JPH11295712A

JPH11295712A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH11295712A
Application number: JP9765198A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Yanagawa; 和彦柳川; Keiichiro Ashizawa; 啓一郎芦沢; Masayuki Hikiba; 正行引場
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-04-09
Filing date: 1998-04-09
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶表示装置の有効表示領域の外周からの光
漏れを防止する。【解決手段】一対の基板ＳＵＢ２，ＳＵＢ１の少なく
とも一方の基板の内面に画素選択用の電極群および配線
電極群を有し、他方の基板の内面に内面遮光層ＢＭで区
画された複数色のカラーフィルタＦＩＬを有し、当該一
対の基板の対向間隙に液晶層ＬＣを挟持した液晶パネル
ＰＮＬと、配線電極群を介して当該電極群に画素選択用
の電圧を印加する駆動回路とを少なくとも具備し、他方
の基板の内面遮光層ＢＭが、当該上基板の有効表示領域
の周囲にも形成されていると共に、その外面に当該基板
の端面から少なくとも内面遮光層ＢＭの外周側端面に対
応する位置に至る領域に形成した外面遮光層ＦＭＳを備
えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に有効表示領域の周辺からの光漏れを防止して表
示品質を向上させた液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ノート型コンピユータやディスプレイモ
ニター用の高精細かつカラー表示が可能な表示装置とし
て液晶表示装置が広く採用されている。

【０００３】液晶表示装置には平行配置された多数の電
極を形成した一対の基板を、当該電子銃が交差する如く
貼り合わせ、貼り合わせ間隙に液晶を挟持した単純マト
リクス型の液晶表示装置（一般に、ＳＴＮ型液晶表示装
置と称する）と、単位画素毎に画素選択用のスイッチン
グ素子を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置と
がある。

【０００４】特に、アクティブマトリクス型液晶表示装
置としては、ツイステッドネマチック（ＴＮ）方式に代
表されるように、画素選択用の電極群が上下一対の基板
のそれぞれに形成した液晶パネルを用いた、所謂縦電界
方式液晶表示装置（一般に、ＴＮ方式液晶表示装置と称
する）と、画素選択用の電極群が上下一対の基板の一方
のみに形成されている液晶パネルを用いた、所謂横電界
方式液晶表示装置（一般に、ＩＰＳ方式液晶表示装置と
称する）とがある。

【０００５】前者のＴＮ方式液晶表示装置を構成する液
晶パネルは、一対（２枚）の基板内で液晶が９０°ねじ
れて配向されており、その液晶パネルの上下基板の外面
に吸収軸方向をクロスニコル配置し、かつ入射側の吸収
軸をラビング方向に平行または直交させた２枚の偏光板
を積層している。ラビング方向と偏光板の吸収軸が平行
な場合は‘Ｏ’モード、垂直な場合は‘Ｅ’モードと呼
ばれる。

【０００６】このようなＴＮ方式の液晶表示装置は、電
圧無印加時で入射光は入射側偏光板で直線偏光となり、
この直線偏光は液晶層のねじれに沿って伝播し、出射側
偏光板の透過軸が当該直線偏光の方位角と一致している
場合は直線偏光は全て出射して白表示となる（所謂、ノ
ーマリオープン配置）。

【０００７】また、電圧印加時は、液晶層を構成する液
晶分子軸の平均的な配向方向を示す単位ベクトルの向き
（ダイレクター）は基板面と垂直な方向を向き、入射側
直線偏光の方位角は変わらないため出射側偏光板の吸収
軸と一致するため黒表示となる。（１９９１年、工業調
査会発行「液晶の基礎と応用」参照）。

【０００８】一方、一対の基板の一方にのみ画素選択用
の電極群や電極配線群を形成し、当該基板上で隣接する
電極間（画素電極と対向電極の間）に電圧を印加して液
晶層を基板面と平行な方向にスイッチングするＩＰＳ方
式の液晶表示装置では、電圧無印加時に黒表示となるよ
うに偏光板が配置されている（所謂、ノーマリクローズ
配置）。

【０００９】このＩＰＳ方式液晶表示装置の液晶層は、
初期状態で基板面と平行なホモジニアス配向で、かつ基
板と平行な平面で液晶層のダイレクターは電圧無印加時
で電極配線方向と平行または幾分角度を有し、電圧印加
時で液晶層のダイレクターの向きが電圧の印加に伴い電
極配線方向と垂直な方向に移行し、液晶層のダイレクタ
ー方向が電圧無印加時のダイレクター方向に比べて４５
°電極配線方向に傾斜したとき、当該電圧印加時の液晶
層は、まるで１／２波長板のように偏光の方位角を９０
°回転させ、出射側偏向板の透過軸と偏光の方位角が一
致して白表示となる。

【００１０】このＩＰＳ方式液晶表示装置は、視野角に
おいても色相やコントラストの変化が少なく、広視野角
化が図られるという特徴を有している（特開平５−５０
５２４７号公報参照）。

