JP3652296B2 - 光学装置 - Google Patents
光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3652296B2 JP3652296B2 JP2001328660A JP2001328660A JP3652296B2 JP 3652296 B2 JP3652296 B2 JP 3652296B2 JP 2001328660 A JP2001328660 A JP 2001328660A JP 2001328660 A JP2001328660 A JP 2001328660A JP 3652296 B2 JP3652296 B2 JP 3652296B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarizer
- light beam
- light
- optical
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、測定装置に係り、特に、光源として極端紫外線領域（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、又はＸ線領域の発光光源を利用する測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＸ線、軟Ｘ線、ＥＵＶ光学の発展に伴い、その利用分野は多岐にわたるようになってきた。特に、ＥＵＶ光を用いた光学素子等の評価は注目を集めている。一般に、光を照射して光学素子の反射率を評価する際には、光の偏光によって光学素子が示す性質が異なるので、かかる偏光を考慮する必要がある。光の偏光は、図１８に示すように、反射面１０００ａに対して紙面に垂直な電場ベクトルをもつ偏光をｓ偏光、ｓ偏光に垂直でかつ波数ベクトルに垂直な電場ベクトルをもつ偏光をｐ偏光と定義し、偏光度Ｐはｓ偏光の強度Ｉｓとｐ偏光の強度Ｉｐを用いて、次式で与えられる。
【０００３】
【数１】
【０００４】
ここで、図１８は、光の偏光を示す概略図である。
【０００５】
例えば、Ｘ線、軟Ｘ線領域に高い反射率を有する多層膜ミラーがあるが、かかる多層膜反射ミラーは入射光の偏光によって反射率が大きく異なる。図１９に、光の入射角を４２．６°、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を合わせた膜厚９．６ｎｍ、膜数５層対として計算で求めた多層膜ミラーの反射率特性を示す。同図は、横軸に多層膜ミラーに入射する光の波長を、縦軸に多層膜ミラーの反射率を採用している。即ち、ｐ及びｓ偏光が混在する光では偏光度によって値が異なるため正確な反射率を測定することができず、高精度に反射率を測定するにはｐ偏光又はｓ偏光の直線偏光に分けて測定を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来では、無偏光の光源から高偏光度、且つ、偏光面の切り替えが可能な直線偏光を作り出して測定に用いることは容易ではなかった。
【０００７】
例えば、高精度に反射率を測定する装置として、従来からシンクロトロン光源を用いた反射率計が使用されている。図２０は、シンクロトロン光源を用いた反射率計２０００の概略図である。反射率計２０００は、光源２１００の偏向電磁石からの放射光を利用する。偏向電磁石からの放射光は、電子軌道面内に電場ベクトルがある直線偏光を持つ。従って、後段の光学系２２００を介してｐ偏光又はｓ偏光に分離した光が被測定体２３００に照射され、検出器２７００により偏光を考慮した反射率測定が可能となっている。しかし、シンクロトロン光源を用いた反射率計２０００は、光源２１００からの放射光が必ず電子軌道平面内に直線偏光しているため被測定体２３００上の偏光の向きを替える（即ち、ｓ偏光又はｐ偏光の選択）には被測定体２３００の向きを変えるしかない。従って、被測定体２３００の向きを変えるには、被測定体２３００の入った通常数百キログラム程度のチャンバーを回転させなければならず、ｓ偏光又はｐ偏光の選択は非常に困難であった。また、シンクロトロン光源自体も非常に大規模で高価であった。
【０００８】
そこで、シンクロトロン光源と比較して小型で安価なレーザープロデュースプラズマ光源（以下、ＬＰＰ光源と称する）を用いた反射率計がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４１４４（２０００）．ｐｐ７６−８１． Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ａｎ ＥＵＶ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ ｕｓｉｎｇ ａ ｌａｓｅｒ−ｐｌａｓｍａ Ｘ−ｒａｙ ｓｏｕｒｃｅ．において提案されている。かかる装置は、測定で得られたデータをカーブフィッティングすることにより多層膜パラメータを決定している。しかし、光源からの偏光をランダムと仮定し、ｓ偏光を光学系配置の計算から５％と見積もっているため偏光度に不確定性が残り、反射率に誤差が生じ高精度な多層膜パラメータの決定を行うことができない。
【０００９】
更に、優れた偏光特性を有する透過型の多層膜偏光子を挿入することで上述の問題を回避する反射率計がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１７２０（１９９２）．ｐｐ１９０−１９４． Ｓｏｆｔ−ｘ−ｒａｙ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｗｉｔｈ ａ ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ．において提案されている。かかる装置は、ＬＬＰ光源を用いながらも、ＭｏとＳｉを積層した透過型多層膜偏光子を取り付けることで偏光を分離した反射率の測定を可能にしている。しかし、透過率を考えると多層膜偏光子の厚み（多層膜と基板とを含めた厚み）を数百ｎｍ以下に抑えることが必要なため作製が困難であり、壊れやすく耐熱性にも問題がある。また、ＭｏとＳｉを４１層積層した偏光子に無偏光の波長１２．８ｎｍの軟X線が透過した場合、ｓ偏光とｐ偏光の透過強度比は０．２程度であり、高い偏光度を得ることができない。
【００１０】
一方、所望の偏光状態を得るために、作製が容易で耐久性にも優れた反射型の偏光子を用いることもＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１５９８−１６００，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ａ ｓｏｆｔ ｘ−ｒａｙ ｑｕａｄｒｕｐｌｅ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｌａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ．で提案されているが、これは４枚の多層膜ミラー構成で直線偏光を円偏光にするだけであり、高精度な試料の偏光に依存した特性の測定に用いることはできない。
【００１１】
更に、光軸周りに回転可能な３枚の多層膜ミラー構成の偏光子を２つ用いることがＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１９２３−１９２５，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｃｉｒｃｕｌａｒｌｙ ｐｏｌａｒｉｚｅｄ ｖａｃｕｕｍ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ａｎｄ Ｓｏｆｔ−ｘ−ｒａｙ ｈｅｌｉｃａｌｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｒａｄｉａｔｉｏｎ．で提案されているが、これはシンクロトロン光源の特性や円偏光の度合いを測定する装置であり用途が異なる。
【００１２】
つまり、上述の装置では、偏光を考慮した精度の高い測定をシンクロトロンを用いて行うには大規模な構成の使用が避けられず、一方小型且つ安価な非直線偏光光源であるＬＰＰ光源を用いた場合の精度の高い測定に適した構成が実現していなかった。
【００１３】
そこで、本発明は、非直線偏光の光源を用いた場合であっても高偏光度且つ容易に偏光面の切り替えを可能とし、容易に高精度な測定をすることができる光学装置を提供することを例示的目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光学装置は、被測定体の偏光に依存した特性を測定する光学装置であって、極端紫外線領域又はＸ線領域の非直線偏光の光束を射出する光源と、前記光源から射出された前記光束を順次反射するとともに入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置された３回以上反射するミラー群で構成され回転可能な偏光子とを有する。かかる光学装置によれば、偏光子によって入射光束の光軸と出射光束の光軸を変化させずに、非直線偏光の光束を直線偏光に変換して被測定体に照射し、偏光依存特性を測定することができる。前記偏光子は、前記入射光束の光軸を中心軸として回転する。これにより、被測定体に対する偏光面を切り替えることができる。即ち、偏光子を回転させるだけで、ｓ偏光又はｐ偏光を選択することができる。前記偏光子は、前記光源から射出される前記光束の光路に対して退避可能である。これにより、被処理体に無偏光の光を照射することができる。前記光源から射出された前記光束を集光する光学系と、前記偏光子からの前記出射光束を前記被測定体で結像する結像光学系とを更に有し、前記偏光子は、前記被測定体と光学的に略共役な位置に配置される。これにより、偏光子の設計誤差及び／又は配置誤差による角度ずれ及び位置ずれの影響を防ぐことができる。前記光源から射出された前記光束を集光する光学系を更に有し、前記偏光子は、前記被測定体に近接して配置される。これにより、偏光子の設計誤差及び／又は配置誤差による角度ずれの影響を防ぐことができる。
【００１５】
本発明の更に別の側面としての光学素子は、上述の光学装置を用いて偏光に依存する特性が測定され、特性が所定値以上である。かかる光学素子は、レンズ、回折格子、光学膜体及びそれらの複合体、例えば、レンズ、マルチレンズ、レンズアレイ、レンチキュラーレンズ、ハエの目レンズ、非球面レンズ、回折格子、バイナリ−オプティックス素子及びそれらの複合体を含む。
【００１８】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の光学装置の一例としての反射率測定装置１及び光電子分光装置２について説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。ここで、図１は、反射率測定装置１の概略図である。反射率測定装置１は、図１に示すように、光源１０と、前置鏡２０と、スリット３０と、回折格子４０と、スリット５０と、偏光子６０と、後置鏡７０と、検出器８０とを有し、被測定体９０の反射率を測定する。
