ば加熱したＮ₂ガスを、レジスト膜が溶解除去された後
の基板Ｇの周辺部分に噴射させることにより、基板Ｇ及
びレジスト膜を乾燥する。この乾燥により、溶剤は直ち
に蒸発し、レジスト膜のエッジ部分が乾燥するため、不
必要な溶解もなく、エッジ部分のレジスト膜も安定す
る。

【０１０９】上記説明では、除去ノズル１５１Ａについ
てのみ説明したが、他の除去ノズル１５１Ｂ，１５１
Ｃ，１５１Ｄについても同様のことが言えるので、説明
を省略する。

【０１１０】また、各除去ノズル１５１Ａ，１５１Ｂ，
１５１Ｃ，１５１Ｄの移動機構として、独立した移動機
構を設けた例について説明したが、四辺を同時に溶解除
去できるものであれば他の機構でもよく、例えば除去ノ
ズル１５１Ａと１５１Ｃ，１５１Ｂと１５１Ｄとをそれ
ぞれ共通の機構に取着し、２つの移動機構で移動可能に
構成してもよい。更に、除去ノズル１５１Ａ，１５１
Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄの全部を共通の１つの移動機構
で移動可能に構成してもよい。

【０１１１】なお、上記独立した移動機構の場合、各移
動速度は各辺のレジストの付着状況等により、独立して
設定制御してもよい。

【０１１２】更に、図２２では、基板Ｇの長辺をＹ方向
と平行になるように保持しているが、短辺をＹ方向と平
行になるように保持し、各除去ノズル１５１Ａ，１５１
Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄをそれに対応して配置してもよ
い。例えば、各除去ノズルをエアーシリンダー等を使用
あるいはストローク調整可能な構造にすることにより、
伸縮させて対応する。

【０１１３】更に、基板Ｇ、溶剤、Ｎ₂ガスを溶解に最
適な温度に温調して、レジスト膜の溶解除去を促進させ
てもよい。基板Ｇの温調としては、例えば、基板Ｇの周
囲を温調した雰囲気にしたり、基板Ｇ上面に温調したク
リーンエアーやＮ₂ガスを供給したり、基板Ｇ裏面に温
調したクリーンエアーやＮ₂ガスを供給したり、載置台
１５９により温調したり、赤外線、マイクロ波等により
温調する。これら温調は少なくともレジスト膜を除去す
る工程中に行えばよい。

【０１１４】更に、上記実施例では、基板Ｇの一辺に対
して１個の除去ノズルを設けた例について説明したが、
複数個例えば２個設けて移動距離を短くしたり、２回溶
解除去するように構成してもよい。この場合、溶剤の種
類を異ならせてもよい。また、溶解除去位置を異ならせ
てもよい。

【０１１５】更に、上記実施例では、基板Ｇは固定して
各除去ノズルを移動させる構成の例について説明した
が、基板Ｇを回転させ、それに対応して各除去ノズルを
伸縮、Ｘ，Ｙ方向に移動させつつ四辺同時に溶解除去す
るように構成してもよい。

【０１１６】また、上記実施例では、この発明の処理方
法及び処理装置をＬＣＤ基板の塗布処理に適用した場合
について説明したが、ＬＣＤ基板以外の角形状被処理基
板に塗布液を塗布し、塗布された被処理基板の縁部の不
要な塗布膜を除去する方法及び装置にも適用できること
は勿論である。

【０１１７】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような優れた効果が得られる。

【０１１８】１）請求項１記載の発明によれば、塗布機
構において、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布
した後、塗布膜が形成された被処理基板を、塗布機構の
側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
に配設される縁部除去機構へ搬送し、縁部除去機構にお
いて、被処理基板の対向する２辺の縁部の塗布膜を除去
することができるので、塗布膜の均一処理を行うことが
できると共に、製品歩留まりの向上を図ることができ
る。

【０１１９】２）請求項２記載の発明によれば、塗布機
構において、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布
した後、塗布膜が形成された被処理基板を、塗布機構の
側方 に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
に配設される縁部除去機構へ搬送し、縁部除去機構にお
いて、上記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の
４辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する
ことができるので、塗布膜の均一処理を行うことができ
ると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。