【００１１】上記ＩＰＳ方式液晶表示装置では、基板と
平行な電界を形成する必要があるため、画素電極と基準
電極とを一方の基板上に櫛歯状に形成した構造が採用さ
れる。そして、画素電極にはスイッチング素子（一般
に、薄膜トランジスタ素子：ＴＦＴ、以下スイッチング
素子を薄膜トランジスタＴＦＴとして説明する）を通じ
て映像信号線より信号電圧が供給され、基準電極には基
準信号線から基準電圧が供給される。

【００１２】ＴＦＴはフォトリソグラフィー技法を複数
工程用いて形成されるが、上記の基準信号線は、ＴＦＴ
のフォトリソグラフィーの工程数を低減させるため、映
像信号線の延在方向と垂直な方向、走査信号線と平行な
方向、画素電極及び基準電極と垂直な方向に形成され
る。

【００１３】このような液晶表示装置に用いられる液晶
パネルは、有効表示領域外の周辺からの光漏れを防止す
ることが表示品質上必要である。このため、遮光層を周
辺部に形成する手法が一般に用いられている。また、こ
の遮光層と、液晶パネル上部のフレームを重畳させて遮
光することも行われている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】液晶パネルとフレーム
の間には、液晶パネルを固定するための粘着スペーサ
（以下、粘着テープと言う）が介挿されているのが普通
である。このため、液晶パネルとフレーム間の距離が、
周辺の遮光を困難にするという問題があった。

【００１５】図１４は従来の液晶表示装置の液晶パネル
とフレームの組立て構造の一例を説明する要部断面図で
ある。下基板ＳＵＢ１と上基板ＳＵＢ２の間に液晶層Ｌ
Ｃを挟持してなる液晶パネルＰＮＬと、この液晶パネル
ＰＮＬの背面に設置したバックライトＢＬを、図示しな
い駆動回路基板、その他の構成部材と共にフレームＳＨ
Ｄで固定して液晶表示装置を構成している。

【００１６】なお、液晶パネルＰＮＬを構成する一対の
基板（下基板ＳＵＢ１と上基板ＳＵＢ２）の周縁はシー
ル材ＳＬで封止されている。また、図では上基板ＳＵＢ
２の内面に遮光層であるブラックマトリクスＢＭで区画
された複数のカラーフィルタＦＩＬが形成されている。
一対の基板の内面には、この他に液晶表示装置の表示形
式によって異なる電極、配線電極、あるいは偏光板、そ
の他の機能部材群が形成または積層されているが、ここ
では図示を省略してある。

【００１７】図１４において、バックライトＢＬからの
斜め方向の漏れ光は、図示したように液晶パネルＰＮＬ
のブラックマトリクスＢＭの外周側端面とフレームＳＨ
Ｄの窓の内端を結ぶ直線方向から漏れ始める。フレーム
ＳＨＤとカラーフィルタＦＩＬが形成された上基板ＳＵ
Ｂ２との間に粘着テープＢＡＴが介在する場合のバック
ライトＢＬからの漏れ光をＬ₁、上基板ＳＵＢ２の表面
との成す角度をαとする。もし、この粘着テープＢＡＴ
が無い場合には、液晶パネルの上基板ＳＵＢ２と仮想線
で示したフレームＳＨＤ’とは上下で接することになる
ため、バックライトＢＬからの斜め方向の漏れ光Ｌ₂は
上基板ＳＵＢ２の表面との成す角度がβの光となり、β
＜＜αで漏れ光Ｌ₂は視角方向（液晶パネルの面と略直
角方向）からは視認困難なものとなるため、特別な遮光
手段は必要ない。

【００１８】しかし、図示したように、粘着テープＢＡ
Ｔを設けて液晶パネルＰＮＬとフレームＳＨＤの位置ず
れ解消の対策としたものでは、液晶パネルＰＮＬの有効
表示領域周辺におけるバックライトＢＬからの漏れ光を
Ｌ₁は視角方向に近い角度αで出射するため、周辺の遮
光が困難になるという問題があった。

【００１９】その解決策として、フレームＳＨＤの窓の
内端をより有効表示領域に近づければよい。しかし、こ
の方法では、フレームと液晶パネルＰＮＬの合わせ裕度
が問題となり、有効領域から液晶パネルＰＮＬの基板の
端面までの寸法を小さくする、所謂狭額縁化に対応でき
ない。

【００２０】他の解決策として、ブラックマトリクスＢ
Ｍを液晶パネルＰＮＬの基板の端面まで形成するという
技術が公知である。しかしこの方法では、ブラックマト
リクスＢＭが金属材料で構成されている場合には、金属
端が大気中に露出するため、電触による信頼性の低下を
招くという問題があった。また、ブラックマトリクスを
有機樹脂材料で形成した場合には、液晶パネルの製作時
の基板切断時の応力で基板の端面で剥がれが発生し、遮
光ができなくなるという問題があった。

【００２１】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消し、ブラックマトリクスを液晶パネルの基板端面に
露出させることなく、かつ粘着テープが無い場合と同等
の有効表示領域周辺での遮光性能を向上させて高品質の
画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することにあ
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は下記の（１）〜（８）に記載の構成とした
点に特徴を有する。

