JP3638711B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体基板上部に形成された配線層に対して形成される、コンタクトホールの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
DRAM(Dynamic Randam Access Memory)などの高集積化にみられるように、近年、半導体装置は高集積化が進み、半導体装置に組み込まれる素子の高集積化に伴って、コンタクトホールの径寸法がますます減少してきている。その際の、写真製版の解像度の下限を追及する方法として、ポリシリコンマスク開口方式とセルフアライン開口(Self Align Contact:SAC)方式が考えられている。
【0003】
図26は、半導体装置の記憶素子領域において、ポリシリコンマスク開口方式で開口したコンタクトホールの断面図である。図において、1はP型シリコン基板、2はこのP型シリコン基板1の表面部分にLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法で形成された分離酸化膜、3は前記P型シリコン基板1の主表面上、および/または分離酸化膜2の表面上に形成されたゲート酸化膜、4はこのゲート酸化膜3上に形成されたゲート電極である。
【0004】
そして、5はこのゲート電極4上に形成された絶縁膜、6はLDD(Lightly Doped Drain)法で形成されたN-型拡散層、7は前記ゲート酸化膜3とゲート電極4と絶縁膜5の側面に形成されたサイドウォールスペーサ、8はN+型拡散層、11はTEOS(Tetraethyl Orthisilicate)の層間膜、105はこのTEOSの層間膜11にエッチングで形成された小口径のコンタクトホールである。
【0005】
次ぎに、図27から図30を用いて、上記のポリシリコンマスク開口方式で開口したコンタクトホールの形成方法について説明する。
図27から図30は、図26に示めされるコンタクトホールの形成方法の第1工程から第4工程を示す断面図であって、各図の(a)は記憶素子領域、(b)は周辺回路領域をあらわす。
【0006】
図27を参照して、P型シリコン基板1に分離酸化膜2、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、絶縁膜5、N-型拡散層6、サイドウォールスペーサ7、N+型拡散層8、TEOSの層間膜11を形成した後、TEOSの層間膜11上に1500Åないし3000Åの厚さのポリシリコン膜101と、さらにその上にTEOS酸化膜102とを堆積し、その上に形成したレジスト(図示せず)をパターニングしてTEOS酸化膜102を部分的にエッチングして、孔103aを形成する。次ぎに、このTEOS酸化膜102上に再度TEOS酸化膜を全面に堆積して、異方性エッチングで全面エッチバックすることにより、TEOS酸化膜102に形成した孔103aの内壁に、TEOS酸化膜からなるサイドウォールスペーサ103を形成する。
【0007】
そして図28に示すように、これらのTEOS酸化膜102とサイドウォールスペーサ103とをマスクとして、ポリシリコン膜101をエッチングして孔104を形成した後、TEOS酸化膜102とサイドウォールスペーサ103とをエッチングにより除去する。
【0008】
次ぎに、図29を参照して、ポリシリコン膜101をマスクとして、層間膜11をエッチングし、小口径のコンタクトホール105を形成してから、図30に示すように、ポリシリコン膜101を全面エッチバックで除去する。
【0009】
また図32は、セルフアライン開口方式で開口したコンタクトホールの断面図である。図において、1はP型シリコン基板、3はこのP型シリコン基板1の主表面上に形成されたゲート酸化膜、4はこのゲート酸化膜3上に形成されたゲート電極である。そして、5はこのゲート電極4上に形成された絶縁膜、6はLDD法で形成されたN-型拡散層、7は前記ゲート酸化膜3とゲート電極4と絶縁膜5の側面に形成されたサイドウォールスペーサ、8はN+型拡散層、9はシリコン酸化膜、10はシリコン窒化膜である。
【0010】
さらに11はTEOSの層間膜、110は、前記シリコン酸化膜9とシリコン窒化膜10とTEOSの層間膜11を貫通して形成されたコンタクトホールである。そして、ポリシリコン層17とタングステンシリサイドWSi層18は、このコンタクトホール110を介して、P型シリコン基板1に形成されたN+型拡散層8と電気的に接続するための導電層であって、配線抵抗を低減するために導電層を2層構造にしている。
【0011】
次ぎに、図33から図36を用いて、上記のセルフアライン開口方式で開口したコンタクトホールの形成方法について説明する。図33から図36は、図32に示めされるコンタクトホールの形成方法の第1工程から第4工程を示す断面図である。
【0012】
図33を参照して、P型シリコン基板1にゲート酸化膜3、ゲート電極4、絶縁膜5、サイドウォールスペーサ7、N-型拡散層6、N+型拡散層8、シリコン酸化膜9、シリコン窒化膜10、TEOSの層間膜11を形成した後、TEOSの層間膜11上にレジスト膜107を形成して、孔108を開口する。
【0013】
次ぎに、図34に示す様に、TEOSの層間膜11をエッチングして孔109を形成した後、レジスト膜107を除去する。そして、図35に示す様に、シリコン窒化膜10とシリコン酸化膜9を順次エッチングして、コンタクトホール110を開口する。次ぎに、図36に示す様に、導電層17と18を形成して、前記コンタクトホール110を介して、導電層17と18をP型シリコン基板1に形成されたN+型拡散層8と電気的に接続する。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来の半導体装置では、ポリシリコンマスク開口方式の場合、層間膜11にアスペクト比4以上にもなる小口径のコンタクトホールを精度良くエッチングして開口するのが非常に困難であり、また開口後のコンタクトホールへの埋め込みもステップカバレージ良く行うことが難しいので、図31に示す様に、導電層106が断線したり、コンタクト抵抗が大きくなるという問題があった。
さらにこの方式では、ポリシリコン101を全面エッチバックする時、図30の(b)に示す様に、周辺回路部で、その下部のゲート電極4までエッチングされるという問題もあった。
【0015】
また、セルフアライン開口方式の場合でコンタクトホール110と下部のゲート電極4が重なった場合には、図37と図38に示す様な構造になるが、コンタクトホール110の開口時にシリコン酸化膜9のエッチング量が多いと、図39に示すように、導電層17および18とゲート電極4が電気的に短絡するという問題があった。さらに、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールを、所望の大きさに安定して形成するのは困難であった。
【0016】