【０１２０】３）請求項３記載の発明によれば、塗布機
構において、角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布
した後、塗布膜が形成された被処理基板を、塗布機構の
側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
に配設される縁部除去機構へ搬送し、縁部除去機構にお
いて、上記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の
少なくとも１辺に除去液噴射ノズルを配置し、かつ上記
ノズルを被処理基板の辺に沿って移動させると共に、除
去液を噴射して縁部の塗布膜を除去することができるの
で、塗布膜の均一処理を行うことができると共に、製品
歩留まりの向上を図ることができる。

【０１２１】４）請求項１４記載の発明によれば、角形
状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、
上記塗布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同
一雰囲気内に配設され、上記塗布により塗布膜が形成さ
れた被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除去
する縁部除去機構と、塗布機構から縁部除去機構へ被処
理基板を搬送する搬送機構とを具備するので、装置を小
型にすることができると共に、スループットの向上を図
ることができる。

【０１２２】５）請求項１５記載の発明によれば、保持
手段によって保持された被処理基板の縁部の塗布膜を除
去することができるので、被処理基板の縁部の不要な塗
布膜を迅速かつ確実に除去することができ、製品歩留ま
りの向上及びスループットの向上を図ることができる。

【０１２３】６）請求項１６又は１７記載の発明によれ
ば、縁部除去機構に、被処理基板の裏面に除去液を噴射
する補助洗浄ノズルを設けることにより、上記５）に加
えて被処理基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去する
ことができ、塗布膜の除去を更に確実にすることができ
る。

【０１２４】７）請求項２２，２６記載の発明によれ
ば、被処理基板の縁部両面に除去液を噴射する縁部除去
機構の対向する除去ノズルから噴射される除去液の衝突
を防止することができるので、上記１）〜６）に加えて
衝突によって飛散される除去液が被処理基板表面の塗布
膜に付着するのを防止して、膜厚の均一化を図ることが
できる。

【０１２５】８）被処理基板の端面に向けて除去液を噴
射する端面洗浄ノズルを更に設けることにより、上記
１）〜６）に加えて被処理基板の縁部に付着した塗布膜
を更に確実に除去することができる（請求項９，３
０）。

【０１２６】９）塗布膜を除去する際に、被処理基板の
中心方向から周辺外側に向けてガスを噴射することによ
り、上記１）〜６）に加えて洗浄ノズルから噴射された
除去液や発生した気泡等の被処理基板への再付着を防止
することができる（請求項１０，３６）。この場合、ガ
スに乾燥用ガスを用いることもでき（請求項３１）、更
には乾燥用ガスを加熱することもでき、この加熱された
乾燥用ガスを塗布膜を除去する前に噴射することで、溶
解除去後の塗布膜の縁部での盛り上がりの発生を抑制す
ることができ（請求項１１）、また塗布膜を除去した後
に噴射することで、被処理基板及び塗布膜を乾燥するこ
とができる（請求項１２）。

【０１２７】１０）塗布機構の上方に、空気供給機構を
具備することにより、上記１）〜６）に加えて清浄空気
が導入される雰囲気下で塗布膜除去を行なうことができ
る（請求項３３）。また、塗布機構を具備する塗布処理
装置と縁部除去機構を具備する塗布膜除去装置をそれぞ
れ積層構造とすることで、上記１）〜６）に加えて装置
の小型化が図れる（請求項３４）。

【０１２８】１１）塗布機構、縁部除去機構及び搬送機
構を具備する第１処理部と、この第１処理部で処理され
た被処理基板に別の処理を施す第２処理部と、第１処理
部及び第２処理部との間に配設されて被処理基板の受渡
しをする中継部とを具備し、中継部を第１処理部と第２
処理部との間から引出し可能に形成することにより、上
記１）〜６）に加えて保守点検を容易にすることができ
る（請求項３５）。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の処理装置の概略平面図である。