【００２３】（１）一対の基板の少なくとも一方の基板
の内面に画素選択用の電極群および配線電極群を有し、
他方の基板の内面に内面遮光層で区画された複数色のカ
ラーフィルタを有し、当該一対の基板の対向間隙に液晶
層を挟持した液晶パネルと、前記配線電極群を介して前
記電極群に画素選択用の電圧を印加する駆動回路とを少
なくとも具備してなり、前記他方の基板の前記内面遮光
層を、当該基板の有効表示領域の周囲にも形成すると共
に、前記他方の基板の外面に、当該基板の端面から少な
くとも前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至
る領域に外面遮光層を形成した。

【００２４】この構成により、有効表示領域外周におけ
るバックライトからの漏れ光による画面表示の視認性低
下が防止され、高品質の表示画像を得ることができる。

【００２５】（２）一対の基板の一方の基板の内面にの
み画素選択用の電極群と配線電極群およびスイッチング
素子群を有し、他方の基板の内面に内面遮光層で区画さ
れた複数色のカラーフィルタを有し、当該一対の基板の
対向間隙に液晶層を挟持した液晶パネルと、前記配線電
極群を介して前記スイッチング素子群に画素選択用の電
圧を選択的に印加する駆動回路とを少なくとも具備して
なり、前記他方の基板の前記内面遮光層を、当該基板の
有効表示領域の周囲にも形成すると共に、前記他方の基
板の外面に、当該基板の端面から少なくとも前記内面遮
光層の外周側端面に対応する位置に至る領域に外面遮光
層を形成した。

【００２６】この構成により、有効表示領域外周におけ
るバックライトからの漏れ光による画面表示の視認性低
下が防止され、高品質の表示画像を得ることができる。

【００２７】（３）（１）または（２）おける前記液晶
パネルの有効表示領域の外周に内端を有する窓を設けた
フレームを備え、前記上基板の前記内面遮光層を、当該
他方の基板の有効表示領域の周囲にも形成すると共に、
前記他方の基板の外面に、前記フレームの窓の内端から
前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領域
に外面遮光層を形成した。

【００２８】この構成により、フレームによる漏れ光の
遮光と共に液晶パネルの有効表示領域外周におけるバッ
クライトからの漏れ光による画面表示の視認性低下が防
止され、高品質の表示画像を得ることができる。

【００２９】（４）（１）、（２）または（３）におけ
る前記表面遮光層を金属材料で形成し、前記内面遮光層
を有機材料で形成した。

【００３０】有機材料と金属材料とでは、フォトリソグ
ラフィー工程での薬液がことなるため、前記他方の基板
の内面に形成するブラックマトリクスやカラーフィルタ
のパターニングと外面に成膜した表面遮光層のパターニ
ング工程での相互の影響がなく、所望のパターンを安定
して作成できる。特に、内面に金属膜を有しない横電界
方式の当該他方の基板では効果が大きい。

【００３１】（５）（１）〜（４）の何れかにおける前
記表面遮光層を覆って透明導電膜を前記上基板の表面の
全面に形成した。

【００３２】（６）（１）〜（４）の何れかにおける前
記表面遮光層を前記透明導電層の上層に形成した。

【００３３】（７）（５）または（６）における前記表
面遮光層を金属材料により形成した。（８）（５）また
は（６）における前記透明導電層を前記フレームと電気
的に接続した。

【００３４】上記（６）〜（８）の構成により、バック
ライトからの光漏れが防止されると共に液晶パネルの画
面における静電気の帯電を防止でき、高画質の画像表示
を得ることができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。

【００３６】〔実施例１〕（クレーム１に対応）図１は本発明による液晶表示装置の第１実施例の構成を
模式的に示す要部断面図、図２は図１の液晶表示装置の
全体の構成を模式的に示す断面図である。

【００３７】図１と図２において、ＳＨＤはフレーム
（一般には金属製）、ＢＡＴは粘着テープ、ＦＳＭは外
面遮光膜、ＳＵＢ２は上基板、ＢＭは内面遮光膜（ブラ
ックマトリクス）、ＬＣは液晶層、ＳＵＢ１は下基板、
ＳＬシール材、ＢＬはバックライトを示す。そして、Ｐ
ＮＬは液晶パネルである。

【００３８】液晶パネルＰＮＬは、一方の基板である下
基板ＳＵＢ１と他方の基板である上基板ＳＵＢ２からな
る一対の基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２、およびこの一対の基
板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の対向間隙に挟持してシール材Ｓ
Ｌで封止された液晶層ＬＣを有している。下基板ＳＵＢ
１と上基板ＳＵＢ２の内面には、液晶表示装置の動作方
式に応じた電極群、配線電極群、スイッチング素子、そ
の他の機能部材がそれぞれの基板に形成されているが、
ここでは図示を省略してある。

【００３９】そして、この液晶パネルＰＮＬの背面には
照明用のバックライトＢＬが配置され、液晶パネルＰＮ
Ｌの上基板ＳＵＢ２の周辺に粘着テープＢＡＴを介挿し
て図示しない駆動回路基板等と共にフレームＳＨＤで一
体に固定されている。このバックライトＢＬからの光で
液晶パネルＰＮＬを照明して当該液晶パネルＰＮＬに形
成した画像を可視化する。なお、液晶パネルＰＮＬとバ
ックライトＢＬの間にも適宜のスペーサが介挿される
が、図示は省略してある。

