JP2005268420A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リッジ埋込構造の半導体発光素子は、GaAs基板1にAlGaAs系材料を用いて構成され、メサストライプ状に切除されたリッジ形成層6の側部6aに埋込成長層7が配置される。埋込成長層7には、電流ブロック層7Cとリッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層7A,7Bが設けられる。埋込バッファ層7A,7Bは、第1埋込層7Aの導電型がリッジ形成層を構成するクラッド層6と同一で、第2埋込層7Bの成長時に導電型が反転する。
【選択図】 図1
Description
前記埋込成長層が少なくとも2種の半導体層からなり、第1埋込層及び第2埋込層がInGaP又はInGaAsPからなり、前記第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、前記第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする。
前記埋込成長層には、前記電流ブロック層と前記リッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層が設けられていることを特徴とする。
前記埋込バッファ層は、第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする。
前記埋込成長層が少なくとも2層から成り、第1埋込層がInGaPまたはInGaAsPであり、且つ第2埋込層がAlを含む材料で構成されることを特徴とする。
前記埋込成長層7の第1埋込層の膜厚が0.2μm以下であることを特徴とする。
2 第1クラッド層
3 量子井戸活性層
4 第2クラッド層
5 エッチング阻止層
6 第3クラッド層(リッジ形成層)
6a 側部
7,7D 埋込成長層
7A 第1埋込層
7B 第2埋込層
7C 第3埋込層
8 第4クラッド層
9 コンタクト層
11 電流ブロック層
InGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層7Aが前記メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部の表面部に直接形成され、該埋込バッファ層の上方に前記Alを含む電流ブロック層が形成されていることを特徴とする。
前記埋込成長層には、前記電流ブロック層と前記リッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる複数の埋込バッファ層が設けられていて、該埋込バッファ層は、第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するフラッド層と同一で、第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする。
InGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層7Dが前記選択的にエッチング除去された部分及び前記電流ブロック層の表面部に直接形成され、該埋込バッファ層の上方に前記Alを含むクラッド層が形成されていることを特徴とする。
2 第1クラッド層
3 量子井戸活性層
4 第2クラッド層
5 エッチング阻止層
6 第3クラッド層(リッジ形成層)
6a 側部
7 埋込成長層
7A 第1埋込層
7B 第2埋込層
7C 第3埋込層
7D 埋込バッファ層
8 第4クラッド層
9 コンタクト層
11 電流ブロック層
前記埋込成長層には、前記電流ブロック層と前記リッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる複数の埋込バッファ層が設けられていて、該埋込バッファ層は、第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする。
Claims (5)
- GaAs基板(1)上に、AlGaAs系材料を用いて構成され、メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部に埋込成長層(7)が配置された半導体発光素子において、
前記埋込成長層が少なくとも2種の半導体層からなり、第1埋込層及び第2埋込層がInGaP又はInGaAsPからなり、前記第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、前記第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする半導体発光素子。 - GaAs基板(1)上に、AlGaAs系材料を用いて構成され、メサストライプ状に切除されたリッジ形成層の側部にAlを含む電流ブロック層が埋込成長層(7)として配置された半導体発光素子において、
前記埋込成長層には、前記電流ブロック層と前記リッジ形成層との間にInGaPまたはInGaAsPからなる埋込バッファ層が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記埋込バッファ層は、第1埋込層の導電型が前記リッジ形成層を構成するクラッド層と同一で、第2埋込層の成長時に導電型が反転する構成であることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- GaAs基板(1)上に、AlGaAs系材料からなる、活性層(3)、エッチング阻止層(5)、電流ブロック層(11)が順次形成され、前記電流ブロック層の一部が選択的にエッチング除去され、埋込成長層(7)が形成された構造からなる半導体発光素子において、
前記埋込成長層が少なくとも2層から成り、第1埋込層がInGaPまたはInGaAsPであり、且つ第2埋込層がAlを含む材料で構成されることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記埋込成長層(7)の第1埋込層の膜厚が0.2μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体発光素子。
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