【図２】この発明における塗布機構の断面図である。

【図３】図２の要部拡大断面図である。

【図４】塗布機構の駆動部を示す要部拡大断面図であ
る。

【図５】この発明における縁部除去機構を示す側面図で
ある。

【図６】この発明における除去ノズルの一部を断面で示
す側面図である。

【図７】除去ノズルの概略斜視図である。

【図８】この発明における補助洗浄ノズルの取付状態を
示す斜視図である。

【図９】補助洗浄ノズルの異なる取付状態を示す概略平
面図である。

【図１０】補助洗浄ノズルの別の形態の一部を断面で示
す側面図及び洗浄の具体例の説明図である。

【図１１】補助洗浄ノズルの更に別の形態を示す斜視図
である。

【図１２】この発明における搬送機構を示す概略斜視図
である。

【図１３】この発明の処理方法の手順を示す説明図であ
る。

【図１４】この発明の処理装置を適用したＬＣＤ基板の
塗布・現像システムの一例を示す斜視図である。

【図１５】塗布・現像システムにおけるメインアームの
要部を示す斜視図である。

【図１６】メインアームの駆動機構を示す側面図であ
る。

【図１７】塗布・現像処理システムにおける洗浄装置を
示す概略断面図である。

【図１８】図１７の平面図である。

【図１９】塗布・現像システムにおける処理部を示す断
面図である。

【図２０】塗布・現像システムの別の実施例を示す斜視
図である。

【図２１】塗布・現像システムの更に別の実施例を示す
斜視図である。

【図２２】縁部除去機構の別の実施例を示す概略平面図
である。

【図２３】除去ノズルの別の形態を断面で示す側面図で
ある。

【符号の説明】 Ｇ ＬＣＤ基板（被処理基板） １ 塗布機構 ２ 縁部除去機構 ３ 搬送機構 ４ｂ 溶剤収容タンク ４ｃ 溶剤供給チューブ ４ｄ Ｎ2ガス供給源（搬送用ガス供給源） ４ｆ 三方切換弁 ４ｇ 分岐管路 ５０ 載置台（保持手段） ５１ 除去ノズル ５１ａ ノズル（表面洗浄ノズル） ５１ｂ ノズル（裏面洗浄ノズル） ５１Ａ，５１ｃ〜５１ｆ 補助洗浄ノズル ５３ 噴頭 ５３Ａ 噴頭本体 ５３Ｂ 補助噴頭 ５３ａ 上部水平片 ５３ｂ 下部水平片 ５３ｅ 垂直部 ５３ｆ 排気口 ５４ 排気管 ５５ 位置調整機構 ５６ 上下移動機構 ５７ 左右移動機構 ９１ 第１処理部 ９２ 第２処理部 ９３ 中継部１０７ 塗布処理装置 １０８ 塗布膜除去装置 １４３ 吸引ファン １４４ フィルタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 達也 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (56)参考文献 特開 平５−175117（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−114555（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−65115（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−157763（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188226（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−230518（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−262555（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−79413（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−61917（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132840（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310423（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−335666（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45501（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 11/08 B05C 11/10 B05D 1/40 G03F 7/16