【００４０】図１に示した表面遮光層ＦＳＭは、液晶パ
ネルＰＮＬを構成する上基板ＳＵＢ２の基板端面から少
なくともブラックマトリクスＢＭの端面に至る領域に形
成され、かつ画素単位で液晶の挙動を制御しうる表示領
域（有効表示領域）に対応する位置には形成されていな
い。

【００４１】図３は本実施例の効果を模式的に説明する
液晶表示装置の要部断面図であって、上記実施例の構成
により、内面遮光層であるブラックマトリクスＢＬと表
面遮光層ＦＳＭにより遮光がなされ、前記図２０に示し
たバックライトＢＬから光Ｌ₁は有効表示領域に達せ
ず、有効領域に漏れ始めるバックライトＢＬからの光Ｌ
₂の角度βは小さくなり、表面遮光層ＦＳＭの有効表示
領域側の端面の位置とフレームＳＨＤの端面が上基板Ｓ
ＵＢ２に垂直な方向の位置が同一である場合に最大とな
るが、この光Ｌ₂は視角方向から大きくずれ、通常の視
角からは視認困難となる。

【００４２】図３の構成から明らかなように、ブラック
マトリクスＢＭの外周側端縁を液晶パネルＰＮＬの外周
側に延長させて外面遮光層ＦＳＭとの重なり量を増加さ
せれば上記の光Ｌ₂が有効表示領域に出射するのを防止
できる。

【００４３】この実施例により、液晶表示装置の有効表
示領域周辺の光漏れを抑制して高品質の画像表示を得る
ことができる。

【００４４】〔実施例２〕図４は本発明による液晶表示
装置の第２実施例の構成を模式的に示す要部断面図であ
る。図１における表面遮光層ＦＭＳは、必ずしもフレー
ムＳＨＤの窓の内端から液晶パネルの基板端縁まで形成
されている必要はない。したがって、本実施例では、表
面遮光層ＦＭＳを、少なくともフレームＳＨＤの窓の内
端から液晶パネルの上基板ＳＵＢ２の内面の有効表示領
域の外周に形成されているブラックマトリクスの外周縁
に至る領域（図４のＤで示した範囲）に形成した。

【００４５】本実施例によっても、前記第１実施例と同
様にバックライトからの光漏れを防止でき、高品質の画
像表示を得ることができる。

【００４６】〔実施例３〕本実施例は、第１実施例ある
いは第２実施例における表面遮光層ＦＳＭを金属材料で
形成すると共に、ブラックマトリクスＢＭを有機材料で
形成したものである。

【００４７】特に、横電界方式の液晶表示装置では、そ
の液晶パネルを構成する上基板ＳＵＢ２側にはもともと
金属材料を用いた機能層を有していない。すなわち、横
電界方式の上基板ＳＵＢ２は、一般にカラーフィルタ基
板（Ｃ／Ｆ基板）と称し、その内面には有機材料のカラ
ーフィルタとブラックマトリクスを有している。

【００４８】通常、金属材料と有機材料とでは、フォト
リソグラフィー技法を用いたパターニングの際のエッチ
ング液が異なるものであり、金属材料用のエッチング液
が有機材料をエッチングすることがなく、またその逆も
ない。

【００４９】したがって、本実施例によれば、ブラック
マトリクスＢＭを有機材料で形成し、表面遮光層ＦＭＳ
を金属材料で形成することで、パターニング工程におけ
る相互のエッチングがなられることの弊害がなく、それ
ぞれ目的の形状に正確なパターニングがなされる。

【００５０】〔実施例４〕図５は本発明による液晶表示
装置の第４実施例の構成を模式的に示す要部断面図であ
る。

【００５１】本実施例が、図１で説明した第１実施例と
の相違する点は、液晶パネルＰＮＬの上基板ＳＵＢ２上
に形成される表面遮光層ＦＭＳの上層の全面を覆って透
明導電膜の層ＴＣＬを形成した点にある。

【００５２】本実施例により、液晶パネルＰＮＬの表面
における静電気の帯電を防止でき、バックライトからの
光漏れを防止できると共に、高品質の画像表示を得るこ
とができる。

【００５３】フレームＳＨＤは一般に金属材料からなる
ため、粘着テープＢＡＴを導電性として透明導電膜の層
ＴＣＬとの電気的接続を行うことにより、透明導電膜の
層ＴＣＬに帯電する静電気はフレームＳＨＤを介して接
地に流れ、液晶パネルＰＮＬの表示面に静電気が帯電す
ることによる弊害を完全に防止できる。

【００５４】〔実施例５〕図６は本発明による液晶表示
装置の第５実施例の構成を模式的に示す要部断面図であ
る。

【００５５】本実施例は、図５で説明した第４実施例に
おける透明導電膜の層ＴＣＬを表面遮光層ＦＳＭの下層
に形成したものである。すなわち、液晶パネルＰＮＬの
上基板ＳＵＢ２の全面を覆って透明導電膜の層ＴＣＬを
形成した後、第４実施例と同様に、液晶パネルＰＮＬの
外周上に表面遮光層ＦＳＭを形成した。

【００５６】本実施例によれば、フレームＳＨＤと液晶
パネルＰＮＬの外縁とを極めて接近させた（所謂、狭額
縁化）場合での透明導電膜の層ＴＣＬを伝播して有効表
示領域に漏れでる光も完全に遮光でき、第４実施例より
もさらに高品質の画像表示を得ることができる。

【００５７】また、本実施例によっても、フレームＳＨ
Ｄは一般に金属材料からなるため、粘着テープＢＡＴを
導電性として透明導電膜の層ＴＣＬとの電気的接続を行
うことにより、透明導電膜の層ＴＣＬに帯電する静電気
はフレームＳＨＤを介して接地に流れ、液晶パネルＰＮ
Ｌの表示面に静電気が帯電することによる弊害を完全に
防止できる。

【００５８】〔実施例６〕本実施例は、前記第４実施例
における表面遮光層ＦＭＳを金属材料で形成した点を除
いて第４実施例と同様の構成としたものである。

【００５９】〔実施例７〕本実施例は、前記第５実施例
における表面遮光層ＦＭＳを金属材料で形成した点を除
いて第５実施例と同様の構成としたものである。

【００６０】上記の第６および第７実施例によれば、前
記透明導電膜の層ＴＣＬの外周を覆ってフレームＳＨＤ
と粘着テープＢＡＴを介して積層される表面遮光層ＦＭ
Ｓが低抵抗となるため、液晶パネルＰＮＬの表示面に静
電気が帯電することによる弊害を完全に防止できる。

【００６１】また、上記した表面遮光層ＦＳＭを金属材
料で形成したことで、電磁波漏洩の対策となり、所謂Ｅ
ＭＩを低減できる。

【００６２】以上説明した各実施例では、偏光板、配向
膜、スイッチング素子（ＴＦＴ等）の構造、その他の構
成は省略しているが、実際の液晶表示素子としてはこれ
らを具備するものであることはいうまでもない。

【００６３】なお、表面遮光層ＦＭＳの形成は、スパッ
タ法、ＣＶＤ法、塗布法等を用いることができる。そし
て、そのパターニングには、レジスト塗布＋フォトリソ
グラフィー技法を用いることができる。また、マスクス
パッタ法によって、直接的に目的の形状とすることもで
きる。

【００６４】表面遮光層ＦＭＳの形成に有機材料を用い
た場合には、直接描画あるいは版を用いた印刷によって
液晶パネルの表面に直接形成することも可能である。ま
た、表面遮光層ＦＭＳを透明導電膜上に形成する場合に
は、当該表面遮光層を形成しない領域にマスクを載せた
後、透明導電層に電圧を印加しながら電解メッキを行
い、その後マスクを取り外すことにより、所定の形状に
表面遮光層を形成することもできる。

【００６５】次に、本発明を適用する液晶表示装置の一
例として、横電界方式の液晶表示装置の詳細について説
明する。なお、本発明は、他の方式の液晶表示装置（縦
電界方式や単純マトリクス方式、その他）にも同様に適
用できるものであることは言うまでもない。

【００６６】図７は本発明を適用する横電界方式カラー
液晶表示装置の一画素の周辺を示す平面図である。各画
素は走査信号配線（ゲート信号線又は水平信号線）ＧＬ
と、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する
２本の映像信号配線（ドレイン信号線又は垂直信号線）
ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）
に配置されている。

【００６７】各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容
量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸ及び対向電極ＣＴを含む。走
査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは、同図では左右方
向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信
号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置さ
れている。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接
続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体にな
っている。

【００６８】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶ＬＣの配向状態を制御し、透過光を変調して表示を
制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成
され、それぞれ同図の上下方向に長細い電極となってい
る。

【００６９】１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数Ｐ（櫛歯の本数）とＯ＝
Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（本実施例で
は、Ｏ＝２、Ｐ＝１）。これは、対向電極ＣＴと画素電
極ＰＸを交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号
線ＤＬに必ず隣接させるためである。

【００７０】これにより、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
の間の電界が、映像信号線ＤＬから発生する電界から影
響を受けないように、対向電極ＣＴで映像信号線ＤＬか
らの電気力線をシールドすることができる。

【００７１】対向電極ＣＴは、対向電圧信号線ＣＬによ
り常に外部から電位を供給されているため、電位は安定
している。そのため、映像信号線ＤＬに隣接しても、電
位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極ＰＸの
映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧による変動も
制御できる。

【００７２】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制すること
ができる。

【００７３】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅Ｗ
ｐ，Ｗｃはそれぞれ６μｍとし、後述の液晶層の最大設
定厚みを超える４．５μｍよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％以上のマージ
ンを持った方が好ましいので、望ましくは５．４μｍよ
りも十分大きくしたほうが良い。

【００７４】これにより、液晶層に印加される基板面に
平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも
大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制すること
ができる。又、各電極の電極幅Ｗｐ，Ｗｃの最大値は、
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌよりも小さい
事が好ましい。

