JP2003133212A - 光学装置 - Google Patents
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 小型で安価な非直線偏光の光源を用いて高偏
光度且つ容易に偏光面の切り替えを可能とし、容易に高
精度な測定をすることができる光学装置を提供する。 【解決手段】 被測定体の偏光に依存した特性を測定す
る光学装置であって、極端紫外線領域又はＸ線領域の非
直線偏光の光束を射出する光源と、前記光源から射出さ
れた前記光束を順次反射するとともに入射光束の光軸と
出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置された
３回以上反射するミラー群で構成され回転可能な偏光子
とを有する光学装置を提供する。
光度且つ容易に偏光面の切り替えを可能とし、容易に高
精度な測定をすることができる光学装置を提供する。 【解決手段】 被測定体の偏光に依存した特性を測定す
る光学装置であって、極端紫外線領域又はＸ線領域の非
直線偏光の光束を射出する光源と、前記光源から射出さ
れた前記光束を順次反射するとともに入射光束の光軸と
出射光束の光軸とが同一直線上にあるように配置された
３回以上反射するミラー群で構成され回転可能な偏光子
とを有する光学装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、測定装
置に係り、特に、光源として極端紫外線領域（ＥＵＶ：
ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、又はＸ線
領域の発光光源を利用する測定装置に関する。
置に係り、特に、光源として極端紫外線領域（ＥＵＶ：
ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、又はＸ線
領域の発光光源を利用する測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＸ線、軟Ｘ線、ＥＵＶ光学の発展
に伴い、その利用分野は多岐にわたるようになってき
た。特に、ＥＵＶ光を用いた光学素子等の評価は注目を
集めている。一般に、光を照射して光学素子の反射率を
評価する際には、光の偏光によって光学素子が示す性質
が異なるので、かかる偏光を考慮する必要がある。光の
偏光は、図１８に示すように、反射面１０００ａに対し
て紙面に垂直な電場ベクトルをもつ偏光をｓ偏光、ｓ偏
光に垂直でかつ波数ベクトルに垂直な電場ベクトルをも
つ偏光をｐ偏光と定義し、偏光度Ｐはｓ偏光の強度Ｉｓ
とｐ偏光の強度Ｉｐを用いて、次式で与えられる。
に伴い、その利用分野は多岐にわたるようになってき
た。特に、ＥＵＶ光を用いた光学素子等の評価は注目を
集めている。一般に、光を照射して光学素子の反射率を
評価する際には、光の偏光によって光学素子が示す性質
が異なるので、かかる偏光を考慮する必要がある。光の
偏光は、図１８に示すように、反射面１０００ａに対し
て紙面に垂直な電場ベクトルをもつ偏光をｓ偏光、ｓ偏
光に垂直でかつ波数ベクトルに垂直な電場ベクトルをも
つ偏光をｐ偏光と定義し、偏光度Ｐはｓ偏光の強度Ｉｓ
とｐ偏光の強度Ｉｐを用いて、次式で与えられる。
【０００３】
【数１】
【０００４】ここで、図１８は、光の偏光を示す概略図
である。
である。
【０００５】例えば、Ｘ線、軟Ｘ線領域に高い反射率を
有する多層膜ミラーがあるが、かかる多層膜反射ミラー
は入射光の偏光によって反射率が大きく異なる。図１９
に、光の入射角を４２．６°、モリブデン（Ｍｏ）層と
シリコン（Ｓｉ）層を合わせた膜厚９．６ｎｍ、膜数５
層対として計算で求めた多層膜ミラーの反射率特性を示
す。同図は、横軸に多層膜ミラーに入射する光の波長
を、縦軸に多層膜ミラーの反射率を採用している。即
ち、ｐ及びｓ偏光が混在する光では偏光度によって値が
異なるため正確な反射率を測定することができず、高精
度に反射率を測定するにはｐ偏光又はｓ偏光の直線偏光
に分けて測定を行う必要がある。
有する多層膜ミラーがあるが、かかる多層膜反射ミラー
は入射光の偏光によって反射率が大きく異なる。図１９
に、光の入射角を４２．６°、モリブデン（Ｍｏ）層と
シリコン（Ｓｉ）層を合わせた膜厚９．６ｎｍ、膜数５
層対として計算で求めた多層膜ミラーの反射率特性を示
す。同図は、横軸に多層膜ミラーに入射する光の波長
を、縦軸に多層膜ミラーの反射率を採用している。即
ち、ｐ及びｓ偏光が混在する光では偏光度によって値が
異なるため正確な反射率を測定することができず、高精
度に反射率を測定するにはｐ偏光又はｓ偏光の直線偏光
に分けて測定を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来では、無
偏光の光源から高偏光度、且つ、偏光面の切り替えが可
能な直線偏光を作り出して測定に用いることは容易では
なかった。
偏光の光源から高偏光度、且つ、偏光面の切り替えが可
能な直線偏光を作り出して測定に用いることは容易では
なかった。
【０００７】例えば、高精度に反射率を測定する装置と
して、従来からシンクロトロン光源を用いた反射率計が
使用されている。図２０は、シンクロトロン光源を用い
た反射率計２０００の概略図である。反射率計２０００
は、光源２１００の偏向電磁石からの放射光を利用す
る。偏向電磁石からの放射光は、電子軌道面内に電場ベ
クトルがある直線偏光を持つ。従って、後段の光学系２
２００を介してｐ偏光又はｓ偏光に分離した光が被測定
体２３００に照射され、検出器２７００により偏光を考
慮した反射率測定が可能となっている。しかし、シンク
ロトロン光源を用いた反射率計２０００は、光源２１０
０からの放射光が必ず電子軌道平面内に直線偏光してい
るため被測定体２３００上の偏光の向きを替える（即
ち、ｓ偏光又はｐ偏光の選択）には被測定体２３００の
向きを変えるしかない。従って、被測定体２３００の向
きを変えるには、被測定体２３００の入った通常数百キ
ログラム程度のチャンバーを回転させなければならず、
ｓ偏光又はｐ偏光の選択は非常に困難であった。また、
シンクロトロン光源自体も非常に大規模で高価であっ
た。
して、従来からシンクロトロン光源を用いた反射率計が
使用されている。図２０は、シンクロトロン光源を用い
た反射率計２０００の概略図である。反射率計２０００
は、光源２１００の偏向電磁石からの放射光を利用す
る。偏向電磁石からの放射光は、電子軌道面内に電場ベ
クトルがある直線偏光を持つ。従って、後段の光学系２
２００を介してｐ偏光又はｓ偏光に分離した光が被測定
体２３００に照射され、検出器２７００により偏光を考
慮した反射率測定が可能となっている。しかし、シンク
ロトロン光源を用いた反射率計２０００は、光源２１０
０からの放射光が必ず電子軌道平面内に直線偏光してい
るため被測定体２３００上の偏光の向きを替える（即
ち、ｓ偏光又はｐ偏光の選択）には被測定体２３００の
向きを変えるしかない。従って、被測定体２３００の向
きを変えるには、被測定体２３００の入った通常数百キ
ログラム程度のチャンバーを回転させなければならず、
ｓ偏光又はｐ偏光の選択は非常に困難であった。また、
シンクロトロン光源自体も非常に大規模で高価であっ
た。
【０００８】そこで、シンクロトロン光源と比較して小
型で安価なレーザープロデュースプラズマ光源（以下、
ＬＰＰ光源と称する）を用いた反射率計がＰｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４１４４（２０
００）．ｐｐ７６−８１．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏ
ｆ ａｎ ＥＵＶ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒｕｓｉ
ｎｇ ａ ｌａｓｅｒ−ｐｌａｓｍａ Ｘ−ｒａｙ ｓ
ｏｕｒｃｅ．において提案されている。かかる装置は、
測定で得られたデータをカーブフィッティングすること
により多層膜パラメータを決定している。しかし、光源
からの偏光をランダムと仮定し、ｓ偏光を光学系配置の
計算から５％と見積もっているため偏光度に不確定性が
残り、反射率に誤差が生じ高精度な多層膜パラメータの
決定を行うことができない。
型で安価なレーザープロデュースプラズマ光源（以下、
ＬＰＰ光源と称する）を用いた反射率計がＰｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４１４４（２０
００）．ｐｐ７６−８１．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏ
ｆ ａｎ ＥＵＶ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒｕｓｉ
ｎｇ ａ ｌａｓｅｒ−ｐｌａｓｍａ Ｘ−ｒａｙ ｓ
ｏｕｒｃｅ．において提案されている。かかる装置は、
測定で得られたデータをカーブフィッティングすること
により多層膜パラメータを決定している。しかし、光源
からの偏光をランダムと仮定し、ｓ偏光を光学系配置の
計算から５％と見積もっているため偏光度に不確定性が
残り、反射率に誤差が生じ高精度な多層膜パラメータの
決定を行うことができない。
【０００９】更に、優れた偏光特性を有する透過型の多
層膜偏光子を挿入することで上述の問題を回避する反射
率計がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏ
ｌ．１７２０（１９９２）．ｐｐ１９０−１９４． Ｓ
ｏｆｔ−ｘ−ｒａｙ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｍｅ
ａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｗｉｔｈ ａ ｌａｂｏｒａｔｏ
ｒｙ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ．において提案され
ている。かかる装置は、ＬＬＰ光源を用いながらも、Ｍ
ｏとＳｉを積層した透過型多層膜偏光子を取り付けるこ
とで偏光を分離した反射率の測定を可能にしている。し
かし、透過率を考えると多層膜偏光子の厚み（多層膜と
基板とを含めた厚み）を数百ｎｍ以下に抑えることが必
要なため作製が困難であり、壊れやすく耐熱性にも問題
がある。また、ＭｏとＳｉを４１層積層した偏光子に無
偏光の波長１２．８ｎｍの軟X線が透過した場合、ｓ偏
光とｐ偏光の透過強度比は０．２程度であり、高い偏光
度を得ることができない。
層膜偏光子を挿入することで上述の問題を回避する反射
率計がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏ
ｌ．１７２０（１９９２）．ｐｐ１９０−１９４． Ｓ
ｏｆｔ−ｘ−ｒａｙ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｍｅ
ａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｗｉｔｈ ａ ｌａｂｏｒａｔｏ
ｒｙ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ．において提案され
ている。かかる装置は、ＬＬＰ光源を用いながらも、Ｍ
ｏとＳｉを積層した透過型多層膜偏光子を取り付けるこ
とで偏光を分離した反射率の測定を可能にしている。し
かし、透過率を考えると多層膜偏光子の厚み（多層膜と
基板とを含めた厚み）を数百ｎｍ以下に抑えることが必
要なため作製が困難であり、壊れやすく耐熱性にも問題
がある。また、ＭｏとＳｉを４１層積層した偏光子に無
偏光の波長１２．８ｎｍの軟X線が透過した場合、ｓ偏
光とｐ偏光の透過強度比は０．２程度であり、高い偏光
度を得ることができない。
【００１０】一方、所望の偏光状態を得るために、作製
が容易で耐久性にも優れた反射型の偏光子を用いること
もＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１
５９８−１６００，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｅ
ｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ａ
ｓｏｆｔ ｘ−ｒａｙ ｑｕａｄｒｕｐｌｅ ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｌａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅ
ｒ．で提案されているが、これは４枚の多層膜ミラー構
成で直線偏光を円偏光にするだけであり、高精度な試料
の偏光に依存した特性の測定に用いることはできない。
が容易で耐久性にも優れた反射型の偏光子を用いること
もＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１
５９８−１６００，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｅ
ｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ａ
ｓｏｆｔ ｘ−ｒａｙ ｑｕａｄｒｕｐｌｅ ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｌａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅ
ｒ．で提案されているが、これは４枚の多層膜ミラー構
成で直線偏光を円偏光にするだけであり、高精度な試料
の偏光に依存した特性の測定に用いることはできない。
【００１１】更に、光軸周りに回転可能な３枚の多層膜
ミラー構成の偏光子を２つ用いることがＲｅｖ．Ｓｃ
ｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１９２３−１９２
５，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｏｌａｒｉｚａｔ
ｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｃ
ｉｒｃｕｌａｒｌｙ ｐｏｌａｒｉｚｅｄ ｖａｃｕｕ
ｍ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ａｎｄ Ｓｏｆｔ−ｘ−
ｒａｙ ｈｅｌｉｃａｌｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｒａｄｉ
ａｔｉｏｎ．で提案されているが、これはシンクロトロ
ン光源の特性や円偏光の度合いを測定する装置であり用
途が異なる。
ミラー構成の偏光子を２つ用いることがＲｅｖ．Ｓｃ
ｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．６６（２）ｐｐ１９２３−１９２
５，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９５．Ｐｏｌａｒｉｚａｔ
ｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｃ
ｉｒｃｕｌａｒｌｙ ｐｏｌａｒｉｚｅｄ ｖａｃｕｕ
ｍ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ａｎｄ Ｓｏｆｔ−ｘ−
ｒａｙ ｈｅｌｉｃａｌｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｒａｄｉ
ａｔｉｏｎ．で提案されているが、これはシンクロトロ
ン光源の特性や円偏光の度合いを測定する装置であり用
途が異なる。
【００１２】つまり、上述の装置では、偏光を考慮した
精度の高い測定をシンクロトロンを用いて行うには大規
模な構成の使用が避けられず、一方小型且つ安価な非直
線偏光光源であるＬＰＰ光源を用いた場合の精度の高い
測定に適した構成が実現していなかった。
精度の高い測定をシンクロトロンを用いて行うには大規
模な構成の使用が避けられず、一方小型且つ安価な非直
線偏光光源であるＬＰＰ光源を用いた場合の精度の高い
測定に適した構成が実現していなかった。
【００１３】そこで、本発明は、非直線偏光の光源を用
いた場合であっても高偏光度且つ容易に偏光面の切り替
えを可能とし、容易に高精度な測定をすることができる
光学装置を提供することを例示的目的とする。
いた場合であっても高偏光度且つ容易に偏光面の切り替
えを可能とし、容易に高精度な測定をすることができる
光学装置を提供することを例示的目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一側面としての光学装置は、被測定体の偏
光に依存した特性を測定する光学装置であって、極端紫
外線領域又はＸ線領域の非直線偏光の光束を射出する光
源と、前記光源から射出された前記光束を順次反射する
とともに入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線
上にあるように配置された３回以上反射するミラー群で
構成され回転可能な偏光子とを有する。かかる光学装置
によれば、偏光子によって入射光束の光軸と出射光束の
光軸を変化させずに、非直線偏光の光束を直線偏光に変
換して被測定体に照射し、偏光依存特性を測定すること
ができる。前記偏光子は、前記入射光束の光軸を中心軸
として回転する。これにより、被測定体に対する偏光面
を切り替えることができる。即ち、偏光子を回転させる
だけで、ｓ偏光又はｐ偏光を選択することができる。前
記偏光子は、前記光源から射出される前記光束の光路に
対して退避可能である。これにより、被処理体に無偏光
の光を照射することができる。前記光源から射出された
前記光束を集光する光学系と、前記偏光子からの前記出
射光束を前記被測定体で結像する結像光学系とを更に有
し、前記偏光子は、前記被測定体と光学的に略共役な位
置に配置される。これにより、偏光子の設計誤差及び／
又は配置誤差による角度ずれ及び位置ずれの影響を防ぐ
ことができる。前記光源から射出された前記光束を集光
する光学系を更に有し、前記偏光子は、前記被測定体に
近接して配置される。これにより、偏光子の設計誤差及
び／又は配置誤差による角度ずれの影響を防ぐことがで
きる。
に、本発明の一側面としての光学装置は、被測定体の偏
光に依存した特性を測定する光学装置であって、極端紫
外線領域又はＸ線領域の非直線偏光の光束を射出する光
源と、前記光源から射出された前記光束を順次反射する
とともに入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線
上にあるように配置された３回以上反射するミラー群で
構成され回転可能な偏光子とを有する。かかる光学装置
によれば、偏光子によって入射光束の光軸と出射光束の
光軸を変化させずに、非直線偏光の光束を直線偏光に変
換して被測定体に照射し、偏光依存特性を測定すること
ができる。前記偏光子は、前記入射光束の光軸を中心軸
として回転する。これにより、被測定体に対する偏光面
を切り替えることができる。即ち、偏光子を回転させる
だけで、ｓ偏光又はｐ偏光を選択することができる。前
記偏光子は、前記光源から射出される前記光束の光路に
対して退避可能である。これにより、被処理体に無偏光
の光を照射することができる。前記光源から射出された
前記光束を集光する光学系と、前記偏光子からの前記出
射光束を前記被測定体で結像する結像光学系とを更に有
し、前記偏光子は、前記被測定体と光学的に略共役な位
置に配置される。これにより、偏光子の設計誤差及び／
又は配置誤差による角度ずれ及び位置ずれの影響を防ぐ
ことができる。前記光源から射出された前記光束を集光
する光学系を更に有し、前記偏光子は、前記被測定体に
近接して配置される。これにより、偏光子の設計誤差及
び／又は配置誤差による角度ずれの影響を防ぐことがで
きる。
【００１５】本発明の更に別の側面としての光学素子
は、上述の光学装置を用いて偏光に依存する特性が測定
され、特性が所定値以上である。かかる光学素子は、レ
ンズ、回折格子、光学膜体及びそれらの複合体、例え
ば、レンズ、マルチレンズ、レンズアレイ、レンチキュ
ラーレンズ、ハエの目レンズ、非球面レンズ、回折格
子、バイナリ−オプティックス素子及びそれらの複合体
を含む。
は、上述の光学装置を用いて偏光に依存する特性が測定
され、特性が所定値以上である。かかる光学素子は、レ
ンズ、回折格子、光学膜体及びそれらの複合体、例え
ば、レンズ、マルチレンズ、レンズアレイ、レンチキュ
ラーレンズ、ハエの目レンズ、非球面レンズ、回折格
子、バイナリ−オプティックス素子及びそれらの複合体
を含む。
【００１６】本発明の更に別の側面としての露光装置
は、紫外光、遠紫外光及び真空紫外光を露光体として利
用し、当該露光光を、上述の光学素子を含む光学系を介
して被処理体に照射して当該被処理体を露光する。かか
る露光装置も光学素子と同様の作用を奏する。
は、紫外光、遠紫外光及び真空紫外光を露光体として利
用し、当該露光光を、上述の光学素子を含む光学系を介
して被処理体に照射して当該被処理体を露光する。かか
る露光装置も光学素子と同様の作用を奏する。
【００１７】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いて前記被処理体を投影