Claims (36)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 塗布機構において、角形状の被処理基板
   の表面に塗布液を塗布する塗布工程と、塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗布機構の
   側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
   に配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、 上記縁部除去機構において、 上記塗布により塗布膜が形
   成された上記被処理基板の第１の辺の縁部に除去液を噴
   射して縁部の塗布膜を除去する第１の除去工程と、上記縁部除去機構において、 上記被処理基板の第２の辺
   の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する第２
   の除去工程とを有することを特徴とする処理方法。
2. 【請求項２】 塗布機構において、角形状の被処理基板
   の表面に塗布液を塗布する塗布工程と、塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗布機構の
   側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
   に配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、 上記縁部除去機構において、 上記塗布により塗布膜が形
   成された上記被処理基板の４辺の縁部に除去液を噴射し
   て縁部の塗布膜を除去する工程とを有することを特徴と
   する処理方法。
3. 【請求項３】 塗布機構において、角形状の被処理基板
   の表面に塗布液を塗布する塗布工程と、塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗布機構の
   側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
   に配設される縁部除去機構へ搬送する工程と、 上記縁部除去機構において、 上記塗布により塗布膜が形
   成された上記被処理基板の少なくとも１辺に除去液噴射
   ノズルを配置する工程と、 上記ノズルを上記被処理基板の辺に沿って移動させ、上
   記塗布により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部
   に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する工程とを有
   することを特徴とする処理方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の処理方法において、 上記ノズルを、被処理基板の隅部に配置することを特徴
   とする処理方法。
5. 【請求項５】 請求項３記載の処理方法において、 上記ノズルを、被処理基板の４隅に配置する工程と、 上記ノズルを、上記被処理基板の各辺に沿ってそれぞれ
   移動させる工程とを有することを特徴とする処理方法。
6. 【請求項６】 請求項１、２又は３記載の処理方法にお
   いて、 上記塗布膜を除去する工程は補助洗浄工程を有し、 上記補助洗浄工程において、被処理基板の角部裏面に向
   けて除去液を噴射して被処理体の裏面から塗布膜を除去
   することを特徴とする処理方法。
7. 【請求項７】 請求項１、２又は３記載の処理方法にお
   いて、 上記塗布膜を除去する工程は補助洗浄工程を有し、 上記補助洗浄工程において、被処理基板の裏面に向けて
   噴射する除去液の噴射領域を、被処理基板の裏面に付着
   する塗布膜に応じて調節可能にすることを特徴とする処
   理方法。
8. 【請求項８】 請求項１、２又は３記載の処理方法にお
   いて、 上記塗布膜を除去する工程は補助洗浄工程を有し、 上記補助洗浄工程において、被処理基板の端面に向けて
   除去液を噴射して被処理基板の端面から塗布膜を除去す
   ることを特徴とする処理方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載の処理方法において、 被処理基板の縁部に付着する塗布膜に応じて、被処理基
   板の裏面及び又は端面への除去液の噴射を制御すること
   を特徴とする処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項１、２又は３記載の処理方法に
    おいて、 上記塗布膜を除去する工程中に、被処理基板の中心方向
    から周辺外側に向けてガスを噴射することを特徴とする
    処理方法。
11. 【請求項１１】 請求項１、２又は３記載の処理方法に
    おいて、 上記塗布膜を除去する前に、被処理基板の縁部に加熱さ
    れた乾燥用ガスを噴射して塗布膜を乾燥することを特徴
    とする処理方法。
12. 【請求項１２】 請求項１、２又は３記載の処理方法に
    おいて、 上記塗布膜を除去した後に、被処理基板の縁部に加熱さ
    れた乾燥用ガスを噴射して被処理基板及び塗布膜を乾燥
    することを特徴とする処理方法。
13. 【請求項１３】 請求項１、２、３又は１０記載の処理
    方法において、 少なくとも上記塗布膜を除去する工程中における被処理
    基板、除去液、乾燥ガスを、塗布膜の溶解の最適温度に
    温調することを特徴とする処理方法。
14. 【請求項１４】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を
    塗布する塗布機構と、上記塗布機構の側方に隣接される
    と共に、塗布機構と同一雰囲気内に配設され、上記塗布
    により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部に除去
    液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、上記塗
    布機構から縁部除去機構へ上記被処理基板を搬送する搬
    送機構と、を具備することを特徴とする処理装置。
15. 【請求項１５】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を
    塗布する塗布機構と、上記塗布機構の側方に隣接される
    と共に、塗布機構と同一雰囲気内に配設され、上記塗布
    により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部に除去
    液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、上記塗
    布機構から縁部除去機構へ上記被処理基板を搬送する搬
    送機構とを具備し、 上記縁部除去機構を、上記被処理基板を保持する保持手
    段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基
    板の縁部に除去液を噴射するノズルとで構成してなるこ
    とを特徴とする処理装置。
16. 【請求項１６】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を
    塗布する塗布機構と、上記塗布により塗布膜が形成され
    た上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除