【００７５】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも
基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するた
め、基板面に平行な電界成分を効率良く液晶層に印加で
きないからである。従って、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの間の間隔Ｌはマージンを２０％とると７．２μｍよ
り大きいことが必要である。本実施例では、対角約１
４．５ｃｍ（５．７インチ）で６４０×４８０ドットの
解像度で構成したので、画素ピッチは約６０μｍであ
り、画素を２分割することにより、間隔Ｌ＞７．２μｍ
を実現した。

【００７６】又、映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止
するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若
干広い８μｍとし、映像信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの
間隔は短絡を防止するために約１μｍの間隔を開けると
共に、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線DLを下側に対向
電極ＣＴを形成して、異層になるように配置している。

【００７７】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約１５μｍとなる。

【００７８】本構成例では、平面的に、ブラックマトリ
クスＢＭがゲート配線ＧＬ上、対向電圧信号線ＣＬ、薄
膜トランジスタＴＦＴ上、ドレイン配線ＤＬ上、ドレイ
ン配線ＤＬと対向電極ＣＴ間に形成している。

【００７９】図８は図７のＦーＦ切断線における薄膜ト
ランジスタＴＦＴの断面図、図９は図７のＧーＧ切断線
における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面図である。

【００８０】図７〜図９を参照して説明すると、薄膜ト
ランジスタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを
印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さ
くなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きく
なるように動作する。

【００８１】薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇ
Ｔ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性：ｉｎｔｒｉｎｓｉ
ｃ、導電型決定不純物がドープされていない）非晶質シ
リコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有する。

【００８２】なお、ソース、ドレインは本来その間のバ
イアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の
回路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレ
インは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下
の説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固
定して表現する。

【００８３】ゲート電極ＧＴは走査信号線ＧＬ（図７参
照）と連続して形成されており、走査信号線ＧＬの一部
の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されている。
このゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動領
域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆う
よう（下方から見て）それより大きめに形成されてい
る。

【００８４】これにより、ゲート電極ＧＴはそれ自身の
役割の他に、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート
電極ＧＴは単層の導電膜ｇ１で形成されている。この導
電膜ｇ１としては、例えばスパッタで形成されたアルミ
ニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極酸
化膜ＡＯＦが設けられている。

【００８５】図７に示した走査信号線ＧＬは導電膜ｇ１
で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜ｇ１は
ゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成さ
れ、かつ、一体に構成されている。この走査信号線ＧＬ
により、外部回路からゲート電圧Ｖｇをゲート電極ＧＴ
に供給する。

【００８６】又、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。なお、映像信号線ＤＬと交
差する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくす
るため細くし、又、短絡してもレーザトリミングで切り
離すことができるように二股にしている。

【００８７】図７に示した対向電極ＣＴはゲート電極Ｇ
Ｔ及び走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成されて
いる。又、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦ
が設けられている。対向電極ＣＴは、陽極酸化膜ＡＯＦ
で完全に覆われていることから、映像信号線と限りなく
近づけても、それらが短絡してしまうことがなくなる。

【００８８】又、それらを交差させて構成させることも
できる。対向電極ＣＴには対向電圧Ｖｃｏｍが印加され
るように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖｃ
ｏｍは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電
圧Ｖｄｍｉｎと最大レベルの駆動電圧Ｖｄｍａｘとの中
間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状
態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔＶｓ分だ
け低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用さ
れる集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、
交流電圧を印加すれば良い。

【００８９】対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ１で構成さ
れている。この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１はゲー
ト電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ及び対向電極ＣＴの導電膜
ｇ１と同一製造工程で形成され、かつ、対向電極ＣＴと
一体に構成されている。

【００９０】この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路
から対向電圧Ｖｃｏｍを対向電極ＣＴに供給する。又、
対向電圧信号線ＣＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。なお、映像信号線ＤＬと交差する部分
は、走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の
確率を小さくするため細くし、又、短絡しても、レーザ
トリミングで切り離すことができるように二股にするこ
ともできる。

【００９１】絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴに
おいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層ＡＳに電界を与
えるためのゲート絶縁膜として使用される。絶縁膜ＧＩ
はゲート電極ＧＴ及び走査信号線ＧＬの上層に形成され
ている。

【００９２】絶縁膜ＧＩとしては例えばプラズマＣＶＤ
で形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２０〜２７０
ｎｍの厚さに（本実施例では、２４０ｎｍ）形成され
る。

【００９３】このゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス部Ａ
Ｒの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。また、
絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬ及び対向電圧信号線ＣＬと
映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００９４】ｉ型半導体層ＡＳは、非晶質シリコンで、
２０〜２２０ｎｍの厚さ（本例では、２００ｎｍ程度の
膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミックコンタクト用
のリン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半
導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存在し、上側
に導電膜ｄ１（ｄ２）が存在するところのみに残されて
いる。

【００９５】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬ及び対
向信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬ及び対向信号線ＣＬと映像信
号線ＤＬとの短絡を低減する。

【００９６】ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２の
それぞれは、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する導電膜
ｄ１とその上に形成された導電膜ｄ２とから構成されて
いる。

【００９７】導電膜ｄ１はスパッタで形成したクロム
（Ｃｒ）膜を用い、５０〜１００ｎｍの厚さに（本実施
例では、６０ｎｍ程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００ｎｍ
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
（＋）型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、導電膜ｄ
２のＡｌがＮ（＋）型半導体層ｄ０に拡散することを防
止する、所謂バリア層の目的で使用される。

【００９８】導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金
属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド
（ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜
を用いても良い。

【００９９】導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０
０〜５００ｎｍの厚さに（本実施例では、４００ｎｍ程
度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小
さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極Ｓ
Ｄ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗
値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに
起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバレー
ジを良くする）働きがある。

【０１００】導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、或い
は導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ（＋）型
半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ
上に残っているＮ（＋）型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、
導電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て
除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層Ａ
Ｓも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度
はエッチング時間で制御すればよい。

【０１０１】映像信号線ＤＬはソース電極ＳＤ１、ドレ
イン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ
３で構成されている。又、映像信号線ＤＬはドレイン電
極ＳＤ２と一体に形成されている。

【０１０２】画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３
で構成されている。又、画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ
１と一体に形成されている。

【０１０３】画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴ
と接続される端部と反対側の端部において、対向電圧信
号線ＣＬと重なるように形成されている。この重ね合せ
は、図９からも明らかなように、画素電極ＰＸを一方の
電極ＰＬ２とし、対向電圧信号線ＣＬを他方の電極ＰＬ
１とする蓄積容量（静電容量素子）Ｃｓｔｇを構成す
る。この蓄積容量Ｃｓｔｇの誘電体膜は、薄膜トランジ
スタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜ＧＩ
及び陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【０１０４】図７に示したように、平面的には蓄積容量
Ｃｓｔｇは対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１の部分に形
成されている。

【０１０５】この場合、この蓄積容量Ｃｓｔｇは、その
絶縁膜ＧＩに対して下側に位置づけられる電極の材料が
Ａｌで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたもの
であることから、ＡＬの所謂ヒロック等が原因する点欠
陥（上側に位置づけられる電極との短絡）による弊害を
発生し難くくする蓄積容量を得ることができる。

【０１０６】図１０は本発明による液晶表示装置の駆動
回路の概要説明図である。液晶表示装置は画像表示部が
マトリクス状に配置された複数の画素の集合により構成
され、各画素は液晶表示基板の背部に配置されたバック
ライトからの透過光を独自に変調制御できるように構成
されている。

【０１０７】液晶パネルを構成する下基板（ＳＵＢ１）
上には、有効表示領域ＡＲにｘ方向（行方向）に延在
し、ｙ方向（列方向）に並設されたゲート信号線ＧＬと
対向電圧信号線ＣＬとそれぞれ絶縁されてｙ方向に延在
し、ｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬが形成され
ている。

【０１０８】ここで、ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号
線ＣＬ、ドレイン信号線ＤＬのそれぞれによって囲まれ
る矩形状の領域に単位画素が形成される。

【０１０９】液晶パネルには、その外部回路として垂直
走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路Ｈが備えられ、前記垂
直走査回路Ｖによって前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれ
に順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミングに
合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン信号線ＤＬに
映像信号（電圧）を供給するようになっている。

【０１１０】なお、垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回
路Ｈは、液晶駆動電源回路３から電源が供給されるとと
もに、ＣＰＵ１からの画像情報がコントローラ２によっ
てそれぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力さ
れるようになっている。

【０１１１】図１１は本発明の液晶表示装置の駆動波形
図である。同図において、対向電圧をＶＣＨとＶＣＬの
２値の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号ＶＧ
（ｉ−１）、ＶＧ（ｉ）の非選択電圧を１走査期間毎
に、ＶＣＨとＶＣＬの２値で変化させる。対向電圧の振
幅幅と非選択電圧の振幅値は同一にする。

【０１１２】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から、対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧であ
る。

【０１１３】対向電圧は直流でも良いが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。

【０１１４】図１２はモジュール化した液晶表示装置の
各構成部品を示す分解斜視図である。ＳＨＤは金属板か
ら成る枠状のフレーム（シールドケース、メタルフレー
ムとも言う）、ＷＤはその表示窓、ＰＮＬは液晶パネ
ル、ＦＭＳは表面遮光層、ＳＰＳは光拡散板、ＧＬＢは
導光体、ＲＦＳは反射板、ＢＬはバックライトの蛍光
管、ＭＣＡは下側ケース（バックライトケース）であ
り、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ね
られてモジュールＭＤＬが組み立てられる。

【０１１５】モジュールＭＤＬはフレームＳＨＤに設け
られた爪とフックによって全体が固定されるようになっ
ている。

【０１１６】バックライトケースＭＣＡは、バックライ
トＢＬを構成する冷陰極蛍光管ＬＰ、光拡散板ＳＰＳ、
導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳを収納する形状になってお
り、導光体ＧＬＢの側面に配置された冷陰極蛍光管ＬＰ
の光を導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳに
より表示面で一様な照明光にし、液晶パネルＰＮＬ側に
出射する。