露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体
に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露
光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の
請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にも
その効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶ
ＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気セン
サー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
造方法は、上述の露光装置を用いて前記被処理体を投影
露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体
に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露
光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の
請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にも
その効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶ
ＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気セン
サー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００１８】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の光学装置の一例としての反射率測定装置１及び光電子
分光装置２について説明する。但し、本発明はこれらの
実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成さ
れる範囲において、各構成要素が代替的に置換されても
よい。ここで、図１は、反射率測定装置１の概略図であ
る。反射率測定装置１は、図１に示すように、光源１０
と、前置鏡２０と、スリット３０と、回折格子４０と、
スリット５０と、偏光子６０と、後置鏡７０と、検出器
８０とを有し、被測定体９０の反射率を測定する。
の光学装置の一例としての反射率測定装置１及び光電子
分光装置２について説明する。但し、本発明はこれらの
実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成さ
れる範囲において、各構成要素が代替的に置換されても
よい。ここで、図１は、反射率測定装置１の概略図であ
る。反射率測定装置１は、図１に示すように、光源１０
と、前置鏡２０と、スリット３０と、回折格子４０と、
スリット５０と、偏光子６０と、後置鏡７０と、検出器
８０とを有し、被測定体９０の反射率を測定する。
【００２０】光源１０は、ＥＵＶ又はＸ線領域のプラズ
マ光源であり、等方的に無偏光で連続波長を持つ発散光
を発光する。前置鏡２０は、光源１０からのＥＵＶ光を
取り込み、光源１０の像を結像する。前置鏡２０の後段
にスリット３０を設置することで取り込む光源１０のサ
イズを制限する。回折格子４０は、入射される光を波長
により異なる角度に回折するので、後段にスリット５０
を設けることで分光を行なうことができる。前置鏡２
０、スリット３０、回折格子４０、スリット５０の構成
は、Ｄｒａｇｏｎ型モノクロメーターと呼ばれ、公知の
技術として用いられているのでここでは詳しい説明は省
略する。光源１０から発せられたＥＵＶ光は、スリット
５０の直後ではほぼ無偏光の単色光である。
マ光源であり、等方的に無偏光で連続波長を持つ発散光
を発光する。前置鏡２０は、光源１０からのＥＵＶ光を
取り込み、光源１０の像を結像する。前置鏡２０の後段
にスリット３０を設置することで取り込む光源１０のサ
イズを制限する。回折格子４０は、入射される光を波長
により異なる角度に回折するので、後段にスリット５０
を設けることで分光を行なうことができる。前置鏡２
０、スリット３０、回折格子４０、スリット５０の構成
は、Ｄｒａｇｏｎ型モノクロメーターと呼ばれ、公知の
技術として用いられているのでここでは詳しい説明は省
略する。光源１０から発せられたＥＵＶ光は、スリット
５０の直後ではほぼ無偏光の単色光である。
【００２１】偏光子６０は、多層膜ミラーを複数枚組み
合わせ、このうち少なくとも１枚の多層膜ミラーをブリ
ュースター角に近い入射角度となるように構成し、ｓ偏
光とｐ偏光の反射率の違いを利用して無偏光の光を直線
偏光にする。多層膜ミラーの組み合わせは、偏光子６０
の入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあ
るように配置する（以下、この構成を「光軸を変化させ
ない構成」と称する）。
合わせ、このうち少なくとも１枚の多層膜ミラーをブリ
ュースター角に近い入射角度となるように構成し、ｓ偏
光とｐ偏光の反射率の違いを利用して無偏光の光を直線
偏光にする。多層膜ミラーの組み合わせは、偏光子６０
の入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあ
るように配置する（以下、この構成を「光軸を変化させ
ない構成」と称する）。
【００２２】偏光子６０の多層膜ミラーの配置の一例を
図２に示す。図２は、偏光子６０の概略図である。偏光
子６０は、図２に示すように、第１の多層膜ミラー６２
の入射角度を６６．３°、第２の多層膜ミラー６４の入
射角度を４２．６°、第３の多層膜ミラー６６の入射角
度を６６．３°で構成する。従って、偏光子６０は、光
軸を変化させることなく、第２の多層膜ミラー６４がブ
リュースター角の近傍であるので高い偏光度が実現でき
る。第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６は、Ｍｏ
／Ｓｉ多層膜ミラーであり、計算上、波長１３．５ｎｍ
近傍でｐ偏光とｓ偏光の比は１×１０−３である。ま
た、第１及び第３の多層膜ミラー６２及び６６は、膜厚
２０ｎｍ、膜数３層対であり、第２の多層膜ミラー６４
は、膜厚９．６ｎｍ、膜数５層対である。但し、偏光子
６０を構成する多層膜ミラーは３枚に限らず、偏光子６
０への入射光束の光軸と出射光束の光軸が変わらない構
成であれば何枚使用してもよく、例えば、図３に示すよ
うに、第４の多層膜ミラー６８を加えて４枚で構成して
もよい。ここで、図３は、偏光子６０の変形例である偏
光子６０Ａの概略図である。
図２に示す。図２は、偏光子６０の概略図である。偏光
子６０は、図２に示すように、第１の多層膜ミラー６２
の入射角度を６６．３°、第２の多層膜ミラー６４の入
射角度を４２．６°、第３の多層膜ミラー６６の入射角
度を６６．３°で構成する。従って、偏光子６０は、光
軸を変化させることなく、第２の多層膜ミラー６４がブ
リュースター角の近傍であるので高い偏光度が実現でき
る。第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６は、Ｍｏ
／Ｓｉ多層膜ミラーであり、計算上、波長１３．５ｎｍ
近傍でｐ偏光とｓ偏光の比は１×１０−３である。ま
た、第１及び第３の多層膜ミラー６２及び６６は、膜厚
２０ｎｍ、膜数３層対であり、第２の多層膜ミラー６４
は、膜厚９．６ｎｍ、膜数５層対である。但し、偏光子
６０を構成する多層膜ミラーは３枚に限らず、偏光子６
０への入射光束の光軸と出射光束の光軸が変わらない構
成であれば何枚使用してもよく、例えば、図３に示すよ
うに、第４の多層膜ミラー６８を加えて４枚で構成して
もよい。ここで、図３は、偏光子６０の変形例である偏
光子６０Ａの概略図である。
【００２３】また、偏光子６０は、図示しない駆動機構
を有し、光軸を回転軸として偏光子６０を回転すること
で偏光面を切り替えることでｓ偏光又はｐ偏光を選択す
ることができる。更に、図示しない駆動機構により光軸
と垂直方向に偏光子６０を移動（出し入れ）して無偏光
を選択することもできる。無偏光の光源１０と偏光子６
０を用いることで、回転のみの容易な操作で偏光の向き
の選択が可能となる。
を有し、光軸を回転軸として偏光子６０を回転すること
で偏光面を切り替えることでｓ偏光又はｐ偏光を選択す
ることができる。更に、図示しない駆動機構により光軸
と垂直方向に偏光子６０を移動（出し入れ）して無偏光
を選択することもできる。無偏光の光源１０と偏光子６
０を用いることで、回転のみの容易な操作で偏光の向き
の選択が可能となる。
【００２４】偏光子６０は使用の有無に限らず、また偏
光を切り替えても光軸を動かさないので原理的には反射
率測定装置１内のどの部分にも設置可能である。しか
し、実際には、設計値通りに作製されずに設計誤差や、
設置のときの設置誤差を含む場合がある。偏光子６０の
設計誤差及び設置誤差は、図４及び図５に示すように、
理想的な光軸から出射光束の光軸角度がずれてしまう角
度ずれや出射光束の光軸位置が理想的な光軸から出射光
束の位置がずれてしまう位置ずれを引き起こし、偏光子
６０を設置する場所によって反射率測定装置１の性能に
与える影響が異なる。ここで、図４は、偏光子６０にお
ける出射光束光軸の角度ずれを示す図であり、図５は、
偏光子６０における出射光束の光軸の位置ずれを示す図
である。
光を切り替えても光軸を動かさないので原理的には反射
率測定装置１内のどの部分にも設置可能である。しか
し、実際には、設計値通りに作製されずに設計誤差や、
設置のときの設置誤差を含む場合がある。偏光子６０の
設計誤差及び設置誤差は、図４及び図５に示すように、
理想的な光軸から出射光束の光軸角度がずれてしまう角
度ずれや出射光束の光軸位置が理想的な光軸から出射光
束の位置がずれてしまう位置ずれを引き起こし、偏光子
６０を設置する場所によって反射率測定装置１の性能に
与える影響が異なる。ここで、図４は、偏光子６０にお
ける出射光束光軸の角度ずれを示す図であり、図５は、
偏光子６０における出射光束の光軸の位置ずれを示す図
である。
【００２５】ここで、図６乃至図９を参照して、偏光子
６０の角度ずれ及び位置ずれについて、図２で示した第
１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６の配置を例に詳
しく説明する。図６は、偏光子６０の設計誤差による角
度ずれを示す図、図７は、偏光子６０の設計誤差による
位置ずれを示す図、図８は、偏光子６０の設置誤差によ
る角度ずれを示す図、図９は、偏光子６０の設置誤差に
