JPH1168505A - 弾性表面波デバイス並びに該弾性表面波デバイスを基板へ取り付ける実装構造及び実装方法 - Google Patents
弾性表面波デバイス並びに該弾性表面波デバイスを基板へ取り付ける実装構造及び実装方法Info
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- JPH1168505A JPH1168505A JP9227675A JP22767597A JPH1168505A JP H1168505 A JPH1168505 A JP H1168505A JP 9227675 A JP9227675 A JP 9227675A JP 22767597 A JP22767597 A JP 22767597A JP H1168505 A JPH1168505 A JP H1168505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェイスダウンボンディングにより基板に実
装するのに適した弾性表面波デバイスと、その実装構造
および実装方法。 【解決手段】 圧電基板10の表面に、電気と弾性表面波
のエネルギー変換を行なうトランスジューサを配備した
弾性表面波デバイスに於て、圧電基板10の表面に、基板
への接続用の電極パッド13を形成し、該電極パッド13上
にバンプ30を形成し、且つ、弾性表面波を吸収する機能
と、絶縁性接着剤としての機能とを有する樹脂製の吸音
材４を、圧電基板10の表面において、弾性表面波の伝播
方向の両端近くと、前記バンプ30の周囲とに配備する。
装するのに適した弾性表面波デバイスと、その実装構造
および実装方法。 【解決手段】 圧電基板10の表面に、電気と弾性表面波
のエネルギー変換を行なうトランスジューサを配備した
弾性表面波デバイスに於て、圧電基板10の表面に、基板
への接続用の電極パッド13を形成し、該電極パッド13上
にバンプ30を形成し、且つ、弾性表面波を吸収する機能
と、絶縁性接着剤としての機能とを有する樹脂製の吸音
材４を、圧電基板10の表面において、弾性表面波の伝播
方向の両端近くと、前記バンプ30の周囲とに配備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スに関し、さらには、弾性表面波デバイスを、プリント
回路基板、パッケージ用のベース基板等の基板へ取り付
ける実装構造および実装方法に関する。具体的には、本
発明は、フェイスダウンボンディングに適した弾性表面
波デバイスと、該デバイスを用いた前記実装構造および
実装方法に関する。
スに関し、さらには、弾性表面波デバイスを、プリント
回路基板、パッケージ用のベース基板等の基板へ取り付
ける実装構造および実装方法に関する。具体的には、本
発明は、フェイスダウンボンディングに適した弾性表面
波デバイスと、該デバイスを用いた前記実装構造および
実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、携帯電話等の携帯用電子機器の普
及および発展に伴い、電子部品のさらなる小型軽量化、
高機能化および高速化が要求されている。これらの要求
を実現するためのキーテクノロジの１つとして高密度実
装技術が挙げられる。半導体デバイスにおける高密度実
装技術として、フェイスダウンボンディングが普及しつ
つある。ここで、フェイスダウンボンディングは、一般
に、図５にて示されるように、半導体デバイス(６)上に
電極パッド(60)を形成し、基板(２)上に配線用電極(20)
を形成し、電極パッド(60)に、突起状の接続電極である
バンプ(30)を形成しておき、電極パッド(60)と配線用電
極(20)とを対向させ、バンプ(30)を介して密着し、導電
性接着剤、ハンダ等を用いて接続するものである。この
とき、フェイスダウンボンディングされた該組立品に熱
が加わると、半導体デバイス(６)および基板(２)の熱膨
張係数が異なるから、バンプ(30)に熱応力が発生する。
更に、前記組立品は、実際の使用中に熱が発生するか
ら、この熱による熱応力がバンプ(30)に繰り返し働くこ
とにより疲労が生じ、該疲労によって、バンプ(30)にお
ける電極パッド(60)と配線用電極(20)との接続性が低下
する。この問題点を防止するために、半導体デバイス
(６)と基板(２)との間に絶縁性樹脂(50)を充填すること
が行なわれている。前記熱応力が絶縁性樹脂(50)に分散
して働くことにより、バンプ(30)における熱応力を緩和
できる。従って、前記疲労による接続性の低下が防止で
き、実用上問題のないサイクル寿命を確保している。な
お、一般に、絶縁性樹脂(50)には高流動性のエポキシ樹