【０１１７】冷陰極蛍光管ＬＰにはインバータ回路基板
が接続されており、当該冷陰極蛍光管ＬＰの電源となっ
ている。

【０１１８】図１３は本発明による液晶表示装置を実装
した電子機器の一例であるノート型パソコンの斜視図で
ある。このノート型コンピュータ（可搬型パソコン）は
キーボード部（本体部）と、このキーボード部にヒンジ
で連結した表示部から構成される。キーボード部にはキ
ーボードとホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰＵ等の
信号生成機能を収納し、表示部には液晶パネルＰＮＬを
有し、その周辺に駆動回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２、コ
ントロールチップＴＣＯＮやＣＰＵからの信号を接続す
るコネクタＣＴ等を搭載したＰＣＢ３、およびバックラ
イト電源であるインバータ電源基板などが実装される。
この液晶パネルＰＮＬは前記した各実施例で説明した配
向膜を有している。

【０１１９】そして、上記液晶パネルＰＮＬに各種回路
基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２，ＰＣＢ３、インバータ電源基
板、およびバックライトを一体化して液晶表示モジュー
ルＭＤＬとして実装してある。

【０１２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶表示装置の有効表示領域外周での光漏れを減少する
ことができ、ブラックマトリクスを液晶パネルの基板端
面に露出させることなく、かつ粘着テープが無い場合と
同等の有効表示領域周辺での遮光性能を向上させ、ある
いは帯電防止やＥＭＩ対策を実現した高品質の画像表示
を可能とした液晶表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。

【図２】図１の液晶表示装置の全体の構成を模式的に示
す断面図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の第１実施例の効果
を模式的に説明する液晶表示装置の要部断面図である。

【図４】本発明による液晶表示装置の第２実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。

【図５】本発明による液晶表示装置の第４実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。

【図６】本発明による液晶表示装置の第５実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。

【図７】本発明を適用する横電界方式カラー液晶表示装
置の一画素の周辺を示す平面図である。

【図８】図７のＦーＦ切断線における薄膜トランジスタ
ＴＦＴの断面図である。

【図９】図７のＧーＧ切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇ
の断面図である。

【図１０】本発明による液晶表示装置の駆動回路の概要
説明図である。

【図１１】本発明の液晶表示装置の駆動波形図である。

【図１２】モジュール化した液晶表示装置の各構成部品
を示す分解斜視図である。

【図１３】本発明による液晶表示装置を実装した電子機
器の一例であるノート型パソコンの斜視図である。

【図１４】従来の液晶表示装置の液晶パネルとフレーム
の組立て構造の一例を説明する要部断面図である。

【符号の説明】

ＳＨＤフレームＢＡＴ粘着テープＳＵＢ１下基板ＳＵＢ２上基板ＢＭブラックマトリクスＳＬシール材ＢＬバックライトＦＳＭ表面遮光層ＬＣ液晶層ＦＩＬカラーフィルタＴＣＬ透明導電膜。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０９Ｆ 9/00 ３１５Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１５Ｂ３２１３２１Ｄ３４８３４８Ｅ 9/35 ３２０ 9/35 ３２０

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下一対の基板の少なくとも一方の基板の
内面に画素選択用の電極群および配線電極群を有し、他
方の基板の内面に内面遮光層で区画された複数色のカラ
ーフィルタを有し、当該一対の基板の対向間隙に液晶層
を挟持した液晶パネルと、前記配線電極群を介して前記
電極群に画素選択用の電圧を印加する駆動回路とを少な
くとも具備する液晶表示装置において、前記他方の基板の前記内面遮光層が、当該基板の有効表
示領域の周囲にも形成されており、前記他方の基板の外面に、当該基板の端面から少なくと
も前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領
域に形成した外面遮光層を有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項２】一対の基板の一方の基板の内面にのみ画素
選択用の電極群と配線電極群およびスイッチング素子群
を有し、他方の基板の内面に内面遮光層で区画された複
数色のカラーフィルタを有し、当該一対の基板の対向間
隙に液晶層を挟持した液晶パネルと、前記配線電極群を
介して前記スイッチング素子群に画素選択用の電圧を選
択的に印加する駆動回路とを少なくとも具備する液晶表
示装置において、前記他方の基板の前記内面遮光層が、当該基板の有効表
示領域の周囲にも形成されており、前記他方の基板の外面に、当該基板の端面から少なくと
も前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領
域に形成した外面遮光層を有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項３】前記液晶パネルの有効表示領域の外周に内
端を有する窓を設けたフレームを備え、前記他方の基板の前記内面遮光層が、当該基板の有効表
示領域の周囲にも形成されており、前記他方の基板の外面に、前記フレームの窓の内端から
前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領域
に形成した外面遮光層を有することを特徴とする請求項
１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記表面遮光層が金属材料で形成され、前
記内面遮光層が有機材料で形成されていることを特徴と
する請求項１、２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記表面遮光層を覆って透明導電膜が前記
上基板の表面の全面に形成されていることを特徴とする
請求項１〜４の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記表面遮光層が前記透明導電層の上層に
形成されていることを特徴とする請求項１〜４に記載の
液晶表示装置。
【請求項７】前記表面遮光層が金属材料により形成され
ていることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶
表示装置。
【請求項８】前記透明導電層が前記フレームと電気的に
接続されていることを特徴とする請求項５または６に記
載の液晶表示装置。