よる位置ずれを示す図である。
６０の角度ずれ及び位置ずれについて、図２で示した第
１乃至第３の多層膜ミラー６２乃至６６の配置を例に詳
しく説明する。図６は、偏光子６０の設計誤差による角
度ずれを示す図、図７は、偏光子６０の設計誤差による
位置ずれを示す図、図８は、偏光子６０の設置誤差によ
る角度ずれを示す図、図９は、偏光子６０の設置誤差に
よる位置ずれを示す図である。
【００２６】図６を参照するに、第１及び第２の多層膜
ミラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設
置されているが、第３の多層膜ミラー６６の角度が正し
い角度からΔθずれている。この場合、出射光束の光軸
角度は入射光束の光軸に対して２Δθほどずれてしま
う。また、図７を参照するに、第１及び第２の多層膜ミ
ラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設置
されているが、第３の多層膜ミラー６６の位置が正しい
位置からΔｙだけずれている。この場合、出射光束の光
軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置がΔｙだ
けずれてしまう。
ミラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設
置されているが、第３の多層膜ミラー６６の角度が正し
い角度からΔθずれている。この場合、出射光束の光軸
角度は入射光束の光軸に対して２Δθほどずれてしま
う。また、図７を参照するに、第１及び第２の多層膜ミ
ラー６２及び６４は、入射光束の光軸に対し正しく設置
されているが、第３の多層膜ミラー６６の位置が正しい
位置からΔｙだけずれている。この場合、出射光束の光
軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置がΔｙだ
けずれてしまう。
【００２７】また、第１乃至第３の多層膜ミラー６２乃
至６６の位置関係が正しく設置されて、それ自体は正確
な偏光子であったとしても、入射光束の光軸に対して正
しく設置されなければ誤差が生じる。図８を参照する
に、第１の多層膜ミラー６２へ入射される入射光束の光
軸角度がΔθずれている。この場合、出射光束の光軸角
度は光軸に対して２Δθほどずれてしまう。また、図９
を参照するに、入射光束の光軸と第１の多層膜ミラー６
２の中心６２ａがΔyずれている。この場合、出射光束
の光軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置が２
Δｙだけずれてしまう。
至６６の位置関係が正しく設置されて、それ自体は正確
な偏光子であったとしても、入射光束の光軸に対して正
しく設置されなければ誤差が生じる。図８を参照する
に、第１の多層膜ミラー６２へ入射される入射光束の光
軸角度がΔθずれている。この場合、出射光束の光軸角
度は光軸に対して２Δθほどずれてしまう。また、図９
を参照するに、入射光束の光軸と第１の多層膜ミラー６
２の中心６２ａがΔyずれている。この場合、出射光束
の光軸角度は入射光束の光軸と平行であるが、位置が２
Δｙだけずれてしまう。
【００２８】従って、偏光子６０の角度ずれ及び／又は
位置ずれが起きると理想的な結像位置から像が動くとい
う問題が生じる。図１０は、偏光子６０の角度ずれによ
る結像位置のずれを示す図である。図１０を参照する
に、偏光子６０の出射光束の光軸角度ずれΔθと、スリ
ット５０と偏光子６０までの距離ｄの積は、後置鏡７０
から見たスリット５０の開口位置（即ち、物点位置）の
移動量Ｍと等価である。例えば、偏光子６０の設置誤差
により出射光束に１ｍｒａｄの誤差が生じた場合、スリ
ット５０から１ｍの場所に偏光子６０があればスリット
５０の位置が１ｍｍ動いたことになり、０．１ｍの場所
に偏光子６０があればスリット５０の位置が０．１ｍｍ
動いたことに等価である。また、被測定体９０上での光
束移動量（即ち、結像位置の移動量）は、スリット５０
の開口位置の移動量Ｍと後置鏡７０の倍率との積と等価
である。従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０などの
結像光学系がある場合には、偏光子６０をスリット５０
に近い場所（即ち、被測定試料と略共役な位置）に設置
する方が、偏光子６０の角度に関する設置誤差を軽減す
ることになる。
位置ずれが起きると理想的な結像位置から像が動くとい
う問題が生じる。図１０は、偏光子６０の角度ずれによ
る結像位置のずれを示す図である。図１０を参照する
に、偏光子６０の出射光束の光軸角度ずれΔθと、スリ
ット５０と偏光子６０までの距離ｄの積は、後置鏡７０
から見たスリット５０の開口位置（即ち、物点位置）の
移動量Ｍと等価である。例えば、偏光子６０の設置誤差
により出射光束に１ｍｒａｄの誤差が生じた場合、スリ
ット５０から１ｍの場所に偏光子６０があればスリット
５０の位置が１ｍｍ動いたことになり、０．１ｍの場所
に偏光子６０があればスリット５０の位置が０．１ｍｍ
動いたことに等価である。また、被測定体９０上での光
束移動量（即ち、結像位置の移動量）は、スリット５０
の開口位置の移動量Ｍと後置鏡７０の倍率との積と等価
である。従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０などの
結像光学系がある場合には、偏光子６０をスリット５０
に近い場所（即ち、被測定試料と略共役な位置）に設置
する方が、偏光子６０の角度に関する設置誤差を軽減す
ることになる。
【００２９】一方、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位
置ずれは、図１１に示すように、出射光束の光軸を平行
に動かす。ここで、図１１は、偏光子６０の位置ずれに
よる結像位置のずれを示す図である。図１１を参照する
に、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位置ずれにより、
出射光束の後置鏡７０への入射位置が変化する。しか
し、後置鏡７０の入射位置の変化は平行移動であるの
で、スリット５０から後置鏡７０までのどの場所に偏光
子６０を設置した場合も後置鏡７０の入射位置に与える
影響は同じである。
置ずれは、図１１に示すように、出射光束の光軸を平行
に動かす。ここで、図１１は、偏光子６０の位置ずれに
よる結像位置のずれを示す図である。図１１を参照する
に、光軸に垂直な方向の偏光子６０の位置ずれにより、
出射光束の後置鏡７０への入射位置が変化する。しか
し、後置鏡７０の入射位置の変化は平行移動であるの
で、スリット５０から後置鏡７０までのどの場所に偏光
子６０を設置した場合も後置鏡７０の入射位置に与える
影響は同じである。
【００３０】従って、偏光子６０の後段に後置鏡７０の
ような結像光学系がある場合は、偏光子６０の角度ずれ
に対しては偏光子６０をスリット５０（即ち、物点位
置）又は可能な限りその近傍（略共役な位置）に設置す
ることが望ましい。また、偏光子６０と被測定体の間に
後置鏡７０のような結像光学系がない場合は、できるだ
け被測定体９０の近傍に偏光子６０を設置することで設
置誤差の影響を小さくすることができる。
ような結像光学系がある場合は、偏光子６０の角度ずれ
に対しては偏光子６０をスリット５０（即ち、物点位
置）又は可能な限りその近傍（略共役な位置）に設置す
ることが望ましい。また、偏光子６０と被測定体の間に
後置鏡７０のような結像光学系がない場合は、できるだ
け被測定体９０の近傍に偏光子６０を設置することで設
置誤差の影響を小さくすることができる。
【００３１】再び、図１に戻って、後置鏡７０は、集光
作用を持ちスリット５０の像を被測定体９０上へ結像す
る。被測定体９０と検出器８０は、図示しないθ‐２θ
ステージに設置され、検出器８０により被測定体９０の
反射光強度を検出し反射率を測定する。
作用を持ちスリット５０の像を被測定体９０上へ結像す
る。被測定体９０と検出器８０は、図示しないθ‐２θ
ステージに設置され、検出器８０により被測定体９０の
反射光強度を検出し反射率を測定する。
【００３２】測定において、光源１０から発せられた無
偏光のＥＵＶ光は、前置鏡２０で結像され、スリット３
０によりサイズが整形される。サイズが整形されたＥＵ
Ｖ光は、回折格子４０により波長毎に異なる角度に回折
されスリット５０により分光される。分光されたＥＵＶ
光は、偏光子６０により直線偏光の単色光に変換され、
後置鏡７０によって集光され被測定体９０を照射し、検
出器８０により反射率が測定される。前置鏡２０、回折
格子４０、後置鏡７０は、Ｘ線領域での全反射を利用す
るため、通常、斜入射で用いられる。また、偏光子６０
を導入することで、ｐ偏光又はｓ偏光又は無偏光の選択
が可能となり３種類の測定を容易に行なうことができ
る。また、直線偏光のＸ線を用いて測定する場合には充
分な偏光度が得られる。
偏光のＥＵＶ光は、前置鏡２０で結像され、スリット３
０によりサイズが整形される。サイズが整形されたＥＵ
Ｖ光は、回折格子４０により波長毎に異なる角度に回折
されスリット５０により分光される。分光されたＥＵＶ
光は、偏光子６０により直線偏光の単色光に変換され、
後置鏡７０によって集光され被測定体９０を照射し、検
出器８０により反射率が測定される。前置鏡２０、回折
格子４０、後置鏡７０は、Ｘ線領域での全反射を利用す
るため、通常、斜入射で用いられる。また、偏光子６０
を導入することで、ｐ偏光又はｓ偏光又は無偏光の選択
が可能となり３種類の測定を容易に行なうことができ
る。また、直線偏光のＸ線を用いて測定する場合には充
分な偏光度が得られる。
【００３３】以上、無偏光の光源１０と、光軸を変化さ
せないと共に、移動及び回転可能な偏光子６０を組み合
わせることで、容易に偏光を考慮した測定が可能とな
る。また、同時に偏光子６０の設置場所を最適化するこ
とで、設計誤差及び設置誤差があった場合の影響を軽減
することができる。従って、反射率測定装置１は、偏光
のゆらぎの影響を受けることなく、光学部材等の反射率
を高精度に測定することが可能となる。
せないと共に、移動及び回転可能な偏光子６０を組み合
わせることで、容易に偏光を考慮した測定が可能とな
る。また、同時に偏光子６０の設置場所を最適化するこ
とで、設計誤差及び設置誤差があった場合の影響を軽減
することができる。従って、反射率測定装置１は、偏光
のゆらぎの影響を受けることなく、光学部材等の反射率
を高精度に測定することが可能となる。
【００３４】更に、波長依存性を測定するときには、ス
リット３０を固定したまま回折格子４０を回転し、波長
走査を行う。偏光子６０は、第１乃至第３の多層膜ミラ
ー６２乃至６６で構成されているため、近似的に以下の
数式２に示すブラッグの式で表されるように、波長によ
って最適な膜厚が変化する。
リット３０を固定したまま回折格子４０を回転し、波長
走査を行う。偏光子６０は、第１乃至第３の多層膜ミラ
ー６２乃至６６で構成されているため、近似的に以下の
数式２に示すブラッグの式で表されるように、波長によ
って最適な膜厚が変化する。
【００３５】
【数２】
【００３６】そこで、図１２に示すように、第２の多層
膜ミラー６４の多層膜に位置の関数として膜厚分布Ｔを
つける。従って、波長に応じて第２の多層膜ミラーだけ
を光軸方向に移動することで反射率の低下を防ぐことが
できる。ここで、図１２は、膜厚分布Ｔを施した第２の
多層膜ミラー６４の概略断面図である。
膜ミラー６４の多層膜に位置の関数として膜厚分布Ｔを
つける。従って、波長に応じて第２の多層膜ミラーだけ
を光軸方向に移動することで反射率の低下を防ぐことが
できる。ここで、図１２は、膜厚分布Ｔを施した第２の
多層膜ミラー６４の概略断面図である。
【００３７】図１３は、膜厚選択装置の概略図である。
分光器１００と多層膜ミラー駆動ステージ１１０は、コ
ントローラー１２０を介して接続されており、波長に応
じて多層膜ミラー駆動ステージ１１０が駆動し、第２の
多層膜ミラー６４を最適な膜厚分布位置に移動させる。
分光器１００は、波長による回折角の違いを利用して所
望の波長だけがスリット５０を通過するようにする。偏
光子６０の角度ずれ及び位置ずれが起きると所望の波長
がスリット５０を通過できず、所望の波長と異なった波
長の光がスリット５０を通過することになり、所望の波
長の光が取り出せないことになる。従って、偏光子６０
はスリット５０から下段に設置することが望ましい。さ
らに、後置鏡７０がある場合は可能な限りスリット５０
に近い場所に設置することが望ましく、後置鏡７０がな
い場合は可能な限り被測定体９０に近い場所に設置する
ことが望ましい。なお、本実施形態においては、第２の
多層膜ミラー６４に膜厚分布Ｔを施したが、第１及び第
３の多層膜ミラー６２及び６６に膜厚分布Ｔを施して波
長の変化に応じて移動させてもよい。
分光器１００と多層膜ミラー駆動ステージ１１０は、コ
ントローラー１２０を介して接続されており、波長に応
じて多層膜ミラー駆動ステージ１１０が駆動し、第２の
多層膜ミラー６４を最適な膜厚分布位置に移動させる。
分光器１００は、波長による回折角の違いを利用して所
望の波長だけがスリット５０を通過するようにする。偏
光子６０の角度ずれ及び位置ずれが起きると所望の波長
がスリット５０を通過できず、所望の波長と異なった波
長の光がスリット５０を通過することになり、所望の波
長の光が取り出せないことになる。従って、偏光子６０
はスリット５０から下段に設置することが望ましい。さ
らに、後置鏡７０がある場合は可能な限りスリット５０
に近い場所に設置することが望ましく、後置鏡７０がな
い場合は可能な限り被測定体９０に近い場所に設置する
ことが望ましい。なお、本実施形態においては、第２の
多層膜ミラー６４に膜厚分布Ｔを施したが、第１及び第
３の多層膜ミラー６２及び６６に膜厚分布Ｔを施して波
長の変化に応じて移動させてもよい。
【００３８】以下、図１４を参照して、光電子分光装置
２について説明する。図１４は、本発明の光電子分光装
置２の概略図である。なお、図１及び図１３で示すのと
同一の部材については同一の参照符号を付し、重複する
説明は省略する。光電子分光装置２は直線偏光が必要な
測定装置の1つであり、特に、結晶や配向試料の測定に
必要となる。
２について説明する。図１４は、本発明の光電子分光装
置２の概略図である。なお、図１及び図１３で示すのと
同一の部材については同一の参照符号を付し、重複する
説明は省略する。光電子分光装置２は直線偏光が必要な
測定装置の1つであり、特に、結晶や配向試料の測定に
必要となる。
【００３９】光電子分光装置２は、図１４に示すよう
に、光源１０と、分光器１００と、偏光子６０と、回転
ステージ１３０と、エネルギー分析器１４０と、真空チ
ャンバ１５０とを有する。光電子分光装置２は真空中に
置かれた被測定体９０に、高エネルギーの直線偏光した
単色光を照射し、外部光電効果によって放出される光電
子のスペクトルを測定する。光電子分光装置２は、分光
器１００と被測定体９０の間に光学系がない装置であ
る。このような装置の場合、偏光子６０を設置すること
による被測定体９０のビーム位置変動は、偏光子６０を
できるだけ被測定体９０近傍に設置することで低減され
る。
に、光源１０と、分光器１００と、偏光子６０と、回転
ステージ１３０と、エネルギー分析器１４０と、真空チ
ャンバ１５０とを有する。光電子分光装置２は真空中に
置かれた被測定体９０に、高エネルギーの直線偏光した
単色光を照射し、外部光電効果によって放出される光電
子のスペクトルを測定する。光電子分光装置２は、分光
器１００と被測定体９０の間に光学系がない装置であ
る。このような装置の場合、偏光子６０を設置すること
による被測定体９０のビーム位置変動は、偏光子６０を
できるだけ被測定体９０近傍に設置することで低減され
る。
【００４０】光源１０からの光は、分光器１００により
単色化される。そして、被測定体９０近傍に設置された
偏光子６０により直線偏光となって被測定体９０に照射
され、被測定体９０から出てきた光電子をエネルギー分
析器１４０により測定及び解析することで被測定体９０
の固有の情報を得ることができる。より詳細な情報を得
るには、偏光子９０の偏光面を切り替えて、再度測定を
行う。
単色化される。そして、被測定体９０近傍に設置された
偏光子６０により直線偏光となって被測定体９０に照射
され、被測定体９０から出てきた光電子をエネルギー分
析器１４０により測定及び解析することで被測定体９０
の固有の情報を得ることができる。より詳細な情報を得
るには、偏光子９０の偏光面を切り替えて、再度測定を
行う。
【００４１】光源１０をシンクロトロン光源とし、偏光
子６０を用いずに測定を行う場合、被測定体９０に対す
る偏光面を切り替えるためには、被測定体９０の入った
真空チャンバー１５０を回転させなければならない。し
かし、図１４に示した構成であれば、偏光子６０を回転
するだけで、被測定体６０に対する偏光面を切り替える
ことができ、容易に詳細な被測定体９０の情報を得るこ
とができる。従って、光電子分光装置２は、偏光のゆら
ぎの影響を受けることなく、光学部材等に用いられる結
晶等を高精度に測定することが可能となる。
子６０を用いずに測定を行う場合、被測定体９０に対す
る偏光面を切り替えるためには、被測定体９０の入った
真空チャンバー１５０を回転させなければならない。し
かし、図１４に示した構成であれば、偏光子６０を回転
するだけで、被測定体６０に対する偏光面を切り替える
ことができ、容易に詳細な被測定体９０の情報を得るこ
とができる。従って、光電子分光装置２は、偏光のゆら
ぎの影響を受けることなく、光学部材等に用いられる結
晶等を高精度に測定することが可能となる。
【００４２】以上、反射率測定装置１及び光電子分光装
置２を例に説明したが、本発明はこれらに限るものでは
なく、偏光が必要な反射型ＸＡＦＳ、蛍光ＸＡＦＳ、Ｘ
線小角散乱、軟Ｘ線分光計、Ｘ線回折、ＸＰＳ、ＡＥ
Ｓ、ＲＨＥＥＤ、ＲＥＥＤ等の測定にも有効である。
置２を例に説明したが、本発明はこれらに限るものでは
なく、偏光が必要な反射型ＸＡＦＳ、蛍光ＸＡＦＳ、Ｘ
線小角散乱、軟Ｘ線分光計、Ｘ線回折、ＸＰＳ、ＡＥ
Ｓ、ＲＨＥＥＤ、ＲＥＥＤ等の測定にも有効である。
【００４３】以下、図１５を参照して、本発明の例示的
な露光装置３００について説明する。ここで、図１５
は、露光装置３００の概略ブロック図である。露光装置
３００は、図１５に示すように、回路パターンが形成さ
れたマスク又はレチクル（本出願ではこれらの用語を交
換可能に使用する）３２０を照明する照明装置３１０
と、プレートを支持するステージ３４５と、照明された
マスクパターンから生じる回折光をプレート３４０に投
影する投影光学系３３０とを有する。
な露光装置３００について説明する。ここで、図１５
は、露光装置３００の概略ブロック図である。露光装置
３００は、図１５に示すように、回路パターンが形成さ
れたマスク又はレチクル（本出願ではこれらの用語を交
換可能に使用する）３２０を照明する照明装置３１０
と、プレートを支持するステージ３４５と、照明された
マスクパターンから生じる回折光をプレート３４０に投
影する投影光学系３３０とを有する。
【００４４】露光装置３００は、例えば、ステップアン
ドリピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク
３２０に形成された回路パターンをプレート３４０に露
光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミ
クロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に
好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドスキ
ャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を
例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方
式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャンして
マスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショット
の露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショット
の露光領域に移動する露光方法である。「ステップアン
ドリピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごと
にウェハをステップ移動して次のショットを露光領域に
移動する露光方法である。
ドリピート方式やステップアンドスキャン方式でマスク
３２０に形成された回路パターンをプレート３４０に露
光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミ
クロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に
好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドスキ
ャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を
例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方
式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャンして
マスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショット
の露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショット
の露光領域に移動する露光方法である。「ステップアン
ドリピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごと
にウェハをステップ移動して次のショットを露光領域に
移動する露光方法である。
【００４５】照明装置３１０は、転写用の回路パターン
が形成されたマスク３２０を照明し、光源部３１２と照
明光学系３１４とを有する。
が形成されたマスク３２０を照明し、光源部３１２と照
明光学系３１４とを有する。
【００４６】光源部３１２は、例えば、光源としてレー
ザーを使用する。レーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒ
Ｆエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザー
などを使用することができるが、レーザーの種類はエキ
シマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを
使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されな
い。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用
すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒ
ーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さら
にスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転
的に揺動させてもよい。また、光源部３１２にレーザー
が使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望
のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレント
なレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレ
ント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部
３１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるもので
はなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなど
のランプも使用可能である。
ザーを使用する。レーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒ
Ｆエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザー
などを使用することができるが、レーザーの種類はエキ
シマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを
使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されな
い。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用
すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒ
ーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さら
にスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転
的に揺動させてもよい。また、光源部３１２にレーザー
が使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望
のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレント
なレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレ
ント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部
３１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるもので
はなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなど
のランプも使用可能である。
【００４７】照明光学系３１４は、マスク３２０を照明
する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレ
ーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、
ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリ
ット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系
３１４は、軸上光、軸外光を問わず使用することができ
る。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組
のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレ
ンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレー
ター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場
合もある。かかる照明光学系３１４のレンズなどの光学
素子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると
測定された光学素子を使用することができる。
する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレ
ーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、
ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリ
ット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系
３１４は、軸上光、軸外光を問わず使用することができ
る。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組
のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレ
ンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレー
ター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場
合もある。かかる照明光学系３１４のレンズなどの光学
素子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると
測定された光学素子を使用することができる。
【００４８】マスク３２０は、例えば、石英製で、その
上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成さ
れ、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。
マスク３２０から発せられた回折光は投影光学系３３０
を通りプレート３４０上に投影される。プレート３４０
は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありレジストが
塗布されている。マスク３２０とプレート３４０とは共
役の関係にある。スキャナーの場合は、マスク３２０と
プレート３４０を走査することによりマスク３２０のパ
ターンをプレート３４０上に転写する。ステッパーの場
合は、マスク３２０とプレート３４０を静止させた状態
で露光が行われる。
上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成さ
れ、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。
マスク３２０から発せられた回折光は投影光学系３３０
を通りプレート３４０上に投影される。プレート３４０
は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありレジストが
塗布されている。マスク３２０とプレート３４０とは共
役の関係にある。スキャナーの場合は、マスク３２０と
プレート３４０を走査することによりマスク３２０のパ
ターンをプレート３４０上に転写する。ステッパーの場
合は、マスク３２０とプレート３４０を静止させた状態
で露光が行われる。
【００４９】投影光学系３３０は、複数のレンズ素子の
みからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚
の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学
系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォー
ムなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の
光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要
な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス
材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素
子をレンズ素子と逆方法の分散が生じるように構成した
りする。かかる投影光学系３３０のレンズなどの光学素
子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると測
定された光学素子を使用することができる。
みからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚
の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学
系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォー
ムなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の
光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要
な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス
材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素
子をレンズ素子と逆方法の分散が生じるように構成した
りする。かかる投影光学系３３０のレンズなどの光学素
子に本発明の光学装置で所定値の光学特性を有すると測
定された光学素子を使用することができる。
【００５０】プレート３４０にはフォトレジストが塗布
されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密
着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プ
リベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含
む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地と
の密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗
布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍ
ｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコ
ート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼
成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶
剤を除去する。
されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密
着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プ
リベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含
む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地と
の密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗
布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍ
ｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコ
ート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼
成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶
剤を除去する。
【００５１】ステージ３４５は、プレート３４０を支持
する。ステージ３４５は、当業界で周知のいかなる構成
をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及
び動作の説明は省略する。例えば、ステージ３４５は、
リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレート３４０を
移動することができる。マスク３２０とプレート３４０
は、例えば、同期走査され、ステージ３４５と図示しな
いマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計な
どにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動され
る。ステージ３４５は、例えば、ダンパを介して床等の
上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステ
ージ及び投影光学系３３０は、例えば、鏡筒定盤は床等
に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持
される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
する。ステージ３４５は、当業界で周知のいかなる構成
をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及
び動作の説明は省略する。例えば、ステージ３４５は、
リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレート３４０を
移動することができる。マスク３２０とプレート３４０
は、例えば、同期走査され、ステージ３４５と図示しな
いマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計な
どにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動され
る。ステージ３４５は、例えば、ダンパを介して床等の
上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステ
ージ及び投影光学系３３０は、例えば、鏡筒定盤は床等
に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持
される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００５２】露光において、光源部３１２から発せられ
た光束は、照明光学系３１４によりマスク３２０を、例
えば、ケーラー照明する。マスク３２０を通過してマス
クパターンを反映する光は投影光学系３３０によりプレ
ート３４０に結像される。露光装置３００が使用する照
明光学系３１４及び投影光学系３３０は、本発明の光学
装置で光学特性が所定値を満たすと測定された光学素子
を含んで紫外光、遠赤外光及び真空紫外光を高い透過率
で透過するので、高いスループットで経済性よくデバイ
ス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤな
ど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
た光束は、照明光学系３１４によりマスク３２０を、例
えば、ケーラー照明する。マスク３２０を通過してマス
クパターンを反映する光は投影光学系３３０によりプレ
ート３４０に結像される。露光装置３００が使用する照
明光学系３１４及び投影光学系３３０は、本発明の光学
装置で光学特性が所定値を満たすと測定された光学素子
を含んで紫外光、遠赤外光及び真空紫外光を高い透過率
で透過するので、高いスループットで経済性よくデバイ
ス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤな
ど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００５３】次に、図１６及び図１７を参照して、上述
の露光装置３００を利用したデバイス製造方法の実施例
を説明する。図１６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの
半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するた
めのフローチャートである。ここでは、半導体チップの
製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デ
バイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材
料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロ
セス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリ
ソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステ
ップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ
化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボ
ンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の
工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作
成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
トなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
の露光装置３００を利用したデバイス製造方法の実施例
を説明する。図１６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの
半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するた
めのフローチャートである。ここでは、半導体チップの
製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デ
バイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材
料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロ
セス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリ
ソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステ
ップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ
化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボ
ンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の