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、本発明の1の目的は、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールが、他の配線と電気的に短絡することなく、低アスペクト比のエッチングで、所望の大きさに安定して形成された、高集積度の半導体装置を提供することであり、本発明の他の目的は、そのような半導体装置の製造方法を提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の半導体装置は、半導体基板の主表面上の配線層の上に、半導体基板の主表面に達する孔を有する第1の絶縁膜層としてのシリコン窒化膜と、その上に形成されかつ第1の絶縁膜層の孔に達する孔を有する第2の絶縁膜層と、第2の絶縁膜層の有する孔の内側壁に形成され、絶縁膜で構成されるサイドウォールスペーサと、第1の絶縁膜層の有する孔内と第2の絶縁膜層の有する孔内とに、半導体基板とは電気的に接続され、配線層とは電気的に絶縁された導電層を備えるとともに、第2の絶縁膜層は、第1の絶縁膜層に対してエッチング選択比が大きい。
【0018】
請求項2に記載の半導体装置は、請求項1に記載の半導体装置において、サイドウォールスペーサが、第1の絶縁膜層に対してエッチング選択比が大きい。
【0019】
請求項3に記載の半導体装置は、半導体基板の主表面上の配線層の上に、半導体基板の主表面に達する孔を有する2層以上の第1の絶縁膜層と、その上に形成されかつ第1の絶縁膜層の孔に達する孔を有する第2の絶縁膜層と、少なくとも第2の絶縁膜層の有する孔の内側壁に形成されたサイドウォールスペーサと、第1の絶縁膜層の有する孔内と第2の絶縁膜層の有する孔内とに、半導体基板とは電気的に接続され、配線層とは電気的に絶縁された導電層を備えるとともに、第2の絶縁膜層は、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きい。
【0020】
請求項4に記載の半導体装置は、請求項3に記載の半導体装置において、サイドウォールスペーサが、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きい。
【0021】
請求項5に記載の半導体装置は、請求項3または請求項4に記載の半導体装置において、第1の絶縁膜層の最上層が、サイドウォールスペーサの内側壁に露出していない。
【0022】
請求項6に記載の半導体装置は、請求項5に記載の半導体装置において、第1の絶縁膜層の最上層の有する孔が、第2の絶縁膜層の有する孔よりも大きい。
【0024】
請求項7に記載の半導体装置は、半導体基板の主表面上の配線層の上に、半導体基板の主表面に達する孔を有する2層以上の第1の絶縁膜層と、その上に形成されかつ第1の絶縁膜層の最上層の有する孔よりも大きくかつ第1の絶縁膜層の孔に達する孔を有する第2の絶縁膜層と、第1の絶縁膜層の有する孔内と第2の絶縁膜層の有する孔内とに、半導体基板とは電気的に接続され、配線層とは電気的に絶縁された導電層を備えるとともに、第2の絶縁膜層は、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きい。
【0027】
請求項8に記載の半導体装置は、請求項7に記載の半導体装置において、さらに第2の絶縁膜層の有する孔の内側壁に形成された、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きいサイドウォールスペーサを備えている。
【0030】
請求項9に記載の半導体装置の製造方法においては、まず半導体基板の主表面上に配線層を形成する。そして、その半導体基板の主表面上と配線層上とに2層以上の第1の絶縁膜層を形成してから、その第1の絶縁膜層上に、第1の絶縁膜層に対してエッチング選択比が大きな第2の絶縁膜層を形成する。そして、その第2の絶縁膜層に第1の絶縁膜層に達する孔を形成する。そして、第2の絶縁膜層上と第2の絶縁膜層に形成された孔内とに、第3の絶縁膜層を形成してから、その第3の絶縁膜層にその上面から厚みを減じる処理を施して、第2の絶縁膜層に形成された孔内にサイドウォールスペーサを形成する。そして、そのサイドウォールスペーサをマスクとして、第1の絶縁膜層の最上層に、その残りの層に達する孔を形成してから、第1の絶縁膜層の最上層をマスクとして、その残りの層に半導体基板の主表面の一部に達する孔を形成する。そして、第1の絶縁膜層に形成された孔内と、第2の絶縁膜層に形成された孔内とに、半導体基板とは電気的に接続され、配線層とは電気的に絶縁された導電層を形成する。
【0031】
請求項10に記載の半導体装置の製造方法においては、まず半導体基板の主表面上に配線層を形成する。そして、その半導体基板の主表面上と配線層上とに2層以上の第1の絶縁膜層を形成してから、その第1の絶縁膜層上に、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きな第2の絶縁膜層を形成する。そして、その第2の絶縁膜層に、第1の絶縁膜層に達する孔を形成してから、第1の絶縁膜層の少なくとも最上層に、その第1の絶縁膜層の残りの層に達する孔を形成する。そして、第2の絶縁膜層上と第2の絶縁膜層に形成された孔内と第1の絶縁膜層の最上層に形成された孔内とに第3の絶縁膜層を形成してから、その第3の絶縁膜層にその上面から厚みを減じる処理を施して、第2の絶縁膜層に形成された孔内と第1の絶縁膜層の最上層に形成された孔内とにサイドウォールスペーサを形成する。そして、第1の絶縁膜層の残りの層に、半導体基板の主表面の一部に達する孔を形成する。そして、第1の絶縁膜層に形成された孔内と、第2の絶縁膜層に形成された孔内とに、半導体基板とは電気的に接続され、配線層とは電気的に絶縁された導電層を形成する。
【0032】
請求項11に記載の半導体装置の製造方法においては、まず半導体基板の主表面上に配線層を形成する。そして、その半導体基板の主表面上と配線層上とに2層以上の第1の絶縁膜層を形成してから、その第1の絶縁膜層上に、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きな2の絶縁膜層を形成する。そして、その第2の絶縁膜層に第1の絶縁膜層に達する孔を形成する。そして、第2の絶縁膜層上と第2の絶縁膜層に形成された孔内とに、第1の絶縁膜層に対してエッチング選択比が大きく、かつ第2の絶縁膜層に対してエッチング速度の異なる第3の絶縁膜層を形成してから、その第3の絶縁膜層にその上面から厚みを減じる処理を施して、第2の絶縁膜層に形成された孔内にサイドウォールスペーサを形成する。そして、そのサイドウォールスペーサをマスクとして、第1の絶縁膜層の少なくとも最上層に、その第1の絶縁膜層の残りの層に達する孔を形成してから、サイドウォールスペーサを除去する。そして、第1の絶縁膜層の最上層をエッチングマスクとして、第1の絶縁膜層の残りの層に、半導体基板の主表面の一部に達する孔を形成する。そして、第1の絶縁膜層に形成された孔内と、第2の絶縁膜層に形成された孔内とに、半導体基板とは電気的に接続され、配線層とは電気的に絶縁された導電層を形成する。
【0034】
【発明の実施の形態】
以下、図1から図25を用いて、この発明の実施の形態について説明する。
【0035】
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1における半導体装置を示す断面図である。図1を参照して、図32に示される、セルフアライン開口方式による従来の半導体装置と異なるのは、シリコン酸化膜9とシリコン窒化膜10の開口寸法がTEOSの層間膜11の開口寸法よりも小さく、かつTEOSの層間膜11の開口部分の内壁にサイドウォールスペーサ14が形成されていることである。それ以外の構造に関しては、図32に示される従来の半導体装置と同様である。
