JP3616748B2 - 現像処理方法,現像処理装置及び処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の現像処理方法,現像処理装置及び処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを露光する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ,ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【0003】
上述の現像処理は,通常ケーシング内に搬入されたウェハに現像液が供給され,ウェハが所定時間静止現像され,その後ウェハを回転させて,ウェハを洗浄,乾燥することによって行われる。当該現像処理は,通常現像処理装置によって行われており,ケーシング内には,ウェハを保持し回転させるスピンチャックと,ウェハの回転によりウェハから飛散する現像液等を受け止めるカップと,当該カップの外方に設けられている外カップとが設けられている。
【0004】
また,ケーシング上部には,現像処理中にケーシング内にエアを供給する供給装置が設けられており,前記外カップ下部には,カップ内を含めた外カップ内側の雰囲気を排気する排気装置が設けられている。そして,通常は,ケーシング内に供給されたエアが外カップ下部から排気され,カップ内にはエアの下降気流が形成され,これによってウェハ等から発生する不純物がパージされている。しかし,ウェハを静止現像する際には,ウェハ表面の温度分布を均一に維持する必要があるため,ウェハ温度に影響を与えるウェハ表面上の気流をなるべく抑制すべく,外カップ下部からの排気を一時中断するようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,このように排気を中断すると,ウェハ等から発生した不純物が適切に排気されず,ケーシング内を浮遊し,再びウェハに付着する恐れがある。このようにウェハに不純物が付着すると,その部分だけ現像されず現像欠陥が生じる。また,排気を中断したことによって,ケーシング内に供給されたエアの流路が変更され,対流等が生じるため,ウェハ表面の温度分布も必ずしも改善されない。このように,ウェハ表面の温度分布が不均一になると,現像の進度にばらつきが生じ,最終的に形成される回路パターンの線幅が不均一になる。
【0006】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ウェハ等の基板に不純物が再付着することを抑制しつつ,基板表面の温度分布が均一に維持されるように基板表面の気流を制御する現像処理方法とその現像処理方法が実施される現像処理装置及び処理装置を提供することをその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば,ケーシング内で基板を現像処理する現像処理方法であって,基板上方から気体を供給する工程と,前記ケーシング内であって基板の外周を囲む容器内に流入する前記上方からの気体を前記容器内の排気口から前記ケーシング外に排気する工程と,前記ケーシング内であって前記容器外に流れる前記上方からの気体を前記容器に設けられた流入口から容器内に流入させ,前記排気口から前記ケーシング外に排気する工程と,前記容器内に流入する気体の第1の流量と,前記容器外に流れる気体の第2の流量とを調節する工程とを有し,前記第1の流量と第2の流量を調整する工程は,前記容器を上下動させて前記流入口の開閉度を調節することによって行われることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【0008】
このように,上方から前記容器内に流入する気体の第1の流量と前記容器外に流れる気体の第2の流量を調節することによって,基板等から現像液等の不純物が発生し易い時に第1の流量を増大させ,基板周辺の気流を強くすることができる。これによって,基板から発生する不純物が前記容器内から好適に排出され,基板に再付着することが抑制できる。また,基板表面の温度分布を均一に維持したい場合には,第2の流量を増大させることにより,上方からの気体が容器外に流れ,基板表面上の流れを弱めることができる。これによって,当該気流によって基板表面温度が不均一に降温されることが抑制され,基板表面の温度分布が均一に維持される。また,前記容器を上下動させて,前記第1の流量と第2の流量を調節することによって,流量調節用の設備を別途設ける必要が無く,既存の設備を用いて行うことができる。なお,前記容器の上下動とは,容器全体が上下動する場合のみならず,容器の一部が上下動する場合をも含む。
【0009】
かかる請求項1の発明において,請求項2のように基板上に現像液が供給された状態で当該基板を現像する際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも少なくなるように調節するようにしてもよい。このように,基板上に現像液が液盛りされ,当該基板を現像する際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも小さくなるように調節することにより,基板表面を流れる気流が弱められ,容器外に流れる気流が強められる。これによって,前記基板の現像工程においては,基板表面の温度が気流に左右されず安定し,基板等から発生した不純物は,容器外から好適に排出される。したがって,基板表面への不純物の再付着を抑制しつつ,基板表面の温度分布を均一に維持することができる。なお,基板を現像する際とは,基板の現像工程であって,基板上に現像液が液盛りされてから,基板の静止現像が終了するまでをいう。
【0010】
かかる請求項2の発明において,請求項3のように前記基板を現像する際に,当該基板を前記容器の上端部よりも低い位置に置くようにしてもよい。このように基板を前記容器の上端部よりも低い位置に置くことによって,基板が容器外に流れる強い気流から遠ざけられるため,請求項2に比べてもさらに気流によって基板表面温度が影響されることが抑制される。したがって,基板表面の温度分布がより均一に維持される。
【0011】
また,かかる請求項2,3の各現像処理方法において,請求項4のように前記基板の現像工程終了後であって,当該基板を回転させる際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも多くなるように調節するようにしてもよい。このように,基板から不純物等が発生しやすい,かかる基板の回転工程において,容器内に流入する気体の流量を増大させることによって,基板周辺の気流が強められ,当該不純物を好適に排出することができる。
【0012】
さらに,かかる請求項2〜4の各現像処理方法において,請求項5のように前記基板上に現像液が供給される際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも多くなるように調節するようにしてもよい。このように,基板上に現像液が供給される際に前記容器内に流入する気体の流量を増大させることにより,基板周辺の気流が強められ,基板上に現像液を供給する際に発生する不純物を好適に排出することができる。
【0014】
別の観点による本発明によれば,ケーシング内で基板を現像処理する現像処理装置であって,前記ケーシング内で前記基板の外周を囲む容器と,前記現像処理装置内に気体を供給する気体供給装置と,前記容器内に流れ込む雰囲気と前記容器外に流れる雰囲気とを一括してケーシング外に排気する排気装置と,前記容器内に流入する気体の流量と前記容器外に流れる気体の流量を調節する調節装置とを有し,前記排気装置の排気口は,前記容器内に設けられており,前記容器には,前記容器外に流れた気体を前記容器内に流入させるための流入口が設けられており,前記調節装置は,前記容器を上下動させることによって前記流入口の開閉度を調節可能な容器駆動装置であることを特徴とする現像処理装置が提供される。この発明によれば,前記容器内に流入する気体の第1の流量と前記容器外に流れる気体の第2の流量とを調節できるので,上述した現像処理方法を実施することができる。従って,現像処理の各工程に応じて,適宜第1の流量と第2の流量とを調節し,基板への不純物の再付着を抑制しつつ,基板面内の温度分布を均一に維持することができる。
【0015】
また,本発明によれば,上方から容器内に流入した気体は,前記排気口から直接排気され,容器外に流れた気体は,前記流入口から容器内に一旦流入し,上述した容器内に直接流入された気体と合流して,前記排気口から排気することができる。また,前記容器を上下動させることによって,前記流入口の開閉度を変更できるので,容器外に流れる気体の第2の流量を調節できる。さらに,この第2の流量の調節によって,容器内に流入する気体の第1の流量が変動されるため,結果的に当該第1の流量も調節することができる。したがって,上述した現像処理方法を実施することができ,基板への不純物の再付着を抑制しつつ,基板面内の温度分布を均一に維持することができる。
【0016】
上述した現像処理装置において,前記容器外周には,前記容器外に漏れた現像液を回収する回収板が設けられており,当該回収板には,前記容器外に流れる気体が通過する複数の通気孔が設けられるようにしてもよい。このような回収板を設けることによって,液盛り時に容器外に漏れた現像液や,基板の回転時に容器外に飛散した現像液等を好適に回収することができる。また,回収板に設けられた多数の通気孔によって,容器外に流れた気流をスムーズに通過させ,対流等の発生を抑制できる。
【0017】
また,前記回収板が,前記容器側が低くなるように傾斜していてもよい。このように回収板を前記容器側に傾斜させることによって,容器外に漏れた現像液等が前記回収板上に溜まることが防止できる。
【0018】
前記現像処理装置は,前記基板を上下動可能とする昇降機構を有するようにしてもよい。このように,前記基板を上下動可能にすることによって,現像処理の各工程において,適宜基板の高さを調節することができる。また,基板の現像工程時に,前記容器の上端部よりも低い位置に基板を配置することができるので,上述した現像処理方法が実施できる。
別の観点による本発明によれば,基板に液を供給して処理する処理装置であって,基板の外周を囲み,上面が開口した容器と,前記容器内に設けられ,上方から前記容器内に流れる気体と前記容器外に流出した前記液のミストを含む気体とを排気するための排気口と,前記容器を上下動させる容器駆動装置と,を有し,前記容器には,前記容器外に流出した気体を,前記容器内に流入させるための流入口が設けられ,前記容器駆動装置により,前記容器を上下動させることによって前記流入口の開閉度を調節し,上方から前記容器内に流入する気体の流量と,前記容器外に流出し,前記流入口から前記容器内に流入する気体の流量とを調節することを特徴とする処理装置が提供される。
前記液は,現像液であり,基板上に現像液が供給される際には,前記容器を下降して前記流入口を狭くし,かつ基板を前記容器の上端部より高い位置に配置し,前記基板上に現像液が供給された状態で当該基板を現像する際には,前記容器を上昇して前記流入口を広くし,かつ基板を前記容器の上端部より低い位置に配置してもよい。
前記容器は,容器側部と容器底部とを有し,前記流入口は,前記容器側部の下端部と前記容器底部との間に設けられ,前記容器駆動装置により,前記容器側部を上下動させて前記流入口の開閉度を調節してもよい。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明にかかる現像処理装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0020】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0021】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをR方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(R方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0022】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。
【0023】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,処理装置群の数は,1以上であれば4つで無くてもよい。
【0024】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を供給し,レジスト膜を形成するレジスト塗布装置17と,本実施の形態にかかる現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0025】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステンション装置32,レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば7段に重ねられている。
【0026】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置44,45,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0027】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50はR方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0028】
次に,上述した現像処理装置18の構成について詳しく説明する。図4は,現像処理装置18の概略を示す縦断面の説明図であり,図5は,現像処理装置18の横断面の説明図である。
【0029】
現像処理装置18は,図4に示すようにケーシング18a内に上面が開口した箱状のカップ収容部60を有している。当該カップ収容部60内の中央部には,水平かつ円形状に形成された上面部61aを有するスピンチャック61が設けられており,ウェハWを水平に保持可能に構成されている。当該スピンチャック61には,例えばその上面部61aに図示しない吸引口が設けられており,ウェハWを吸着保持できるようになっている。スピンチャック61の下方には,当該スピンチャック61を回転可能とする駆動機構62が設けられており,スピンチャック61に保持されたウェハWを所定の回転速度で回転できるようになっている。
【0030】
また,当該スピンチャック61の上面部61aの周辺部は,ウェハWを支持し,昇降させるための複数の昇降ピン63が設けられている。当該昇降ピン63は,駆動機構62によって所定の高さに昇降可能に構成されており,スピンチャック61の上面部61aに設けられた図示しない貫通孔を貫通して昇降し,ウェハWをスピンチャック61上方の所定位置に配置したり,スピンチャック61上に載置したりできるようになっている。
【0031】
スピンチャック61の外周外方には,当該スピンチャック61を取り囲むようにして,上面が開口した筒状のカップ65が設けられており,ウェハWが回転された際に飛散する現像液等を受け止め,ケーシング18a内の汚染を防止できるようになっている。カップ65は,主に飛散した現像液等を受け止めるカップ側部66と,当該受け止めた現像液等を回収するカップ底部67とを有している。
【0032】
カップ側部66の上部には,内側に傾斜したガイド部68が形成されており,ウェハWの上方に飛散する現像液等を受け止めると共に,上方からの気流がカップ65内とカップ65外に分流されるようになっている。カップ側部66には,カップ側部66のみを上下動自在とする,例えばモータ又はシリンダ等の容器駆動装置としての昇降機構69が取り付けられており,必要に応じて,例えば2段階にカップ側部66を昇降させることができるようになっている。なお,当然に段階的でなく,所定の位置に昇降自在であってもよい。
【0033】
カップ底部67は,斜めに傾斜されて設けられており,その低い部分には,カップ側部66で回収した現像液等を排液するドレイン管70が設けられている。また,カップ底部67には,ケーシング18a内の雰囲気を排気する排気装置としての排気管71が設けられており,当該排気管71の排気口72は,カップ65内で上方に向けられて設けられている。
【0034】
カップ側部66の下端部とカップ底部67との間には,流入口としての隙間73が設けられており,上方から一旦カップ65外に流れた気体が,当該隙間73からカップ65内に流入されるようになっている。また,この隙間73は,上述したカップ側部66の上下動により,その大きさが変動され,当該隙間73からカップ65内に流入する気体の流量を調節できるようになっている。したがって,上方から一定流量の気体を供給し,カップ65内から一定流量の気体を排気する条件の下では,隙間73の広狭を変動することによって,ガイド部材68で分流される,カップ65内に流入する気体の流量とカップ65外に流れる気体の流量とを調節することができる。
【0035】
カップ65の外周外方には,カップ65とカップ収容部60との隙間を覆う回収板75が設けられており,後述の現像液供給ノズル85によるウェハW上への液供給に伴う動作でカップ65外に漏れた現像液等が回収されるようになっている。回収板75は,カップ65側が低くなるように斜めに設けられている。また,回収板75には,図5に示すようにパンチングメタルを構成する多数の通気孔76が設けられており,ガイド部材68を越えて舞い上がったプロセス処理に伴う現像液や洗浄液を含んだミスト気流,カップ65外に流れた上方からの気体等が当該通気孔76を通過し,隙間73に流れるようになっている。また,このパンチングメタルを構成する通気孔76をミスト気流が通過することで,ミストが液状体でトラップされやすくなる。
【0036】
カップ65の外周とカップ収容部60との間であって,カップ収容部60の底部には,上述したカップ65外に漏れた現像液等を排液するドレイン管77が設けられている。
【0037】
ケーシング18aの内側上部には,ケーシング18a内に気体,例えば大気又は所定温度,湿度に調節されたエアを供給する気体供給装置としてのエア供給機構80が取り付けられている。ケーシング18aの側壁上部には,当該エア供給機構80に図示しないエア供給源からのエアを供給する供給管81が設けられている。エア供給機構80は,当該供給管81から供給されたエア内に含まれる不純物を除去するフィルタ82と,当該フィルタ82で清浄化されたエアをケーシング18a全体に一様に供給するための整流板83とを有している。このエア供給機構80によって,ケーシング18a内には,一様なエアの下降気流が形成され,ケーシング18a内を温湿度調節可能でかつ,パージできるようになっている。
【0038】
また,図4,図5に示すようにカップ収容部60のX方向負方向(図5の左方向)側の内側壁に設けられた待機位置Tには,ウェハW上に現像液を供給する現像液供給ノズル85が配置されている。現像液供給ノズル85は,図5,図6に示すように細長形状に形成されており,その長さは,少なくともウェハWの直径よりも大きくなっている。現像液供給ノズル85上部には,図示しない現像液供給源からの現像液を現像液供給ノズル85内に流入させる配管86の一端が接続されている。現像液供給ノズル85の下部には,複数の現像液供給口87が,長手方向に一列に設けられている。また,現像液供給ノズル85の内部には,図7に示すように配管86及び各現像液供給口87に連通された長手方向に長い空間部88が形成されており,配管86から現像液供給ノズル85内に流入された現像液を一旦貯留し,当該空間部88の現像液を各現像液供給口87から同時に同流量で吐出できるように構成されている。
【0039】
現像液供給ノズル85は,図5に示すようにX方向に伸びるレール90上を移動可能なアーム91によって,長手方向がY方向になるように保持されている。レール90は,カップ収容部60のX方向負方向側の端部からX方向正方向側の端部まで伸びており,カップ収容部60のY方向正方向側の外側面に取り付けられている。アーム91は,図示しない駆動制御機構によってその移動速度や移動タイミングが制御されている。これによって,アーム91に保持された現像液供給ノズル85は,X方向に所定速度で移動しながら所定流量の現像液を吐出して,ウェハW表面全面に現像液を供給し,ウェハW上に所定膜厚の現像液の液膜を形成することができるようになっている。また,アーム91には,アーム91を上下方向に移動可能とする図示しない移動機構が設けられており,現像液供給ノズル85とウェハWとの距離を調節できるように構成されている。
【0040】
また待機位置Tには,現像液供給ノズル85を洗浄する洗浄槽92が設けられている。この洗浄槽92は,細長の現像液供給ノズル85を受容するように断面が凹状に形成されており,この洗浄槽92内には,現像液供給ノズル85に付着した現像液を洗浄するための所定の溶剤が貯留されている。
【0041】
一方,カップ収容部60のY方向負方向側の側壁外方には,ウェハWに洗浄液,例えば純水を供給するための洗浄液供給ノズル93が設けられている。洗浄液供給ノズル93は,アーム94に保持されており,アーム94は,Y方向に伸びるレール95上を移動自在に構成されている。レール95は,カップ収容部60のY方向負方向側からスピンチャック60の中央部を越える位置まで伸びており,ケーシング18aに設けられている。アーム94には,図示しない駆動機構が設けられており,アーム94がレール95上を移動可能になっている。これによって,洗浄液供給ノズル93は,必要に応じてカップ収容部60の前記外方からウェハWの中心部まで移動し,ウェハWの中心に洗浄液を供給できるようになっている。なお,アーム94には,アーム94を上下方向に移動可能とする図示しない移動機構が設けられており,必要に応じてウェハWとの距離を調節できるようになっている。
【0042】
次に,以上のように構成されている現像処理装置18の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0043】
先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置31に搬入する。このアドヒージョン装置31において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置30に搬送され,所定の温度に冷却される。その後,ウェハWは,レジスト塗布装置17又19,プリベーキング装置34又は35に順次搬送され,所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション・クーリング装置41に搬送される。
【0044】
次いで,ウェハWはエクステンション・クーリング装置41からウェハ搬送体50によって取り出され,その後,周辺露光装置51を経て露光装置(図示せず)に搬送される。露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬送された後,主搬送装置13に保持される。次いで,このウェハWはポストエクスポージャベーキング装置44又は45,クーリング装置43に順次搬送され,これらの処置装置にて所定の処理が施された後,現像処理装置18又は20に搬送される。
【0045】
そして現像処理の終了したウェハWは,再び主搬送装置13によってポストベーキング装置35,36,46又は47,クーリング装置30と順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション装置32を介して,ウェハ搬送体7によってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【0046】
次に上述した現像処理装置18の作用について詳しく説明する。先ず,現像処理が開始される前(ウェハW受け入れ前)に,エア供給機構80から所定の温度,湿度に調節されたエアが供給され,ケーシング18a全体に一様な下降気流が形成される。また,ケーシング18a内の雰囲気は,排気口72から常時一定の流量で排気され,ケーシング18a内がパージされる。このとき,カップ側部66は,下降しており,隙間73が狭くなっているため,上方からのエアは,主にカップ65内を通過して排気される。
【0047】
そして,現像処理が開始(ウェハW受け入れ)されると,先ず昇降ピン63がカップ65の上端部よりも高い位置に上昇され,ケーシング18a内に主搬送装置13により搬入されたウェハWが昇降ピン63上に支持され,昇降ピン63に受け渡される。次に,図8に示すように昇降ピン63が下降され,ウェハWがカップ65の上端部よりもわずかに高い位置,例えばカップ65よりも1mm程度高い位置に配置される。なお,このときのエアも隙間73が狭くなっているため,上方からのエアは,主にウェハWの周辺部を通過し,さらにカップ65内を通過して排気される。
【0048】
次に,待機位置Tの洗浄槽92内で待機していた現像液供給ノズル85が,図9に示すようにカップ収容部60内であって,カップ側部66のX方向負方向側の外方である位置Sに移動する。この位置Sにおいて,現像液供給ノズル85からの現像液の吐出が開始され,その吐出状態が安定するまで所定時間試し出しされる。
【0049】
現像液の吐出状態が安定すると,現像液供給ノズル85が,現像液を吐出しながらカップ側部66のX方向正方向側の外方である位置Eまで移動し,ウェハW全面に現像液が供給され,ウェハW上に現像液の液膜が形成される。その後現像液供給ノズル85は,待機位置Tに戻される。この間カップ側部66は,下降した状態を維持し,上方からのエアは,主にカップ65の上端部から直接カップ65内に流入され,排気口72から排気される。すなわち,カップ65内に流入されるエアの流量がカップ65外に流れるエアの流量よりも多くなるように維持される。なお,位置Sは,現像液供給ノズル85がウェハW端に到達する前に吐出状態が安定する所定時間が経過する距離としてのウェハW端からの位置としてもよい。
【0050】
ウェハW上に現像液の液膜が形成されると,所定時間の静止現像が開始される。このときカップ側部66は上昇される。これによって,図10に示すように,ウェハWがカップ65の上端部の位置よりも低い位置に配置される。また,カップ側部66が上昇したため隙間73が広くなり,さらにカップ65上端の開口部はウェハWによって狭くなるため,エアが流れるには抵抗となり,カップ65外に流れるエアが増大し,カップ65内に流入するエアが極少となる。当該エアは,回収板75の通気孔76を通過し,さらに隙間73を通って,カップ65内の排気口72から排気される。
【0051】
所定時間が経過し,静止現像が終了すると,図11に示すように昇降ピン63が下降され,ウェハWがスピンチャック60上に吸着保持される。また,カップ側部66も下降され,ウェハWをカップ65の中央部に位置させる共に,隙間73を狭めて,カップ65内に直接流入されるエアの流量がカップ65外に流れるエアの流量よりも多くなるように調節される。このとき,洗浄液供給ノズル93はウェハW中心上方まで移動する。
【0052】
次に,ウェハWが所定の回転速度,例えば2000rpmで回転され,ウェハWの中心に洗浄液が供給される。これによって,ウェハW上の現像液が遠心力によって振り切られる。このとき,当該振り切りによって現像液等のミストが発生するが,上方からカップ65内に直接流入されるエアによって,ウェハW下方に流され排気口72から排出される。なお,カップ65外に流出した一部のミストは,カップ65外を流れる弱いエアによって,カップ65外方を下降し,隙間73からカップ65内に流入され,排気口72から排気される。
【0053】
そして,所定時間経過後,洗浄液の吐出が停止され,ウェハWの回転速度が増大される。これによって,ウェハW上の洗浄液が振り切られ,ウェハWが乾燥される。所定時間ウェハWの乾燥が行われた後,ウェハWの回転が停止される。
【0054】
その後,ウェハWは昇降ピン63によって再びカップ65上端部上方まで上昇される。そして,ウェハWは搬入時と同様にして主搬送装置13に受け渡され,ケーシング18a外に搬出されて,一連の現像処理が終了する。
【0055】
以上の実施の形態によれば,カップ側部66を上下動可能とする昇降機構69を設けて,隙間73の広狭を調節できるようにしたため,カップ65内の排気口72からの排気によって隙間73を通過するエアの流量が調節され,これによって,上方からカップ65内に流入するエアの流量とカップ65外に流れるエアの流量を調節することができる。したがって,現像処理の各工程に応じて前記気流の強弱を調節し,ウェハWに不純物が付着するのを抑制しつつ,必要な場合には,ウェハW面内の温度を維持することができる。
【0056】
具体的には,ウェハWに現像液を供給する工程では,カップ65内に流入するエアの流量がカップ65外に流れるエアの流量よりも多くなるようにしたため,ウェハW周辺にはウェハWの下方に向かって流れる強い下降気流が形成される。これによって,ウェハWから発生する現像液のミストがウェハWの下方から排出され,当該ミストがウェハWに再付着することが抑制できる。
【0057】
ウェハWを静止現像する工程においては,カップ65を上昇させ,ウェハWをカップ65上端部よりも低い位置に配置して,カップ65内に流入するエアの流量がカップ65外に流れるエアの流量よりも少なくなるように調節したため,ウェハW周辺を流れる気流が抑制され,気流によるウェハW表面温度の低下が抑制されて,ウェハW温度の維持が図られる。
【0058】
ウェハWを洗浄,乾燥する工程においては,カップ65内に流入するエアの流量がカップ外に流れるエアの流量よりも多くなるように調節したため,ウェハWの回転によって発生する洗浄液,現像液等のミストがウェハWの下方から好適に排出され,当該ミストがウェハWに再付着したり,カップ65外に浮遊し,ケーシング18a内を汚染することが防止できる。
【0059】
ところで,カップ65の外方に,傾斜した回収板75を設けるようにしたため,カップ65外に漏れた現像液等を好適に回収することができ,ケーシング18a内の汚染を防止しつつ,現像液の再利用を図ることができる。
【0060】
また,ウェハWを所定の高さに配置可能とする昇降ピン63を設けたため,現像処理の各工程に応じてウェハWの高さを変更することが可能となり,ウェハWをカップ65に対して好適な位置に配置して現像処理を行うことができる。特に,ウェハWを静止現像する工程においては,ウェハWをカップ65の上端部より低い位置に配置することによって,エア供給機構80から供給されるエアが直接ウェハWに触れ,ウェハW表面の温度分布がばらつくことを防止できる。
【0061】
以上の実施の形態では,カップ側部65を上下動させることによってエアの流量を調節していたが,カップ65内の雰囲気を排気する排気口とカップ65外の雰囲気を排気する排気口とを別々に設け,さらに各排気口にそれぞれダンパを設けることによって,各排気口から排気されるエアの流量を調節し,カップ65内に流入するエアの流量とカップ65外に流れるエアの流量を調節するようにしてもよい。
【0062】
また,以上の実施の形態では,ウェハWを上下動可能とする昇降機構として,昇降ピン63を設けたが,スピンチャック61を上下動可能にする駆動機構を設けて,ウェハWを上下動可能にしてもよい。
【0063】
以上の実施の形態では,現像液供給ノズル85をウェハWの一端から他端に移動させてウェハW上に現像液を液盛りしていたが,現像液供給ノズル85をウェハW中心上方に配置し,現像液供給ノズル85とウェハWとを相対的に回転させることによって,現像液を液盛りしてもよい。ウェハWを回転させる場合には,現像液供給時にウェハWをスピンチャック61に保持させることによって実現される。また,現像液供給ノズル85を回転させる場合には,現像液供給ノズル85を保持しているアーム91に回転機構を取り付け,現像液を吐出しながら現像液供給ノズル85を回転させることによって実現される。
【0064】
以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハWの現像処理装置についてであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の現像処理装置においても応用できる。
【0065】
【発明の効果】
本発明によれば,容器内外に流れる気流を制御できるので,基板への不純物の再付着と,気流に起因する基板表面の温度分布のばらつきとが抑制できる。これによって,例えば現像欠陥,線幅不良等が抑制され,歩留まりの向上が図られる。
【0066】
特に,請求項2によれば,基板の現像工程時に,基板に気流が当たらないように制御され,基板表面の温度分布のばらつきが線幅不良に大きく影響する当該現像工程が好適に行われる。
【0067】
また,請求項4によれば,基板の回転工程時に,基板周辺の気流が強くなるように制御され,基板等から不純物が発生しやすい当該回転工程時における基板への不純物の再付着が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかる現像処理装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】本実施の形態にかかる現像処理装置の縦断面の説明図である。
【図5】図4の現像処理装置の横断面の説明図である。
【図6】図4の現像処理装置で用いられる現像液供給ノズルの斜視図である。
【図7】図6の現像液供給ノズルの縦断面図である。
【図8】ウェハ上に現像液が供給される際の現像処理装置内の状態を示す説明図である。
【図9】ウェハ上に現像液が供給されている際の現像処理装置内の状態を示す説明図である。
【図10】ウェハを現像する際の現像処理装置内の状態を示す説明図である。
【図11】ウェハを洗浄,乾燥する際の現像処理装置内の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
18 現像処理装置
18a ケーシング
60 カップ収容部
63 昇降ピン
65 カップ
66 カップ側部
67 カップ底部
69 昇降機構
71 排気管
73 隙間
75 回収板
85 現像液供給ノズル
93 洗浄液供給ノズル
T 待機位置
W ウェハ
Claims (11)
- ケーシング内で基板を現像処理する現像処理方法であって,
基板上方から気体を供給する工程と,
前記ケーシング内であって基板の外周を囲む容器内に流入する前記上方からの気体を前記容器内の排気口から前記ケーシング外に排気する工程と,
前記ケーシング内であって前記容器外に流れる前記上方からの気体を前記容器に設けられた流入口から容器内に流入させ,前記排気口から前記ケーシング外に排気する工程と,
前記容器内に流入する気体の第1の流量と,前記容器外に流れる気体の第2の流量とを調節する工程とを有し,
前記第1の流量と第2の流量を調整する工程は,前記容器を上下動させて前記流入口の開閉度を調節することによって行われることを特徴とする,現像処理方法。 - 基板上に現像液が供給された状態で当該基板を現像する際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも少なくなるように調節することを特徴とする,請求項1に記載の現像処理方法。
- 前記基板を現像する際に,当該基板を前記容器の上端部よりも低い位置に置くことを特徴とする,請求項2に記載の現像処理方法。
- 前記基板の現像工程終了後であって,当該基板を回転させる際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも多くなるように調節することを特徴とする,請求項2又は3のいずれかに記載の現像処理方法。
- 前記基板上に現像液が供給される際に,前記第1の流量が前記第2の流量よりも多くなるように調節することを特徴とする,請求項2,3又は4のいずれかに記載の現像処理方法。
- ケーシング内で基板を現像処理する現像処理装置であって,
前記ケーシング内で前記基板の外周を囲む容器と,
前記現像処理装置内に気体を供給する気体供給装置と,
前記容器内に流れ込む雰囲気と前記容器外に流れる雰囲気とを一括してケーシング外に排気する排気装置と,
前記容器内に流入する気体の流量と前記容器外に流れる気体の流量を調節する調節装置とを有し,
前記排気装置の排気口は,前記容器内に設けられており,
前記容器には,前記容器外に流れた気体を前記容器内に流入させるための流入口が設けられており,
前記調節装置は,前記容器を上下動させることによって前記流入口の開閉度を調節可能な容器駆動装置であることを特徴とする,現像処理装置。 - 前記容器外周には,前記容器外に漏れた現像液を回収する回収板が設けられており,
当該回収板には,前記容器外に流れる気体が通過する複数の通気孔が設けられていることを特徴とする,請求項6に記載の現像処理装置。 - 前記回収板は,前記容器側が低くなるように傾斜していることを特徴とする,請求項7に記載の現像処理装置。
- 基板に液を供給して処理する処理装置であって,
基板の外周を囲み,上面が開口した容器と,
前記容器内に設けられ,上方から前記容器内に流れる気体と前記容器外に流出した前記液のミストを含む気体とを排気するための排気口と,
前記容器を上下動させる容器駆動装置と,を有し,
前記容器には,前記容器外に流出した気体を,前記容器内に流入させるための流入口が設けられ,
前記容器駆動装置により,前記容器を上下動させることによって前記流入口の開閉度を調節し,上方から前記容器内に流入する気体の流量と,前記容器外に流出し,前記流入口から前記容器内に流入する気体の流量とを調節することを特徴とする,処理装置。 - 前記液は,現像液であり,基板上に現像液が供給される際には,前記容器を下降して前記流入口を狭くし,かつ基板を前記容器の上端部より高い位置に配置し,
前記基板上に現像液が供給された状態で当該基板を現像する際には,前記容器を上昇して前記流入口を広くし,かつ基板を前記容器の上端部より低い位置に配置することを特徴とする,請求項9に記載の処理装置。 - 前記容器は,容器側部と容器底部とを有し,
前記流入口は,前記容器側部の下端部と前記容器底部との間に設けられ,
前記容器駆動装置により,前記容器側部を上下動させて前記流入口の開閉度を調節することを特徴とする,請求項9又は10のいずれかに記載の処理装置。
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US7048800B2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-05-23 | Asml Holding N.V. | Semiconductor substrate processing apparatus |
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US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
JP4515275B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4471865B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及びその方法 |
US7770535B2 (en) * | 2005-06-10 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Chemical solution application apparatus and chemical solution application method |
TWI283005B (en) * | 2005-12-28 | 2007-06-21 | Au Optronics Corp | Low-pressure process apparatus |
KR100712551B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 스핀 유닛의 위치 재현성 실현이 가능한 스핀너 장비 및 그 운용 방법 |
JP4830962B2 (ja) * | 2006-10-23 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、カップ体の着脱方法及び記憶媒体 |
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JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5160204B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-03-13 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
WO2009079874A1 (en) * | 2007-12-10 | 2009-07-02 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
JP5001828B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5449720B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-03-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
KR101052818B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-07-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에서의 정비 방법 |
JP5133305B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 基板の洗浄装置及び洗浄方法 |
JP5218450B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5242632B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
KR102119688B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2020-06-09 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
US9984867B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for rinsing and drying substrates |
US10203604B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
JP7124946B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2022-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法 |
JP6841188B2 (ja) * | 2017-08-29 | 2021-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布液捕集部材 |
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JP7093703B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7360973B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2023-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
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JP2559617B2 (ja) * | 1988-03-24 | 1996-12-04 | キヤノン株式会社 | 基板処理装置 |
KR100267617B1 (ko) * | 1993-04-23 | 2000-10-16 | 히가시 데쓰로 | 진공처리장치 및 진공처리방법 |
KR100370728B1 (ko) * | 1994-10-27 | 2003-04-07 | 실리콘 밸리 그룹, 인크. | 기판을균일하게코팅하는방법및장치 |
TW333658B (en) * | 1996-05-30 | 1998-06-11 | Tokyo Electron Co Ltd | The substrate processing method and substrate processing system |
EP0827186A3 (en) | 1996-08-29 | 1999-12-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment system |
US5855681A (en) * | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
JPH113851A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
TWM249206U (en) * | 1998-07-31 | 2004-11-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
US6293713B1 (en) * | 1999-07-02 | 2001-09-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US6401401B1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-06-11 | Mark F. Williams | Multi-component flashing systems |
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