【００２０】
光源１０は、ＥＵＶ又はＸ線領域のプラズマ光源であり、等方的に無偏光で連続波長を持つ発散光を発光する。前置鏡２０は、光源１０からのＥＵＶ光を取り込み、光源１０の像を結像する。前置鏡２０の後段にスリット３０を設置することで取り込む光源１０のサイズを制限する。回折格子４０は、入射される光を波長により異なる角度に回折するので、後段にスリット５０を設けることで分光を行なうことができる。前置鏡２０、スリット３０、回折格子４０、スリット５０の構成は、Ｄｒａｇｏｎ型モノクロメーターと呼ばれ、公知の技術として用いられているのでここでは詳しい説明は省略する。光源１０から発せられたＥＵＶ光は、スリット５０の直後ではほぼ無偏光の単色光である。
【００２１】
偏光子６０は、多層膜ミラーを複数枚組み合わせ、このうち少なくとも１枚の多層膜ミラーをブリュースター角に近い入射角度となるように構成し、ｓ偏光とｐ偏光の反射率の違いを利用して無偏光の光を直線偏光にする。多層膜ミラーの組み合わせは、偏光子６０の入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置する（以下、この構成を「光軸を変化させない構成」と称する）。
【００２２】
偏光子６０の多層膜ミラーの配置の一例を図２に示す。図２は、偏光子６０の概略図である。偏光子６０は、図２に示すように、第１の多層膜ミラー６２の入射角度を６６．３°、第２の多層膜ミラー６４の入射角度を４２．６°、第３の多層膜ミラー６６の入射角度を６６．３°で構成する。従って、偏光子６０は、光軸を変化させることなく、第２の多層膜ミラー６４がブリュースター角の近傍であるので高い偏光度が実現できる。第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜ミラーであり、計算上、波長１３．５ｎｍ近傍でｐ偏光とｓ偏光の比は１×１０−３である。また、第１及び第３の多層膜ミラー６２及び６６は、膜厚２０ｎｍ、膜数３層対であり、第２の多層膜ミラー６４は、膜厚９．６ｎｍ、膜数５層対である。但し、偏光子６０を構成する多層膜ミラーは３枚に限らず、偏光子６０への入射光束の光軸と出射光束の光軸が変わらない構成であれば何枚使用してもよく、例えば、図３に示すように、第４の多層膜ミラー６８を加えて４枚で構成してもよい。ここで、図３は、偏光子６０の変形例である偏光子６０Ａの概略図である。
【００２３】
また、偏光子６０は、図示しない駆動機構を有し、光軸を回転軸として偏光子６０を回転することで偏光面を切り替えることでｓ偏光又はｐ偏光を選択することができる。更に、図示しない駆動機構により光軸と垂直方向に偏光子６０を移動（出し入れ）して無偏光を選択することもできる。無偏光の光源１０と偏光子６０を用いることで、回転のみの容易な操作で偏光の向きの選択が可能となる。
【００２４】
偏光子６０は使用の有無に限らず、また偏光を切り替えても光軸を動かさないので原理的には反射率測定装置１内のどの部分にも設置可能である。しかし、実際には、設計値通りに作製されずに設計誤差や、設置のときの設置誤差を含む場合がある。偏光子６０の設計誤差及び設置誤差は、図４及び図５に示すように、理想的な光軸から出射光束の光軸角度がずれてしまう角度ずれや出射光束の光軸位置が理想的な光軸から出射光束の位置がずれてしまう位置ずれを引き起こし、偏光子６０を設置する場所によって反射率測定装置１の性能に与える影響が異なる。ここで、図４は、偏光子６０における出射光束光軸の角度ずれを示す図であり、図５は、偏光子６０における出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【００２５】
ここで、図６乃至図９を参照して、偏光子６０の角度ずれ及び位置ずれについて、図２で示した第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６の配置を例に詳しく説明する。図６は、偏光子６０の設計誤差による角度ずれを示す図、図７は、偏光子６０の設計誤差による位置ずれを示す図、図８は、偏光子６０の設置誤差による角度ずれを示す図、図９は、偏光子６０の設置誤差による位置ずれを示す図である。
【００２６】
図６を参照するに、第１及び第２の多層膜ミラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設置されているが、第３の多層膜ミラー６６の角度が正しい角度からΔθずれている。この場合、出射光束の光軸角度は入射光束の光軸に対して２Δθほどずれてしまう。また、図７を参照するに、第１及び第２の多層膜ミラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設置されているが、第３の多層膜ミラー６６の位置が正しい位置からΔｙだけずれている。この場合、出射光束の光軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置がΔｙだけずれてしまう。
【００２７】
また、第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６の位置関係が正しく設置されて、それ自体は正確な偏光子であったとしても、入射光束の光軸に対して正しく設置されなければ誤差が生じる。図８を参照するに、第１の多層膜ミラー６２へ入射される入射光束の光軸角度がΔθずれている。この場合、出射光束の光軸角度は光軸に対して２Δθほどずれてしまう。また、図９を参照するに、入射光束の光軸と第１の多層膜ミラー６２の中心６２ａがΔyずれている。この場合、出射光束の光軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置が２Δｙだけずれてしまう。
【００２８】
従って、偏光子６０の角度ずれ及び／又は位置ずれが起きると理想的な結像位置から像が動くという問題が生じる。図１０は、偏光子６０の角度ずれによる結像位置のずれを示す図である。図１０を参照するに、偏光子６０の出射光束の光軸角度ずれΔθと、スリット５０と偏光子６０までの距離ｄの積は、後置鏡７０から見たスリット５０の開口位置（即ち、物点位置）の移動量Ｍと等価である。例えば、偏光子６０の設置誤差により出射光束に１ｍｒａｄの誤差が生じた場合、スリット５０から１ｍの場所に偏光子６０があればスリット５０の位置が１ｍｍ動いたことになり、０．１ｍの場所に偏光子６０があればスリット５０の位置が０．１ｍｍ動いたことに等価である。また、被測定体９０上での光束移動量（即ち、結像位置の移動量）は、スリット５０の開口位置の移動量Ｍと後置鏡７０の倍率との積と等価である。従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０などの結像光学系がある場合には、偏光子６０をスリット５０に近い場所（即ち、被測定試料と略共役な位置）に設置する方が、偏光子６０の角度に関する設置誤差を軽減することになる。
【００２９】
一方、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位置ずれは、図１１に示すように、出射光束の光軸を平行に動かす。ここで、図１１は、偏光子６０の位置ずれによる結像位置のずれを示す図である。図１１を参照するに、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位置ずれにより、出射光束の後置鏡７０への入射位置が変化する。しかし、後置鏡７０の入射位置の変化は平行移動であるので、スリット５０から後置鏡７０までのどの場所に偏光子６０を設置した場合も後置鏡７０の入射位置に与える影響は同じである。
【００３０】
従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０のような結像光学系がある場合は、偏光子６０の角度ずれに対しては偏光子６０をスリット５０（即ち、物点位置）又は可能な限りその近傍（略共役な位置）に設置することが望ましい。また、偏光子６０と被測定体の間に後置鏡７０のような結像光学系がない場合は、できるだけ被測定体９０の近傍に偏光子６０を設置することで設置誤差の影響を小さくすることができる。
【００３１】
再び、図１に戻って、後置鏡７０は、集光作用を持ちスリット５０の像を被測定体９０上へ結像する。被測定体９０と検出器８０は、図示しないθ‐２θステージに設置され、検出器８０により被測定体９０の反射光強度を検出し反射率を測定する。
【００３２】
測定において、光源１０から発せられた無偏光のＥＵＶ光は、前置鏡２０で結像され、スリット３０によりサイズが整形される。サイズが整形されたＥＵＶ光は、回折格子４０により波長毎に異なる角度に回折されスリット５０により分光される。分光されたＥＵＶ光は、偏光子６０により直線偏光の単色光に変換され、後置鏡７０によって集光され被測定体９０を照射し、検出器８０により反射率が測定される。前置鏡２０、回折格子４０、後置鏡７０は、Ｘ線領域での全反射を利用するため、通常、斜入射で用いられる。また、偏光子６０を導入することで、ｐ偏光又はｓ偏光又は無偏光の選択が可能となり３種類の測定を容易に行なうことができる。また、直線偏光のＸ線を用いて測定する場合には充分な偏光度が得られる。
【００３３】
以上、無偏光の光源１０と、光軸を変化させないと共に、移動及び回転可能な偏光子６０を組み合わせることで、容易に偏光を考慮した測定が可能となる。また、同時に偏光子６０の設置場所を最適化することで、設計誤差及び設置誤差があった場合の影響を軽減することができる。従って、反射率測定装置１は、偏光のゆらぎの影響を受けることなく、光学部材等の反射率を高精度に測定することが可能となる。
【００３４】
更に、波長依存性を測定するときには、スリット３０を固定したまま回折格子４０を回転し、波長走査を行う。偏光子６０は、第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６で構成されているため、近似的に以下の数式２に示すブラッグの式で表されるように、波長によって最適な膜厚が変化する。
【００３５】
【数２】
【００３６】
そこで、図１２に示すように、第２の多層膜ミラー６４の多層膜に位置の関数として膜厚分布Ｔをつける。従って、波長に応じて第２の多層膜ミラーだけを光軸方向に移動することで反射率の低下を防ぐことができる。ここで、図１２は、膜厚分布Ｔを施した第２の多層膜ミラー６４の概略断面図である。
【００３７】
図１３は、膜厚選択装置の概略図である。分光器１００と多層膜ミラー駆動ステージ１１０は、コントローラー１２０を介して接続されており、波長に応じて多層膜ミラー駆動ステージ１１０が駆動し、第２の多層膜ミラー６４を最適な膜厚分布位置に移動させる。分光器１００は、波長による回折角の違いを利用して所望の波長だけがスリット５０を通過するようにする。偏光子６０の角度ずれ及び位置ずれが起きると所望の波長がスリット５０を通過できず、所望の波長と異なった波長の光がスリット５０を通過することになり、所望の波長の光が取り出せないことになる。従って、偏光子６０はスリット５０から下段に設置することが望ましい。さらに、後置鏡７０がある場合は可能な限りスリット５０に近い場所に設置することが望ましく、後置鏡７０がない場合は可能な限り被測定体９０に近い場所に設置することが望ましい。なお、本実施形態においては、第２の多層膜ミラー６４に膜厚分布Ｔを施したが、第１及び第３の多層膜ミラー６２及び６６に膜厚分布Ｔを施して波長の変化に応じて移動させてもよい。