【0036】
次ぎに、図2から図6を用いて、上記の半導体装置の製造方法について説明する。
図2から図6は、図1に示される半導体装置の製造工程の第1工程から第5工程を示す断面図である。
【0037】
図2を参照して、1は、比抵抗10ΩcmのP型シリコン基板で、その表面部分に、LOCOS法で厚さ2500Åのシリコン酸化膜である素子分離絶縁膜2を形成する。次ぎに、厚さ100Åのシリコン酸化膜を形成した後、不純物を含有させたポリシリコンを堆積してからシリコン酸化膜を形成し、レジストを用いた写真製版技術でパターニングして、ゲート絶縁膜3とゲート電極4と絶縁膜5を形成する。
【0038】
次ぎに、砒素を注入エネルギ30KeV、注入量1×1014/cm2、注入角度45°でイオン注入することにより、N-型拡散層6を形成した後、シリコン酸化膜を堆積してからエッチバックして、サイドウォールスペーサ7を形成する。次ぎに、砒素を注入エネルギ50KeV、注入量4×1015/cm2、注入角度0°でイオン注入することにより、N+型拡散層8を形成する。
【0039】
その後、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で厚さ300Åの、TEOSなどのシリコン酸化膜を堆積して、第1絶縁膜層の下層9を形成してから、厚さ800Åのシリコン窒化膜を堆積して、第1絶縁膜層の上層10を形成する。そして、厚さ5000Åの、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11を堆積する。次ぎに、シリコン窒化膜である反射防止膜12を堆積して、レジストマスクを用いた写真製版技術でパターニングしてから、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜よりもエッチング速度の早い二酸化シリコンのエッチングプロセスを用いて、RIE(Reactive Ion Etching)法でドライエッチングして、コンタクトホール13を開口する。
【0040】
ところで、シリコン窒化膜よりもエッチング速度の早い二酸化シリコンのエッチングプロセスとしては、例えば、c−C4F8、C3F8 、C3F6 、C5F12、C4F8、C5F10、CHF3などのフロロカーボン系ガス、およびこれらの混合ガス、ならびにアルゴンAr、一酸化炭素COまたは酸素O2などとフロロカーボン系ガスとの混合ガス、およびアルゴンAr、一酸化炭素COまたは酸素O2などと、これらのフロロカーボン系ガスの混合ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングプロセスがある。
【0041】
そして図3に示すように、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜に対して十分にエッチング選択比のとれるTEOSを堆積して全面エッチバックすることにより、サイドウォールスペーサ14を形成する。
【0042】
次ぎに、図4を参照して、サイドウォールスペーサ14をマスクとして、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10を、例えば、四弗化炭素(CF4)ガスなどを用いたRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール15を形成する。この時、シリコン窒化膜である反射防止膜12も同時に除去される。
【0043】
そして図5に示すように、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜をマスクとして、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9をRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール16を形成する。
【0044】
このとき、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜の下にシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9を形成しているのは、シリコン基板1の上に、直接シリコン窒化膜10を形成すると、シリコン窒化膜10を四弗化炭素ガスを用いてドライエッチングにより除去する時に、シリコン基板1の表面に結晶欠陥を誘起させるダメージを与える可能性があるが、シリコン基板1とシリコン窒化膜10との間にシリコン酸化膜9をを形成すると、シリコン窒化膜10をドライエッチングする際に、シリコン基板1にダメージを与えることがないからである。
【0045】
最後に、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11上とコンタクトホール16内に、ポリシリコンである導電層17とタングステンシリサイドWSiである導電層18を形成して、前記コンタクトホール16を介して、導電層17と18をP型シリコン基板1に形成されたN+型拡散層8と電気的に接続して、図6に示される半導体装置が形成される。
【0046】
以上説明したように、この実施の形態1における半導体装置およびその製造方法によれば、セルフアライン開口方式を基本にしているので、アスペクト比の高くないエッチングで、周辺回路領域において導電層がゲート電極と短絡することがなく、低抵抗なコンタクトホールが得られる。また、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁にサイドウォールスペーサ14を形成したので、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールを、導電層17、18が記憶素子領域においてもゲート電極4と短絡することがなく、所望の大きさに安定して形成できるとともに、コンタクトホール16においてステップカバリッジの良好な高集積度の半導体装置を実現できる。
【0047】
また、上記実施の形態1では、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9の膜厚が300Åの場合について説明したが、この膜厚は0〜500Åであれば、どんな膜厚でもよい。また、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の膜厚が800Åの場合について説明したが、この膜厚は100〜1000Åであれば、どんな膜厚でもよい。さらに、ゲート電極4は、ここに説明した不純物を含有させたポリシリコン以外に、シリサイドや金属膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。
【0048】
また、絶縁膜5はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。さらに、サイドウォールスペーサ7はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であっても、また、形成しなくてもよい。さらに、第2絶縁膜層11は、TEOS以外にBPTEOSであっても、またTEOSとBPTEOSの積層膜であってもよい。また、サイドウォールスペーサ14は、TEOS以外にポリシリコンで形成してもよい。なお、絶縁膜5と第1絶縁膜層の下層9は形成しなくとも、2層以上の積層膜であってもよく、上記実施の形態1と同様の効果を奏する。
