JP2012234187A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012234187A JP2012234187A JP2012149440A JP2012149440A JP2012234187A JP 2012234187 A JP2012234187 A JP 2012234187A JP 2012149440 A JP2012149440 A JP 2012149440A JP 2012149440 A JP2012149440 A JP 2012149440A JP 2012234187 A JP2012234187 A JP 2012234187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- silicon nitride
- nitride film
- film
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 284
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 78
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 9
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 9
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical class [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150046160 POL1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100117436 Thermus aquaticus polA gene Proteins 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 101100224481 Dictyostelium discoideum pole gene Proteins 0.000 description 2
- 101150110488 POL2 gene Proteins 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- OSDXSOSJRPQCHJ-XVNBXDOJSA-N methyl 3-(3,4-dihydroxyphenyl)-3-[(E)-3-(3,4-dihydroxyphenyl)prop-2-enoyl]oxypropanoate Chemical compound C=1C=C(O)C(O)=CC=1C(CC(=O)OC)OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 OSDXSOSJRPQCHJ-XVNBXDOJSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】表示装置は、第1の電極と第2の電極と、ソース電極とドレイン電極のうちの一方が前記第1の電極と接続された薄膜トランジスタと、前記一方の電極よりも上層に順に形成される第1のシリコン窒化膜および有機絶縁膜とを有する。前記第2の電極は前記有機絶縁膜よりも上層に形成され、第2のシリコン窒化膜は前記第2の電極と前記第1の電極との間の層に形成され、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜は両者を貫通しソース電極とドレイン電極のうち一方の電極と前記第1の電極とを接続するコンタクトホールを有し、前記第2のシリコン窒化膜は、前記一方の電極と接触する領域を持たず、前記第2のシリコン窒化膜の下面が前記コンタクトホールにおいて前記第1のシリコン窒化膜の上面と接触している。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- 第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、前記第1の基板に形成された映像信号線と、前記第1の基板に形成された第1の電極と、前記第1の基板に形成された第2の電極とを有する表示装置であって、
前記第1の基板は、ソース電極とドレイン電極のうちの一方の電極が前記映像信号線に接続され前記ソース電極と前記ドレイン電極のうちの他方の電極が前記第1の電極と接続された薄膜トランジスタと、前記他方の電極よりも上層に形成された第1のシリコン窒化膜と、前記第1のシリコン窒化膜よりも上層に形成された有機絶縁膜とを有し、
前記第2の電極は、前記有機絶縁膜よりも上層に形成され、
前記第2の電極よりも上層で前記第1の電極よりも下層に、第2のシリコン窒化膜が形成され、
前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜は、両者を一括で貫通するコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールを介して前記他方の電極と前記第1の電極とが接続されており、
前記第2のシリコン窒化膜は、前記他方の電極と接触する領域を持たず、
前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面が、前記第1のシリコン窒化膜の上面と、少なくとも一箇所で接触していることを特徴とする表示装置。 - 前記第2の電極には、前記第1の電極とは異なる電位が印加されており、前記第1の電極と前記第2のシリコン窒化膜と前記第2の電極とによって保持容量を構成していることを特徴と請求項1に記載の表示装置。
- 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面が、前記第1のシリ
コン窒化膜の上面と、全周にわたって接触していることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。 - 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面の端部が、前記第1
のシリコン窒化膜の上面の端部と、ほぼ一致していることを特徴とする請求項1から3の
何れかに記載の表示装置。 - 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面の端部が、前記第1
のシリコン窒化膜の上面の端部よりも、後退していることを特徴とする請求項1から3の
何れかに記載の表示装置。 - 前記コンタクトホールにおいて、前記有機絶縁膜が、前記第2のシリコン窒化膜から露
出していないことを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の表示装置。 - 前記コンタクトホールの大きさは、平面的に見て、前記第1の基板の側の大きさよりも前記第2の電極側の大きさの方が大きいことを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の表示装置。
- 前記第2のシリコン窒化膜は、表面近傍が、それ以外の部分よりもエッチレートが速い
膜であることを特徴とする請求項1から7の何れかに記載の表示装置。 - 前記第2のシリコン窒化膜の前記表面近傍の前記エッチレートがそれ以外の部分よりも
速い部分の膜厚は、前記第2のシリコン窒化膜の膜厚の5%以上、30%以下であること
を特徴とする請求項8に記載の表示装置。 - 前記表示装置は、画素電極を具備した複数の画素を有し、
前記第1の電極は、前記画素電極であることを特徴とする請求項1から9の何れかに記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012149440A JP5194186B2 (ja) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012149440A JP5194186B2 (ja) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012020352A Division JP5172023B2 (ja) | 2012-02-01 | 2012-02-01 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012234187A true JP2012234187A (ja) | 2012-11-29 |
JP5194186B2 JP5194186B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=47434495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012149440A Active JP5194186B2 (ja) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5194186B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140082936A (ko) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2016206393A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722507A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Sony Corp | 積層配線基板及びその製造方法 |
JP2000299465A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置 |
JP2004318063A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
-
2012
- 2012-07-03 JP JP2012149440A patent/JP5194186B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722507A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Sony Corp | 積層配線基板及びその製造方法 |
JP2000299465A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置 |
JP2004318063A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140082936A (ko) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2014142619A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
JP2018151643A (ja) * | 2012-12-25 | 2018-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102182525B1 (ko) | 2012-12-25 | 2020-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2016206393A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5194186B2 (ja) | 2013-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5170985B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4858820B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置並びにその製造方法 | |
JP5063180B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板、それを含む液晶表示パネル、及びその液晶表示パネルの製造方法 | |
KR100519372B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2009042292A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5172023B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP4875702B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP5194186B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2015145907A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP2009151285A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR20080060889A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR102027526B1 (ko) | 씨오티 구조의 액정표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20070072113A (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR20110029282A (ko) | 반투과형 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20120075102A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
KR20070072116A (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR20040084597A (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5194186 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |