JPH0964452A - 半導体レーザ装置,及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置,及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0964452A JPH0964452A JP7210457A JP21045795A JPH0964452A JP H0964452 A JPH0964452 A JP H0964452A JP 7210457 A JP7210457 A JP 7210457A JP 21045795 A JP21045795 A JP 21045795A JP H0964452 A JPH0964452 A JP H0964452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- laser device
- etching stopper
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32316—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm comprising only (Al)GaAs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ装置を構成する結晶内部のスト
レス及び結晶欠陥密度を低減できる信頼性の高い半導体
レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1導電型のGaAs基板上101に順
次形成された、GaAs基板101と格子整合し,活性
層より大きいバンドギャップを有する第1導電型の第1
下クラッド層112と、第1下クラッド層112より大
きいバンドギャップを有する第1導電型のAlGaAs
第2下クラッド層113と、活性層104と、第1上ク
ラッド層より大きいバンドギャップを有する第2導電型
のAlGaAs第2上クラッド層114と、GaAs基
板101に格子整合し,かつ活性層104より大きいバ
ンドギャップを有する第2導電型の第1上クラッド層1
17と、第2導電型のGaAsコンタクト層111とを
備えたものである。
レス及び結晶欠陥密度を低減できる信頼性の高い半導体
レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1導電型のGaAs基板上101に順
次形成された、GaAs基板101と格子整合し,活性
層より大きいバンドギャップを有する第1導電型の第1
下クラッド層112と、第1下クラッド層112より大
きいバンドギャップを有する第1導電型のAlGaAs
第2下クラッド層113と、活性層104と、第1上ク
ラッド層より大きいバンドギャップを有する第2導電型
のAlGaAs第2上クラッド層114と、GaAs基
板101に格子整合し,かつ活性層104より大きいバ
ンドギャップを有する第2導電型の第1上クラッド層1
17と、第2導電型のGaAsコンタクト層111とを
備えたものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高信頼性の半導体レ
ーザ装置,及びその製造方法に関し、特に0.78μm
帯リッジ埋め込み型半導体レーザ装置,及びその製造方
法に関するものである。
ーザ装置,及びその製造方法に関し、特に0.78μm
帯リッジ埋め込み型半導体レーザ装置,及びその製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は従来の0.78μm帯リッジ埋め
込み型半導体レーザ装置の構造の一例を示す断面図であ
る。図において、1はn−GaAs基板,2はn−Ga
Asバッファ層(厚さ1μm),3はAl組成x=0.
48のn−AlGaAs下クラッド層(厚さ1.5μ
m),4はAl組成x=0.1のAlGaAs層,及び
Al組成x=0.35のAlGaAs層が交互に積層さ
れた量子井戸構造からなる活性層,5はAl組成x=
0.48のp−AlGaAs第1上クラッド層(厚さ
0.3μm),6はAl組成x=0.7のp−AlGa
As第2エッチングストッパ層(厚さ0.02μm),
7はAl組成x=0.48のp−AlGaAs第2上ク
ラッド層(厚さ1.2μm),8はp−GaAsキャッ
プ層(厚さ1μm),9はn−GaAs電流ブロック層
(厚さ1μm),10はp−GaAs層(厚さ1.2μ
m),11はp−GaAsコンタクト層(厚さ2μ
m),20はAuGe/Ni/Auからなるn側電極,
21はCr/Auからなるp側電極である。
込み型半導体レーザ装置の構造の一例を示す断面図であ
る。図において、1はn−GaAs基板,2はn−Ga
Asバッファ層(厚さ1μm),3はAl組成x=0.
48のn−AlGaAs下クラッド層(厚さ1.5μ
m),4はAl組成x=0.1のAlGaAs層,及び
Al組成x=0.35のAlGaAs層が交互に積層さ
れた量子井戸構造からなる活性層,5はAl組成x=
0.48のp−AlGaAs第1上クラッド層(厚さ
0.3μm),6はAl組成x=0.7のp−AlGa
As第2エッチングストッパ層(厚さ0.02μm),
7はAl組成x=0.48のp−AlGaAs第2上ク
ラッド層(厚さ1.2μm),8はp−GaAsキャッ
プ層(厚さ1μm),9はn−GaAs電流ブロック層
(厚さ1μm),10はp−GaAs層(厚さ1.2μ
m),11はp−GaAsコンタクト層(厚さ2μ
m),20はAuGe/Ni/Auからなるn側電極,
21はCr/Auからなるp側電極である。
【0003】図8は図7に示された半導体レーザ装置を
製造する方法を示す工程別断面図である。図において、
18はSiO2 膜である。次に、この図の従来装置の製
造方法について説明する。まず、n−GaAs基板1上
に、MOCVD法によりn−GaAsバッファ層2,n
−AlGaAs下クラッド層3,量子井戸活性層4,p
−AlGaAs第1上クラッド層5,p−AlGaAs
エッチングストッパ層6,p−AlGaAs第2上クラ
ッド層7,p−GaAsキャップ層8を順次成長する
(図8(a) )。その後SiO2 膜18をスパッタ法等に
よりp−GaAsキャップ層8上に形成し、これをパタ
ーニングした後、これをマスクとしてNH4 OH+H2
O2 混合液でp−GaAsキャップ層8を除去し、同じ
マスクを用いてウエットエッチングにより第2上クラッ
ド層7を選択的に除去し、この際このウエットエッチン
グをエッチングストッパ層6で停止させる(図8(b)
)。
製造する方法を示す工程別断面図である。図において、
18はSiO2 膜である。次に、この図の従来装置の製
造方法について説明する。まず、n−GaAs基板1上
に、MOCVD法によりn−GaAsバッファ層2,n
−AlGaAs下クラッド層3,量子井戸活性層4,p
−AlGaAs第1上クラッド層5,p−AlGaAs
エッチングストッパ層6,p−AlGaAs第2上クラ
ッド層7,p−GaAsキャップ層8を順次成長する
(図8(a) )。その後SiO2 膜18をスパッタ法等に
よりp−GaAsキャップ層8上に形成し、これをパタ
ーニングした後、これをマスクとしてNH4 OH+H2
O2 混合液でp−GaAsキャップ層8を除去し、同じ
マスクを用いてウエットエッチングにより第2上クラッ
ド層7を選択的に除去し、この際このウエットエッチン
グをエッチングストッパ層6で停止させる(図8(b)
)。
【0004】次に、MOCVD法を用いて、上記第2上
クラッド層7と上記p−GaAsキャップ層8とよりな
るリッジの両側に、n−GaAs電流ブロック層9,p
−GaAs層10を成長する(図8(c) )。
クラッド層7と上記p−GaAsキャップ層8とよりな
るリッジの両側に、n−GaAs電流ブロック層9,p
−GaAs層10を成長する(図8(c) )。
【0005】次に、SiO2 膜18をHF等により除去
し、再びMOCVD法を用いて上記p−GaAsキャッ
プ層8,及び上記p−GaAs層10上に、p−GaA
sコンタクト層11を成長し、その後GaAs基板1の
下面にn側電極20を,p−GaAsコンタクト層11
の上面にp側電極21をそれぞれ形成することにより、
半導体レーザが形成される(図8(d) )。
し、再びMOCVD法を用いて上記p−GaAsキャッ
プ層8,及び上記p−GaAs層10上に、p−GaA
sコンタクト層11を成長し、その後GaAs基板1の
下面にn側電極20を,p−GaAsコンタクト層11
の上面にp側電極21をそれぞれ形成することにより、
半導体レーザが形成される(図8(d) )。
【0006】次に、上記半導体レーザ装置の動作を説明
する。この従来の半導体レーザ装置は0.78μm帯の
AlGaAs半導体レーザ装置であり、p側電極21と
n側電極20との間にp側電極21を正側として電圧を
印加すると、電極21,20から正孔,電子がそれぞれ
p型層11,8,7,6,5及びn型層1,2,3を介
して活性層に注入される。すると、活性層4のバンドギ
ャップが、下クラッド層3及び上クラッド層5,7のバ
ンドギャップより小さく、これにより活性層4の屈折率
が下クラッド層3及び上クラッド層5,7の屈折率より
大きいため、これらのキャリアは活性層4内に閉じ込め
られ、該活性層4内で再結合してレーザ光が発生すると
ともに、発生したレーザ光も該活性層4内に閉じこめら
れる。そして、上記電極20,21間の電流をしきい値
以上とすると、該半導体レーザ装置は発振し、レーザ光
を連続的に出力する。この発生レーザ光の波長は、活性
層4のバンドギャップの逆数に比例したものとなる。そ
こで、この従来の半導体レーザ装置では、活性層4を、
Al組成を変えることにより、そのバンドギャップが変
化するAlGaAs層で構成し、そのAl組成を、発生
レーザ光の波長が0.78μmとなるよう上記の値,即
ち、Al組成x=0.1の層と、Al組成x=0.35
の層との交互の層の構成,に設定している。
する。この従来の半導体レーザ装置は0.78μm帯の
AlGaAs半導体レーザ装置であり、p側電極21と
n側電極20との間にp側電極21を正側として電圧を
印加すると、電極21,20から正孔,電子がそれぞれ
p型層11,8,7,6,5及びn型層1,2,3を介
して活性層に注入される。すると、活性層4のバンドギ
ャップが、下クラッド層3及び上クラッド層5,7のバ
ンドギャップより小さく、これにより活性層4の屈折率
が下クラッド層3及び上クラッド層5,7の屈折率より
大きいため、これらのキャリアは活性層4内に閉じ込め
られ、該活性層4内で再結合してレーザ光が発生すると
ともに、発生したレーザ光も該活性層4内に閉じこめら
れる。そして、上記電極20,21間の電流をしきい値
以上とすると、該半導体レーザ装置は発振し、レーザ光
を連続的に出力する。この発生レーザ光の波長は、活性
層4のバンドギャップの逆数に比例したものとなる。そ
こで、この従来の半導体レーザ装置では、活性層4を、
Al組成を変えることにより、そのバンドギャップが変
化するAlGaAs層で構成し、そのAl組成を、発生
レーザ光の波長が0.78μmとなるよう上記の値,即
ち、Al組成x=0.1の層と、Al組成x=0.35
の層との交互の層の構成,に設定している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は上記のような構成であるから、以下のような問題点
を有する。すなわち、従来の半導体レーザ装置では、
下,及び上クラッド層3,及び5,7を構成するAlG
aAs層の格子定数がGaAs基板1及びGaAsコン
タクト層11のそれより大きいため、該半導体レーザ装
置は結晶内部にストレスを有する。そして、結晶内部の
ストレス量は、格子定数が異なる上記下,上AlGaA
sクラッド層3,5,7の組成,及び厚さに依存する。
上記の発振波長が0.78μmの半導体レーザでは、キ
ャリアのオーバーフローを防止し,温度特性を良くする
ためには、下,及び上クラッド層3,及び5,7のバン
ドギャップを波長にして615nmより短くする,すな
わちバンドギャップを大きくする必要があり、クラッド
層をAlGaAs層で構成する場合には、Al組成をx
=0.47以上とする必要がある。この場合、該下,上
クラッド層のGaAs基板1及びGaAsコンタクト層
11との格子定数差は0.06%以上となる。
置は上記のような構成であるから、以下のような問題点
を有する。すなわち、従来の半導体レーザ装置では、
下,及び上クラッド層3,及び5,7を構成するAlG
aAs層の格子定数がGaAs基板1及びGaAsコン
タクト層11のそれより大きいため、該半導体レーザ装
置は結晶内部にストレスを有する。そして、結晶内部の
ストレス量は、格子定数が異なる上記下,上AlGaA
sクラッド層3,5,7の組成,及び厚さに依存する。
上記の発振波長が0.78μmの半導体レーザでは、キ
ャリアのオーバーフローを防止し,温度特性を良くする
ためには、下,及び上クラッド層3,及び5,7のバン
ドギャップを波長にして615nmより短くする,すな
わちバンドギャップを大きくする必要があり、クラッド
層をAlGaAs層で構成する場合には、Al組成をx
=0.47以上とする必要がある。この場合、該下,上
クラッド層のGaAs基板1及びGaAsコンタクト層
11との格子定数差は0.06%以上となる。
【0008】また上記下,上AlGaAsクラッド層
3,7の外側には、GaAs層1,2,8,11が存在
するが、片側のAlGaAsクラッド層3、5,7の厚
さが1.5μm以下の場合、レーザ光がGaAs層1,
2,8,11にまでしみ出すこととなる。すると、Ga
Asのバンドギャップは、レーザの発振波長に相当する
バンドギャップより小さいため、しみ出したレーザ光が
GaAs層1,2,8,11内で吸収されてしまい、そ
のため発振しきい値が大きくなってしまう。従って、従
来の半導体レーザ装置では、格子定数がGaAs基板1
及びGaAsコンタクト層11と0.06%程度異なる
AlGaAs層3、5,7を、活性層の上下両側で合計
3μmの厚さに形成しなければならず、このため、活性
層4には非常に大きなストレスが導入される。このスト
レスは、高出力動作時に活性層4に結晶欠陥(転移)を
発生させ、これにより、順次、該転移内での注入キャリ
アの再結合,それによる動作電流の増大,該転移の増
殖,及びこれによるさらなる動作電流の増大,を引き起
こす機構でレーザ特性の劣化を引きおこし、その結果、
該半導体レーザ装置の信頼性を低下させることとなる。
3,7の外側には、GaAs層1,2,8,11が存在
するが、片側のAlGaAsクラッド層3、5,7の厚
さが1.5μm以下の場合、レーザ光がGaAs層1,
2,8,11にまでしみ出すこととなる。すると、Ga
Asのバンドギャップは、レーザの発振波長に相当する
バンドギャップより小さいため、しみ出したレーザ光が
GaAs層1,2,8,11内で吸収されてしまい、そ
のため発振しきい値が大きくなってしまう。従って、従
来の半導体レーザ装置では、格子定数がGaAs基板1
及びGaAsコンタクト層11と0.06%程度異なる
AlGaAs層3、5,7を、活性層の上下両側で合計
3μmの厚さに形成しなければならず、このため、活性
層4には非常に大きなストレスが導入される。このスト
レスは、高出力動作時に活性層4に結晶欠陥(転移)を
発生させ、これにより、順次、該転移内での注入キャリ
アの再結合,それによる動作電流の増大,該転移の増
殖,及びこれによるさらなる動作電流の増大,を引き起
こす機構でレーザ特性の劣化を引きおこし、その結果、
該半導体レーザ装置の信頼性を低下させることとなる。
【0009】また、Al組成x=0.7のp−AlGa
As第2エッチングストッパ層6は、上述のウェットエ
ッチングによるリッジ形成時の制御性を向上するために
設けた層であり、この層を設けたことにより目的とする
リッジ形成の制御性は大幅に向上することができるが、
しかるに、この層はAl組成が大きいことからその表面
が非常に酸化されやすく、このため表面に酸化膜が形成
され、その後の結晶成長を困難にしてしまうこととな
る。そのため従来の半導体レーザ装置では、エッチング
ストッパ層6上に成長された電流ブロック層9、GaA
s層10、及びコンタクト層11は、結晶欠陥(転移)
密度が非常に大きい(100万/cm2 )ものとなる。そ
して、この転移は、上クラッド層5からしみ出したレー
ザ光の該転移内での吸収、該転移の増殖といった機構を
通してレーザ特性の劣化を引きおこし、その結果、該半
導体レーザ装置の信頼性を低下させることとなる。
As第2エッチングストッパ層6は、上述のウェットエ
ッチングによるリッジ形成時の制御性を向上するために
設けた層であり、この層を設けたことにより目的とする
リッジ形成の制御性は大幅に向上することができるが、
しかるに、この層はAl組成が大きいことからその表面
が非常に酸化されやすく、このため表面に酸化膜が形成
され、その後の結晶成長を困難にしてしまうこととな
る。そのため従来の半導体レーザ装置では、エッチング
ストッパ層6上に成長された電流ブロック層9、GaA
s層10、及びコンタクト層11は、結晶欠陥(転移)
密度が非常に大きい(100万/cm2 )ものとなる。そ
して、この転移は、上クラッド層5からしみ出したレー
ザ光の該転移内での吸収、該転移の増殖といった機構を
通してレーザ特性の劣化を引きおこし、その結果、該半
導体レーザ装置の信頼性を低下させることとなる。
【0010】一方、結晶内部ストレスが生じる問題は
下,上AlGaAsクラッド層3、5,7の格子定数が
GaAs基板1及びGaAsコンタクト層11より大き
いことによるものであることから、この問題の解決策と
して、GaAs基板1及びGaAsコンタクト層11と
同じ格子定数を有するInGaPまたはAlInGaP
によりクラッド層を構成することが考えられる。しかし
ながら、InGaPは、バンドギャップが波長にして約
650nmであり、上述のキャリアのオーバーフローを
防止するに必要な,波長にして615nmのバンドギャ
ップより小さいことから、キャリアのオーバーフローに
よりレーザの温度特性が劣化してしまうこととなる。ま
たAlInGaPは、結晶成長時に結晶中に酸素を非常
に取り込みやすく、高品位な結晶成長が困難であり、ま
たp型のキャリア濃度を大きくできない,等の問題があ
る。
下,上AlGaAsクラッド層3、5,7の格子定数が
GaAs基板1及びGaAsコンタクト層11より大き
いことによるものであることから、この問題の解決策と
して、GaAs基板1及びGaAsコンタクト層11と
同じ格子定数を有するInGaPまたはAlInGaP
によりクラッド層を構成することが考えられる。しかし
ながら、InGaPは、バンドギャップが波長にして約
650nmであり、上述のキャリアのオーバーフローを
防止するに必要な,波長にして615nmのバンドギャ
ップより小さいことから、キャリアのオーバーフローに
よりレーザの温度特性が劣化してしまうこととなる。ま
たAlInGaPは、結晶成長時に結晶中に酸素を非常
に取り込みやすく、高品位な結晶成長が困難であり、ま
たp型のキャリア濃度を大きくできない,等の問題があ
る。
【0011】またブロック層9の結晶欠陥の問題は、A
l組成が大きく表面酸化が生じやすい結晶からなるエッ
チングストッパ層6上に再成長することにより生じる。
そこで、この問題を解決するため、エッチングストッパ
層6の直下にGaAs層又はAl組成の小さなAlGa
As層を導入し、Al組成の大きな(x=0.7)エッ
チングストッパ層6をHClで選択的に除去すること等
が検討されているが、導入した層のバンドギャップが小
さく屈折率が大きいことから、発生レーザ光の吸収によ
る半導体レーザ装置の特性劣化を生じさせないために
は、導入する層の層厚をGaAsの場合で20オングス
トローム以下、Al組成x=0.2のAlGaAsの場
合で50オングストローム以下という非常に薄いものに
しなければならない。そして、層厚をこのように非常に
薄くした場合は、エッチングストッパ層6を選択的に除
去することが困難になるという問題点があった。
l組成が大きく表面酸化が生じやすい結晶からなるエッ
チングストッパ層6上に再成長することにより生じる。
そこで、この問題を解決するため、エッチングストッパ
層6の直下にGaAs層又はAl組成の小さなAlGa
As層を導入し、Al組成の大きな(x=0.7)エッ
チングストッパ層6をHClで選択的に除去すること等
が検討されているが、導入した層のバンドギャップが小
さく屈折率が大きいことから、発生レーザ光の吸収によ
る半導体レーザ装置の特性劣化を生じさせないために
は、導入する層の層厚をGaAsの場合で20オングス
トローム以下、Al組成x=0.2のAlGaAsの場
合で50オングストローム以下という非常に薄いものに
しなければならない。そして、層厚をこのように非常に
薄くした場合は、エッチングストッパ層6を選択的に除
去することが困難になるという問題点があった。
【0012】本発明は上記のような問題点を解消するた
めなされたもので、半導体レーザ装置を構成する結晶内
部のストレス,及び結晶欠陥密度を低減することによ
り、レーザ特性の劣化を防止し、信頼性を大きく向上す
ることのできる半導体レーザ装置,及びその製造方法を
提供することを目的としている。
めなされたもので、半導体レーザ装置を構成する結晶内
部のストレス,及び結晶欠陥密度を低減することによ
り、レーザ特性の劣化を防止し、信頼性を大きく向上す
ることのできる半導体レーザ装置,及びその製造方法を
提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、第1導電型のGaAs基板と、該GaAs基
板上に該GaAs基板と格子整合するよう形成された、
あるバンドギャップを有する第1導電型の第1下クラッ
ド層と、該第1下クラッド層上に形成された、該第1下
クラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップ
を有する第1導電型のAlGaAsからなる,第2下ク
ラッド層と、該第2下クラッド層上に形成された、上記
第1下クラッド層のバンドギャップより小さいバンドギ
ャップを有する活性層と、該活性層上に形成された、あ
るバンドギャップを有する第2導電型のAlGaAsか
らなる第2上クラッド層と、該第2上クラッド層上に形
成された、上記第1下クラッド層の格子定数に等しい格
子定数を有し,かつ上記活性層のバンドギャップより大
きく、上記第2上クラッド層のバンドギャップより小さ
いバンドギャップを有する,第2導電型の第1上クラッ
ド層と、該第1上クラッド層上に形成された、第2導電
型のGaAsコンタクト層とを備えたものである。
ザ装置は、第1導電型のGaAs基板と、該GaAs基
板上に該GaAs基板と格子整合するよう形成された、
あるバンドギャップを有する第1導電型の第1下クラッ
ド層と、該第1下クラッド層上に形成された、該第1下
クラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップ
を有する第1導電型のAlGaAsからなる,第2下ク
ラッド層と、該第2下クラッド層上に形成された、上記
第1下クラッド層のバンドギャップより小さいバンドギ
ャップを有する活性層と、該活性層上に形成された、あ
るバンドギャップを有する第2導電型のAlGaAsか
らなる第2上クラッド層と、該第2上クラッド層上に形
成された、上記第1下クラッド層の格子定数に等しい格
子定数を有し,かつ上記活性層のバンドギャップより大
きく、上記第2上クラッド層のバンドギャップより小さ
いバンドギャップを有する,第2導電型の第1上クラッ
ド層と、該第1上クラッド層上に形成された、第2導電
型のGaAsコンタクト層とを備えたものである。
【0014】また、本発明に係る半導体レーザ装置は、
上記第1下クラッド層が、第1導電型のInGaPから
なり、上記第1上クラッド層が、第2導電型のInGa
Pからなるものである。
上記第1下クラッド層が、第1導電型のInGaPから
なり、上記第1上クラッド層が、第2導電型のInGa
Pからなるものである。
【0015】また、本発明に係る半導体レーザ装置は、
上記第2上クラッド層,及び第2下クラッド層の厚さ
が、それぞれ0.1μm〜0.5μmであるものであ
る。
上記第2上クラッド層,及び第2下クラッド層の厚さ
が、それぞれ0.1μm〜0.5μmであるものであ
る。
【0016】また、本発明に係る半導体レーザ装置は、
第1導電型の半導体基板上に形成された、あるバンドギ
ャップを有する,第1導電型の下クラッド層と、該下ク
ラッド層上に形成された、そのバンドギャップが上記下
クラッド層のバンドギャップより小さいものである活性
層と、該活性層上に形成された、該活性層のバンドギャ
ップより大きいバンドギャップを有する第2導電型の第
1上クラッド層と、該第1上クラッド層上に形成され
た、上記活性層のバンドギャップより大きいバンドギャ
ップを有する第2導電型のInGaPからなる,第1エ
ッチングストッパ層と、該第1エッチングストッパ層上
の一部の領域に形成された第2導電型の第2エッチング
ストッパ層と、該第2エッチングストッパ層上にリッジ
状に形成された第2導電型の第2上クラッド層と、上記
第2エッチングストッパ層,及び第2上クラッド層の両
側を埋めるように上記第1エッチングストッパ層上に形
成された第1導電型の電流ブロック層とを備え、上記第
2エッングストッパ層が、上記活性層よりバンドギャッ
プが大きく,上記第2上クラッド層のエッチングに対し
耐性を有し,かつそのエッチングにより上記第1エッチ
ングストッパ層を浸食しないよう選択除去可能な材料か
らなるものである。
第1導電型の半導体基板上に形成された、あるバンドギ
ャップを有する,第1導電型の下クラッド層と、該下ク
ラッド層上に形成された、そのバンドギャップが上記下
クラッド層のバンドギャップより小さいものである活性
層と、該活性層上に形成された、該活性層のバンドギャ
ップより大きいバンドギャップを有する第2導電型の第
1上クラッド層と、該第1上クラッド層上に形成され
た、上記活性層のバンドギャップより大きいバンドギャ
ップを有する第2導電型のInGaPからなる,第1エ
ッチングストッパ層と、該第1エッチングストッパ層上
の一部の領域に形成された第2導電型の第2エッチング
ストッパ層と、該第2エッチングストッパ層上にリッジ
状に形成された第2導電型の第2上クラッド層と、上記
第2エッチングストッパ層,及び第2上クラッド層の両
側を埋めるように上記第1エッチングストッパ層上に形
成された第1導電型の電流ブロック層とを備え、上記第
2エッングストッパ層が、上記活性層よりバンドギャッ
プが大きく,上記第2上クラッド層のエッチングに対し
耐性を有し,かつそのエッチングにより上記第1エッチ
ングストッパ層を浸食しないよう選択除去可能な材料か
らなるものである。
【0017】また、本発明に係る半導体レーザ装置は、
上記第2上クラッド層が、InGaPからなり、上記第
2エッチングストッパ層が、AlGaAsからなるもの
である。
上記第2上クラッド層が、InGaPからなり、上記第
2エッチングストッパ層が、AlGaAsからなるもの
である。
【0018】また、本発明に係る半導体レーザ装置は、
上記第2エッチングストッパ層が、Al組成xが0.3
≦x≦0.5のAlx Ga1-x Asからなるものであ
る。
上記第2エッチングストッパ層が、Al組成xが0.3
≦x≦0.5のAlx Ga1-x Asからなるものであ
る。
【0019】また、本発明に係る半導体レーザ装置は、
上記第2上クラッド層がAlGaAsからなり、上記第
2エッチングストッパ層がAl組成xが0.6以上であ
るAlx Ga1-x Asからなるものである。
上記第2上クラッド層がAlGaAsからなり、上記第
2エッチングストッパ層がAl組成xが0.6以上であ
るAlx Ga1-x Asからなるものである。
【0020】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型
のInGaPからなる第1下クラッド層、該第1下クラ
ッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有
する第1導電型のAlGaAsからなる第2下クラッド
層、該第2下クラッド層のバンドギャップより小さいバ
ンドギャップを有する活性層、該活性層のバンドギャッ
プより大きいバンドギャップを有する第2導電型のAl
GaAsからなる第2上クラッド層、該第2上クラッド
層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する
第2導電型のInGaPからなる第1上クラッド層を、
順次エピタキシャル成長させる工程と、上記第1上クラ
ッド層上にGaAsコンタクト層をエピタキシャル成長
させる工程とを含むものである。
造方法は、第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型
のInGaPからなる第1下クラッド層、該第1下クラ
ッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有
する第1導電型のAlGaAsからなる第2下クラッド
層、該第2下クラッド層のバンドギャップより小さいバ
ンドギャップを有する活性層、該活性層のバンドギャッ
プより大きいバンドギャップを有する第2導電型のAl
GaAsからなる第2上クラッド層、該第2上クラッド
層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する
第2導電型のInGaPからなる第1上クラッド層を、
順次エピタキシャル成長させる工程と、上記第1上クラ
ッド層上にGaAsコンタクト層をエピタキシャル成長
させる工程とを含むものである。
【0021】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、上記の第1下クラッド層から第1上クラッド
層までをエピタキシャル成長させる工程の後、上記第2
上クラッド層をエッチングにより選択的に除去してリッ
ジを形成する工程を含むものである。
造方法は、上記の第1下クラッド層から第1上クラッド
層までをエピタキシャル成長させる工程の後、上記第2
上クラッド層をエッチングにより選択的に除去してリッ
ジを形成する工程を含むものである。
【0022】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、上記エッチング剤としてHClとH2 Oから
なる混合液を用いるものである。
造方法は、上記エッチング剤としてHClとH2 Oから
なる混合液を用いるものである。
【0023】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、半導体基板上に、第1導電型の下クラッド
層、活性層、第2導電型の第1上クラッド層、第2導電
型のInGaPからなる第1エッチングストッパ層、第
2エッチングストッパ層、第2導電型の第2上クラッド
層を順次エピタキシャル成長させる工程と、上記第2上
クラッド層をエッチング剤を用いて選択的に除去し、上
記第2エッチングストッパ層上の所定の領域にリッジを
形成する工程と、上記第2エッチングストッパ層の上記
リッジが形成された領域以外の領域部分を、エッチング
により選択的に除去する工程と、上記第2エッチングス
トッパ層のエッチングにより露出した上記第1エッチン
グストッパ層上に,上記第2エッチングストッパ層,及
び上記リッジの両側を埋めるように、第1導電型の電流
ブロック層をエピタキシャル成長させる工程とを含むも
のである。
造方法は、半導体基板上に、第1導電型の下クラッド
層、活性層、第2導電型の第1上クラッド層、第2導電
型のInGaPからなる第1エッチングストッパ層、第
2エッチングストッパ層、第2導電型の第2上クラッド
層を順次エピタキシャル成長させる工程と、上記第2上
クラッド層をエッチング剤を用いて選択的に除去し、上
記第2エッチングストッパ層上の所定の領域にリッジを
形成する工程と、上記第2エッチングストッパ層の上記
リッジが形成された領域以外の領域部分を、エッチング
により選択的に除去する工程と、上記第2エッチングス
トッパ層のエッチングにより露出した上記第1エッチン
グストッパ層上に,上記第2エッチングストッパ層,及
び上記リッジの両側を埋めるように、第1導電型の電流
ブロック層をエピタキシャル成長させる工程とを含むも
のである。
【0024】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、上記第2上クラッド層がInGaPからな
り、上記第2エッチングストッパ層がAlGaAsから
なり、上記第2上クラッド層のエッチング剤としてHC
lとH2 Oからなる混合液を用い、上記第2エッチング
ストッパ層のエッチング剤としてHFを用いるものであ
る。
造方法は、上記第2上クラッド層がInGaPからな
り、上記第2エッチングストッパ層がAlGaAsから
なり、上記第2上クラッド層のエッチング剤としてHC
lとH2 Oからなる混合液を用い、上記第2エッチング
ストッパ層のエッチング剤としてHFを用いるものであ
る。
【0025】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、上記第2上クラッド層がAlGaAsからな
り、上記第2エッチングストッパ層がAl組成xが0.
6以上であるAlx Ga1-x Asからなり、上記第2上
クラッド層のエッチング剤として酒石酸と過酸化水素か
らなるエッチング液を用い、上記第2エッチングストッ
パ層のエッチング剤としてHF+H2 O溶液を用いるも
のである。
造方法は、上記第2上クラッド層がAlGaAsからな
り、上記第2エッチングストッパ層がAl組成xが0.
6以上であるAlx Ga1-x Asからなり、上記第2上
クラッド層のエッチング剤として酒石酸と過酸化水素か
らなるエッチング液を用い、上記第2エッチングストッ
パ層のエッチング剤としてHF+H2 O溶液を用いるも
のである。
【0026】
実施の形態1.本発明の実施の形態1を図1を用いて説
明する。図1は本実施の形態1による半導体レーザ装置
の構造を示す断面図である。図において、本実施の形態
1による半導体レーザ装置は、第1導電型のGaAs基
板101と、該GaAs基板101上に該GaAs基板
101と格子整合するよう形成された、あるバンドギャ
ップを有する第1導電型の第1下クラッド層112と、
該第1下クラッド層112上に形成された、該第1下ク
ラッド層112のバンドギャップより大きいバンドギャ
ップを有する第1導電型のAlGaAsからなる,第2
下クラッド層113と、該第2下クラッド層113上に
形成された、上記第1下クラッド層112のバンドギャ
ップより小さいバンドギャップを有する活性層104
と、該活性層104上に形成された、あるバンドギャッ
プを有する第2導電型のAlGaAsからなる第2上ク
ラッド層114と、該第2上クラッド層114上に形成
された、上記GaAs基板101と格子整合し,かつ上
記活性層104のバンドギャップより大きく、上記第2
上クラッド層114のバンドギャップより小さいバンド
ギャップを有する,第2導電型の第1上クラッド層11
7と、該第1上クラッド層117上に形成された、第2
導電型のGaAsコンタクト層111とを備えたもので
ある。
明する。図1は本実施の形態1による半導体レーザ装置
の構造を示す断面図である。図において、本実施の形態
1による半導体レーザ装置は、第1導電型のGaAs基
板101と、該GaAs基板101上に該GaAs基板
101と格子整合するよう形成された、あるバンドギャ
ップを有する第1導電型の第1下クラッド層112と、
該第1下クラッド層112上に形成された、該第1下ク
ラッド層112のバンドギャップより大きいバンドギャ
ップを有する第1導電型のAlGaAsからなる,第2
下クラッド層113と、該第2下クラッド層113上に
形成された、上記第1下クラッド層112のバンドギャ
ップより小さいバンドギャップを有する活性層104
と、該活性層104上に形成された、あるバンドギャッ
プを有する第2導電型のAlGaAsからなる第2上ク
ラッド層114と、該第2上クラッド層114上に形成
された、上記GaAs基板101と格子整合し,かつ上
記活性層104のバンドギャップより大きく、上記第2
上クラッド層114のバンドギャップより小さいバンド
ギャップを有する,第2導電型の第1上クラッド層11
7と、該第1上クラッド層117上に形成された、第2
導電型のGaAsコンタクト層111とを備えたもので
ある。
【0027】本実施の形態1による半導体レーザ装置に
おいては、クラッド層を2層構造としている。すなわ
ち、まず、GaAs基板101上に、これと格子整合
し、かつ活性層104より大きいバンドギャップを有す
る第1下クラッド層112を配置し、コンタクト層11
1の下側にキャップ層8を介して第1下クラッド層11
2に等しいバンドギャップを有し,かつ上記GaAs基
板101に格子整合した,すなわちコンタクト層111
に格子整合した,第1上クラッド層117を配置してい
る。これにより、結晶内部のストレスを低減することが
可能となる。
おいては、クラッド層を2層構造としている。すなわ
ち、まず、GaAs基板101上に、これと格子整合
し、かつ活性層104より大きいバンドギャップを有す
る第1下クラッド層112を配置し、コンタクト層11
1の下側にキャップ層8を介して第1下クラッド層11
2に等しいバンドギャップを有し,かつ上記GaAs基
板101に格子整合した,すなわちコンタクト層111
に格子整合した,第1上クラッド層117を配置してい
る。これにより、結晶内部のストレスを低減することが
可能となる。
【0028】一方、第1下クラッド層112上に、該第
1下クラッド層112より大きいバンドギャップを有す
るAlGaAs第2下クラッド層113を、第1上クラ
ッド層117の下に、該第1上クラッド層117より大
きいバンドギャップを有するAlGaAs第2上クラッ
ド層114を、それぞれ配置している。AlGaAs
は、格子定数を小さくすることとバンドギャップを大き
くすることとは両立しないが、このように2層構造を採
用することにより、第2下クラッド層113,及び第2
上クラッド層114は格子定数よりバンドギャップの大
きさを優先して考慮すればよいこととなる。従って、こ
れら第2下クラッド層113,及び第2上クラッド層1
14のバンドギャップをキャリアのオーバーフローを防
止するに十分な大きさに選択することにより、キャリア
のオーバーフローを防止することが可能となる。
1下クラッド層112より大きいバンドギャップを有す
るAlGaAs第2下クラッド層113を、第1上クラ
ッド層117の下に、該第1上クラッド層117より大
きいバンドギャップを有するAlGaAs第2上クラッ
ド層114を、それぞれ配置している。AlGaAs
は、格子定数を小さくすることとバンドギャップを大き
くすることとは両立しないが、このように2層構造を採
用することにより、第2下クラッド層113,及び第2
上クラッド層114は格子定数よりバンドギャップの大
きさを優先して考慮すればよいこととなる。従って、こ
れら第2下クラッド層113,及び第2上クラッド層1
14のバンドギャップをキャリアのオーバーフローを防
止するに十分な大きさに選択することにより、キャリア
のオーバーフローを防止することが可能となる。
【0029】そして、この2層からなるクラッド層に
は、活性層104で発生したレーザ光の,GaAs基板
1,キャップ層108,及びコンタクト層111へのし
み出しを防止するに十分な一定の厚みが要求されるが、
上記のオーバーフローを防止する効果は第2下クラッド
層113,及び第2上クラッド層114の厚みを薄くし
ても十分発揮され、一方、第2下クラッド層113,及
び第2上クラッド層114の格子定数が大きいことによ
り結晶内に生じるストレスの量はその厚みに依存する。
従って、第2下クラッド層113,及び第2上クラッド
層114の厚みを可能な限り薄くし、その分第1下クラ
ッド層112,及び第1上クラッド層117の厚みを厚
くすることにより、従来困難であった,キャリアのオー
バーフローを防止しつつ結晶内部のストレスを効果的に
低減することが可能となる。その結果、本実施の形態1
による半導体レーザ装置においては、活性層104に導
入されるストレスが低減され、これにより、高出力動作
時にも結晶欠陥を発生せず、従来生じていたような,結
晶欠陥により引きおこされるレーザ特性の劣化が防止さ
れ、その信頼性が向上する効果が得られる。
は、活性層104で発生したレーザ光の,GaAs基板
1,キャップ層108,及びコンタクト層111へのし
み出しを防止するに十分な一定の厚みが要求されるが、
上記のオーバーフローを防止する効果は第2下クラッド
層113,及び第2上クラッド層114の厚みを薄くし
ても十分発揮され、一方、第2下クラッド層113,及
び第2上クラッド層114の格子定数が大きいことによ
り結晶内に生じるストレスの量はその厚みに依存する。
従って、第2下クラッド層113,及び第2上クラッド
層114の厚みを可能な限り薄くし、その分第1下クラ
ッド層112,及び第1上クラッド層117の厚みを厚
くすることにより、従来困難であった,キャリアのオー
バーフローを防止しつつ結晶内部のストレスを効果的に
低減することが可能となる。その結果、本実施の形態1
による半導体レーザ装置においては、活性層104に導
入されるストレスが低減され、これにより、高出力動作
時にも結晶欠陥を発生せず、従来生じていたような,結
晶欠陥により引きおこされるレーザ特性の劣化が防止さ
れ、その信頼性が向上する効果が得られる。
【0030】実施の形態2.本発明の実施の形態2を図
2を用いて説明する。図2は本実施の形態2による半導
体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図1と同一符
号は同一又は相当部分である。図において、本実施の形
態2による半導体レーザ装置は、第1導電型の半導体基
板101上に形成された、あるバンドギャップを有す
る,第1導電型の下クラッド層103と、該下クラッド
層103上に形成された、そのバンドギャップが上記下
クラッド層103のバンドギャップより小さいものであ
る活性層104と、該活性層104上に形成された、該
活性層104のバンドギャップより大きいバンドギャッ
プを有する第2導電型の第1上クラッド層105と、該
第1上クラッド層105上に形成された、上記活性層1
04のバンドギャップより大きいバンドギャップを有す
る第2導電型のInGaPからなる,第1エッチングス
トッパ層115と、該第1エッチングストッパ層115
上の一部の領域に形成された第2導電型の第2エッチン
グストッパ層116と、該第2エッチングストッパ層1
16上にリッジ状に形成された第2導電型の第2上クラ
ッド層107と、上記第2エッチングストッパ層11
6,及び第2上クラッド層107の両側を埋めるように
上記第1エッチングストッパ層115上に形成された第
1導電型の電流ブロック層109とを備え、上記第2エ
ッングストッパ層116が、上記活性層104よりバン
ドギャップが大きく,上記第2上クラッド層107のエ
ッチングに対し耐性を有し,かつそのエッチングにより
上記第1エッチングストッパ層115を浸食しないよう
選択除去可能な材料からなるものである。
2を用いて説明する。図2は本実施の形態2による半導
体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図1と同一符
号は同一又は相当部分である。図において、本実施の形
態2による半導体レーザ装置は、第1導電型の半導体基
板101上に形成された、あるバンドギャップを有す
る,第1導電型の下クラッド層103と、該下クラッド
層103上に形成された、そのバンドギャップが上記下
クラッド層103のバンドギャップより小さいものであ
る活性層104と、該活性層104上に形成された、該
活性層104のバンドギャップより大きいバンドギャッ
プを有する第2導電型の第1上クラッド層105と、該
第1上クラッド層105上に形成された、上記活性層1
04のバンドギャップより大きいバンドギャップを有す
る第2導電型のInGaPからなる,第1エッチングス
トッパ層115と、該第1エッチングストッパ層115
上の一部の領域に形成された第2導電型の第2エッチン
グストッパ層116と、該第2エッチングストッパ層1
16上にリッジ状に形成された第2導電型の第2上クラ
ッド層107と、上記第2エッチングストッパ層11
6,及び第2上クラッド層107の両側を埋めるように
上記第1エッチングストッパ層115上に形成された第
1導電型の電流ブロック層109とを備え、上記第2エ
ッングストッパ層116が、上記活性層104よりバン
ドギャップが大きく,上記第2上クラッド層107のエ
ッチングに対し耐性を有し,かつそのエッチングにより
上記第1エッチングストッパ層115を浸食しないよう
選択除去可能な材料からなるものである。
【0031】本実施の形態2による半導体レーザ装置に
おいては、InGaPからなる第1エッチングストッパ
層115上に電流ブロック層109が形成されている。
従って、MOCVD法により電流ブロック層109を成
長する際、基板の表面が、酸化しにくいInGaPとな
り、従来のようにその表面酸化がないので、結晶成長が
飛躍的に容易となり、電流ブロック層109中の結晶欠
陥密度を大幅に低減することができる。また、InGa
Pからなる第1エッチングストッパ層115は、活性層
104で発生するレーザ光の波長に相当するバンドギャ
ップより大きなバンドギャップを有し、かつ屈折率も十
分小さいため、レーザ光を吸収してレーザ特性を低下さ
せるようなことはない。その結果、本実施の形態2によ
る半導体レーザ装置においては、動作時に、従来生じて
いたような,第1上クラッド層105からしみ出したレ
ーザ光による転移内での吸収、該転移の増殖といった機
構を通してのレーザ特性の劣化が防止され、その信頼性
が向上する効果が得られる。
おいては、InGaPからなる第1エッチングストッパ
層115上に電流ブロック層109が形成されている。
従って、MOCVD法により電流ブロック層109を成
長する際、基板の表面が、酸化しにくいInGaPとな
り、従来のようにその表面酸化がないので、結晶成長が
飛躍的に容易となり、電流ブロック層109中の結晶欠
陥密度を大幅に低減することができる。また、InGa
Pからなる第1エッチングストッパ層115は、活性層
104で発生するレーザ光の波長に相当するバンドギャ
ップより大きなバンドギャップを有し、かつ屈折率も十
分小さいため、レーザ光を吸収してレーザ特性を低下さ
せるようなことはない。その結果、本実施の形態2によ
る半導体レーザ装置においては、動作時に、従来生じて
いたような,第1上クラッド層105からしみ出したレ
ーザ光による転移内での吸収、該転移の増殖といった機
構を通してのレーザ特性の劣化が防止され、その信頼性
が向上する効果が得られる。
【0032】また、本実施の形態2による半導体レーザ
装置においては、第1エッチングストッパ層115上
に、第2エッチングストッパ層116が配置され、かつ
該第2エッチングストッパ層116は、第2上クラッド
層107のエッチングに対し耐性を有し,かつそのエッ
チングにより第1エッチングストッパ層115を浸食し
ないよう選択除去可能な材料で構成されている。従っ
て、リッジ形成時には第2上クラッド層107のみを選
択的に除去して、リッジ形成の制御性を高めることがで
きるとともに、その後、第2エッチングストッパ層11
6のみを選択的に除去することにより、上記の電流ブロ
ック層109における結晶欠陥低減の効果が得られるよ
う、基板の表面をInGaPからなる第1エッチングス
トッパ層115とすることができる効果が得られる。
装置においては、第1エッチングストッパ層115上
に、第2エッチングストッパ層116が配置され、かつ
該第2エッチングストッパ層116は、第2上クラッド
層107のエッチングに対し耐性を有し,かつそのエッ
チングにより第1エッチングストッパ層115を浸食し
ないよう選択除去可能な材料で構成されている。従っ
て、リッジ形成時には第2上クラッド層107のみを選
択的に除去して、リッジ形成の制御性を高めることがで
きるとともに、その後、第2エッチングストッパ層11
6のみを選択的に除去することにより、上記の電流ブロ
ック層109における結晶欠陥低減の効果が得られるよ
う、基板の表面をInGaPからなる第1エッチングス
トッパ層115とすることができる効果が得られる。
【0033】実施例1.実施の形態1,2による一実施
例を図3及び図4を用いて説明する。まず、構成を図3
により説明する。図3は本実施例1による半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。図において、1はn−
GaAs基板であり、該n−GaAs基板1上には、n
−GaAsバッファ層(厚さ1μm)2が配置される。
該n−GaAsバッファ層2上には、n−InGaP第
1下クラッド層(厚さ1.5μm)12が配置される。
該n−InGaP第1下クラッド層12上には、Al組
成x=0.48のn−AlGaAs第2下クラッド層
(厚さ0.3μm)13が配置される。該n−AlGa
As第2下クラッド層13上には、Al組成x=0.1
のAlGaAs層及びAl組成x=0.35のAlGa
As層が交互に積層された量子井戸構造からなる活性層
4が配置される。該活性層4上には、Al組成x=0.