【００３８】
以下、図１４を参照して、光電子分光装置２について説明する。図１４は、本発明の光電子分光装置２の概略図である。なお、図１及び図１３で示すのと同一の部材については同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。光電子分光装置２は直線偏光が必要な測定装置の1つであり、特に、結晶や配向試料の測定に必要となる。
【００３９】
光電子分光装置２は、図１４に示すように、光源１０と、分光器１００と、偏光子６０と、回転ステージ１３０と、エネルギー分析器１４０と、真空チャンバ１５０とを有する。光電子分光装置２は真空中に置かれた被測定体９０に、高エネルギーの直線偏光した単色光を照射し、外部光電効果によって放出される光電子のスペクトルを測定する。光電子分光装置２は、分光器１００と被測定体９０の間に光学系がない装置である。このような装置の場合、偏光子６０を設置することによる被測定体９０のビーム位置変動は、偏光子６０をできるだけ被測定体９０近傍に設置することで低減される。
【００４０】
光源１０からの光は、分光器１００により単色化される。そして、被測定体９０近傍に設置された偏光子６０により直線偏光となって被測定体９０に照射され、被測定体９０から出てきた光電子をエネルギー分析器１４０により測定及び解析することで被測定体９０の固有の情報を得ることができる。より詳細な情報を得るには、偏光子９０の偏光面を切り替えて、再度測定を行う。
【００４１】
光源１０をシンクロトロン光源とし、偏光子６０を用いずに測定を行う場合、被測定体９０に対する偏光面を切り替えるためには、被測定体９０の入った真空チャンバー１５０を回転させなければならない。しかし、図１４に示した構成であれば、偏光子６０を回転するだけで、被測定体６０に対する偏光面を切り替えることができ、容易に詳細な被測定体９０の情報を得ることができる。従って、光電子分光装置２は、偏光のゆらぎの影響を受けることなく、光学部材等に用いられる結晶等を高精度に測定することが可能となる。
【００４２】
以上、反射率測定装置１及び光電子分光装置２を例に説明したが、本発明はこれらに限るものではなく、偏光が必要な反射型ＸＡＦＳ、蛍光ＸＡＦＳ、Ｘ線小角散乱、軟Ｘ線分光計、Ｘ線回折、ＸＰＳ、ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ、ＲＥＥＤ等の測定にも有効である。
【００４３】
以下、図１５を参照して、本発明の例示的な露光装置３００について説明する。ここで、図１５は、露光装置３００の概略ブロック図である。露光装置３００は、図１５に示すように、回路パターンが形成されたマスク又はレチクル（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する）３２０を照明する照明装置３１０と、プレートを支持するステージ３４５と、照明されたマスクパターンから生じる回折光をプレート３４０に投影する投影光学系３３０とを有する。
【００４４】
露光装置３００は、例えば、ステップアンドリピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク３２０に形成された回路パターンをプレート３４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドスキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャンしてマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットを露光領域に移動する露光方法である。
【００４５】
照明装置３１０は、転写用の回路パターンが形成されたマスク３２０を照明し、光源部３１２と照明光学系３１４とを有する。
【００４６】
光源部３１２は、例えば、光源としてレーザーを使用する。レーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザーなどを使用することができるが、レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されない。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さらにスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転的に揺動させてもよい。また、光源部３１２にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部３１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００４７】
照明光学系３１４は、マスク３２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系３１４は、軸上光、軸外光を問わず使用することができる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。かかる照明光学系３１４のレンズなどの光学素子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると測定された光学素子を使用することができる。
【００４８】
マスク３２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク３２０から発せられた回折光は投影光学系３３０を通りプレート３４０上に投影される。プレート３４０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありレジストが塗布されている。マスク３２０とプレート３４０とは共役の関係にある。スキャナーの場合は、マスク３２０とプレート３４０を走査することによりマスク３２０のパターンをプレート３４０上に転写する。ステッパーの場合は、マスク３２０とプレート３４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００４９】
投影光学系３３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方法の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系３３０のレンズなどの光学素子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると測定された光学素子を使用することができる。
【００５０】
プレート３４０にはフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００５１】
ステージ３４５は、プレート３４０を支持する。ステージ３４５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ３４５は、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレート３４０を移動することができる。マスク３２０とプレート３４０は、例えば、同期走査され、ステージ３４５と図示しないマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステージ３４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系３３０は、例えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００５２】
露光において、光源部３１２から発せられた光束は、照明光学系３１４によりマスク３２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク３２０を通過してマスクパターンを反映する光は投影光学系３３０によりプレート３４０に結像される。露光装置３００が使用する照明光学系３１４及び投影光学系３３０は、本発明の光学装置で光学特性が所定値を満たすと測定された光学素子を含んで紫外光、遠赤外光及び真空紫外光を高い透過率で透過するので、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００５３】
次に、図１６及び図１７を参照して、上述の露光装置３００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００５４】
図１７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置３００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、非直線偏光の光源と、光軸を変えずに直線偏光に変換する偏光子を用いることで、偏光度の高い、偏光面の切り替え可能な直線偏光を作り出すことが可能となり、容易に高精度な被測定試料の偏光に依存した特性の測定をすることができる。さらに、偏光子の設置場所を最適化することで偏光子の設計誤差、設置誤差があった場合に被測定体上の照射位置変動、被測定体への入射角変動等の影響を軽減することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光学装置の一例としての反射率測定装置の概略図である。
【図２】 図１に示す偏光子の概略図である。
【図３】 図２に示す偏光子の変形例である偏光子の概略図である。
【図４】 図１に示す偏光子における出射光束の光軸の角度ずれを示す図である。
【図５】 図１に示す偏光子における出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【図６】 図１に示す偏光子の設計誤差による出射光束の光軸の角度ずれを示す図である。
【図７】 図１に示す偏光子の設計誤差による出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【図８】 図１に示す偏光子の設置誤差による出射光束の光軸の角度ずれを示す図である。
【図９】 図１に示す偏光子の設置誤差による出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【図１０】 図１に示す偏光子の角度ずれによる結像位置のずれを示す図である。
【図１１】 図１に示す偏光子の位置ずれによる結像位置のずれを示す図である。
【図１２】 膜厚分布を施した多層膜ミラーの概略断面図である。
【図１３】 膜厚選択装置の概略図である。
【図１４】 本発明の光学装置の一例としての光電子分光装置の概略図である。
【図１５】 本発明の例示的な露光装置の概略ブロック図である。
【図１６】 本発明の露光装置を有するデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１７】 図５に示すステップ４の詳細なフローチャートである。
