JP3715639B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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InGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層7Aが前記メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部の表面部に直接形成され、該埋込バッファ層の上方に前記Alを含む電流ブロック層が形成されていることを特徴とする。
前記埋込成長層には、前記電流ブロック層と前記リッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる複数の埋込バッファ層が設けられていて、該埋込バッファ層は、第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする。
InGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層7Dが前記選択的にエッチング除去された部分及び前記電流ブロック層の表面部に直接形成され、該埋込バッファ層の上方に前記Alを含むクラッド層が形成されていることを特徴とする。
2 第1クラッド層
3 量子井戸活性層
4 第2クラッド層
5 エッチング阻止層
6 第3クラッド層(リッジ形成層)
6a 側部
7 埋込成長層
7A 第1埋込層
7B 第2埋込層
7C 第3埋込層
7D 埋込バッファ層
8 第4クラッド層
9 コンタクト層
11 電流ブロック層
Claims (3)
- GaAs基板(1)上に、AlGaAs系材料を用いて構成され、メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部にAlを含む電流ブロック層が埋込成長層として配置された半導体発光素子において、
InGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層(7A)が前記メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部の表面部に直接形成され、該埋込バッファ層の上方に前記Alを含む電流ブロック層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - GaAs基板(1)上に、AlGaAs系材料を用いて構成され、メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部にAlを含む電流ブロック層が埋込成長層として配置された半導体発光素子において、
前記埋込成長層には、前記電流ブロック層と前記リッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる複数の埋込バッファ層が設けられていて、該埋込バッファ層は、第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする半導体発光素子。 - GaAs基板(1)上に、活性層(3)、エッチング阻止層(5)、電流ブロック層(11)が順次形成され、前記電流ブロック層の一部が選択的にエッチング除去され、該選択的にエッチング除去された部分及び前記電流ブロック層の上方にAlを含むクラッド層(6)が形成された、AlGaAs系材料から成る半導体発光素子において、
InGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層(7D)が前記選択的にエッチング除去された部分及び前記電流ブロック層の表面部に直接形成され、該埋込バッファ層の上方に前記Alを含むクラッド層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
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