48のp−AlGaAs第2上クラッド層(厚さ0.3
μm)14が配置される。該p−AlGaAs第2上ク
ラッド層14上には、p−InGaP第1エッチングス
トッパ層(厚さ0.02μm)15が配置される。該p
−InGaP第1エッチングストッパ層15の一部領域
には、Al組成x=0.48のp−AlGaAs第2エ
ッチングストッパ層(厚さ0.02μm)16、p−I
nGaP第1上クラッド層(厚さ1.5μm)17、p
−GaAsキャップ層(厚さ0.1μm)8がリッジを
形成するように配置されている。上記p−InGaP第
1エッチングストッパ層15上の,上記リッジが形成さ
れた領域以外の領域部分には、該リッジを埋めるよう
に、n−GaAs電流ブロック層(厚さ1μm)9、及
びp−GaAs層(厚さ0.6μm)10が順次積層さ
れるように配置されている。該p−GaAs層10及び
p−GaAsキャップ層8上には、p−GaAsコンタ
クト層(厚さ2μm)11が配置されている。そして、
該p−GaAsコンタクト層の上面にはCr/Auから
なるp側電極21が、n−GaAs基板1の下面には、
AuGe/Ni/Auからなるn側電極20がそれぞれ
配置されている。
例を図3及び図4を用いて説明する。まず、構成を図3
により説明する。図3は本実施例1による半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。図において、1はn−
GaAs基板であり、該n−GaAs基板1上には、n
−GaAsバッファ層(厚さ1μm)2が配置される。
該n−GaAsバッファ層2上には、n−InGaP第
1下クラッド層(厚さ1.5μm)12が配置される。
該n−InGaP第1下クラッド層12上には、Al組
成x=0.48のn−AlGaAs第2下クラッド層
(厚さ0.3μm)13が配置される。該n−AlGa
As第2下クラッド層13上には、Al組成x=0.1
のAlGaAs層及びAl組成x=0.35のAlGa
As層が交互に積層された量子井戸構造からなる活性層
4が配置される。該活性層4上には、Al組成x=0.
48のp−AlGaAs第2上クラッド層(厚さ0.3
μm)14が配置される。該p−AlGaAs第2上ク
ラッド層14上には、p−InGaP第1エッチングス
トッパ層(厚さ0.02μm)15が配置される。該p
−InGaP第1エッチングストッパ層15の一部領域
には、Al組成x=0.48のp−AlGaAs第2エ
ッチングストッパ層(厚さ0.02μm)16、p−I
nGaP第1上クラッド層(厚さ1.5μm)17、p
−GaAsキャップ層(厚さ0.1μm)8がリッジを
形成するように配置されている。上記p−InGaP第
1エッチングストッパ層15上の,上記リッジが形成さ
れた領域以外の領域部分には、該リッジを埋めるよう
に、n−GaAs電流ブロック層(厚さ1μm)9、及
びp−GaAs層(厚さ0.6μm)10が順次積層さ
れるように配置されている。該p−GaAs層10及び
p−GaAsキャップ層8上には、p−GaAsコンタ
クト層(厚さ2μm)11が配置されている。そして、
該p−GaAsコンタクト層の上面にはCr/Auから
なるp側電極21が、n−GaAs基板1の下面には、
AuGe/Ni/Auからなるn側電極20がそれぞれ
配置されている。
【0034】ここで、第1下クラッド層12及び第1上
クラッド層17を構成するInGaPの組成は、Inx
Ga1-x Pとして、x=0.499±0.0065の範
囲内とするのが望ましい。この範囲内において、基板1
及びコンタクト層11を構成するGaAsに対する格子
不整合度 Δa/a0 <|1×10-3| が保証され、実質的に第1下クラッド層12が基板1
に,第1上クラッド層17がコンタクト層11にそれぞ
れ格子整合しているものとみなすことができるからであ
る。ここでΔaは基板1又はコンタクト層11の表面と
垂直な方向での基板1又はコンタクト層11と第1下ク
ラッド層12又は第1上クラッド層17との格子定数の
差、a0 は基板1及びコンタクト層11の格子定数であ
る。
クラッド層17を構成するInGaPの組成は、Inx
Ga1-x Pとして、x=0.499±0.0065の範
囲内とするのが望ましい。この範囲内において、基板1
及びコンタクト層11を構成するGaAsに対する格子
不整合度 Δa/a0 <|1×10-3| が保証され、実質的に第1下クラッド層12が基板1
に,第1上クラッド層17がコンタクト層11にそれぞ
れ格子整合しているものとみなすことができるからであ
る。ここでΔaは基板1又はコンタクト層11の表面と
垂直な方向での基板1又はコンタクト層11と第1下ク
ラッド層12又は第1上クラッド層17との格子定数の
差、a0 は基板1及びコンタクト層11の格子定数であ
る。
【0035】本実施例1においては、上記のように、ク
ラッド層として、活性層4の上下両側に,活性層のバン
ドギャップに対し注入キャリアのオーバーフローを防止
するに十分な大きさのバンドギャップを有し,かつその
厚みが0.3μmである,Al組成x=0.48のAl
GaAsからなる第2下クラッド層13,第2上クラッ
ド14を設け、さらにその外側にGaAs基板1に等し
い格子定数を有し,かつその厚みが1.5μmであるI
nGaPからなる第1下クラッド層12,第1上クラッ
ド層17を設けたから、第1下クラッド層12がGaA
s基板1と,第1上クラッド層17がGaAsコンタク
ト層11とそれぞれ格子整合し、かつ格子定数の大きな
AlGaAsからなる第2下クラッド層13,第2上ク
ラッド14の厚みが従来の1.5μmに比べて薄く、結
晶内部のストレス量を低減することができる。
ラッド層として、活性層4の上下両側に,活性層のバン
ドギャップに対し注入キャリアのオーバーフローを防止
するに十分な大きさのバンドギャップを有し,かつその
厚みが0.3μmである,Al組成x=0.48のAl
GaAsからなる第2下クラッド層13,第2上クラッ
ド14を設け、さらにその外側にGaAs基板1に等し
い格子定数を有し,かつその厚みが1.5μmであるI
nGaPからなる第1下クラッド層12,第1上クラッ
ド層17を設けたから、第1下クラッド層12がGaA
s基板1と,第1上クラッド層17がGaAsコンタク
ト層11とそれぞれ格子整合し、かつ格子定数の大きな
AlGaAsからなる第2下クラッド層13,第2上ク
ラッド14の厚みが従来の1.5μmに比べて薄く、結
晶内部のストレス量を低減することができる。
【0036】一方、InGaPからなる第1下クラッド
層12,及び第1上クラッド層17のバンドギャップ
は、活性層4のバンドギャップに対し注入キャリアのオ
ーバーフローを防止するに不十分な大きさであるが、活
性層4の両側にバンドギャップの大きいAlGaAs層
からなる第2下クラッド層13,及び第2上クラッド1
4が設けられているので、この注入キャリアのオーバー
フローを防止することができる。ここで、キャリアオー
バーフロー防止のためのAlGaAs第2下クラッド層
13,及びAlGaAs第2上クラッド14の層厚はそ
れぞれ0.1μmあれば十分である。従って、AlGa
As第2下クラッド層13,及びAlGaAs第2上ク
ラッド14の層厚の範囲は、結晶内部に生じるストレス
をも考慮して0.1〜0.5μmとするのが好ましい。
このように、本発明によれば、クラッド層として,図8
に示す従来のAlGaAsクラッド層3,7を用いた場
合に生じる結晶内部ストレス及びInGaP層を用いた
場合に生じるキャリアオーバーフローという両方の問題
点を解決することができる。
層12,及び第1上クラッド層17のバンドギャップ
は、活性層4のバンドギャップに対し注入キャリアのオ
ーバーフローを防止するに不十分な大きさであるが、活
性層4の両側にバンドギャップの大きいAlGaAs層
からなる第2下クラッド層13,及び第2上クラッド1
4が設けられているので、この注入キャリアのオーバー
フローを防止することができる。ここで、キャリアオー
バーフロー防止のためのAlGaAs第2下クラッド層
13,及びAlGaAs第2上クラッド14の層厚はそ
れぞれ0.1μmあれば十分である。従って、AlGa
As第2下クラッド層13,及びAlGaAs第2上ク
ラッド14の層厚の範囲は、結晶内部に生じるストレス
をも考慮して0.1〜0.5μmとするのが好ましい。
このように、本発明によれば、クラッド層として,図8
に示す従来のAlGaAsクラッド層3,7を用いた場
合に生じる結晶内部ストレス及びInGaP層を用いた
場合に生じるキャリアオーバーフローという両方の問題
点を解決することができる。
【0037】次に、本実施例1による半導体レーザ装置
の製造方法を図4を用いて説明する。図4は図3に示さ
れた半導体レーザ装置の製造方法を示す工程別断面図で
あり、図において、図3と同一符号は同一又は相当部分
であり、18はSiO2 膜、19はレジストである。
の製造方法を図4を用いて説明する。図4は図3に示さ
れた半導体レーザ装置の製造方法を示す工程別断面図で
あり、図において、図3と同一符号は同一又は相当部分
であり、18はSiO2 膜、19はレジストである。
【0038】まず、n−GaAs基板1上にMOCVD
法によりn−GaAsバッファ層2,n−InGaP第
1下クラッド層12,n−AlGaAs第2下クラッド
層13,量子井戸活性層4,p−AlGaAs第2上ク
ラッド層14,p−InGaP第1エッチングストッパ
層15,p−AlGaAs第2エッチングストッパ層1
6,p−InGaP第1上クラッド層17,p−GaA
sキャップ層8を順次成長する(図4(a) )。
法によりn−GaAsバッファ層2,n−InGaP第
1下クラッド層12,n−AlGaAs第2下クラッド
層13,量子井戸活性層4,p−AlGaAs第2上ク
ラッド層14,p−InGaP第1エッチングストッパ
層15,p−AlGaAs第2エッチングストッパ層1
6,p−InGaP第1上クラッド層17,p−GaA
sキャップ層8を順次成長する(図4(a) )。
【0039】その後SiO2 膜18をスパッタ法等によ
りp−GaAsキャップ層8上に形成し、これをパター
ニングした後、これをマスクとしてNH4 OH+H2 O
2 混合液でp−GaAsキャップ層8を除去し、同じマ
スクを用いてHCl+H2 O混合液でエッチングしリッ
ジ形成を行う(図4(b) )。このときHCl+H2 O混
合液を用いることにより、エッチングはp−AlGaA
s第2エッチングストッパ層16で停止し、非常に高い
再現性を得ることができる。
りp−GaAsキャップ層8上に形成し、これをパター
ニングした後、これをマスクとしてNH4 OH+H2 O
2 混合液でp−GaAsキャップ層8を除去し、同じマ
スクを用いてHCl+H2 O混合液でエッチングしリッ
ジ形成を行う(図4(b) )。このときHCl+H2 O混
合液を用いることにより、エッチングはp−AlGaA
s第2エッチングストッパ層16で停止し、非常に高い
再現性を得ることができる。
【0040】次に、HFを用いて、p−AlGaAs第
2エッチングストッパ層16の,その上に上記リッジが
形成された領域以外の領域部分を選択的に除去し、第1
エッチングストッパ層15を露出させる(図4(c) )。
次に、レジスト19を除去した後MOCVD法を用い
て、第1エッチングストッパ層15上に、n−GaAs
電流ブロック層9,p−GaAs層10をリッジの両側
に埋め込むように順次成長する(図4(d) )。このとき
成長開始前の昇温過程において、MOCVD装置内をP
H3 雰囲気にする。また、この際、成長用基板となる第
1エッチングストッパ層15が、従来のような表面酸化
が生じやすいAlGaAsではなく、Alを含まないI
nGaPであることからその表面酸化はなく、結晶欠陥
の少ない結晶の成長が可能となる。次に、SiO2 膜1
8をHF等により除去し、再びMOCVD法を用いて上
記p−GaAsキャップ層8及び上記層p−GaAs層
10上に、p−GaAsコンタクト層11を成長し、そ
の後、GaAs基板1の下面にn側電極を、コンタクト
層11の上面にp側電極21をそれぞれ形成することに
より半導体レーザ装置が形成される(図4(e) )。
2エッチングストッパ層16の,その上に上記リッジが
形成された領域以外の領域部分を選択的に除去し、第1
エッチングストッパ層15を露出させる(図4(c) )。
次に、レジスト19を除去した後MOCVD法を用い
て、第1エッチングストッパ層15上に、n−GaAs
電流ブロック層9,p−GaAs層10をリッジの両側
に埋め込むように順次成長する(図4(d) )。このとき
成長開始前の昇温過程において、MOCVD装置内をP
H3 雰囲気にする。また、この際、成長用基板となる第
1エッチングストッパ層15が、従来のような表面酸化
が生じやすいAlGaAsではなく、Alを含まないI
nGaPであることからその表面酸化はなく、結晶欠陥
の少ない結晶の成長が可能となる。次に、SiO2 膜1
8をHF等により除去し、再びMOCVD法を用いて上
記p−GaAsキャップ層8及び上記層p−GaAs層
10上に、p−GaAsコンタクト層11を成長し、そ
の後、GaAs基板1の下面にn側電極を、コンタクト
層11の上面にp側電極21をそれぞれ形成することに
より半導体レーザ装置が形成される(図4(e) )。
【0041】本実施例1においては、上記のように、I
nGaP第1上クラッド層17の下側に、Al組成がx
=0.48のp−AlGaAs第2エッチングストッパ
層16、さらにその下側にp−InGaP第1エッチン
グストッパ層15を設けるから、リッジ形成時にはHC
l+H2 O2 を用いてエッチングすることにより、この
エッチングがAlGaAs第2エッチングストッパ層1
6で停止し、InGaP第1上クラッド層17のみを選
択的に除去でき、リッジ形成の制御性を高めることがで
きる。そして、その後、HFを用いてエッチングするこ
とにより、リッジ側面を構成するInGaP第1上クラ
ッド層17を浸食することなく、p−AlGaAs第2
エッチングストッパ層16のみ選択的に除去して、基板
の表面をp−InGaP第1エッチングストッパ層15
とすることができる。ここで、p−AlGaAs第2エ
ッチングストッパ層16のAl組成はx=0.3〜0.
5とするのが好ましい。x=0.3以下ではHFに対し
エッチングされ難くなり、x=0.5以上ではHcl+
H2 O混合液に対しエッチングされやすくなるからであ
る。
nGaP第1上クラッド層17の下側に、Al組成がx
=0.48のp−AlGaAs第2エッチングストッパ
層16、さらにその下側にp−InGaP第1エッチン
グストッパ層15を設けるから、リッジ形成時にはHC
l+H2 O2 を用いてエッチングすることにより、この
エッチングがAlGaAs第2エッチングストッパ層1
6で停止し、InGaP第1上クラッド層17のみを選
択的に除去でき、リッジ形成の制御性を高めることがで
きる。そして、その後、HFを用いてエッチングするこ
とにより、リッジ側面を構成するInGaP第1上クラ
ッド層17を浸食することなく、p−AlGaAs第2
エッチングストッパ層16のみ選択的に除去して、基板
の表面をp−InGaP第1エッチングストッパ層15
とすることができる。ここで、p−AlGaAs第2エ
ッチングストッパ層16のAl組成はx=0.3〜0.
5とするのが好ましい。x=0.3以下ではHFに対し
エッチングされ難くなり、x=0.5以上ではHcl+
H2 O混合液に対しエッチングされやすくなるからであ
る。
【0042】また、p−InGaP第1エッチングスト
ッパ層15,及びp−AlGaAs第2エッチングスト
ッパ層16は、活性層4で発生するレーザ光の波長に相
当するバンドギャップより大きなバンドギャップを有
し、かつ屈折率も十分小さいため、両層とも極端に薄く
する必要がなく、従来例のGaAsエッチングストッパ
層を用いた場合のように選択除去が困難になるという問
題は生じない。
ッパ層15,及びp−AlGaAs第2エッチングスト
ッパ層16は、活性層4で発生するレーザ光の波長に相
当するバンドギャップより大きなバンドギャップを有
し、かつ屈折率も十分小さいため、両層とも極端に薄く
する必要がなく、従来例のGaAsエッチングストッパ
層を用いた場合のように選択除去が困難になるという問
題は生じない。
【0043】また、基板表面を、従来例のように表面酸
化がしやすいAlGaAsではなく、酸化しにくいIn
GaPにすることにより、結晶成長が飛躍的に容易とな
り、n−GaAsブロック層9中の結晶欠陥密度(転移
密度)を、従来の100万/cm2 から500/cm2 以下
に大幅に低減することができる。
化がしやすいAlGaAsではなく、酸化しにくいIn
GaPにすることにより、結晶成長が飛躍的に容易とな
り、n−GaAsブロック層9中の結晶欠陥密度(転移
密度)を、従来の100万/cm2 から500/cm2 以下
に大幅に低減することができる。
【0044】またn−GaAs電流ブロック層9の成長
前は、基板表面及びリッジ側面はほぼ完全にInGaP
で形成されるため成長開始前の昇温工程において、MO
CVD装置内をPH3 雰囲気にすることにより、結晶か
らのPの抜けを防止でき、成長界面の変性層の形成を防
止することができる。
前は、基板表面及びリッジ側面はほぼ完全にInGaP
で形成されるため成長開始前の昇温工程において、MO
CVD装置内をPH3 雰囲気にすることにより、結晶か
らのPの抜けを防止でき、成長界面の変性層の形成を防
止することができる。
【0045】次に、本実施例1による半導体レーザ装置
の動作を図3に基づき説明する。n側電極20とp側電
極21との間に電圧を印加すると、電極20,21から
それぞれ電子,正孔が注入され、活性層4内でこれらの
キャリアが再結合してレーザ光が発生する。この際、半
導体レーザ装置を構成する結晶の内部のストレスが従来
例より低減されているので、高出力動作時にも転移の発
生によるレーザ特性の劣化が防止される。また、電流ブ
ロック層9、p−GaAs層10、及びコンタクト層1
1内の結晶欠陥密度が従来例より著しく低減されている
ので、活性層4からしみ出したレーザ光を該結晶欠陥が
吸収することによるレーザ特性の劣化が防止される。従
って、信頼性の高いAlGaAs半導体レーザ装置が得
られる。
の動作を図3に基づき説明する。n側電極20とp側電
極21との間に電圧を印加すると、電極20,21から
それぞれ電子,正孔が注入され、活性層4内でこれらの
キャリアが再結合してレーザ光が発生する。この際、半
導体レーザ装置を構成する結晶の内部のストレスが従来
例より低減されているので、高出力動作時にも転移の発
生によるレーザ特性の劣化が防止される。また、電流ブ
ロック層9、p−GaAs層10、及びコンタクト層1
1内の結晶欠陥密度が従来例より著しく低減されている
ので、活性層4からしみ出したレーザ光を該結晶欠陥が
吸収することによるレーザ特性の劣化が防止される。従
って、信頼性の高いAlGaAs半導体レーザ装置が得
られる。
【0046】実施例2.実施の形態2による他の実施例
を図5及び図6を用いて説明する。図5は本実施例2に
よる半導体レーザ装置の構造を示す断面図である。図に
おいて、図3と同一符号は同一又は相当部分であり、3
はAl組成x=0.48のn−AlGaAs下クラッド
層(厚さ1.5μm),5はAl組成x=0.48のp
−AlGaAs第1上クラッド層(厚さ0.3μm),
6はAl組成x=0.7のp−AlGaAs第2エッチ
ングストッパ層(厚さ0.02μm),7はAl組成x
=0.48のp−AlGaAs第2上クラッド層(厚さ
1.2μm)である。
を図5及び図6を用いて説明する。図5は本実施例2に
よる半導体レーザ装置の構造を示す断面図である。図に
おいて、図3と同一符号は同一又は相当部分であり、3
はAl組成x=0.48のn−AlGaAs下クラッド
層(厚さ1.5μm),5はAl組成x=0.48のp
−AlGaAs第1上クラッド層(厚さ0.3μm),
6はAl組成x=0.7のp−AlGaAs第2エッチ
ングストッパ層(厚さ0.02μm),7はAl組成x
=0.48のp−AlGaAs第2上クラッド層(厚さ
1.2μm)である。
【0047】図6は図5に示される半導体レーザ装置の
製造方法を示す工程別断面図であり、図において、図
4,図5と同一符号は同一又は相当部分である。
製造方法を示す工程別断面図であり、図において、図
4,図5と同一符号は同一又は相当部分である。
【0048】次に、本実施例2による半導体レーザ装置
の製造方法を説明する。まず、MOCVD法による結晶
成長により、n−GaAs基板1上にn−GaAsバッ
ファ層2よりp−GaAsキャップ層8までを順次形成
する(図6(a) )。その後、SiO2 膜18を形成し、
パターニングした後、これをマスクとしてNH4 OH+
H2 O2 混合液でp−GaAsキャップ層8を除去し、
同じマスクを用いて酒石酸と過酸化水素からなる溶液に
よりエッチングしリッジを形成する(図6(b))。この
ときAl組成x=0.7のp−AlGaAs第2エッチ
ングストッパ層6で上記エッチングが停止するため、制
御性良くリッジを形成することができる。次にAl組成
x=0.7のp−AlGaAs第2エッチングストッパ
層6をHF+H2 O溶液で選択的に除去し、基板表面を
InGaP第1エッチングストッパ層とする(図6(c)
)。その後レジスト19を除去し、再びMOCVD法
によりp−InGaP第1エッチングストッパ層15上
に、n−GaAs電流ブロック層9,p−GaAs層1
0をリッジの両側に埋め込むように順次成長する(図6
(d) )。このとき成長開始前の昇温過程において、MO
CVD装置内をPH3雰囲気にする。
の製造方法を説明する。まず、MOCVD法による結晶
成長により、n−GaAs基板1上にn−GaAsバッ
ファ層2よりp−GaAsキャップ層8までを順次形成
する(図6(a) )。その後、SiO2 膜18を形成し、
パターニングした後、これをマスクとしてNH4 OH+
H2 O2 混合液でp−GaAsキャップ層8を除去し、
同じマスクを用いて酒石酸と過酸化水素からなる溶液に
よりエッチングしリッジを形成する(図6(b))。この
ときAl組成x=0.7のp−AlGaAs第2エッチ
ングストッパ層6で上記エッチングが停止するため、制
御性良くリッジを形成することができる。次にAl組成
x=0.7のp−AlGaAs第2エッチングストッパ
層6をHF+H2 O溶液で選択的に除去し、基板表面を
InGaP第1エッチングストッパ層とする(図6(c)
)。その後レジスト19を除去し、再びMOCVD法
によりp−InGaP第1エッチングストッパ層15上
に、n−GaAs電流ブロック層9,p−GaAs層1
0をリッジの両側に埋め込むように順次成長する(図6
(d) )。このとき成長開始前の昇温過程において、MO
CVD装置内をPH3雰囲気にする。
【0049】次に、HFによりSiO2 膜18を除去し
た後、MOCVD法により上記p−GaAsキャップ層
8及び上記層p−GaAs層10上に、p−GaAsコ
ンタクト層11を成長し、基板1の下面にn側電極20
を、コンタクト層11の上面にp側電極21をそれぞれ
形成することにより半導体レーザ装置が形成される(図
6(e) )。
た後、MOCVD法により上記p−GaAsキャップ層
8及び上記層p−GaAs層10上に、p−GaAsコ
ンタクト層11を成長し、基板1の下面にn側電極20
を、コンタクト層11の上面にp側電極21をそれぞれ
形成することにより半導体レーザ装置が形成される(図
6(e) )。
【0050】本実施例2によれば、表面酸化が非常にさ
れやすく,その上への結晶成長が困難なAl組成x=
0.7のp−AlGaAs第2エッチングストッパ層6
の下側に、p−InGaP第1エッチングストッパ層1
5を設けるから、リッジ形成時には酒石酸と過酸化水素
からなる溶液を用いてエッチングすることにより、該エ
ッチングがp−AlGaAs第2エッチングストッパ層
6で停止し、AlGaAs第2上クラッド層7のみを選
択的に除去でき、リッジ形成の制御性を高めることがで
きる。そして、その後、HF+H2 O溶液を用いてエッ
チングすることにより、リッジ側面を構成するAl組成
x=0.48のAlGaAs第2上クラッド層7を浸食
することなく、p−AlGaAs第2エッチングストッ
パ層6のみを選択的に除去して、基板の表面をp−In
GaP第1エッチングストッパ層15とすることができ
る。ここで、p−AlGaAs第2エッチングストッパ
層6のAl組成はx=0.6以上とするのが好ましい。
第2エッチングストッパ層6は第2上クラッド層7と同
様AlGaAsからなるため、x=0.6未満では酒石
酸と過酸化水素からなる溶液に対しエッチングされやす
くなるからである。
れやすく,その上への結晶成長が困難なAl組成x=
0.7のp−AlGaAs第2エッチングストッパ層6
の下側に、p−InGaP第1エッチングストッパ層1
5を設けるから、リッジ形成時には酒石酸と過酸化水素
からなる溶液を用いてエッチングすることにより、該エ
ッチングがp−AlGaAs第2エッチングストッパ層
6で停止し、AlGaAs第2上クラッド層7のみを選
択的に除去でき、リッジ形成の制御性を高めることがで
きる。そして、その後、HF+H2 O溶液を用いてエッ
チングすることにより、リッジ側面を構成するAl組成
x=0.48のAlGaAs第2上クラッド層7を浸食
することなく、p−AlGaAs第2エッチングストッ
パ層6のみを選択的に除去して、基板の表面をp−In
GaP第1エッチングストッパ層15とすることができ
る。ここで、p−AlGaAs第2エッチングストッパ
層6のAl組成はx=0.6以上とするのが好ましい。
第2エッチングストッパ層6は第2上クラッド層7と同
様AlGaAsからなるため、x=0.6未満では酒石
酸と過酸化水素からなる溶液に対しエッチングされやす
くなるからである。
【0051】このInGaP第1エッチングストッパ層
15を設けたことにより、実施例1と同様、n−GaA
s電流ブロック層9中の欠陥密度が低減され、高信頼性
半導体レーザが得られる。
15を設けたことにより、実施例1と同様、n−GaA
s電流ブロック層9中の欠陥密度が低減され、高信頼性
半導体レーザが得られる。
【0052】ただし本実施例2の場合、n−GaAs電
流ブロック層9の成長前は、基板表面はp−InGaP
第1エッチングストッパ層15で形成され、リッジ側面
はp−AlGaAs上クラッド層7およびp−GaAs
キャップ層8で形成されており、基板の表面がPおよび
Asという2種類のV族元素で構成される。このように
2種類のV族元素で表面が形成される場合、成長昇温過
程におけるV族元素の蒸発防止が困難になる。すなわ
ち、この場合p−InGaP第1エッチグストッパ層1
5中のPの蒸発防止のため昇温過程でMOCVD装置内
をPH3 雰囲気とするとp−AlGaAs上クラッド層
7およびp−GaAsキャップ層8からのAsの蒸発が
生じ、逆にAsH3 雰囲気とすると、p−AlGaAs
上クラッド層7,p−GaAsキャップ層8,p−In
GaP第1エッチングストッパ層15表面に変成層が生
じると考えられている。しかし、n−GaAs電流ブロ
ック層9の成長が600℃程度といった比較的低温で可
能なこと、Al組成がx=0.48と大きいp−AlG
aAs上クラッド層7中のAs原子は比較的安定でAs
が蒸発しにくいこと、p−GaAsキャップ層8と活性
層4の距離が大きくp−GaAsキャップ層8からのA
sの蒸発はレーザ特性にほとんど悪影響を与えないこと
よりn−GaAsブロック電流層9の成長前の昇温過程
においてはMOCVD装置内をPH3 雰囲気にし、p−
InGaP第1エッチングストッパ層15からのPの蒸
発を防止することが、欠陥密度が少なく高品位なn−G
aAs電流ブロック層9を形成し、高信頼性を有する半
導体レーザ装置を作製するために重要である。
流ブロック層9の成長前は、基板表面はp−InGaP
第1エッチングストッパ層15で形成され、リッジ側面
はp−AlGaAs上クラッド層7およびp−GaAs
キャップ層8で形成されており、基板の表面がPおよび
Asという2種類のV族元素で構成される。このように
2種類のV族元素で表面が形成される場合、成長昇温過
程におけるV族元素の蒸発防止が困難になる。すなわ
ち、この場合p−InGaP第1エッチグストッパ層1
5中のPの蒸発防止のため昇温過程でMOCVD装置内
をPH3 雰囲気とするとp−AlGaAs上クラッド層
7およびp−GaAsキャップ層8からのAsの蒸発が
生じ、逆にAsH3 雰囲気とすると、p−AlGaAs
上クラッド層7,p−GaAsキャップ層8,p−In
GaP第1エッチングストッパ層15表面に変成層が生
じると考えられている。しかし、n−GaAs電流ブロ
ック層9の成長が600℃程度といった比較的低温で可
能なこと、Al組成がx=0.48と大きいp−AlG
aAs上クラッド層7中のAs原子は比較的安定でAs
が蒸発しにくいこと、p−GaAsキャップ層8と活性
層4の距離が大きくp−GaAsキャップ層8からのA
sの蒸発はレーザ特性にほとんど悪影響を与えないこと
よりn−GaAsブロック電流層9の成長前の昇温過程
においてはMOCVD装置内をPH3 雰囲気にし、p−
InGaP第1エッチングストッパ層15からのPの蒸
発を防止することが、欠陥密度が少なく高品位なn−G
aAs電流ブロック層9を形成し、高信頼性を有する半
導体レーザ装置を作製するために重要である。
【図1】 本発明の実施の形態1による半導体レーザ装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図2】 本発明の実施の形態2による半導体レーザ装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図3】 実施例1による半導体レーザ装置を示す断面
図である。
図である。
【図4】 実施例1による半導体レーザ装置の製造方法
を示す工程別断面図である。
を示す工程別断面図である。
【図5】 実施例2による半導体レーザ装置を示す断面
図である。
図である。
【図6】 実施例2による半導体レーザ装置の製造方法
を示す工程別断面図である。
を示す工程別断面図である。
【図7】 従来の半導体レーザ装置を示す断面図であ
る。
る。
【図8】 従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す工
程別断面図である。
程別断面図である。
1 n−GaAs基板、2 n−GaAsバッファ層、
3 n−AlGaAs下クラッド層、4 量子井戸活性
層、5 p−AlGaAs第1上クラッド層、6 p−
AlGaAs第2エッチングストッパ層、7 p−Al
GaAs第2上クラッド層、8 p−GaAsギャップ
層、9 n−GaAs電流ブロック層、12 n−In
GaP第1下クラッド層、13 n−AlGaAs第2
下クラッド層、14 p−AlGaAs第2上クラッド
層、15 p−InGaP第1エッチングストッパ層、
16 p−AlGaAs第2エッチングストッパ層、1
7 p−InGaP第1上クラッド層、18 SiO2
膜、19 レジスト、20 n側電極、21 p側電
極、101 第1導電型のGaAs基板、103第1導
電型の下クラッド層、104 活性層、105 第2導
電型の第1上クラッド層、107 第2導電型の第2上
クラッド層、108 第2導電型のキャップ層、109
第1導電型の電流ブロック層、110 第2導電型の
GaAs層、111 第2導電型のコンタクト層、11
2 第1導電型の第1下クラッド層、113 第1導電
型のAlGaAs第2下クラッド層、114 第2導電
型のAlGaAs第2上クラッド層、115 第2導電
型のInGaP第1エッチングストッパ層、116 第
2導電型の第2エッチングストッパ層、117 第2導
電型の第1上クラッド層。
3 n−AlGaAs下クラッド層、4 量子井戸活性
層、5 p−AlGaAs第1上クラッド層、6 p−
AlGaAs第2エッチングストッパ層、7 p−Al
GaAs第2上クラッド層、8 p−GaAsギャップ
層、9 n−GaAs電流ブロック層、12 n−In
GaP第1下クラッド層、13 n−AlGaAs第2
下クラッド層、14 p−AlGaAs第2上クラッド
層、15 p−InGaP第1エッチングストッパ層、
16 p−AlGaAs第2エッチングストッパ層、1
7 p−InGaP第1上クラッド層、18 SiO2
膜、19 レジスト、20 n側電極、21 p側電
極、101 第1導電型のGaAs基板、103第1導
電型の下クラッド層、104 活性層、105 第2導
電型の第1上クラッド層、107 第2導電型の第2上
クラッド層、108 第2導電型のキャップ層、109
第1導電型の電流ブロック層、110 第2導電型の
GaAs層、111 第2導電型のコンタクト層、11
2 第1導電型の第1下クラッド層、113 第1導電
型のAlGaAs第2下クラッド層、114 第2導電
型のAlGaAs第2上クラッド層、115 第2導電
型のInGaP第1エッチングストッパ層、116 第
2導電型の第2エッチングストッパ層、117 第2導
電型の第1上クラッド層。
Claims (13)
- 【請求項1】 第1導電型のGaAs基板と、 該GaAs基板上に該GaAs基板と格子整合するよう
形成された、あるバンドギャップを有する第1導電型の
第1下クラッド層と、 該第1下クラッド層上に形成された、該第1下クラッド
層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する
第1導電型のAlGaAsからなる,第2下クラッド層
と、 該第2下クラッド層上に形成された、上記第1下クラッ
ド層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有す
る活性層と、 該活性層上に形成された、あるバンドギャップを有する
第2導電型のAlGaAsからなる第2上クラッド層
と、 該第2上クラッド層上に形成された、上記GaAs基板
に格子整合し,かつ上記活性層のバンドギャップより大
きく、上記第2上クラッド層のバンドギャップより小さ
いバンドギャップを有する,第2導電型の第1上クラッ
ド層と、 該第1上クラッド層上に形成された、第2導電型のGa
Asコンタクト層とを備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記第1下クラッド層は、第1導電型のInGaPから
なり、上記第1上クラッド層は、第2導電型のInGa
Pからなるものである半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の半導体レーザ装置におい
て、 上記第2上クラッド層,及び第2下クラッド層の厚さ
が、それぞれ0.1μm〜0.5μmである半導体レー
ザ装置。 - 【請求項4】 第1導電型の半導体基板上に形成され
た、あるバンドギャップを有する,第1導電型の下クラ
ッド層と、 該下クラッド層上に形成された、そのバンドギャップが
上記下クラッド層のバンドギャップより小さいものであ
る活性層と、 該活性層上に形成された、該活性層のバンドギャップよ
り大きいバンドギャップを有する第2導電型の第1上ク
ラッド層と、 該第1上クラッド層上に形成された、上記活性層のバン
ドギャップより大きいバンドギャップを有する第2導電
型のInGaPからなる,第1エッチングストッパ層
と、 該第1エッチングストッパ層上の一部の領域に形成され
た第2導電型の第2エッチングストッパ層と、 該第2エッチングストッパ層上にリッジ状に形成された
第2導電型の第2上クラッド層と、 上記第2エッチングストッパ層,及び第2上クラッド層
の両側を埋めるように上記第1エッチングストッパ層上
に形成された第1導電型の電流ブロック層とを備え、 上記第2エッングストッパ層は、上記活性層よりバンド
ギャップが大きく,上記第2上クラッド層のエッチング
に対し耐性を有し,かつそのエッチングにより上記第1
エッチングストッパ層を浸食しないよう選択除去可能な
材料からなるものであることを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記第2上クラッド層は、InGaPからなり、上記第
2エッチングストッパ層は、AlGaAsからなるもの
である半導体レーザ装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記第2エッチングストッパ層は、Al組成xが0.3
≦x≦0.5のAlxGa1-x Asからなるものである
半導体レーザ装置。 - 【請求項7】 請求項4に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記第2上クラッド層はAlGaAsからなり、上記第
2エッチングストッパ層はAl組成xが0.6以上であ
るAlx Ga1-x Asからなるものである半導体レーザ
装置。 - 【請求項8】 半導体レーザ装置の製造方法において、 第1導電型のGaAs基板上に、 第1導電型のInGaPからなる第1下クラッド層,該
第1下クラッド層のバンドギャップより大きいバンドギ
ャップを有する第1導電型のAlGaAsからなる第2
下クラッド層,該第2下クラッド層のバンドギャップよ
り小さいバンドギャップを有する活性層,該活性層のバ
ンドギャップより大きいバンドギャップを有する第2導
電型のAlGaAsからなる第2上クラッド層,該第2
上クラッド層のバンドギャップより小さいバンドギャッ
プを有する第2導電型のInGaPからなる第1上クラ
ッド層を,順次エピタキシャル成長させる工程と、 上記第1上クラッド層上にGaAsコンタクト層をエピ
タキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項9】 請求項8に記載の半導体レーザ装置の製
造方法において、 上記の第1下クラッド層から第1上クラッド層までをエ
ピタキシャル成長させる工程の後、上記第1上クラッド
層をエッチングにより選択的に除去してリッジを形成す
る工程を含む半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項10】 請求項9に記載の半導体レーザ装置の
製造方法において、 上記エッチング剤としてHClとH2 Oからなる混合液
を用いるものである半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項11】 半導体レーザ装置の製造方法におい
て、 半導体基板上に、第1導電型の下クラッド層、活性層、
第2導電型の第1上クラッド層、第2導電型のInGa
Pからなる第1エッチングストッパ層、第2エッチング
ストッパ層、第2導電型の第2上クラッド層を順次エピ
タキシャル成長させる工程と、 上記第2上クラッド層をエッチング剤を用いて選択的に
除去し、上記第2エッチングストッパ層上の所定の領域
にリッジを形成する工程と、 上記第2エッチングストッパ層の上記リッジが形成され
た領域以外の領域部分を、エッチングにより選択的に除
去する工程と、 上記第2エッチングストッパ層のエッチングにより露出
した上記第1エッチングストッパ層上に,上記第2エッ
チングストッパ層,及び上記リッジの両側を埋めるよう
に、第1導電型の電流ブロック層をエピタキシャル成長
させる工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。 - 【請求項12】 請求項11に記載の半導体レーザ装置
の製造方法において、 上記第2上クラッド層はInGaPからなり、上記第2
エッチングストッパ層はAlGaAsからなり、上記第
2上クラッド層のエッチング剤としてHClとH2 Oか
らなる混合液を用い、上記第2エッチングストッパ層の
エッチング剤としてHFを用いるものである半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項13】 請求項11に記載の半導体レーザ装置
の製造方法において、 上記第2上クラッド層はAlGaAsからなり、上記第
2エッチングストッパ層はAl組成xが0.6以上であ
るAlx Ga1-x Asからなり、上記第2上クラッド層
のエッチング剤として酒石酸と過酸化水素からなるエッ
チング液を用い、上記第2エッチングストッパ層のエッ
チング剤としてHF+H2 O溶液を用いるものである半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7210457A JPH0964452A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
US08/603,237 US5706304A (en) | 1995-08-18 | 1996-02-20 | Semiconductor laser device |
GB9609105A GB2304454B (en) | 1995-08-18 | 1996-05-01 | Semiconductor laser device and method for fabricating semiconductor laser device |
GB9711932A GB2312991B (en) | 1995-08-18 | 1996-05-01 | Semiconductor laser device and method for fabricating semiconductor laser device |
KR1019960016932A KR970013531A (ko) | 1995-08-18 | 1996-05-20 | 반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7210457A JPH0964452A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964452A true JPH0964452A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16589656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7210457A Pending JPH0964452A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5706304A (ja) |
JP (1) | JPH0964452A (ja) |
KR (1) | KR970013531A (ja) |
GB (1) | GB2304454B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026453A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ導波路型半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2002190647A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2003086902A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
JP2003318490A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
KR100429105B1 (ko) * | 2002-03-09 | 2004-04-29 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
JP2010062202A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246665A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US6072818A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor light emission device |
JP3329764B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2002-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザー及び半導体光増幅器 |
JP4262549B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2009-05-13 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP7019821B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2022-02-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4438446A (en) * | 1981-05-29 | 1984-03-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Double barrier double heterostructure laser |
US4671830A (en) * | 1984-01-03 | 1987-06-09 | Xerox Corporation | Method of controlling the modeling of the well energy band profile by interdiffusion |
US4760579A (en) * | 1986-07-01 | 1988-07-26 | Hughes Aircraft Company | Quantum well laser with charge carrier density enhancement |
JPH02172287A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH0376288A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 埋め込み型半導体レーザ |
JP3242967B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2863677B2 (ja) * | 1992-02-13 | 1999-03-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH06244490A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
TW347597B (en) * | 1994-01-31 | 1998-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
JP3432910B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2003-08-04 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
JPH08279650A (ja) * | 1995-04-06 | 1996-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP7210457A patent/JPH0964452A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-20 US US08/603,237 patent/US5706304A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-01 GB GB9609105A patent/GB2304454B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-20 KR KR1019960016932A patent/KR970013531A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026453A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ導波路型半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2002190647A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4597357B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2010-12-15 | ローム株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2003086902A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
JP4627132B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
KR100429105B1 (ko) * | 2002-03-09 | 2004-04-29 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
JP2003318490A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2010062202A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9609105D0 (en) | 1996-07-03 |
GB2304454A (en) | 1997-03-19 |
GB2304454B (en) | 1998-04-08 |
US5706304A (en) | 1998-01-06 |
KR970013531A (ko) | 1997-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4567060A (en) | Method of producing a semiconductor laser device | |
US6140142A (en) | Semiconductor laser and a method for producing the same | |
JPH08222815A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 | |
JPH0964452A (ja) | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 | |
JPS62257783A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
JP2863677B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
US4783425A (en) | Fabrication process of semiconductor lasers | |
JP2911751B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP2003046193A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JPH09237933A (ja) | 半導体レーザ,及びその製造方法 | |
JPH09275239A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP3820826B2 (ja) | 半導体発光装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006319120A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP3328933B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2001308466A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2536277B2 (ja) | 可視光レ―ザの製造方法 | |
JP3715639B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH0669599A (ja) | 半導体レーザダイオード及びその製造方法 | |
JPH11126945A (ja) | 歪み半導体結晶の製造方法、これを用いた半導体レーザの製造方法 | |
JP3403247B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH01115185A (ja) | 埋め込みヘテロ接合型半導体レーザ素子の製造方法 | |
JPH1012975A (ja) | 量子箱の製造方法,半導体レーザ装置の製造方法,及び半導体レーザ装置 | |
JP2000244073A (ja) | 多波長集積化半導体レーザ装置 | |
JPH08307010A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH0666525B2 (ja) | 半導体レーザ |