【図１８】 光の偏光を示す概略図である。
【図１９】 多層膜ミラーの反射率特性を示すグラフである。
【図２０】 シンクロトロン光源を用いた反射率計の概略図である。
【符号の説明】
１ 反射率測定装置
２ 光電子分光装置
１０ 光源
４０ 回折格子
６０、６０Ａ 偏光子
６２ 第１の多層膜ミラー
６４ 第２の多層膜ミラー
６６ 第３の多層膜ミラー
６８ 第４の多層膜ミラー
１００ 分光器
３００ 露光装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、測定装置に係り、特に、光源として極端紫外線領域（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、又はＸ線領域の発光光源を利用する測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＸ線、軟Ｘ線、ＥＵＶ光学の発展に伴い、その利用分野は多岐にわたるようになってきた。特に、ＥＵＶ光を用いた光学素子等の評価は注目を集めている。一般に、光を照射して光学素子の反射率を評価する際には、光の偏光によって光学素子が示す性質が異なるので、かかる偏光を考慮する必要がある。光の偏光は、図１８に示すように、反射面１０００ａに対して紙面に垂直な電場ベクトルをもつ偏光をｓ偏光、ｓ偏光に垂直でかつ波数ベクトルに垂直な電場ベクトルをもつ偏光をｐ偏光と定義し、偏光度Ｐはｓ偏光の強度Ｉｓとｐ偏光の強度Ｉｐを用いて、次式で与えられる。
【０００３】
【数１】
ここで、図１８は、光の偏光を示す概略図である。
【０００５】
例えば、Ｘ線、軟Ｘ線領域に高い反射率を有する多層膜ミラーがあるが、かかる多層膜反射ミラーは入射光の偏光によって反射率が大きく異なる。図１９に、光の入射角を４２．６°、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を合わせた膜厚９．６ｎｍ、膜数５層対として計算で求めた多層膜ミラーの反射率特性を示す。同図は、横軸に多層膜ミラーに入射する光の波長を、縦軸に多層膜ミラーの反射率を採用している。即ち、ｐ及びｓ偏光が混在する光では偏光度によって値が異なるため正確な反射率を測定することができず、高精度に反射率を測定するにはｐ偏光又はｓ偏光の直線偏光に分けて測定を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来では、無偏光の光源から高偏光度、且つ、偏光面の切り替えが可能な直線偏光を作り出して測定に用いることは容易ではなかった。
【０００７】
例えば、高精度に反射率を測定する装置として、従来からシンクロトロン光源を用いた反射率計が使用されている。図２０は、シンクロトロン光源を用いた反射率計２０００の概略図である。反射率計２０００は、光源２１００の偏向電磁石からの放射光を利用する。偏向電磁石からの放射光は、電子軌道面内に電場ベクトルがある直線偏光を持つ。従って、後段の光学系２２００を介してｐ偏光又はｓ偏光に分離した光が被測定体２３００に照射され、検出器２７００により偏光を考慮した反射率測定が可能となっている。しかし、シンクロトロン光源を用いた反射率計２０００は、光源２１００からの放射光が必ず電子軌道平面内に直線偏光しているため被測定体２３００上の偏光の向きを替える（即ち、ｓ偏光又はｐ偏光の選択）には被測定体２３００の向きを変えるしかない。従って、被測定体２３００の向きを変えるには、被測定体２３００の入った通常数百キログラム程度のチャンバーを回転させなければならず、ｓ偏光又はｐ偏光の選択は非常に困難であった。また、シンクロトロン光源自体も非常に大規模で高価であった。
【０００８】
そこで、シンクロトロン光源と比較して小型で安価なレーザープロデュースプラズマ光源（以下、ＬＰＰ光源と称する）を用いた反射率計がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４１４４（２０００）．ｐｐ７６−８１． Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ａｎ ＥＵＶ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ ｕｓｉｎｇ ａ ｌａｓｅｒ−ｐｌａｓｍａ Ｘ−ｒａｙ ｓｏｕｒｃｅ．において提案されている。かかる装置は、測定で得られたデータをカーブフィッティングすることにより多層膜パラメータを決定している。しかし、光源からの偏光をランダムと仮定し、ｓ偏光を光学系配置の計算から５％と見積もっているため偏光度に不確定性が残り、反射率に誤差が生じ高精度な多層膜パラメータの決定を行うことができない。
【０００９】
更に、優れた偏光特性を有する透過型の多層膜偏光子を挿入することで上述の問題を回避する反射率計がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１７２０（１９９２）．ｐｐ１９０−１９４． Ｓｏｆｔ−ｘ−ｒａｙ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｗｉｔｈ ａ ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ．において提案されている。かかる装置は、ＬＬＰ光源を用いながらも、ＭｏとＳｉを積層した透過型多層膜偏光子を取り付けることで偏光を分離した反射率の測定を可能にしている。しかし、透過率を考えると多層膜偏光子の厚み（多層膜と基板とを含めた厚み）を数百ｎｍ以下に抑えることが必要なため作製が困難であり、壊れやすく耐熱性にも問題がある。また、ＭｏとＳｉを４１層積層した偏光子に無偏光の波長１２．８ｎｍの軟X線が透過した場合、ｓ偏光とｐ偏光の透過強度比は０．２程度であり、高い偏光度を得ることができない。
【００１０】
一方、所望の偏光状態を得るために、作製が容易で耐久性にも優れた反射型の偏光子を用いることもＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１５９８−１６００，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ａ ｓｏｆｔ ｘ−ｒａｙ ｑｕａｄｒｕｐｌｅ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｌａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ．で提案されているが、これは４枚の多層膜ミラー構成で直線偏光を円偏光にするだけであり、高精度な試料の偏光に依存した特性の測定に用いることはできない。
【００１１】
更に、光軸周りに回転可能な３枚の多層膜ミラー構成の偏光子を２つ用いることがＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１９２３−１９２５，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｃｉｒｃｕｌａｒｌｙ ｐｏｌａｒｉｚｅｄ ｖａｃｕｕｍ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ａｎｄ Ｓｏｆｔ−ｘ−ｒａｙ ｈｅｌｉｃａｌｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｒａｄｉａｔｉｏｎ．で提案されているが、これはシンクロトロン光源の特性や円偏光の度合いを測定する装置であり用途が異なる。
【００１２】
つまり、上述の装置では、偏光を考慮した精度の高い測定をシンクロトロンを用いて行うには大規模な構成の使用が避けられず、一方小型且つ安価な非直線偏光光源であるＬＰＰ光源を用いた場合の精度の高い測定に適した構成が実現していなかった。
【００１３】
そこで、本発明は、非直線偏光の光源を用いた場合であっても高偏光度且つ容易に偏光面の切り替えを可能とし、容易に高精度な測定をすることができる光学装置を提供することを例示的目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光学装置は、被測定体の偏光に依存した特性を測定する光学装置であって、極端紫外線領域又はＸ線領域の非直線偏光の光束を射出する光源と、前記光源から射出された前記光束を順次反射するとともに入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置された３回以上反射するミラー群で構成され回転可能な偏光子とを有する。かかる光学装置によれば、偏光子によって入射光束の光軸と出射光束の光軸を変化させずに、非直線偏光の光束を直線偏光に変換して被測定体に照射し、偏光依存特性を測定することができる。前記偏光子は、前記入射光束の光軸を中心軸として回転する。これにより、被測定体に対する偏光面を切り替えることができる。即ち、偏光子を回転させるだけで、ｓ偏光又はｐ偏光を選択することができる。前記偏光子は、前記光源から射出される前記光束の光路に対して退避可能である。これにより、被処理体に無偏光の光を照射することができる。前記光源から射出された前記光束を集光する光学系と、前記偏光子からの前記出射光束を前記被測定体で結像する結像光学系とを更に有し、前記偏光子は、前記被測定体と光学的に略共役な位置に配置される。これにより、偏光子の設計誤差及び／又は配置誤差による角度ずれ及び位置ずれの影響を防ぐことができる。前記光源から射出された前記光束を集光する光学系を更に有し、前記偏光子は、前記被測定体に近接して配置される。これにより、偏光子の設計誤差及び／又は配置誤差による角度ずれの影響を防ぐことができる。
【００１５】
本発明の更に別の側面としての光学素子は、上述の光学装置を用いて偏光に依存する特性が測定され、特性が所定値以上である。かかる光学素子は、レンズ、回折格子、光学膜体及びそれらの複合体、例えば、レンズ、マルチレンズ、レンズアレイ、レンチキュラーレンズ、ハエの目レンズ、非球面レンズ、回折格子、バイナリ−オプティックス素子及びそれらの複合体を含む。
【００１８】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の光学装置の一例としての反射率測定装置１及び光電子分光装置２について説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。ここで、図１は、反射率測定装置１の概略図である。反射率測定装置１は、図１に示すように、光源１０と、前置鏡２０と、スリット３０と、回折格子４０と、スリット５０と、偏光子６０と、後置鏡７０と、検出器８０とを有し、被測定体９０の反射率を測定する。
【００２０】
光源１０は、ＥＵＶ又はＸ線領域のプラズマ光源であり、等方的に無偏光で連続波長を持つ発散光を発光する。前置鏡２０は、光源１０からのＥＵＶ光を取り込み、光源１０の像を結像する。前置鏡２０の後段にスリット３０を設置することで取り込む光源１０のサイズを制限する。回折格子４０は、入射される光を波長により異なる角度に回折するので、後段にスリット５０を設けることで分光を行なうことができる。前置鏡２０、スリット３０、回折格子４０、スリット５０の構成は、Ｄｒａｇｏｎ型モノクロメーターと呼ばれ、公知の技術として用いられているのでここでは詳しい説明は省略する。光源１０から発せられたＥＵＶ光は、スリット５０の直後ではほぼ無偏光の単色光である。
【００２１】
偏光子６０は、多層膜ミラーを複数枚組み合わせ、このうち少なくとも１枚の多層膜ミラーをブリュースター角に近い入射角度となるように構成し、ｓ偏光とｐ偏光の反射率の違いを利用して無偏光の光を直線偏光にする。多層膜ミラーの組み合わせは、偏光子６０の入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置する（以下、この構成を「光軸を変化させない構成」と称する）。
【００２２】
偏光子６０の多層膜ミラーの配置の一例を図２に示す。図２は、偏光子６０の概略図である。偏光子６０は、図２に示すように、第１の多層膜ミラー６２の入射角度を６６．３°、第２の多層膜ミラー６４の入射角度を４２．６°、第３の多層膜ミラー６６の入射角度を６６．３°で構成する。従って、偏光子６０は、光軸を変化させることなく、第２の多層膜ミラー６４がブリュースター角の近傍であるので高い偏光度が実現できる。第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜ミラーであり、計算上、波長１３．５ｎｍ近傍でｐ偏光とｓ偏光の比は１×１０−３である。また、第１及び第３の多層膜ミラー６２及び６６は、膜厚２０ｎｍ、膜数３層対であり、第２の多層膜ミラー６４は、膜厚９．６ｎｍ、膜数５層対である。但し、偏光子６０を構成する多層膜ミラーは３枚に限らず、偏光子６０への入射光束の光軸と出射光束の光軸が変わらない構成であれば何枚使用してもよく、例えば、図３に示すように、第４の多層膜ミラー６８を加えて４枚で構成してもよい。ここで、図３は、偏光子６０の変形例である偏光子６０Ａの概略図である。
【００２３】
また、偏光子６０は、図示しない駆動機構を有し、光軸を回転軸として偏光子６０を回転することで偏光面を切り替えることでｓ偏光又はｐ偏光を選択することができる。更に、図示しない駆動機構により光軸と垂直方向に偏光子６０を移動（出し入れ）して無偏光を選択することもできる。無偏光の光源１０と偏光子６０を用いることで、回転のみの容易な操作で偏光の向きの選択が可能となる。
【００２４】
偏光子６０は使用の有無に限らず、また偏光を切り替えても光軸を動かさないので原理的には反射率測定装置１内のどの部分にも設置可能である。しかし、実際には、設計値通りに作製されずに設計誤差や、設置のときの設置誤差を含む場合がある。偏光子６０の設計誤差及び設置誤差は、図４及び図５に示すように、理想的な光軸から出射光束の光軸角度がずれてしまう角度ずれや出射光束の光軸位置が理想的な光軸から出射光束の位置がずれてしまう位置ずれを引き起こし、偏光子６０を設置する場所によって反射率測定装置１の性能に与える影響が異なる。ここで、図４は、偏光子６０における出射光束光軸の角度ずれを示す図であり、図５は、偏光子６０における出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【００２５】
ここで、図６乃至図９を参照して、偏光子６０の角度ずれ及び位置ずれについて、図２で示した第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６の配置を例に詳しく説明する。図６は、偏光子６０の設計誤差による角度ずれを示す図、図７は、偏光子６０の設計誤差による位置ずれを示す図、図８は、偏光子６０の設置誤差による角度ずれを示す図、図９は、偏光子６０の設置誤差による位置ずれを示す図である。
【００２６】
図６を参照するに、第１及び第２の多層膜ミラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設置されているが、第３の多層膜ミラー６６の角度が正しい角度からΔθずれている。この場合、出射光束の光軸角度は入射光束の光軸に対して２Δθほどずれてしまう。また、図７を参照するに、第１及び第２の多層膜ミラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設置されているが、第３の多層膜ミラー６６の位置が正しい位置からΔｙだけずれている。この場合、出射光束の光軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置がΔｙだけずれてしまう。
【００２７】
また、第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６の位置関係が正しく設置されて、それ自体は正確な偏光子であったとしても、入射光束の光軸に対して正しく設置されなければ誤差が生じる。図８を参照するに、第１の多層膜ミラー６２へ入射される入射光束の光軸角度がΔθずれている。この場合、出射光束の光軸角度は光軸に対して２Δθほどずれてしまう。また、図９を参照するに、入射光束の光軸と第１の多層膜ミラー６２の中心６２ａがΔyずれている。この場合、出射光束の光軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置が２Δｙだけずれてしまう。
【００２８】
従って、偏光子６０の角度ずれ及び／又は位置ずれが起きると理想的な結像位置から像が動くという問題が生じる。図１０は、偏光子６０の角度ずれによる結像位置のずれを示す図である。図１０を参照するに、偏光子６０の出射光束の光軸角度ずれΔθと、スリット５０と偏光子６０までの距離ｄの積は、後置鏡７０から見たスリット５０の開口位置（即ち、物点位置）の移動量Ｍと等価である。例えば、偏光子６０の設置誤差により出射光束に１ｍｒａｄの誤差が生じた場合、スリット５０から１ｍの場所に偏光子６０があればスリット５０の位置が１ｍｍ動いたことになり、０．１ｍの場所に偏光子６０があればスリット５０の位置が０．１ｍｍ動いたことに等価である。また、被測定体９０上での光束移動量（即ち、結像位置の移動量）は、スリット５０の開口位置の移動量Ｍと後置鏡７０の倍率との積と等価である。従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０などの結像光学系がある場合には、偏光子６０をスリット５０に近い場所（即ち、被測定試料と略共役な位置）に設置する方が、偏光子６０の角度に関する設置誤差を軽減することになる。
【００２９】
一方、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位置ずれは、図１１に示すように、出射光束の光軸を平行に動かす。ここで、図１１は、偏光子６０の位置ずれによる結像位置のずれを示す図である。図１１を参照するに、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位置ずれにより、出射光束の後置鏡７０への入射位置が変化する。しかし、後置鏡７０の入射位置の変化は平行移動であるので、スリット５０から後置鏡７０までのどの場所に偏光子６０を設置した場合も後置鏡７０の入射位置に与える影響は同じである。
【００３０】
従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０のような結像光学系がある場合は、偏光子６０の角度ずれに対しては偏光子６０をスリット５０（即ち、物点位置）又は可能な限りその近傍（略共役な位置）に設置することが望ましい。また、偏光子６０と被測定体の間に後置鏡７０のような結像光学系がない場合は、できるだけ被測定体９０の近傍に偏光子６０を設置することで設置誤差の影響を小さくすることができる。
【００３１】
再び、図１に戻って、後置鏡７０は、集光作用を持ちスリット５０の像を被測定体９０上へ結像する。被測定体９０と検出器８０は、図示しないθ‐２θステージに設置され、検出器８０により被測定体９０の反射光強度を検出し反射率を測定する。
【００３２】
測定において、光源１０から発せられた無偏光のＥＵＶ光は、前置鏡２０で結像され、スリット３０によりサイズが整形される。サイズが整形されたＥＵＶ光は、回折格子４０により波長毎に異なる角度に回折されスリット５０により分光される。分光されたＥＵＶ光は、偏光子６０により直線偏光の単色光に変換され、後置鏡７０によって集光され被測定体９０を照射し、検出器８０により反射率が測定される。前置鏡２０、回折格子４０、後置鏡７０は、Ｘ線領域での全反射を利用するため、通常、斜入射で用いられる。また、偏光子６０を導入することで、ｐ偏光又はｓ偏光又は無偏光の選択が可能となり３種類の測定を容易に行なうことができる。また、直線偏光のＸ線を用いて測定する場合には充分な偏光度が得られる。
【００３３】
以上、無偏光の光源１０と、光軸を変化させないと共に、移動及び回転可能な偏光子６０を組み合わせることで、容易に偏光を考慮した測定が可能となる。また、同時に偏光子６０の設置場所を最適化することで、設計誤差及び設置誤差があった場合の影響を軽減することができる。従って、反射率測定装置１は、偏光のゆらぎの影響を受けることなく、光学部材等の反射率を高精度に測定することが可能となる。
【００３４】
更に、波長依存性を測定するときには、スリット３０を固定したまま回折格子４０を回転し、波長走査を行う。偏光子６０は、第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６で構成されているため、近似的に以下の数式２に示すブラッグの式で表されるように、波長によって最適な膜厚が変化する。
【００３５】
【数２】
そこで、図１２に示すように、第２の多層膜ミラー６４の多層膜に位置の関数として膜厚分布Ｔをつける。従って、波長に応じて第２の多層膜ミラーだけを光軸方向に移動することで反射率の低下を防ぐことができる。ここで、図１２は、膜厚分布Ｔを施した第２の多層膜ミラー６４の概略断面図である。
【００３７】
図１３は、膜厚選択装置の概略図である。分光器１００と多層膜ミラー駆動ステージ１１０は、コントローラー１２０を介して接続されており、波長に応じて多層膜ミラー駆動ステージ１１０が駆動し、第２の多層膜ミラー６４を最適な膜厚分布位置に移動させる。分光器１００は、波長による回折角の違いを利用して所望の波長だけがスリット５０を通過するようにする。偏光子６０の角度ずれ及び位置ずれが起きると所望の波長がスリット５０を通過できず、所望の波長と異なった波長の光がスリット５０を通過することになり、所望の波長の光が取り出せないことになる。従って、偏光子６０はスリット５０から下段に設置することが望ましい。さらに、後置鏡７０がある場合は可能な限りスリット５０に近い場所に設置することが望ましく、後置鏡７０がない場合は可能な限り被測定体９０に近い場所に設置することが望ましい。なお、本実施形態においては、第２の多層膜ミラー６４に膜厚分布Ｔを施したが、第１及び第３の多層膜ミラー６２及び６６に膜厚分布Ｔを施して波長の変化に応じて移動させてもよい。
【００３８】