脂が使用される。
及および発展に伴い、電子部品のさらなる小型軽量化、
高機能化および高速化が要求されている。これらの要求
を実現するためのキーテクノロジの１つとして高密度実
装技術が挙げられる。半導体デバイスにおける高密度実
装技術として、フェイスダウンボンディングが普及しつ
つある。ここで、フェイスダウンボンディングは、一般
に、図５にて示されるように、半導体デバイス(６)上に
電極パッド(60)を形成し、基板(２)上に配線用電極(20)
を形成し、電極パッド(60)に、突起状の接続電極である
バンプ(30)を形成しておき、電極パッド(60)と配線用電
極(20)とを対向させ、バンプ(30)を介して密着し、導電
性接着剤、ハンダ等を用いて接続するものである。この
とき、フェイスダウンボンディングされた該組立品に熱
が加わると、半導体デバイス(６)および基板(２)の熱膨
張係数が異なるから、バンプ(30)に熱応力が発生する。
更に、前記組立品は、実際の使用中に熱が発生するか
ら、この熱による熱応力がバンプ(30)に繰り返し働くこ
とにより疲労が生じ、該疲労によって、バンプ(30)にお
ける電極パッド(60)と配線用電極(20)との接続性が低下
する。この問題点を防止するために、半導体デバイス
(６)と基板(２)との間に絶縁性樹脂(50)を充填すること
が行なわれている。前記熱応力が絶縁性樹脂(50)に分散
して働くことにより、バンプ(30)における熱応力を緩和
できる。従って、前記疲労による接続性の低下が防止で
き、実用上問題のないサイクル寿命を確保している。な
お、一般に、絶縁性樹脂(50)には高流動性のエポキシ樹
脂が使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フェイスダウンボンデ
ィングにより半導体デバイス(６)を基板(２)へ取り付け
る上記実装方法を、弾性表面波デバイスを基板(２)へ取
り付けるために適用した場合、以下のような問題点が生
じる。弾性表面波デバイスは、一般に、圧電基板上にす
だれ状電極トランスジューサ（ＩＤＴ）を形成したもの
であり、ＩＤＴの電気信号により、圧電基板上に弾性表
面波が励振され、励振した弾性表面波が、同じＩＤＴま
たは別のＩＤＴにて再び電気信号に変換される装置であ
り、フィルタ、共振器等に利用されている。従って、弾
性表面波デバイスでは、圧電基板上において弾性表面波
を励振すべき領域に絶縁性樹脂(50)が充填されると、励
振された弾性表面波が絶縁性樹脂(50)によって吸収さ
れ、デバイスとしての機能を損なうことになる。この問
題点を回避するために、バンプ(30)の周辺にのみ絶縁性
樹脂(50)を充填することが考えられるが、高流動性を有
する絶縁性樹脂(50)が、圧電基板における弾性表面波を
励振すべき領域に拡がらないように制御することは困難
である。
ィングにより半導体デバイス(６)を基板(２)へ取り付け
る上記実装方法を、弾性表面波デバイスを基板(２)へ取
り付けるために適用した場合、以下のような問題点が生
じる。弾性表面波デバイスは、一般に、圧電基板上にす
だれ状電極トランスジューサ（ＩＤＴ）を形成したもの
であり、ＩＤＴの電気信号により、圧電基板上に弾性表
面波が励振され、励振した弾性表面波が、同じＩＤＴま
たは別のＩＤＴにて再び電気信号に変換される装置であ
り、フィルタ、共振器等に利用されている。従って、弾
性表面波デバイスでは、圧電基板上において弾性表面波
を励振すべき領域に絶縁性樹脂(50)が充填されると、励
振された弾性表面波が絶縁性樹脂(50)によって吸収さ
れ、デバイスとしての機能を損なうことになる。この問
題点を回避するために、バンプ(30)の周辺にのみ絶縁性
樹脂(50)を充填することが考えられるが、高流動性を有
する絶縁性樹脂(50)が、圧電基板における弾性表面波を
励振すべき領域に拡がらないように制御することは困難
である。
【０００４】
【発明の目的】本願発明者らは、前記問題点を回避する
ために、弾性表面波デバイスと基板(２)の何れか一方に
おいて、バンプ(30)を介して他方と接続される領域の周
囲に低流動性の樹脂を配備し、弾性表面波デバイスを基
板(２)に取り付ける際に、該樹脂が該他方と接着するこ
とによって、バンプ(30)における熱応力を緩和すること
を考えた。また、本願発明者らは、弾性表面波デバイス
には、圧電基板上において、励振した弾性表面波が、伝
播方向両端にて反射することを防止するために、樹脂製
の吸音材が配備されていることを勘案して、以下のよう
な解決手段を案出した。本発明は、フェイスダウンボン
ディングにより基板に実装するのに適した弾性表面波デ
バイスと、該デバイスの基板への実装構造および実装方