    去する縁部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機構
    へ上記被処理基板を搬送する搬送機構とを具備し、 上記縁部除去機構を、上記被処理基板を保持する保持手
    段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基
    板の縁部に除去液を噴射する表面及び裏面洗浄ノズル
    と、上記裏面洗浄ノズルの外方側に延在して上記被処理
    基板の裏面に除去液を噴射する補助洗浄ノズルとで構成
    してなることを特徴とする処理装置。
17. 【請求項１７】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を
    塗布する塗布機構と、上記塗布により塗布膜が形成され
    た上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除
    去する縁部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機構
    へ上記被処理基板を搬送する搬送機構とを具備し、 上記縁部除去機構を、上記被処理基板を保持する保持手
    段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基
    板の縁部に除去液を噴射するノズルと、上記保持手段の
    下部側に配設されて上記被処理基板の裏面に除去液を噴
    射する補助洗浄ノズルとで構成してなることを特徴とす
    る処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１４ないし１７のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記搬送手段は、塗布機構と縁部除去機構と同一雰囲気
    領域内に配設されることを特徴とする処理装置。
19. 【請求項１９】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記保持手段を水平方向に回転可能に形成してなること
    を特徴とする処理装置。
20. 【請求項２０】 請求項１５又は１７記載の処理装置に
    おいて、 上記ノズルが、被処理基板の縁部両面に除去液を噴射す
    るノズルであることを特徴とする処理装置。
21. 【請求項２１】 請求項１６又は１７記載の処理装置に
    おいて、 上記補助洗浄ノズルが、被処理基板の角部裏面に除去液
    を噴射するノズルであることを特徴とする処理装置。
22. 【請求項２２】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記被処理基板の縁部両面に除去液を噴射する縁部除去
    機構のノズルを少なくとも２個設け、かつ各ノズルの噴
    口から噴射された除去液がノズル近傍で互いに干渉しな
    い位置に設けたことを特徴とする処理装置。
23. 【請求項２３】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記縁部除去機構は、被処理基板の縁部を覆う除去部を
    有し、この除去部に排気口を有する、ことを特徴とする
    処置装置。
24. 【請求項２４】 請求項２３記載の処理装置において、 上記除去部を断面略コ字状の噴頭にて形成し、この噴頭
    の上部水平片と下部水平片にそれぞれノズルを設け、か
    つ噴頭の垂直部に排気口を設けると共に、この排気口
    に、排気装置と接続する排気管を接続してなる、ことを
    特徴とする処理装置。
25. 【請求項２５】 請求項２２又は２４記載の処理装置に
    おいて、 上記ノズルのうちの被処理基板の上面に除去液を噴射す
    るノズルの噴口を、上記被処理基板の内方から外方側に
    向けて傾斜状に折曲してなる、ことを特徴とする処理装
    置。
26. 【請求項２６】 請求項２２又は２４記載の処理装置に
    おいて、 上記縁部除去機構のノズルを、断面略コ字状の噴頭本体
    の上部水平片と下部水平片に設けられる表面洗浄ノズル
    及び裏面洗浄ノズルと、上記噴頭本体の側面に連なりか
    つ噴頭本体より外方側へ突出する断面略コ字状の補助噴
    頭の下部水平片に設けられる補助洗浄ノズルとで構成
    し、かつ、上記補助噴頭における上記補助洗浄ノズルの
    上方に除去液を受け止める上部水平片を設けてなる、こ
    とを特徴とする処理装置。
27. 【請求項２７】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記縁部除去機構のノズルを、被処理基板の対向する２
    辺に位置調整可能に配設してなる、ことを特徴とする処
    理装置。
28. 【請求項２８】 請求項２７記載の処理装置において、 上記被処理基板の辺に沿って移動する縁部除去機構のノ
    ズルを、その移動方向に複数適宜間隔を開けて設けたこ
    とを特徴とする処理装置。
29. 【請求項２９】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記縁部除去機構のノズルを、被処理基板の縁部の塗布
    膜除去位置と、待機位置とに切換え移動可能に形成して
    なる、ことを特徴とする処理装置。
30. 【請求項３０】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記被処理基板の端面に向けて除去液を噴射する端面洗
    浄ノズルを更に設けたことを特徴とする処理装置。
31. 【請求項３１】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記被処理基板の縁部に乾燥用ガスを噴射するガス噴射
    ノズルを更に設けたことを特徴とする処理装置。
32. 【請求項３２】 請求項１７記載の処理装置において、 上記補助洗浄ノズルと除去液供給源とを供給管路を介し
    て接続すると共に、除去液供給源に除去液搬送用ガスの
    供給源を接続し、かつ上記ガス供給源と上記供給管路及
    び除去液供給源とを、三方切換弁を介設した分岐管路を
    介して接続してなる、ことを特徴とする処理装置。
33. 【請求項３３】 請求項１４ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記塗布機構の上方に、空気供給機構を具備してなるこ
    とを特徴とする処理装置。
34. 【請求項３４】 請求項１４ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記塗布機構を具備する塗布処理装置と縁部除去機構を
    具備する塗布膜除去装置をそれぞれ積層構造としたこと
    を特徴とする処理装置。
35. 【請求項３５】 請求項１４ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記塗布機構、縁部除去機構及び搬送機構を具備する第
    １処理部と、この第１処理部で処理された被処理基板に
    別の処理を施す第２処理部と、上記第１処理部及び第２
    処理部との間に配設されて被処理基板の受渡しをする中
    継部とを具備してなり、 上記中継部を第１処理部と第２処理部との間から引出し
    可能に形成してなることを特徴とする処理装置。
36. 【請求項３６】 請求項１５ないし１８のいずれかに記
    載の処理装置において、 上記被処理基板の中心方向から周辺方向に向けてガスを
    噴射するガス噴射ノズルを更に設けたことを特徴とする
    処理装置。