【0049】
また、この実施の形態1では、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重なる場合について述べたが、下層のゲート電極の間隔が広くて、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重ならない場合でも、従来のセルフアライン開口方式と比較して、コンタクトホールを形成する時のアライメント余裕が向上するという効果がある。
【0050】
実施の形態2.
次ぎに、図7を用いて、この発明の実施の形態2について説明する。図7は、この実施の形態2における半導体装置を示す断面図である。
【0051】
図7を参照して、前記実施の形態1では、コンタクトホール16内にサイドウォールスペーサ14を残していたが、この実施の形態2では、コンタクトホール19内にサイドウォールスペーサ14を残していない。それ以外の構造に関しては、図1に示される実施の形態1と同様である。
【0052】
次ぎに、図8から図13を用いて、上記の半導体装置の製造方法について説明する。
図8から図13は、図7に示される半導体装置の製造工程の第1工程から第6工程を示す断面図である。
【0053】
まず図8を参照して、前記実施の形態1の場合と同様の工程を経て、コンタクトホール13を形成する。そして図9に示すように、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10に対して十分にエッチング選択比がとれ、かつTEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11に対してエッチング選択比がとれるBPTEOSを堆積し、全面にエッチバックしてサイドウォールスペーサ14を形成する。
【0054】
次に、図10を参照して、サイドウォールスペーサ14をマスクとして、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10を、例えば、四弗化炭素(CF4)ガスなどを用いたRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール15を形成する。この時、シリコン窒化膜である反射防止膜12も同時に除去される。そして図11に示すように、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11に対してエッチング選択比のとれる気相弗酸でサイドウォールスペーサ14のみを除去する。
【0055】
次に、図12に示すように、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10をマスクとして、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9をRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール19を形成する。
【0056】
このとき、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜の下にシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9を形成しているのは、シリコン基板1の上に、直接シリコン窒化膜10を形成すると、シリコン窒化膜10を四弗化炭素ガスを用いてドライエッチングにより除去する時に、シリコン基板1の表面に結晶欠陥を誘起させるダメージを与える可能性があるが、シリコン基板1とシリコン窒化膜10との間にシリコン酸化膜9をを形成すると、シリコン窒化膜10をドライエッチングする際に、シリコン基板1にダメージを与えることがないからである。
【0057】
最後に、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11上と前記コンタクトホール19内に、ポリシリコンである導電層17とタングステンシリサイドWSiである導電層18を形成して、前記コンタクトホール19を介して、導電層17と18をP型シリコン基板1に形成されたN+ 型拡散層8と電気的に接続して、図13に示される半導体装置が形成される。
【0058】
以上説明したように、この実施の形態2における半導体装置およびその製造方法によれば、セルフアライン開口方式を基本にしているので、アスペクト比の高くないエッチングで、周辺回路領域において導電層がゲート電極と短絡することがなく、低抵抗なコンタクトホールが得られる。特にこの実施の形態2におけるコンタクトホール19では、サイドウォールスペーサ14を最終的に除去しているので、前記実施の形態1におけるコンタクトホール16よりも低抵抗となる。また、TEOSの第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁にサイドウォールスペーサ14を形成してから除去したので、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールを、導電層17、18が記憶素子領域においてもゲート電極4と短絡することがなく、所望の大きさに安定して形成できるとともに、コンタクトホール19においてステップカバリッジの良好な高集積度の半導体装置を実現できる。
【0059】
また、上記実施の形態2では、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9の膜厚が300Åの場合について説明したが、この膜厚は0〜500Åであれば、どんな膜厚でもよい。また、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の膜厚が800Åの場合について説明したが、この膜厚は100〜1000Åであれば、どんな膜厚でもよい。さらに、ゲート電極4は、ここに説明した不純物を含有させたポリシリコン以外に、シリサイドや金属膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。
【0060】
また、絶縁膜5はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。さらに、サイドウォールスペーサ7はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であっても、また、形成しなくてもよい。さらに、第2絶縁膜層11は、TEOS以外にBPTEOSであっても、またTEOSとBPTEOSの積層膜であってもよい。また、サイドウォールスペーサ14は、BPTEOS以外にポリシリコンで形成してもよい。なお、絶縁膜5と第1絶縁膜層の下層9は形成しなくとも、2層以上の積層膜であってもよく、上記実施の形態2と同様の効果を奏する。
【0061】
また、この実施の形態2では、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重なる場合について述べたが、下層のゲート電極の間隔が広くて、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重ならない場合でも、従来のセルフアライン開口方式と比較して、コンタクトホールを形成する時のアライメント余裕が向上するという効果がある。
【0062】
実施の形態3.