工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作
成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
トなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００５４】図１７は、ステップ４のウェハプロセスの
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
は、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによ
って形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、
ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処
理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６
（露光）では、露光装置３００によってマスクの回路パ
ターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）で
は、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路
パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば、
従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
は、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによ
って形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、
ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処
理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６
（露光）では、露光装置３００によってマスクの回路パ
ターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）で
は、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路
パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば、
従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００５５】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、非直線偏光の光源と、
光軸を変えずに直線偏光に変換する偏光子を用いること
で、偏光度の高い、偏光面の切り替え可能な直線偏光を
作り出すことが可能となり、容易に高精度な被測定試料
の偏光に依存した特性の測定をすることができる。さら
に、偏光子の設置場所を最適化することで偏光子の設計
誤差、設置誤差があった場合に被測定体上の照射位置変
動、被測定体への入射角変動等の影響を軽減することが
可能となった。
光軸を変えずに直線偏光に変換する偏光子を用いること
で、偏光度の高い、偏光面の切り替え可能な直線偏光を
作り出すことが可能となり、容易に高精度な被測定試料
の偏光に依存した特性の測定をすることができる。さら
に、偏光子の設置場所を最適化することで偏光子の設計
誤差、設置誤差があった場合に被測定体上の照射位置変
動、被測定体への入射角変動等の影響を軽減することが
可能となった。
【図１】 本発明の光学装置の一例としての反射率測定
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図２】 図１に示す偏光子の概略図である。
【図３】 図２に示す偏光子の変形例である偏光子の概
略図である。
略図である。
【図４】 図１に示す偏光子における出射光束の光軸の
角度ずれを示す図である。
角度ずれを示す図である。
【図５】 図１に示す偏光子における出射光束の光軸の
位置ずれを示す図である。
位置ずれを示す図である。
【図６】 図１に示す偏光子の設計誤差による出射光束
の光軸の角度ずれを示す図である。
の光軸の角度ずれを示す図である。
【図７】 図１に示す偏光子の設計誤差による出射光束
の光軸の位置ずれを示す図である。
の光軸の位置ずれを示す図である。
【図８】 図１に示す偏光子の設置誤差による出射光束
の光軸の角度ずれを示す図である。
の光軸の角度ずれを示す図である。
【図９】 図１に示す偏光子の設置誤差による出射光束
の光軸の位置ずれを示す図である。
の光軸の位置ずれを示す図である。
【図１０】 図１に示す偏光子の角度ずれによる結像位
置のずれを示す図である。
置のずれを示す図である。
【図１１】 図１に示す偏光子の位置ずれによる結像位
置のずれを示す図である。
置のずれを示す図である。
【図１２】 膜厚分布を施した多層膜ミラーの概略断面
図である。
図である。
【図１３】 膜厚選択装置の概略図である。
【図１４】 本発明の光学装置の一例としての光電子分
光装置の概略図である。
光装置の概略図である。
【図１５】 本発明の例示的な露光装置の概略ブロック
図である。
図である。
【図１６】 本発明の露光装置を有するデバイス製造方
法を説明するためのフローチャートである。
法を説明するためのフローチャートである。
【図１７】 図５に示すステップ４の詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
【図１８】 光の偏光を示す概略図である。
【図１９】 多層膜ミラーの反射率特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図２０】 シンクロトロン光源を用いた反射率計の概
略図である。
略図である。
１ 反射率測定装置
２ 光電子分光装置
１０ 光源
４０ 回折格子
６０、６０Ａ 偏光子
６２ 第１の多層膜ミラー
６４ 第２の多層膜ミラー
６６ 第３の多層膜ミラー
６８ 第４の多層膜ミラー
１００ 分光器
３００ 露光装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｎ 23/227 Ｇ０２Ｂ 5/18 ５Ｆ０４６
Ｇ０２Ｂ 5/18 5/30
5/30 27/28 Ｚ
27/28 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３
Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３ ５２１
５２１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ
５１７
Ｆターム(参考） 2G001 AA01 AA07 AA09 BA07 BA08
BA18 CA03 EA01 EA04 EA08
EA09 GA01 GA03 GA05 JA03
KA12 LA11 MA05
2G059 AA02 BB08 BB16 EE02 EE05
EE11 GG01 GG04 GG10 HH03
HH04 HH05 HH06 JJ05 JJ13
JJ19 KK01
2H049 AA03 AA50 AA64 BA02 BA43
BB03 BB05 BC23
2H097 BB03 CA13 LA10
2H099 AA00 BA09 BA17 CA02 DA00
DA07
5F046 AA08 GB01 GD12
Claims (10)
- 【請求項１】 被測定体の偏光に依存した特性を測定す
る光学装置であって、 極端紫外線領域又はＸ線領域の非直線偏光の光束を射出
する光源と、 前記光源から射出された前記光束を順次反射するととも
に入射光束の光軸と出射光束の光軸とが同一直線上にあ
るように配置された３回以上反射するミラー群で構成さ
れ回転可能な偏光子とを有する光学装置。 - 【請求項２】 前記偏光子は、前記入射光束の光軸を中
心軸として回転可能である請求項１記載の光学装置。 - 【請求項３】 前記偏光子は、前記光源から射出される
前記光束の光路に対して退避可能である請求項１記載の
光学装置。 - 【請求項４】 前記偏光子からの前記出射光束を前記被
測定体で結像する結像光学系を有し、 前記偏光子は、前記結像光学系と光学的に略共役な位置
に配置される請求項１記載の光学装置。 - 【請求項５】 前記偏光子は、前記被測定体に近接して
配置される請求項１記載の光学装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のうちいずれか１項記載
の光学装置を利用して偏光に依存する特性を測定し、当
該特性が所定値以上である光学素子。 - 【請求項７】 レンズ、回折格子、光学膜体及びそれら
の複合体の一つである請求項６記載の光学素子。 - 【請求項８】 紫外光、遠紫外光及び真空紫外光を露光
体として利用し、当該露光光を、請求項６記載の光学素
子を含む光学系を介して被処理体に照射して当該被処理
体を露光する露光装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の露光装置を用いて前記被
処理体を投影露光するステップと、 前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行
うステップとを有するデバイス製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載の露光装置を用いて投影
露光された被処理体より製造されるデバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328660A JP3652296B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 光学装置 |
| EP02257415A EP1306665A3 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Optical apparatus |
| US10/280,806 US6999172B2 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Optical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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