以下、図１４を参照して、光電子分光装置２について説明する。図１４は、本発明の光電子分光装置２の概略図である。なお、図１及び図１３で示すのと同一の部材については同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。光電子分光装置２は直線偏光が必要な測定装置の1つであり、特に、結晶や配向試料の測定に必要となる。
【００３９】
光電子分光装置２は、図１４に示すように、光源１０と、分光器１００と、偏光子６０と、回転ステージ１３０と、エネルギー分析器１４０と、真空チャンバ１５０とを有する。光電子分光装置２は真空中に置かれた被測定体９０に、高エネルギーの直線偏光した単色光を照射し、外部光電効果によって放出される光電子のスペクトルを測定する。光電子分光装置２は、分光器１００と被測定体９０の間に光学系がない装置である。このような装置の場合、偏光子６０を設置することによる被測定体９０のビーム位置変動は、偏光子６０をできるだけ被測定体９０近傍に設置することで低減される。
【００４０】
光源１０からの光は、分光器１００により単色化される。そして、被測定体９０近傍に設置された偏光子６０により直線偏光となって被測定体９０に照射され、被測定体９０から出てきた光電子をエネルギー分析器１４０により測定及び解析することで被測定体９０の固有の情報を得ることができる。より詳細な情報を得るには、偏光子９０の偏光面を切り替えて、再度測定を行う。
【００４１】
光源１０をシンクロトロン光源とし、偏光子６０を用いずに測定を行う場合、被測定体９０に対する偏光面を切り替えるためには、被測定体９０の入った真空チャンバー１５０を回転させなければならない。しかし、図１４に示した構成であれば、偏光子６０を回転するだけで、被測定体６０に対する偏光面を切り替えることができ、容易に詳細な被測定体９０の情報を得ることができる。従って、光電子分光装置２は、偏光のゆらぎの影響を受けることなく、光学部材等に用いられる結晶等を高精度に測定することが可能となる。
【００４２】
以上、反射率測定装置１及び光電子分光装置２を例に説明したが、本発明はこれらに限るものではなく、偏光が必要な反射型ＸＡＦＳ、蛍光ＸＡＦＳ、Ｘ線小角散乱、軟Ｘ線分光計、Ｘ線回折、ＸＰＳ、ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ、ＲＥＥＤ等の測定にも有効である。
【００４３】
以下、図１５を参照して、本発明の例示的な露光装置３００について説明する。ここで、図１５は、露光装置３００の概略ブロック図である。露光装置３００は、図１５に示すように、回路パターンが形成されたマスク又はレチクル（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する）３２０を照明する照明装置３１０と、プレートを支持するステージ３４５と、照明されたマスクパターンから生じる回折光をプレート３４０に投影する投影光学系３３０とを有する。
【００４４】
露光装置３００は、例えば、ステップアンドリピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク３２０に形成された回路パターンをプレート３４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドスキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャンしてマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットを露光領域に移動する露光方法である。
【００４５】
照明装置３１０は、転写用の回路パターンが形成されたマスク３２０を照明し、光源部３１２と照明光学系３１４とを有する。
【００４６】
光源部３１２は、例えば、光源としてレーザーを使用する。レーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザーなどを使用することができるが、レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されない。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さらにスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転的に揺動させてもよい。また、光源部３１２にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部３１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００４７】
照明光学系３１４は、マスク３２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系３１４は、軸上光、軸外光を問わず使用することができる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。かかる照明光学系３１４のレンズなどの光学素子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると測定された光学素子を使用することができる。
【００４８】
マスク３２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク３２０から発せられた回折光は投影光学系３３０を通りプレート３４０上に投影される。プレート３４０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありレジストが塗布されている。マスク３２０とプレート３４０とは共役の関係にある。スキャナーの場合は、マスク３２０とプレート３４０を走査することによりマスク３２０のパターンをプレート３４０上に転写する。ステッパーの場合は、マスク３２０とプレート３４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００４９】
投影光学系３３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方法の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系３３０のレンズなどの光学素子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると測定された光学素子を使用することができる。
【００５０】
プレート３４０にはフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００５１】
ステージ３４５は、プレート３４０を支持する。ステージ３４５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ３４５は、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレート３４０を移動することができる。マスク３２０とプレート３４０は、例えば、同期走査され、ステージ３４５と図示しないマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステージ３４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系３３０は、例えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００５２】
露光において、光源部３１２から発せられた光束は、照明光学系３１４によりマスク３２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク３２０を通過してマスクパターンを反映する光は投影光学系３３０によりプレート３４０に結像される。露光装置３００が使用する照明光学系３１４及び投影光学系３３０は、本発明の光学装置で光学特性が所定値を満たすと測定された光学素子を含んで紫外光、遠赤外光及び真空紫外光を高い透過率で透過するので、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００５３】
次に、図１６及び図１７を参照して、上述の露光装置３００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００５４】
図１７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置３００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、非直線偏光の光源と、光軸を変えずに直線偏光に変換する偏光子を用いることで、偏光度の高い、偏光面の切り替え可能な直線偏光を作り出すことが可能となり、容易に高精度な被測定試料の偏光に依存した特性の測定をすることができる。さらに、偏光子の設置場所を最適化することで偏光子の設計誤差、設置誤差があった場合に被測定体上の照射位置変動、被測定体への入射角変動等の影響を軽減することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光学装置の一例としての反射率測定装置の概略図である。
【図２】 図１に示す偏光子の概略図である。
【図３】 図２に示す偏光子の変形例である偏光子の概略図である。
【図４】 図１に示す偏光子における出射光束の光軸の角度ずれを示す図である。
【図５】 図１に示す偏光子における出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【図６】 図１に示す偏光子の設計誤差による出射光束の光軸の角度ずれを示す図である。
【図７】 図１に示す偏光子の設計誤差による出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【図８】 図１に示す偏光子の設置誤差による出射光束の光軸の角度ずれを示す図である。
【図９】 図１に示す偏光子の設置誤差による出射光束の光軸の位置ずれを示す図である。
【図１０】 図１に示す偏光子の角度ずれによる結像位置のずれを示す図である。
【図１１】 図１に示す偏光子の位置ずれによる結像位置のずれを示す図である。
【図１２】 膜厚分布を施した多層膜ミラーの概略断面図である。
【図１３】 膜厚選択装置の概略図である。
【図１４】 本発明の光学装置の一例としての光電子分光装置の概略図である。
【図１５】 本発明の例示的な露光装置の概略ブロック図である。
【図１６】 本発明の露光装置を有するデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１７】 図５に示すステップ４の詳細なフローチャートである。
【図１８】 光の偏光を示す概略図である。
【図１９】 多層膜ミラーの反射率特性を示すグラフである。
【図２０】 シンクロトロン光源を用いた反射率計の概略図である。
【符号の説明】
１ 反射率測定装置
２ 光電子分光装置
１０ 光源
４０ 回折格子
６０、６０Ａ 偏光子
６２ 第１の多層膜ミラー
６４ 第２の多層膜ミラー
６６ 第３の多層膜ミラー
６８ 第４の多層膜ミラー
１００ 分光器
３００ 露光装置
Claims (6)