次ぎに、図14を用いて、この発明の実施の形態3について説明する。図14は、この実施の形態3における半導体装置を示す断面図である。
【0063】
図14を参照して、前記実施の形態1では、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁にサイドウォールスペーサを形成したが、この実施の形態3では、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔の大きさが、TEOSの第2絶縁膜層11の有する孔の大きさとほぼ同じであって、サイドウォールスペーサ14が、TEOSの第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁と、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔の内側壁とに渡って形成されていて、第1絶縁膜層の上層10がサイドウォールスペーサ14の内側壁に露出していない。それ以外の構造に関しては、図1に示される前記実施の形態1と同様である。
【0064】
次ぎに、図15から図19を用いて、上記の半導体装置の製造方法について説明する。
図15から図19は、図14に示される半導体装置の製造工程の第1工程から第5工程を示す断面図である。
【0065】
まず図15を参照して、前記実施の形態1の場合と同様の工程を経て、コンタクトホール13を形成する。そして図16に示すように、コンタクトホール13を形成した時のレジストマスク(図示せず)を用い、エッチングガスを変えて、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10を、例えば、四弗化炭素(CF4 )ガスなどを用いたRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール20を形成する。その後レジストを除去してから、シリコン窒化膜である反射防止膜12を除去する。
【0066】
次に、図17を参照して、TEOSを1500Å堆積して全面エッチバックすることにより、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁と、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔の内側壁とに渡ってサイドウォールスペーサ14を形成する。この時、サイドウォールスペーサ14を絶縁膜で形成すれば、たとえゲート電極4が前工程で露出するようなことがあっても、その露出部分はこのサイドウォールスペーサ14で覆われることになるので、この後コンタクトホール内に形成される導電層とこのゲート電極4とが、電気的に短絡することはない。
【0067】
そして、図18に示すように、RIE法により、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9をドライエッチングして、コンタクトホール21を形成する。
【0068】
最後に、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11上とコンタクトホール21内に、ポリシリコンである導電層17とタングステンシリサイドWSiである導電層18を形成して、前記コンタクトホール21を介して、導電層17と18をP型シリコン基板1に形成されたN+型拡散層8と電気的に接続して、図19に示される半導体装置が形成される。
【0069】
以上説明したように、この実施の形態3における半導体装置およびその製造方法によれば、セルフアライン開口方式を基本にしているので、アスペクト比の高くないエッチングで、周辺回路領域において導電層がゲート電極と短絡することがなく、低抵抗なコンタクトホールが得られる。また、前記実施の形態1では、図5に示すように、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜をマスクとして、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9をRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール16を形成する時に、サイドウォールスペーサ14も多少エッチングされて、サイドウォールスペーサ14と第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜との境界部分に段差が発生することがあるが、この実施の形態3では、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁と、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔の内側壁とに渡ってサイドウォールスペーサ14を形成して、第1絶縁膜層の上層10がサイドウォールスペーサ14の内側壁に露出しないようにしたので、コンタクトホール21は、シリコン基板部から上層部に渡って開口径が滑らかに大きくなる順テーパ状になり、前記実施の形態1におけるコンタクトホール16よりも、ステップカバリッジが良好になるとともに、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールを、導電層17、18が記憶素子領域においてもゲート電極4と短絡することがなく、所望の大きさに安定して形成できる。
【0070】
また、上記実施の形態3では、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9の膜厚が300Åの場合について説明したが、この膜厚は50〜500Åであれば、どんな膜厚でもよい。また、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の膜厚が800Åの場合について説明したが、この膜厚は100〜1000Åであれば、どんな膜厚でもよい。さらに、ゲート電極4は、ここに説明した不純物を含有させたポリシリコン以外に、シリサイドや金属膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。
【0071】
また、絶縁膜5はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。さらに、サイドウォールスペーサ7はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であっても、また、形成しなくてもよい。さらに、第2絶縁膜層11は、TEOS以外にBPTEOSであっても、またTEOSとBPTEOSの積層膜であってもよい。また、サイドウォールスペーサ14は、TEOS以外にポリシリコンで形成してもよい。なお、絶縁膜5と第1絶縁膜層の下層9は形成しなくとも、2層以上の積層膜であってもよく、上記実施の形態3と同様の効果を奏する。
【0072】
また、この実施の形態3では、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重なる場合について述べたが、下層のゲート電極の間隔が広くて、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重ならない場合でも、従来のセルフアライン開口方式と比較して、コンタクトホールを形成する時のアライメント余裕が向上するという効果がある。
【0073】
実施の形態4.