法を提供することを目的とする。
ために、弾性表面波デバイスと基板(２)の何れか一方に
おいて、バンプ(30)を介して他方と接続される領域の周
囲に低流動性の樹脂を配備し、弾性表面波デバイスを基
板(２)に取り付ける際に、該樹脂が該他方と接着するこ
とによって、バンプ(30)における熱応力を緩和すること
を考えた。また、本願発明者らは、弾性表面波デバイス
には、圧電基板上において、励振した弾性表面波が、伝
播方向両端にて反射することを防止するために、樹脂製
の吸音材が配備されていることを勘案して、以下のよう
な解決手段を案出した。本発明は、フェイスダウンボン
ディングにより基板に実装するのに適した弾性表面波デ
バイスと、該デバイスの基板への実装構造および実装方
法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波デバ
イスでは、圧電基板の表面に、基板への接続用の電極パ
ッドが形成され、該電極パッド上にバンプが形成され
る。さらに、弾性表面波を吸収する機能と、絶縁性接着
剤としての機能とを有する樹脂製の吸音材が、圧電基板
の表面において、弾性表面波の伝播方向の両端近くと、
前記バンプの周囲とに配備される。
イスでは、圧電基板の表面に、基板への接続用の電極パ
ッドが形成され、該電極パッド上にバンプが形成され
る。さらに、弾性表面波を吸収する機能と、絶縁性接着
剤としての機能とを有する樹脂製の吸音材が、圧電基板
の表面において、弾性表面波の伝播方向の両端近くと、
前記バンプの周囲とに配備される。
【０００６】
【作用】上記構成の弾性表面波デバイスを基板へ取り付
ける前に、該基板上において、弾性表面波デバイスの電
極パッドとの対向位置に、予め配線用電極を形成してお
く。上記構成の弾性表面波デバイスを基板に取り付ける
際、吸音材を加熱して仮硬化の状態にしつつ、圧電基板
においてトランスジューサ、電極パッド及び吸音材を有
する表面を、基板上の配線用電極を有する表面に対向さ
せて、バンプを配線用電極に接触させる。ここで、仮硬
化の状態とは、加熱によって軟化はするが融解はしない
状態を指しており、熱可塑性樹脂であれば、軟化点より
稍低い温度の状態等が該当し、熱硬化性樹脂であれば、
Ｂステージの状態等が該当する。そして、吸音材を基板
に接着させ、硬化させることにより、弾性表面波デバイ
スの基板への実装が完成する。
ける前に、該基板上において、弾性表面波デバイスの電
極パッドとの対向位置に、予め配線用電極を形成してお
く。上記構成の弾性表面波デバイスを基板に取り付ける
際、吸音材を加熱して仮硬化の状態にしつつ、圧電基板
においてトランスジューサ、電極パッド及び吸音材を有
する表面を、基板上の配線用電極を有する表面に対向さ
せて、バンプを配線用電極に接触させる。ここで、仮硬
化の状態とは、加熱によって軟化はするが融解はしない
状態を指しており、熱可塑性樹脂であれば、軟化点より
稍低い温度の状態等が該当し、熱硬化性樹脂であれば、
Ｂステージの状態等が該当する。そして、吸音材を基板
に接着させ、硬化させることにより、弾性表面波デバイ
スの基板への実装が完成する。
【０００７】
【発明の効果】上記のように、弾性表面波デバイスを基
板に取り付けた実装構造では、バンプの周囲に形成され
た樹脂製の吸音材によって、弾性表面波デバイスが基板
に接着されているから、バンプにおける熱応力を緩和で
き、従って、バンプの疲労による接続性の低下を防止で
き、実用上問題のないサイクル寿命を確保できる。ま
た、吸音材は、不要な弾性表面波を吸収する本来の機能
だけでなく、絶縁性接着剤としても機能するので、熱応
力を緩和するために、新たに樹脂を充填または形成する
必要は無く、製造工程を増やすことは無い。
板に取り付けた実装構造では、バンプの周囲に形成され
た樹脂製の吸音材によって、弾性表面波デバイスが基板
に接着されているから、バンプにおける熱応力を緩和で
き、従って、バンプの疲労による接続性の低下を防止で
き、実用上問題のないサイクル寿命を確保できる。ま
た、吸音材は、不要な弾性表面波を吸収する本来の機能
だけでなく、絶縁性接着剤としても機能するので、熱応
力を緩和するために、新たに樹脂を充填または形成する
必要は無く、製造工程を増やすことは無い。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。本実施形態の弾性表面波デバイス(１)は、図
１（ａ）及び（ｂ）のように、圧電基板(10)の下面に入
力側ＩＤＴ(11a)と出力側ＩＤＴ(11b)を対向して配備し
たトランスバーサル型弾性表面波フィルタである。入力
側ＩＤＴ(11a)および出力側ＩＤＴ(11b)には、各電極指
から、弾性表面波の伝播方向の端部まで、それぞれパタ
ーン配線(14)が形成され、パターン配線(14)の先端に
は、入力端子として入力電圧信号を受信する入力用の電
極パッド(13)が形成される。前記電極パッド(13)上に
は、突起状の接続電極であるバンプ(30)が配備される。
また、圧電基板(10)の表面において、弾性表面波の伝播
方向の両端近くと、前記バンプ(30)の周囲とに樹脂製の
吸音材(４)が配備される。入力側ＩＤＴ(11a)と出力側
ＩＤＴ(11b)の間には、入力側ＩＤＴ(11a)にて生じた電
波を、出力側ＩＤＴ(11b)が直接受信しないように、シ
ールド電極(12)が形成される。シールド電極(12)上にお
いて、弾性表面波の伝播方向に垂直な方向の両端近く
に、バンプ(30)が配備される。バンプ(30)の周囲に前記
吸音材(４)と同種の吸音材(4a)が配備される。なお、吸
音材(４)は、入力側ＩＤＴ(11a)から出力側ＩＤＴ(11b)
までの弾性表面波が伝播する領域の外側に配備される必
要がある。
説明する。本実施形態の弾性表面波デバイス(１)は、図
１（ａ）及び（ｂ）のように、圧電基板(10)の下面に入
力側ＩＤＴ(11a)と出力側ＩＤＴ(11b)を対向して配備し
たトランスバーサル型弾性表面波フィルタである。入力
側ＩＤＴ(11a)および出力側ＩＤＴ(11b)には、各電極指
から、弾性表面波の伝播方向の端部まで、それぞれパタ
ーン配線(14)が形成され、パターン配線(14)の先端に
は、入力端子として入力電圧信号を受信する入力用の電
極パッド(13)が形成される。前記電極パッド(13)上に
は、突起状の接続電極であるバンプ(30)が配備される。
また、圧電基板(10)の表面において、弾性表面波の伝播
方向の両端近くと、前記バンプ(30)の周囲とに樹脂製の
吸音材(４)が配備される。入力側ＩＤＴ(11a)と出力側
ＩＤＴ(11b)の間には、入力側ＩＤＴ(11a)にて生じた電
波を、出力側ＩＤＴ(11b)が直接受信しないように、シ
ールド電極(12)が形成される。シールド電極(12)上にお
いて、弾性表面波の伝播方向に垂直な方向の両端近く
に、バンプ(30)が配備される。バンプ(30)の周囲に前記
吸音材(４)と同種の吸音材(4a)が配備される。なお、吸
音材(４)は、入力側ＩＤＴ(11a)から出力側ＩＤＴ(11b)
までの弾性表面波が伝播する領域の外側に配備される必
要がある。
【０００９】圧電基板(10)には、128度回転ＹカットＸ
方向伝搬のLiNbO3、ＸカットＹ軸から112度伝搬のLiTaO
3等の圧電性を有する基板が使用される。また、ＩＤＴ
(11)、パターン配線(14)、電極パッド(13)、シールド電
極(12)等の各種電極および配線には、アルミニウム薄膜
やアルミニウム合金薄膜が使用される。また、バンプ(3
0)には、金、金合金、銅等が使用される。また、吸音材
(４)には、弾性表面波を吸収する機能と、絶縁性接着剤
としての機能とを有する樹脂が使用され、本実施形態で
は、熱可塑性樹脂が使用される。
方向伝搬のLiNbO3、ＸカットＹ軸から112度伝搬のLiTaO
3等の圧電性を有する基板が使用される。また、ＩＤＴ
(11)、パターン配線(14)、電極パッド(13)、シールド電
極(12)等の各種電極および配線には、アルミニウム薄膜
やアルミニウム合金薄膜が使用される。また、バンプ(3
0)には、金、金合金、銅等が使用される。また、吸音材
(４)には、弾性表面波を吸収する機能と、絶縁性接着剤
としての機能とを有する樹脂が使用され、本実施形態で
は、熱可塑性樹脂が使用される。
【００１０】次に、上記弾性表面波デバイス(１)の製造
手順について説明する。圧電基板(10)の表面に蒸着した
金属薄膜に対して、フォトリソグラフ法を施して各種電
極および配線(11)(12)(13)(14)を形成する。次に、バン
プボンダ等により、電極パッド(13)およびシールド電極
(12)の所定位置にバンプ(30)を配備する。その後、スク
リーン印刷、ディスペンス、スタンピング等の方法によ
り、弾性表面波の伝播方向の両端近くと、前記バンプ(3
0)の周囲とに樹脂製の前記吸音材(４)を配備することに
よって、弾性表面波デバイス(１)が完成する。
手順について説明する。圧電基板(10)の表面に蒸着した
金属薄膜に対して、フォトリソグラフ法を施して各種電
極および配線(11)(12)(13)(14)を形成する。次に、バン
プボンダ等により、電極パッド(13)およびシールド電極
(12)の所定位置にバンプ(30)を配備する。その後、スク
リーン印刷、ディスペンス、スタンピング等の方法によ
り、弾性表面波の伝播方向の両端近くと、前記バンプ(3
0)の周囲とに樹脂製の前記吸音材(４)を配備することに
よって、弾性表面波デバイス(１)が完成する。
【００１１】図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、フェ
イスダウンボンディングにより上記弾性表面波デバイス
(１)を実装すべき基板(２)には、配線用電極(20)が形成
され、配線用電極(20)において、弾性表面波デバイス
(１)が実装される際にバンプ(30)と接触する位置に、導
電性接着剤(７)が配備される。本実施形態では、導電性
接着剤(７)として、導電性を有する熱硬化性樹脂が使用
される。なお、基板(２)は、チップ部品をプリント回路
基板に直接実装するＣＯＢ（chip on board）実装にお
けるプリント回路基板や、チップ部品をパッケージ用の
ベース基板に実装することにより、チップ部品の寸法程
度のパッケージとするＣＳＰ（chip scale package）実
装におけるベース基板、等の絶縁性基板であるが、本実
施形態では、ＣＯＢ実装技術におけるプリント回路基板
とする。
イスダウンボンディングにより上記弾性表面波デバイス
(１)を実装すべき基板(２)には、配線用電極(20)が形成
され、配線用電極(20)において、弾性表面波デバイス
(１)が実装される際にバンプ(30)と接触する位置に、導
電性接着剤(７)が配備される。本実施形態では、導電性
接着剤(７)として、導電性を有する熱硬化性樹脂が使用
される。なお、基板(２)は、チップ部品をプリント回路
基板に直接実装するＣＯＢ（chip on board）実装にお
けるプリント回路基板や、チップ部品をパッケージ用の
ベース基板に実装することにより、チップ部品の寸法程
度のパッケージとするＣＳＰ（chip scale package）実
装におけるベース基板、等の絶縁性基板であるが、本実
施形態では、ＣＯＢ実装技術におけるプリント回路基板
とする。
【００１２】次に、フェイスダウンボンディングにより
弾性表面波デバイス(１)を基板(２）に実装する手順を
説明する。まず、弾性表面波デバイス（１)の吸音材
(４)、または弾性表面波デバイス(１)全体に熱を加え
て、吸音材(４)を仮硬化の状態にしておく。次に、弾性
表面波デバイス(１)は、ＩＤＴ(11)、吸音材(４)等が配
備されている面を下向きにして、基板(２)の上方に運
び、位置合わせを行なった後に基板(２)上に載置する。
すると、バンプ(30)が導電性接着剤(７)および配線用電
極(20)に接触し、吸音材(４)が基板(２)に接触する。次
に、基板(２)および弾性表面波デバイス(１)を加熱す
る。すると、導電性接着剤(７)が硬化して、バンプ(30)
が配線用電極(20)に固定され、バンプ(30)と配線用電極
(20)が電気的に接続される。同時に、吸音材(４)は、軟
化し、接着温度に達して、基板(２)に接着する。そし
て、基板(２)および弾性表面波デバイス(１)を冷却する
ことにより、吸音材(４)が硬化して、弾性表面波デバイ
ス(１)の基板(２)への実装が完了する。
弾性表面波デバイス(１)を基板(２）に実装する手順を
説明する。まず、弾性表面波デバイス（１)の吸音材
(４)、または弾性表面波デバイス(１)全体に熱を加え
て、吸音材(４)を仮硬化の状態にしておく。次に、弾性
表面波デバイス(１)は、ＩＤＴ(11)、吸音材(４)等が配
備されている面を下向きにして、基板(２)の上方に運
び、位置合わせを行なった後に基板(２)上に載置する。
すると、バンプ(30)が導電性接着剤(７)および配線用電
極(20)に接触し、吸音材(４)が基板(２)に接触する。次
に、基板(２)および弾性表面波デバイス(１)を加熱す
る。すると、導電性接着剤(７)が硬化して、バンプ(30)
が配線用電極(20)に固定され、バンプ(30)と配線用電極
(20)が電気的に接続される。同時に、吸音材(４)は、軟
化し、接着温度に達して、基板(２)に接着する。そし
て、基板(２)および弾性表面波デバイス(１)を冷却する
ことにより、吸音材(４)が硬化して、弾性表面波デバイ
ス(１)の基板(２)への実装が完了する。
【００１３】上記のように、弾性表面波デバイス(１)を
基板(２)に実装すると、吸音材(４)は、圧電基板(10)上
において、励振した弾性表面波が、伝播方向両端にて反
射することを防止する本来の機能を果たすと共に、基板
(２)に接着することにより、実装した弾性表面波デバイ
ス(１)の機械的強度を確保する。従って、バンプ(30)の
周囲に形成された吸音材(４)は、弾性表面波デバイス
(１)と基板(２)の熱膨張係数の差によってバンプ(30)に
生じる熱応力を緩和できる。その結果、バンプ(30)の疲
労による接続性の低下を防止でき、実用上問題のないサ
イクル寿命を確保できる。また、熱応力を緩和するため
に、新たに樹脂を充填または形成する必要は無く、製造
工程を増やすことは無い。
基板(２)に実装すると、吸音材(４)は、圧電基板(10)上
において、励振した弾性表面波が、伝播方向両端にて反
射することを防止する本来の機能を果たすと共に、基板
(２)に接着することにより、実装した弾性表面波デバイ
ス(１)の機械的強度を確保する。従って、バンプ(30)の
周囲に形成された吸音材(４)は、弾性表面波デバイス
(１)と基板(２)の熱膨張係数の差によってバンプ(30)に
生じる熱応力を緩和できる。その結果、バンプ(30)の疲
労による接続性の低下を防止でき、実用上問題のないサ
イクル寿命を確保できる。また、熱応力を緩和するため
に、新たに樹脂を充填または形成する必要は無く、製造
工程を増やすことは無い。
【００１４】なお、図４に示すように、弾性表面波デバ
イス(１)において、弾性表面波の伝播方向に垂直な方向
の両端近くに、前記吸音材(４)と同種の吸音材(40)を配
備してもよい。このとき、弾性表面波デバイス(１)を基
板(２)に実装すると、吸音材(４)(40)は、前述の不要な
弾性表面波の反射防止、機械的強度の確保及び熱応力の
緩和の効果をさらに増加できる。また、吸音材(４)(40)
は、ＩＤＴ(11)の全周囲、即ち弾性表面波が伝播すべき
領域の外側の全周囲に配備されるから、弾性表面波デバ
イス(１)が基板(２)へ実装した後に、モールディング又
はポッティングにより樹脂にて封止される際に、弾性表
面波が伝播すべき領域に封止用の樹脂が侵入することを
防止でき、その結果、弾性表面波デバイス(１)の信頼性
を損なうことは無い。
イス(１)において、弾性表面波の伝播方向に垂直な方向
の両端近くに、前記吸音材(４)と同種の吸音材(40)を配
備してもよい。このとき、弾性表面波デバイス(１)を基
板(２)に実装すると、吸音材(４)(40)は、前述の不要な
弾性表面波の反射防止、機械的強度の確保及び熱応力の
緩和の効果をさらに増加できる。また、吸音材(４)(40)
は、ＩＤＴ(11)の全周囲、即ち弾性表面波が伝播すべき
領域の外側の全周囲に配備されるから、弾性表面波デバ
イス(１)が基板(２)へ実装した後に、モールディング又
はポッティングにより樹脂にて封止される際に、弾性表
面波が伝播すべき領域に封止用の樹脂が侵入することを
防止でき、その結果、弾性表面波デバイス(１)の信頼性
を損なうことは無い。
【００１５】上記実施形態の説明は、本発明を説明する
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、本実施形態は、トランス
バーサル型弾性表面波フィルタについて説明したが、共
振器型弾性表面波フィルタ、共振器、遅延線等の他の弾
性表面波デバイスにおいても、また、ＩＤＴ以外の、電
気と弾性表面波のエネルギー変換を行なうトランスジュ
ーサを用いた弾性表面波デバイスにおいても、弾性表面
波を利用することにより同じ課題を有するので、本発明
を適用できる。また、本実施形態では、吸音材(４)に熱
可塑性樹脂を使用したが、仮硬化の状態が可能な熱硬化
性樹脂を使用することもできる。この場合、吸音材(４)
は、仮硬化の状態で基板(２)に接着され、加熱により吸
音材(４)が硬化して、弾性表面波デバイス(１)の基板
(２)への実装が完了する。また、本実施形態では、先に
バンプ(30)を配備してから吸音材(４)を配備したが、先
に吸音材(４)を配備してからバンプ(30)を配備してもよ
い。また、本実施形態では、導電性接着剤(７)は、基板
(２)の配線用電極(20)上に配備したが、弾性表面波デバ
イス(１)のバンプ(30)上に配備してもよい。また、本実
施形態では、導電性接着剤(７)として、導電性を有する
熱硬化性樹脂を使用したが、これは電気的接続を確保す
るための手段であるから、導電性接着剤(７)に代えてハ
ンダを使用することもできる。なお、吸音材(４)が弾性
表面波デバイス(１)と基板(２)を接着するだけで、バン
プ(30)と配線用電極(20)との電気的接続を確保できる場
合には、導電性接着剤(７)を使用する必要はない。
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、本実施形態は、トランス
バーサル型弾性表面波フィルタについて説明したが、共
振器型弾性表面波フィルタ、共振器、遅延線等の他の弾
性表面波デバイスにおいても、また、ＩＤＴ以外の、電
気と弾性表面波のエネルギー変換を行なうトランスジュ
ーサを用いた弾性表面波デバイスにおいても、弾性表面
波を利用することにより同じ課題を有するので、本発明
を適用できる。また、本実施形態では、吸音材(４)に熱
可塑性樹脂を使用したが、仮硬化の状態が可能な熱硬化
性樹脂を使用することもできる。この場合、吸音材(４)
は、仮硬化の状態で基板(２)に接着され、加熱により吸
音材(４)が硬化して、弾性表面波デバイス(１)の基板
(２)への実装が完了する。また、本実施形態では、先に
バンプ(30)を配備してから吸音材(４)を配備したが、先
に吸音材(４)を配備してからバンプ(30)を配備してもよ
い。また、本実施形態では、導電性接着剤(７)は、基板
(２)の配線用電極(20)上に配備したが、弾性表面波デバ
イス(１)のバンプ(30)上に配備してもよい。また、本実
施形態では、導電性接着剤(７)として、導電性を有する
熱硬化性樹脂を使用したが、これは電気的接続を確保す
るための手段であるから、導電性接着剤(７)に代えてハ
ンダを使用することもできる。なお、吸音材(４)が弾性
表面波デバイス(１)と基板(２)を接着するだけで、バン
プ(30)と配線用電極(20)との電気的接続を確保できる場
合には、導電性接着剤(７)を使用する必要はない。
【図１】本発明の実施形態における弾性表面波デバイス
であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図である。
であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図である。
【図２】本実施形態における基板であって、（ａ）は平
面図、（ｂ）は正面図である。
面図、（ｂ）は正面図である。
【図３】本実施形態において、弾性表面波デバイスを基
板に取り付けた正面図である。
板に取り付けた正面図である。
【図４】本発明の別の実施形態における弾性表面波デバ
イスを示す下面図である。
イスを示す下面図である。
【図５】半導体デバイスを基板に取り付けた従来の取付
構造の長手方向に沿う断面図である。
構造の長手方向に沿う断面図である。
(１) 弾性表面波デバイス (２) 基板 (４) 吸音材 (10) 圧電基板 (11) すだれ状電極トランスジューサ（ＩＤＴ） (13) 電極パッド (20) 配線用電極 (30) バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀岡 史男 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 清瀬 功 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板(10)の表面に、電気と弾性表面
波のエネルギー変換を行なうトランスジューサを配備し
た弾性表面波デバイスに於て、 圧電基板(10)の表面に、基板への接続用の電極パッド(1
3)が形成され、 電極パッド(13)上に、バンプ(30)が形成され、且つ、 弾性表面波を吸収する機能と、絶縁性接着剤としての機
能とを有する樹脂製の吸音材(４)が、圧電基板(10)の表
面において、弾性表面波の伝播方向の両端近くと、前記
バンプ(30)の周囲とに配備されることを特徴とする弾性
表面波デバイス。 - 【請求項２】 圧電基板(10)の表面において、弾性表面
波の伝播方向に垂直な方向の両端近くに、吸音材(４)と
同様な吸音材(40)が配備される、請求項１に記載の弾性
表面波デバイス。 - 【請求項３】 圧電基板(10)の表面に、電気と弾性表面
波のエネルギー変換を行なうトランスジューサと、電極
パッド(13)とを形成した弾性表面波デバイス(１)と、表
面に配線用電極(20)を形成した基板(２)とから構成さ
れ、該トランスジューサ及び電極パッド(13)と配線用電
極(20)とが対向し、且つ、電極パッド(13)がバンプ(30)
を介して配線用電極(20)に接続されており、 圧電基板(10)上における弾性表面波の伝播方向の両端近
くと、バンプ(30)の周囲に、弾性表面波を吸収する機能
と、絶縁性接着剤としての機能とを有する樹脂製の吸音
材(４)が配備されていることを特徴とする、弾性表面波
デバイスの基板への実装構造。 - 【請求項４】 圧電基板(10)上における弾性表面波の伝
播方向に垂直な方向の両端近くに、吸音材(４)と同様な
吸音材(40)が配備されている、請求項３に記載の弾性表
面波デバイスの基板への実装構造。 - 【請求項５】 圧電基板(10)の表面に、電気と弾性表面
波のエネルギー変換を行なうトランスジューサと、電極
パッド(13)とを形成し、電極パッド(13)上にバンプ(30)
を形成し、さらに、圧電基板(10)上における弾性表面波
の伝播方向の両端近くと、バンプ(30)の周囲とに、弾性
表面波を吸収する機能と、絶縁性接着剤としての機能と
を有する樹脂製の吸音材(４)を配備して弾性表面波デバ
イス(１)を形成し、 基板(２)において、前記バンプ(30)と接触すべき領域
に、配線用電極(20)を形成しておき、 吸音材(４)を加熱して仮硬化の状態にしつつ、圧電基板
(10)における前記トランスジューサ、電極パッド(13)及
び吸音材(４)を有する表面を、基板(２)における配線用
電極(20)を有する表面に対向させて、圧電基板(10)を基
板(２)に取り付ける、弾性表面波デバイスの基板への実
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9227675A JPH1168505A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 弾性表面波デバイス並びに該弾性表面波デバイスを基板へ取り付ける実装構造及び実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9227675A JPH1168505A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 弾性表面波デバイス並びに該弾性表面波デバイスを基板へ取り付ける実装構造及び実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168505A true JPH1168505A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16864576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9227675A Pending JPH1168505A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 弾性表面波デバイス並びに該弾性表面波デバイスを基板へ取り付ける実装構造及び実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1168505A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077734A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sanki:Kk | 搬送装置の駆動素子 |
| US6369490B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave device having bump electrodes |
| US6710682B2 (en) * | 2000-10-04 | 2004-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same |
| WO2014050450A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP9227675A patent/JPH1168505A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077734A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sanki:Kk | 搬送装置の駆動素子 |
| US6369490B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave device having bump electrodes |
| US6710682B2 (en) * | 2000-10-04 | 2004-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same |
| WO2014050450A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP5825444B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2015-12-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US9621127B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device with a bump defining a shield and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020611 |