- 被測定体の偏光に依存した特性を測定する光学装置であって、
極端紫外線領域又はＸ線領域の非直線偏光の光束を射出する光源と、
前記光源から射出された前記光束を順次反射するとともに入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置された３回以上反射するミラー群で構成され回転可能な偏光子とを有する光学装置。 - 前記偏光子は、前記入射光束の光軸を中心軸として回転可能である請求項１記載の光学装置。
- 前記偏光子は、前記光源から射出される前記光束の光路に対して退避可能である請求項１記載の光学装置。
- 前記偏光子からの前記出射光束を前記被測定体で結像する結像光学系を有し、
前記偏光子は、前記結像光学系と光学的に略共役な位置に配置される請求項１記載の光学装置。 - 前記偏光子は、前記被測定体に近接して配置される請求項１記載の光学装置。
- 前記ミラー群の少なくとも一枚のミラーは、入射光束に対しブリュースター角に近い入射角度となるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項記載の光学装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328660A JP3652296B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 光学装置 |
| EP02257415A EP1306665A3 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Optical apparatus |
| US10/280,806 US6999172B2 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Optical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328660A JP3652296B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133212A JP2003133212A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3652296B2 true JP3652296B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=19144689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001328660A Expired - Fee Related JP3652296B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 光学装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6999172B2 (ja) |
| EP (1) | EP1306665A3 (ja) |
| JP (1) | JP3652296B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053988B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-05-30 | Carl Zeiss Smt Ag. | Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine |
| JP4402656B2 (ja) | 2003-09-17 | 2010-01-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マスク及びリソグラフィ装置 |
| JP5436853B2 (ja) | 2005-04-20 | 2014-03-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光系及び偏光光学素子 |
| KR101213950B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2012-12-18 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광을 이용한 마이크로리소그래피 노광장치 및 제1 및 제2오목거울을 구비한 마이크로리소그래피 투영시스템 |
| JP4564910B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2010-10-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウェハ欠陥検査方法および装置 |
| DE102008002749A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie |
| US8934096B2 (en) * | 2009-02-27 | 2015-01-13 | University Of Nebraska Board Of Regents | Terahertz-infrared ellipsometer system, and method of use |
| JP5070242B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | リソグラフィ装置 |
| DE102009045135A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie |
| DE102010001336B3 (de) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems |
| JP6137179B2 (ja) | 2011-07-26 | 2017-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法 |
| DE102012206153A1 (de) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102012217769A1 (de) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
| DE102012219936A1 (de) * | 2012-10-31 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102012223233A1 (de) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013200137A1 (de) | 2013-01-08 | 2013-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013200394A1 (de) | 2013-01-14 | 2014-07-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarisationsmessvorrichtung, Lithographieanlage, Messanordnung, und Verfahren zur Polarisationsmessung |
| DE102013202590A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013202645A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-02-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013203294A1 (de) | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe zur Polarisationsdrehung |
| JP6453251B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2019-01-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影リソグラフィのための照明光学ユニット |
| DE102013204453B4 (de) | 2013-03-14 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente |
| JP6410741B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2018-10-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影リソグラフィのための照明光学ユニット |
| US8922753B2 (en) | 2013-03-14 | 2014-12-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus |
| DE102013205957A1 (de) | 2013-04-04 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013020353A1 (de) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Polarisationssystem |
| DE102014205579A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle für eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| JP2015206983A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-19 | 日本真空光学株式会社 | 広帯域分離特性を備えた多段式多層膜偏光子 |
| CN108496114A (zh) | 2016-02-26 | 2018-09-04 | 极光先进雷射株式会社 | 射束传送***、曝光装置和曝光装置的照明光学*** |
| DE102016211993B4 (de) | 2016-07-01 | 2018-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung und Verfahren zum Vermessen eines Polarisationsgrades und wellenlängenselektiver Polarisator |
| CN106248616B (zh) * | 2016-09-27 | 2017-10-24 | 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司 | 太赫兹全偏振态检测光谱仪 |