次ぎに、図20を用いて、この発明の実施の形態4について説明する。図20は、この実施の形態4における半導体装置を示す断面図である。
【0074】
図20を参照して、図14に示される前記実施の形態3における半導体装置と異なるのは、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔が、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔よりも大きく形成されていることである。それ以外の構造に関しては、図14に示される実施の形態3と同様である。
【0075】
次ぎに、図21から図25を用いて、上記の半導体装置の製造方法について説明する。
図21から図25は、図20に示される半導体装置の製造工程の第1工程から第5工程を示す断面図である。
【0076】
まず図21を参照して、前記実施の形態1の場合と同様の工程を経て、コンタクトホール13を形成する。そして図22に示すように、レジストを除去してから、熱りん酸でウエットエッチングしてコンタクトホール22を開口する。この時、シリコン窒化膜である反射防止膜12も同時に除去される。この様なウエットエッチングを行うと、ドライエッチングにおけるプラズマダメージが発生せず、また、第2絶縁膜層11や第1絶縁膜層の下層9であるシリコン酸化膜に対してエッチング選択比を大きくとれるという利点がある。
【0077】
次に、図23を参照して、TEOSを1500A堆積して全面エッチバックすることにより、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁と、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔の内側壁とに渡ってサイドウォールスペーサ14を形成する。この時、サイドウォールスペーサ14を絶縁膜で形成すれば、たとえゲート電極4が前工程で露出するようなことがあっても、その露出部分はこのサイドウォールスペーサ14で覆われることになるので、この後コンタクトホール内に形成される導電層とこのゲート電極4とが、電気的に短絡することはない。
【0078】
そして、図24に示すように、希弗酸で、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9をウエットエッチングして、コンタクトホール23を形成する。
【0079】
最後に、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11上と前記コンタクトホール23内に、ポリシリコンである導電層17とタングステンシリサイドWSiである導電層18を形成して、前記コンタクトホール23を介して、導電層17と18をP型シリコン基板1に形成されたN+ 型拡散層8と電気的に接続して、図25に示される半導体装置が形成される。
【0080】
以上説明したように、この実施の形態4における半導体装置およびその製造方法によれば、セルフアライン開口方式を基本にしているので、アスペクト比の高くないエッチングで、周辺回路領域において導電層がゲート電極と短絡することがなく、低抵抗なコンタクトホールが得られる。また、第1絶縁膜層の上層10をウエットエッチングで形成したので、ドライエッチングにおけるプラズマダメージが発生しないのみならず、第2絶縁膜層11や第1絶縁膜層の下層9であるシリコン酸化膜に対してエッチング選択比を大きくとることができる。
【0081】
さらに、前記実施の形態1では、図5に示すように、第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜をマスクとして、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9をRIE法でドライエッチングして、コンタクトホール16を形成する時に、サイドウォールスペーサ14も多少エッチングされて、サイドウォールスペーサ14と第1絶縁膜層の上層10であるシリコン窒化膜との境界部分に段差が発生することがあるが、この実施の形態4では、TEOSなどのシリコン酸化膜の第2絶縁膜層11の有する孔の内側壁と、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の有する孔の内側壁とに渡ってサイドウォールスペーサ14を形成して、第1絶縁膜層の上層10がサイドウォールスペーサ14の内側壁に露出しないようにしたので、コンコンタクトホール21は、シリコン基板部から上層部に渡って開口径が滑らかに大きくなる順テーパ状になり、前記実施の形態1におけるコンタクトホール16よりも、ステップカバリッジが良好になるとともに、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールを、導電層17、18が記憶素子領域においてもゲート電極4と短絡することがなく、所望の大きさに安定して形成できる。
【0082】
また、上記実施の形態4では、TEOSなどのシリコン酸化膜の、第1絶縁膜層の下層9の膜厚が300Åの場合について説明したが、この膜厚は50〜500Åであれば、どんな膜厚でもよい。また、シリコン窒化膜である、第1絶縁膜層の上層10の膜厚が800Åの場合について説明したが、この膜厚は100〜1000Åであれば、どんな膜厚でもよい。さらに、ゲート電極4は、ここに説明した不純物を含有させたポリシリコン以外に、シリサイドや金属膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。
【0083】
また、絶縁膜5はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であってもよい。さらに、サイドウォールスペーサ7はシリコン酸化膜以外に、シリコン窒化膜やシリコンオキシナイトライド膜であっても、またそれらの積層膜であっても、また、形成しなくてもよい。さらに、第2絶縁膜層11は、TEOS以外にBPTEOSであっても、またTEOSとBPTEOSの積層膜であってもよい。また、サイドウォールスペーサ14は、TEOS以外にポリシリコンで形成してもよい。なお、絶縁膜5と第1絶縁膜層の下層9は形成しなくとも、2層以上の積層膜であってもよく、上記実施の形態4と同様の効果を奏する。
【0084】
また、この実施の形態4では、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重なる場合について述べたが、下層のゲート電極の間隔が広くて、第2絶縁膜層11の有する孔がその下層のゲート電極と重ならない場合でも、従来のセルフアライン開口方式と比較して、コンタクトホールを形成する時のアライメント余裕が向上するという効果がある。
【0085】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【0086】
セルフアライン開口方式を基本にしているので、アスペクト比の高くないエッチングで、周辺回路領域において導電層がゲート電極と短絡することがなく、低抵抗なコンタクトホールが得られる。また、第2絶縁膜層の有する孔の内側壁にサイドウォールスペーサを形成したので、写真製版の解像度よりも小さなコンタクトホールを、導電層が記憶素子領域においてもゲート電極と短絡することがなく、所望の大きさに安定して形成できるとともに、コンタクトホールにおいてステップカバリッジの良好な高集積度の半導体装置を実現できる。
【0087】
また、コンタクトホールにおいてサイドウォールスペーサを最終的に除去しているので、最終的にサイドウォールスペーサを残した場合よりも低抵抗となる。
【0088】
さらに、第2絶縁膜層の有する孔の内側壁と、第1絶縁膜層の上層の有する孔の内側壁とに渡ってサイドウォールスペーサを形成したので、コンタクトホールは、シリコン基板部から上層部に渡って開口径が滑らかに大きくなる順テーパ状になり、ステップカバリッジが良好になる
【0089】
また、下層のゲート電極の間隔が広くて、第2絶縁膜層の有する孔がその下層のゲート電極と重ならない場合でも、従来のセルフアライン開口方式と比較して、コンタクトホールを形成する時のアライメント余裕が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1における半導体装置を示す断面図である。
【図2】 この発明の実施の形態1における半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図3】 この発明の実施の形態1における半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図4】 この発明の実施の形態1における半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図5】 この発明の実施の形態1における半導体装置の製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図6】 この発明の実施の形態1における半導体装置の製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図7】 この発明の実施の形態2における半導体装置を示す断面図である。
【図8】 この発明の実施の形態2における半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図9】 この発明の実施の形態2における半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図10】 この発明の実施の形態2における半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図11】 この発明の実施の形態2における半導体装置の製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図12】 この発明の実施の形態2における半導体装置の製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図13】 この発明の実施の形態2における半導体装置の製造工程の第6工程を示す断面図である。
【図14】 この発明の実施の形態3における半導体装置を示す断面図である。
【図15】 この発明の実施の形態3における半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図16】 この発明の実施の形態3における半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図17】 この発明の実施の形態3における半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図18】 この発明の実施の形態3における半導体装置の製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図19】 この発明の実施の形態3における半導体装置の製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図20】 この発明の実施の形態4における半導体装置を示す断面図である。
【図21】 この発明の実施の形態4における半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図22】 この発明の実施の形態4における半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図23】 この発明の実施の形態4における半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図24】 この発明の実施の形態4における半導体装置の製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図25】 この発明の実施の形態4における半導体装置の製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図26】 ポリシリコンマスク開口方式で開口した従来の半導体装置を示す断面図である。
【図27】 ポリシリコンマスク開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図28】 ポリシリコンマスク開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図29】 ポリシリコンマスク開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図30】 ポリシリコンマスク開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図31】 ポリシリコンマスク開口方式で開口した従来の半導体装置の問題点を説明するための断面図である。
【図32】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置を示す断面図である。
【図33】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図34】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図35】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図36】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図37】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図38】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図39】 セルフアライン開口方式で開口した従来の半導体装置の問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
1 半導体基板
4 配線層
9 第1の絶縁膜層
10 第1の絶縁膜層
11 第2の絶縁膜層
14 サイドウォールスペーサ
16 孔
17 導電層
18 導電層
19 孔
21 孔
23 孔
Claims (11)
- 半導体基板の主表面の上部に形成された配線層と、
前記配線層の上部に形成され、前記半導体基板の前記主表面に達する孔を有する第1の絶縁膜層としてのシリコン窒化膜と、
前記第1の絶縁膜層の上部に形成され、前記第1の絶縁膜層の孔に達する孔を有する、前記第1の絶縁膜層に対してエッチング選択比の大きな第2の絶縁膜層と、
前記第2の絶縁膜層の有する前記孔の内側壁に形成され、絶縁膜で構成されるサイドウォールスペーサと、
前記第1の絶縁膜層の有する前記孔内と、前記第2の絶縁膜層の有する前記孔内とに形成されて、前記半導体基板とは電気的に接続され、前記配線層とは電気的に絶縁された導電層と
を備えた半導体装置。 - サイドウォールスペーサが、第1の絶縁膜層に対してエッチング選択比の大きいことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板の主表面の上部に形成された配線層と、
前記配線層の上部に形成され、前記半導体基板の前記主表面に達する孔を有する、2層以上の第1の絶縁膜層と、
前記第1の絶縁膜層の上部に形成され、前記第1の絶縁膜層の孔に達する孔を有する、前記第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きな第2の絶縁膜層と、
少なくとも前記第2の絶縁膜層の有する前記孔の内側壁に形成されたサイドウォールスペーサと、
前記第1の絶縁膜層の有する前記孔内と、前記第2の絶縁膜層の有する前記孔内とに形成されて、前記半導体基板とは電気的に接続され、前記配線層とは電気的に絶縁された導電層と
を備えた半導体装置。 - サイドウォールスペーサが、第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きいことを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 第1の絶縁膜層の最上層が、サイドウォールスペーサの内側壁に露出していないことを特徴とする、請求項3または請求項4に記載の半導体装置。
- 第1の絶縁膜層の最上層の有する孔が、第2の絶縁膜層の有する孔よりも大きいことを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。
- 半導体基板の主表面の上部に形成された配線層と、
前記配線層の上部に形成され、前記半導体基板の前記主表面に達する孔を有する、2層以上の第1の絶縁膜層と、
前記第1の絶縁膜層の上部に形成され、前記第1の絶縁膜層の最上層の有する孔よりも大きくかつ前記第1の絶縁膜層の孔に達する孔を有する、前記第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きな第2の絶縁膜層と、
前記第1の絶縁膜層の有する前記孔内と、前記第2の絶縁膜層の有する前記孔内とに形成されて、前記半導体基板とは電気的に接続され、前記配線層とは電気的に絶縁された導電層と
を備えた半導体装置。 - 第2の絶縁膜層の有する孔の内側壁に形成され、かつ第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きいサイドウォールスペーサを有することを特徴とする、請求項7に記載の半導体装置。
- 半導体基板の主表面上に配線層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主表面上と前記配線層上とに、2層以上の第1の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層上に、前記第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きな第2の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜層に、前記第1の絶縁膜層に達する孔を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜層上と前記第2の絶縁膜層の前記孔内とに、第3の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜層にその上面から厚みを減じる処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜層の前記孔内にサイドウォールスペーサを形成する工程と、
前記サイドウォールスペーサをマスクとして、前記第1の絶縁膜層の最上層に、前記第1の絶縁膜層の残りの層に達する孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層の最上層をマスクとして、前記第1の絶縁膜層の前記残りの層に、前記半導体基板の前記主表面の一部に達する孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層に形成された前記孔内と、前記第2の絶縁膜層に形成された前記孔内とに、前記半導体基板とは電気的に接続され、前記配線層とは電気的に絶縁された導電層を形成する工程と
を備えた半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主表面上に配線層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主表面上と前記配線層上とに、2層以上の第1の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層上に、前記第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きな第2の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜層に、前記第1の絶縁膜層に達する孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層の少なくとも最上層に、前記第1の絶縁膜層の残りの層に達する孔を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜層上と、前記第2の絶縁膜層の前記孔内と、前記第1の絶縁膜層の最上層に形成された前記孔内とに、第3の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜層にその上面から厚みを減じる処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜層の前記孔内と、前記第1の絶縁膜層の最上層に形成された前記孔内とに、サイドウォールスペーサを形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層の前記残りの層に、前記半導体基板の前記主表面の一部に達する孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層に形成された前記孔内と、前記第2の絶縁膜層に形成された前記孔内とに、前記半導体基板とは電気的に接続され、前記配線層とは電気的に絶縁された導電層を形成する工程と
を備えた半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主表面上に配線層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主表面上と前記配線層上に、2層以上の第1の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層上に、前記第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比の大きな第2の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜層に、前記第1の絶縁膜層に達する孔を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜層上と前記第2の絶縁膜層の前記孔内とに、前記第1の絶縁膜層の最上層に対してエッチング選択比が大きく、かつ前記第2の絶縁膜層に対してエッチング速度の異なる第3の絶縁膜層を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜層にその上面から厚みを減じる処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜層の前記孔内にサイドウォールスペーサを形成する工程と、
前記サイドウォールスペーサをマスクとして、前記第1の絶縁膜層の少なくとも最上層に、前記第1の絶縁膜層の残りの層に達する孔を形成する工程と、
前記サイドウォールスペーサを除去する工程と、
前記第1の絶縁膜層の最上層をエッチングマスクとして、前記第1の絶縁膜層の前記残りの層に、前記半導体基板の前記主表面の一部に達する孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜層に形成された前記孔内と、前記第2の絶縁膜層に形成された前記孔内とに、前記半導体基板と電気的に接続するとともに、前記配線層と電気的に絶縁された導電層を形成する工程と
を備えた半導体装置の製造方法。
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