| CN111781773B (zh) * | 2019-04-04 | 2022-07-01 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光配向设备以及光配向方法 |
| KR102248379B1 (ko) * | 2019-06-20 | 2021-05-06 | 주식회사 이솔 | 반도체 소자의 결함 검사장치. |
| CN112748566B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-03 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光透过率调整装置 |
| US11313727B2 (en) * | 2020-08-17 | 2022-04-26 | National Tsing Hua University | EUV spectroscopic polarimeter |
| DE102021204170A1 (de) * | 2021-04-27 | 2022-10-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Messung einer Wirkung einer wellenlängenabhängigen Messlicht-Reflektivität sowie einer Wirkung einer Polarisation von Messlicht auf eine Messlicht-Beaufschlagung einer Lithografiemaske |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH575173A5 (ja) * | 1975-01-13 | 1976-04-30 | Lab Fuer Festkoerperphysik Der | |
| US5075893A (en) * | 1990-12-07 | 1991-12-24 | Battelle Memorial Institute | Unpolarized laser oscillators |
| JPH04307312A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Otsuka Denshi Kk | 液晶セルのギャップ厚測定方法 |
| US6084675A (en) * | 1995-09-20 | 2000-07-04 | J. A. Woollam Co. Inc. | Adjustable beam alignment compensator/retarder with application in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems |
| US6141102A (en) * | 1999-01-19 | 2000-10-31 | J. A. Woolam Co. Inc | Single trianglular shaped optical retarder element for use in spectroscopic ellipsometer and polarimeter systems |
| US5589822A (en) * | 1992-10-20 | 1996-12-31 | Robotic Vision Systems, Inc. | System for detecting ice or snow on surface which specularly reflects light |
| JP3189528B2 (ja) | 1993-09-24 | 2001-07-16 | 株式会社ニコン | Ｘ線投影露光装置 |
| US5627645A (en) * | 1994-09-30 | 1997-05-06 | New Oji Paper Co., Ltd. | Method of and apparatus for measuring retardation of composite layer |
| US5764363A (en) * | 1995-06-30 | 1998-06-09 | Nikon Corporation | Apparatus for observing a surface using polarized light |
| US6046811A (en) * | 1996-01-11 | 2000-04-04 | The Johns Hopkins University | Method and apparatus for determining electrical conductivity of a surface of an object |
| DE69836344T2 (de) * | 1997-10-30 | 2007-05-31 | Donnelly Corp., Holland | Regensensor mit nebelerkennung |
| US5929995A (en) * | 1998-03-03 | 1999-07-27 | J.A. Woollam Co. Inc. | System and method for directing electromagnetic beams |
| US6411370B1 (en) * | 1998-11-23 | 2002-06-25 | Vantageport, Inc. | Optical system and method for measuring distance |
| US6137618A (en) * | 1999-02-08 | 2000-10-24 | J. A. Woollam Co. Inc. | Compact, high extinction coefficient combination brewster angle and other than brewster angle polarizing system, and method of use |
| US6356578B1 (en) * | 1999-12-29 | 2002-03-12 | Photonics Industries International, Inc. | Attenuator |
| JP2001264696A (ja) | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Canon Inc | 照明光学系及びそれを備えた露光装置 |
| US6795184B1 (en) * | 2001-04-06 | 2004-09-21 | J.A. Woollam Co., Inc | Odd bounce image rotation system in ellipsometer systems |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001328660A patent/JP3652296B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-25 EP EP02257415A patent/EP1306665A3/en not_active Withdrawn
- 2002-10-25 US US10/280,806 patent/US6999172B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1306665A3 (en) | 2004-03-17 |
| EP1306665A2 (en) | 2003-05-02 |
| JP2003133212A (ja) | 2003-05-09 |
| US20030081210A1 (en) | 2003-05-01 |
| US6999172B2 (en) | 2006-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3652296B2 (ja) | 光学装置 | |
| JP6323425B2 (ja) | 照明光学装置及び投影露光装置 | |
| KR101795610B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| US8004691B2 (en) | Measuring apparatus, exposure apparatus and method, and device manufacturing method | |
| JP6744437B2 (ja) | オーバーレイおよびクリティカルディメンションセンサにおける瞳照明のための方法およびデバイス | |
| JP4266673B2 (ja) | 収差測定装置 | |
| TWI519733B (zh) | 照明系統、微影裝置及形成照明模式的方法 | |
| JP4314040B2 (ja) | 測定装置及び方法 | |
| US7602473B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| JP4962203B2 (ja) | Ｅｕｖ露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 | |
| KR20210056357A (ko) | 퓨필 형상을 측정하기 위한 방법 및 장치 | |
| JP4384082B2 (ja) | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのｅｕｖ反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス | |
| JP3958261B2 (ja) | 光学系の調整方法 | |
| JP2004108989A (ja) | 光学素子の透過率を測定する装置及び方法 | |
| JP7496367B2 (ja) | リソグラフィ装置、計測装置、光学システムおよび方法 | |
| CN113557477B (zh) | 光刻设备、量测设备、光学***和方法 | |
| JP6564138B2 (ja) | アライメントシステムの光学システム | |
| TW202340880A (zh) | 在目標快速光學檢測系統中實施之光學系統 | |
| CN117581161A (zh) | 具有用于污染物检测和显微镜检查的相控阵列的量测*** |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20030924 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040430 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041111 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080304 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |